CN1716467A - 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种能够通过尽可能地降低电容量来提高差分传送特性的线圈构造体。构成共态扼流线圈，使构成薄膜线圈(30)的两个线圈图案(31、32)的截面都具有左右非对称的倒梯形。根据两个线圈图案(31、32)的截面都具有左右非对称的倒梯形的构造特征，将与电容量有关的两个线圈图案(31、32)之间的对置面积尽可能地减小，所以能够尽可能地减小薄膜线圈(30)的电容量。

Description

薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法

技术领域

本发明涉及包含相互并列并卷绕为螺旋状的两个线圈图案的薄膜线圈及其制造方法、以及具有薄膜线圈的线圈构造体及其制造方法。

背景技术

近年来，在信息通信领域等中，共态扼流线圈作为降低高频波段的噪音用的线圈部件正在普及应用。该共态扼流线圈例如用来防止无线电广播等噪音混入到电话线路中。

共态扼流线圈主要具有经由绝缘层将薄膜线圈埋设在两个磁性基体之间的构造。该薄膜线圈一般包含卷绕成螺旋状的线圈图案而构成。作为这种共态扼流线圈，已知有例如具备将两个线圈图案在同一层中相互并列并卷绕成的具有双重卷构造的薄膜线圈者(例如参照特许文献1)，和具备将两个线圈图案在互不相同的层中层叠的层叠构造的薄膜线圈者(例如参照特许文献2)等。

【特许文献1】特开2002-110423号公报

【特许文献2】特开2003-133135号公报

但是，为了提高共态扼流线圈的动作特性，例如以提高差分传送(平衡传送)特性为目的，需要尽可能降低薄膜线圈(线圈图案)的绕组之间产生的电容量(浮游容量)。

更具体地讲，一般由于电容量与薄膜线圈的电感系数有关，所以在产生了比较大的电容量的情况下，对于共态扼流线圈的阻抗而言，在高频带中电容量占主要地位。因而，如果考虑电容量带来的阻抗与频率成反比例，则会因随着电容量变大阻抗降低而导致差分传送特性变差，因此，需要在提高该差分传送特性的基础上降低电容量。

但是，在以往的共态扼流线圈中，不仅如上述那样需要为了提高差分传送特性而尽可能降低电容量，而且主要因薄膜线圈(线圈图案)的构造而使得难以充分降低电容量，因此，从尽可能降低该电容量的观点出发，还有改善的余地。因而，为了提高共态扼流线圈的差分传送特性，急需确立能够尽可能降低电容量的技术。在确立这种技术时，特别要考虑共态扼流线圈的量产性，尽可能容易地制造该共态扼流线圈是很重要的。

发明内容

本发明是鉴于这些问题点而作出的，其第1目的是提供一种能够提高差分传送特性的薄膜线圈。

此外，本发明的第2目的是提供一种能够通过尽可能降低电容量来提高差分传送特性的线圈构造体。

此外，本发明的第3目的是提供一种能够尽可能容易地制造本发明的薄膜线圈的薄膜线圈的制造方法。

进而，本发明的第4目的是提供一种能够尽可能容易地制造本发明的线圈构造体的线圈构造体的制造方法。

本发明的薄膜线圈，包括配设在规定的衬底上、以规定的中心位置为中心相互并列地卷绕成螺旋状的第1线圈图案和第2线圈图案，第1线圈图案和第2线圈图案的截面两者都具有梯形，其中将位于距衬底较远一侧、规定两个底角的一个端缘作为相互平行的一组对边中的较长的对边，并将位于靠近衬底一侧的另一个端缘作为一组对边中较短的对边。

在本发明的薄膜线圈中，构成薄膜线圈的第1线圈图案的截面和第2线圈图案的截面都具有倒梯形(将位于距衬底较远一侧、规定两个底角的一个端缘作为相互平行的一组对边中较长的对边，并将位于靠近衬底一侧的另一个端缘作为一组对边中较短的对边的梯形)，所以能够尽可能地减小与电容量有关的两个线圈图案之间的对置面积，并且能够尽可能地减小电阻(直流阻抗)。

本发明的线圈构造体是在两个磁性基体之间，经由绝缘层而埋设有本发明的薄膜线圈。

在本发明的线圈构造体中，由于具有本发明的薄膜线圈，所以如上述那样，能够尽可能地减小与电容量有关的两个线圈图案之间的对置面积，并且能够尽可能地减小电阻(直流阻抗)。

本发明的第1观点的薄膜线圈的制造方法，是包括配设在规定的衬底上、以规定的中心位置为中心相互并列地卷绕成螺旋状的第1线圈图案和第2线圈图案的薄膜线圈的制造方法，形成第1线圈图案和第2线圈图案的工序包括：第1工序，在衬底上形成光致抗蚀剂；第2工序，以下述方式形成光致抗蚀剂图案，即，具有通过一边控制曝光处理的进展程度一边有选择地对光致抗蚀剂进行曝光而形成图案，用来形成第1线圈图案的第1开口和用来形成第2线圈图案的第2开口，并且第1开口的宽度和第2开口的宽度都随着靠近衬底而逐渐变窄；第3工序，在光致抗蚀剂图案中的第1开口和第2开口中分别形成第1线圈图案和第2线圈图案，使第1线圈图案的截面和第2线圈图案的截面都具有梯形，将位于距衬底较远一侧、规定两个底角的一个端缘作为相互平行的一组对边中较长的对边，将位于靠近衬底一侧的另一个端缘作为一组对边中较短的对边；第4工序，将使用过的光致抗蚀剂图案除去。

在本发明的第1观点的薄膜线圈的制造方法中，通过一边控制曝光处理的进展程度一边有选择地对光致抗蚀剂进行曝光而形成图案，来形成光致抗蚀剂图案，使第1开口的宽度和第2开口的宽度都随着靠近衬底而逐渐变窄，然后在该光致抗蚀剂图案中的第1开口和第2开口中分别形成第1线圈图案和第2线圈图案。由此，第1光致抗蚀剂图案的截面和第2光致抗蚀剂图案的截面都成为倒梯形(将位于距衬底较远一侧、规定两个底角的一个端缘作为相互平行的一组对边中较长的对边，将位于靠近衬底一侧的另一个端缘作为一组对边中较短的对边的梯形)。由于将第1光致抗蚀剂图案和第2光致抗蚀剂图案形成为使其具有该倒梯形的截面，并且仅利用现有的薄膜工艺方法，所以能够容易地形成薄膜线圈。

本发明的第2观点的薄膜线圈的制造方法，是包括配设在规定的衬底上、以规定的中心位置为中心相互并列地卷绕成螺旋状的第1线圈图案和第2线圈图案的薄膜线圈的制造方法，形成第1线圈图案和第2线圈图案的工序包括：第1工序，在要形成具有对用来通过互相对置配置而形成第1线圈图案的第1开口进行划定的第1内侧框部和第1外侧框部、并具有对用来通过互相对置配置而形成第2线圈图案的第2开口进行划定的第2内侧框部和第2外侧框部的光致抗蚀剂图案的衬底上，在位于靠近中心位置一侧、要形成第1内侧框部的第1内侧区域或位于距中心位置较远一侧、要形成第1外侧框部的第1外侧区域中的某一个上形成用来控制曝光处理的进展程度的第1曝光控制层图案，并在位于靠近中心位置一侧、要形成第2内侧框部的第2内侧区域或位于距中心位置较远一侧、要形成第2外侧框部的第2外侧区域中的某一个上形成用来控制曝光处理的进展程度的第2曝光控制层图案；第2工序，形成光致抗蚀剂，使其覆盖衬底、第1曝光控制层、以及第2曝光控制层；第3工序，通过有选择地对光致抗蚀剂进行曝光而形成图案，来形成第1开口和第2开口，在衬底上形成光致抗蚀剂图案，使其具有配置在第1内侧区域中的第1内侧框部、配置在第1外侧区域中的第1外侧框部、配置在第2内侧区域中的第2内侧框部、以及配置在第2外侧区域中的第2外侧框部，第1开口的宽度和第2开口的宽度都随着靠近衬底而逐渐变窄，并且第1内侧框部中的划定第1开口的第1内侧划定面的倾斜角度与第1外侧框部中的划定第1开口的第1外侧划定面的倾斜角度互不相同，并且第2内侧框部中的划定第2开口的第2内侧划定面的倾斜角度与第2外侧框部中的划定第2开口的第2外侧划定面的倾斜角度互不相同；第4工序，在光致抗蚀剂图案中的第1开口和第2开口中，分别形成第1线圈图案和第2线圈图案，使第1线圈图案的截面和第2线圈图案的截面都具有梯形，将位于距衬底较远一侧、规定两个底角的一个端缘作为相互平行的一组对边中较长的对边，将位于靠近衬底一侧的另一个端缘作为一组对边中较短的对边，并且第1线圈图案的截面形状和第2线圈图案的截面形状相同；第5工序，将使用过的光致抗蚀剂图案、第1曝光控制层、和第2曝光控制层除去。

在本发明的第2观点的薄膜线圈的制造方法中，因有无第1曝光控制层而在第1内侧区域和第1外侧区域之间曝光范围产生差异，并且因有无第2曝光控制层而在第2内侧区域和第2外侧区域之间曝光范围产生差异，同时有选择地对光致抗蚀剂进行曝光而形成图案，从而形成光致抗蚀剂图案，使得第1开口的宽度和第2开口的宽度都随着靠近衬底而逐渐变窄，然后，在光致抗蚀剂图案中的第1开口和第2开口中分别形成第1线圈图案和第2线圈图案。由此，第1光致抗蚀剂图案的截面和第2光致抗蚀剂图案的截面都成为左右非对称的倒梯形(将位于距衬底较远一侧、规定两个底角的一个端缘作为相互平行的一组对边中较长的对边，将位于靠近衬底一侧的另一个端缘作为一组对边中较短的对边的梯形)，并且第1光致抗蚀剂图案的截面形状和第2光致抗蚀剂图案的截面形状相同。由于将第1光致抗蚀剂图案和第2光致抗蚀剂图案形成为使其具有该左右非对称的倒梯形的截面，并且仅利用现有的薄膜工艺方法，所以能够容易地形成薄膜线圈。

本发明的第3观点的薄膜线圈的制造方法，是包括配设在规定的衬底上、以规定的中心位置为中心相互并列地卷绕成螺旋状的第1线圈图案和第2线圈图案的薄膜线圈的制造方法，形成第1线圈图案和第2线圈图案的工序包括：第1工序，在要形成具有对用来通过互相对置配置而形成第1线圈图案的第1开口进行划定的第1内侧框部和第1外侧框部、并具有对用来通过互相对置配置而形成第2线圈图案的第2开口进行划定的第2内侧框部和第2外侧框部的光致抗蚀剂图案的衬底上，在位于靠近中心位置一侧、要形成第1内侧框部的第1内侧区域和位于距中心位置较远一侧、要形成第1外侧框部的第1外侧区域双方，或者在位于靠近中心位置一侧、要形成第2内侧框部的第2内侧区域和位于距中心位置较远一侧、要形成第2外侧框部的第2外侧区域双方某一方上形成用来控制曝光处理的进展程度的曝光控制层的图案；第2工序，形成光致抗蚀剂，使其覆盖衬底、以及曝光控制层；第3工序，通过有选择地对光致抗蚀剂进行曝光而形成图案，来形成第1开口和第2开口，在衬底上形成光致抗蚀剂图案，使其具有配置在第1内侧区域中的第1内侧框部、配置在第1外侧区域中的第1外侧框部、配置在第2内侧区域中的第2内侧框部、以及配置在第2外侧区域中的第2外侧框部，第1开口的宽度和第2开口的宽度都随着靠近衬底而逐渐变窄，并且第1内侧框部中的划定第1开口的第1内侧划定面的倾斜角度与第1外侧框部中的划定第1开口的第1外侧划定面的倾斜角度相等，并且第2内侧框部中的划定第2开口的第2内侧划定面的倾斜角度与第2外侧框部中的划定第2开口的第2外侧划定面的倾斜角度相等；第4工序，在光致抗蚀剂图案中的第1开口和第2开口中，分别形成第1线圈图案和第2线圈图案，使第1线圈图案的截面和第2线圈图案的截面都具有梯形，将位于距衬底较远一侧、规定两个底角的一个端缘作为相互平行的一组对边中较长的对边，将位于靠近衬底一侧的另一个端缘作为一组对边中较短的对边，并且第1线圈图案的截面形状和第2线圈图案的截面形状互不相同；第5工序，将使用过的光致抗蚀剂图案、和曝光控制层除去。

在本发明的第3观点的薄膜线圈的制造方法中，因有无曝光控制层而在第1内侧区域和第1外侧区域、以及第2内侧区域和第2外侧区域之间曝光范围产生差异，同时有选择地对光致抗蚀剂进行曝光而形成图案，从而形成光致抗蚀剂图案，使得第1开口的宽度和第2开口的宽度都随着靠近衬底而逐渐变窄，然后，在光致抗蚀剂图案中的第1开口和第2开口中分别形成第1线圈图案和第2线圈图案。由此，第1光致抗蚀剂图案的截面和第2光致抗蚀剂图案的截面都成为左右对称的倒梯形(将位于距衬底较远一侧、规定两个底角的一个端缘作为相互平行的一组对边中较长的对边，将位于靠近衬底一侧的另一个端缘作为一组对边中较短的对边的梯形)，并且第1光致抗蚀剂图案的截面形状和第2光致抗蚀剂图案的截面形状互不相同。由于将第1光致抗蚀剂图案和第2光致抗蚀剂图案形成为使其具有该左右对称的倒梯形的截面，并且仅利用现有的薄膜工艺方法，所以能够容易地形成薄膜线圈。

本发明的线圈构造体的制造方法，是在两个磁性基体之间经由绝缘层埋设有薄膜线圈的线圈构造体的制造方法，包括形成薄膜线圈的工序，使用本发明的薄膜线圈的制造方法，经由绝缘层将薄膜线圈埋设在两个磁性基体之间。

在本发明的线圈构造体的制造方法中，由于利用本发明的薄膜线圈的制造方法形成薄膜线圈，所以能够形成该薄膜线圈并且仅使用现有的薄膜工艺方法，所以能够容易地形成薄膜线圈。

根据本发明的薄膜线圈，基于构成薄膜线圈的第1线圈图案的截面和第2线圈图案的截面都具有倒梯形的构造特征，所以能够尽可能地减小与电容量有关的两个线圈图案之间的对置面积，并且能够尽可能地减小电阻(直流阻抗)，因此可以期望差分传送特性的提高。

根据本发明的线圈构造体，基于具有本发明的薄膜线圈的构造特征，能够尽可能地减小与电容量有关的两个线圈图案之间的对置面积，并且能够尽可能地减小电阻(直流阻抗)，因此，通过尽可能地降低电容量而能够提高差分传送特性。

根据本发明的第1观点的薄膜线圈的制造方法，通过一边控制曝光处理的进展程度一边有选择地对光致抗蚀剂进行曝光而形成图案，来形成光致抗蚀剂图案，使第1开口的宽度和第2开口的宽度都随着靠近衬底而逐渐变窄，然后在该光致抗蚀剂图案中的第1开口和第2开口中分别形成第1线圈图案和第2线圈图案。根据这种制造方法的特征，第1光致抗蚀剂图案的截面和第2光致抗蚀剂图案的截面都形成为具有倒梯形的截面，并且仅利用现有的薄膜工艺方法，所以能够尽可能容易地制造出本发明的薄膜线圈。

根据本发明的第2观点的薄膜线圈的制造方法，因有无第1曝光控制层而在第1内侧区域和第1外侧区域之间曝光范围产生差异，并且因有无第2曝光控制层而在第2内侧区域和第2外侧区域之间曝光范围产生差异，同时有选择地对光致抗蚀剂进行曝光而形成图案，从而形成光致抗蚀剂图案，使得第1开口的宽度和第2开口的宽度都随着靠近衬底而逐渐变窄，然后，在光致抗蚀剂图案中的第1开口和第2开口中分别形成第1线圈图案和第2线圈图案。根据这种制造方法的特征，第1光致抗蚀剂图案的截面和第2光致抗蚀剂图案的截面都形成为具有左右非对称的倒梯形的截面，并且仅利用现有的薄膜工艺方法，所以能够尽可能容易地制造出本发明的薄膜线圈。

根据本发明的第3观点的薄膜线圈的制造方法，因有无曝光控制层而在第1内侧区域和第1外侧区域、以及第2内侧区域和第2外侧区域之间曝光范围产生差异，同时有选择地对光致抗蚀剂进行曝光而形成图案，从而形成光致抗蚀剂图案，使得第1开口的宽度和第2开口的宽度都随着靠近衬底而逐渐变窄，然后，在光致抗蚀剂图案中的第1开口和第2开口中分别形成第1线圈图案和第2线圈图案。根据这种制造方法的特征，第1光致抗蚀剂图案和第2光致抗蚀剂图案都形成为具有该左右对称的倒梯形的截面，并且仅利用现有的薄膜工艺方法，所以能够尽可能容易地制造出本发明的薄膜线圈。

根据本发明的线圈构造体的制造方法，基于利用本发明的薄膜线圈的制造方法形成薄膜线圈的制造方法的特征，能够形成该薄膜线圈并且仅使用现有的薄膜工艺方法，所以能够尽可能容易地制造出本发明的薄膜线圈。

附图说明

图1是示意表示本发明的第1实施方式的共态扼流线圈的截面结构的剖视图。

图2是表示薄膜线圈的平面结构的俯视图。

图3是将薄膜线圈的截面结构部分放大表示的剖视图。

图4是用来说明本发明的第1实施方式的共态扼流线圈的制造工序的一工序的剖视图。

图5是用来说明接着图4的工序的剖视图。

图6是用来说明接着图5的工序的剖视图。

图7是用来说明接着图6的工序的剖视图。

图8是用来说明接着图7的工序的剖视图。

图9是用来说明接着图7的工序的剖视图。

图10是用来说明接着图9的工序的剖视图。

图11是用来说明接着图10的工序的剖视图。

图12是用来说明本发明的第1实施方式的共态扼流线圈的制造方法的变形例的剖视图。

图13是用来说明接着图12的工序的剖视图。

图14是表示使用图13所示的光致抗蚀剂图案形成的薄膜线圈的截面结构。

图15是示意表示本发明的第2实施方式的共态扼流线圈的截面结构的剖视图。

图16是将薄膜线圈的截面结构部分放大表示的剖视图。

图17是用来说明本发明的第2实施方式的共态扼流线圈的制造工序的一工序的剖视图。

图18是用来说明接着图17的工序的剖视图。

图19是用来说明接着图18的工序的剖视图。

图20是用来说明接着图19的工序的剖视图。

图21是用来说明接着图20的工序的剖视图。

图22是用来说明接着图20的工序的剖视图。

图23是用来说明接着图22的工序的剖视图。

图24是用来说明接着图23的工序的剖视图。

图25是用来说明本发明的第2实施方式的共态扼流线圈的制造方法的变形例的剖视图。

图26是用来说明接着图25的工序的剖视图。

图27是表示使用图26所示的光致抗蚀剂图案形成的薄膜线圈的截面结构。

图28是用来说明本发明的第3实施方式的共态扼流线圈的制造工序的一工序的剖视图。

图29是用来说明接着图28的工序的剖视图。

图30是用来说明本发明的第3实施方式的共态扼流线圈的制造方法的变形例的剖视图。

图31是用来说明接着图30的工序的剖视图。

图32是用来说明本发明的第4实施方式的共态扼流线圈的制造工序的一工序的剖视图。

图33是用来说明接着图32的工序的剖视图。

图34是用来说明本发明的第4实施方式的共态扼流线圈的制造方法的变形例的剖视图。

图35是用来说明接着图34的工序的剖视图。

具体实施方式

下面参照附图详细说明本发明的实施方式。

【第1实施方式】

首先，参照图1说明作为本发明的第1实施方式的“线圈构造体”的共态扼流线圈的结构。图1示意地表示共态扼流线圈的剖面结构。另外，由于本发明的“薄膜线圈”构成了共态扼流线圈，所以对于该薄膜线圈在下面一起说明。

该共态扼流线圈例如用于高频带的噪音降低用途，如图1所示，具有如下结构：在作为磁性基体的两个磁性基板、即下部磁性基板10和上部磁性基板20之间，经由绝缘层40、磁性层50及种子层60而埋设着薄膜线圈30。

下部磁性基板10及上部磁性基板20例如都是由镍铁合金(NiFe(例如Ni：80重量％，Fe：20重量％)，所谓的“坡莫合金(产品名)”)等磁性材料构成，它们的厚度为约1.0μm～10.0μm。

薄膜线圈30通过通电而产生磁束，配设在规定的衬底(种子层60)上，通过绝缘层40埋设。该薄膜线圈30构成为，包括两个线圈图案31(第1线圈图案)、32(第2线圈图案)，该线圈图案31、32例如都由铜(Cu)等高导电性材料构成。另外，对于薄膜线圈30(线圈图案31、32)的详细结构在后面叙述(参照图2及图3)。

绝缘层40将薄膜线圈30从周围电分离，例如配设在下部磁性基板10上，以环状覆盖薄膜线圈30及其周边区域。该绝缘层40由例如光致抗蚀剂等绝缘材料构成。

磁性层50将下部磁性基板10和上部磁性基板20相互磁连结，例如配设在下部磁性基板10上，使其覆盖绝缘层40及其周边区域。该磁性层50由例如混合了镁-锌(Mg-Zn)类铁氧体等磁性粉和聚酰亚胺等高分子的复合磁性材料(复合铁氧体)构成。

种子层60使用镀层处理，用来形成薄膜线圈30(线圈图案31、32)，在下部磁性基板10和薄膜线圈30之间配置有图案。该种子层60例如由与薄膜线圈30的构成材料相同的材料构成。

接着，参照图1～图3说明薄膜线圈30的详细结构。图2表示薄膜线圈30(线圈图案31、32)的平面结构，图3将薄膜线圈30(线圈图案31、32)的截面结构部分放大表示。另外，上述图1表示沿着图2所示的A-A线的截面结构。

构成薄膜线圈30的线圈图案31、32如图2所示，以规定的中心位置T为中心相互并列地卷绕成螺旋状。作为该线圈图案31、32的并列关系，例如使线圈图案31相对地位于外侧，而使线圈图案32相对地位于内侧。即、薄膜线圈30具有由上述线圈图案31、32构成的二层卷构造。另外，如果明确地说明，则上述“线圈图案31、32互相并列”的结构，是指线圈图案31、32在高度方向(垂直于图2的纸面方向，Z轴方向)上没有层叠配置、即没有配置在不同的层中，而是线圈图案31、32在水平方向(图2的纸面的面内方向：XY面内方向)上并列设置，即配置在同一层中。

在线圈图案31、32的各个周端上设有通电用的端子。即、在线圈图案31的外周端及内周端上分别设有端子31A、31B，并且在线圈图案32的外周端及内周端上分别设有端子32A、32B。另外，图2所示的线圈图案31、32的卷绕圈数为一个例子，该卷绕圈数可以自由地改变。特别地，在图2中，为了容易区分辨认线圈图案31、32，对线圈图案31标上较浅的网格，而对线圈图案32标上较深的网格。

如图1及图3所示，线圈图案31的截面及线圈图案32的截面两者都具有倒梯形。即、线圈图案31的截面具有如下的梯形(倒梯形)：将位于距种子层60较远一侧、规定两个底角(内侧底角θR1、外侧底角θL1)的一个端缘31E1作为相互平行的一组对边中较长的对边，并且将位于距种子层60较近一侧的另一个端缘31E2作为一组对边中较短的对边。同样，线圈图案32的截面具有如下的梯形(倒梯形)：将位于距种子层60较远一侧、规定两个底角(内侧底角θR2、外侧底角θL2)的一个端缘32E1作为相互平行的一组对边中较长的对边，并且将位于距种子层60较近一侧的另一个端缘32E2作为一组对边中较短的对边。

特别地，在任意的卷绕位置上，线圈图案31的截面形状和线圈图案32的截面形状，例如如图3所示那样相互一致，更具体地讲，线圈图案31、32两个截面具有左右非对称的倒梯形。即、在线圈图案31的截面上，例如两个底角(内侧底角θR1、外侧底角θL1)中的距中心位置T较近一侧的内侧底角θR1(第1内侧底角)和位于距中心位置T较远一侧的外侧底角θL1(第1外侧底角)互不相同(θR1≠θL1)，这里外侧底角θL1比内侧底角θR1大(θR1＜θL1)。同样，在线圈图案32的截面上，例如两个底角(内侧底角θR2、外侧底角θL2)中的距中心位置T较近一侧的内侧底角θR2(第2内侧底角)和位于距中心位置T较远一侧的外侧底角θL2(第2外侧底角)互不相同(θR2≠θL2)，这里外侧底角θL2比内侧底角θR2大(θR2＜θL2)。

另外，如果举出图3所示的情况的具体的尺寸例，则端缘31E1的长度L31E1＝端缘32E1的长度L32E1＝约20μm，端缘31E2的长度L31E2＝端缘32E2的长度L32E2＝约13μm，内侧底角θR1、θR2＝约60°，外侧底角θL1、θL2＝约85°，绕组间隔G＝约5μm。

接着，参照图1～图3说明共态扼流线圈。

在该共态扼流线圈中，如果使薄膜线圈30通电，即电流通过端子31A、31B流过线圈图案31，并且电流通过端子32A、32B流过线圈图案32，则在这些线圈图案31、32中会发生磁束。此时，如果在线圈图案31、32中流过同相电流，则在各线圈图案中发生的磁束叠加而使电感增加，而如果在线圈图案31、32中流过逆向电流，则在各线圈图案31、32中发生的磁束相抵消而电感不会增加。通过利用这个原理，在共态扼流线圈中，因电感有没有增加，在流过同相电流时电流难以流过，并且在流过逆向电流时电流容易流过，即可以得到电过滤器功能，利用该电过滤器功能能够电气地降低干扰。

在本实施方式的共态扼流线圈中，由于构成薄膜线圈30的线圈图案31、32的截面都具有左右非对称的倒梯形，所以根据以下的理由，能够通过尽可能降低电容量来提高差分传送特性。

即、对于具备具有二层卷构造的薄膜线圈的共态扼流线圈，设两个线圈图案间的电容率(埋设在两个线圈图案间的绝缘层的电容率)为6，两个线圈图案间的对置面积(相互平行相对的面积)为S，两个线圈图案间的间隔为D，则电容量C用C＝ε×(S/D)的关系式表示，为了提高该共态扼流线圈的差分传送特性，需要尽可能地降低上述电容量C。对于这点，在本实施方式中，由于两个线圈图案31、32的截面都具有左右非对称的倒梯形，即两个线圈图案31、32的截面为左右非对称的倒梯形的相互组合，所以根据上述电容量C的关系式，如果电容率ε及间隔D为一定，则对置面积S比两个线圈图案的截面为矩形形状的相互组合、或倒梯形与矩形形状的相互组合、或者倒梯形与梯形的组合的任一种情况都小。并且，在本实施方式中，根据两个线圈图案31、32的截面都为具有左右非对称的倒梯形的构造上的特征，为了尽可能地增大线圈图案31、32的截面积，对这些线圈图案31、32尽可能地减小对置面积，并且尽可能减小电阻(直流阻抗)。因而，在本实施方式中，通过尽可能减小电容量，能够提高差分传送特性。

特别地，在本实施方式中，如图3所示，在线圈图案31、32的两个截面上，由于使位于距中心位置T较远一侧的外侧底角θL1、θL2比靠近中心位置T一侧的内侧底角θR1、θR2大(θR1、θR2＜θL1、θL2)，所以在线圈图案31、32两者中，与距中心位置T较远侧的外周面相比，在较近一侧的内周面倾斜得更大，在这种情况下，与靠近线圈图案31、32中的中心位置T的一侧相比，在距中心位置T较远侧(电流线路相对较长的一侧)截面积变大，因此能够减小薄膜线圈30的直流电阻。

此外，除了上述以外，在本实施方式的薄膜线圈30中，由于线圈图案31、32的截面都具有左右非对称的倒梯形，所以如上述那样，根据线圈图案31、32的截面形状来尽可能地降低电容量。因而，如果使用该薄膜线圈30来构成共态扼流线圈，则能够期望提高差分传送特性。

接着，参照图1～图11，将图1～图3所示的共态扼流线圈的制造方法作为本实施方式的“线圈构造体的制造方法”加以说明。图4～图11用来说明共态扼流线圈的制造工序，都表示对应于图1的截面结构。特别地，图8将图7所示的截面结构部分放大表示。另外，本发明的“薄膜线圈的制造方法”是用来在本实施方式的共态扼流线圈的制造工序中形成薄膜线圈30(线圈图案31、32)的，所以对于该薄膜线圈的制造方法，在下面列举说明。

以下，首先参照图1概略地说明共态扼流线圈整体的制造工序，然后参照图1～图11详细地说明共态扼流线圈的主要部分(薄膜线圈30)的形成工序。另外，由于对共态扼流线圈的一系列的构成要素的材质、尺寸及结构特征已经详细地进行了描述，所以随时省略其说明。

该薄膜磁头主要是使用包括镀层处理或溅镀等成膜技术、以及光刻处理等印刻图形技术等的现有的薄膜工艺方法，依次形成并层叠各构成要素来制造的。即，如图1所示，首先，在下部磁性基板10上印刻图案而形成种子层60及薄膜线圈30(线圈图案31、32)。接着，覆盖薄膜线圈30、具体而言是形成绝缘层30来覆盖线圈图案31、32的绕组之间及其周边区域，然后形成磁性层40来覆盖绝缘层30及其周边区域。最后，通过在磁性层40上形成上部磁性基板50，完成了具有如下结构的共态扼流线圈：在下部磁性基板10和上部磁性基板20之间，通过绝缘层40、磁性层50及种子层60而埋设着薄膜线圈30。

在形成薄膜线圈30(线圈图案31、32)时，在准备好下部磁性基板10后，首先如图4所示，例如使用溅镀形成种子层60，使它覆盖下部磁性基板10。在形成该种子层60时，例如使用与后工序中形成的线圈图案31、32(参照图9)的形成材料相同的高导电性材料。另外，作为种子层60的形成方法，例如也可以使用CVD(Chemical VaporDeposition)等其它成膜方法来代替上述溅镀法。

接着，如图4所示，形成用来对曝光处理的进展程度进行控制的曝光控制层，来覆盖种子层60。该曝光控制层用来在将后工序中形成的光致抗蚀剂膜90(参照图6)曝光时对其曝光范围进行控制。这里，例如将光反射性较低的材料成膜而覆盖种子层60，来形成用来抑制曝光时的反射现象的反射抑制层70。在形成该反射抑制层70时，例如使用光反射性比种子层60低的材料，具体而言使用具有低反射特性的抗蚀剂材料。在使用这种抗蚀剂材料时，例如通过在种子层60的表面上涂敷抗蚀剂材料而形成抗蚀剂膜，然后根据需要对该抗蚀剂膜进行加热、冷却，来形成反射抑制层70。

接着，如图4所示，准备具有规定的图案形状的掩模80。在准备该掩模80时，根据在后工序中形成光致抗蚀剂图案110(参照图7)的区域，来决定掩模80的配置位置。具体而言，例如参照后述的图7进行说明，在种子层60上形成光致抗蚀剂图案110，所述光致抗蚀剂图案110具有用来对通过在X轴方向上相互对置配置而形成线圈图案31的开口110K1(第1开口)进行划定的内侧框部110R1(第1内侧框部)及外侧框部110L1(第1外侧框部)，并具有对用来形成线圈图案32的开口110K2(第2开口)进行划定的内侧框部110R2(第2内侧框部)及外侧框部110L2(第2外侧框部)，在种子层60上，将掩模80配置在位于靠近中心位置T一侧而要形成内侧框部110R1的内侧区域F1R(第1内侧区域)或位于距离中心位置T较远一侧而要形成外侧框部110L1的外侧区域F1L(第1外侧区域)中的某一个上，以及位于靠近中心位置T一侧而要形成内侧框部110R2的内侧区域F2R(第2内侧区域)或位于距离中心位置T较远一侧而要形成外侧框部110L2的外侧区域F2L(第2外侧区域)中的某一个上。

这里，例如在内侧区域F1R、F2R、或外侧区域F1L、F2L中，将掩模80配置在外侧区域F1L、F2L上。此时，例如如图4所示，将掩模80配置在上述外侧区域F1L、F2L上，以及要形成开口110K1的中央区域F1C和要形成开口110K2的中央区域F2C上，即在对应内侧区域F1R、F2R的部位分别设置开口80K1、80K2，准备开口80K1、80K2分别具有对应于线圈图案31、32的图案形状的开口形状的掩模80。

配置该掩模80的区域(内侧区域F1R、F2R或外侧区域F1L、F2L)是根据图3所示的线圈图案31、32的截面形状(内侧底角θR1、θR2和外侧底角θL1、θL2之间的大小关系)来选择的，即，在对应于内侧区域F1R的内侧底角θR1及对应于内侧区域F2R的内侧底角θR2、或者在对应于外侧区域F1L的外侧底角θL1及对应于外侧区域F2L的外侧底角θL2中，将掩模80配置在对应于想要把角度做得较大一侧的底角的区域上。这里，为了将线圈图案31、32的截面形状配置为外侧底角θL1、θL2比内侧底角θR1、θR2大，将掩模80配置在对应于该外侧底角θL1、θL2的外侧区域F1L、F2L上。另外，在图4及后述的图5以后中，为了将图示内容简略化，仅对种子层60上存在的多个区域(内侧区域、中央区域、外侧区域)中的一部分标注标号(F1R、F1L、F1C、F2R、F2L、F2C)。

接着，利用使用掩模80的光刻处理，形成反射抑制层70的图案，来对应于该掩模80的图案形状。具体而言，越过掩模80而有选择地使反射抑制层70曝光，接着根据需要对曝光后的反射抑制层70进行加热、冷却，然后用显影液将该反射抑制层70显影，即有选择地除去反射抑制层70中的不需要部分(通过掩模80的开口80K1、80K2被曝光的部分)。由此，如图5所示，仅在种子层60上的外侧区域F1L、F2L及中央区域F1C、F2C上残留着反射抑制层70，即在外侧区域F1L和中央区域F1C上形成反射抑制层71(第1曝光控制层)的图案，并且在外侧区域F2L和中央区域F2C上形成反射抑制层72(第2曝光控制层)的图案。作为参考，对于反射抑制层71、72的配置区域，并不一定要将反射抑制层71配置在外侧区域F1L和中央区域F1C上，并将反射抑制层72配置在外侧区域F2L和中央区域F2C上，例如也可以将反射抑制层71只配置在外侧区域F1L上而不配置在中央区域F1C上，将反射抑制层72只配置在外侧区域F2L上而不配置在中央区域F2C上。另外，在图5中，表示已经除去了使用后的掩模80后的状态。

接着，在种子层60及反射抑制层71、72的表面上涂敷光致抗蚀剂，然后根据需要对该光致抗蚀剂进行加热、冷却，如图6所示，形成光致抗蚀剂膜90，来覆盖种子层60及反射抑制层71、72。在形成该光致抗蚀剂膜90时，优选地将该光致抗蚀剂膜90的形成厚度调整为例如比线圈图案31、32的形成厚度(参照图9)大。

接着，如图6所示，准备具有规定图案形状的掩模100。在准备该掩模100时，使其在对应于中央区域F1C、F2C的部位分别具有开口100K1、100K2，这些开口100K1、100K2具有分别对应于线圈图案31、32的线圈图案形状的开口形状。

接着，利用使用掩模100的光刻处理，形成光致抗蚀剂膜90的图案，使其对应于该掩模100的图案形状。具体而言，越过掩模100而有选择地使光致抗蚀剂膜90曝光，接着根据需要对曝光后的光致抗蚀剂膜90进行加热、冷却，然后用显影液将该光致抗蚀剂膜90显影，即有选择地除去光致抗蚀剂膜90中的不需要部分(通过掩模100的开口100K1、100K2被曝光的部分)。特别地，在利用光刻处理形成光致抗蚀剂膜90的图案时，例如通过将反射抑制层71、72的图案与该光致抗蚀剂膜90的图案一起形成，将反射抑制层71、72中的不需要的部分(曝光部分)与光致抗蚀剂膜90中的不需要的部分(曝光部分)一起除去。由此，如图7所示，由于在光致抗蚀剂膜90上对应于开口100K1、100K2的部位分别形成了开口110K1、110K2，所以在种子层60上形成了光致抗蚀剂图案110，该光致抗蚀剂图案110具有配置在内侧区域F1R上的内侧框部110R1和配置在外侧区域F1L上的外侧框部110L1，并且具有配置在内侧区域F2R上的内侧框部110R2和配置在外侧区域F2L上的外侧框部110L2，通过内侧框部110R1及外侧框部110L1划定开口110K1，并通过内侧框部110R2及外侧框部110L2划定开口110K2。另外，在图7中，表示除去了使用过的掩模100后的状态。

在利用光刻处理，将光致抗蚀剂膜90曝光并形成图案、从而形成光致抗蚀剂图案110时，由于曝光用的光在将光致抗蚀剂膜90曝光后在种子层60上进行乱反射，所以受该光的乱反射影响，在光致抗蚀剂膜90的曝光范围中沿Z轴方向产生差异，结果光致抗蚀剂膜90的曝光范围从靠近种子层60一侧向较远一侧逐渐扩大。由此，在最终形成的光致抗蚀剂图案110中，开口110K1、110K2的宽度(开口宽度)随着接近种子层60而逐渐变窄。

此时，特别由于在种子层60上的内侧区域F1R、F2R上没有配置反射抑制层71、72，而在外侧区域F1L、F2L上分别配置有反射抑制层71、72，所以在内侧区域F1R、F2R和外侧区域F1L、F2L之间，会因有无反射抑制层71、72而使光致抗蚀剂膜90的曝光范围产生相对差异，具体而言，由于在内侧区域F1R、F2R中光较容易乱反射而在外侧区域F1L、F2L中光不易乱反射，所以光致抗蚀剂膜90的曝光范围在外侧区域F1L、F2L比内侧区域F1R、F2R窄。通过利用该曝光范围的相对差异，如图8所示，内侧框部110R1中的划定开口110K1的内侧划定面110R1M(第1内侧划定面)的倾斜角度ωR1与外侧框部110L1中的划定开口110K1的外侧划定面110L1M(第1外侧划定面)的倾斜角度ωL1互不相同(ωR1≠ωL1)，并且内侧框部110R2中的划定开口110K2的内侧划定面110R2M(第2内侧划定面)的倾斜角度ωR2与外侧框部110L2中的划定开口110K2的外侧划定面110L2M(第2外侧划定面)的倾斜角度ωL2互不相同(ωR2≠ωL2)，具体而言，倾斜角度ωL1比倾斜角度ωR1大(ωR1＜ωL1)，倾斜角度ωL2比倾斜角度ωR2大(ωR2＜ωL2)。

明确地说明，则倾斜角度ωR1是内侧划定面110R1M和种子层60的延伸面(XY面)之间的角度，倾斜角度ωL1是外侧划定面110L1M和种子层60的延伸面之间的角度，倾斜角度ωR2是内侧划定面110R2M和种子层60的延伸面之间的角度，倾斜角度ωL2是外侧划定面110L2M和种子层60的延伸面之间的角度。这些倾斜角度ωR1、ωL1、ωR2、ωL2是分别规定后工序中形成的线圈图案31、32的截面中的内侧底角θR1、外侧底角θL1、内侧底角θR2、外侧底角θL2(参照图3)的角度。即，在最终形成线圈图案31、32时，根据倾斜角度ωR1规定内侧底角θR1，并根据倾斜角度ωL1规定外侧底角θL1，并且根据倾斜角度ωR2规定内侧底角θR2，并根据倾斜角度ωL2规定外侧底角θL2。具体而言，例如如上述那样，在形成光致抗蚀剂图案110以使倾斜角度ωL1比倾斜角度ωR1大、且倾斜角度ωL2比倾斜角度ωR2大的情况下(ωR1＜ωL1，ωR2＜ωL2)，在最终形成的线圈图案31、32的截面上，外侧底角θL1比内侧底角θR1大，外侧底角θL2比内侧底角θR2大(θR1＜θL1，θR2＜θL2)。

另外，在形成光致抗蚀剂图案110的过程中将光致抗蚀剂膜90加热的情况下，实际上有时会因光致抗蚀剂的表面张力而使内侧划定面110R1M、110R2M及外侧划定面110L1M、110L2M弯曲，从而变成曲面状，但在图7及图8、以及后述的图9以后，为了将图示内容简略化，将内侧划定面110R1M、110R2M及外侧划定面110L1M、110L2M表示为平面状。

接着，如图9所示，在光致抗蚀剂图案110中的开口110K1中形成线圈图案31，并且同样在开口110K2中形成线圈图案32。在形成这些线圈图案31、32时，例如通过利用种子层60使镀膜成长来形成线圈图案31、32。特别地，在形成线圈图案31、32时，例如优选地使用铜(Cu)等高导电性材料并将这些线圈图案31、32的形成厚度调整得比光致抗蚀剂图案110的形成厚度小。该线圈图案31如图1及图3所示，将位于距种子层60较远一侧、规定对应于内侧区域F1R的内侧底角θR1和对应于外侧区域F1L的外侧底角θL1的端缘31E1作为相互平行的一组对边中较长的对边，并将位于距种子层60较近一侧的端缘31E2作为相互平行的一组对边中较短的对边，形成为具有该内侧底角θR1和外侧底角θL1互不相同的左右非对称的倒梯形的截面。同样，线圈图案32将位于距种子层60较远一侧、规定对应于内侧区域F2R的内侧底角θR2和对应于外侧区域F2L的外侧底角θL2的端缘32E1作为相互平行的一组对边中较长的对边，并将位于距种子层60较近一侧的端缘32E2作为相互平行的一组对边中较短的对边，形成为具有该内侧底角θR2和外侧底角θL2互不相同的左右非对称的倒梯形的截面。这里，例如在线圈图案31的截面中外侧底角θL1比内侧底角θR1大(θR1＜θL1)，并且在线圈图案32的截面中外侧底角θL2比内侧底角θR2大(θR2＜θL2)。

接着，通过使用例如丙酮等有机溶剂使反射抑制层71、72和光致抗蚀剂图案110溶解，如图10所示，将这些反射抑制层71、72和光致抗蚀剂图案110除去。由此，在原来设有反射抑制层71、72和光致抗蚀剂图案110的部位上露出种子层60。

最后，将线圈图案31、32两者作为掩模，用例如离子蚀刻等有选择地腐蚀种子层60，从而如图11所示那样，将该种子层60中的未被线圈图案31、32覆盖的部分除去而露出下部磁性基板10。在用离子蚀刻腐蚀种子层60时，例如在氩粒子(Ar⁺)环境中进行腐蚀处理。另外，在将种子层60腐蚀时，例如也可以用RIE(Reactive Ion Etching)等其他干蚀刻来代替上述离子蚀刻，还可以用湿蚀刻来代替干蚀刻。由此，在下部磁性基板10上完成薄膜线圈30，该薄膜线圈30构成为，包括以中心位置T为中心相互并列而卷绕成螺旋状的线圈图案31、32。

在本实施方式的共态扼流线圈的制造方法中，通过在外侧区域F1L、F2L上分别形成了反射抑制层71、72的状态下将光致抗蚀剂膜90曝光并腐蚀，形成光致抗蚀剂图案110，以使开口110K1、110K2的开口宽度都随着靠近种子层60而逐渐变窄，然后，通过在该光致抗蚀剂图案110中的开口110K1、110K2中分别形成线圈图案31、32来形成薄膜线圈30。此时，如上所述，利用光致抗蚀剂膜90的曝光范围因有无反射抑制层71、72而在外侧区域F1L、F 2L比内侧区域F1R、F2R窄的光学作用，在光致抗蚀剂图案110中外侧框部110L1、110L2的倾斜角度ωL1、ωL2比内侧框部110R1、110R2倾斜角度ωR1、ωR2大，所以如果在该光致抗蚀剂图案110中的开口110K1、110K2中分别形成线圈图案31、32，则在这些线圈图案31、32的截面中反映了倾斜角度ωR1、ωL1、ωR2、ωL2间的大小关系，外侧底角θL1、θL2比内侧底角θR1、θR2大，即形成线圈图案31、32，使两者都具有左右非对称的倒梯形。并且，在这种情况下，形成线圈图案31、32以使其具有左右非对称的倒梯形，并且仅利用成膜技术、图案形成技术及腐蚀技术等现有的薄膜工艺方法，并不利用新的且复杂的制造工艺方法，因此能够仅利用现有的薄膜工艺方法容易地形成薄膜线圈30。因而，在本实施方式中，由于能够容易地形成薄膜30，以使线圈图案31、32的截面为左右非对称的倒梯形，所以能够尽可能容易地制造具备薄膜线圈30的共态扼流线圈。

此外，除了上述之外，在本实施方式的薄膜线圈的制造方法中，形成线圈图案31、32以使其具有左右非对称的倒梯形，并且仅利用现有的薄膜工艺方法，并不利用新的且复杂的制造工艺方法。因而，在本实施方式中，能够利用现有的薄膜工艺方法尽可能容易地制造出薄膜线圈30。

此外，在本实施方式中，在形成光致抗蚀剂图案110时，如果通过改变曝光用光的强度来调整对光致抗蚀剂膜90的曝光量，并且通过改变反射抑制层71、72的厚度来调整反射抑制量，则倾斜角度ωR1、ωL1、ωR2、ωL2会根据曝光量及反射抑制量而变化，因此，最终根据倾斜角度ωR1、ωL1、ωR2、ωL2来设定线圈图案31、32的截面中的内侧底角θR1、θR2及外侧底角θL1、θL2。因而，通过在形成光致抗蚀剂图案110时调整曝光量及反射抑制量而能够控制内侧底角θR1、θR2及外侧底角θL1、θL2，所以能够自由地控制线圈图案31、32的截面形状。

另外，在本实施方式中，如图6及图8所示，在通过将光致抗蚀剂膜90曝光并腐蚀来形成光致抗蚀剂图案110时，将反射抑制层71配置在外侧区域F1L及中央区域F1C上，并将反射抑制层72配置在外侧区域F2L及中央区域F2C上，由此，如图3所示，在线圈图案31的截面中外侧底角θL1比内侧底角θR1大，并且在线圈图案32的截面中外侧底角θL2比内侧底角θR2大(θR1＜θL1，θR2＜θL2)，但并不一定限于此。具体而言，也可以例如如图12所示，将反射抑制层71配置在内侧区域F1R及中央区域F1C上来代替外侧区域F1L及中央区域F1C，并将反射抑制层71配置在内侧区域F2R及中央区域F2C上来代替外侧区域F2L及中央区域F2C，从而如图13所示那样，与图6及图8所示的情况同样地利用因有无反射抑制层71、72而带来的曝光范围的相对差异，来形成光致抗蚀剂图案110，使倾斜角度ωR1、ωR2分别比倾斜角度ωL1、ωL2大(ωR1＞ωL1，ωR2＞ωL2)。在这种情况下，通过利用图13所示的光致抗蚀剂图案110形成线圈图案31、32，则如图14所示那样，在线圈图案31的截面中内侧底角θR1比外侧底角θL1大，并且在线圈图案32的截面中内侧底角θR2比外侧底角θL2大(θR1＞θL1，θR2＞θL2)。在这种情况下，也能够得到与上述实施方式同样的效果。特别地，内侧底角θR1、θR2及外侧底角θL1、θL2的值、以及它们的大小关系，例如可以根据共态扼流线圈的设计规格及目标性能等自由地设定。

【第2实施方式】

接着说明本发明的第2实施方式。

图15及图16表示作为本发明的第2实施方式的“线圈构造体”的共态扼流线圈的结构，图15示意地表示共态扼流线圈的截面结构，图16将薄膜线圈130(线圈图案131、132)的截面结构部分地放大表示。在这些图15及图16中，对与上述第1实施方式中说明的结构要素相同的要素赋予相同的标号。另外，本发明的“薄膜线圈”由于是用来构成共态扼流线圈的，所以对于该薄膜线圈在下面一起说明。

本实施方式的共态扼流线圈如图15所示，代替包括线圈图案31、32而构成的薄膜线圈30，具有包括分别对应于这些线圈图案31、32的线圈图案131、132而构成的薄膜线圈130，除了以上这一点以外，具有与上述第1实施方式中说明的共态扼流线圈同样的结构(参照图1)。即，该共态扼流线圈具有如下结构：在下部磁性基板10和上部磁性基板20之间，通过绝缘层40、磁性层50及种子层60而埋设着薄膜线圈130。

构成薄膜线圈130的线圈图案131、132，例如代替具有相同的截面形状并都具有左右非对称的倒梯形，具有互不相同的截面形状并都具有左右对称的倒梯形，除此以外，具有与上述第1实施方式中说明的线圈图案31、32同样的结构(参照图2及图3)。

如果更详细地说明，则如图15及图16所示，线圈图案131的截面及线圈图案132的截面两者都具有倒梯形。即，线圈图案131的截面具有如下的梯形(倒梯形)：将位于距种子层60较远一侧而规定两个底角(内侧底角θR1、外侧底角θL1)的一个端缘131E1作为相互平行的一组对边中较长的对边，并将位于靠近种子层60一侧的另一个端缘131E2作为一组对边中较短的对边。同样，线圈图案132的截面具有如下的梯形(倒梯形)：将位于距种子层60较远一侧而规定两个底角(内侧底角θR2、外侧底角θL2)的一个端缘132E1作为相互平行的一组对边中较长的对边，并将位于靠近种子层60一侧的另一个端缘132E2作为一组对边中较短的对边。

特别地，在任意的卷绕位置上，线圈图案131的截面形状和线圈图案132的截面形状例如如图16所示那样互不相同，更具体地讲，线圈图案131、132的两个截面具有左右对称的倒梯形。即，在线圈图案131的截面中，例如两个底角(内侧底角θR1、外侧底角θL1)中位于靠近中心位置T一侧的内侧底角θR1(第1内侧底角)与距离中心位置T较远一侧的外侧底角θL1(第1外侧底角)相互一致(θR1＝θL1)。同样，在线圈图案132的截面中，例如两个底角(内侧底角θR2、外侧底角θL2)中位于靠近中心位置T一侧的内侧底角θR2(第2内侧底角)与距离中心位置T较远一侧的外侧底角θL2(第2外侧底角)相互一致(θR2＝θL2)。这些内侧底角θR1和外侧底角θL1、以及内侧底角θR2和外侧底角θL2互不相同(θR1、θL1≠θR2、θL2)，这里内侧底角θR1和外侧底角θL1比内侧底角θR2和外侧底角θL2大(θR1、θL1＞θR2、θL2)。

另外，如果列举图16所示情况的具体的尺寸例，则端缘131E1的长度L131E1＝约20μm，端缘131E2的长度131E2＝约18μm，端缘132E1的长度L32E1＝约20μm，端缘132E2的长度L132E2＝约8μm，内侧底角θR1、外侧底角θL1＝约85°，内侧底角θR2、外侧底角θL2＝约60°，绕组间隔G＝约5μm。

在本实施方式的共态扼流线圈中，由于构成薄膜线圈130的两个线圈图案131、132的截面都具有左右对称的倒梯形，所以通过与上述第1实施方式同样的作用，尽可能减小与电容量有关的对置面积，并尽可能地减小电阻(直流阻抗)。因而，通过尽可能地降低电容量，能够提高差分传送特性。

此外，除了上述以外，在本实施方式的薄膜线圈130中，由于线圈图案131、132的截面都具有左右对称的倒梯形，所以如上述那样，根据线圈图案131、132的截面形状而尽可能地降低电容量。因而，如果使用该薄膜线圈130构成共态扼流线圈，则能够期望差分传送特性的提高。

另外，本实施方式的共态扼流线圈的上述以外的结构、动作、作用及效果，与上述第1实施方式相同。

接着，参照图17～图24，将图15及图16所示的共态扼流线圈的制造方法作为本实施方式的“线圈构造体的制造方法”进行说明。图17～图24用来说明共态扼流线圈的制造工序，都表示对应于图15的截面结构。特别地，图21将图20所示的截面结构部分地放大表示。以下涉及共态扼流线圈的制造方法中的薄膜线圈130(线圈图案131、132)的制造方法。另外，由于本发明的“薄膜线圈的制造方法”是用来在本实施方式的共态扼流线圈的制造工序中形成薄膜线圈130(线圈图案131、132)的，所以对于该薄膜线圈的制造方法在下面一起说明。

在形成薄膜线圈130(线圈图案131、132)时，如图17所示，在经过与上述第1实施方式中参照图4说明的步骤相同的步骤而在下部磁性基板10上依次形成并层叠种子层60及曝光控制层(反射抑制层170)后，准备具有规定图案形状的掩模81。在准备该掩模81时，根据后工序中要形成光致抗蚀剂图案111(参照图20)的区域来决定掩模81的配置位置。具体而言，例如参照后述的图20进行说明，在种子层60上形成光致抗蚀剂图案111，所述光致抗蚀剂图案111具有对用来通过在X轴方向上相互对置配置而形成线圈图案131的开111K1(第1开口)进行划定的内侧框部111R1(第1内侧框部)及外侧框部111L1(第1外侧框部)，同样，具有对用来通过在X轴方向上相互对置配置而形成线圈图案132的开口111K2(第2开口)进行划定的内侧框部111R2(第2内侧框部)及外侧框部111L2(第2外侧框部)，在种子层60上，在位于靠近中心位置T一侧而要形成内侧框部111R1的内侧区域F1R(第1内侧区域)、及位于距离中心位置T较远一侧而要形成外侧框部111L1的外侧区域F1L(第1外侧区域)的两个区域上，或位于靠近中心位置T一侧而要形成内侧框部111R2的内侧区域F2R(第2内侧区域)或位于距离中心位置T较远一侧而要形成外侧框部111L2的外侧区域F2L(第2外侧区域)两个区域上，将掩模81配置在上述某一个区域上。

这里，例如在内侧区域F1R和外侧区域F1L、或内侧区域F2R和外侧区域F2L中，将掩模81配置在内侧区域F1R和外侧区域F1L上。此时，例如如图17所示，将掩模81配置在上述内侧区域F1R和外侧区域F1上，以及要形成开口111K1的中央区域F1C上，即在对应于内侧区域F2R、外侧区域F2L、以及要形成开口111K2的中央区域F2C的合成区域的部位设置开口81K，准备开口81K具有对应于线圈图案132的图案形状的开口形状的掩模81。

配置该掩模81的区域(内侧区域F1R和外侧区域F1L、或内侧区域F2R和外侧区域F2L)是根据图16所示的线圈图案131、132的截面形状(内侧底角θR1和外侧底角θL1、以及内侧底角θR2和外侧底角θL2之间的大小关系)来选择的，即，在对应于内侧区域F1R的内侧底角θR1和对应于外侧区域F1L的外侧底角θL1、或者对应于内侧区域F2R的内侧底角θR2、及对应于外侧区域F2L的外侧底角θL2中，将掩模81配置在对应于想要把角度做得较大一侧的底角的区域上。这里，为了将线圈图案131、132的截面形状配置为内侧底角θR1和外侧底角θL1比内侧底角θR2和外侧底角θL2大，将掩模81配置在对应于该内侧底角θR1和外侧底角θL1的内侧区域F1R和外侧区域F1L上。另外，在图17及后述的图18以后中，为了将图示内容简略化，仅对种子层60上存在的多个区域(内侧区域、中央区域、外侧区域)中的一部分标注标号(F1R、F1L、F1C、F2R、F2L、F2C)。

接着，利用使用掩模81的光刻处理，形成反射抑制层170的图案，来对应于该掩模81的图案形状。具体而言，越过掩模81而有选择地使反射抑制层170曝光，接着根据需要对曝光后的反射抑制层170进行加热、冷却，然后用显影液将该反射抑制层170显影，即有选择地除去反射抑制层170中的不需要部分(通过掩模81的开口81K被曝光的部分)。由此，如图18所示，仅在种子层60上的内侧区域F1R、外侧区域F1L及中央区域F1C上残留着反射抑制层170而形成图案。作为参考，对于反射抑制层170的配置区域，并不一定要将反射抑制层170配置在内侧区域F1R、外侧区域F1L及中央区域F1C上，例如也可以仅将反射抑制层170配置在内侧区域F1R和外侧区域F1L上而不配置在中央区域F1C上。另外，在图18中，表示已经除去了使用过的掩模81后的状态。

接着，在种子层60及反射抑制层170的表面上涂敷光致抗蚀剂，然后根据需要对该光致抗蚀剂进行加热、冷却，如图19所示，形成光致抗蚀剂膜91，来覆盖种子层60及反射抑制层170。在形成该光致抗蚀剂膜91时，优选地将该光致抗蚀剂膜91的形成厚度调整为例如比线圈图案131、132的形成厚度(参照图22)大。

接着，如图19所示，准备具有规定图案形状的掩模101。在准备该掩模101时，使其在对应于中央区域F1C、F2C的部位分别具有开口101K1、101K2，这些开口101K1、101K2具有分别对应于线圈图案131、132的线圈图案形状的开口形状。

接着，利用使用掩模101的光刻处理，形成光致抗蚀剂膜91的图案，使其对应于该掩模101的图案形状。具体而言，越过掩模101而有选择地使光致抗蚀剂膜91曝光，接着根据需要对曝光后的光致抗蚀剂膜91进行加热、冷却，然后用显影液将该光致抗蚀剂膜91显影，即有选择地除去光致抗蚀剂膜91中的不需要部分(通过掩模101的开口101K1、101K2被曝光的部分)。特别地，在利用光刻处理形成光致抗蚀剂膜91的图案时，例如通过将反射抑制层170的图案与该光致抗蚀剂膜91的图案一起形成，将反射抑制层170中的不需要的部分(曝光部分)与光致抗蚀剂膜91中的不需要的部分(曝光部分)一起除去。由此，如图20所示，由于在光致抗蚀剂膜91上对应于开口101K1、101K2的部位分别形成了开口111K1、111K2，所以在种子层60上形成了光致抗蚀剂图案111，该光致抗蚀剂图案111具有配置在内侧区域F1R上的内侧框部111R1和配置在外侧区域F1L上的外侧框部111L1，并且具有配置在内侧区域F2R上的内侧框部111R2和配置在外侧区域F 2L上的外侧框部111L2，通过内侧框部111R1及外侧框部111L1划定开口111K1，并通过内侧框部111R2及外侧框部111L2划定开口111K2。另外，在图20中，表示除去了使用过的掩模101后的状态。

在利用光刻处理，将光致抗蚀剂膜91曝光并形成图案、从而形成光致抗蚀剂图案111时，由于曝光用光在将光致抗蚀剂膜91曝光后在种子层60上进行乱反射，所以受该光的乱反射影响，在光致抗蚀剂膜91的曝光范围中沿Z轴方向产生差异，结果光致抗蚀剂膜91的曝光范围从靠近种子层60一侧向较远一侧逐渐扩大。由此，在最终形成的光致抗蚀剂图案111中，开111K1、111K2的宽度(开口宽度)随着接近种子层60而逐渐变窄。

此时，特别由于在种子层60上的内侧区域F1R和外侧区域F1L上配置有反射抑制层170，而在内侧区域F2R和外侧区域F2L上没有配置反射抑制层170，所以在内侧区域F1R和外侧区域F1L、以及内侧区域F2R和外侧区域F2L之间，会因有无反射抑制层170而使光致抗蚀剂膜91的曝光范围产生相对差异，具体而言，由于在内侧区域F1R和外侧区域F1L中光不易乱反射而在内侧区域F2R和外侧区域F2L中光容易乱反射，所以光致抗蚀剂膜91的曝光范围在内侧区域F1R和外侧区域F1L比内侧区域F2R和外侧区域F2L窄。通过利用该曝光范围的相对差异，如图21所示，内侧框部111R1中的划定开111K1的内侧划定面111R1M(第1内侧划定面)的倾斜角度ωR1和外侧框部111L1中的划定开口111K1的外侧划定面111L1M(第1外侧划定面)的倾斜角度ωL1、与内侧框部111R2中的划定开口111K2的内侧划定面111R2M(第2内侧划定面)的倾斜角度ωR2和外侧框部111L2中的划定开口111K2的外侧划定面111L2M(第2外侧划定面)的倾斜角度ωL2互不相同，具体而言，倾斜角度ωR1、ωL1比倾斜角度ωR2、ωL2大(ωR1、ωL1＞ωR2、ωL2)。另外，根据在上述第1实施方式中所说明的理由，在图20和图21、以及后述的图22之后，平面状地表示内侧划定面111R1M、111R2M以及外侧划定面111L1M、111L2M。

接着，如图22所示，在光致抗蚀剂图案111中的开口111K1中形成线圈图案131，并且同样在开口111K2中形成线圈图案132。在形成这些线圈图案131、132时，例如通过利用种子层60使镀膜成长来形成线圈图案131、132。特别地，在形成线圈图案131、132时，例如优选地将这些线圈图案131、132的形成厚度调整得比光致抗蚀剂图案111的形成厚度小。该线圈图案131如图15及图16所示，将位于距种子层60较远一侧、规定对应于内侧区域F1R的内侧底角θR1和对应于外侧区域F1L的外侧底角θL1的端缘131E1作为相互平行的一组对边中较长的对边，并将位于距种子层60较近一侧的端缘131E2作为一组对边中较短的对边，形成为具有该内侧底角θR1和外侧底角θL1相等的左右对称的倒梯形的截面。同样，线圈图案132将位于距种子层60较远一侧、规定对应于内侧区域F2R的内侧底角θR2和对应于外侧区域F2L的外侧底角θL2的端缘132E1作为相互平行的一组对边中较长的对边，并将位于距种子层60较近一侧的端缘132E2作为一组对边中较短的对边，形成为具有该内侧底角θR2和外侧底角θL2相等、且与内侧底角θR1和外侧底角θL1不同的左右对称的倒梯形的截面。这里，例如在线圈图案131、132的截面中，内侧底角θR1和外侧底角θL1比内侧底角θR2和外侧底角θL2大(θR1、θL1＞θR2、θL2)。

接着，通过使用例如丙酮等有机溶剂使反射抑制层170和光致抗蚀剂图案111溶解，如图23所示，将这些反射抑制层170和光致抗蚀剂图案111除去。由此，在原来设有反射抑制层170和光致抗蚀剂图案111的部位上露出种子层60。

最后，将线圈图案131、132两者作为掩模，用例如离子蚀刻等有选择地腐蚀种子层60，从而如图24所示那样，将该种子层60中的未被线圈图案131、132覆盖的部分除去而露出下部磁性基板10。由此，在下部磁性基板10上完成薄膜线圈130，该薄膜线圈130构成为，包括以中心位置T为中心相互并列而卷绕成螺旋状的线圈图案131、132。

在本实施方式的共态扼流线圈的制造方法中，通过在内侧区域F1R和外侧区域F1L上形成了反射抑制层170的状态下将光致抗蚀剂膜91曝光并腐蚀，形成光致抗蚀剂图案111，以使开口111K1、111K2的开口宽度都随着靠近种子层60而逐渐变窄，然后，通过在该光致抗蚀剂图案111中的开口111K1、111K2中分别形成线圈图案131、132来形成薄膜线圈130。此时，如上所述，利用光致抗蚀剂膜91的曝光范围因有无反射抑制层170而在内侧区域F1R和外侧区域F1L比内侧区域F2R和外侧区域F2L窄的光学作用，在光致抗蚀剂图案111中，内侧框部111R1和外侧框部111L1的倾斜角度ωR1、ωL1比内侧框部111R2和外侧框部111L2的倾斜角度ωR2、ωL2大，所以如果在该光致抗蚀剂图案111中的开口111K1、111K2中分别形成线圈图案131、132，则在这些线圈图案131、132的截面中反映了倾斜角度ωR1、ωL1、ωR2、ωL2间的大小关系，内侧底角θR1和外侧底角θL1比内侧底角θR1和外侧底角θL2大，即形成线圈图案131、132，使两者都具有左右对称的倒梯形。并且，在这种情况下，形成线圈图案131、132以使其具有左右对称的倒梯形，并且仅利用成膜技术、图案形成技术及腐蚀技术等现有的薄膜工艺方法，并不利用新的且复杂的制造工艺方法，因此能够仅利用现有的薄膜工艺方法容易地形成薄膜线圈130。因而，在本实施方式中，由于能够容易地形成薄膜130，以使线圈图案131、132的截面为左右对称的倒梯形，所以能够尽可能容易地制造具备薄膜线圈130的共态扼流线圈。

此外，除了上述之外，在本实施方式的薄膜线圈的制造方法中，形成线圈图案131、132的截面具有左右对称的倒梯形的薄膜线圈，并且仅利用现有的薄膜工艺方法，并不利用新的且复杂的制造工艺方法。因而，在本实施方式中，能够利用现有的薄膜工艺方法尽可能容易地制造出薄膜线圈130。

另外，在本实施方式中，如图19及图21所示，在通过将光致抗蚀剂膜91曝光并腐蚀来形成光致抗蚀剂图案111时，将反射抑制层170配置在内侧区域F1R、外侧区域F1L及中央区域F1C上，由此，如图16所示，在线圈图案131、132的截面中，内侧底角θR1和外侧底角θL1比内侧底角θR2和外侧底角θL2大(θR1、θL1＞θR2、θL2)，但并不一定限于此。具体而言，也可以例如如图25所示，将反射抑制层170配置在内侧区域F2R、外侧区域F2L及中央区域F1C上来代替内侧区域F1R、外侧区域F1L及中央区域F1C，从而如图26所示那样，与图19及图21所示的情况同样地利用因有无反射抑制层170而带来的曝光范围的相对差异，来形成光致抗蚀剂图案111，使倾斜角度ωR2、ωL2分别比倾斜角度ωR1、ωL1大(ωR1、ωL1＜ωR2、ωL2)。在这种情况下，通过利用图26所示的光致抗蚀剂图案111形成线圈图案131、132，则如图27所示那样，在线圈图案131、132的截面中，内侧底角θR2和外侧底角θL2比内侧底角θR1和外侧底角θL1大(θR1、θL1＜θR2、θL2)。在这种情况下，也能够得到与上述实施方式同样的效果。特别地，如上所述，内侧底角θR1、θR2及外侧底角θL1、θL2的值、以及它们的大小关系，例如可以根据共态扼流线圈的设计规格及目标性能等自由地设定。

另外，有关本实施方式的共态扼流线圈的制造方法的上述以外的步骤、作用及效果，与上述第1实施方式相同。

【第3实施方式】

接着说明本发明的第3实施方式。

图28及图29表示作为本发明的第3实施方式的“线圈构造体的制造方法”的共态扼流线圈的制造工序，分别对应着上述第1实施方式中所示的图6及图8。在这些图28及图29中，对与上述第1实施方式中说明的结构要素相同的要素赋予相同的标号。另外，本发明的“薄膜线圈的制造方法”由于是用来在本实施方式的共态扼流线圈的制造工序中形成薄膜线圈30(线圈图案31、32)的，所以对于该薄膜线圈的制造方法在下面一起说明。

在本实施方式的共态扼流线圈的制造方法中，为了形成图1～图3所示的线圈图案31、32具有左右非对称的倒梯形的截面的薄膜线圈30，与利用用来抑制曝光时的反射现象的反射抑制层71、72的上述第1实施方式不同，利用用来促进曝光时的反射现象的反射促进层271、272代替反射抑制层71、72，来作为该曝光控制层，除此以外，通过与上述第1实施方式大致同样的形成工序来形成薄膜线圈30(线圈图案31、32)(参照图4～图11)。

在本实施方式的共态扼流线圈的制造方法中形成薄膜线圈30(线圈图案31、32)时，通过与上述第1实施方式中参照图4说明的步骤同样的步骤而在下部磁性基板10上形成种子层60后，首先，如图28所示，在该种子层60上形成用来控制曝光处理的进展程度的曝光控制层。这里，例如通过在种子层60上将光反射特性较高的材料成膜，如上述那样形成用来促进曝光时的反射现象的反射促进层271、272的图案来作为曝光控制层。在形成该反射促进层271、272时，例如使用光反射特性比种子层60高的材料，具体而言，在种子层60由铜(Cu)等有色金属材料构成的情况下，使用具有低光吸收特性的金属材料(例如具有高白色光泽性的银(Ag)或白金(Pt)等)。特别地，在形成反射促进层271、272时，例如使用溅镀等成膜方法，分别将反射促进层271、272配置在内侧区域F1R、F2R或外侧区域F1L、F2L中的某一方上。这里，例如将反射促进层271(第1曝光控制层)配置在内侧区域F1R上，将反射促进层272(第2曝光控制层)配置在内侧区域F2R上。配置该反射促进层271、272的区域(内侧区域F1R、F2R或外侧区域F1L、F2L)，是根据图3所示的线圈图案31、32的截面形状(内侧底角θR1、θR2及外侧底角θL1、θL2之间的大小关系)来选择的，即，在对应于内侧区域F1R、F2R的内侧底角θR1、θR2，或者对应于外侧区域F1L、F2L的外侧底角θL1、θL2中，将反射促进层271、272配置在对应于想要将角度做得较小的区域上。这里，为了将线圈图案31、32的截面设定为内侧底角θR1、θR2比外侧底角θL1、θL2小，将反射促进层271、272配置在对应于该内侧底角θR1、θR2的内侧区域F1R、F2R上。

接着，在种子层60及反射促进层271、272的表面上涂敷光致抗蚀剂，然后根据需要对该光致抗蚀剂进行加热、冷却，从而如图28所示那样形成光致抗蚀剂膜90，使其覆盖种子层60及反射促进层271、272。

接着，如图28所示，准备掩模100，该掩模100在对应于中央区域F1C、F2C的部位分别具有开口100K1、100K2，这些开口100K1、100K2具有分别对应于线圈图案31、32的线圈图案形状的开口形状，然后，利用使用掩模100的光刻处理，形成光致抗蚀剂膜90的图案，使其对应于该掩模100的图案形状。具体而言，越过掩模100而有选择地使光致抗蚀剂膜90曝光，接着根据需要对曝光后的光致抗蚀剂膜90进行加热、冷却，然后用显影液将该光致抗蚀剂膜90显影，即有选择地除去光致抗蚀剂膜90中的不需要部分(通过掩模100的开口100K1、100K2被曝光的部分)。特别地，在利用光刻处理形成光致抗蚀剂膜90的图案时，例如根据需要将反射促进层271、272离子局部蚀刻，将该反射促进层271、272中的不需要的部分一起除去。由此，如图29所示，在种子层60上形成光致抗蚀剂图案110，该光致抗蚀剂图案110具有与上述第1实施方式中参照图8说明的情况同样的构造特征(ωR1、ωR2＜ωL1、ωL2)。

在利用光刻处理，形成光致抗蚀剂膜90的图案、从而形成光致抗蚀剂图案110时，如上述第1实施方式中所说明的那样，由于种子层60上的光的乱反射现象而使光致抗蚀剂膜90的曝光范围沿Z轴方向产生差异，结果光致抗蚀剂膜90的曝光范围从靠近种子层60一侧向较远一侧逐渐扩大，所以开110K1、110K2的宽度(开口宽度)随着接近种子层60而逐渐变窄。此时，特别由于在种子层60上的内侧区域F1R、F2R上分别配置有反射促进层271、272，所以在内侧区域F1R、F2R和外侧区域F1L、F2L之间，会因有无反射促进层271、272而使光致抗蚀剂膜90的曝光范围产生相对差异，具体而言，由于在内侧区域F1R、F2R中比外侧区域F1L、F2L中光容易乱反射，所以光致抗蚀剂膜90的曝光范围在内侧区域F1R、F2R比外侧区域F1L、F2L宽。由此，如图29所示，内侧框部110R1中的划定开口110K1的内侧划定面110R1M的倾斜角度ωR1与外侧框部110L1中的划定开口110K1的外侧划定面110L1M的倾斜角度ωL1互不相同(ωR1≠ωL1)，并且内侧框部110R2中的划定开口110K2的内侧划定面110R2M的倾斜角度ωR2与外侧框部110L2中的划定开口110K2的外侧划定面110L2M的倾斜角度ωL2互不相同(ωR2≠ωL2)，具体而言，倾斜角度ωR1比倾斜角度ωL1小(ωR1＜ωL1)，倾斜角度ωR2比倾斜角度ωL2小(ωR2＜ωL2)。即例如如上所述，在将光致抗蚀剂图案110形成为，使倾斜角度ωR1比倾斜角度ωL1小、使倾斜角度ωR2比倾斜角度ωL2小的情况下，如图3所示，在最终形成的线圈图案31、32的截面中，内侧底角θR1比外侧底角θL1小(θR1＜θL1)，内侧底角θR2比外侧底角θL2小(θR2＜θL2)。

另外，在形成光致抗蚀剂图案110后，因为通过使用该光致抗蚀剂图案110形成线圈图案31、32来最终形成薄膜线圈30的步骤，与上述第1实施方式中参照图9～图11所说明的步骤相同，所以省略其说明。在这种情况下，也能够形成图1～图3所示的线圈图案31、32的截面具有左右非对称的倒梯形的薄膜线圈30。

在本实施方式的共态扼流线圈的制造方法中，通过在内侧区域F1R、F2R上分别形成了反射促进层271、272的状态下将光致抗蚀剂膜90曝光并腐蚀，形成光致抗蚀剂图案110，开口110K1、110K2的开口宽度都随着靠近种子层60而逐渐变窄，然后，使用该光致抗蚀剂图案110而形成线圈图案31、32。此时，如上所述，利用光致抗蚀剂膜90的曝光范围因有无反射促进层271、272而在内侧区域F1R、F2R比外侧区域F1L、F2L宽的光学作用，在光致抗蚀剂图案110中内侧框部110R1、110R2的倾斜角度ωR1、ωR2比外侧框部110L1、110L2的倾斜角度ωL1、ωL2小，所以如果用该光致抗蚀剂图案110形成线圈图案31、32，则在这些线圈图案31、32的截面中反映了倾斜角度ωR1、ωL1、ωR2、ωL2间的大小关系，内侧底角θR1、θR2比外侧底角θL1、θL2小，即形成线圈图案31、32，两者都具有左右非对称的倒梯形的截面。并且，在这种情况下，形成线圈图案31、32以使其具有左右非对称的倒梯形的截面，并且仅利用现有的薄膜工艺方法，并不利用新的且复杂的制造工艺方法。因而，在本实施方式中，能够仅利用现有的薄膜工艺方法尽可能容易地制造具备薄膜线圈30的共态扼流线圈。

另外，在本实施方式中，如图28及图29所示，在通过将光致抗蚀剂膜90曝光并腐蚀来形成光致抗蚀剂图案110时，将反射促进层271、272分别配置在内侧区域F1R、F2R上，由此，如图3所示，在线圈图案31、32的截面中，内侧底角θR1、θR2比外侧底角θL1、θL2小(θR1、θR2＜θL1、θL2)，但并不一定限于此。具体而言，也可以例如如图30所示，将反射促进层271、272分别配置在外侧区域F1L、F2L上，而不是内侧区域F1R、F2R上，从而如图31所示那样，与图28及图29所示的情况同样地利用因有无反射促进层271、272而带来的曝光范围的相对差异，来形成光致抗蚀剂图案110，使倾斜角度ωL1、ωL2比倾斜角度ωR1、ωR2小(ωR1、ωR2＞ωL1、ωL2)。在这种情况下，通过利用图31所示的光致抗蚀剂图案110形成线圈图案31、32，则如图14作为上述第1实施方式的变形例所示，在线圈图案31、32的截面中外侧底角θL1、θL2比内侧底角θR1、θR2小(θR1、θR2＞θL1、θL2)。在这种情况下，也能够得到与上述实施方式同样的效果。

另外，有关本实施方式的共态扼流线圈的制造方法及薄膜线圈的制造方法的上述以外的步骤、作用及效果，与上述第1实施方式相同。

【第4实施方式】

接着说明本发明的第4实施方式。

图32及图33表示作为本发明的第4实施方式的“线圈构造体的制造方法”的共态扼流线圈的制造工序，分别对应着上述第2实施方式中所示的图19及图21。在这些图32及图33中，对与上述第2实施方式中说明的结构要素相同的要素赋予相同的标号。另外，本发明的“薄膜线圈的制造方法”由于是用来在本实施方式的共态扼流线圈的制造工序中形成薄膜线圈130(线圈图案131、132)的，所以对于该薄膜线圈的制造方法在下面一起说明。

在本实施方式的共态扼流线圈的制造方法中，为了形成图15及图16所示的线圈图案131、132具有左右对称的倒梯形的截面的薄膜线圈130，与利用用来抑制曝光时的反射现象的反射抑制层170的上述第2实施方式不同，利用用来促进曝光时的反射现象的反射促进层370代替反射抑制层170，来作为该曝光控制层，除此以外，通过与上述第2实施方式大致同样的形成工序来形成薄膜线圈130(线圈图案131、132)(参照图17～图24)。

在本实施方式的共态扼流线圈的制造方法中形成薄膜线圈130(线圈图案131、132)时，通过与上述第1实施方式中参照图4说明的步骤同样的步骤而在下部磁性基板10上形成种子层60后，首先，如图32所示，在该种子层60上形成用来控制曝光处理的进展程度的曝光控制层。这里，例如通过在种子层60上将光反射特性较高的材料成膜，如上述那样形成用来促进曝光时的反射现象的反射促进层370的图案来作为曝光控制层。该反射促进层370的形成材料及形成步骤与上述第3实施方式中说明的反射促进层271、272的形成材料及形成步骤相同。特别地，在形成反射促进层370时，例如使用溅镀等成膜方法，将反射促进层370配置在内侧区域F1R和外侧区域F1L、或内侧区域F2R和外侧区域F2L中的某一方上。这里，例如将反射促进层370配置在内侧区域F2R和外侧区域F2L。配置该反射促进层370的区域(内侧区域F1R和外侧区域F1L、或内侧区域F2R和外侧区域F2L)，是根据图16所示的线圈图案131、132的截面形状(内侧底角θR1和外侧底角θL1、以及内侧底角θR2和外侧底角θL2之间的大小关系)来选择的，即，在对应于内侧区域F1R的内侧底角θR1和对应于外侧区域F1L的外侧底角θL1、以及对应于内侧区域F2R的内侧底角θR2和对应于外侧区域F2L的外侧底角θL2中，将反射促进层370配置在对应于想要将角度做得较小的区域上。这里，例如为了将线圈图案131、132的截面设定为内侧底角θR2和外侧底角θL2比内侧底角θR1和外侧底角θL1小，将反射促进层370配置在对应于该内侧底角θR2和外侧底角θL2的内侧区域F2R和外侧区域F2C上。

接着，在种子层60及反射促进层370的表面上涂敷光致抗蚀剂，然后根据需要对该光致抗蚀剂进行加热、冷却，从而如图32所示那样形成光致抗蚀剂膜91，使其覆盖种子层60及反射促进层370。

接着，如图32所示，准备掩模101，该掩模101在对应于中央区域F1C、F2C的部位分别具有开口101K1、101K2，这些开口101K1、101K2具有分别对应于线圈图案131、132的线圈图案形状的开口形状，然后，利用使用掩模101的光刻处理，形成光致抗蚀剂膜91的图案，使其对应于该掩模101的图案形状。具体而言，越过掩模101而有选择地使光致抗蚀剂膜91曝光，接着根据需要对曝光后的光致抗蚀剂膜91进行加热、冷却，然后用显影液将该光致抗蚀剂膜91显影，即有选择地除去光致抗蚀剂膜91中的不需要部分(通过掩模101的开口101K1、101K2被曝光的部分)。特别地，在利用光刻处理形成光致抗蚀剂膜91的图案时，例如根据需要将反射促进层370局部干蚀刻，将该反射促进层370中的不需要的部分一起除去。由此，如图33所示，在种子层60上形成光致抗蚀剂图案111，该光致抗蚀剂图案111具有与上述第2实施方式中参照图21说明的情况同样的构造特征(ωR1、ωL1＞ωR2、ωL2)。

在利用光刻处理，形成光致抗蚀剂膜91的图案、从而形成光致抗蚀剂图案111时，如上述第2实施方式中所说明的那样，由于种子层60上的光的乱反射现象而使光致抗蚀剂膜91的曝光范围沿Z轴方向产生差异，所以开口111K1、111K2的宽度(开口宽度)均随着接近种子层60而逐渐变窄。此时，特别由于在种子层60上的内侧区域F1R和外侧区域F1L上没有配置反射促进层370，而在内侧区域F2R和外侧区域F2L上配置有反射促进层370，所以在内侧区域F1R和外侧区域F1L、以及内侧区域F2R和外侧区域F2L之间，会因有无反射促进层370而使光致抗蚀剂膜91的曝光范围产生相对差异，具体而言，由于在内侧区域F2R和外侧区域F2L中比内侧区域F1R和外侧区域F1L中光容易乱反射，所以光致抗蚀剂膜91的曝光范围在内侧区域F2R和外侧区域F2L比内侧区域F1R和外侧区域F1L宽。由此，内侧框部111R1中的划定开口111K1的内侧划定面111R1M的倾斜角度ωR1与外侧框部111L1中的划定开口111K1的外侧划定面111L1M的倾斜角度ωL1相互一致(ωR1＝ωL1)，并且内侧框部111R2中的划定开口111K2的内侧划定面111R2M的倾斜角度ωR2与外侧框部111L2中的划定开口111K2的外侧划定面111L2M的倾斜角度ωL2相互一致(ωR2＝ωL2)。即，例如如上所述，在将光致抗蚀剂图案111形成为，使倾斜角度ωR2、ωL2比倾斜角度ωR1、ωL1小的情况下(ωR1、ωL1＞ωR2、ωL2)，如图16所示，在最终形成的线圈图案131、132的截面中，内侧底角θR2和外侧底角θL2比内侧底角θR1和外侧底角θL1小(θR1、θL1＞θR2、θL2)。

另外，在形成光致抗蚀剂图案111后，因为通过使用该光致抗蚀剂图案111形成线圈图案131、132来最终形成薄膜线圈130的步骤，与上述第2实施方式中参照图22～图24所说明的步骤相同，所以省略其说明。在这种情况下，也能够形成图15～图16所示的线圈图案131、132的截面具有左右对称的倒梯形的薄膜线圈130。

在本实施方式的共态扼流线圈的制造方法中，通过在内侧区域F2R和外侧区域F2L上形成了反射促进层370的状态下将光致抗蚀剂膜91曝光并腐蚀，形成光致抗蚀剂图案111，以使开口111K1、111K2的开口宽度都随着靠近种子层60而逐渐变窄，然后，使用该光致抗蚀剂图案111而形成线圈图案131、132。此时，如上所述，利用光致抗蚀剂膜91的曝光范围因有无反射促进层370而在内侧区域F2R和外侧区域F2L比内侧区域F1R和外侧区域F1L宽的光学作用，在光致抗蚀剂图案111中内侧框部111R2和外侧框部111L2的倾斜角度ωR2、ωL2比内侧框部111R1和外侧框部111L1的倾斜角度ωR1、ωL1小，所以如果用该光致抗蚀剂图案111形成线圈图案131、132，则在这些线圈图案131、132的截面中反映了倾斜角度ωR1、ωL1、ωR2、ωL2间的大小关系，内侧底角θR2和外侧底角θL2比内侧底角θR1和外侧底角θL1小，即形成线圈图案131、132，使两者都具有左右对称的倒梯形的截面。并且，在这种情况下，形成线圈图案131、132以使其具有左右对称的倒梯形的截面，并且仅利用现有的薄膜工艺方法，并不利用新的且复杂的制造工艺方法。因而，在本实施方式中，能够仅利用现有的薄膜工艺方法尽可能容易地制造具备薄膜线圈130的共态扼流线圈。

另外，在本实施方式中，如图32及图33所示，在通过将光致抗蚀剂膜91曝光并腐蚀来形成光致抗蚀剂图案111时，将反射促进层370配置在内侧区域F 2R和外侧区域F2L上，由此，如图16所示，在线圈图案131、132的截面中，内侧底角θR2和外侧底角θL2比内侧底角θR1和外侧底角θL1小(θR1、θL1＞θR2、θL2)，但并不一定限于此。具体而言，也可以例如如图34所示，将反射促进层370配置在内侧区域F1R和外侧区域F1L上，而不是内侧区域F2R和外侧区域F2L上，从而如图35所示那样，与图32及图33所示的情况同样地利用因有无反射促进层370而带来的曝光范围的相对差异，来形成光致抗蚀剂图案111，使倾斜角度ωR1、ωL1比倾斜角度ωR2、ωL2小(ωR1、ωL1＜ωR2、ωL2)。在这种情况下，通过利用图35所示的光致抗蚀剂图案111形成线圈图案131、132，则如图27作为上述第2实施方式的变形例所示，在线圈图案131、132的截面中，内侧底角θR1和外侧底角θL1比内侧底角θR2和外侧底角θL2小(θR1、θL1＜θR2、θL2)。在这种情况下，也能够得到与上述实施方式同样的效果。

另外，有关本实施方式的共态扼流线圈的制造方法及薄膜线圈的制造方法的上述以外的步骤、作用及效果，与上述第2实施方式相同。

以上列举了几个实施方式对本发明进行了说明，但本发明并不限于上述实施方式，可以做各种变形。具体而言，例如在上述各实施方式中，在上述第1和第3实施方式中，对两个线圈图案31、32的截面形状相互一致、更具体地讲是线圈图案31、32的截面形状都为左右非对称的倒梯形的情况进行了说明，并且在第2和第4实施方式中，对两个线圈图案131、132的截面形状互不相同、更具体地讲是线圈图案131、132的截面形状都为左右对称的倒梯形的情况进行了说明，但并不一定限于此，只要能够基于两个线圈图案的截面形状都为倒梯形的构造特征而尽可能地减小电容量、从而尽可能地提高差分传送特性，两个线圈图案的截面形状组合可以自由地改变。具体而言，例如在两个线圈图案的截面形状相互一致的第1和第3实施方式的情况下，对于该两个线圈图案的截面形状的组合，并不限于左右非对称的倒梯形彼此的组合，例如也可以是左右对称的倒梯形彼此的组合。此外，在两个线圈图案的截面形状互不相同的上述第2和第4实施方式的情况下，对于该两个线圈图案的截面形状的组合，并不限于左右对称的倒梯形彼此的组合，也可以是左右非对称的倒梯形彼此的组合，或者也可以是左右对称的倒梯形和左右非对称的倒梯形的组合。不论两个线圈图案的截面形状是哪种倒梯形的组合，都能够得到与上述各实施方式同样的效果。

此外，在上述各实施方式中，对将本发明应用到共态扼流线圈中的情况进行了说明，但并不限于此，也可以将本发明应用到共态扼流线圈以外的其它电子部件中。在这种情况下，也能够得到与上述各实施方式同样的效果。

本发明所涉及的薄膜线圈及其制造方法例如可以应用到共态扼流线圈等线圈构造体及其制造方法中。

Claims (26)

1、一种薄膜线圈，包括配设在规定的衬底上、以规定的中心位置为中心相互并列地卷绕成螺旋状的第1线圈图案和第2线圈图案，其特征在于，

上述第1线圈图案和上述第2线圈图案的截面两者都具有梯形，其中将位于距上述衬底较远一侧、规定两个底角的一个端缘作为相互平行的一组对边中较长的对边，并将位于靠近上述衬底一侧的另一个端缘作为上述一组对边中较短的对边。

2、如权利要求1所述的薄膜线圈，其特征在于，

在任意的卷绕位置上，上述第1线圈图案的截面形状和上述第2线圈图案的截面形状相互一致。

3、如权利要求2所述的薄膜线圈，其特征在于，

在上述第1线圈图案的截面上，上述两个底角中位于靠近上述中心位置的第1内侧底角与位于距上述中心位置较远一侧的第1外侧底角互不相同；

在上述第2线圈图案的截面上，上述两个底角中位于靠近上述中心位置的第2内侧底角与位于距上述中心位置较远一侧的第2外侧底角互不相同。

4、如权利要求3所述的薄膜线圈，其特征在于，

在上述第1线圈图案的截面上，上述第1外侧底角比上述第1内侧底角大；

在上述第2线圈图案的截面上，上述第2外侧底角比上述第2内侧底角大。

5、如权利要求1所述的薄膜线圈，其特征在于，

在任意的卷绕位置上，上述第1线圈图案的截面形状与上述第2线圈图案的截面形状互不相同。

6、如权利要求5所述的薄膜线圈，其特征在于，

在上述第1线圈图案的截面上，上述两个底角中位于靠近上述中心位置的第1内侧底角与位于距上述中心位置较远一侧的第1外侧底角相互一致；

在上述第2线圈图案的截面上，上述两个底角中位于靠近上述中心位置的第2内侧底角与位于距上述中心位置较远一侧的第2外侧底角相互一致。

7、一种线圈构造体，其特征在于，在两个磁性基体之间，经由绝缘层而埋设有权利要求1至6中任一项所述的薄膜线圈。

8、一种薄膜线圈的制造方法，是包括配设在规定的衬底上、以规定的中心位置为中心相互并列地卷绕成螺旋状的第1线圈图案和第2线圈图案的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

形成上述第1线圈图案和上述第2线圈图案的工序包括：

第1工序，在上述衬底上形成光致抗蚀剂；

第2工序，以下述方式形成光致括蚀膜图案，即、具有通过一边控制曝光处理的进展程度一边有选择地对上述光致抗蚀剂进行曝光而形成图案，用来形成上述第1线圈图案的第1开口和用来形成上述第2线圈图案的第2开口，并且上述第1开口的宽度和上述第2开口的宽度都随着靠近上述衬底而逐渐变窄；

第3工序，在上述光致抗蚀剂图案中的上述第1开口和第2开口中分别形成上述第1线圈图案和上述第2线圈图案，使上述第1线圈图案的截面和上述第2线圈图案的截面都具有梯形，将位于距上述衬底较远一侧、规定两个底角的一个端缘作为相互平行的一组对边中较长的对边，将位于靠近上述衬底一侧的另一个端缘作为上述一组对边中较短的对边；

第4工序，将使用过的上述光致抗蚀剂图案除去。

9、如权利要求8所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

将上述第1线圈图案和上述第2线圈图案形成为，在任意的卷绕位置上，上述第1线圈图案的截面形状和上述第2线圈图案的截面形状相互一致。

10、如权利要求9所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

将上述第1线圈图案形成为，在上述第1线圈图案的截面上，上述两个底角中位于靠近上述中心位置的第1内侧底角与位于距上述中心位置较远一侧的第1外侧底角互不相同；

将上述第2线圈图案形成为，在上述第2线圈图案的截面上，上述两个底角中位于靠近上述中心位置的第2内侧底角与位于距上述中心位置较远一侧的第2外侧底角互不相同。

11、如权利要求10所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

将上述第1线圈图案形成为，在上述第1线圈图案的截面上，上述第1外侧底角比上述第1内侧底角大；

将上述第2线圈图案形成为，在上述第2线圈图案的截面上，上述第2外侧底角比上述第2内侧底角大。

12、如权利要求8所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

将上述第1线圈图案和上述第2线圈图案形成为，在任意的卷绕位置上，上述第1线圈图案的截面形状与上述第2线圈图案的截面形状互不相同。

13、如权利要求12所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

将上述第1线圈图案形成为，在上述第1线圈图案的截面上，上述两个底角中位于靠近上述中心位置的第1内侧底角与位于距上述中心位置较远一侧的第1外侧底角相互一致；

将上述第2线圈图案形成为，在上述第2线圈图案的截面上，上述两个底角中位于靠近上述中心位置的第2内侧底角与位于距上述中心位置较远一侧的第2外侧底角相互一致。

14、一种薄膜线圈的制造方法，是包括配设在规定的衬底上、以规定的中心位置为中心相互并列地卷绕成螺旋状的第1线圈图案和第2线圈图案的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

形成上述第1线圈图案和上述第2线圈图案的工序包括：

第1工序，在要形成具有对用来通过互相对置配置而形成上述第1线圈图案的第1开口进行划定的第1内侧框部和第1外侧框部、并具有对用来通过互相对置配置而形成上述第2线圈图案的第2开口进行划定的第2内侧框部和第2外侧框部的光致抗蚀剂图案的上述衬底上，在位于靠近上述中心位置一侧、要形成上述第1内侧框部的第1内侧区域或位于距上述中心位置较远一侧、要形成上述第1外侧框部的第1外侧区域中的某一个上形成用来控制曝光处理的进展程度的第1曝光控制层图案，并在位于靠近上述中心位置一侧、要形成上述第2内侧框部的第2内侧区域或位于距上述中心位置较远一侧、要形成上述第2外侧框部的第2外侧区域中的某一个上形成用来控制曝光处理的进展程度的第2曝光控制层图案；

第2工序，形成光致抗蚀剂，使其覆盖上述衬底、上述第1曝光控制层、以及上述第2曝光控制层；

第3工序，通过有选择地对上述光致抗蚀剂进行曝光而形成图案，来形成上述第1开口和上述第2开口，在上述衬底上形成上述光致抗蚀剂图案，使其具有配置在上述第1内侧区域中的上述第1内侧框部、配置在上述第1外侧区域中的上述第1外侧框部、配置在上述第2内侧区域中的上述第2内侧框部、以及配置在上述第2外侧区域中的上述第2外侧框部，上述第1开口的宽度和上述第2开口的宽度都随着靠近上述衬底而逐渐变窄，并且上述第1内侧框部中的划定上述第1开口的第1内侧划定面的倾斜角度与上述第1外侧框部中的划定上述第1开口的第1外侧划定面的倾斜角度互不相同，并且上述第2内侧框部中的划定上述第2开口的第2内侧划定面的倾斜角度与上述第2外侧框部中的划定上述第2开口的第2外侧划定面的倾斜角度互不相同；

第4工序，在上述光致抗蚀剂图案中的上述第1开口和上述第2开口中，分别形成上述第1线圈图案和上述第2线圈图案，使上述第1线圈图案的截面和上述第2线圈图案的截面都具有梯形，将位于距上述衬底较远一侧、规定两个底角的一个端缘作为相互平行的一组对边中较长的对边，将位于靠近上述衬底一侧的另一个端缘作为上述一组对边中较短的对边，并且上述第1线圈图案的截面形状和上述第2线圈图案的截面形状相同；

第5工序，将使用过的上述光致抗蚀剂图案、上述第1曝光控制层、和上述第2曝光控制层除去。

15、如权利要求14所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

在上述第1工序中，形成用来抑制曝光时的反射现象的反射抑制层，来作为上述第1曝光控制层和上述第2曝光控制层。

16、如权利要求15所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

在上述第1工序中，在上述第1外侧区域和上述第2外侧区域两者上形成反射抑制层；

在上述第3工序中，形成上述光致抗蚀剂图案，使得上述第1外侧划定面的倾斜角度比上述第1内侧划定面的倾斜角度大，并且上述第2外侧划定面的倾斜角度比上述第2内侧划定面的倾斜角度大；

在上述第4工序中，形成上述第1线圈图案，使得在上述第1线圈图案的截面上，上述两个底角中位于距上述中心位置较远一侧的第1外侧底角比位于靠近中心位置一侧的第1内侧底角大；并形成上述第2线圈图案，使得在上述第2线圈图案的截面上，上述两个底角中位于距上述中心位置较远一侧的第2外侧底角比位于靠近中心位置一侧的第2内侧底角大。

17、如权利要求14所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

在上述第1工序中，形成用来促进曝光时的反射现象的反射促进层，作为上述第1曝光控制层和上述第2曝光控制层。

18、如权利要求17所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

在上述第1工序中，在上述第1内侧区域和上述第2内侧区域两者上形成反射促进层；

在上述第3工序中，形成上述光致抗蚀剂图案，使得上述第1内侧划定面的倾斜角度比上述第1外侧划定面的倾斜角度小，并且上述第2内侧划定面的倾斜角度比上述第2外侧划定面的倾斜角度小；

在上述第4工序中，形成上述第1线圈图案，使得在上述第1线圈图案的截面上，上述两个底角中位于靠近中心位置一侧的第1内侧底角比位于距上述中心位置较远一侧的第1外侧底角小；并形成上述第2线圈图案，使得在上述第2线圈图案的截面上，上述两个底角中位于靠近中心位置一侧的第2内侧底角比位于距上述中心位置较远一侧的第2外侧底角小。

19、如权利要求14至18中任一项所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

在上述第1工序中，在作为上述衬底的种子层上，形成上述第1曝光控制层和上述第2曝光控制层；

在上述第2工序中，形成上述光致抗蚀剂，使其覆盖上述种子层、上述第1曝光控制层和上述第2曝光控制层；

在上述第3工序中，形成上述光致抗蚀剂图案，使得上述种子层在上述第1开口和上述第2开口中露出，并且上述第1开口的宽度和上述第2开口的宽度两者都随着靠近上述种子层而逐渐变窄；

在上述第4工序中，通过用上述种子层使镀膜成长，来形成上述第1线圈图案和上述第2线圈图案；

进而，还包括第6工序，将上述第1线圈图案和上述第2线圈图案两者作为掩模而有选择地对上述种子层进行腐蚀，从而将上述种子层中的没有被上述第1线圈图案和上述第2线圈图案覆盖的部分除去。

20、一种薄膜线圈的制造方法，是包括配设在规定的衬底上、以规定的中心位置为中心相互并列地卷绕成螺旋状的第1线圈图案和第2线圈图案的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

形成上述第1线圈图案和上述第2线圈图案的工序包括：

第1工序，在要形成具有对用来通过互相对置配置而形成上述第1线圈图案的第1开口进行划定的第1内侧框部和第1外侧框部、并具有对用来通过互相对置配置而形成上述第2线圈图案的第2开口进行划定的第2内侧框部和第2外侧框部的光致抗蚀剂图案的上述衬底上，在位于靠近上述中心位置一侧、要形成上述第1内侧框部的第1内侧区域和位于距上述中心位置较远一侧、要形成上述第1外侧框部的第1外侧区域双方，或者在位于靠近上述中心位置一侧、要形成上述第2内侧框部的第2内侧区域和位于距上述中心位置较远一侧、要形成上述第2外侧框部的第2外侧区域双方某一方上形成用来控制曝光处理的进展程度的曝光控制层的图案；

第2工序，形成光致抗蚀剂，使其覆盖上述衬底、以及上述曝光控制层；

第3工序，通过有选择地对上述光致抗蚀剂进行曝光而形成图案，来形成上述第1开口和上述第2开口，在上述衬底上形成上述光致抗蚀剂图案，使其具有配置在上述第1内侧区域中的上述第1内侧框部、配置在上述第1外侧区域中的上述第1外侧框部、配置在上述第2内侧区域中的上述第2内侧框部、以及配置在上述第2外侧区域中的上述第2外侧框部，上述第1开口的宽度和上述第2开口的宽度都随着靠近上述衬底而逐渐变窄，并且上述第1内侧框部中的划定上述第1开口的第1内侧划定面的倾斜角度与上述第1外侧框部中的划定上述第1开口的第1外侧划定面的倾斜角度相等，并且上述第2内侧框部中的划定上述第2开口的第2内侧划定面的倾斜角度与上述第2外侧框部中的划定上述第2开口的第2外侧划定面的倾斜角度相等；

第4工序，在上述光致抗蚀剂图案中的上述第1开口和第2开口中，分别形成上述第1线圈图案和上述第2线圈图案，使上述第1线圈图案的截面和上述第2线圈图案的截面都具有梯形，将位于距上述衬底较远一侧、规定两个底角的一个端缘作为相互平行的一组对边中较长的对边，将位于靠近上述衬底一侧的另一个端缘作为上述一组对边中较短的对边，并且上述第1线圈图案的截面形状和上述第2线圈图案的截面形状互不相同；

第5工序，将使用过的上述光致抗蚀剂图案、和上述曝光控制层除去。

21、如权利要求20所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

在上述第1工序中，形成用来抑制曝光时的反射现象的反射抑制层，来作为上述曝光控制层。

22、如权利要求21所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

在上述第1工序中，在上述第1内侧区域和上述第1外侧区域两者上形成上述反射抑制层；

在上述第3工序中，形成上述光致抗蚀剂图案，使得上述第1内侧划定面的倾斜角度和上述第1外侧划定面的倾斜角度双方比上述第2内侧划定面的倾斜角度和上述第2外侧划定面的倾斜角度双方都大；

在上述第4工序中，形成上述第1线圈图案和上述第2线圈图案，使得上述第1线圈图案的截面上的上述两个底角中的位于靠近中心位置一侧的第1内侧底角和位于距上述中心位置较远一侧的第1外侧底角双方比上述第2线圈图案上的上述两个底角中的位于靠近上述中心位置一侧的第2内侧底角和位于距上述中心位置较远一侧的第2外侧底角双方都大。

23、如权利要求20所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

在上述第1工序中，形成用来促进曝光时的反射现象的反射促进层，作为上述曝光控制层。

24、如权利要求23所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

在上述第1工序中，在上述第2内侧区域和上述第2内侧区域两者上形成上述反射促进层；

在上述第3工序中，形成上述光致抗蚀剂图案，使得上述第1内侧划定面的倾斜角度和上述第1外侧划定面的倾斜角度双方比上述第2内侧划定面的倾斜角度和上述第2外侧划定面的倾斜角度双方都小；

在上述第4工序中，形成上述第1线圈图案和上述第2线圈图案，使得上述第2线圈图案的截面上的上述两个底角中的位于靠近上述中心位置一侧的第2内侧底角和位于距上述中心位置较远一侧的第2外侧底角双方比上述第1线圈图案的截面上的上述两个底角中的位于靠近中心位置一侧的第1内侧底角和位于距上述中心位置较远一侧的第1外侧底角双方都小。

25、如权利要求20至24中任一项所述的薄膜线圈的制造方法，其特征在于，

在上述第1工序中，在作为上述衬底的种子层上，形成上述曝光控制层；

在上述第2工序中，形成上述光致抗蚀剂，使其覆盖上述种子层和上述曝光控制层；

在上述第3工序中，形成上述光致抗蚀剂图案，使得上述种子层在上述第1开口和上述第2开口中露出，并且上述第1开口的宽度和上述第2开口的宽度两者都随着靠近上述种子层而逐渐变窄；

在上述第4工序中，通过用上述种子层使镀膜成长，来形成上述第1线圈图案和上述第2线圈图案；

进而，还包括第6工序，将上述第1线圈图案和上述第2线圈图案两者作为掩模而有选择地对上述种子层进行腐蚀，从而将上述种子层中的没有被上述第1线圈图案和上述第2线圈图案覆盖的部分除去。

26、一种线圈构造体的制造方法，是在两个磁性基体之间经由绝缘层埋设有薄膜线圈的线圈构造体的制造方法，其特征在于，

包括形成上述薄膜线圈的工序，使用权利要求8至权利要求25中任一项所述的薄膜线圈的制造方法，经由上述绝缘层将上述薄膜线圈埋设在上述两个磁性基体之间。

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