CN1472992A - 有机电致发光面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机电致发光(EL)面板，其能有效防止水分侵入到有机EL元件的上部空间。其特征为全面形成覆盖TFT的漏极电极(22)、源极电极(24)而由SiNx等的硅系氮化膜或TEOS膜所形成的水分阻挡层(26)。然后，在周边部对于此水分阻挡层(26)，通过密封材(52)将密封玻璃(50)进行粘合。通过水分阻挡层(26)即得以有效防止水分自外部侵入。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光(Electroluminescence；EL)面板，将矩阵配置的有机EL元件、与用于驱动这些有机EL元件的多个薄膜晶体管设置于基板上，且在此基板的周边部分，将配置有机EL元件的像素区域的上方加以密闭的密封面板进行粘合。
背景技术
目前，作为平面显示器面板之一，已知有有机EL显示器面板。该有机EL显示器面板与液晶显示器(Liquid Crystal Display；LCD)面板不同，其为自发光，故被期待能普及成为一种明亮而易于观看的平面显示器面板。
此有机EL显示器以有机EL元件为像素，而将此像素配置构成多个矩阵状。此外，就此有机EL元件的驱动方法而言，虽与LCD同样地具有无源方式与有源方式，但与LCD同样地以有源矩阵方式为佳。换言之，即是在每一像素设置开关元件(通常为开关用与驱动用的两个)，控制该开关元件，并控制各像素的显示的有源矩阵方式，此方式与在每一像素不具有开关元件的无源方式相比，更能够实现高精密度的画面，故极为理想。
在此，有机EL元件通过在有机发光层流通电流而使有机EL元件发光。此外，为与此有机发光层相邻接而有助于发光，大多设置有由有机材料所构成的空穴传输层及电子传输层的情况。这些有机层将由于水分而易于恶化。
因此，在有机EL显示器上，除了用金属制的阴极将有机EL元件的上方进行覆盖之外，并同时将配置有机EL元件的显示区域(像素的存在区域)的上方空间作为气密的空间，并于此空间配置干燥剂将水分去除。
但是，在此种现有的有机EL显示器面板中，其使用年限大多不长。针对此点，经研究后结果发现大多由于有机EL元件的上部空间不够干燥所致。即，无法充分有效的防止来自外部的水分的侵入所致。
发明内容
本发明是有鉴于上述问题而研创的，其目的在于提供一种能够有效防止水分侵入到有机EL元件的上部空间的有机EL面板。
本发明是一种有机EL面板，将矩阵配置的有机EL元件、与用于驱动这些有机EL元件的多个薄膜晶体管设置于基板上，且在此基板的周边部分，将配置有机EL元件的像素区域的上方加以密闭的密封面板进行粘合，其特征在于：在上述基板的上面形成硅系氮化膜或硅系氧化膜，且通过密封材将此硅系氮化膜或硅系氧化膜进行粘接于密封面板的方式，进行基板与密封面板间的密封。
因此，依据本发明，设置硅系氮化膜或硅系氧化膜，并通过此与密封材而将有机EL面板的内部空间与外部进行区隔。目前，由设置在薄膜晶体管上的有机物质所构成的平坦化膜，存在于密封材的下方，因此会有水分透过此平坦化膜而从外部侵入之虑，但依据本发明通过硅系氮化膜则可确实解决此种问题。
此外，上述有机EL元件形成于基板上的上述薄膜晶体管更上方，而上述硅系氮化膜或硅系氧化膜则以覆盖上述薄膜晶体管的上方而形成为最优选。
此外，当上述密封材的下方存有薄膜晶体管的源极或漏极电极时，则设置覆盖其上方的电极保护层，且用密封材将此电极保护层进行覆盖为最优选。
如此，通过以缓冲材覆盖薄膜晶体管的方式，将可解除由于薄膜晶体管的电极在硅系氮化膜或硅系氧化膜所产生的高低差的不良影响。
附图说明
图1是表示实施方式的构成的主要部分的剖视图。
图2是表示另一实施方式的密封材部分的剖视图。
图3是表示又一实施方式的密封材部分的剖视图。
符号说明：26水分阻挡层，52密封材。
具体实施方式
以下，以附图说明本发明的实施方式。
图1是表示实施方式的一的主要部分剖视图。在玻璃基板10上，为了防止杂质从玻璃基板10侵入，而全面形成依SiO2、SiONx的顺序所层压的两层的绝缘膜12。在此绝缘膜12上的主要部分形成多个薄膜晶体管。在此图中，表示作为薄膜晶体管的第二TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)，其是控制电源线供给有机EL元件的电流。另外，在各像素中设有第一TFT，其是为控制将来自数据线的电压储存为电容，第二TFT则按照储存在电容的电压而导通，控制由电源线流向有机EL元件的电流。
在绝缘膜12上形成有由多晶硅构成且形成活性层的半导体层14，并形成有由覆盖此半导体层14而依SiO2、SiNx顺序层压的两层膜所构成的栅极绝缘膜16。在半导体层14的中间部分的上方，形成有隔着栅极绝缘膜16而由Mo等所构成的栅极电极18，并形成有由覆盖此栅极电极18而依SiNx、SiO2顺序层压的两层绝縁膜所构成的层间绝缘膜20。此外，在半导体层14的两端侧，则于层间绝缘膜20以与栅极绝缘膜16形成接触孔，例如形成铝的漏极电极22与源极电极24。
然后，并覆盖层间绝缘膜20以及漏极电极22、源极电极24，全面形成由SiNx或TEOS(硅酸四乙酯)膜所构成的水分阻挡层26。
此外，在此水分阻挡层26之上，形成有由丙烯酸酯树脂等的有机材料所构成的第一平坦化膜28，且于该第一平坦化膜28上形成有ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等的透明电极30以作为每一像素的有机EL元件的阳极。
此透明电极30的一部分到达源极电极24上，并也形成在将设置在此的源极电极的上端进行露出的接触孔内面上。由此，而使源极电极24与透明电极30直接连接。
透明电极30的发光区域以外的像素区域的周边部由与第一平坦化膜28同样的有机物质所构成的第二平坦化膜32所覆盖。
然后，在第二平坦化膜32以及透明电极30的上方全面形成空穴传输层34。在此，由于第二平坦化膜32在发光区域开口，故空穴传输层34在发光区域与作为阳极的透明电极30直接接触。此外，在此空穴传输层34之上，使若干大于发光区域且依每一像素分割的发光层36、电子传输层38以此顺序加以层压，再于其上形成有铝等的阴极40。
因此，当第二TFT导通时，则使电流隔着源极电极24供给至有机EL元件的透明电极30，且使电流流动于透明电极30、阴极40间，并使有机EL元件根据电流而发光。
然后，在本实施方式中，绝缘膜12、栅极绝缘膜16、层间绝缘膜20、以及水分阻挡层26虽全面地形成到达玻璃基板10上的周边，但第一平坦化膜28、第二平坦化膜32、空穴传输层34、以及阴极40在到达周边之前形成终端。换言之，如图所示，相对于玻璃基板10，将密封玻璃50进行粘合的密封材52粘合于玻璃基板10上的水分阻挡层26。
在密封材52中采用环氧树脂等的UV(Ultraviolet，紫外线)固化树脂，且使此UV固化树脂直接粘合于水分阻挡层26。此水分阻挡层26由SiNx等硅系氮化膜所形成，并不会将来自外部的水分传导至内侧。由此，即可有效地防止来自外部的水分侵入到密封玻璃50的内部空间。
在现有的构成中，其第一、第二平坦化膜28、32也在玻璃基板10上形成至密封材52的下方。这些第一、第二平坦化膜28、32由丙烯酸酯树脂等有机物质所形成，而这些物质的吸湿性大于SiNx等，因此易于将水分导入到面板内部。在本实施方式中，通过防水性较高的SiNx等硅系氮化膜覆盖内部的薄膜晶体管(TFT)，由此，基本上能以此水分阻挡膜26、密封材52、密封玻璃50而将有机EL元件的存在的空间进行包围，有效地防止水分到达此有机EL元件。
图2是表示另一实施方式的构成。在此实施方式中，使第一平坦化膜28的一部分存在于密封材52的内部。即，在配置密封材52的玻璃基板10的周边部分，大多配置有驱动电路，而此驱动电路也含有多个的薄膜晶体管(TFT)。此驱动用的薄膜晶体管与通常设置于每一像素的第一、第二TFT以同一工序形成在玻璃基板10上。因此，在密封材52的下方，大多存有薄膜晶体管，而此时薄膜晶体管的电极60突出于层间绝缘膜20上，且也在覆盖此层间绝缘膜20的水分阻挡层26产生高低差。虽然将水分阻挡层26形成得非常厚就不会有问题，但在实用上却无法形成太厚，而会产生与电极60的形状相对应的高低差，且在此高低差部上也将产生无法充分覆盖电极60的情况。
因此，在本实施方式中，为覆盖水分阻挡层26的高低差，而针对电极60的空间，将第一平坦化膜28的一部分形成为电极保护层。由此即可用第一平坦化膜28而覆盖水分阻挡层26的高低差部，而可补偿由于电极60所产生的水分阻挡层26的构造缺陷。
此外，图3是表示又一实施方式的构成。在此构成中为了覆盖由于水分阻挡层26的电极60所形成的高低差部，而使透明电极30的一部分残留作为电极保护层。即，在形成透明电极30时，形成部分覆盖电极60的周围上方的水分阻挡层26。由此，即可补偿由于电极60所产生的水分阻挡层26的构造缺陷。
发明效果
综上，依据本发明，设置硅系氮化膜或硅系氧化膜，并通过此与密封材而将有机EL面板的内部空间与外部进行区隔。目前，由设置在薄膜晶体管上的有机物质所构成的平坦化膜存在于密封材的下方，因此会有水分透过此而从外部侵入之虑，但依据本发明通过硅系氮化膜或硅系氧化膜则可确实解决此种问题。
因此，通过以缓冲材覆盖薄膜晶体管的方式，将可解除由于薄膜晶体管的电极在硅系氮化膜或硅系氧化膜所产生的高低差的不良影响。
Claims (3)
1.一种有机电致发光面板，将矩阵配置的有机电致发光元件与用于驱动这些有机电致发光元件的多个薄膜晶体管设置于基板上，且在此基板的周边部分，将配置有机电致发光元件的像素区域的上方加以密闭的密封面板进行粘合，其特征在于：
在所述基板的上面形成硅系氮化膜或硅系氧化膜，且通过密封材将此硅系氮化膜或硅系氧化膜进行粘接于密封面板的方式，进行基板与密封面板间的密封。
2.如权利要求1所述的有机电致发光面板，其特征在于：
所述有机电致发光元件形成于基板上的所述薄膜晶体管更上方，而所述硅系氮化膜或硅系氧化膜则为覆盖所述薄膜晶体管的上方而形成。
3.如权利要求1或2所述的有机电致发光面板，其特征在于：
当所述密封材的下方存有薄膜晶体管的源极或漏极电极时，则设置覆盖其上方的电极保护层，且用密封材将此电极保护层进行覆盖。
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