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CN1629705A - 液晶显示器及用于该液晶显示器的面板 - Google Patents

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CN1629705A CNA2004101016840A CN200410101684A CN1629705A CN 1629705 A CN1629705 A CN 1629705A CN A2004101016840 A CNA2004101016840 A CN A2004101016840A CN 200410101684 A CN200410101684 A CN 200410101684A CN 1629705 A CN1629705 A CN 1629705A
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Abstract

本发明提供了一种液晶显示器，其包括具有栅极的栅极线、覆盖栅极线的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的半导体层、形成于半导体层上并具有源极的数据线、在栅极上部分别与源极面对的漏极、形成于数据线上的钝化层、形成于钝化层上部并与漏极电连接且具有第一折叠部的像素电极、在像素电极相同层与数据线重叠并具有比数据线更靠近像素电极的边界线的辅助整列图案的薄膜晶体管阵列面板；形成具有在像素电极第一折叠部一定间距处设置的第二折叠部的共同电极的共同电极面板。

Description

液晶显示器及用于该液晶显示器的面板
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器及用于该液晶显示器的面板。特别是，涉及为了获得广视角将像素分割为多个区域的垂直取向模式薄膜晶体管阵列面板及包括该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器。
背景技术
液晶显示器(LCD)是使用最广泛的平板显示器之一。液晶显示器包括具有诸如像素电极和共同电极这样的场产生电极的两个面板及置于其间的液晶(LC)层。液晶显示器通过向场产生电极施加电压以在液晶层产生电场而显示图像，其确定液晶层中液晶分子的取向以调节入射光的偏振。
若在液晶显示器底板上有效区域太大以至于不能使用掩模时，则通过重复所谓分步重复工艺的分区曝光完成全部曝光。将一个分区曝光单元或区域成为一个景。由于在曝光期间产生转移、旋转、失真等，因此这些景不能被精确地对准。因此，在信号线和像素电极之间产生的寄生电容取决于这些景而不同，并且会引起这些景之间的亮度差，其在位于这些景之间界面的像素处被识别。因此，由于多个景之间的亮度不连续而致在液晶显示器的屏幕上产生针脚缺陷。
同时，垂直取向(VA)模式液晶显示器，其取向液晶分子，从而在不存在电场的情况下液晶分子的长轴与这些面板垂直，由于其高对比度和宽基准视角而被聚光照明，将宽基准视角定义为使得对比度等于1∶10的视角或者作为用于在多个灰度之间亮度倒转的限制角。
垂直取向模式液晶显示器的广视角可以通过场产生电极中折叠部(cutout)和场产生电极上的突出部实现。由于折叠部和突出部可以确定液晶分子的倾斜方向，因此倾斜方向可以由多个切口部和突出部被分成多个方向，从而加宽了基准视角。
垂直取向模式液晶显示器通常使用用于获得高对比度的普通黑色模式。然而，其可以降低侧面能见度，从而显示的图像当其接近侧面时看上去会更加明亮且更白。
发明内容
本发明的目的在于解决现有技术中存在的问题。提供了一种使像素电极和数据线之间产生的寄生电容变化最小化的薄膜晶体管阵列面板及具有该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器。
为了实现本发明目的，在像素电极或数据线的同一层上设置具有与像素电极或数据线相邻的边界线的辅助整列图案。
更具体而言，根据本发明一实施例的薄膜晶体管阵列面板，其在绝缘基片上形成第一信号线，形成与第一信号线绝缘交叉的第二信号线。在第一信号线和第二信号线交叉限定的像素分别形成像素电极，并设置与第一信号线、第二信号线、及像素电极连接的薄膜晶体管，形成与第二信号线并排重叠并具有比第二信号线更靠近像素电极的边界线的辅助整列图案。
优选地，辅助整列图案在与像素电极相同层形成，可以与第二信号线连接。
根据本发明实施例的液晶显示器包括这种薄膜晶体管阵列面板、形成与像素电极面对的共同电极的面对面板、形成于薄膜晶体管阵列面板和面对面板之间的液晶层。
这种液晶显示器在薄膜晶体管阵列面板和面对面板中的至少一例形成。优选地，还包括在像素将液晶层分为多个区域的多个区域限定件。
包含在液晶层的液晶具有负介电各向异性，液晶长轴垂直于第一及第二基片取向，优选地，区域限定件是共同电极或像素电极所具有的折叠部。区域限定件宽度为9-12微米，优选地，区域限定件与第一信号线实际成±45度。
区域限定件可能是在共同电极或像素电极上部形成的突出部。
根据本发明另一实施例的薄膜晶体管阵列面板，其在绝缘基片上形成第一信号线，形成与第一信号线绝缘交叉的第二信号线。在第一信号线和第二信号线交叉限定的像素分别形成像素电极，并设置与第一信号线、第二信号线、及像素电极连接的薄膜晶体管，形成与像素电极连接并具有比第二信号线更靠近第二信号线的边界线的辅助整列图案。
辅助整列图案由与第二信号线在同一层上形成，优选地，辅助整列图案与连接于像素电极的薄膜晶体管漏极连接。
根据本发明另一实施例的液晶显示器，其包括薄膜晶体管阵列面板、形成与像素电极面对的共同电极的面对面板、在薄膜晶体管阵列面板和面对面板之间形成的液晶层。
这种液晶显示器在薄膜晶体管阵列面板和面对面板中的至少一侧形成，优选地，还包括在像素将液晶层分为多个区域的多个区域限定件。
包含在液晶层的液晶具有负介电各向异性，液晶长轴垂直于第一及第二基片取向，优选地，区域限定件是共同电极或像素电极所具有的折叠部。区域限定件宽度为9-12微米，优选地，区域限定件与第一信号线实际成±45度。
区域限定件可能是在共同电极或像素电极上部形成的突出部。
附图说明
通过参照附图将本发明的实施例进行详细的描述，本发明将变得更加显而易见，其中：
图1是根据本发明第一实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板布局图；
图2是根据本发明第一实施例的液晶显示器面对面板布局图；
图3是根据本发明第一实施例的液晶显示器布局图；
图4是图3的液晶显示器沿着IV-IV′线的截面图；
图5是图3的液晶显示器沿着V-V′线的截面图；
图6是根据本发明第二实施例的液晶显示器结构布局图；
图7是包括图6所示的薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器沿着VII-VII′线的截面图；
图8是根据本发明第三实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板结构布局图；
图9是图8的液晶显示器沿着IX-IX′线的截面图；
图10是根据本发明第四实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板结构布局图；
图11是包括图10所示的薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器沿着XI-XI′线的截面图；
图12包括图10所示的薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器沿着XXII-XXII′线的截面图；
图13是根据本发明第五实施例的液晶显示器结构布局图；及
图14是图13的液晶显示器沿着XIV-XIV′线的截面图。
具体实施方式
为了使本领域技术人员能够实施本发明，现参照附图详细说明本发明的实施例。但是本发明可表现为不同形式，它不局限于在此说明的实施例。
在附图中，为了清楚，扩大了各层的厚度及区域。在全篇说明书中对相同元件附上相同的标号，应当理解的是当提到层、膜、区域、或基片等元件在别的部分“之上”时，指其直接位于别的元件之上，或者也可能有别的元件介于其间。相反，当某个元件被提到“直接”位于别的部分之上时，意味着并无别的元件介于其间。
参照附图说明根据本发明实施例的众多区域液晶显示器。
图1是根据本发明第一实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板布局图，图2是根据本发明第一实施例的液晶显示器面对面板布局图，图3是根据本发明第一实施例的液晶显示器布局图，图4是图3的液晶显示器沿着IV-IV′线的截面图，图5是图3的液晶显示器沿着V-V′线的截面图。
根据本发明实施例的液晶显示器包括下侧的薄膜晶体管阵列面板100、与其面对的上侧面对面板200及形成于其中并包括对于两个面板100、200垂直取向的液晶分子310的液晶层3组成。
在由玻璃等透明绝缘物质组成的薄膜晶体管阵列面板100形成由ITO或IZO等透明导电物质组成并具有折叠部191、192、193的像素电极190。各像素电极190与薄膜晶体管连接并接收图像信号电压。这时，薄膜晶体管分别与传输扫描信号的栅极线121和传输图像信号的数据线171连接随着扫描信号开关像素电极190。而且，在薄膜晶体管阵列面板100下面附着下部偏光板12。在这里，像素电极190为反射型液晶显示器时，可能不是由透明物质组成，此时也不需要下部偏光板12。
同样，由玻璃等透明绝缘物质组成，并在与薄膜晶体管阵列面板100面对的面对面板200形成防止在像素边缘产生光泄漏的黑阵230、由红、绿、蓝滤色器240及ITO或IZO等透明导电物质组成的基准电极270。黑阵230不仅在像素区域周围部分形成，而且在与基准电极270折叠部271、272、273重叠的部分形成。这是为了防止由折叠部271、272、273引起的光泄漏。
更详细说明根据第一实施例的液晶显示器。在薄膜晶体管阵列面板100的下部绝缘基片110上形成传输栅极信号的多条栅极线121。栅极线121主要以横向延伸，各栅极线121一部分形成多个栅极124。在栅极线121上栅极以突起形态形成。栅极线121具有向栅极线传输来自外部的栅极信号的接触部，但是栅极线具有该接触部时，栅极线121末端与直接形成于基片110上的栅极驱动电路输出端连接。
在绝缘基片110上形成与栅极线121同一层的存储电极布线。各存储电极布线包括在像素区域边缘与栅极线121并排延伸的存储电极线131和从此延伸的多套存储电极133a、133b、133c、133d。一套存储电极133a、133b、133c、133d由纵向延伸并通过横向延伸的存储电极线131连接的纵向部133a、133b和与以后形成的像素电极190折叠部191、193重叠并连接纵向部133a、133b的斜线部133c、133d组成。
栅极线121及存储电极布线131、133a、133b、133c、133d由Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cr、Ti、Ta、Mo等金属类组成。如图4及图5所示，本实施例的栅极线121及存储电极布线131、133a、133b、133c、133d由单层组成，但也可以由包括物理化学特性优秀的Cr、Mo、Ti、Ta等金属层和电阻率小的Al系列或Ag系列金属层的双重层组成。此外，由多种金属或导电体制成栅极线121和存储电极布线131、133a、133b、133c、133d。
优选地，栅极线121和存储电极布线131、133a、133b、133c、133d侧面呈30-80°倾斜度。
在栅极线121和存储电极布线131、133a、133b、133c、133d上形成由氮化硅等组成的栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上形成多条数据线171等多个漏极175。各数据线主要以纵向延伸，并具有向各漏极175出多个分支并从数据线171扩张的源极173。位于数据线171一末端的接触部179向数据线171传输来自外部的图像信号。而且，在栅极绝缘层140上形成与栅极线121重叠的桥部金属片172。
数据线171、漏极175也如同栅极线121由铬和铝等物质组成，而且单一层或双重层组成。
在数据线171、漏极175下面形成沿着数据线171主要以纵向延伸的多个线型半导体151。由非晶硅类组成的各线型半导体151向各栅极124、源极173及漏极175扩张并具有通道部154。
在半导体151和数据线171及漏极175之间形成分别减少两个之间接触电阻的多个线型欧姆接触部件161和岛状欧姆接触部件165。欧姆接触部件161由硅化物或重掺杂n型杂质的非晶硅类组成，并具有成分支延伸的接触部件163。岛状欧姆接触部件165以栅极124为中心与欧姆接触部件163面对。
在数据线171及漏极175上形成平坦化特性优秀并具有感光性的有机物质、通过等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F等低介电常数绝缘物质或氮化硅类组成的钝化层180。
钝化层180具有分别露出漏极175的至少一部分和数据线171末端部分179的多个接触孔185、182。另外，当栅极线121末端部分也具有与外部驱动电路连接的接触部时，多个接触孔贯通栅极绝缘层140和钝化层180露出栅极线121末端部分。
在钝化层180上形成具有折叠部191、192、193的多个像素电极190等多个数据接触部件82，形成与数据线171并排重叠的辅助整列图案198。此时，辅助整列图案198完全覆盖数据线171，辅助整列图案198边界线比数据线171边界线更靠近像素电极190边界线。辅助整列图案198如同本实施例优选电浮动，但是可以与数据线171连接。
像素电极190、数据接触辅助部件82及辅助整列图案198使用像ITO或IZO等透明导电体或像铝等光反射特性优秀的不透明导电体形成。
在像素电极190形成的折叠部191、192、193包括在将像素电极190上下分成两半的位置以横向形成的横向折叠部192和在成一半的像素电极190上下部分分别以斜线方向形成的斜线折叠部191、193。折叠部192是从像素电极190右侧边向左侧边凹进去的形态，入口以较宽地对称扩张。因此，像素电极190对于分别上下二等分由栅极线121和数据线171交叉限定的像素区域的线(与栅极线并排的线)实际成镜面对称。
此时，上下斜线折叠部191、193彼此垂直，使散射场方向延四面均匀分散。
而且，在像素电极190相同层形成连接隔着栅极线121彼此相邻的像素存储电极133a和存储电极线131的存储布线连接桥194。存储布线连接桥194通过由钝化层180和栅极绝缘层140形成的接触孔183、184与存储电极133a及存储电极线131接触。存储布线连接桥194与桥部金属片172重叠，也可以电连接它们。存储布线连接桥194具有全部电连接在下部基片110上的存储布线的作用。这种存储布线必要时使用于栅极线121数据线171缺陷的维修，为了这种维修照射激光时，桥部金属片172为了辅助栅极线121和存储布线连接桥194电连接而形成。
另外，在与薄膜晶体管阵列面板100面对的面对面板200的上部绝缘基片210形成防止像素边缘光泄漏的黑阵。在黑阵220上形成红、绿、蓝滤色器230。在滤色器230上全面形成平坦化层250，在其上部形成具有折叠部271、272、273的基准电极270。基准电极由ITO或IZO等透明导电体形成。
共同电极270具有一套折叠部271、272、273。其包括与像素电极190折叠部191、192、193中的栅极线121呈45°的部分191、193和交替设置并与其并排的斜线部和与像素电极190边重叠的短部分。此时短部分为纵向短部分和横向短部分。
若整列具有所述结构的薄膜晶体管基片和面对面板并结合，并在其之间注入液晶物质垂直取向，则形成根据本发明的液晶显示器基本结构。
当整列薄膜晶体管阵列面板100和面对面板200时，像素电极190折叠部191、192、193和基准电极270折叠部271、272、273把像素区域分割为多个区域。该区域沿着位于其内部的液晶分子平均长轴方向分为4个种类，每个区域形成长条形并具有宽度和长度。
此时，像素电极190折叠部191、192、193和共同电极270折叠部271、272、273具有分割取向液晶分子的区域限定件的作用，优选地，其宽度为9-12微米之间。在像素电极190及共同电极270上部或下部由无机物质或有机物质形成突起替代作为区域限定件的折叠部271、272、273、191、192、193时，优选地，其宽度为5-10微米之间。
在这种根据本发明实施例的液晶显示器中，电浮动辅助整列图案198，与数据线171重叠，传输根据通过数据线171传输的图像信号的电信号，这种信号随着图像信号的变动而变动。此时，辅助整列图案198设置于与像素电极190相同层，因此制造工序中在辅助整列图案198和像素电极190之间不产生错误整列。而且，在数据线171和像素电极190之间形成的寄生电容由在具有比数据线171更靠近像素电极190的边界线的辅助整列图案198和像素电极190之间形成的寄生电容决定。因此，制造工序中即使在像素电极190和数据线171之间产生错误整列，也在数据线171和像素电极190之间产生的寄生电容维持一定量。通过它可以均匀维持像素电极190的像素电压，防止降低可视性，除去制造工序中由错误整列引起的分割曝光区域之间亮度差，最小化针脚不良。
此时，辅助整列图案198作为数据线171短线时维修断线的修理线使用，并可以置于各像素、也以各像素为单位设置一个。
另外，根据本发明另一实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板可以具有与图1至图5所示的结构不同的结构，对此下面参照附图详细说明。
图6是根据本发明第二实施例的液晶显示器结构布局图，图7是包括图6所示的薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器沿着VII-VII′线的截面图。
如图6及图7所示，根据本实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板上结构大致图1至图5示出的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板上结构相同。即，在基片110上形成包括多条栅极线124的多条栅极线121，在其上依次形成分别包括栅极绝缘层140、多个突出部163的多个线型欧姆接触部件151、分别包括多个突出部163的多个线型欧姆接触部件161及多个岛状欧姆接触部件165。在欧姆接触部件161及栅极绝缘层140上形成包括多个源极173的多条数据线171及漏极175，在其上形成钝化层180。形成钝化层180及/或多个接触孔181、185，在钝化层180上形成多个像素电极190、多个接触辅助部件82及辅助整列图案198。
然而，与图1至图5示出的薄膜晶体管阵列面板不同，根据本实施例的薄膜晶体管阵列面板，半导体151除了薄膜晶体管所在的突出部154之外具有与数据线171、漏极175a、175b及其下部的欧姆接触部件161、165实际相同平面形态。
而且，以纵向延伸的存储电极133b的一部分133b′延伸到像素电极190折叠部192。
这种液晶显示器中，薄膜晶体管阵列面板制造方法利用一个感光层图案的光学蚀刻工序形成数据线171及漏极175和半导体层151。这种感光层图案的对应于薄膜晶体管通道部的部分具有比对应于另外数据线及漏极的部分低的厚度。此时，感光层图案是制作半导体151布线图案的蚀刻掩模，其厚的部分作为制作数据线及漏极布线图案的蚀刻掩模使用。这种制造方法用一个感光层图案形成彼此不同的两个薄膜，所以可以将制造费用降到最低。
而且，具有栅极124的栅极线121的一侧末端部分129具有与外部电路连接的接触部，在钝化层180上部形成通过钝化层180及栅极绝缘层140接触孔181与栅极线121末端部分128连接的栅极接触部辅助部件81。
另外，在薄膜晶体管阵列面板上设置滤色器，对此下面参照附图详细说明。
图8是根据本发明第三实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板结构布局图，图9是图8的液晶显示器沿着IX-IX′线的截面图。
如图8及图9所示，根据本发明第三实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板上结构大致与图1至图5示出的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板上结构相同。
然而，在钝化层180下部的像素依次形成红、绿、蓝滤色器230R、230G、23B。红、绿、蓝滤色器230R、230G、23B分别在数据线171上部具有边界，并沿着像素列以纵向较长形成，而且彼此相邻的滤色器在数据线171上部分重叠，以在数据线171上形成丘垄。此时，彼此重叠的红、绿、蓝滤色器230R、230G、23B具有遮挡从彼此相邻的像素区域之间泄漏的光的作用。因此，在根据本发明实施例的液晶显示器用面对面板只形成共同电极270上，省略其黑阵的形成。
另外，所示实施例中在与像素电极190相同层设置辅助整列图案，但也可以在与数据线171相同层设置辅助整列图案，对此下面参照附图详细说明。
图10是根据本发明第四实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板结构布局图，图11是包括图10所示的薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器沿着XI-XI′线的截面图，图12包括图10所示的薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器沿着XXII-XXII′线的截面图。
如图10至图12所示，根据本实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板上结构大致与图1至图5示出的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板上结构相同。即，在基片110上形成包括多个栅极124的多条栅极线121，在其上形成依次包括栅极绝缘层140、多个突出部154的多个线型半导体151、分别包括多个突出部163的多个线型欧姆接触部件161及多个岛状欧姆接触部件165。在欧姆接触部件161及栅极绝缘层140上形成包括多个源极173的多条数据线171及漏极175，在其上形成钝化层180。形成钝化层180及/或多个接触孔182、185，在钝化层180上形成多个像素电极190、多个接触辅助部件82及辅助整列图案198。
然而，与图1至图5所示的薄膜晶体管阵列面板不同，根据本实施例的薄膜晶体管阵列面板，存储电极布线包括以横向延伸的存储电极线131和为了充分形成存储电容比别的部分宽度宽的存储电极133。而且，漏极175连接于与存储电极133重叠形成存储电容的存储电容器用导电体177和与数据线171平行并具有比像素电极190边界更靠近数据线171的边界线的辅助整列图案178。
根据本发明第四实施例的薄膜晶体管阵列面板，与像素电极190连接的辅助整列图案178置于与数据线171相同层。因此，制造工序中即使产生错误整列，也在数据线170和像素电极190之间产生的寄生电容在数据线170和辅助整列图案178之间形成，并维持一定电容。因此，可以得到与第一实施例相同的效果。
如上所述，第一实施例中辅助整列图案198可以与数据线171连接，对此下面参照附图详细说明。
图13是根据本发明第五实施例的液晶显示器结构布局图，图14是图13的液晶显示器沿着XIV-XIV′线的截面图。
如图13及图14所示，大部分结构与图1至图5所示结构相同。
然而，钝化层180具有露出数据线171的接触孔188，辅助整列图案198通过接触孔188与数据线171连接。
在这种结构中也得到与第一实施例相同的效果。
然而，产生辅助整列图案198与上部显示板200共同电极270短路的不良，向数据线171传输向共同电极270传输的共同电极电压的弊端。为了解决这种弊端在对应于辅助整列图案198的共同电极270上部设置短路防止图案280。
根据这种本发明第五实施例的薄膜晶体管阵列面板，在辅助整列图案198同样传输通过数据线171传输的图像信号。
此时，当为了均匀维持薄膜晶体管阵列面板100和面对面板200间距形成基片间隔件时，通过利用具有位置依赖性光透射比的掩模的光学蚀刻工序进行制作布线图案形成短路防止图案280。
如上所述，本发明实施例中，设置与数据线或像素电极相同层形成，以维持数据线和像素电极之间一定间距的整列辅助图案，从而即使产生错误整列，也在数据线和像素电极之间产生的寄生电容维持一定电容。因此，可以正常维持像素电压，防止可视度的降低，最小化在分割曝光区域之间产生的亮度差。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
绝缘基片；
第一信号线，形成于所述绝缘基片上；
第二信号线，形成于所述绝缘基片上且与所述第一信号线绝缘交叉；
像素电极，在各所述第一信号线和所述第二信号线绝缘交叉的限定的像素形成；
薄膜晶体管，与所述第一信号线、所述第二信号线、和所述像素电极连接；以及
辅助整列图案，与所述第二信号线并排重叠，具有比所述第二信号线更靠近所述像素电极的边界线。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，将所述辅助整列图案与所述像素电极设置在同一层上。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述辅助整列图案与所述第二信号线连接。
4.一种液晶显示器，包括权利要求1-3中任一权利要求所述的薄膜晶体管阵列面板；
面对面板，形成与所述像素电极面对的共同电极；以及
液晶层，设置在所述薄膜晶体管阵列面板和所述面对面板之间。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器，还包括在所述薄膜晶体管阵列面板和所述面对面板中的至少一侧形成，并在所述像素将所述液晶层的液晶分子分割为多个区域的多个区域限定件。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于，包含在所述液晶层的液晶具有负介电各向异性，所述液晶其长轴对于第一及第二基片垂直取向。
7.根据权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于，所述区域限定件是所述共同电极或所述像素电极具有的折叠部。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其特征在于，所述区域限定件宽度为9-12微米。
9.根据权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于，所述区域限定件对于所述第一信号线实际呈±45度。
10.根据权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于，所述区域限定件是在所述共同电极或所述像素电极上部形成的突出部。
11.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
绝缘基片；
第一信号线，形成于所述绝缘基片上；
第二信号线，形成于所述绝缘基片上且与所述第一信号线绝缘交叉；
像素电极，在各所述第一信号线和所述第二信号线绝缘交叉的限定的像素形成；
薄膜晶体管，与所述第一信号线、所述第二信号线、及所述像素电极连接；以及
辅助整列图案，与所述像素电极连接，具有比所述像素电极更靠近所述第二信号线的边界线。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，将所述辅助整列图案和所述第二信号线设置在同一层上。
13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述辅助整列图案与连接于所述像素电极的所述薄膜晶体管漏极连接。
14.一种液晶显示器，包括根据权利要求11-13中任一权利要求所述的薄膜晶体管阵列面板；
面对面板，形成与所述像素电极面对的共同电极；
液晶层，设置在所述薄膜晶体管阵列面板和所述面对面板之间。
15.根据权利要求14所述的液晶显示器，还包括在所述薄膜晶体管阵列面板和所述面对面板中的至少一侧形成，并在所述像素把所述液晶层的液晶分子分割为多个区域的多个区域限定件。
16.根据权利要求15所述的液晶显示器，其特征在于，包含在所述液晶层的液晶具有负介电各向异性，所述液晶其长轴对于第一及第二基片垂直取向。
17.根据权利要求15所述的液晶显示器，其特征在于，所述区域限定件是所述共同电极或所述像素电极具有的折叠部。
18.根据权利要求17所述的液晶显示器，其特征在于，所述区域限定件宽度为9-12微米。
19.根据权利要求15所述的液晶显示器，其特征在于，所述区域限定件对于所述第一信号线实际呈±45度。
20.根据权利要求15所述的液晶显示器，其特征在于，所述区域限定件是在所述共同电极或所述像素电极上部形成的突出部。
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