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CN1581686A - 导电性粘合剂及使用该粘合剂安装压电元件的压电器件 - Google Patents

导电性粘合剂及使用该粘合剂安装压电元件的压电器件 Download PDF

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CN1581686A
CN1581686A CNA2004100705598A CN200410070559A CN1581686A CN 1581686 A CN1581686 A CN 1581686A CN A2004100705598 A CNA2004100705598 A CN A2004100705598A CN 200410070559 A CN200410070559 A CN 200410070559A CN 1581686 A CN1581686 A CN 1581686A
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CN
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conductive
conductive filler
conductive adhesive
saw
bonding
Prior art date
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CNA2004100705598A
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井口修一
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Abstract

本发明提供一种导电性粘合剂及使用该粘合剂安装压电元件的压电器件，目的是提供一种高质量高可靠性的SAW器件，该器件可以充分吸收由缝焊引起的热变形等的应力，进行接合状态良好的引线接合，能适应高频化和高精度化且振动特性和温度特性良好。该SAW器件在管壳(4)的基座(1)上安装SAW元件(5)，利用接合线连接其焊接区(10)和管壳的连接端子(11)，通过缝焊把盖(2)接合在基座上并进行气密密封，使用含有80～85重量％的树脂材料(15)和20～15重量％的薄片状导电填料(14)的导电性粘合剂(7)、或含有82.5～85重量％的树脂材料和17.5～15重量％的导电填料的导电性粘合剂，把SAW元件(5)粘合固定在基座的安装面(6)上。

Description

导电性粘合剂及使用该粘合剂安装压电元件的压电器件
技术领域
本发明涉及例如将表面声波(SAW：surface acoustic wave)元件等压电元件粘合固定在管壳内的压电器件的结构以及适合于粘合压电元件的导电性粘合剂。
背景技术
专利文献1：特开2003-110401号公报
专利文献2：特开平6-177701号公报
专利文献3：特开2002-16476号公报
以往，使用SAW元件的谐振器、滤波器、振荡器等SAW器件被广泛应用于各种电子设备，该SAW元件具有由形成于压电基板的表面上的叉指电极构成的IDT(叉指转换器)和反射器，并使用由IDT激励的表面声波。特别是，最近，在通信设备等领域中，要求适应通信高速化的SAW器件的高频化和高精度化。
一般情况下，SAW器件具有管壳，该管壳通过缝焊把金属制盖隔着密封圈气密地接合并密封在由陶瓷材料构成的基座上端，在该管壳中安装SAW元件。SAW元件利用粘合剂将其下表面粘合固定在基座内的空底面上，设在其上表面的电极连接用的各焊接区通过接合线分别与管壳内的对应的连接端子电连接。这是利用楔形焊接方法实现的，该方法使用普通铝类材料的接合线，在利用楔形工具对其进行加压的同时施加超声波振动，把其末端部接合在焊接区表面上(例如，参照专利文献1)。
金属制盖在进行缝焊时，由于其发热而达到约200～500℃的高温，在膨胀程度超过热膨胀率小的陶瓷制基座的热膨胀状态下进行熔融接合，而在气密密封后返回常温时，其收缩程度也超过基座。因此，在基座部分产生使其向下凸出变形的应力，并通过粘合剂传递给SAW元件，有可能对其特性造成影响。并且，粘合剂烘干硬化时会多少有些收缩，由此产生的应力作用于SAW元件。这些应力对SAW器件的高频化和高精度化来说是特别不利的。
因此，提出了仅将SAW元件的中央部粘合固定在管壳基座上、或者利用弹性粘合剂或通过缓冲材料进行粘合固定的SAW装置；以及具有以下结构的SAW装置：在管壳的空腔底面形成硅树脂层，并且使用硅树脂类弹性粘合剂将SAW元件粘合固定在其上，以吸收由缝焊引起的热变形等的应力(参照专利文献2和3)。
为了适应SAW器件的高频化和高精度化，要求粘合固定SAW元件的粘合剂具有能够充分吸收在其硬化后由缝焊引起的热变形和由粘合剂硬化时的收缩所产生的应力的柔软度、例如小于等于0.1Gpa的低弹性率。但是，以往用于粘合固定SAW元件的弹性导电性粘合剂，一般是以适当的比率例如77.5/22.5重量％在硅类树脂材料中添加形状和尺寸不同的三种导电填料，例如，颗粒直径为2.2～6.2μm的小颗粒状导电填料、颗粒直径为8.2～14.3μm的大颗粒状导电填料和长度为2.2～4.4μm的小薄片状导电填料而形成的。因此，实际上涂敷在基座安装面并硬化了的导电性粘合剂中不均匀地分布有这三种导电填料，而且在填料之间存在许多弹性树脂材料。
在利用楔形工具把接合线末端部向焊接区表面加压时，这种弹性导电性粘合剂有可能产生不必要的弹性变形，致使SAW元件下陷程度较大。利用楔形焊接法形成的接合线的接合状态受超声波的输出、施加给接合线的负荷、处理时间以及这些因素的平衡的影响，所以如果SAW元件的下陷程度过大，则施加给接合线的负荷和超声波振动消失，产生不能获得良好的接合状态的问题。
发明内容
本发明就是鉴于上述以往问题而提出的，其目的在于提供一种导电性粘合剂，可特别适应SAW器件的高频化和高精度化，充分吸收由缝焊引起的热变形等的应力，并且能够实现接合状态良好的引线接合。而且，本发明的目的在于，通过使用这种导电性粘合剂来粘合固定SAW元件或其他压电元件，可以提高引线接合的接合性，由此，提供能够实现高频化和高精度化，并可提高振动特性和温度特性的高质量且高可靠性的压电器件。
为了达到上述目的，根据本发明，提供一种导电性粘合剂，其含有80～85重量％的树脂材料和20～15重量％的导电填料，所述导电填料由薄片状导电填料构成。
这样，由于利用薄片状导电填料构成所有的导电填料，所以在制造压电器件的过程中，把压电元件加压粘合在粘合基座安装面上的导电性粘合剂上时，在硬化后的导电性粘合剂中，导电填料彼此接近并重合，存在于导电填料之间的树脂材料大大少于以往。因此，在对压电元件进行引线接合时，在利用楔形工具从上方加压的情况下，由于硬化后的导电性粘合剂的弹性变形小，压电元件的下陷程度大幅度减少，所以粘合性提高。因此，能够使接合线以良好的接合状态连接。
在某实施例中，如果所述薄片状导电填料是长度为4.3～6.0μm的薄片状银粉，则能够获得特别良好的接合性，所以是优选方式。
并且，根据本发明，提供一种导电性粘合剂，其含有82.5～85重量％的树脂材料和17.5～15重量％的导电填料，该导电填料由30重量％的小颗粒状导电填料和70重量％的大颗粒状导电填料构成。
这样，由于利用大小两种颗粒状导电填料构成导电填料，所以，同样，在制造压电器件的过程中，在把压电元件加压粘合在粘合基座安装面上的导电性粘合剂上时，在硬化后的导电性粘合剂中，导电填料以均匀分布的状态相互重合，以使小颗粒状导电填料填在相邻的大颗粒状导电填料之间。由此，使存在于导电填料之间的树脂材料少于以往，所以在对压电元件进行引线接合时，在利用楔形工具从上方加压的情况下，硬化后的导电性粘合剂能够确保足够的柔软度，并且可减少弹性变形。
在某实施例中，如果所述小颗粒状导电填料是颗粒直径为2.2～6.2μm的颗粒状银粉，并且所述大颗粒状导电填料是颗粒直径为8.2～14.3μm的颗粒状银粉，则能够获得特别良好的粘合性和柔软度，所以是优选方式。
另外，根据本发明的另一方面，提供一种压电器件，其具有压电元件和用于安装该压电元件的管壳，压电元件的下表面通过上述的本发明的导电性粘合剂被粘合固定在管壳的安装面上，压电元件的上表面的焊接区和管壳的连接端子通过接合线连接。
这样，通过采用压电元件利用本发明的导电性粘合剂进行粘合固定的结构，即使在为了对接合线进行楔形焊接而利用楔形工具向压电元件的焊接区表面施加较大负荷，压电元件也不会下陷得较大。因此，可以向接合线和焊接区的接合部施加足够的超声波振动和负荷。特别是在SAW器件的情况下，能够获得对应于其高频化和高精度化的足够的柔软度和良好的接合状态。
并且，在使用导电填料由大小两种颗粒状导电填料构成的导电性粘合剂的情况下，可以减少压电元件的下陷，并能够确保更足够的柔软度。因此，由于可以吸收因管壳变形或粘合剂的收缩等产生的应力以及由于落下等从外部施加给管壳的冲击，而且能够确保压电元件的良好动作和所期望的特性，所以可以获得高精度、高品质的压电器件。
在某实施例中，正如许多压电器件那样，管壳包括由具有压电元件的安装面的陶瓷材料构成的基座、和利用缝焊气密接合在该基座上的盖，在该情况下，即使基座因缝焊盖时产生的热膨胀差异而变形，也能排除该应力给压电元件带来的影响。
并且，在某实施例中，如果压电元件的焊接区和接合线由铝类材料构成，则适合于楔形焊接，所以是优选方式，并且从加工性良好和低成本的方面考虑也是优选方式。
另外，在某实施例中，压电元件是SAW元件，可以排除来自管壳的应力和来自外部的冲击可能给该SAW元件带来的影响，同时确保状态良好的引线接合，从而实现适应高频化和高精度化的SAW器件。
附图说明
图1(A)是表示应用了本发明的SAW器件的实施例的俯视图，(B)部是沿其I-I线的剖面图。
图2是表示在SAW元件的焊接区上进行引线接合的要领的部分放大剖面图。
图3(A)是概略性地表示在第1实施例的导电性粘合剂中硬化后的导电填料的状态的部分放大剖面图，(B)图是第2实施例的导电性粘合剂的相同部分放大剖面图，(C)图是以往的导电性粘合剂的相同部分放大剖面图。
图4是表示本实施例1、2和比较例的-55℃/125℃时的热循环试验的结果的曲线图。
图5是表示本实施例1、2和比较例的150℃放置试验结果的曲线图。
符号说明
1：基座；2：盖；3：密封圈；4：管壳；5：SAW元件；6：安装面；7、16：导电性粘合剂；8：叉指电极；9：反射器；10：焊接区；11：连接端子；12：接合线；13：楔形工具；14、17～19、21、22：导电填料；15、20：树脂材料。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的压电器件和导电性粘合剂的优选实施例。
图1(A)、(B)表示应用了本发明的SAW器件的实施例。该SAW器件具有管壳4，该管壳4通过缝焊把金属薄板的盖2隔着密封圈3气密接合在上部敞开的矩形箱状基座1的上端，在该管壳4中安装着SAW元件5。基座1是通过层叠由氧化铝等陶瓷材料构成的多个薄板而构成的。在基座内部划定的空底部的安装面6上，利用本发明的导电性粘合剂7粘合固定着SAW元件5。
SAW元件5在由石英、钽酸锂、铌酸锂等压电材料构成的矩形基板的上表面中央形成由一对叉指电极8、8构成的IDT，在其长度方向两侧形成格子状的反射器9、9。各叉指电极8、8在所述基板的长度方向边缘附近形成与其总线相连的焊接区10、10。本实施例的叉指电极、反射器和焊接区从加工性和成本方面考虑是用铝形成的，但除此以外，也可以使用一般常用的铝合金等导电性金属材料。
在基座1的内部，在SAW元件5的宽度方向的两侧设置高度差，在其上表面形成对应各焊接区10、10的连接端子11、11。对应于所述各焊接区的各连接端子分别通过接合线12、12电连接。为了防止因共熔而造成接合强度降低，本实施例的接合线使用和所述焊接区相同的导电材料的铝线。所述连接端子通过在基座1的陶瓷薄板表面丝网印刷例如W、Mo等金属布线材料，并且在其上电镀Ni、Au而形成，通过设在所述陶瓷薄板的布线图形和通孔(未图示)，与基座1外面的外部端子连接。
在通过机械清洁从其表面去除氧化膜后，使用利用加压和超声波振动的楔形焊接方法，连接接合线12和焊接区10、10。如图2所示，利用楔形工具13的下端以规定负荷把接合线12的末端部压到焊接区10的表面上，并施加超声波振动将两者接合。这样安装SAW元件5并进行接线后，在基座1的上端通过缝焊将盖2接合在密封圈3上，气密地密封管壳4。
本发明的第1实施例的导电性粘合剂7含有由80～85重量％的硅类树脂材料和20～15重量％的薄片状银粉构成的导电填料。对SAW元件5的下表面加压，将其粘合在涂敷于基座安装面6上的导电性粘合剂7上，在进行烘干使其硬化而固定时，如图3(A)所示，在导电性粘合剂7的层中，导电填料14相互接近排列并重合，所以存在于导电填料之间的树脂材料15变得非常少。因此，在为了进行引线接合而利用楔形工具13从上方对SAW元件5加压时，导电性粘合剂7的弹性变形小，SAW元件5被充分支撑，下陷大幅度减少，所以接合性提高，接合线总是以良好的接合状态连接。因此，导电性粘合剂7中含有的导电填料14优选只使用100％薄片状填料构成。但是，现实中有可能包含薄片状以外形状的填料，该情况下只要是实质上接近100％的比例，就能充分获得本发明的作用效果。
在本实施例中，使用导电填料由长度为4.3～6.0μm的薄片状银粉构成，硬化后的硬度小于等于6B、硬化后的弹性率小于等于0.1Gpa的导电性粘合剂。
由此可知，在接合线12的楔形焊接中，能够获得非常良好的接合性，同时，即使因缝焊的高热量使盖2发生热膨胀而导致基座1变形，或粘合剂7在硬化时收缩，实际上其应力也不影响SAW元件5的动作。因此，本发明的SAW器件可以在实现高频化和高精度化的同时，实现高质量和高可靠性。
与此相对，图3(C)表示粘合固定SAW元件5的导电性粘合剂16使用以往的硅类导电性粘合剂时的情况。该以往的硅类导电性粘合剂16是通过将例如由颗粒直径为2.2～6.2μm的小颗粒状导电填料17和颗粒直径为8.2～14.3μm的大颗粒状导电填料18及长度为2.2～4.4μm的小薄片状导电填料19构成的导电填料，以适当比例例如77.5/22.5重量％添加到硅类树脂材料20中而构成的，和本实施例相同，把硬化后的硬度设定为小于等于6B，硬化后的弹性率设定为小于等于0.1Gpa。
这样添加形状和尺寸不同的三种导电填料，并且树脂材料的含有量增多时，在导电性粘合剂16的层中，三种导电填料不均匀地分散分布，而且在导电填料之间存在许多硅类树脂材料。因此，在利用楔形工具向焊接区表面加压时，导电性粘合剂16的弹性变形大，SAW元件下陷较大，不能获得良好的接合状态。
本发明的第2实施例的导电性粘合剂7含有82.5～85重量％的树脂材料和17.5～15重量％的导电填料，该导电填料由30重量％的小颗粒状导电填料和70重量％的大颗粒状导电填料构成。将SAW元件5的下表面按压粘合在涂敷于基座安装面6上的导电性粘合剂7上，在进行烘干使其硬化而固定时，如图3(B)所示，在导电性粘合剂7的层中，导电填料以均匀分布的状态相互重合，使小颗粒状填料22填在相邻的大颗粒状导电填料21之间。所以，存在于导电填料之间的树脂材料15与以往比相当少。
因此，在为了进行引线接合而利用楔形工具13从上方对SAW元件5进行加压时，导电性粘合剂7的弹性变形小，SAW元件5被充分支撑，下陷减小，所以接合性提高，接合线总是以良好的接合状态连接。而且，与第1实施例的导电性粘合剂相比，导电填料之间的间隙大，能够存在更多的树脂材料15，所以可以确保足够的柔软度。因此，可以利用导电性粘合剂7吸收因管壳变形或粘合剂的收缩等产生的应力以及由于落下等来自外部的冲击，能够确保SAW元件5的良好动作和所期望的特性。特别是已经知道：如果小颗粒状导电填料21是颗粒直径为2.2～6.2μm的颗粒状银粉，并且大颗粒状导电填料22是颗粒直径为8.2～14.3μm的颗粒状银粉，则能够获得特别良好的接合性和柔软度。
另外，本发明不限于上述实施例，可以对其进行各种变形变更来进行实施，这对本行业人士来说是显而易见的。例如，导电性粘合剂的导电填料可以使用除银粉以外的各种公知物质。并且，同样可以应用于将SAW元件以外的压电元件安装于管壳内的各种压电器件，或音叉型等其他压电振动片。
实施例1
分别使用与图3(A)相关的上述本发明的第1实施例的导电性粘合剂制造了粘合固定有SAW元件的SAW谐振器(本实施例1)，以及使用与图3(B)相关的上述第2实施例的导电性粘合剂制造了粘合固定有SAW元件的SAW谐振器(本实施例2)。使SAW元件粘合于基座安装面上时的模片固定条件即加压力均为20+/-15g/cm2，导电性粘合剂的硬化条件是：本实施例1为180℃×1小时的N2烘干，本实施例2为280℃×3小时的真空烘干。接合线使用直径为40μm的Al/Si1％接合线，使用市场销售的全自动超声波楔型焊机，以加工时间为20ms、超声波输出为150W、加压力为50g的条件进行了楔型焊接。作为比较例，制造了结构和本实施例相同，但使用与图3(C)相关的所说明的以往的硅类导电性粘合剂的SAW谐振器。
对这些SAW谐振器进行-55℃下30分钟、125℃下30分钟的低温高温反复热循环试验，测定各SAW谐振器的频率变化量Δf/f(ppm)，进行了耐久性试验。其结果如图4所示。本实施例1的SAW谐振器的频率变化量大于比较例，并且其变化量即使在进行了1000次低温高温反复的情况下也大致恒定。本实施例2的SAW谐振器表现出和比较例大致相同的频率变化。
然后，对这些SAW谐振器进行在150℃下放置1000小时的试验，测定各SAW谐振器的频率相对时间变化的变化量Δf/f(ppm)，进行了耐久性试验。其结果如图5所示。本实施例1的SAW谐振器的频率变化量大于比较例，并且其变化量随时间的经过而逐渐少量增加。本实施例2的SAW谐振器表现出和比较例大致相同的频率变化，双方均在超过500小时时略微有所增加。
从这些试验结果可以推测出：本实施例1的SAW谐振器的导电性粘合剂比本实施例2和比较例硬，但同时表现出相对温度变化的良好的稳定性。并且，确认出本实施例2的SAW谐振器表现出和比较例大致相同的温度特性，具有足够的柔软度。
另外，对这些SAW谐振器，根据其接合强度，对接合线的接合状态进行了评价。对于接合强度，采用接合线拉伸试验对接合拉伸强度和损坏模式进行了测定。损坏模式是根据接合线的损坏部位，用A表示与管壳接合端子的界面剥离，用B表示在与管壳接合端子的接合部附近的切断，用C表示在接合线的拉伸位置的切断，用D表示在与SAW元件焊接区的接合部附近的切断，用E表示与焊接区的界面剥离。其结果如以下表1所示。
表1
比较例 本实施例1 本实施例2
拉伸强度 损坏模式 拉伸强度 损坏模式 拉伸强度 损坏模式
         1          7 E           24 B           21 D
         2          9 E           25 D           24 B
         3         11 E           27 B           25 B
         4          5 E           26 B           24 B
         5         12 E           25 D           26 D
         6         13 E           24 B           25 B
         7         10 E           25 B           23 B
         8          9 E           24 B           24 B
         9          4 E           25 D           23 B
        10          6 E           27 B           27 B
        11         14 E           26 B           25 B
        12         13 E           25 B           24 B
        13          8 E           25 B           28 D
        14         14 E           27 B           24 B
        15         13 E           23 D           26 B
        16         11 E           26 B           25 D
        17          6 E           25 B           24 B
        18          9 E           26 B           26 B
        19          5 E           24 D           21 D
        20         12 E           25 B           24 B
平均       9.55         25.2        24.45
标准偏差       3.24         1.11         1.73
在本实施例1和2中，可以获得平均大于等于比较例的两倍的拉伸强度，而且损坏模式是B或D。与此相对，比较例不仅拉伸强度小于等于一半，而且损坏模式全是E。由此可知通过采用本发明的导电性粘合剂，接合线可以获得足够的接合强度，实现良好的接合。

Claims (8)

1.一种导电性粘合剂，其特征在于，含有80～85重量％的树脂材料和20～15重量％的导电填料，所述导电填料由薄片状导电填料构成。
2.根据权利要求1所述的导电性粘合剂，其特征在于，所述薄片状导电填料是长度为4.3～6.0μm的薄片状银粉。
3.一种导电性粘合剂，其特征在于，含有82.5～85重量％的树脂材料和17.5～15重量％的导电填料，所述导电填料由30重量％的小颗粒状导电填料和70重量％的大颗粒状导电填料构成。
4.根据权利要求3所述的导电性粘合剂，其特征在于，所述小颗粒状导电填料是颗粒直径为2.2～6.2μm的颗粒状银粉，并且所述大颗粒状导电填料是颗粒直径为8.2～14.3μm的颗粒状银粉。
5.一种压电器件，具有压电元件和用于安装所述压电元件的管壳，所述压电元件的下表面通过权利要求1～4任意一项所述的导电性粘合剂被粘合固定在所述管壳的安装面上，所述压电元件的上表面的焊接区和所述管壳的连接端子通过接合线连接。
6.根据权利要求5所述的压电器件，其特征在于，所述管壳包括：由具有所述安装面的陶瓷材料构成的基座；和通过缝焊气密地接合在所述基座上的盖。
7.根据权利要求5或6所述的压电器件，其特征在于，所述压电元件的焊接区和所述接合线由铝类材料构成。
8.根据权利要求5～7任意一项所述的压电器件，其特征在于，所述压电元件是表面声波元件。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102217054A (zh) * 2008-11-25 2011-10-12 京瓷株式会社 晶片加热装置、静电卡盘以及晶片加热装置的制造方法
CN103237863A (zh) * 2010-12-20 2013-08-07 施敏打硬株式会社 导电性粘接剂
CN103546116A (zh) * 2012-07-16 2014-01-29 Eta瑞士钟表制造股份有限公司 设置有抗冲击固定装置的电子石英谐振器模块
CN107251253A (zh) * 2015-02-24 2017-10-13 株式会社村田制作所 压电振动部件和涂布方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1732219B1 (en) * 2005-06-09 2008-03-26 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Piezoelectric resonator and assembly comprising the same enclosed in a case
JP2007035965A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法、ならびにそれに使用される接着材料およびその製造方法
JP2007208516A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Epson Toyocom Corp 弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイス
TW200833752A (en) * 2006-10-23 2008-08-16 Lord Corp Highly filled polymer materials
JP4942566B2 (ja) * 2007-06-29 2012-05-30 富士通コンポーネント株式会社 タッチパネルの製造方法
US8193742B2 (en) * 2008-07-22 2012-06-05 Hunter Douglas Inc. Programmable motor for window coverings
KR101090377B1 (ko) 2009-04-07 2011-12-07 경원대학교 산학협력단 입자 물질 및 나노막대를 포함하는 어레이 구조체
US9935028B2 (en) 2013-03-05 2018-04-03 Global Circuit Innovations Incorporated Method and apparatus for printing integrated circuit bond connections
US9966319B1 (en) 2011-10-27 2018-05-08 Global Circuit Innovations Incorporated Environmental hardening integrated circuit method and apparatus
US10109606B2 (en) 2011-10-27 2018-10-23 Global Circuit Innovations, Inc. Remapped packaged extracted die
US10128161B2 (en) 2011-10-27 2018-11-13 Global Circuit Innovations, Inc. 3D printed hermetic package assembly and method
US10177054B2 (en) 2011-10-27 2019-01-08 Global Circuit Innovations, Inc. Method for remapping a packaged extracted die
US10147660B2 (en) 2011-10-27 2018-12-04 Global Circuits Innovations, Inc. Remapped packaged extracted die with 3D printed bond connections
US10002846B2 (en) 2011-10-27 2018-06-19 Global Circuit Innovations Incorporated Method for remapping a packaged extracted die with 3D printed bond connections
US9870968B2 (en) 2011-10-27 2018-01-16 Global Circuit Innovations Incorporated Repackaged integrated circuit and assembly method
JP6106148B2 (ja) 2013-11-27 2017-03-29 日東電工株式会社 導電性粘着テープ、電子部材及び粘着剤
JP6008063B1 (ja) * 2015-03-24 2016-10-19 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
KR102178530B1 (ko) 2015-06-15 2020-11-13 삼성전기주식회사 도전성 접착제 및 이를 이용한 수정 진동자 패키지
US10115645B1 (en) 2018-01-09 2018-10-30 Global Circuit Innovations, Inc. Repackaged reconditioned die method and assembly
CN110103745A (zh) * 2019-06-26 2019-08-09 北京有感科技有限责任公司 一种无线充电金属异物检测装置及检测方法
US11508680B2 (en) 2020-11-13 2022-11-22 Global Circuit Innovations Inc. Solder ball application for singular die

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5867074A (en) * 1994-03-02 1999-02-02 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave resonator unit, surface mounting type surface acoustic wave resonator unit
JP3308759B2 (ja) * 1995-04-10 2002-07-29 日本電気株式会社 弾性表面波装置
JP2001094390A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Toshiba Corp 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
DE60123917T2 (de) * 2000-07-12 2007-09-06 Kabushiki Kaisha Bridgestone Abgeschirmtes flachkabel
JP2002151999A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Nec Corp 弾性表面波フィルタ装置および弾性表面波フィルタを収容するためのパッケージ

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102217054A (zh) * 2008-11-25 2011-10-12 京瓷株式会社 晶片加热装置、静电卡盘以及晶片加热装置的制造方法
CN102217054B (zh) * 2008-11-25 2013-05-08 京瓷株式会社 晶片加热装置、静电卡盘以及晶片加热装置的制造方法
CN103237863A (zh) * 2010-12-20 2013-08-07 施敏打硬株式会社 导电性粘接剂
CN103237863B (zh) * 2010-12-20 2015-07-08 施敏打硬株式会社 导电性粘接剂
TWI559333B (zh) * 2010-12-20 2016-11-21 Cemedine Co Ltd Conductive adhesive
CN103546116A (zh) * 2012-07-16 2014-01-29 Eta瑞士钟表制造股份有限公司 设置有抗冲击固定装置的电子石英谐振器模块
CN103546116B (zh) * 2012-07-16 2016-10-05 Eta瑞士钟表制造股份有限公司 设置有抗冲击固定装置的电子石英谐振器模块
CN107251253A (zh) * 2015-02-24 2017-10-13 株式会社村田制作所 压电振动部件和涂布方法
CN107251253B (zh) * 2015-02-24 2019-11-05 株式会社村田制作所 压电振动部件和涂布方法

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Publication number Publication date
US20050085578A1 (en) 2005-04-21
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KR100631246B1 (ko) 2006-10-02
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KR20050016182A (ko) 2005-02-21

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