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CN1838494A - 半导体激光装置和光学拾取装置 - Google Patents

半导体激光装置和光学拾取装置 Download PDF

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CN1838494A
CN1838494A CNA2006100674160A CN200610067416A CN1838494A CN 1838494 A CN1838494 A CN 1838494A CN A2006100674160 A CNA2006100674160 A CN A2006100674160A CN 200610067416 A CN200610067416 A CN 200610067416A CN 1838494 A CN1838494 A CN 1838494A
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别所靖之
野村康彦
庄野昌幸
梶山清治
土屋洋一
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

半导体激光装置的蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点，配置成按该顺序沿Y方向大致排列在直线上。从蓝紫色发光点发射的蓝紫色激光和从红色发光点发射的红色激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4片、物镜、柱面透镜和光轴校正元件构成的光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向同一个光检测器。从红外发光点发射的红外激光，通过上述光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向光检测器。

Description

半导体激光装置和光学拾取装置
技术领域
本发明涉及可发射波长不同的多种光的半导体激光装置和具备该半导体激光装置的光学拾取装置。
背景技术
在现有技术中，在压缩光盘(CD)驱动器中，作为光源而采用发射波长为780nm左右的红外光的半导体激光元件(红外半导体激光元件)。另外，在现有技术的数字多功能光盘(DVD)驱动器中，作为光源而采用发射波长为650nm左右的红色光的半导体激光元件(红色半导体激光元件)。
另一方面，近年来，正在进行着可采用波长为405nm左右的蓝紫色光进行记录和再生的DVD的开发研究。为了进行这种DVD的记录和再生，同时还进行着采用发射波长为405nm左右的蓝紫色光的半导体激光元件(蓝紫色半导体激光元件)的DVD驱动器的开发。在这种DVD驱动器中，必需具有对现有技术的CD和DVD的互换性。
在这种情况下，利用在DVD驱动器中设置分别射出红外光、红色光和蓝紫色光的多个光学拾取装置的方法、或者在一个光学拾取装置内设置红外半导体激光元件、红色半导体激光元件和蓝紫色半导体激光元件的方法，实现与现有技术的CD、DVD和新的DVD对应的互换性。但是，在这些方法中将导致部件数的增加，因此，很难实现DVD驱动器的小型化、结构的简单化和成本的降低。
为了防止这种部件数的增加，将红外半导体激光元件和红色半导体激光元件集成在一个芯片上的半导体激光元件已投入实际使用。
因为红外半导体激光元件和红色半导体激光元件都可以在GaAs基板上形成，所以可以集成在一个芯片上，但是，蓝紫色半导体激光元件不能在GaAs基板上形成，所以将蓝紫色半导体激光元件与红外半导体激光元件以及红色半导体激光元件一起集成在一个芯片上是非常困难的。
因此，提出了一种具有如下结构的发光装置(例如，参照日本特开2001-230502号公报)，即，通过在同一芯片上形成红外半导体激光元件以及红色半导体激光元件而制作单片红色/红外半导体激光元件，同时，在另一个芯片上形成蓝紫色半导体激光元件，然后将蓝紫色半导体激光元件的芯片与红色/红外半导体激光元件的芯片层叠在一起。
在将该发光装置安装在光学拾取装置内时，可以减小该光学拾取装置中的蓝紫色半导体激光元件、红色半导体激光元件和红外半导体激光元件的占有空间。
可是，在如上所述的发光装置中，各半导体激光元件的发光点是彼此分开的。因此，内部装有多个半导体激光元件的光学拾取装置，最好设置与各半导体激光元件对应的光学系统和受光元件。在这种情况下，可以将从多个半导体激光元件发射的光精确地导向光学记录介质，同时，将来自光学记录介质的反射光精确地导向受光元件。但是，若在光学拾取装置内设置与各半导体激光元件对应的光学系统和受光元件，则会导致光学拾取装置的大型化。
在日本特开2001-230502号公报中，给出将具有蓝紫色半导体激光元件、红外半导体激光元件和红色半导体激光元件的发光装置安装在设置有由三个半导体激光元件共用的光学系统和共用的受光元件的光盘记录再生装置内的例子。
但是，从蓝紫色半导体激光元件、红色半导体激光元件和红外半导体激光元件发射的激光的光路并不一致。因此，为了进行精确的信号再生、跟踪控制、聚焦控制和倾斜控制，实际上，在光盘记录再生装置内必须设置与三种激光对应的三个受光元件。因此，上述的光盘记录再生装置很难小型化。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种可以使光盘记录再生装置小型化的半导体激光装置。
本发明的另一目的在于，提供一种可以小型化的光学拾取装置。
(1)
本发明的一个方面的半导体激光装置，包括：具有在与第一方向大致平行的方向上发射第一波长的光的第一发光点的第一半导体激光元件、具有在与第一方向大致平行的方向上发射与第一波长的自然数倍数不同的第二波长的光的第二发光点的第二半导体激光元件、和具有在与第一方向大致平行的方向上发射大致为第一波长的自然数倍数的第三波长的光的第三发光点的第三半导体激光元件，其中，在与第一方向正交的第一面内，第一发光点与第三发光点之间的距离，至少小于第一发光点与第二发光点之间的距离和第二发光点与第三发光点之间的距离中的一个。
在该半导体激光装置中，从第一半导体激光元件的第一发光点在与第一方向大致平行的方向上发射第一波长的光，从第二半导体激光元件的第二发光点在与第一方向大致平行的方向上发射与第一波长的自然数倍数不同的第二波长的光，从第三半导体激光元件的第三发光点在与第一方向大致平行的方向发射大致为第一波长的自然数倍数的第三波长的光。
第三波长，大致为第一波长的自然数倍数，因此，使第一波长的光入射到衍射光栅时的衍射作用与使第三波长的光入射到衍射光栅时的衍射作用大致相同。另一方面，第二波长，与第一波长的自然数倍数不同，因此，使第一波长的光入射到衍射光栅时的衍射作用与使第二波长的光入射到衍射光栅时的衍射作用不同。
此处，由于第一发光点和第三发光点位于不同的位置，所以第一波长的光的光路和第三波长的光的光路不能准确地一致。
因此，在将该半导体激光装置应用于光学拾取装置时，在光学拾取装置内，必须设置接收第一波长的光的第一光检测器和接收第三波长的光的第二光检测器。
另一方面，通过使第二波长的光入射到衍射光栅，而可以将第二波长的光导向第一和第二光检测器中的一方。因此，可以由第一和第二光检测器接收第一、第二和第三波长的光。
在这种情况下，在第一面内，通过使第一发光点与第三发光点之间的距离至少小于第一发光点与第二发光点之间的距离和第二发光点与第三发光点之间的距离中的一个，而可以使第一波长的光的光路与第三波长的光的光路之间的距离至少小于第一波长的光的光路与第二波长的光的光路之间的距离和第二波长的光的光路与第三波长的光的光路之间的距离中的一个。
由此，在光学拾取装置内，可以将第一和第二光检测器相互接近地配置，其结果是，可以减小光学拾取装置内的第一和第二光检测器的配置空间，因而，可以实现光学拾取装置的小型化。
(2)
第一、第二和第三发光点，沿着与第一方向交叉的第二方向配置，第三发光点，可以配置在第一发光点和第二发光点之间。在这种情况下，将第一、第三和第二发光点按该顺序沿第二方向大致配置在直线上。由此，在将该半导体激光装置应用于光学拾取装置时，很容易进行光学拾取装置的设计。
(3)
第一半导体激光元件具有第一基板，第二方向也可以与第一基板的一个面大致平行。在这种情况下，第一发光点、第三发光点和第二发光点，沿着与第一基板的一个面大致平行的直线排列。由此，在将该半导体激光装置应用于光学拾取装置时，能够很容易进行光学拾取装置的设计。
(4)
也可以将第二和第三半导体激光元件接合在第一半导体激光元件上。在这种情况下，可以将第一、第二和第三半导体激光元件一体化。由此，可以实现半导体激光装置的小型化。
(5)
第一半导体激光元件，包括具有第一发光点的第一半导体层和在第一半导体层上形成的第一电极，第二半导体激光元件，包括具有第二发光点的第二半导体层和在第二半导体层上形成的第二电极，第三半导体激光元件，包括具有第三发光点的第三半导体层和在第三半导体层上形成的第三电极，其中，也可以将第二和第三电极接合在第一电极上。
在这种情况下，在第一半导体层上可以在垂直方向上缩短第一发光点、第二发光点和第三发光点之间的距离。其结果是，很容易将第一、第二和第三发光点沿着与第一半导体层平行的方向大致配置在直线上。
(6)
也可以通过绝缘层将第二和第三电极接合在第一电极上。按照这种方式，可以使第一、第二和第三电极相互间电气隔离。由此，可以对第一、第二和第三电极分别施加任意的电压。因此，可以任意选择第一、第二和第三半导体激光元件的驱动方式。
(7)
还可以具有将第二半导体激光元件和第三半导体激光元件连结的连结部。在这种情况下，由于第二半导体激光元件和第三半导体激光元件相互间由连结部连结，所以很容易进行第二和第三发光点对第一发光点的定位。
(8)
还包括具有与第二方向平行的一个面的副装配座，并可以将第一、第二和第三半导体激光元件接合在副装配座的一个面上。在这种情况下，由于将第一、第二和第三半导体激光元件接合在副装配座的一个面上，因此很容易将第一、第二和第三发光点在副装配座的一个面上大致配置在直线上。由此，在将该半导体激光装置应用于光学拾取装置时，很容易进行光学拾取装置的设计。
(9)
第一波长的光可以是蓝紫色光、第二波长的光可以是红色光、第三波长的光可以是红外光。在这种情况下，可以从一个半导体激光装置发射多种颜色的光。
(10)
第一半导体层可以由氮化物系半导体构成。在这种情况下，第一半导体激光元件可以发射蓝紫色光。
第二半导体层可以由磷化镓铟(GaInP)系半导体构成。在这种情况下，第二半导体激光元件可以发射红色光。
第三半导体层可以由砷化镓(GaAs)系半导体构成。在这种情况下，第三半导体激光元件可以发射红外光。
(11)
本发明的另一个方面的光学拾取装置，使光照射光学记录介质，并检测从该光学记录介质返回的光，该光学拾取装置，包括本发明的一个方面的半导体激光装置，该半导体激光装置包括：具有在与第一方向大致平行的方向上发射第一波长的光的第一发光点的第一半导体激光元件、具有在与第一方向大致平行的方向上发射与第一波长的自然数倍数不同的第二波长的光的第二发光点的第二半导体激光元件、和具有在与第一方向大致平行的方向上发射大致为第一波长的自然数倍数的第三波长的光的第三发光点的第三半导体激光元件，其中，在与第一方向正交的第一面内，第一发光点与第三发光点的距离，至少小于第一发光点与第二发光点的距离和第二发光点与第三发光点的距离中的一个。
在该光学拾取装置中，从半导体激光装置有选择地发射第一、第二或者第三波长的光。此处，按照这种半导体激光装置，可以将第一、第二和第三波长的光导向两个光检测器。因此，无需在光学拾取装置中设置与第一、第二和第三波长的光对应的三个光检测器。其结果是，可以减小光学拾取装置内的光检测器的配置空间，因而可以实现光学拾取装置的小型化。
(12)
还包括第一和第二光检测器、以及在将从半导体激光装置发射的第一、第二或者第三波长的光导向光学记录介质的同时，将从光学记录介质返回的第一、第二或者第三波长的光导向第一或者第二光检测器的光学系统。
在这种情况下，将从光学记录介质返回的第一、第二和第三波长的光分别导向第一或者第二光检测器中的任何一个光检测器。其结果是，可以减小光学拾取装置内的光检测器的配置空间，因而可以实现光学拾取装置的小型化。
(13)
光学系统可以包括使第一、第二和第三波长的光透过的衍射光栅，以便将第一和第三波长的光分别导向第一和第二光检测器，并将第二波长的光导向第一和第二光检测器中的一方。
在这种情况下，从半导体激光装置有选择地发射第一、第二或者第三波长的光。从半导体激光装置发射的第一波长的光，由光学系统导向光学记录介质，并从光学记录介质返回而被导向第一光检测器。
另外，从半导体激光装置发射的第三波长的光，由光学系统导向光学记录介质，从光学记录介质返回后被导向第二光检测器。进一步，从半导体激光装置发射的第二波长的光，由光学系统导向光学记录介质，从光学记录介质返回后被导向第一和第二光检测器中的一方。
第三波长大致为第一波长的自然数倍数，因此，使第一波长的光透过衍射光栅时的衍射作用，与使第三波长的光透过衍射光栅时的衍射作用大致相同。另一方面，因为第二波长与第一波长的自然数倍数不同，因此，使第一波长的光透过衍射光栅时的衍射作用与使第二波长的光透过衍射光栅时的衍射作用不同。
此处，由于第一发光点和第三发光点位于不同的位置，所以第一波长的光路和第三波长的光路不能准确地一致。
因此，在本发明的光学拾取装置中，设置有接收第一波长的光的第一光检测器和接收第三波长的光的第二光检测器。
另一方面，通过使第二波长的光透过衍射光栅，而可以将第二波长的光导向第一和第二光检测器中的一方。因此，可以由第一和第二光检测器接收第一、第二和第三波长的光。其结果是，在本发明的光学拾取装置中，为了接收第一、第二或者第三的三个波长的光而设置有两个光检测器，因此可以实现小型化。
另外，在第一面内，通过使第一发光点与第三发光点之间的距离至少小于第一发光点与第二发光点之间的距离和第二发光点与第三发光点之间的距离中的一个，而可以使第一波长的光的光路与第三波长的光的光路之间的距离至少小于第一波长的光的光路与第二波长的光的光路之间的距离和第二波长的光的光路与第三波长的光的光路之间的距离中的一个。
由此，在光学拾取装置内，可以将第一和第二光检测器相互接近地配置。其结果是，可以减小光学拾取装置内的第一和第二光检测器的配置空间，因而可以实现光学拾取装置的小型化。
(14)
可以将半导体激光装置配置成使由第一半导体激光元件发射的第一波长的光的轴与光学系统的光轴一致。在这种情况下，可以使第一波长的光通过光学系统时的效率比第二和第三波长的光通过光学系统时的效率高。
半导体激光装置，包括：具有在与第一方向大致平行的方向上发射第一波长的光的第一发光点的第一半导体激光元件、具有在与第一方向大致平行的方向上发射与第一波长的自然数倍数不同的第二波长的光的第二发光点的第二半导体激光元件、和具有在与第一方向大致平行的方向上发射大致为第一波长的自然数倍数的第三波长的光的第三发光点的第三半导体激光元件，其中，使第一发光点与第三发光点之间的距离，至少小于第一发光点与第二发光点之间的距离和第二发光点与第三发光点之间的距离中的一个。由此，在将该半导体激光装置应用于光学拾取装置时，可以实现光学拾取装置的小型化。
另外，本发明的另一个方面的光学拾取装置，使光照射光学记录介质，并检测从该光学记录介质返回的光，该光学拾取装置包括本发明的一个方面的半导体激光装置、第一和第二光检测器、以及在将从半导体激光装置发射的第一、第二或者第三波长的光导向光学记录介质的同时，将从光学记录介质返回的第一、第二或者第三波长的光导向第一或者第二光检测器的光学系统，其中，光学系统包括使第一、第二和第三波长的光透过的衍射光栅，以便将第一和第三波长的光分别导向第一和第二光检测器，并将第二波长的光导向第一和第二光检测器中的一方。
在该光学拾取装置中，为接收第一、第二或者第三的三个波长的光设置有两个光检测器，因此可以实现小型化。
附图说明
图1是用于说明第一实施方式的半导体激光装置的结构的示意图。
图2是图1的半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件与红色半导体激光元件和红外半导体激光元件的接合面的示意图。
图3是安装有图1的半导体激光装置的激光器用大致圆型密封封装外壳的外观斜视图。
图4是表示将图3的激光器用大致圆型密封封装外壳的盖体拆下后的状态的示意正面图。
图5是表示将半导体激光装置的盖体拆下后的状态的示意俯视图。
图6是表示第一实施方式的半导体激光装置的制造方法的一例的示意工序截面图。
图7是表示第一实施方式的半导体激光装置的制造方法的一例的示意工序截面图。
图8是表示第一实施方式的半导体激光装置的制造方法的一例的示意工序截面图。
图9是用于说明蓝紫色半导体激光元件的详细结构的示意截面图。
图10是用于说明单片(monolithic)红色/红外半导体激光元件的红色半导体激光元件的详细结构的示意截面图。
图11是用于说明单片红色/红外半导体激光元件的红外半导体激光元件的详细结构的示意截面图。
图12是表示本实施方式的光学拾取装置的结构的图。
图13是用于说明第二实施方式的半导体激光装置的结构的示意图。
图14是表示将图13的半导体激光装置安装在图3的激光器用大致圆型密封封装外壳内并将盖体拆下后的状态的示意正面图。
图15是用于说明第三实施方式的半导体激光装置的结构的示意图。
图16是图15的半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件与红色半导体激光元件和红外半导体激光元件的接合面的示意图。
图17是表示将图15的半导体激光装置安装在图3的激光器用大致圆型密封封装外壳内并将盖体拆下后的状态的示意正面图。
图18是表示将图15的半导体激光装置安装在图3的激光器用大致圆型密封封装外壳内并将盖体拆下后的状态的示意俯视图。
图19是用于说明第四实施方式的半导体激光装置的结构的示意图。
图20是图19的半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件和单片红色/红外半导体激光元件与副装配座的接合面的示意图。
图21是表示将图19的半导体激光装置安装在图3的激光器用大致圆型密封封装外壳内并将盖体拆下后的状态的示意正面图。
图22是用于说明第五实施方式的半导体激光装置的结构的示意图。
图23是表示将图22的半导体激光装置安装在图3的激光器用大致圆型密封封装外壳内并将盖体拆下后的状态的示意正面图。
具体实施方式
以下，说明本发明的一个实施方式的半导体激光装置和具备该半导体激光装置的光学拾取(optical pickup)装置。
(1)第一实施方式
本发明的一个实施方式的半导体激光装置，包括发射波长约为405nm的激光的半导体激光元件(以下称为蓝紫色半导体激光元件)、发射波长约为650nm的激光的半导体激光元件(以下称为红色半导体激光元件)和发射波长约为780nm的激光的半导体激光元件(以下称为红外半导体激光元件)。
(a)半导体激光装置的结构
图1是用于说明第一实施方式的半导体激光装置的结构的示意图。图1(a)中示出表示第一实施方式的半导体激光装置的一例的俯视图，图1(b)中示出图1(a)的A1-A1线截面图。图2是图1的半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件与红色半导体激光元件和红外半导体激光元件的接合面的示意图。
在图1和图2中，假定如箭头X、Y、Z所示的相互正交的三个方向为X方向、Y方向和Z方向。X方向和Y方向是与后述的蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的pn接合面10、20、30平行的方向。Z方向是与蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的pn接合面10、20、30垂直的方向。
如图1(a)和图1(b)所示，在蓝紫色半导体激光元件1的表面上形成在X方向上延伸的条带状的脊形条部Ri。该脊形条部Ri，位于从Y方向的蓝紫色半导体激光元件1的中心偏离的部位。在脊形条部Ri的侧面和脊形条部Ri的两侧形成有绝缘膜4a，使其覆盖蓝紫色半导体激光元件1的表面。在脊形条部Ri的表面上形成有p型欧姆电极621。
形成p侧焊盘电极12，使其覆盖p型欧姆电极621的表面和脊形条部Ri周边的绝缘膜4a。在蓝紫色半导体激光元件1的下面形成有n电极15。在蓝紫色半导体激光元件1内形成有作为p型半导体和n型半导体的接合面的pn接合面10。
在本实施方式中，红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3整体地形成。以下，将整体地形成的红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3称为单片红色/红外半导体激光元件23X。
在该单片红色/红外半导体激光元件23X中，在共用的基板上制作红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3。详细内容将在后文中进行说明。
在红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的表面上，形成共用n电极233。在红色半导体激光元件2的下面形成p侧焊盘电极22。在红色半导体激光元件2内形成作为p型半导体和n型半导体的接合面的pn接合面20。在红外半导体激光元件3的下面形成p侧焊盘电极32。在红色半导体激光元件3内上形成作为p型半导体和n型半导体的接合面的pn接合面30。
此外，虽然在图1(b)中未示出，但在红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3上也形成有在X方向上延伸的条带状的脊形条部。因此，在各脊形条部上也形成有未图示的p型欧姆电极。
将单片红色/红外半导体激光元件23X接合在蓝紫色半导体激光元件1上，在Y方向上使红外半导体激光元件3位于蓝紫色半导体激光元件1的大致中心位置、并且使红色半导体激光元件2以红外半导体激光元件3为基准而位于与蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri相反的一侧。
对蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X的接合部进行说明。
如图2(a)所示，在蓝紫色半导体激光元件1的绝缘膜4a上，除上述的p侧焊盘电极12以外，还形成有p侧焊盘电极13、14。
p侧焊盘电极12，在使其沿着蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri在X方向上延伸的同时，其一部分还在Y方向上延伸。
p侧焊盘电极14，形成为与p侧焊盘电极12邻接。p侧焊盘电极14，在蓝紫色半导体激光元件1的大致中央部沿着X方向延伸的同时，其一部分与p侧焊盘电极12相同还在Y方向上延伸。
p侧焊盘电极13，形成为与p侧焊盘电极14邻接。p侧焊盘电极13，在蓝紫色半导体激光元件1的角部附近沿着X方向延伸的同时，其一部分与p侧焊盘电极12相同还在Y方向上延伸。
各p侧焊盘电极12、13、14，在绝缘膜4a上彼此分开而形成。由此，各p侧焊盘电极12、13、14相互间电气隔离。
如图2(b)所示，在绝缘膜4a和p侧焊盘电极12、13、14上按预定的图案形成绝缘膜4b。绝缘膜4b，形成为使在Y方向延伸的p侧焊盘电极12、13、14的一端露出。在露出的p侧焊盘电极12、13、14的一端焊接有用于驱动各半导体激光元件的导线。此外，在Y方向延伸的p侧焊盘电极12、13、14的一端露出宽度约为100μm、长度约为100μm的区域。
另外，绝缘膜4b，形成为在蓝紫色半导体激光元件1的大致中央部使p侧焊盘电极14的一部分露出。在该p侧焊盘电极14的露出部，形成有由Au-Sn构成的焊接膜H。
进一步，绝缘膜4b，形成为使p侧焊盘电极13的大致中央部露出。在该p侧焊盘电极13的露出部，也形成有由Au-Sn构成的焊接膜H。
在进行单片红色/红外半导体激光元件23X对图1的蓝紫色半导体激光元件1的接合时，使红色半导体激光元件2的p侧焊盘电极22通过焊接膜H与p侧焊盘电极13接合、使红外半导体激光元件3的p侧焊盘电极32通过焊接膜H与p侧焊盘电极14接合。
由此，使红色半导体激光元件2的p侧焊盘电极22与p侧焊盘电极13电气连接，使红外半导体激光元件3的p侧焊盘电极32与p侧焊盘电极14电气连接。
另外，在上述中，因为将单片红色/红外半导体激光元件23X接合在按图案形成的绝缘膜4b上，所以，可以防止红外半导体激光元件3的p侧焊盘电极32与p侧焊盘电极12、13接触，并防止红色半导体激光元件2的p侧焊盘电极22与p侧焊盘电极12、14接触。
通过在蓝紫色半导体激光元件1的p侧焊盘电极12和n电极15之间施加电压，从pn接合面10上的脊形条部Ri的下方区域(以下，称为蓝紫色发光点)11向在X方向发射波长约为405nm的激光。
通过在红色半导体激光元件2的p侧焊盘电极22(蓝紫色半导体激光元件1上的p侧焊盘电极13)和共用n电极233之间施加电压，而从pn接合面20上的预定区域(以下，称为红色发光点)21在X方向发射波长约为650nm的激光。
通过在红外半导体激光元件3的p侧焊盘电极32(蓝紫色半导体激光元件1上的p侧焊盘电极14)和共用n电极233之间施加电压，而从pn接合面30上的预定区域(以下，称为红外发光点)31在X方向发射波长约为780nm的激光。
在本实施方式中，在Y方向的蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri的一侧，按顺序配置有红外半导体激光元件3和红色半导体激光元件2。由此，使蓝紫色发光点11与红色发光点21之间的距离比蓝紫色发光点11与红外发光点31之间的距离以及红外发光点31与红色发光点21之间的距离的任何一个都长。而且，在Y方向上，红外发光点31位于蓝紫色发光点11与红色发光点21之间。
在本实施方式中，Y方向上的蓝紫色发光点11与红外发光点31之间的间隔，例如调整到约为110μm。而且，Y方向上的红色发光点21与红外发光点31之间的间隔，例如调整到约为90μm。
Y方向上的蓝紫色半导体激光元件1的宽度，例如约为400μm。Y方向上的单片红色/红外半导体激光元件23X的宽度，例如约为200μm。
此外，图1(b)的截面图在Z方向上被放大。实际上，Z方向上的各发光点的间隔，与Y方向上的各发光点的间隔相比非常小。因此，在实际的半导体激光装置1000A中，蓝紫色发光点11、红色发光点21和红外发光点31，沿着与Y方向平行的轴大致位于直线上。
(b)半导体激光装置的效果
如图1(a)所示，在本发明的半导体激光装置1000A中，在Y方向上延伸的p侧焊盘电极12、13、14的一端，在蓝紫色半导体激光元件1的绝缘膜4a上，穿过蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X之间，从Y方向的单片红色/红外半导体激光元件23X的侧面伸出并露出。由此，在Y方向上延伸的p侧焊盘电极12、13、14的露出部，在X方向上大致排列在直线上，因此可以减小蓝紫色半导体激光元件1的Y方向的宽度。
另外，由于在Y方向上延伸的p侧焊盘电极12、13、14的露出部在X方向上大致排列在直线上，可以增大Y方向的蓝紫色半导体激光元件1上的单片红色/红外半导体激光元件23X的配置空间。因此，可以增大单片红色/红外半导体激光元件23X的宽度。
进一步，在蓝紫色半导体激光元件1上，可以使单片红色/红外半导体激光元件23X的配置位置靠近蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri。在这种情况下，可以减小蓝紫色发光点11与红外发光点31之间的间隔。
如上所述，半导体激光装置1000A中的p侧焊盘电极12、13、14的露出部，必须具有用于焊接导线的规定的大小。因此，如果将p侧焊盘电极12、13、14的露出部配置在蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri与单片红色/红外半导体激光元件23X之间，就不能减小蓝紫色发光点11与红外发光点31之间的间隔。
此处，各p侧焊盘电极12、13、14，也可以在Y方向上相对于蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri在与单片红色/红外半导体激光元件23X相反的一侧露出。但是，在这种情况下，将使红外半导体激光元件3的p侧焊盘电极14与在X方向上延伸的p侧焊盘电极12交叉。而且，红色半导体激光元件2的p侧焊盘电极13，与在X方向上延伸的p侧焊盘电极12、14交叉。在这种情况下，必须在各p侧焊盘电极的交叉部重新设置绝缘膜。
与此不同，在本实施方式的半导体激光装置1000A中，在蓝紫色半导体激光元件1的绝缘膜4a上，各p侧焊盘电极12、13、14相互间不交叉。因此，可以在绝缘膜4a上同时进行p侧焊盘电极12、13、14的形成。其结果是，使制造工序变得简单，结构也变得简单。
另外，在半导体激光装置1000A中，将在蓝紫色半导体激光元件1的半导体层1t上形成的p侧焊盘电极12和在单片红色/红外半导体激光元件23X的半导体层2t、3t上形成的p侧焊盘电极22、32通过焊接膜H接合。由此，可以在Z方向上缩短蓝紫色发光点11与红色发光点21和红外发光点31之间的距离。其结果是，很容易将蓝紫色发光点11、红色发光点21和红外发光点31在Y方向上大致配置在直线上。
(c)半导体激光装置在激光器用封装外壳内的安装状态
图1的半导体激光装置1000A，安装在激光器用密封封装外壳内。图3是安装有图1的半导体激光装置1000A的激光器用大致圆型密封封装外壳的外观斜视图。
在图3中，激光器用大致圆型密封封装外壳500，包括导电性的大致圆型密封封装外壳本体503、供电引脚(pin)501a、501b、501c、502和盖体504。
将图1的半导体激光装置1000A设置在大致圆型密封封装外壳本体503内，并用盖体504密封。在盖体504上设置有射出窗口504a。射出窗口504a由使激光透过的材料构成。另外，供电引脚502与大致圆型密封封装外壳本体503机械联结和电气连接。供电引脚502被用作接地端子。
向大致圆型密封封装外壳本体503的外部延伸的供电引脚501a、501b、501c、502的一端，分别与未图示的驱动电路连接。
说明使用安装在激光器用大致圆型密封封装外壳500内的半导体激光装置1000A的导线进行的配线。以下，将发射来自半导体激光元件的激光的方向作为正面进行说明。
图4是表示将图3的激光器用大致圆型密封封装外壳500的盖体504拆下后的状态的示意正面图。图5是表示将图3的激光器用大致圆型密封封装外壳500的盖体504拆下后的状态的示意俯视图。此外，在图4中，用图1(a)的A1-A1线的截面示出设置在激光器用大致圆型密封封装外壳500内的半导体激光装置1000A。在图4和图5中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
如图4所示，在与大致圆型密封封装外壳本体503整体构成的导电性的支承部件505上设置有导电性的副装配座505S。支承部件505和副装配座505S由导电性和热传导性优良的材料构成。
通过融接层505H将图1的半导体激光装置1000A接合在副装配座505S上。在进行半导体激光装置1000A对副装配座505S(融接层505H)的接合时，使蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11位于YZ平面上的激光器用大致圆型密封封装外壳500的大致中央部、即盖体504的射出窗口504a(参照图3)的中央部。
如图4和图5所示，供电引脚501a、501b、501c分别借助于绝缘圈501Z与大致圆型密封封装外壳本体503电气绝缘。
供电引脚501a通过导线W1与半导体激光装置1000A的p侧焊盘电极12的一端连接。供电引脚501b通过导线W2与半导体激光装置1000A的p侧焊盘电极14的一端连接。供电引脚501c通过导线W3与半导体激光装置1000A的p侧焊盘电极13的一端连接。
另一方面，支承部件505的露出的表面与半导体激光装置1000A的共用n电极233通过导线W4电气连接。
此处，支承部件505通过副装配座505S和融接层505H进行电气连接。因此，供电引脚502与蓝紫色半导体激光元件1的n电极15、以及红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共用n电极233电气连接。即，实现蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共阴极接线。
通过在供电引脚501a和供电引脚502之间施加电压，可以驱动蓝紫色半导体激光元件1。通过在供电引脚501b和供电引脚502之间施加电压，可以驱动红外半导体激光元件3。通过在供电引脚501c和供电引脚502之间施加电压，可以驱动红色半导体激光元件2。这样，可以分别独立地驱动蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3。
在本实施方式的半导体激光装置1000A中，如上所述，各p侧焊盘电极12、13、14相互间电气隔离。由此，可以对蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的各自的p侧焊盘电极12、13、14施加任意的电压。因此，可以任意选择蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的驱动方式。
(d)半导体激光装置安装在激光器用密封封装外壳内的状态下的效果
蓝紫色半导体激光元件1的激光强度，比红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的激光强度弱。在本例中，蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11，位于盖体504的射出窗口504a的中央部。因此，使蓝紫色半导体激光元件1的激光从激光器用大致圆型密封封装外壳500的中央射出。由此，即使激光器用大致圆型密封封装外壳500围绕激光器用大致圆型密封封装外壳500的中心轴转动，也可以减小从蓝紫色半导体激光元件1发射的激光的轴线的位置变化。
因此，在增大蓝紫色半导体激光元件1的光的射出效率的同时，可以很容易地相对于激光器用大致圆型密封封装外壳500的中心轴进行透镜等光学系统的角度调整和激光器用大致圆型密封封装外壳500的角度调整。其结果是，易于进行光学系统的设计。
一般来说，蓝紫色半导体激光元件1的激光用于新一代DVD的记录和再生，红色半导体激光元件2的激光用于现有技术的DVD的记录和再生，红外半导体激光元件3的激光用于CD的记录和再生。
此处，上述的各光学记录介质，在表面上形成的凹坑的密度不同。例如，在新一代和现有技术的DVD上形成的凹坑的密度比在CD上形成的凹坑的密度高。因此，当进行新一代和现有技术的DVD的记录和再生时，与CD的记录和再生时相比必须以高速进行信号处理。
这样，对与新一代和现有的DVD对应的蓝紫色半导体激光元件1和红色半导体激光元件2，要求更高的响应特性。
如图4和图5所示，在本例中，使红外半导体激光元件3的p侧焊盘电极14与位于最远处的供电引脚501b连接。另一方面，使蓝紫色半导体激光元件1和红色半导体激光元件2的p侧焊盘电极12、13都分别与位置靠近的供电引脚501a、501c连接。
这样，在本例中，由于缩短了与蓝紫色半导体激光元件1和红色半导体激光元件2对应的导线W1、W3的长度，所以使蓝紫色半导体激光元件1和红色半导体激光元件2的响应特性提高。
而且，如图5所示，在本例中，使位于离半导体激光装置1000A的激光射出面最远处的p侧焊盘电极13通过导线W3而连接于与支承部件505相对的供电引脚501c。换句话说，在X方向使最靠近大致圆型密封封装外壳本体503的p侧焊盘电极13与供电引脚501c通过导线W3连接。由此，可以防止在各p侧焊盘电极12、13、14与各供电引脚501a、501b、501c之间进行连接的W1～W3相互交叉。
在本例中，将蓝紫色半导体激光元件1的p侧焊盘电极12的露出部配置在X方向的半导体激光装置1000A的激光射出面侧，但也可以将蓝紫色半导体激光元件1的p侧焊盘电极12的露出部配置在与X方向的半导体激光装置1000A的激光射出面侧相反的一侧。在这种情况下，使蓝紫色半导体激光元件1的p侧焊盘电极12通过导线与供电引脚501c连接。而且，使红色半导体激光元件2的p侧焊盘电极13通过导线与供电引脚501a连接。
(e)半导体激光装置的制造方法
对本实施方式的半导体激光装置1000A的制造方法进行说明。图6～图8是表示第一实施方式的半导体激光装置1000A的制造方法的一例的示意工序截面图。在图6～图8中，也定义图1的X方向、Y方向和Z方向。
其中，图6～图8中所示的截面，相当于图1的A1-A1线的截面。另外，后述的n-GaN基板1s是n-GaN晶片，n-GaAs基板50是n-GaAs晶片。在该n-GaN晶片和n-GaAs晶片上，分别形成又多个蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X。因此，在图6～图8中示出该n-GaN晶片和n-GaAs晶片的一部分。
如图6(a)所示，为制作蓝紫色半导体激光元件1，在作为第一生长基板的n-GaN基板1s的一个面上形成具有层叠结构的半导体层1t，并在半导体层1t上形成在X方向上延伸的凸状截面的脊形条部Ri。之后，在形成有脊形条部Ri的半导体层1t表面上，形成由SiO2构成的绝缘膜4a。而且，将脊形条部Ri的表面上的绝缘膜4a除去，并在露出的脊形条部Ri上形成p型欧姆电极621。
接着，如图6(b)所示，在p型欧姆电极621的表面和脊形条部Ri的两侧的绝缘膜4a上形成p侧焊盘电极12、13、14的图案(参照图2(a))。
然后，如图6(c)所示，在绝缘膜4a上和p侧焊盘电极12、13、14的预定的区域上形成绝缘膜4b的图案(参照图2(b))。因此，在露出的p侧焊盘电极13、14的表面上形成由Au-Sn构成的焊接膜H。此外，蓝紫色半导体激光元件1的n电极15，在后面的工序中形成。
另一方面，如图7(d)所示，为制作单片红色/红外半导体激光元件23X，在作为第二生长基板的n-GaAs基板50的一个面上形成由AlGaAs构成的蚀刻阻挡层51，并在蚀刻阻挡层51上形成n-GaAs接触层5。
然后，在n-GaAs接触层5上相互隔离地形成AlGaInP系的具有层叠结构的半导体层2t和AlGaAs系的具有层叠结构的半导体层3t。进一步，在半导体层2t上形成p侧焊盘电极22，在半导体层3t上形成p侧焊盘电极32。图中虽然省略，但在半导体层2t与p侧焊盘电极22之间和半导体层3t与p侧焊盘电极32之间分别形成p型欧姆电极。此外，单片红色/红外半导体激光元件23X的共用n电极233，在后面的工序中形成。再有，虽然在图7(d)中未示出，但如上所述在红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3上也形成脊形条部。
接着，如图7(e)所示，通过焊接膜H将在绝缘膜4a上形成的p侧焊盘电极13与在半导体层2t上形成的p侧焊盘电极22接合、同时通过焊接膜H将在绝缘膜4a上形成的p侧焊盘电极14与在半导体层3t上形成p侧焊盘电极32接合并形成层叠基板。
此外，这时，n-GaN基板1s和n-GaAs基板50都具有约为300μm～500μm左右的厚度。因此，n-GaN基板1s和n-GaAs基板50很容易处理，使p侧焊盘电极22、32对p侧焊盘电极13、14的接合易于进行。
另外，蓝紫色半导体激光元件1的n-GaN基板1s是透明的。n-GaN基板1s，具有可以通过n-GaN基板1s看到单片红色/红外半导体激光元件23X的透射率和厚度。
因此，可以通过n-GaN基板1s凭目视确认p侧焊盘电极22、32对p侧焊盘电极13、14的接合位置。由此，很容易进行单片红色/红外半导体激光元件23X(红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3)在蓝紫色半导体激光元件1上的定位。
此外，在本实施方式中，蓝紫色半导体激光元件1的基板，并不限于n-GaN基板1s，也可以使用其他的具有透光性和导电性的基板。其他的透光性基板，例如可以使用n-ZnO基板。在这种情况下，如上所述，很容易进行单片红色/红外半导体激光元件23X在蓝紫色半导体激光元件1上的定位。
此处，通过蚀刻或者研磨等将n-GaAs基板50加工到预定的薄度后，将蚀刻一直进行到蚀刻阻挡层51。
例如，n-GaAs基板50，首先将n-GaAs基板50研磨到预定的厚度，之后，通过反应性离子蚀刻(RIE)等干法蚀刻将其除去。
而且，进一步将蚀刻阻挡层51除去。例如，蚀刻阻挡层51，通过使用由氢氟酸或者盐酸构成的蚀刻液进行湿法蚀刻除去。
之后，如图8(f)所示，在将蚀刻阻挡层51除去后，在半导体层2t、3t上方的n-GaAs接触层5上的区域和其间的预定区域上通过制作图案形成共用n电极233。
如图8(g)所示，通过干法蚀刻将未形成共用n电极233的部分的n-GaAs接触层5除去。由此，制成单片红色/红外半导体激光元件23X(红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3)。红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的结构，将在后文中详细说明。
而且，通过研磨将n-GaN基板1s减薄后，在n-GaN基板1s的底面侧，形成n电极15。由此，制成蓝紫色半导体激光元件1。蓝紫色半导体激光元件1的结构，将在后文中详细说明。
最后，将由按如上所述的方式制成的蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X构成的层叠基板沿着与Y方向平行的多条线劈开，形成谐振器端面。此处，当沿Y方向的劈开时，例如使蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X的各自的谐振器长度(X方向)约为700μm。
在谐振器端面上形成保护膜后，沿着与X方向平行的多条线裁断，从而分割为多个半导体激光装置1000A的芯片。沿X方向的层叠基板的裁断，例如按图8(g)的单点划线CT1进行。
此外，也可以预先单独地制作蓝紫色半导体激光元件1的芯片和单片红色/红外半导体激光元件23X的芯片，并通过将两个芯片相互粘贴而制作半导体激光装置1000A。
(f)蓝紫色半导体激光元件的结构
根据图9结合制作方法说明蓝紫色半导体激光元件1的详细结构。
图9是用于说明蓝紫色半导体激光元件1的详细结构的示意截面图。在以下的说明中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
在制造蓝紫色半导体激光元件1时，如上所述，在n-GaN基板1s上形成具有层叠结构的半导体层1t。
如图9(a)所示，在n-GaN基板1s上，作为具有层叠结构的半导体层1t，按顺序形成n-GaN层101、n-AlGaN覆盖(clad)层102、n-GaN光导层103、多量子阱(MQW)活性层104、不掺杂AlGaN间隙层105、不掺杂GaN光导层106、p-AlGaN覆盖层107和不掺杂GaInN接触层108。上述各层的形成，例如通过有机金属化学气相沉积(MOCVD)生长进行。
如图9(b)所示，MQW活性层104具有由四个不掺杂GaInN阻挡层104a和三个不掺杂GaInN阱层104b交替层叠的结构。
此处，例如，n-AlGaN覆盖层102的Al成分为0.15，Ga成分为0.85。在n-GaN层101、n-AlGaN覆盖层102和n-GaN光导层103中掺杂有Si。
另外，不掺杂GaInN阻挡层104a的Ga成分为0.95，In成分为0.05。不掺杂GaInN阱层104b的Ga成分为0.90，In成分为0.10。不掺杂AlGaN间隙层105的Al成分为0.30，Ga成分为0.70。
而且，p-AlGaN覆盖层107的Al成分为0.15，Ga成分为0.85。在p-AlGaN覆盖层107中掺杂了Mg。不掺杂GaInN接触层108的Ga成分为0.95，In成分为0.05。
在上述的半导体层1t中，在p-AlGaN覆盖层107上，形成有在X方向上延伸的条带状的脊形条部Ri。p-AlGaN覆盖层107的脊形条部Ri，具有约为1.5μm的宽度。
不掺杂GaInN接触层108，在p-AlGaN覆盖层107的脊形条部Ri的表面上形成。
在p-AlGaN覆盖层107和不掺杂GaInN接触层108的表面上，形成由SiO2构成的绝缘膜4a，并通过蚀刻将在不掺杂GaInN接触层108上形成的绝缘膜4a除去。而且，在露出于外部的不掺杂GaInN接触层108上形成由Pd/Pt/Au构成的p型欧姆电极621。而且，用溅射法、真空蒸镀法或者电子束蒸镀法形成p侧焊盘电极12，使其覆盖p型欧姆电极621和绝缘膜4a的表面。此处，将对图1的p侧焊盘电极13、14的说明省略。
这样，在n-GaN基板1s的一个面上形成具有层叠结构的半导体层1t。进一步，在n-GaN基板1s的另一个面上形成由Ti/Pt/Au构成的n电极15。
在该蓝紫色半导体激光元件1中，在脊形条部Ri下方的MQW活性层104的位置上形成蓝紫色发光点11。此外，在本例中，MQW活性层104相当于图1的pn接合面10。
(g)红色半导体激光元件2的结构
根据图10结合制作方法对红色半导体激光元件2的详细结构进行说明。
图10是用于说明单片红色/红外半导体激光元件23X的红色半导体激光元件2的详细结构的示意截面图。在以下的说明中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。而且，在本实施方式中，通过在n-GaAs接触层5上形成半导体层2t来制作红色半导体激光元件2，但是，在以下的说明中，是代替n-GaAs接触层5而在n-GaAs基板5X上形成半导体层2t。在该n-GaAs基板5X中掺杂有Si。
如图10(a)所示，在n-GaAs基板5X上，作为具有层叠结构的半导体层2t，按顺序形成n-GaAs层201、n-AlGaInP覆盖层202、不掺杂AlGaInP光导层203、MQW活性层204、不掺杂AlGaInP光导层205、p-AlGaInP第一覆盖层206、p-InGaP蚀刻阻挡层207、p-AlGaInP第二覆盖层208和p-接触层209。上述各层的形成，例如用MOCVD法进行。
如图10(b)所示，MQW活性层204具有由两个不掺杂AlGaInP阻挡层204a和三个不掺杂InGaP阱层204b交替层叠的结构。
此处，例如，n-AlGaInP覆盖层202的Al成分为0.35，Ga成分为0.15，In成分为0.50。在n-GaAs层201和n-AlGaInP覆盖层202中掺杂有Si。
不掺杂AlGaInP光导层203的Al成分为0.25，Ga成分为0.25，In成分为0.50。
另外，不掺杂AlGaInP阻挡层204a的Al成分为0.25，Ga成分为0.25，In成分为0.50。不掺杂InGaP阱层204b的In成分为0.50，Ga成分为0.50。不掺杂AlGaInP光导层205的Al成分为0.25，Ga成分为0.25，In成分为0.50。
而且，p-AlGaInP第一覆盖层206的Al成分为0.35，Ga成分为0.15，In成分为0.50。p-InGaP蚀刻阻挡层207的In成分为0.50，Ga成分为0.50。
p-AlGaInP第二覆盖层208的Al成分为0.35，Ga成分为0.15，In成分为0.50。
p-接触层209，具有p-GaInP层和p-GaAs层的层叠结构。该p-GaInP层的Ga成分为0.5，In成分为0.5。
其中，上述的AlGaInP系材料的成分，用一般式AlaGabIncP表示时的a为Al成分，b为Ga成分，c为In成分。
在p-AlGaInP第一覆盖层206、p-InGaP蚀刻阻挡层207、p-AlGaInP第二覆盖层208和p-接触层209的p-GaInP层以及p-GaAs中掺杂有Zn。
在上述中，当在p-InGaP蚀刻阻挡层207上形成p-AlGaInP第二覆盖层208时，仅在p-InGaP蚀刻阻挡层207的一部分(中央部)进行。然后，在p-AlGaInP第二覆盖层208的表面上形成p-接触层209。
由此，在上述的半导体层2t中，由p-AlGaInP第二覆盖层208和p-接触层209形成在X方向上延伸的条带状的脊形条部Ri，由p-AlGaInP第二覆盖层208和p-接触层209构成的脊形条部Ri具有大约为2.5μm的宽度。
在p-InGaP蚀刻阻挡层207的表面、p-AlGaInP第二覆盖层208的侧面和p-接触层209的表面及侧面，形成由SiO2构成的绝缘膜210，并通过蚀刻将在p-接触层209上形成的绝缘膜210除去。而且，在露出于外部的p-接触层209上形成由Cr/Au构成的p型欧姆电极211。而且，用溅射法、真空蒸镀法或者电子束蒸镀法形成p侧焊盘电极22，使其覆盖p型欧姆电极211的表面和绝缘膜210的表面。
这样，在n-GaAs基板5X的一个面上形成具有层叠结构的半导体层2t。而且，在n-GaAs基板5X的另一个面上形成由AuGe/Ni/Au构成的n电极23(共用n电极233)。
在该红色半导体激光元件2中，在脊形条部Ri下方的MQW活性层204的位置上形成红色发光点21。此外，在本例中，MQW活性层204相当于图1的pn接合面20。
(h)红外半导体激光元件3的结构
根据图11结合制作方法对红外半导体激光元件3的详细结构进行说明。
图11是用于说明单片红色/红外半导体激光元件23X的红外半导体激光元件3的详细结构的示意截面图。在以下的说明中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。而且，在本实施方式中，通过在n-GaAs接触层5上形成半导体层3t来制作红外半导体激光元件3，但是，在以下的说明中，是代替n-GaAs接触层5而在n-GaAs基板5X上形成半导体层3t。在该n-GaAs基板5X中掺杂有Si。
如图11(a)所示，在n-GaAs基板5X上，作为具有层叠结构的半导体层3t，按顺序形成n-GaAs层301、n-AlGaAs覆盖层302、不掺杂AlGaAs光导层303、MQW活性层304、不掺杂AlGaAs光导层305、p-AlGaAs第一覆盖层306、p-AlGaAs蚀刻阻挡层307、p-AlGaAs第二覆盖层308和p-GaAs接触层309。上述各层的形成，例如用MOCVD法进行。
如图11(b)所示，MQW活性层304具有由两个不掺杂AlGaAs阻挡层304a和三个不掺杂AlGaAs阱层304b交替层叠的结构。
此处，例如，n-AlGaAs覆盖层302的Al成分为0.45，Ga成分为0.55。在n-GaAs层301和n-AlGaAs覆盖层302中掺杂有Si。
不掺杂AlGaAs光导层303的Al成分为0.35，Ga成分为0.65。另外，不掺杂AlGaAs阻挡层304a的Al成分为0.35，Ga成分为0.65。不掺杂AlGaAs阱层304b的Al成分为0.10，Ga成分为0.90。不掺杂AlGaAs光导层305的Al成分为0.35，Ga成分为0.65。
而且，p-AlGaAs第一覆盖层306的Al成分为0.45，Ga成分为0.55。p-AlGaAs蚀刻阻挡层307的Al成分为0.70，Ga成分为0.30。
p-AlGaAs第二覆盖层308的Al成分为0.45，Ga成分为0.55。
在p-AlGaAs第一覆盖层306、p-AlGaAs蚀刻阻挡层307、p-AlGaAs第二覆盖层308和p-GaAs接触层309中掺杂有Zn。
在上述中，当在p-AlGaAs蚀刻阻挡层307上形成p-AlGaAs第二覆盖层308时，仅在p-AlGaAs蚀刻阻挡层307的一部分(中央部)进行。然后，在p-AlGaAs第二覆盖层308的表面上形成p-GaAs接触层309。
由此，在上述的半导体层3t中，由p-AlGaAs第二覆盖层308和p-GaAs接触层309形成在X方向上延伸的条带状的脊形条部Ri，由p-AlGaAs第二覆盖层308和p-GaAs接触层309构成的脊形条部Ri具有大约为2.8μm的宽度。
在p-AlGaAs蚀刻阻挡层307的表面、p-AlGaAs第二覆盖层308的侧面和p-GaAs接触层309的表面以及侧面，形成由SiO2构成的绝缘膜310，并通过蚀刻将在p-GaAs接触层309上形成的绝缘膜310除去。而且，在露出于外部的p-GaAs接触层309上形成由Cr/Au构成的p型欧姆电极311。而且，用溅射法、真空蒸镀法或电子束蒸镀法形成p侧焊盘电极32，使其覆盖p型欧姆电极311的表面和绝缘膜210的表面。
这样，在n-GaAs基板5X的一个面上形成具有层叠结构的半导体层3t。而且，在n-GaAs基板5X的另一个面上形成由AuGe/Ni/Au构成的n电极33(共用n电极233)。
在该红外半导体激光元件3中，在脊形条部Ri下方的MQW活性层304的位置处形成红外发光点31。此外，在本例中，MQW活性层304相当于图1的pn接合面30。
(i)内装半导体激光元件的光学拾取装置的结构
图12是表示本实施方式的光学拾取装置的结构的图。在以下的说明中，将从半导体激光装置1000A的蓝紫色发光点11发射的波长大约为405nm的激光称为蓝紫色激光，将从红色发光点21发射的波长大约为650nm的激光称为红色激光，将从红外发光点31发射的波长大约为780nm的激光称为红外激光。在图12中，用实线表示蓝紫色激光，用虚线表示红色激光，用单点划线表示红外激光。
如图12所示，本实施方式的光学拾取装置900，包括安装有半导体激光装置1000A的激光器用大致圆型密封封装外壳500、偏振光束分离器(PBS)902、准直透镜(collimator lens)903、光束扩展器(beamexpander)904、λ/4片905、物镜906、柱面透镜907、光轴校正元件908和两个光检测器909a、909b。
在图12中，假定如箭头X、Y、Z所示的相互正交的三个方向为X方向、Y方向和Z方向。X方向为与作为再生对象的光学记录介质(以下称光盘)DI正交的方向。而且，Y方向和Z方向为相互正交且与光盘DI的一个面平行的方向。
在本实施方式中，安装有半导体激光装置1000A的激光器用大致圆型密封封装外壳500，将半导体激光装置1000A的蓝紫色发光点11、红色发光点21和红外发光点31配置成沿Y方向大致排列在直线上。从蓝紫色发光点11、红色发光点21和红外发光点31发射的激光的偏振面相互平行。
如上所述，半导体激光装置1000A的蓝紫色发光点11，位于激光器用大致圆型密封封装外壳500的YZ平面的大致中央部。
在本例中，由PBS902、准直透镜903、光束扩展器904、λ/4片905和物镜906构成的光学系统，沿着从蓝紫色发光点11(激光器用大致圆型密封封装外壳500的中央部)在X方向上发射的蓝紫色激光的光轴按顺序配置。即，从PBS902到物镜906的光学系统的光轴与蓝紫色激光的光轴一致。
PBS902，在使从半导体激光装置1000A发射的各激光全部透过的同时，对从光盘DI返回的激光进行全反射。
准直透镜903，将透过PBS902的来自半导体激光装置1000A的蓝紫色激光、红色激光或红外激光变换为平行光。
光束扩展器904，由凹透镜、凸透镜和驱动器(未图示)构成。驱动器根据来自未图示的伺服电路的伺服信号改变凹透镜和凸透镜的距离。由此，对从半导体激光装置1000A发射的各激光的波面状态进行校正。
λ/4片905，将由准直透镜903变换为平行光的直线偏振的激光变换为圆偏振光。而且，λ/4片905还将从光盘DI返回的圆偏振的激光变换为直线偏振光。此时的直线偏振光的偏光方向与从半导体激光装置1000A射出的激光的直线偏振光的偏光方向正交。由此，从光盘DI返回的激光，大体上可由PBS902进行全反射。
物镜906，将透过λ/4片905的激光会聚在光盘DI的表面(记录层)上。
此外，物镜906，可以由未图示的物镜驱动器根据来自伺服电路的伺服信号(跟踪伺服信号、聚焦伺服信号和倾斜伺服信号)在聚焦方向、跟踪方向和倾斜方向上移动。
将柱面透镜907、光轴校正元件908和光检测器909a、909b沿着由PBS902进行全反射的激光的光轴配置。
柱面透镜907，对所入射的激光施加像散作用。光轴校正元件908，由衍射光栅形成。光轴校正元件908，将透过柱面透镜907的蓝紫色激光(0次衍射光)导向光检测器909a。而且，光轴校正元件908，将红外激光(0次衍射光)导向光检测器909b。
而且，光轴校正元件908，对透过柱面透镜907的红色激光进行衍射，并将红色激光(1次衍射光)导向光检测器909a。在这种情况下，由光轴校正元件908进行定位，以使由蓝紫色激光在光检测器909a的受光面上形成的聚光点的位置与由红色激光在光检测器909a的受光面上形成的聚光点的位置一致。
各光检测器909a、909b，根据接收到的激光的强度分布输出再生信号。此处，光检测器909a、909b，具有预定图案的检测区域，以便在得到再生信号的同时求得聚焦误差信号、跟踪误差信号和倾斜误差信号。根据聚焦误差信号、跟踪误差信号和倾斜误差信号，对光束扩展器904的驱动器和物镜驱动器进行反馈控制。
(j)基于半导体激光装置的结构的光学拾取装置的效果
如图12所示，在光学拾取装置900中，使蓝紫色激光、红色激光或者红外激光入射到由衍射光栅形成的光轴校正元件908。
此处，在衍射光栅中，对一定波长的光和波长为该波长的n倍(n为自然数)的光的衍射作用相同。即，对衍射光栅入射一定波长的光时的衍射作用，与入射了波长为该波长的n倍的光时的衍射作用相同。
蓝紫色激光是波长大约为405nm的激光，红外激光是波长大约为780nm的激光。因此，红外激光具有大约为蓝紫色激光的2倍的波长。所以，当使蓝紫色激光入射衍射光栅时的衍射作用与使红外激光入射衍射光栅时的衍射作用，大体上相同。
因此，不能由共用的衍射光栅将蓝紫色激光和红外激光衍射到不同的方向。其结果是，不能通过衍射使由蓝紫色激光形成的聚光点的位置与由红外激光形成的聚光点的位置一致。
因此，在本实施方式中，与通过光轴校正元件908的蓝紫色激光和红外激光分别对应地设置光检测器909a、909b。
另一方面，红色激光的波长，不是蓝紫色激光和红外激光的波长的n倍(n为自然数)。因此，光轴校正元件908，对红色激光，可以施加与蓝紫色激光和红外激光不同的衍射作用。
由此，光轴校正元件908，可以很容易地使由红色激光形成的聚光点的位置与由蓝紫色激光形成的聚光点的位置和由红外激光形成的聚光点的位置一致。其结果是，可以由共用的光检测器909a接收蓝紫色激光和红色激光。
这样，在本实施方式的光学拾取装置900中，采用由蓝紫色激光和红色激光共用的光检测器909a。由此，没有必要与蓝紫色激光、红色激光和红外激光分别对应地设置三个光检测器，因此可以实现光学拾取装置900的小型化。
另外，在本实施方式的半导体激光装置1000A中，蓝紫色发光点11、红外发光点31和红色发光点21，配置成在Y方向上按顺序大致排列在直线上，并使蓝紫色发光点11和红外发光点31的间隔缩短。
由此，在将半导体激光装置1000A安装在光学拾取装置900内时，光学拾取装置900内的蓝紫色激光和红外激光的光路的间隔减小。其结果是，可以将与蓝紫色激光和红外激光对应的两个光检测器909a、909b相互接近地配置。因此，可以减小光学拾取装置900内的两个光检测器909a、909b的配置空间，因而可以实现光学拾取装置900的小型化。
而且，在半导体激光装置1000A中，蓝紫色发光点11、红外发光点31和红色发光点21，按其顺序沿Y方向大致排列在直线上。由此，在将半导体激光装置1000A应用于光学拾取装置900时，易于进行光学拾取装置900的设计。
(k)光学拾取装置的其他结构例
在本实施方式的光学拾取装置900中，聚焦误差信号的生成，采用像散法进行。而且，跟踪误差信号的生成，例如采用Differential PhaseDetection(DPD)(微分相位检测)法进行。
在上述中，由配置在柱面透镜907和光检测器909a、909b之间的光轴校正元件908，使由蓝紫色激光在光检测器909a上形成的聚光点的位置与由红色激光在光检测器909a上形成的聚光点的位置一致。
此处，光轴校正元件908，也可以设置在从PBS902到物镜906的光学系统内。例如，将光轴校正元件908配置在半导体激光装置1000A和PBS902之间。即使在这种情况下，也能使由蓝紫色激光在光检测器909a上形成的聚光点的位置与由红色激光在光检测器909a上形成的聚光点的位置一致。
而且，在本例中，使由蓝紫色激光在光检测器909a上形成的聚光点的位置与由红色激光在光检测器909a上形成的聚光点的位置一致，但是，也可以将红色激光导向光检测器909b，并使由红外激光在光检测器909b上形成的聚光点的位置与由红色激光在光检测器909b上形成的聚光点的位置一致。在这种情况下，光检测器909b成为红外激光和红色激光共用的光检测器。
(2)第二实施方式
第二实施方式的半导体激光装置，除以下几点外具有与第一实施方式的半导体激光装置1000A相同的结构。
(a)半导体激光装置的结构
图13是用于说明第二实施方式的半导体激光装置的结构的示意图。图13(a)中示出表示第二实施方式的半导体激光装置的一例的俯视图，图13(b)中示出图13(a)的A2-A2线截面图。在图13中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
如图13(a)和图13(b)所示，在本实施方式的半导体激光装置1000B的蓝紫色半导体激光元件1中，形成p侧焊盘电极12，使其覆盖p型欧姆电极621和绝缘膜4a的整个表面。而且，在p侧焊盘电极12上的预定区域形成焊接膜H。进一步，在焊接膜H上接合将红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3形成为一体的单片红色/红外半导体激光元件23Y。
此处，图13的单片红色/红外半导体激光元件23Y，结构与图1的单片红色/红外半导体激光元件23X不同。在图13的单片红色/红外半导体激光元件23Y中，红色半导体激光元件2的半导体层2t(参照图10)和红外半导体激光元件3的半导体层3t(参照图11)，由连结部BR连结。
连结部BR，也可以包含红色半导体激光元件2的半导体层2t或者红外半导体激光元件3的半导体层3t的一部分。例如，连结部BR，可以是在红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3中限制电流的流动的电流狭窄层(例如，图10和图11的绝缘膜210、310)，也可以是p型接触层。
由此，红色半导体激光元件2的半导体层2t、红外半导体激光元件3的半导体层3t和连结部BR具有相互连续的平面。因此，在该单片红色/红外半导体激光元件23Y中，在该连续的平面上形成共用p侧焊盘电极232。
将单片红色/红外半导体激光元件23Y的共用p侧焊盘电极232接合在蓝紫色半导体激光元件1的焊接膜H上。此处，在将蓝紫色半导体激光元件1与单片红色/红外半导体激光元件23Y接合时，在Y方向上使红外半导体激光元件3比红色半导体激光元件2更靠近蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri。
在单片红色/红外半导体激光元件23Y的红色半导体激光元件2中，在与共用p侧焊盘电极232相反一侧的面上形成n电极23。而且，在单片红色/红外半导体激光元件23Y的红外半导体激光元件3中，在与共用p侧焊盘电极232相反一侧的面上形成n电极33。
(b)半导体激光装置在激光器用封装外壳内的安装状态
图14是表示将图13的半导体激光装置1000B安装在图3的激光器用大致圆型密封封装外壳500内并将盖体504拆下后的状态的示意正面图。在图14中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
在本实施方式中，在激光器用大致圆型密封封装外壳500的支承部件505上形成绝缘性的副装配座505Z。
如图14所示，在绝缘性的副装配座505Z上，通过融接层505H粘接图13的半导体激光装置1000B。
供电引脚501a通过导线W1与半导体激光装置1000B的n电极23(红色半导体激光元件2的n电极23)连接。供电引脚501b通过导线W2与在副装配座505Z上露出的融接层505H连接。供电引脚501c通过导线W3与半导体激光装置1000B的n电极33(红外半导体激光元件3的n电极33)连接。
另一方面，在蓝紫色半导体激光元件1上露出的p侧焊盘电极12通过导向W4与支承部件505电气连接。
此处，蓝紫色半导体激光元件1上的p侧焊盘电极12，与单片红色/红外半导体激光元件23Y的共用p侧焊盘电极232电气连接。由此，实现蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共阴极接线。
通过在供电引脚501a和供电引脚502之间施加电压，可以驱动红色半导体激光元件2。通过在供电引脚501b和供电引脚502之间施加电压，可以驱动蓝紫色半导体激光元件1。通过在供电引脚501c和供电引脚502之间施加电压，可以驱动红外半导体激光元件3。这样，可以分别独立地驱动蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3。
在本实施方式中，Y方向上的蓝紫色发光点11与红外发光点31之间的间隔，例如调整到大约为110μm。而且，Y方向上的红色发光点21与红外发光点31之间的间隔，例如调整到大约为40μm。
Y方向上的蓝紫色半导体激光元件1的宽度，例如大约为400μm。Y方向上的单片红色/红外半导体激光元件23Y的宽度，例如大约为200μm。
(c)半导体激光装置安装在激光器用密封封装外壳内的状态下的效果
在本实施方式中，在进行半导体激光装置1000B对副装配座505Z的粘接时，也是使蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11位于盖体504的射出窗口504a(参照图3)的中央部。由此，可以取得与第一实施方式相同的效果。
在本实施方式中，在将半导体激光装置1000B安装在激光器用大致圆型密封封装外壳500内时，使供电引脚501a～501c通过导线W1～W3与在半导体激光装置1000B的上部露出的n电极23、33及露出的融接层505H连接。由此，很容易进行导线W1～W3对半导体激光装置1000B的连接。
可以将本实施方式的在将半导体激光装置1000B应用于图12的光学拾取装置900。由此，可以取得与第一实施方式相同的效果。
此外，在图13(b)和图14中虽未示出，但在红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共用p侧焊盘电极232的形成部位也形成有在X方向上延伸的条带状的脊形条部。因此，在各脊形条部上也形成有未图示的p型欧姆电极。
在本实施方式中，也可以预先单独地制作蓝紫色半导体激光元件1的芯片和单片红色/红外半导体激光元件23Y的芯片并通过将两个芯片相互粘贴而制作半导体激光装置1000B。
(3)第三实施方式
第三实施方式的半导体激光装置，除以下几点外具有与第一实施方式的半导体激光装置1000A相同的结构。
(a)半导体激光装置的结构
图15是用于说明第三实施方式的半导体激光装置的结构的示意图。图15(a)中示出表示第三实施方式的半导体激光装置的一例的俯视图，图15(b)中示出图15(a)的A3-A3线截面图。图16是图15的半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件1与红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的接合面的示意图。在图15和图16中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
如图15(a)和图15(b)所示，蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri，位于从Y方向的蓝紫色半导体激光元件1的中心偏离的部位。而且，将红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3分别单独地接合在蓝紫色半导体激光元件1上。
在将红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3接合在蓝紫色半导体激光元件1上时，在Y方向上使红外半导体激光元件3位于蓝紫色半导体激光元件1的大致中心位置、且使红色半导体激光元件2以红外半导体激光元件3为基准位于与蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri相反的一侧。
对蓝紫色半导体激光元件1与红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的接合部进行说明。
如图16(a)所示，在蓝紫色半导体激光元件1的绝缘膜4a上，与蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3分别对应地形成p侧焊盘电极12、13、14。
p侧焊盘电极12，在使其沿着蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri在X方向上延伸的同时，其一部分还在Y方向上延伸。
p侧焊盘电极14，形成为与p侧焊盘电极12邻接。p侧焊盘电极14，在蓝紫色半导体激光元件1的大致中央部沿着X方向延伸的同时，其一部分还在与p侧焊盘电极12相反一侧的Y方向上延伸。
p侧焊盘电极13，形成为与p侧焊盘电极14邻接。p侧焊盘电极13，在蓝紫色半导体激光元件1的角部附近沿着X方向延伸的同时，其一部分还在与p侧焊盘电极12相反一侧的Y方向上延伸。
各p侧焊盘电极12、13、14，在绝缘膜4a上相互分开地形成。由此，各p侧焊盘电极12、13、14，相互间电气隔离。
如图16(b)所示，在绝缘膜4a和p侧焊盘电极12、13、14上按预定的图案形成绝缘膜4b。绝缘膜4b，形成为使在Y方向延伸的p侧焊盘电极12、13、14的一端露出。
此处，p侧焊盘电极12在与p侧焊盘电极13、14相反一侧的Y方向上延伸，p侧焊盘电极13、14在与p侧焊盘电极12相反一侧的Y方向上延伸。因此，p侧焊盘电极12的露出部，位于Y方向的蓝紫色半导体激光元件1的一侧的面上，p侧焊盘电极13、14的露出部，位于Y方向的蓝紫色半导体激光元件1的另一侧的面上。
在露出的p侧焊盘电极12、13、14的一端，焊接用于驱动各半导体激光元件的导线。此外，在Y方向延伸的p侧焊盘电极12、13、14的一端露出宽度大约为100μm、长度大约为100μm的区域。
另外，绝缘膜4b，形成为在蓝紫色半导体激光元件1的大致中央部沿X方向使p侧焊盘电极14的一部分露出。在该p侧焊盘电极14的露出部，形成由Au-Sn构成的焊接膜H。
进一步，绝缘膜4b，形成为使p侧焊盘电极13的大致中央部露出。在该p侧焊盘电极13的露出部，也形成由Au-Sn构成的焊接膜H。
因此，如图15所示，使红色半导体激光元件2的p侧焊盘电极22通过焊接膜H与p侧焊盘电极13接合，使红外半导体激光元件3的p侧焊盘电极32通过焊接膜H与p侧焊盘电极14接合。
由此，使红色半导体激光元件2的p侧焊盘电极22与p侧焊盘电极13电气连接，使红外半导体激光元件3的p侧焊盘电极32与p侧焊盘电极14电气连接。
另外，在上述中，将红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3接合在按图案形成的绝缘膜4b上，因此，可以防止红外半导体激光元件3的p侧焊盘电极32与p侧焊盘电极12、13接触，并防止红色半导体激光元件2的p侧焊盘电极22与p侧焊盘电极14接触。
(b)半导体激光装置在激光器用封装外壳内的安装状态
图17是表示将图15的半导体激光装置1000C安装在图3的激光器用大致圆型密封封装外壳500内并将盖体504拆下后的状态的示意正面图。图18是表示将图15的半导体激光装置1000C安装在图3的激光器用大致圆型密封封装外壳500内并将盖体504拆下后的状态的示意俯视图。此外，在图17中，用图15(a)的A3-A3线的截面示出设置在激光器用大致圆型密封封装外壳500内的半导体激光装置1000C。在图17和图18中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
如图17和图18所示，在与大致圆型密封封装外壳本体503整体构成的导电性的支承部件505上设置有与第一实施方式相同的导电性的副装配座505S。
在副装配座505S上，通过融接层505H粘接图15的半导体激光装置1000C。在本例中，在进行半导体激光装置1000C对副装配座505S的粘接时，也使蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11位于盖体504的射出窗口504a(参照图3)的中央部。
供电引脚501a通过导线W1与半导体激光装置1000C的p侧焊盘电极14的一端连接。供电引脚501b通过导线W2与半导体激光装置1000C的p侧焊盘电极12的一端连接。供电引脚501c通过导线W3与半导体激光装置1000C的p侧焊盘电极13的一端连接。
另一方面，支承部件505的露出的表面通过导线W4a、W4b与半导体激光装置1000C的n电极23、33电气连接。
支承部件505通过副装配座505S和融接层505H进行电气连接。因此，供电引脚502与蓝紫色半导体激光元件1的n电极15、以及红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的n电极23、33电气连接。即，实现蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共阴极接线。
通过在供电引脚501a和供电引脚502之间施加电压，可以驱动红外半导体激光元件3。通过在供电引脚501b和供电引脚502之间施加电压，可以驱动蓝紫色半导体激光元件1。通过在供电引脚501c和供电引脚502之间施加电压，可以驱动红色半导体激光元件2。这样，可以分别独立地驱动蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3。
在本实施方式的半导体激光装置1000C中，如上所述，各p侧焊盘电极12、13、14，相互间电气隔离。由此，可以对蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的各自的p侧焊盘电极12、13、14施加任意的电压。因此，可以任意选择蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的驱动方式。
在本实施方式中，Y方向上的蓝紫色发光点11与红外发光点31之间的间隔，例如调整到大约为110μm。而且，Y方向上的红色发光点21与红外发光点31之间的间隔，例如调整到大约为190μm。
Y方向上的蓝紫色半导体激光元件1的宽度，例如大约为700μm。Y方向上的红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的各自的宽度，例如大约为200μm。
(c)半导体激光装置安装在激光器用密封封装外壳内的状态下的效果
在本实施方式中，在进行半导体激光装置1000C对副装配座505Z的粘接时，也是使蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11位于盖体504的射出窗口504a(参照图3)的中央部。由此，可以取得与第一实施方式相同的效果。
如图15(a)所示，在本实施方式的半导体激光装置1000C中，在Y方向上延伸的p侧焊盘电极13、14的一端，在蓝紫色半导体激光元件1的绝缘膜4a上，穿过蓝紫色半导体激光元件1与红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3之间，从Y方向的红色半导体激光元件2的侧面伸出并露出。由此，在Y方向上延伸的p侧焊盘电极13、14的露出部，在X方向上大致排列在直线上，因此可以减小蓝紫色半导体激光元件1的Y方向的宽度。
另外，由于在Y方向上延伸的p侧焊盘电极13、14的露出部在X方向上大致排列在直线上，可以增大Y方向的蓝紫色半导体激光元件1上的红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的配置空间。因此，可以增大Y方向的红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的宽度。
进一步，在本实施方式中，p侧焊盘电极12在与p侧焊盘电极13、14相反一侧的Y方向上延伸。而且，相对于蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri，使p侧焊盘电极12在与红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3相反一侧的部位露出。
因此，在Y方向上，蓝紫色发光点11、红色发光点21和红外发光点31，位于p侧焊盘电极12、13、14的露出部之间。由此，不使焊接导线的部位位于Y方向的各发光点之间，因而可以使红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的配置位置靠近蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri。在这种情况下，可以减小蓝紫色发光点11与红外发光点31之间的间隔。
p侧焊盘电极12、13、14的露出部，必须具有用于焊接导线的规定的大小。因此，如果将p侧焊盘电极12、13、14的露出部配置在蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri与红外半导体激光元件3之间，就不能减小蓝紫色发光点11与红外发光点31之间的间隔。
在本实施方式的半导体激光装置1000C中，在蓝紫色半导体激光元件1的绝缘膜4a上，p侧焊盘电极12、13、14相互间不交叉。因此，可以在绝缘膜4a上同时进行p侧焊盘电极12、13、14的形成。其结果是，使制造工序变得简单，结构也变得简单。
如图18所示，在本例中，使位于离半导体激光装置1000C的激光射出面比p侧焊盘电极14远的部位的p侧焊盘电极13通过导线W3连接于与支承部件505相对的供电引脚501c。换句话说，在沿X方向排列的p侧焊盘电极13、14的露出部中，使靠近大致圆型密封封装外壳本体503的p侧焊盘电极13与供电引脚501c通过导线W3连接。由此，可以防止在各p侧焊盘电极13、14与各供电引脚501a、501c之间进行连接的W1～W3相互交叉。
也可以改变X方向的p侧焊盘电极13、14的露出部的配置。在这种情况下，使红外半导体激光元件3的p侧焊盘电极14通过导线与供电引脚501c连接。而且，使红色半导体激光元件2的p侧焊盘电极13通过导线与与供电引脚501a连接。
可以将本实施方式的在将半导体激光装置1000C应用于图12的光学拾取装置900。由此，可以取得与第一实施方式相同的效果。
此外，在图15(b)和图17中虽未示出，但在红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3中在p侧焊盘电极22、32的形成部位，也形成有在X方向上延伸的条带状的脊形条部。因此，在各脊形条部上也形成着未图示的p型欧姆电极。
在本实施方式中，也可以预先单独地制作蓝紫色半导体激光元件1的芯片和红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的芯片，并通过将两个芯片相互粘贴而制作半导体激光装置1000C。
(4)第四实施方式
第四实施方式的半导体激光装置，除以下几点外具有与第一实施方式的半导体激光装置1000A相同的结构。
(a)半导体激光装置的结构
图19是用于说明第四实施方式的半导体激光装置的结构的示意图。图19(a)中示出表示第四实施方式的半导体激光装置的一例的俯视图，图19(b)中示出图19(a)的A4-A4线截面图。图20是图19的半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件和单片红色/红外半导体激光元件与副装配座的接合面的示意图。在图19和图20中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
如图19(a)和图19(b)所示，本实施方式的半导体激光装置1000D，包括蓝紫色半导体激光元件1、单片红色/红外半导体激光元件23X、焊接膜H、三个p侧焊盘电极12z、13z、14z、绝缘膜4c和绝缘性的副装配座505Z。
在本实施方式中，副装配座505Z是具有长方形状的板状部件，平行于XY平面地配置。在以下的说明中，如图19(a)和图19(b)所示，将X方向的副装配座505Z的一个端面称为激光器端面505X。
如图19(b)所示，将蓝紫色半导体激光元件1的p侧焊盘电极12接合在绝缘性的副装配座505Z上。而且，将单片红色/红外半导体激光元件23X的p侧焊盘电极22、32接合在绝缘性的副装配座505Z上且在Y方向的蓝紫色半导体激光元件1的一侧。
即，在本实施方式中，半导体激光装置1000D，具有将蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X的各p侧焊盘电极接合在副装配座505Z上的朝下接合结构。
在图19(b)中，仅在蓝紫色半导体激光元件1上示出脊形条部Ri，但在单片红色/红外半导体激光元件23X的红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3上也同样地形成有未图示的脊形条部Ri。
对副装配座505Z与蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X的接合部进行说明。
如图20(a)所示，在蓝紫色半导体激光元件1的绝缘膜4a上，与蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3分别对应地形成p侧焊盘电极12z、13z、14z。
p侧焊盘电极12z，形成为在Y方向的副装配座505Z的一侧沿X方向延伸。p侧焊盘电极13z，形成为在Y方向的副装配座505Z的另一侧沿X方向延伸。
p侧焊盘电极14z，形成为在Y方向的副装配座505Z的中央部沿X方向延伸、且在X方向的副装配座505Z的一端沿Y方向延伸。
此处，各p侧焊盘电极12z、13z、14z，在绝缘性的副装配座505Z上相互分开。由此，各p侧焊盘电极12z、13z、14z，相互间电气隔离。
如图20(b)所示，在p侧焊盘电极12z、13z、14z上的预定区域形成焊接膜H。在p侧焊盘电极12z上的焊接膜H上，进一步形成沿X方向延伸的绝缘膜4c。焊接膜H，在p侧焊盘电极12z、13z、14z上按照预先设定的各半导体激光元件的接合部位形成。
在将蓝紫色半导体激光元件1接合在副装配座505Z上时，将蓝紫色半导体激光元件1在p侧焊盘电极12z上的焊接膜H上对准，且将脊形条部Ri在绝缘膜4c上对准。
另外，在将单片红色/红外半导体激光元件23X接合在副装配座505Z上时，将红色半导体激光元件2在p侧焊盘电极13z上的焊接膜H上对准，且将红外半导体激光元件3在p侧焊盘电极14z上的焊接膜H上对准，
其结果是，在副装配座505Z上，配置成使蓝紫色半导体激光元件1、红外半导体激光元件3和红色半导体激光元件2在激光器端面505X侧沿Y方向按顺序排列。而且，在p侧焊盘电极12和p侧焊盘电极12z之间、p侧焊盘电极22和p侧焊盘电极13z之间、p侧焊盘电极32和p侧焊盘电极14z之间分别相互电气连接。
蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的p侧焊盘电极12、22、32，在副装配座505Z上相互间电气隔离。
此处，如上所述，蓝紫色半导体激光元件1的脊形条部Ri位于绝缘膜4c上。这样，通过在焊接膜H与位于脊形条部Ri的形成区域的p侧焊盘电极12和p型欧姆电极621之间配置绝缘膜4c，而可以防止焊接膜H与p侧焊盘电极12和p型欧姆电极621的合金化。其结果是，可以防止蓝紫色半导体激光元件1的半导体层1t(参照图11)的接触电阻的增大。该绝缘膜4c，例如由SiO2构成。
在本实施方式中，Y方向上的蓝紫色发光点11与红外发光点31之间的间隔，例如调整到大约为110μm。而且，Y方向上的红色发光点21与红外发光点31之间的间隔，例如调整到大约为190μm。
此处，如图19(b)所示，在Y方向上，将蓝紫色发光点11形成为使其位于从蓝紫色半导体激光元件1的中心起靠红外发光点31一侧，通过按这种方式形成蓝紫色发光点11，可以减小蓝紫色发光点11与红外发光点31之间的间隔。
在本实施方式中，沿X方向延伸的蓝紫色半导体激光元件1的谐振器长度，例如大约为600μm。另外，沿X方向延伸的单片红色/红外半导体激光元件23X的谐振器长度大约为1200μm。
(b)半导体激光装置在激光器用封装外壳内的安装状态
图21是表示将图19的半导体激光装置1000D安装在图3的激光器用大致圆型密封封装外壳500内并将盖体504拆下后的状态的示意正面图。在图21中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
如图21所示，在激光器用大致圆型密封封装外壳500的支承部件505上，设置图19的半导体激光装置1000D的副装配座505Z。
此处，在副装配座505Z上形成p侧焊盘电极12z、13z、14z和将蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X接合在p侧焊盘电极12z、13z、14z上时，使蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11位于盖体504的射出窗口504a(参照图3)的中央部。
而且，半导体激光装置1000D，在支承部件505上将副装配座505Z的激光器端面505X配置成使其位于激光器用大致圆型密封封装外壳500的光射出面侧(盖体504的射出窗口504a侧)。
在该半导体激光装置1000D中，如图19所示，在Y方向的蓝紫色半导体激光元件1的一侧的p侧焊盘电极12z的露出部上焊接导线。而且，在Y方向的单片红色/红外半导体激光元件23X的一侧的p侧焊盘电极13z的露出部上焊接导线。进一步，在X方向的单片红色/红外半导体激光元件23X的一端的p侧焊盘电极14z的露出部上焊接导线。
供电引脚501a通过导线W1与半导体激光装置1000D的p侧焊盘电极13z连接。供电引脚501b通过导线W2与半导体激光装置1000D的p侧焊盘电极12z连接。供电引脚501c通过导线W3与半导体激光装置1000D的p侧焊盘电极14z连接。
另一方面，支承部件505的露出的表面通过导线W4a、W4b与半导体激光装置1000D的n电极15、共用n电极233电气连接。
导电性的支承部件505，借助于绝缘性的副装配座505Z，与半导体激光装置1000D的p侧焊盘电极12z、13z、14z电气隔离。
另一方面，支承部件505，由于通过导线W4a、W4b与半导体激光装置1000D的n电极15、共用n电极233电气连接，使供电引脚502与蓝紫色半导体激光元件1的n电极15及单片红色/红外半导体激光元件23X的共用n电极233电气连接。即，实现蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共阴极接线。
通过在供电引脚501a和供电引脚502之间施加电压，可以驱动红色半导体激光元件2。通过在供电引脚501b和供电引脚502之间施加电压，可以驱动蓝紫色半导体激光元件1。通过在供电引脚501c和供电引脚502之间施加电压，可以驱动红外半导体激光元件3。这样，可以分别独立地驱动蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3。
(c)半导体激光装置安装在激光器用密封封装外壳内的状态下的效果
在本实施方式中，在进行半导体激光装置1000D对副装配座505Z的安装时，也是使蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11位于盖体504的射出窗口504a(参照图3)的中央部。由此，可以取得与第一实施方式相同的效果。
在本实施方式中，在副装配座505Z上形成的p侧焊盘电极12z、13z、14z相互间不交叉。因此，可以在副装配座505Z上同时进行p侧焊盘电极12z、13z、14z的形成。其结果是，使制造工序变得简单，结构也变得简单。
可以将本实施方式的在将半导体激光装置1000D应用于图12的光学拾取装置900。由此，可以取得与第一实施方式相同的效果。
在本实施方式中，半导体激光装置1000D，具有在副装配座505Z上的朝下接合结构。但是，半导体激光装置1000D，蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X的各基板的厚度大致相同，因而也可以具有将蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X的n电极15和共用n电极233接合在副装配座505Z上的朝上接合结构。
(5)第五实施方式
第五实施方式的半导体激光装置，除以下几点外具有与第一实施方式的半导体激光装置1000A相同的结构。
(a)半导体激光装置的结构
图22是用于说明第五实施方式的半导体激光装置的结构的示意图。图22(a)中示出表示第五实施方式的半导体激光装置的一例的俯视图，图22(b)中示出图22(a)的A5-A5线截面图。
如图22(a)和图22(b)所示，本实施方式的半导体激光装置1000E，包括蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2、红外半导体激光元件3、焊接膜H、融接层505H和导电性的副装配座505S。
在本实施方式中，副装配座505S是具有长方形状的板状部件，平行于XY平面地配置。在以下的说明中，如图22(a)和图22(b)所示，将X方向的副装配座505S的一个端面称为激光器端面505X。
如图22(b)所示，将蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2、红外半导体激光元件3的各自的n电极15、23、33接合在导电性的副装配座505S(融接层505H)上。
即，在本实施方式中，半导体激光装置1000E，具有将蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2、红外半导体激光元件3的各n电极接合在副装配座505S上的朝上接合结构。
蓝紫色半导体激光元件1的基本结构，与第一实施方式中所使用的蓝紫色半导体激光元件1相同。在图22中，红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3，具有以下的结构。
如图22(a)和图22(b)所示，在红色半导体激光元件2的表面上形成在X方向上延伸的条带状的脊形条部Ri。在脊形条部Ri的侧面和脊形条部Ri的两侧形成绝缘膜4d，使其覆盖红色半导体激光元件2的表面。在脊形条部Ri的表面上形成p型欧姆电极621b。形成p侧焊盘电极22，使其覆盖p型欧姆电极621b的表面和脊形条部Ri周边的绝缘膜4d。
红外半导体激光元件3，也与上述红色半导体激光元件2同样地包含绝缘膜4d。在红外半导体激光元件3的脊形条部Ri的表面上形成p型欧姆电极621c。
在副装配座505S(融接层505H)上的蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2、红外半导体激光元件3的接合部，形成焊接膜H。由此，使各半导体激光元件的n电极相互间电气连接。
此处，在融接层505H上，配置成使蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3在激光器端面505X侧沿Y方向按顺序排列。
在本实施方式中，Y方向上的蓝紫色发光点11与红外发光点31之间的间隔，例如调整到大约为110μm。而且，Y方向上的红色发光点21与红外发光点31之间的间隔，例如调整到大约为400μm。
此处，如图22(b)所示，在Y方向上，将蓝紫色发光点11形成为使其位于从蓝紫色半导体激光元件1的中心起靠红外发光点31一侧。而且，在Y方向上，将红外发光点31形成为使其位于从红外半导体激光元件3的中心起靠蓝紫色发光点11一侧。进一步，在Y方向上，将红色发光点21形成为使其位于从红色半导体激光元件2的中心起靠红外发光点31一侧。
通过按这种方式形成蓝紫色发光点11和红外发光点31，可以减小蓝紫色发光点11与红外发光点31之间的间隔。
在本实施方式中，沿X方向延伸的蓝紫色半导体激光元件1的谐振器长度，例如大约为800μm。另外，沿X方向延伸的红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的谐振器长度大约为1200μm。
(b)半导体激光装置在激光器用封装外壳内的安装状态
图23是表示将图22的半导体激光装置1000E安装在图3的激光器用大致圆型密封封装外壳500内并将盖体504拆下后的状态的示意正面图。在图23中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
如图23所示，在激光器用大致圆型密封封装外壳500的支承部件505上，设置半导体激光装置1000E的副装配座505S。
此处，在进行蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3对副装配座505S的融接层505H的接合时，使蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11位于盖体504的射出窗口504a(参照图3)的中央部。
进一步，半导体激光装置1000E，在支承部件505上将副装配座505S的激光器端面505X配置成使其位于激光器用大致圆型密封封装外壳500的光射出面侧(盖体504的射出窗口504a侧)。
供电引脚501a通过导线W1与半导体激光装置1000E的p侧焊盘电极22的一端连接。供电引脚501b通过导线W2与半导体激光装置1000E的p侧焊盘电极12的一端连接。供电引脚501c通过导线W3与半导体激光装置1000E的p侧焊盘电极32的一端连接。
支承部件505通过副装配座505S、融接层505H以及焊接膜H与n电极15、23、33电气连接。因此，供电引脚502与蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的n电极15、23、33电气连接。即，实现蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共阴极接线。
通过在供电引脚501a和供电引脚502之间施加电压，可以驱动红色半导体激光元件2。通过在供电引脚501b和供电引脚502之间施加电压，可以驱动蓝紫色半导体激光元件1。通过在供电引脚501c和供电引脚502之间施加电压，可以驱动红外半导体激光元件3。这样，可以分别独立地驱动蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3。
(c)半导体激光装置安装在激光器用密封封装外壳内的状态下的效果
在本实施方式中，在进行半导体激光装置1000E对激光器用大致圆型密封封装外壳500的安装时，也是使蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11位于盖体504的射出窗口504a(参照图3)的中央部。由此，可以取得与第一实施方式相同的效果。
可以将本实施方式的在将半导体激光装置1000E应用于图12的光学拾取装置900。由此，可以取得与第一实施方式相同的效果。
在本实施方式中，半导体激光装置1000E，具有在副装配座505S上的朝上接合结构。但是，半导体激光装置1000E，蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的各基板的厚度大致相同，因而也可以具有将蓝紫色半导体激光元件1、红色红外半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的p侧焊盘电极12、22、32接合在副装配座505S上的朝下接合结构。
(6)与专利权利要求的对应关系
在上述第一～第五实施方式中，X方向相当于第一方向，波长大约为405nm的激光和蓝紫色激光相当于第一波长的光，蓝紫色发光点11相当于第一发光点，蓝紫色半导体激光元件1相当于第一半导体激光元件，波长大约为650nm的激光和红色激光相当于第二波长的光，红色发光点21相当于第二发光点，红色半导体激光元件2相当于第二半导体激光元件，波长大约为780nm的激光和红外激光相当于第三波长的光，红外发光点31相当于第三发光点，红色半导体激光元件3相当于第三半导体激光元件，YZ平面相当于与第一方向正交的第一面。
另外，Y方向相当于第二方向，n-GaN基板1s相当于第一基板，半导体层1t相当于第一半导体层，p侧焊盘电极12相当于第一电极，半导体层2t相当于第二半导体层，p侧焊盘电极22相当于第二电极，半导体层3t相当于第三半导体层，p侧焊盘电极32相当于第三电极，绝缘膜4a相当于绝缘层。
而且，光盘DI相当于光学记录介质，光检测器909a相当于第一光检测器，光检测器909b相当于第二光检测器，偏振BS902、准直透镜903、光束扩展器904、λ/4片905、物镜906、柱面透镜907和光轴校正元件908相当于光学系统，光轴校正元件908相当于衍射光栅。
在上述第一～第五实施方式中，给出了将半导体激光装置安装在激光器用大致圆型密封封装外壳内的例，但本发明并不限于此，在将半导体激光装置安装在框架型的激光器用封装外壳等其他的封装外壳内时也可以适用。

Claims (14)

1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：
第一半导体激光元件，具有在与第一方向大致平行的方向上发射第一波长的光的第一发光点；
第二半导体激光元件，具有在与第一方向大致平行的方向上发射与所述第一波长的自然数倍数不同的第二波长的光的第二发光点；以及
第三半导体激光元件，具有在与第一方向大致平行的方向上发射大致为所述第一波长的自然数倍数的第三波长的光的第三发光点，其中，
在与所述第一方向正交的第一面内，所述第一发光点与所述第三发光点之间的距离，至少小于所述第一发光点与所述第二发光点之间的距离和所述第二发光点与所述第三发光点之间的距离中的一个。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一、第二和第三发光点，沿着与所述第一方向交叉的第二方向配置；
所述第三发光点，位于所述第一发光点和所述第二发光点之间。
3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一半导体激光元件，具有第一基板；
所述第二方向，与所述第一基板的一个面大致平行。
4.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
将所述第二和第三半导体激光元件接合在所述第一半导体激光元件上。
5.根据权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一半导体激光元件，包括具有所述第一发光点的第一半导体层和在所述第一半导体层上形成的第一电极；
所述第二半导体激光元件，包括具有所述第二发光点的第二半导体层和在所述第二半导体层上形成的第二电极；
所述第三半导体激光元件，包括具有所述第三发光点的第三半导体层和在所述第三半导体层上形成的第三电极；
将所述第二和第三电极接合在所述第一电极上。
6.根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于：
隔着绝缘层将所述第二和第三电极接合在所述第一电极上。
7.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
还包括将所述第二半导体激光元件和第三半导体激光元件连结的连结部。
8.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于：
还包括具有与所述第二方向平行的一个面的副装配座；
将所述第一、第二和第三半导体激光元件接合在所述副装配座的所述一个面上。
9.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一波长的光为蓝紫色光；
所述第二波长的光为红色光；
所述第三波长的光为红外光。
10.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一半导体层由氮化物系半导体构成；
所述第二半导体层由磷化镓铟系半导体构成；
所述第三半导体层可以由砷化镓系半导体构成。
11.一种光学拾取装置，其使光照射光学记录介质，并检测从该光学记录介质返回的光，其特征在于：
包括半导体激光装置；
所述半导体激光装置包括：
具有在与第一方向大致平行的方向上发射第一波长的光的第一发光点的第一半导体激光元件；
具有在与第一方向大致平行的方向上发射与所述第一波长的自然数倍数不同的第二波长的光的第二发光点的第二半导体激光元件；以及
具有在与第一方向大致平行的方向上发射大致为所述第一波长的自然数倍数的第三波长的光的第三发光点的第三半导体激光元件，其中，
在与所述第一方向正交的第一面内，所述第一发光点与所述第三发光点之间的距离，至少小于所述第一发光点与所述第二发光点之间的距离和所述第二发光点与所述第三发光点之间的距离中的一个。
12.根据权利要求11所述的光学拾取装置，其特征在于，还包括：
第一和第二光检测器；以及
光学系统，在将从所述半导体激光装置发射的所述第一、第二或者第三波长的光导向所述光学记录介质的同时，将从所述光学记录介质返回的第一、第二或者第三波长的光导向所述第一或者第二光检测器。
13.根据权利要求12所述的光学拾取装置，其特征在于，所述光学系统包括：
使所述第一、第二和第三波长的光透过的衍射光栅，以将所述第一和第三波长的光分别导向所述第一和第二光检测器，并将所述第二波长的光导向所述第一和第二光检测器中的一方。
14.根据权利要求11所述的光学拾取装置，其特征在于：
将所述半导体激光装置配置成使由所述第一半导体激光元件发射的所述第一波长的光的轴与所述光学系统的光轴一致。
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