CN1445871A - 薄膜压电元件及其制造方法和使用该压电元件的执行元件 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 158
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 105
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 103
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 103
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 43
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 76
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 348
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 111
- 230000008569 process Effects 0.000 description 64
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 39
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 38
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 35
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 9
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 3
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- -1 and for example Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N30/082—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
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- G11B5/4873—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives the arm comprising piezoelectric or other actuators for adjustment of the arm
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- G11B5/484—Integrated arm assemblies, e.g. formed by material deposition or by etching from single piece of metal or by lamination of materials forming a single arm/suspension/head unit
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
一种薄膜压电元件及其制造方法和使用该薄膜压电元件的执行元件。在本发明的执行元件中，压电体膜由主电极膜和对向电极膜夹着的第一及第二结构体分别形成在两个基板上。第一主电极膜2和第一对向电极膜5分别具有突出部211、511，第二对向电极膜15具有突出部151。具有对粘接上述两个结构体的结构体和突出部211及第二主电极膜12之间、以及突出部511与突出部151之间进行连接的连接配线9。这样，可提供可进行高精度位置控制的执行元件。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜压电元件及其制造方法和使用该薄膜压电元件的执行元件。
背景技术
近年来，随着半导体技术的进步，正在努力实现可利用半导体制造技术而大幅度小型化的微型机，微型执行元件等机械性电气元件已经登场。这种源极可实现高精度的机械机构部件，且通过使用半导体技术，可大幅度改善其生产率。尤其是，使用压电元件的微型执行元件被用作扫描型隧道显微镜的微小变位用或磁盘记录再生装置的磁头滑块的微小定位用等。
例如，在磁盘再生记录装置中，对磁盘进行信息记录再生的磁头搭载于磁头滑块上，该磁头滑块安装在传动臂上，通过由音圈电机(下称VCM)使传动臂摆动，将磁头定位在磁盘上规定的磁道上，进行记录再生。虽然可提高记录密度，但是，这种现有的仅用VCM进行的定位却不能确保足够的精度。因此，提出了在VCM定位机构的基础上，利用使用了压电元件的微小定位机构微小地驱动滑块，进行高精度定位的技术方案(例如超高TPI化和负荷执行元件(IDEMA Japan News No.32、pp4-7、国际磁盘驱动器协会发行))。
这样，使用压电元件的执行元件的各种应用被期待，但是，目前大多采用了以原料片层积方式或厚膜多层形成方式形成多层化的结构(例如特开平6-224483号公报)。但是，这些制造方法制造的压电元件的一层的厚度是数十μm左右，故需要100V左右的驱动电压。
与此相对，特开平8-88419公开了一种小型、可低压驱动且变位量大的薄膜积层型执行元件及其制造方法。也就是说，在氧化镁、钛酸锶或蓝宝石等单晶基板上形成白金、铝、金或银等的电极层和由锆钛酸铅(PZT)或锆钛酸铅镧(PLZT)等压电材料构成的压电层，然后形成与上述材料同样的电极层。在该膜上形成玻璃或硅构成的接合层，制作压电部件。
然后，利用阳极接合法，通过反复进行下述工序形成层积多层的积层体：经由接合层将压电部件相互接合的工序；通过研磨等除去其后要进一步进行层积的一侧的基板，在露出的电极层上形成接合层的工序；将该接合层与其他压电部件的接合层以上述顺序接合并再次除去基板的工序。然后，将该积层体中的内层电极交替自两侧取出，实现积层型执行元件。在该制造方法中，基板的除去是在研磨后进行蚀刻处理，不产生残留部分，另外，作为压电部件相互间的接合方法不仅是阳极接合法，也可以使用表面活化接合法或粘接剂接合法。
但是，在上述例子中，要自多层层积压电部件的积层体的两个侧面部经绝缘层形成外部电极，故至少该外部电极的形成需要一个个积层体逐个进行，在批量生产方面存在问题。而由于是产生垂直于基板面的方向的变位，故不适于用作磁盘记录再生装置的磁头滑块的微小执行元件的结构。
发明内容
本发明的目的在于提供一种薄膜压电元件及其制造方法和使用该薄膜压电元件的执行元件。在两层结构的薄膜压电元件的制作中，可改善压电薄膜蚀刻时的形状再现性，防止夹着压电薄膜的电极间的短路等缺陷的发生，其不存在压电特性的偏差且适于高成品率地进行批量生产。
本发明的薄膜压电元件至少包括：结构体，其中，第一压电薄膜由第一主电极膜和第一对向电极膜夹持，第一主电极膜和第一对向电极膜具有被引出到第一主电极膜成形面上的突出部，第二压电薄膜与第一压电薄膜呈镜面对称形状，由第二主电极膜和第二对向电极膜夹持，第二对向电极膜具有被引出到第二主电极膜成形面上的突出部，第一对向电极膜和第二对向电极膜相对粘接；
绝缘树脂层，形成于该结构体的外周部；
连接配线，在绝缘树脂层上环绕，将第一主电极膜的突出部和第二主电极膜之间以及第一对向电极膜的突出部和第二对向电极膜的突出部之间电连接。
通过采用这种结构，可使对向粘接的压电薄膜的形状相同，故可使向这些压电薄膜上施加电压时的变位量相同。其结果，可得到相对于伸缩动作翘曲或弯曲不易重叠的压电特性，可得到高精度的执行元件。因此，可消除伴随蚀刻而发生的侧壁附着物等残留杂质，防止电极间的短路等缺陷的发生，可实现成品率高、批量生产性好的薄膜压电元件。另外，由于形成用绝缘树脂层或层间绝缘膜保护压电薄膜的结构，故具有提高环境耐受性的效果。
附图说明
图1是将本发明的薄膜压电元件成对使用的执行元件的平面图；
图2是说明图1的执行元件的动作的示意图；
图3是使用图1的执行元件的磁盘记录再生装置的主要部分立体图；
图4A是沿图1的X-X线的执行元件的剖面图；
图4B是沿图1的X-X线的仅薄膜压电元件的剖面图；
图5A是本发明实施例1的制造方法中在第一基板上形成压电图形用保护层前的工序说明图；
图5B是上述制造方法中形成第一主电极图形用保护层前的工序说明图；
图5C是上述制造方法中蚀刻第一主电极膜2之前的工序说明图；
图5D是上述制造方法中形成第一层间绝缘膜前的工序说明图；
图5E是上述制造方法中形成第一对向电极膜前的工序说明图；
图5F是上述制造方法中形成粘接层前的工序说明图；
图6A是本发明实施例1的制造方法中在第二基板上形成压电图形用保护层后的形状剖面图；
图6B是上述制造方法中形成第二主电极图形用保护层后的形状剖面图；
图6C是上述制造方法中蚀刻第一主电极膜2之后的形状剖面图；
图6D是上述制造方法中形成第二层间绝缘膜后的形状剖面图；
图6E是上述制造方法中形成第二对向电极膜后的形状剖面图；
图6F是上述制造方法中形成粘接层后的形状剖面图；
图7A是本发明实施例1的制造方法中粘接第一压电薄膜和第二压电薄膜的工序说明图；
图7B是上述制造方法中形成绝缘树脂层图形保护层并蚀刻绝缘树脂层及粘接层的工序说明图；
图7C是上述制造方法中将在各电极膜分别形成开口部的结构体一个个分离的工序说明图；
图8A是本发明实施例1的制造方法中形成各电极的连接配线的工序说明图；
图8B是在上述制造方法中除去基板和树脂构成薄膜压电元件的工序说明图；
图9A是本发明实施例2的制造方法中在第一基板上形成压电薄膜图形用保护层前的工序说明图；
图9B是上述制造方法中形成第一压电薄膜的工序说明图；
图9C是上述制造方法中形成第一对向电极膜的工序说明图；
图9D是上述制造方法中同样形成绝缘树脂层和粘接层的工序说明图；
图10A是本发明实施例2的制造方法中在第二基板上形成第二压电薄膜图形用保护层前的工序说明图；
图10B是上述制造方法中形成第二压电薄膜的工序说明图；
图10C是上述制造方法中蚀刻第二对向薄膜的工序说明图；
图10D是上述制造方法中同样形成绝缘树脂层和粘接层的工序说明图；
图11A是本发明实施例2的制造方法中粘接第一对向薄膜和第二对向薄膜的工序说明图；
图11B是上述制造方法中为了将结构体一个个分离而形成绝缘树脂层图形用保护层的工序说明图；
图12A是本发明实施例2的制造方法中在各电极形成连接配线的工序说明图；
图12B是在上述制造方法中将结构体一个个分离的工序说明图；
图13A是在本发明实施例3的制造方法中形成于第一基板上的结构体的剖面图；
图13B是上述制造方法中形成于第二基板上的结构体的剖面图；
图13C是上述制造方法中粘接第一基板上的结构体和第二基板上的结构体的工序说明图；
图14A是本发明实施例3的制造方法中为了将各结构体一个个分离而形成绝缘树脂层图形用保护层的工序说明图；
图14B是上述制造方法中在各电极形成连接配线前的工序说明图；
图14C是上述制造方法中将各结构体一个个分离的工序说明图；
图15A是来自本发明的一对薄膜压电元件的连接电极底座仅有两个的执行元件的结构平面图；
图15B是上述执行元件的配线连接结构部分的放大图；
图16A是本发明的实施例4的制造方法中形成图15A的X1-X1剖面中的主突出电极的工序说明图；
图16B是上述制造方法中形成图15A的X2-X2剖面中的主突出电极的工序说明图；
图16C是上述制造方法中形成图15A的X1-X1剖面中的层间绝缘膜的工序说明图；
图16D是上述制造方法中形成图15A的X2-X2剖面中的层间绝缘膜的工序说明图；
图17A是本发明的实施例4的制造方法中在第一基板上形成与对向电极电性配线的工序的图15A的X1-X1剖面的说明图；
图17B是上述制造方法中在第一基板上形成与对向电极电性配线的工序的图15A的X2-X2剖面的说明图；
图18A是本发明实施例4的制造方法中在第二基板上形成与对向电极电性配线的工序的图15A的X1-X1剖面的说明图；
图18B是上述制造方法中在第二基板上形成与对向电极电性配线的工序的图15A的X2-X2剖面的说明图；
图19A是本发明实施例4的制造方法中粘接第一基板上的结构体和第二基板上的结构体的工序的图15A的X1-X1剖面的说明图；
图19B是上述制造方法中粘接第一基板上的结构体和第二基板上的结构体的工序的图15A的X2-X2剖面的说明图；
图20A是本发明实施例4的制造方法中形成连接配线的工序的图15A的X1-X1剖面的说明图；
图20B是上述制造方法中形成连接配线的工序的工序的图15A的X2-X2剖面的说明图；
图21A是本发明实施例5的制造方法中形成在第一基板上形成有嵌合部的结构体的工序的说明图；
图21B是上述制造方法中形成在第二基板上形成有嵌合部的结构体的工序的说明图；
图21C是上述制造方法中用各嵌合部进行对位并粘接第一基板上的结构体和第二基板上的结构体的工序的说明图。
具体实施方式
下面参照附图详细说明本发明的实施例。
图1表示把本发明实施例1的薄膜压电元件作为一对构成的执行元件的平面图。该执行元件在磁盘记录再生装置中用于将磁头滑块在磁盘上规定的磁道位置高精度定位。图1所示的执行元件具有两个薄膜压电元件541、542。这一对薄膜压电元件541、542具有相对于A-A’线相互成镜像关系的结构，利用粘接树脂层(未图示)粘接固定在薄片60上。粘接固定后，例如用引出线67连接设于薄膜压电元件541、542的连接电极底座28和设于薄片60的压电电极底座64，构成用于对磁头进行微小定位的执行元件。
薄片60具有自粘接薄膜压电元件541、542的区域延伸、用于固定磁头滑块(未图示)的滑块保持部61。在该滑块保持部61上设有用于和磁头滑块(未图示)上搭载的磁头(未图示)的配线部连接的磁头电极底座62。磁头电极配线63自该磁头电极底座62开始在薄膜压电元件541、542之间的薄片60上回绕，与自压电元件电极底座64回绕的压电元件电极配线65同样回绕至与外部设备的连接底座(未图示)
下面说明这种结构的执行元件的动作。若向一对薄膜压电元件541、542分别施加相反极性的电压，如图2所示，则当一侧的薄膜压电元件541伸长时，另一侧的薄膜压电元件542就收缩。这两者的平行方向的逆变位作用于滑块保持部61，滑块保持部61受其合力而向Y-Y’方向微动。通过高精度地控制这种微动，可将磁头在磁盘(未图示)上的规定磁道位置高精度定位。例如假定薄膜压电元件54A、542各自的压电薄膜厚度为2.5μm，在各主电极膜和对向电极膜之间施加5伏的电压，则可使Y-Y’方向磁头的变位量为±0.8μm。
图3表示使用该执行元件的磁盘记录再生装置的主要部分立体图。磁盘902固定在主轴901上，利用旋转装置903以规定转速驱动旋转。该旋转装置通常使用主轴电动机。在磁盘面侧设有薄片(未图示)的悬浮体906固定于臂907上，该臂907由轴承部908旋转自如地支承。磁头滑块904和由一对压电元件构成的执行元件905固定在薄片(未图示)上。利用第一定位装置909摆动臂907，将磁头滑块904定位于磁盘902的规定的磁道位置。在目前的磁盘记录再生装置中，仅有该第一定位装置909，但本实施例中还由上述的安装于薄片上的执行元件905使磁头滑块904微动。该执行元件905的微动可由施加在压电元件上的电压控制，故即使在微小的磁道位置也可充分跟踪，可进行更高精度的记录再生。另外，磁盘记录再生装置由箱体910和未图示的盖覆盖其整体。
图4A及图4B表示构成该执行元件的薄膜压电元件541、542的剖面结构。图4A表示沿图1的X-X’线的剖面形状，图4B仅表示薄膜压电元件541、542的断面形状。
由第一主电极膜2和第一对向电极膜5夹着的第一压电薄膜3以及由第二主电极膜12和第二对向电极膜15夹着的第二压电薄膜13利用粘接层20粘接。
第一对向电极膜5的局部通过第一层间绝缘膜4自第一压电薄膜3的侧面部至与第一主电极膜2同一面上且与第一主电极膜2的第一主电极膜突出部211相反侧的位置延伸设置，形成第一对向电极膜突出部511。第二对向电极膜15也同样，其局部通过第二层间绝缘膜14自第二压电薄膜13的侧面部至与第二主电极膜12同一面上且与第一对向电极膜5的第一对向电极膜突出部511同一侧的位置延伸设置，形成第二对向电极膜突出部151。
粘合这些压电薄膜相互间时的空间部由绝缘树脂层6充填。覆盖该绝缘树脂层6和第二主电极膜12形成第三层间绝缘膜7。在用光致蚀刻工艺对各电极膜的规定部分的第三层间绝缘膜7开口后，形成第一连接配线8和第二连接配线9，分别连接第一主电极膜2和第二主电极膜12、第一对向电极膜5和第二对向电极膜15。该第一连接配线8和第二连接配线9兼作用于和薄片60上的压电体电极底座64连接的连接电极底座28。由这种结构构成薄膜压电元件541、542。该一对薄膜压电元件54A、542利用粘接树脂层58粘接固定在薄片60上。该粘接树脂层58可用市售的一液性常温硬化型环氧树脂或二液性粘接剂等。
另外，虽然有时也会形成保护第一连接配线8和第二连接配线9的绝缘保护膜，在规定部分设置开口，构成连接电极底座28，但是本实施例的薄膜压电元件采用不设该绝缘保护膜的结构。
由图1和图4A及图4B可知，第一压电薄膜3和第二压电薄膜13形状大致相同。也就是说，这些压电薄膜具有同一形状，其通孔或由蚀刻形成的断面形状也没有不同，故压电薄膜的重量和重心位置一致。因此，可以使相对于施加电压的、第一压电薄膜3和第二压电薄膜13的变位大小及变位方向一致，可得到高精度且变位量大的执行元件用薄膜压电元件。通过采用这种结构，一对薄膜压电元件各自可得到相对于伸缩动作翘曲或弯曲难于重叠的结构。而且，通过将它们作为一对使用，当使一方伸长另一方收缩时，可相对于伸缩方向高精度地产生大致直角方向的变位。另外，通过用第一定位装置以与现有技术同样的精度进行定位，并用第二定位装置进行纳米级的微小定位，即使磁盘的磁道间距很微小，也可充分追踪，可实现记录密度更大的磁盘记录再生装置。
下面，参照附图说明本发明的薄膜压电元件的制造方法。
图5A～图8B是表示本发明实施例1的制造方法的工序图。在本实施例中，以制造上述一对薄膜压电元件的情况为例进行说明。为了便于理解配线连接结构，利用图1的沿X-X线的剖面形状进行说明。
首先，用图5A～图5F说明第一基板1上的膜的形成及加工。图5A表示在第一基板1上层积第一主电极膜2和第一压电薄膜3并为将该第一压电薄膜3蚀刻加工成规定形状而形成第一压电体图形用保护层30的状态。
但为了得到具有良好压电特性的第一压电薄膜3，例如，作为第一基板1使用氧化镁单晶基板(MgO基板)，作为第一主电极膜2只要利用喷镀在该MgO基板上形成C轴取向的白金膜(Pt膜)，并在该Pt膜上利用喷镀形成具有压电性的锆钛酸铅(PZT)膜即可。另外，通过在该PZT膜形成时将MgO基板的温度定为约600℃进行成膜，可得到在垂直膜面方向极化取向的PZT膜。另外，作为第一基板1不仅可以使用MgO基板，也可使用钛酸锶基板、蓝宝石基板或硅单晶基板(Si基板)。第一主电极膜2不仅可以使用Pt膜，也可以使用金(Au)、铱(Ir)、铑(Rh)、钌(Ru)、银(Ag)、铼(Le)及钯(Pd)中的任一金属或其氧化物。并且，压电薄膜不仅可使用PZT，也可使用钛锆酸铅镧(PLZT)、钛酸钡(BT)等。
用第一压电体图形用保护层30为掩模对第一压电薄膜3进行蚀刻，该蚀刻可以是干式蚀刻也可以是湿式蚀刻。尤其是，湿式蚀刻装置简单且短时间就可进行，故有利于提高量产性。在湿式蚀刻PZT膜时，可使用氟酸和硝酸的混合液、氟酸和硝酸及醋酸的混合液或将这些混合液用纯水稀释后的液体。该蚀刻中，由于压电薄膜仅是一层，故可以减小边缘腐蚀现象，因此可大幅度降低蚀刻引起的形状偏差。
这样，在蚀刻第一压电薄膜3后，为了将第一主电极膜2加工成规定形状，形成如图5B所示的第一主电极图形用保护层31。此时，还同时形成粘合第一基板1和后述的第二基板11上形成的图形相互间时用于定位的第一标识用保护层312。不过，该标识在用其他方法进行对位时也可以不形成。
第一主电极膜2作为整体形状至少大于第一压电薄膜3，且其一部分具有比该第一压电薄膜3更突出的第一主电极膜突出部211。这是为了，防止第一压电薄膜3暴露在除去第一基板1时的药液中而劣化的情况和在第一主电极膜突出部211进行与第二主电极膜12的连接。另外，利用第一主电极膜2，第一标识14也同时通过蚀刻制作。图5C表示对第一主电极膜2进行蚀刻的形态。在蚀刻第一主电极膜2时，由于其膜厚比第一压电薄膜3薄，故无论干式蚀刻还是湿式蚀刻均没有特殊问题，可根据电极膜的材料自由选择。
然后，在第一压电薄膜3上的形成第一对向电极膜5的区域和第一主电极膜突出部211上除去规定区域外的区域，形成第一层间绝缘膜4。这可以通过用例如感光性聚酰亚胺由旋转镀等方法进行涂敷，并通过曝光、显影得到规定的形状。这示于图5D。另外，该第一层间绝缘膜4不仅可以用感光性聚酰亚胺，也可以用非感光性聚酰亚胺或高分子树脂等有机树脂材料、氧化硅等无机物绝缘材料，通过涂敷或化学气相成长法(CVD法)以及喷镀法等形成，并通过刻蚀加工图案来使用。
然后，如图5E所示，形成与第一压电薄膜3形状大致相同的第一对向电极膜5。该第一对向电极膜5的一部分在设于第一压电薄膜3的侧面部的第一层间绝缘膜4上绕回并延伸至第一基板1面上，形成第一对向电极膜突出部511。该第一对向电极膜突出部511如图所示形成于与第一主电极膜突出部211相反侧的部位上，而且，由第一层间绝缘膜4绝缘，故不会和第一主电极膜2短路。
这样，在第一压电薄膜2的两面具有电极膜，这些电极膜可得到在第一基板1上分别具有突出部的形状。形成这种形状后，如图5F所示，形成与第一对向电极膜5的高度大致相同的厚度的绝缘树脂层6。然后，在包括该绝缘树脂层6和第一对向电极膜5的基板整个面上涂敷粘接剂，形成粘接层204。
第一对向电极膜5具有良好的导电性，只要可选择性蚀刻，就可使用金属单层膜或合金膜，也可是在这些材料上层积金(Au)、银(Ag)或铜(Cu)等材料的多层膜结构。
绝缘树脂层6可采用如下形成的膜，用旋转器涂敷例如液体状的预酰亚胺树脂溶液，并在120℃下干燥，然后，在250℃下加热使其形成聚酰亚胺的膜。不仅如此，也可涂敷并热硬化或光硬化其他有机高分子材料而形成。不过，如图可知，该绝缘树脂层6由于与第一主电极膜2和第一对向电极膜5都接触，故不仅要求有足够的电绝缘性，而且要求必须是可蚀刻加工为规定形状的材料。另外，该绝缘树脂层6即使局部形成在第一对向电极膜5上也没有特别的问题。
粘接层204可使用与用于绝缘树脂层6的同样的液体状预酰亚胺树脂溶液。该粘接层204只要是粘接后不具有弹性的材料即可，可使用通常使用的环氧树脂系或丙烯酸系粘接剂等，也可使用具有粘接性的其他有机树脂或光致抗蚀剂。在热硬性环氧树脂等反应性树脂的情况下，为了抑制制造工序中的硬化进行，可在第一基板1上涂敷主剂，在第二基板11上涂敷硬化剂这样分开涂敷。
下面，参照图6A～图6F说明第二基板11上的膜的形成和加工。图6A是在第二基板11上层积第二主电极膜12和第二压电薄膜13后，为将第二压电薄膜13加工成规定形状而形成第二压电图形用保护层32的状态。
第二主电极膜12和第二压电薄膜13可在由与图5A～图5F所示的第一基板1相同的材料构成的第二基板11上，分别用与第一主电极膜2及第一压电薄膜3同样的材料和成膜方式形成。第二压电图形用保护层32形成与第一压电图形用保护层30具有镜像关系的形状。只要用与第一压电薄膜3同样的方法进行第二压电薄膜13的蚀刻，就可使第一压电薄膜3和第二压电薄膜13形成大致相同的形状。
在将第二压电薄膜13蚀刻加工成规定形状后，利用光致蚀刻加工第二主电极膜12。图6B表示为此形成第二主电极图形用保护层33的状态。图6C表示蚀刻加工后的形态。第二主电极图形用保护层33如图可知形成与第二压电薄膜13相比大致相同或稍大的形状。通过形成这种形状，在利用湿式蚀刻除去第二基板11时，便于保护第二压电薄膜13不受药液影响。为了制作用于使第一基板1和第二基板11对向定位的第二标识121，还形成第二标识用保护层331。另外，在不用这种标识进行第一基板1和第二基板11的对位时，该图形则不需要。
第二基板11上的加工与第一基板1上的情况相比不同的是第二主电极膜12与第二压电薄膜13形状大致相同，且与第一压电薄膜3的形状也大致相同。
然后，在形成第二对向电极膜15的除去第二压电薄膜13上的区域外的区域形成第二层间绝缘膜14。该第二层间绝缘膜14最好用与第一层间绝缘膜4同样的材料和制造方法制作。图6D表示形成了这种第二层间绝缘膜14的形状。
接着，如图6E所示，形成与第二压电薄膜13大致相同形状的第二对向电极膜15。该第二对向电极膜15的一部分在第二压电薄膜13侧面部的第二层间绝缘膜14上回绕并延伸至第二基板11面上，形成第二对向电极膜突出部151。
这样，可得到在第二压电薄膜13的两面具有电极膜、第二对向电极膜15延伸至第二基板11具有第二对向电极膜突出部151的形状。在形成这种形状后，形成与到第二对向电极膜的高度大致相同的厚度的绝缘树脂层6。在包括该绝缘树脂层6和第二对向电极膜15的基板整个面上涂敷粘接剂，形成粘接层205。如图6F所示。
另外，第二对向电极膜15、绝缘树脂层6及粘接层205可直接使用在第一基板1上加工时所用的材料，也可从上述材料中适当选择。
根据这种制造方法，由于在第一基板和第二基板上分别形成绝缘树脂层，故可简单地确认绝缘树脂层中的气泡或涂敷不均匀等缺陷，且在不合格时可容易地进行再生。作为形成绝缘树脂层的方法由于可使用旋转器等，故不需要特殊的装置。
图7A～图8B表示粘接图5F及图6F所示的基板制作规定的压电薄膜元件的工序。图7A表示使第一压电薄膜3和第二压电薄膜13对向并利用粘接层204、205接合的状态。此时，粘接层204、205混合为一体，形成粘接层20。
在进行该接合时，用第一标识214和第二标识121进行对位，使压电薄膜相互正确重叠。另外，粘接层20根据其材料特性也可形成于第一对向电极膜5或第二对向电极膜15任一者上。形成于MgO基板上的压电体的极化方位垂直于基板面，故通过如此粘接，厚度方位的极化方位相互反向平行，且可使施加电场时膜面内方向的伸缩方位平行。
在第一基板1和第二基板11使用MgO基板时，由于MgO基板是透明的，故可通过基板在显微镜下进行对位。在不透明基板的情况下，例如可采用：在某一定位置固定反光镜，在对着该反光镜分别进行对位后，除去反光镜，然后，将基板之间接近并粘接的对位方式等。另外，可完全不用对位用标识而以各基板的外形为机种进行对位。这样，将由上下电极层夹着的压电薄膜粘接、层积，制作一体化的一对结构体501、502。
这样粘接后，选择性地仅除去第二基板11。作为该除去方法可利用蚀刻、研磨或研磨到规定厚度后蚀刻等方法进行。在第一基板1和第二基板11是同一材料的情况下，只要由不受蚀刻除去这些基板的药液侵害的树脂涂敷覆盖第一基板1的面后再进行蚀刻即可。
除去第二基板11后，用绝缘树脂层6和粘接层20连接状态的结构体501、502就会露出。为了分离这些结构体501、502，如图7B所示，要形成绝缘树脂层图形保护层34，并以该绝缘树脂层图形保护层34为掩模蚀刻绝缘树脂层6和粘接层20。
然后，在结构体501、502的外周面上形成第三层间绝缘膜7，并在第一主电极膜2、第二主电极膜12、第一对向电极膜5及第二对向电极膜15的规定位置分别形成开口部70。这示于图7C。第三层间绝缘膜7例如可用半导体所用的感光性树脂材料、非感光性树脂材料或氧化硅膜等无机物绝缘材料通过涂敷法、CVD法或喷镀法等形成，并用刻蚀工艺加工图形形而使用。
然后，如图8A所示，形成电连接第一主电极膜2和第二主电极膜12的第一连接配线8及同样用于电连接第一对向电极膜5和第二对向电极膜15的第二连接配线9。由图可知，这些连接配线是沿第一及第二压电薄膜的外缘形成，故蚀刻工序简单且成品率大幅度改善。
若将这样形成连接配线的结构体501、502的整个面用树脂(未图示)覆盖，蚀刻除去第一基板1，再将树脂溶解除去，就形成一对压电薄膜元件541、542。该状态示于图8B。
如上所述，在实施例1中，在各基板上，将压电薄膜、主电极膜及对向电极膜蚀刻加工成规定形状，故尤其是压电薄膜的侧面腐蚀非常小，可大幅度降低蚀刻后的形状偏差。并且，由于进行主电极膜相互间及对向电极膜相互间的电导通的第一及第二连接配线形成于压电薄膜外缘的侧面部，故不需要在压电薄膜上加工通孔等，其结果，完全不会发生侧壁附着物，因此不易产生主电极膜和对向电极膜间的短路缺陷，可大幅度改善成品率。另外，由于可在第一基板上统一形成连接配线，故元件特性偏差小，量产性也得到了改善。
用图9A～图12B说明用于说明实施例2的制造方法的主要工序。实施例2中也是以如图1和图2所示的薄膜压电元件形成一对的执行元件为例进行说明。另外，与图1～图8B的结构要素对应的结构要素赋予相同的符号，使用的材料及工艺也可用统一材料及工艺。图9A～图9D和图10A～图10D分别表示第一基板81及第二基板91上的处理工序，将两个基板粘合后的加工示于图11A～图11B和图12A～图12B。
在第一基板81上使第一主电极膜82成膜，并蚀刻为规定形状，然后，形成第一压电薄膜83。第一主电极膜82的整体形状与之后形成的第一压电薄膜83的形状大致相同，且具有规定部分自第一压电薄膜83突出的第一主电极膜突出部821。在进行该蚀刻时，也可用与第一主电极膜82相同的薄膜同时形成粘合时所用的第一标识822。然后，形成用于使第一压电薄膜83蚀刻为规定形状的第一压电薄膜图形用保护层88。这示于图9A。
然后，当根据第一压电薄膜图形用保护层88蚀刻第一压电薄膜83时，如图9B所示，第一主电极膜82的第一主电极膜突出部821自第一压电薄膜83暴露，而在相反方向可得到由第一压电薄膜83覆盖的第一压电体被覆区域831。
在形成这种形状后，在第一压电薄膜83上形成第一对向电极膜85。如图9C所示，第一对向电极膜85与第一压电薄膜83形状大致相同，且具有通过第一压电体被覆区域831延伸至第一基板81面上的第一对向电极膜突出部851。然后，与实施例1同样，形成绝缘树脂层86和粘接层871。
下面，用图10A～图10D说明第二基板91上的成膜和加工工艺。在第二基板91上使第二主电极膜92成膜并进行规定的图形加工。此时，用于使第一基板81和第二基板91粘合的对位用第二标识922也同时形成。该第二主电极膜92与第一主电极膜82的形状不同，不设突出部，形成由第二压电薄膜93覆盖整个面的形状。在这种形状的第二主电极膜92上形成第二压电薄膜93，并形成用于将该第二压电薄膜93蚀刻加工成规定形状的第二压电薄膜图形用保护层98。这示于图10A。
配合第二压电薄膜图形用保护层98蚀刻第二压电薄膜93，则第二压电薄膜92形成整个面被第二压电薄膜93覆盖的形状。这示于图10B。
然后在第二压电薄膜93上形成第二对向电极膜95。如图10C所示，第二对向电极膜95与第二压电薄膜93形状大致相同，且通过第二压电薄膜93的侧面部延伸至第二基板91面上形成第二对向电极膜突出部951。另外，该第二对向电极膜突出部951在粘合第一基板81和第二基板91时处于与第一对向电极膜突出部851对应的位置，且比第一对向电极膜突出部851短。然后，在图10D中与图9D同样，形成绝缘树脂层86和粘接层872。
如上完成第一基板81和第二基板91上的加工。由上述可知，该实施例2的制造方法和实施例1的制造方法相比，第一主电极膜82和第一压电薄膜83的成膜、图形制作工序及制作的图形形状不同。并且，实施例1需要的第一层间绝缘膜4和第二层间绝缘膜14实施例2中不再需要，这一点也不同。
在各个基板上的加工结束后，以后的工序示于图11A～图12B。图11A表示使第一对向电极膜85和第二对向电极膜95对向，并使第一标识822和第二标识922对位后，利用粘接层871、872粘接的状态。这些粘接层871、872形成粘接层87。形成压电薄膜相互间一体化的结构体111、112。
然后，选择性地仅除去第二基板91。从而使结构体111、112以绝缘树脂层86和粘接层87连接的状态露出。为了分别分离这些结构体111、112，要形成绝缘树脂层图形保护层99。这示于图11B。
蚀刻绝缘树脂层86和粘接层87，在第二主电极膜92的除开口部外的面上形成第三层间绝缘膜97。之后，形成分别将第一主电极膜突出部821和第二主电极膜92的开口部、第一对向电极膜851和第二对向电极膜突出部951电连接的连接配线101、102。这示于图12A。
最后，如图12B所示，通过选择性仅除去第一基板81，制造薄膜压电元件551、552。
另外，第三层间绝缘膜97并不是本实施例所必须的，由于为不使第二主电极膜92和第二对向电极膜95短路也可形成连接配线101、102，故这种情况下，不必要特意设置。也可与实施例1同样，覆盖第一主电极膜突出部821和第一对向电极膜突出部851的一部分以及绝缘树脂层86而形成第三层间绝缘膜97。这样，通过形成膜而更加改善对环境的承受能力。
如图可知，在用于使主电极膜相互间及对向电极膜相互间连接的工序中，由于不需要压电薄膜的蚀刻，故绝对不会产生蚀刻引起的侧壁附着物。另外，由于与实施例1不同，不需要形成第一层间绝缘膜4和第二层间绝缘膜14，故可简化工序，且大幅度提高成品率。
另外，在本实施例中，采用了绝缘树脂层和粘接层形成于两个基板上利用该粘接层进行粘接的结构，但是本发明并不限于此。也就是说，也可以采用如下方式，通过在第一对向电极膜和第二对向电极膜形成分别可利用加热而合金化的电极膜，使它们的面和面之间密接相对并加热使其合金化来粘接，用绝缘树脂层充填由此形成的空间。
用图13A～图14C说明用于说明本发明实施例3的制造方法的主要工序。实施例3中也是以如图1和图2所示的薄膜压电元件形成一对的执行元件为例进行说明。另外，与图1～图10D的结构要素对应的结构要素赋予相同的符号。
本实施例的制造方法的特征在于，与实施例1的制造方法相比，对向电极膜的材料及其结构、压电薄膜相互间的粘接方法以及绝缘树脂层的形成方法不同。下面主要就与实施例1的不同进行说明。
图13A表示在第一基板1上形成第一主电极膜2、第一压电薄膜3及第一对向电极膜105并构成规定形状的结构。图13B表示在第二基板11上形成第二主电极膜12、第二压电薄膜13及第二对向电极膜115并构成规定形状的结构。第一对向电极膜105和第二对向电极膜115在各压电薄膜上形成多层结构，上层膜106、116在一者为例如金(Au)的情况下，另一者形成由锡(Sn)构成的薄膜。也就是说，从在使上层电极膜相互间密接并对其加热时在较低温下产生合金化并接合的材料中选择。例如，在Au和Sn的情况下，当加热到280℃时就产生共晶反应而接合。作为这样的材料不仅可以选择上述的Au和Sn，也可以分别从由Au、Ag、Cu构成的第一组和由Sn、镉(Cd)构成的第二组中分别任意选择组合。
另外，对向电极膜的下层膜107、117只要是好的导电体即可，例如可以适当选择Cu、铝(Al)等金属膜或镍铬合金等的合金膜来形成。
该对向电极膜的上层膜106、116形成至少比第一层间绝缘膜4或第二层间绝缘膜14突出的厚度。如图13B所示，第二对向电极膜115仅形成于第二压电薄膜13上。除此以外，与实施例1的制造方法中说明的结构相同。
如图13C所示，使第一对向电极膜105和第二对向电极膜115对向密接，在该状态下加热到约280℃。利用加热使上层膜106、116的Au和Sn之间产生共晶反应，形成一体，构成粘接层120。
这种制造方法中，形成粘接第一对向电极膜和第二对向电极膜的粘接层具有导电性的结构。利用该结构，在第一对向电极膜和第二对向电极膜粘接的同时也可实现电连接，故不再需要粘接后形成连接配线的工序。
根据该结构，可在形成第一对向电极膜和第二对向电极膜时同时在表面层形成粘接用金属模。因此，不再需要粘接层的形成工序，并且，由于可利用合金化时的熔融进行自匹配对位，故不再需要使第一基板和第二基板相互间正确对位。
当进行这种粘接时，可得到第一压电薄膜3和第二压电薄膜13一体化的结构体503、504。在第一基板1和第二基板11之间会产生由该结构体503。504限定的空隙部。通过将树脂充填于该空隙部形成绝缘树脂层150。图13C表示充填了该绝缘树脂层150的状态。该结构体503、504的厚度为约10μm，故要求在两张基板夹着的约10μm的空隙部充填树脂，但如果适当选择树脂的粘度就可利用毛细管现象进行渗透。也可象液晶面板的制造方法中所用的那样，利用真空注入法强制充填。例如可将高温硬化型二液性环氧树脂用作绝缘性树脂。这种情况下，只要树脂向两张基板间的充填是在80℃的气氛下进行，环氧树脂就不会硬化，树脂的粘度就处于适于充填的低粘度状态，故可容易地进行充填。充填后，在150℃下加热2小时使其完全硬化，则结构体503、504形成除固定在第一基板1和第二基板11上的面之外整个面被绝缘树脂层150覆盖的结构。
在形成结构体503、504由绝缘树脂层150保护的状态后，蚀刻并除去第二基板11。结构体503、504由于由绝缘树脂层150完全保护，故蚀刻液不会渗透，结构体503、504上不会产生由该蚀刻液引起的劣化。蚀刻并除去第二基板11的方法也可应用与实施例1叙述的同样的方法。当除去第二基板11后，结构体503、504以由绝缘树脂层150连接的状态露出。
然后，蚀刻绝缘树脂层150，将多个结构体503、504分离，同时，形成自各结构体向外部设备连接的连接电极部。为了蚀刻绝缘树脂层150，只要与实施例1同样，形成绝缘树脂层图形用保护层130并进行蚀刻即可。这示于图14A。这种情况下，与实施例1的制造方法不同，由于只蚀刻绝缘树脂层150即可，故蚀刻条件是本实施例简单。蚀刻后，结构体503、504仅由绝缘树脂层150保护，故在作为薄膜压电元件使用时，耐湿性良好，压电特性的劣化变少。
如图所示，在蚀刻除去绝缘树脂层150时，使第一基板1上的第一主电极膜突出部211和第一对向电极膜突出部511的一部分露出。然后，形成覆盖第二主电极膜12的第三层间绝缘膜7，蚀刻该层间绝缘膜7的规定部分，在第二主电极膜12制作开口部122。另外，该第三层间绝缘膜7只要用实施例1所述的同样的感光性聚酰亚胺形成即可。另外，不仅是在第二主电极膜12上，也要覆盖绝缘树脂层150而形成。
然后，用第一连接配线8电连接设于第二主电极膜12上的开口部122和第一主电极膜2的第一主电极膜突出部211。另外，第一对向电极膜105和第二对向电极膜115也已经由粘接层120电连接，故只要将第一对向电极膜突出部511作为连接电极底座即可。该形状示于图14B。
在用石蜡等树脂(未图示)保护这样形成的薄膜压电元件553、554表面后，蚀刻并除去第一基板1，然后溶解并除去附着于薄膜压电元件553、554表面上的石蜡等树脂，则可得到与基板完全分离形态的薄膜压电元件553、554。这示于图14C。
根据以上的制造方法，不再需要形成实施例1那样的第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜，工序简化。并且，只要第二主电极膜12具有耐环境的能力，则第三层间绝缘膜7也不必特意设置，故可进一步简化工序。使第一压电薄膜3和第二压电薄膜13对向粘接形成的结构体503、504仅由绝缘树脂层150覆盖其外周部，故完全没有粘接边界等，对药液的耐受力和对环境的耐受力也大幅度提高。
另外，在本实施例的制造方法中，利用了第一对向电极膜和第二对向电极膜的基于合金化的接合粘接，但是粘接方法并不限于此。例如，也可采用通常的焊锡焊接方法或采用配合有银粒子等的导电性粘接剂的粘接方法。通过采用这种结构，不仅可同时进行第一对向电极膜和第二对向电极膜的粘接及电接合，且由于仅涂敷导电性树脂即可，故可简化工序。另外，在将导电树脂层形成于对向电极膜上的情况下，可以形成于两个对向电极膜上，也可只形成于一个上。并且，只要粘接为能实现电导通，则不一定要在对向电极膜整个面上形成。这种情况下，可只在一个对向电极膜上形成焊锡，也可在两个对向电极膜上设置焊锡。通过以上的结构，不仅可使相对于伸缩动作翘曲或弯曲难于重叠，而且，由于粘接层也使第一和第二对向电极膜相互间电连接，故不再需要在压电薄膜的侧面上形成连接配线的工序，可简化工序。
本发明实施例4说明薄膜压电元件形成一对并构成一体的结构的执行元件及其制造方法。图15A是本实施例的执行元件安装在薄片60上的状态的平面图。图15B是它们的主电极膜和对向电极膜间的配线连接结构部分的放大图。本实施例的执行元件具有如下特征。也就是说，一对薄膜压电元件555、556相互间在连接电极底座28附近的间隙部由绝缘树脂层611形成一体。并且，这两个薄膜压电元件555、556各自的电极膜间由连接配线电连接，用于和薄片60的压电体电极底座64连接的连接电极底座28仅为两个。如图所示，右侧的薄膜压电元件(以下称A元件)555和左侧的薄膜压电元件(以下称B元件)556除配线结构外，相对于A-A线呈镜面对称，具有和实施例1同样的结构。在本实施例中，设于A元件555和B元件556上的各自的主电极膜和对向电极膜间的配线结构具有特征，故以该配线结构为主说明其结构。
根据图15A及图15B和后述的图16A～图20B所示的工序图说明配线结构。
在A元件555中，通过设于第三层间绝缘膜190的开口部196，A元件555的第二主电极膜(以下称A2主电极)181及突出于侧面的A元件555的第一主电极膜突出部(以下称A1主突出电极)172由在压电薄膜侧面的绝缘树脂层上环绕的连接配线194电连接。在B元件556中，通过设于第三层间绝缘膜190的开口部195，B元件556的第二主电极膜(以下称B2主电极)182及突出于侧面的B元件556的第一主电极膜突出部(以下称B1主突出电极)171同样由在侧面部环绕的连接配线192电连接。
在A元件555和B元件556的间隙部，A元件555的第一对向电极膜(以下称A1对向电极)167和B元件556的第一主电极膜(以下称B1主电极)162、A元件555的第二对向电极膜(以下称A2对向电极)187和B2主电极182、B元件556的第一对向电极膜(以下称B1对向电极)168和A元件555的第一主电极膜(以下称A1主电极)161、B元件556的第二对向电极膜(以下称B2对向电极)188和A2主电极181由分别延伸设置的突出电极膜电连接。
通过这种配线结构，可得到如下执行元件，其A1主电极161、A2主电极181、B1对向电极168及B2对向电极188电连接。而B1主电极162、B2主电极182、A1对向电极167及A2对向电极187电连接。因此，即使与薄片60连接的底座只有两个，也可向A元件555和B元件556施加相互相反的电压，使一者伸长而另一者收缩。
下面以该执行元件的配线连接结构为主说明其制造工序。图16A～图20B表示以配线连接结构为主的工序流程。图16A和图16C是沿图15A的X1-X1线的剖面，图16B和图16D是沿X2-X2线的剖面。另外与图1～图8B所示的结构要素对应的结构要素赋予相同的符号。
图16A～图16D表示第一基板1上的膜的形成及其加工工序。
如图16A和图16B所示，在第一基板1上形成第一主电极膜A1主电极161和B1主电极162、及第一压电薄膜163、164，分别加工称规定的形状。也就是说，A1主电极161和B1主电极162在X1-X1剖面部在图的左方设有A1主突出电极173、B1主突出电极171，在X2-X2剖面部在图的右方设有A1主突出电极172、B1主突出电极174。
这种形状如果用与实施例1同样的工序，只需变更刻蚀工艺的掩模形状就很容易得到。或者，用与实施例2同样的工序如果变更掩模则可容易得到。另外，在将A1主电极161和B1主电极162蚀刻加工成规定的形状时，可以与实施例1同样，同时制作第一标识200。该第一标识200与实施例1所述的同样，在用别的方法进行对位时，并不需要。
然后，如图16C和图16D所示，在除第一压电薄膜163、164的第一对向电极膜形成区域和上述A1主突出电极173、172及B1主突出电极171、174的规定区域外的区域形成第一层间绝缘膜165、166。之后，如图17A和图17B所示，在第一压电薄膜163、164上分别形成A1对向电极167和B1对向电极168。另外，图17A是图15A的沿X1-X1的剖面，图17B是沿X2-X2的剖面。此时，如图17A所示，在沿X1-X1的剖面部，自B对向电极168延伸其一部分，形成B1对向突出电极175。该B1对向突出电极175与A1主突出电极173进行电连接。另外，A1对向电极167仅在第一压电薄膜163上形成。
另外，如图17B所示，在沿X2-X2的断面部，自A1对向电极167延伸其一部分，形成A1对向突出电极176。该A1对向突出电极176与B1主突出电极174进行电连接。另外，B1对向电极168在该断面部仅在第一压电薄膜164上形成。通过形成如上的结构，完成第一基板1上的成膜、加工。
下面，参照图18A及图18B说明第二基板11上的成膜和加工。图18A是图15A的沿X1-X1的剖面，图18B是沿X2-X2的剖面，表示第二基板11上的加工工序结束后的状态。分别比较图18A及图18B和图17A及图17B可知，在第二基板11上分别加工与图17A及图17B所示的形状相反的形状。也就是说，如图1 8A所示，在第二基板11上，A2主突出电极181和B2主突出电极182不仅形成于第二压电薄膜183、184的下面部，而且，在同一方向(图的右方)分别形成A2主突出电极210和B2主突出电极206。第二压电薄膜183、184上形成有A2对向电极187和B2对向电极188，自A2对向电极延伸其一部分形成A2对向突出电极203。该A2对向突出电极203与B2主突出电极206电连接。
另外，在图18B中，A2主电极181和B2主电极182自第二压电薄膜183、184分别向同一方向(图中左方)形成有A2主突出电极202和b2主突出电极208。在通过蚀刻加工制作该A2主电极181和B2主电极182的形状时，可同时形成第二标识201。自B2对向电极188延伸其一部分设置B2对向突出电极209。该B2对向突出电极209和A2主突出电极202电连接。
在分别加工成图17A、图17B及图18A、图18B所示的形状后，分别形成绝缘树脂层，并在其上形成粘接层，利用第一标识200和第二标识201进行对位并粘接，形成结构体557、558，该形态示于图19A及图19B。另外，图19A是沿图15A的X1-X1线的剖面，图19B是沿X2-X2线的剖面。这些工序可利用和实施例1同样的工序进行。另外，与图15A～图18B同样的结构要素赋予同样的符号。
然后，仅选择性除去第二基板11，将结构体557、558分离。此时，如图15A及图20B所示，配线连接区域要留下绝缘树脂层611。关于第二基板11的除去方法和绝缘树脂层611及粘接层20的蚀刻除去可用与实施例1同样的方法进行。为了留下配线连接区域的绝缘树脂层611只需变更光掩模即可。
在该蚀刻后，形成至少保护结构体557、558的A2主电极181和B2主电极182的第三层间绝缘膜190，为了使A2主电极181和B2主电极182的规定部位露出，设置了开口部195、196。在沿X1-X1线的剖面部，如图20A所示，通过开口部195连接B2主电极182和B1主突出电极171而形成连接配线192。如图20B所示，在沿X2-X2线的剖面部，通过开口部196连接A2主电极181和A1主突出电极172而形成连接配线194。这些连接配线192、194可单独光致蚀刻、蚀刻形成，也可同时光致蚀刻、蚀刻形成。
在这样形成连接配线192、194后，如果除去第一基板1，则可得到在连接配线区域由绝缘树脂层611形成一体，且用于从来自两个薄膜压电元件555、556的主电极膜和对向电极膜与薄片60的压电体电极底座64连接的连接电极底座28仅为两个的形状。
通过这样的结构，一对薄膜压电元件构成的执行元件的操作变得容易，同时，可大幅度简化向薄片的引线等执行元件与外部端子的连接工序。另一方面，实现该连接配线工序的工序数不会特别增加，并可改善作为执行元件的生产率。
本发明实施例5的制造方法在与实施例1同样的制造方法中如图21A、图21B所示，在第一基板1和第二基板11上分别形成绝缘树脂层6后，在第一基板1上形成的绝缘树脂层6的规定位置和与第二基板11上形成的绝缘树脂层6的与上述规定位置对应的位置形成嵌合的凸部300和凹部310。在分别形成该凸部300和凹部310后，形成粘接层204、205。作为在各基板上形成凸部300和凹部310的方法，可在形成绝缘树脂层6后，用例如如下的方法形成。在涂敷光致抗蚀剂形成凸部300的情况下，要留下光致抗蚀剂以形成凸部300。而在形成凹部310时，只要以光致抗蚀剂为掩模蚀刻绝缘树脂层6即可。
如图21C所示，在使第一基板1和第二基板11对向粘接时，由于凸部300和凹部310嵌合，故不仅对位非常简单，而且，在使粘接层204、205形成一体并固化的粘接层20的过程中，基板相互间不会错位。
在该粘接后，以与实施例1同样的工序形成薄膜压电元件541、542。利用这种方法，可使第一基板上形成的压电薄膜和第二基板上形成的压电薄膜相互间简单且高精度地定位粘接，可简化制造工艺。另外，嵌合部可形成于压电薄膜上，也可形成于各个基板上。
另外，在本实施例中，是在绝缘树脂层6上形成凸部300和凹部310，但是本发明不限于此，也可以使第一压电薄膜3的第一对向电极膜5的形成面上的图形和第二压电薄膜13的第二对向电极膜15的形成面上的图形形成各自嵌合的图形形状。这种图形形状只要变更用于将第一层间绝缘膜4和第二层间绝缘膜14加工为规定的图形的光掩模即可。
Claims (20)
1、一种薄膜压电元件，至少包括：结构体，其中，第一压电薄膜由第一主电极膜和第一对向电极膜夹持，所述第一主电极膜和所述第一对向电极膜具有被引出到所述第一主电极膜成形面上的突出部，第二压电薄膜与所述第一压电薄膜呈镜面对称形状，由第二主电极膜和第二对向电极膜夹持，所述第二对向电极膜具有被引出到所述第二主电极膜成形面上的突出部，所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜对向粘接；
绝缘树脂层，形成于所述结构体的外周部；
连接配线，在所述绝缘树脂层上环绕，将所述第一主电极膜的突出部和第二主电极膜之间以及所述第一对向电极膜的突出部和所述第二对向电极膜的突出部之间电连接。
2、一种薄膜压电元件，至少包括：结构体，其中，第一压电薄膜由第一主电极膜和第一对向电极膜夹持，所述第一主电极膜和所述第一对向电极膜具有被引出到所述第一主电极膜成形面上的突出部，第二压电薄膜与所述第一压电薄膜呈镜面对称形状，由第二主电极膜和第二对向电极膜夹持，所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜对向粘接，同时可利用粘接层电导通；
绝缘树脂层，形成于所述结构体的外周部；
连接配线，在所述绝缘树脂层上环绕，将所述第一主电极膜的突出部和第二主电极膜之间电连接。
3、一种执行元件，其如下构成，一对薄膜压电元件以一定间隔配置在基板面上，所述一对薄膜压电元件分别进行相反方向的伸缩动作，
所述一对薄膜压电元件分别以权利要求1所述的结构构成，各自产生压电动作的区域以所述一定间隔的中心线为基准呈镜面对称形状。
4、一种执行元件，其如下构成，一对薄膜压电元件以一定间隔配置在基板面上，所述一对薄膜压电元件分别进行相反方向的伸缩动作，
所述一对薄膜压电元件分别以权利要求2所述的结构构成，各自产生压电动作的区域以所述一定间隔的中心线为基准呈镜面对称形状。
5、如权利要求3所述的执行元件，其中，所述一对薄膜压电元件还设有连接一个薄膜压电元件的第一及第二主电极膜和另一个薄膜压电元件的第一及第二对向电极膜之间的连接配线，以及连接所述一个薄膜压电元件的第一及第二对向电极膜和所述另一个薄膜压电元件的第一及第二主电极膜之间的连接配线，与外部端子连接的连接电极底座设有两个。
6、如权利要求4所述的执行元件，其中，所述一对薄膜压电元件还设有连接一个薄膜压电元件的第一及第二主电极膜和另一个薄膜压电元件的第一及第二对向电极膜之间的连接配线，以及连接所述一个薄膜压电元件的第一及第二对向电极膜和所述另一个薄膜压电元件的第一及第二主电极膜之间的连接配线，与外部端子连接的连接电极底座设有两个。
7、一种磁盘记录再生装置，其包括：磁盘；搭载有磁头的磁头滑块；固定所述磁头滑块的薄片；固定有所述薄片的臂；用于将所述磁头滑块定位于所述磁头的规定磁道位置上的第一定位装置和第二定位装置，
所述第一定位装置是用于使所述臂旋转的驱动装置，
所述第二定位装置是由固定于所述薄片上的压电元件使所述磁头滑块向所述磁盘的规定磁道位置微动的执行元件，
所述执行元件由权利要求3～6任一项所述的结构构成。
8、一种薄膜压电元件的制造方法，其包括下述工序：
在第一基板上依序层积第一主电极膜、第一压电薄膜及第一对向电极膜，所述第一主电极膜的至少一部分具有自所述第一压电薄膜露出的突出部，且所述第一对向电极膜的一部分在所述第一压电薄膜的至少侧面上形成的第一层间绝缘膜上回绕延伸至所述第一基板上形成突出部；
在第二基板上依序层积第二主电极膜、第二压电薄膜及第二对向电极膜，所述第二主电极膜和所述第二压电薄膜相对于所述第一压电薄膜大致呈镜面对称，且所述第二对向电极膜的一部分在所述第二压电薄膜的至少侧面上形成的第二层间绝缘膜上回绕延伸至所述第二基板上形成突出部；
所述第一压电薄膜及所述第二压电薄膜的外周部由绝缘树脂层保护，同时，使所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜对向粘接，由所述第一主电极膜和所述第一对向电极膜夹着的所述第一压电薄膜及由所述第二主电极膜和所述第二对向电极膜夹着的所述第二压电薄膜形成一体，构成一体化结构体；
除去所述第二基板，露出由所述绝缘树脂层连接多个所述结构体的形状；
将所述绝缘树脂层加工成至少比所述第一压电薄膜幅宽的形状，在所述第一基板上形成由所述绝缘树脂层覆盖外周部的结构体；
将所述第一主电极膜的所述突出部和所述第二主电极膜之间、以及所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜各自的所述突出部之间电连接的连接配线在所述结构体的侧面部上回绕形成；
除去所述第一基板。
9、如权利要求8所述的薄膜压电元件的制造方法，其中，所述形成结构体前的工序包括下述工序：
在第一基板上依序层积第一主电极膜、第一压电薄膜及第一对向电极膜，所述第一主电极膜的至少一部分具有自所述第一压电薄膜露出的突出部，且所述第一对向电极膜的一部分在所述第一压电薄膜的侧面上回绕延伸至所述第一基板上形成突出部；
在第二基板上依序层积第二主电极膜、第二压电薄膜及第二对向电极膜，以相对于所述第一压电薄膜大致呈镜面对称，且覆盖所述第二主电极膜的整个面的形状形成所述第二压电薄膜，并且所述第二对向电极膜的一部分在所述第二压电薄膜的侧面上回绕延伸至所述第二基板上形成突出部；
所述第一压电薄膜及所述第二压电薄膜的外周部由绝缘树脂层保护，同时，使所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜对向粘接，由所述第一主电极膜和所述第一对向电极膜夹着的所述第一压电薄膜及由所述第二主电极膜和所述第二对向电极膜夹着的所述第二压电薄膜形成一体，构成一体化结构体。
10、如权利要求8所述的薄膜压电元件的制造方法，其中，所述第一压电薄膜及第二压电薄膜的外周部由绝缘树脂层保护，同时，使第一对向电极膜和第二对向电极膜对向粘接，形成结构体的工序由如下工序构成：
在第一基板和第二基板上形成与第一对向电极膜及第二对向电极膜厚度大致相同的绝缘树脂层，然后，粘接所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜。
11、如权利要求9所述的薄膜压电元件的制造方法，其中，所述第一压电薄膜及第二压电薄膜的外周部由绝缘树脂层保护，同时，使第一对向电极膜和第二对向电极膜对向粘接，形成结构体的工序由如下工序构成：
在第一基板和第二基板上形成与第一对向电极膜及第二对向电极膜厚度大致相同的绝缘树脂层，然后，粘接所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜。
12、如权利要求8所述的薄膜压电元件的制造方法，其中，所述第一压电薄膜及第二压电薄膜的外周部由绝缘树脂层保护，同时，使第一对向电极膜和第二对向电极膜对向粘接，形成结构体的工序由如下工序构成：
粘接所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜，向由该粘接在第一基板和第二基板间形成的空隙部充填绝缘性树脂，形成绝缘树脂层。
13、如权利要求9所述的薄膜压电元件的制造方法，其中，所述第一压电薄膜及第二压电薄膜的外周部由绝缘树脂层保护，同时，使第一对向电极膜和第二对向电极膜对向粘接，形成结构体的工序由如下工序构成：
粘接所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜，向由该粘接在第一基板和第二基板间形成的空隙部充填绝缘性树脂，形成绝缘树脂层。
14、如权利要求12所述的薄膜压电元件的制造方法，其中，粘接所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜的粘接层具有导电性。
15、如权利要求13所述的薄膜压电元件的制造方法，其中，粘接所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜的粘接层具有导电性。
16、如权利要求14所述的薄膜压电元件的制造方法，其中，所述第一压电薄膜上的第一对向电极膜及第二压电薄膜上的第二对向电极膜中一者的表面层形成由Au、Ag或Cu中选择的一种，在另一者的表面层形成Sn或Cd，
对所述一者的表面层和所述另一者的表面层形成的金属模加热使其相互间合金化，构成粘接层。
17、如权利要求15所述的薄膜压电元件的制造方法，其中，所述第一压电薄膜上的第一对向电极膜及第二压电薄膜上的第二对向电极膜中一者的表面层形成由Au、Ag或Cu中选择的一种，在另一者的表面层形成Sn或Cd，
对所述一者的表面层和所述另一者的表面层形成的金属模加热使其相互间合金化，构成粘接层。
18、如权利要求14所述的薄膜压电元件的制造方法，其中，所述粘接层由导电性粘接剂形成。
19、如权利要求15所述的薄膜压电元件的制造方法，其中，所述粘接层由导电性粘接剂形成。
20、如权利要求8～19任一项所述的薄膜压电元件的制造方法，其中，所述第一压电薄膜及所述第二压电薄膜的外周部由绝缘树脂层保护，同时，使所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜对向粘接，由所述第一主电极膜和所述第一对向电极膜夹着的所述第一压电薄膜及由所述第二主电极膜和所述第二对向电极膜夹着的所述第二压电薄膜形成一体，构成一体化结构体的工序中：在所述第一基板和所述第二基板上，使所述第一对向电极膜和所述第二对向电极膜对向而设置嵌合部，以所述嵌合部为基准进行对位、粘接，形成一体化结构体。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP071868/2002 | 2002-03-15 | ||
| JP071868/02 | 2002-03-15 | ||
| JP2002071868A JP2003272324A (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにアクチュエータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1445871A true CN1445871A (zh) | 2003-10-01 |
| CN100350644C CN100350644C (zh) | 2007-11-21 |
Family
ID=28035137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB031200001A Expired - Fee Related CN100350644C (zh) | 2002-03-15 | 2003-03-17 | 薄膜压电元件及其制造方法和使用该压电元件的执行元件 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7006334B2 (zh) |
| JP (1) | JP2003272324A (zh) |
| CN (1) | CN100350644C (zh) |
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| CN110333009A (zh) * | 2019-01-04 | 2019-10-15 | 友达光电股份有限公司 | 压电感测器 |
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| US7017245B2 (en) * | 2003-11-11 | 2006-03-28 | General Electric Company | Method for making multi-layer ceramic acoustic transducer |
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| CN104919093B (zh) | 2012-11-30 | 2018-06-22 | 奎斯特综合有限责任公司 | 生长锆钛酸铅单晶的方法 |
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| JPH06224483A (ja) | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Brother Ind Ltd | 積層型圧電素子 |
| JP3057967B2 (ja) | 1993-07-12 | 2000-07-04 | 株式会社村田製作所 | 積層型圧電体素子 |
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- 2002-03-15 JP JP2002071868A patent/JP2003272324A/ja active Pending
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2003
- 2003-03-14 US US10/387,378 patent/US7006334B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-17 CN CNB031200001A patent/CN100350644C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003272324A (ja) | 2003-09-26 |
| US7006334B2 (en) | 2006-02-28 |
| US20030223155A1 (en) | 2003-12-04 |
| CN100350644C (zh) | 2007-11-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| REG | Reference to a national code |
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|
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|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |