CN1212049C - 电路形成基板及电路形成基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种电路形成基板及电路形成基板的制造方法。在电路形成基板上为了提高与电路基板的连接强度，将在基底薄膜材料上施有涂敷层而得到的隔离膜(4)张贴在基板(1)的双面上，并照射激光(5)以形成贯通孔(6)，而且，基板(1)和隔离膜(4)借助于加工能量在贯通孔(6)周围形成一体化部(7)。而且，对该电路形成步骤中所形成的电路的全部或一部分照射能束，使隔离膜的一部分转印。由此，可在电路形成基板的制造中实现与电路基板的连接强度大的高密度基板。

Description

电路形成基板及电路形成基板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种用于各种电子产品中的电路形成基板及电路形成基板的制造方法。

背景技术

近年来随着电子产品的小型化及高密度化，搭载电子零件的电路形成基板也由公知的单面基板发展成多层基板，且开发了基板上可集成更多电路的高密度电路形成基板。

在高密度电路形成基板上，采用更高速且可进行精密加工的激光等的能束作为加工法(例如，日刊工业新闻社发行的“表面装配技术”1997年1月号，高木清著，“奇异的积累多层PWB的开发动向”)以代替从前被广泛运用的使用钻孔机对基板进行的孔加工(穿孔)法。

然而，在高密度基板上电路的线宽及焊接面的大小将变小，同时基板的电路或焊接面的连接强度必定降低。另一方面，高密度基板多使用在笔记本电脑，或移动电话、便携式信息终端机等的装置上，当用在这些装置上时，由于在掉落或携带时的扭曲、撞击等的压力，而产生上述连接强度降低的问题。

用在高密度基板上的基板材料多使用树脂材料，但从基板的机械强度或耐热性提高的观点来看，多使用热硬化树脂，基板特性将提高，但包含撞击等的电路或焊接面的连接强度未必提高。

另外，当进行用以提高连接强度的材料设计或材料选择时，连接强度以外的基板特性大多会劣化，现实中开发满足所有特性的材料是困难的。

另外，在高密度电路形成基板的层间的电气性连接，使用导电性浆料或电镀等的连接手段，但形成在基板上的层间连接用的贯通或不贯通的孔洞或通路孔的形成间距、以及与通路孔邻接的配线间的配线间距离变得更窄，而导电性浆料及电镀用的电镀液向通路孔周边扩散会导致形成电路形成基板的可靠性上的问题。

发明内容

本发明提供的电路形成基板的制造方法，包含以下分别独立的步骤，或以这些步骤的内容为目的而将各步骤的构成要素加以混合的步骤，这些步骤包括：

孔洞形成步骤，以能束照射由一种或多种材料构成的板状或片状的基板，以进行贯通或不贯通的孔洞加工；

连接装置形成步骤，在将上述孔洞形成步骤中所形成的贯通或不贯通的孔洞中形成电气连接基板的表里或内外层的连接装置；以及

电路形成步骤，借助于金属箔或薄膜的形成而在基板表面上形成导电层，并根据所希望的形状进行构图；

而且，在上述孔洞形成步骤前还包含有在上述基板的单面或双面上张贴薄膜状隔离膜的隔离膜张贴步骤，且在上述孔洞形成步骤和电路形成步骤中，将上述隔离膜的一部分转印在上述基板上。

根据本发明，将其他薄的材料转印在基板上面，并借助于其他材料的效果使连接强度提高，且可使用可获得基板综合特性的材料作为基板材料。换言之，选择性地将不同于基板材料的用于提高连接强度的材料仅转印在基板上的电路或焊接的连接部分，而无损基板的综合特性，且可提供高密度且具高可靠性的电路形成基板。

另外，还提供一种制造方法，其包含以下分别独立的步骤，或以这些步骤的内容为目的而将各步骤的构成要素加以混合的步骤，这些步骤包括：

孔洞形成步骤，以能束照射由一种或多种材料构成的板状或片状的基板，以进行贯通或不贯通的孔洞加工，

连接装置形成步骤，在将上述孔洞形成步骤中所形成的贯通或不贯通的孔洞中形成电气连接基板的表里或内外层的连接装置；以及

电路形成步骤，借助于金属箔或薄膜的形成而在基板表面上形成导电层，并根据所希望的形状进行构图；

而且，在上述孔洞形成步骤前还包含有在上述基板的单面或双面上张贴薄膜状隔离膜的隔离膜张贴步骤，且，在上述孔洞形成步骤中将该张贴步骤中基本上一体化的基板及隔离膜在该贯通或不贯通的孔洞周围更密接而一体化，可防止连接装置扩散至通路孔周围，并可提供高密度且具有高可靠性的电路形成基板。

本发明的第1实施方案，是一种电路形成基板的制造方法，其特征在于包含以下分别独立的步骤，或以这些步骤的内容为目的而将各步骤的构成要素加以混合的步骤，这些步骤包括：孔洞形成步骤，以能束照射由一种或多种材料构成的板状或片状的基板，进行贯通或不贯通的孔洞加工；连接装置形成步骤，在将上述孔洞形成步骤中所形成的贯通或不贯通的孔洞中形成电气连接基板的表里或内外层的连接装置；以及电路形成步骤，通过形成金属箔或薄膜而在基板表面上形成导体层，并根据所希望的形状进行构图；而且，在上述孔洞形成步骤前还包含在上述基板的单面或双面上张贴薄膜状隔离膜的隔离膜张贴步骤，该隔离膜具有由热塑性树脂、或热塑性树脂和热硬化树脂的混合物构成的涂层，在上述孔洞形成步骤中，将上述隔离膜的一部分转印在上述基板上的在上述电路形成步骤中形成的电路或焊接面的全部或一部分位置上。具有借助于转印材料使基板和金属箔或薄膜间的连接强度，在从基板以1cm的宽撕下35微米厚的铜箔的强度测试中，从现有的约0.9kg/cm提高到约1.2kg/cm等的效果。

本发明的第2实施方案，是一种电路形成基板的制造方法，其特征在于包含以下分别独立的步骤，或以这些步骤的内容为目的而将各步骤的构成要素加以混合的步骤，这些步骤包括：孔洞形成步骤，以能束照射由一种或多种材料构成的板状或片状的基板，进行贯通或不贯通的孔洞加工；连接装置形成步骤，在将上述孔洞形成步骤中所形成的贯通或不贯通的孔洞中形成电气连接基板的表里或内外层的连接装置；以及电路形成步骤，通过形成金属箔或薄膜而在基板表面上形成导体层，并根据所希望的形状进行构图；而且，在上述孔洞形成步骤前还包含在上述基板的单面或双面上张贴薄膜状隔离膜的隔离膜张贴步骤，该隔离膜具有由热塑性树脂、或热塑性树脂和热硬化树脂的混合物构成的涂层，在上述孔洞形成步骤中，使在上述张贴步骤中已被基本一体化了的基板及隔离膜，在该贯通或不贯通的孔洞周围的在上述电路形成步骤中形成的电路或焊接面的全部或一部分位置上更密接而一体化。具有防止在连接装置形成步骤中所使用的连接装置如导电性浆料等扩散至孔洞周围的效果。

本发明的第3实施方案，是一种电路形成基板的制造方法，其特征在于包含以下分别独立的步骤，或以这些步骤的内容为目的而将各步骤的构成要素加以混合的步骤，这些步骤包括：孔洞形成步骤，以能束照射由一种或多种材料构成的板状或片状的基板，进行贯通的孔洞加工，该能束由激光波长为10μm以下、9μm以上的二氧化碳激光构成；连接装置形成步骤，在上述孔洞形成步骤所形成的贯通的孔洞中形成电气连接基板的表里或内外层的连接装置；以及电路形成步骤，通过形成金属箔或薄膜而在基板表面上形成导体层，并根据希望的形状进行构图；而且，在上述孔洞形成步骤前还包含在上述基板的双面上张贴薄膜状隔离膜的隔离膜张贴步骤；并在上述孔洞形成步骤中，通过用能束对上述隔离膜施加热影响，在贯通的孔洞的大体圆周部或外周部，在隔离膜外侧和基板侧这两者或一者上形成以隔离膜或隔离膜为主体且含基板的隆起部，且上述隆起部在能束射入侧的厚度大于射出侧的厚度。具有在能束射入侧以隆起部有利为特征而起作用的效果。

本发明的第4实施方案是如第1实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中：把该隔离膜的一部分转印在上述孔洞形成步骤中所形成的贯通或不贯通的孔洞的大体周边上。具有使孔洞周围的电路即焊接面及基板的连接强度提高的效果。

本发明的第5实施方案是如第1实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中：向该电路形成步骤中所形成的电路的全部或一部分的位置照射能束，并使隔离膜的一部分转印。具有提高电路及基板的连接强度的效果。

本发明的第6实施方案是如第1或2实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中：该基板材料使用具有孔隙的多孔材料，且在上述孔洞形成步骤中所形成的贯通或不贯通的孔洞周围形成由隔离膜、或基板材料和薄膜材料混合的材料构成的无孔隙或孔隙少的无孔隙层。在提高对焊接面的基板的连接强度的同时，可获得防止由于孔洞周围的导电性浆料的扩散而产生的电路短路等的效果。

本发明的第7实施方案是如第1或2或3实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中：该连接装置形成步骤还包含电路形成步骤，即，向孔洞形成步骤中所形成的贯通或不贯通孔中填入导电性浆料，然后从基板上剥离隔离膜，在基板的单面或双面上配置金属箔或内层用电路形成基板并加热加压，以使基板及金属箔或基板及内层电路形成基板呈现一体化，并借助于导电性浆料使基板的表里或内外层呈现电气连接后，再进一步对金属箔进行构图。在剥离隔离膜时从隔离膜所带走的导电性浆料少的表面侧，因加大隆起部而具有确保导电性浆料的填入量等的效果。

本发明的第8实施方案是如第1或2或3实施方案所述的电路形成基板的制造方法，在孔洞形成步骤后，将隔离膜从基板上剥离，在基板的单面或双面上配置金属箔或内层用电路形成基板并加热加压，以使基板及金属箔或基板及内层电路形成基板一体化，然后在基板的孔洞内和单面或双面的全部或一部分上用电镀或蒸镀或其他薄膜形成方法形成薄膜，基板的表里或内外层呈现电气连接后，再对该薄膜进行构图，以形成所希望的电路，具有确保电镀或薄膜及基板的连接强度，或防止电镀液的渗入等的效果。

本发明的第9实施方案是如第3实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中：该隔离膜通过在基底薄膜的单面或双面上施加单层或多层的涂敷层而构成，且在孔洞形成步骤、电路形成步骤中该涂敷层的一层或多层从隔离膜转印到基板上，或者是形成一体化或形成隆起部。转印在基板上的材料的选择针对改善连接强度的目的及孔洞形成步骤中的加工性等的多种要求，具有有自由度的效果。

本发明的第10实施方案是如第9实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中：从隔离膜转印到基板上的涂敷层由热塑性树脂、或在热硬化树脂中混合热塑性树脂而赋予热塑性的材料所构成，借助于热塑性树脂的柔软性而具有使电路及基板的剥离强度提高等的效果。

本发明的第11实施方案是如第9实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中：从隔离膜转印到基板上的涂敷层由热硬化树脂、或在热塑性树脂中混合热硬化树脂以赋予热硬化性及耐热性的材料所构成，借助于热硬化树脂具有提高基板及电路或焊接面的连接强度及耐热性的效果。例如采用在以聚邻苯二甲酸乙二酯为主体的厚度约20微米的基础薄膜的两个面上上涂布厚度约1微米的聚环氧改性聚氨酯树脂79重量部、对双酚A型环氧树脂10重量部、作为硬化剂的漆用酚醛型酚树脂10重量部和作为硬化促进剂的咪唑1重量部的组合物，并干燥硬化得到的隔离膜，用第9实施方案所述的制造方法制造的电路形成基板在高温下的连接强度，若进行从基板上以1cm的宽度剥离厚度为35微米的铜箔的强度测试，则在基板温度为150℃的状态下从现有的0.5kg/cm改进到1.0kg/cm。

本发明的第12实施方案是如第1或2或9实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中从隔离膜转印到基板上的涂敷层由金属薄膜所构成，利用金属薄膜将具有防止用在电路或焊接面的金属材料的腐蚀或迁移等的效果。

本发明的第13实施方案是如第1或2或3实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中该金属箔的单面或双面经过粗糙化处理，借助于粗糙化处理所产生的凹凸及转印材料的相互作用，具有有效提高连接强度的效果。

本发明的第14实施方案是如第13实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中：该经粗糙化处理的表面的平均粗糙度大于转印在基板材料上的隔离膜的一部分的厚度。拔除转印的隔离膜的一部分并使被粗糙化表面的前端到达基板，并使金属箔与基板和隔离膜这两者都连接，根据基板材料及隔离膜的物理性质的不同而具有同时提高静态的连接强度及掉落时的动态的连接强度的效果。

本发明的第15实施方案是如第13实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中经粗糙化处理的表面的平均粗糙度小于转印在基板材料上的隔离膜的一部分的厚度，由于基板与金属箔不相接触，转印材料的缓冲性等将变得有效，且在基板材料的组成中包含有对金属箔具有腐蚀性的材料时，具有遮蔽基板及金属箔等的效果。

本发明的第16实施方案是如第1或2实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中该孔洞形成步骤中所用的能束采用激光，具有容易控制产生转印等的所希望效果的加工能束的效果。

本发明的第17实施方案是如第16实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中该孔洞形成步骤中所用的能束是二氧化碳激光，具有激光开孔的成本低-且对树脂材料的加工性优良的效果。

本发明的18实施方案是如第16实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中该激光的波长为10μm以下且9μm以上，具有转印或一体化部或隆起部的形状好的效果。

本发明的第19实施方案是如第3或16实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中该孔洞成形步骤中的激光束呈脉冲状地照射一次或多次，上述一次或多次中至少第一次为10mJ以上的脉冲能量，具有转印或一体化部或隆起部的形状好等的效果。

本发明的第20实施方案是如第1或2或3实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中：基板的材料使用在补强材料中含浸热硬化树脂的B级化的所谓的半固化片，或使用不用补强材料而将热硬化树脂B级化的薄膜。具有容易将基板材料及隔离膜一体化的效果。

本发明的第21实施方案是如第1实施方案所述的电路形成基板的制造方法，其中在基板上转印的隔离膜的一部分的厚度小于3μm。既不失基板材料的特性，又具有可制造电路形成基板的效果。

本发明的第22实施方案是如第1或2实施方案所述的电路形成基板的制造方案，将基板的两面中的有效进行隔离膜的转印或孔隙层的形成的那个面配置为电路形成基板的表层侧。具有电路及基板间的连接强度在重要的表层部上有效地进行转印或一体化等的效果。

本发明的第23实施方案，是一种电路形成基板，其中：在包含热硬化树脂的基板表面上形成的电路或焊接面的全部或一部分的位置的下部由热塑性树脂和上述热硬化树脂共同硬化成形，且上述热塑性树脂构造成从电路或焊接面的最靠近它们的下方沿基板的厚度和深度方向逐渐地减少热塑性。在电路或焊接面面正下方的基板上保持热塑性即柔软性，既维持电路或焊接面的连接强度，采用热硬化性材料作为基板的主要材料，具有确保韧性、机械性强度等的所希望特性的效果。

附图说明

图1是本发明第1实施方案的电路形成基板的制造方法的步骤截面图；

图2是本发明第2实施方案电路的形成基板的制造方法的步骤截面图；

图3展示本发明第3实施方案的电路形成基板的制造方法所制造的电路形成基板；

图4是展示本发明第4实施方案的中电路形成基板的制造方法的步骤截面图。

具体实施方式

以下，用图1至4说明本发明的实施方案。

(第1实施方案)

图1(a)～(g)是展示本发明的第1实施方案的电路形成基板的制造方法及电路形成基板的步骤截面图。

如图1所示，基板1由热硬化树脂2及玻璃纤维3的复合材料构成。热硬化树脂2并非是完全硬化的，而是含未硬化部分的所谓B级化状态，基板1通常称为半固化片(Prepreg，又称预浸渍体)。

作为热硬化树脂，可单独使用环氧树脂、不饱和聚酯树脂、苯酚树脂、聚酰亚胺树脂、氰酸盐树脂、氰酸酯树脂、萘树脂、脲树脂、氨基系树脂、醇酯树脂、硅树脂、呋喃树脂、聚氨酯树脂、氟树脂、聚亚苯基醚树脂、氰酸盐酯树脂等，或使用混合两种以上的热硬化树脂组合物或由热塑性树脂改性的亚热硬化树脂组合物，且可根据需要可添加难燃剂及无机填充剂。

举环氧树脂为例，有双酚型或多官能的环氧树脂，其组合物为双酚型环氧树脂-双氰胺硬化系等。或环氧型丙基胺型环氧树脂-双氰胺硬化系等。举更具体的例子，采用溴化环氧树脂26重量部、3官能环氧树脂48重量部、作为硬化剂的苯酚酚醛树脂26重量部、和作为硬化促进剂的2-乙基-4-甲基咪唑0.25重量部的混合物(浸渍于玻璃纤维时以丁酮55重量部进行漆化)。

其次，如图1(b)所示，在基板1的两面上加热加压隔离膜4，同时暂时连接。也可使用一般的层压机等的设备。

作为隔离膜，可在以聚对苯二甲酸乙二醇酯为主的基底薄膜上单独涂敷聚碳酸酯系树脂、聚磺系树脂、聚酯磺系树脂、聚缩醛系树脂、聚醚酮系树脂、聚醚酰亚胺系树脂、聚乙烯基硫醚系树脂、聚苯醚系树脂、聚氨酯系树脂、聚乙烯系树脂、环氧·三聚氰胺树脂、氨基醇酸系树脂、丙烯酸系树脂等的热塑性树脂单体或混合物、或热硬化树脂与热塑性树脂的混合物。

举更具体的例子，作为三聚氰胺树脂使用美朗27(商品名：日立化成股份有限公司制：三聚氰胺树脂)15重量部、美朗13(商品名：日立化成股份有限公司制：三聚氰胺树脂)13重量部、和艾比寇得1001(商品名：日立化成股份有限公司制：环氧树脂)3重量部，将作为导电性粉末的碳黑#3050B(商品名：三菱化学股份有限公司制)1.8重量部及作为溶剂的MEK22重量部，IPA22重量部及甲苯22重量部均匀地分散后，添加作为硬化催化剂的对甲苯基磺酸0.005重量部加以搅拌得到涂料，在厚度为20μm的聚酯薄膜的双面或与基板连接的那个面上形成厚度为1.5μm的树脂涂膜而获得本发明的隔离膜。导电性粉末的主要目的为防止带电，根据情况也可不添加。

作为该涂料的其他构成例，也可使用作为氨基醇酸系树脂的B克里亚(商品名：光和涂料股份有限公司制)35重量部、作为硬化催化剂的磷酸0.008重量部、作为溶剂的MEK20重量部、IPA20重量部及甲苯20重量部均匀地混合的混合物，或在双酚A型环氧树脂40重量部中混合对环氧改性聚氨酯树脂20重量部、作为硬化剂的漆用酚醛型苯酚树脂19重量部与作为硬化促进剂的咪唑2重量部的混合物。

另外，作为隔离膜还有以提高脱模性和调整与基板接合性为目的涂敷硅脱模剂的情形，举其具体的例子，有将KS-847H(商品名：信越化学工业股份有限公司制)5部、CAT-PL-50(商品名：信越化学工业投份有限公司制)0.1部、作为溶剂的甲苯50部及MEK50部加以混合后，涂布在与隔离膜的基板相接合的面上，然后以温风等干燥而获得的形成有硅脱模涂层的本发明的隔离膜。

如图1(c)所示照射激光5，形成贯通孔6。此时基板1及隔离膜4借助于加工能量在贯通孔6周围形成一体化部7。

其次，如图1(d)所示在贯通孔6内填入导电性浆料8。填入方法可使用滑动法等。

其次，如图1(e)所示，从基板1上剥离隔离膜4。此时一体化部7从隔离膜4剥离并残留在基板1侧上。图中未示，当隔离膜4选择适当的材料并采用基底薄膜和在其上涂有涂敷层的多层结构时，在基底薄膜与涂敷层之间将产生剥离而产生一体化部7残留在基板1上的现象。借助于以上的步骤可将隔离膜4的一部分转印在基板1上。

其次，如图1(f)所示，通过在基板1的双面上配置铜箔9并使用热压装置加热加压获得双面板10。

其次，如图1(g)所示，借助于腐蚀对双面板10的铜箔9形成图案，形成电路11，作成双面电路形成基板。

在完成的双面电路形成基板的焊接面12下部，转印在基板1上的一体化部7与包含在基板上的热硬化树脂2同时成形硬化，将隔离膜4的材料、或在隔离膜是多层材料时作为在基板1上转印的上层材料使用以热塑性树脂为主的材料时，在焊接面12的下面，形成热塑性很强的树脂，热硬化性将沿深度方向依次增强。

作为热硬化树脂2，从作为电路形成基板的机械刚性或耐湿性的观点来看，选择树脂组成的范围受限制，因此对焊接面12的连接强度并不限于选择最优良的材料。但是，本实施方案中可形成为仅在焊接面12下面的小部分上，通过从隔离膜转印而配置最合适的材料。发明人发现转印层的厚度若不满3μm，则可确实地发挥其有效性。

另外，借助于激光4形成贯通孔6时可形成一体化部7，且也可以以不对隔离膜4及基板1产生损害的加工能量照射激光而在无贯通孔的部分设置一体化部7，并在电路11下面形成一体化部7，而可提高对电路11的基板1的连接强度。

在本实施方案的构造中，在焊接面12下面配置显示热塑性的树脂，换言之，配置具有一些柔软性的树脂，在对双面形成基板施加机械性的压力的场合和作为零件配装用的焊接面使用焊接面12的场合等，施加如使焊接面12剥离的应力之类时，还可制造比无一体化部7时可靠性更高的电路形成基板。

另外，为了提高连接强度，在铜箔表面施行粗糙化处理时，有意识性地控制该粗糙化的粗糙度与转印在基板上的隔离膜的转印厚度的关系，而发挥下述的效果。

当经粗糙化处理的面的平均粗糙度比转印在基板上的隔离膜的一部分厚度大时，为了拔除转印的隔离膜的一部分以使粗糙化的表面的前端到达基板，将金属箔与基板和隔离膜这两者都连接，根据基板材料及隔离膜的物理性质值不同，而发挥提高静态的连接强度及掉落时的冲击之类的动态强度的效果。

另外，当经粗糙化处理的表面的平均粗糙度比转印在基板上的隔离膜的一部分厚度小时，由于基板与金属箔不相接触，当转印材料的缓冲性等有效以及基板材料的组成中含有对金属箔具有腐蚀性的材料时，将发挥遮蔽基板及金属箔的效果。

也可在从隔离膜转印到基板上的涂敷层上使用金属薄膜的结构，借助于金属薄膜可发挥使用于电路及焊接面的金属的耐蚀或防止迁移等的效果。

另外，说明了作为基板1的补强材料使用玻璃纤维3的情况，但也可使用以芳族聚酰胺纤维为代表的有机材料作为补强材料，此时一体化部7也可采用含有有机纤维的溶融或已改性的成分的构造，也可进一步改善连接强度。

(第2实施方案)

图2(a)～(c)是展示本发明的第2实施方案中电路形成基板的制造方法的步骤截面图。

图2(a)所示的B级化薄膜13是在本实施方案中作为基板材料所使用的材料，是将与第1实施方案相同的热硬化树脂延伸成薄膜状且尚未完全热硬化的所谓B级化状态。

与第1实施方案相同地，在B级化薄膜13的双面上张贴隔离膜4，并借助于激光5(图中未示)形成贯通孔6。此时借助于加工能量如图2(b)所示在贯通孔6周边形成一体化部7。

一体化部7虽然由把B级化薄膜13溶融或改性后的物质、和把隔离膜溶融或改性后的物质加以混合而形成，但也可以是由B级化薄膜13或隔离膜4中的一个经溶融或改性而形成。

通过任意控制加工能量、隔离膜4和B级化薄膜13的材料，可选择一体化部的性能。由于一体化部7是在比将隔离膜张贴在B级化薄膜时的温度条件更高且短时间内形成，可作成孔隙较少，且可作为无孔隙层，可在以后的步骤中将导电性浆料及电镀液填入或浸渍贯通孔6时，防止它们扩散在贯通孔6周围。

另外，其后的热压步骤中沿厚度方向压缩基板1，并提高导电性浆料的压缩度以提高连接的可靠性等，当具有孔隙的多孔材料用作基板1的材料时，一体化部7的效果将变得显著，可制造导电性浆料不渗出基板的孔隙或渗出较少的电路形成基板。

若将在B级化薄膜13上张贴隔离膜4的步骤中的温度及压力提高，则可在B级化薄膜13及隔离膜4的张贴面上形成与一体化部7相似的性能，但在这样的温度下将失去B级化薄膜13的B级化状态而硬化形成C级化状态，因材料内所包含的挥发部分的气化而形成发泡等的不理想状态。

进而，经过在第1实施方案叙述的步骤中形成有贯通孔6的B级化薄膜13后，获得如图2(c)所示的双面电路形成基板。

(第3实施方案)

在第1实施方案及第2实施方案中示出了双面电路形成基板的例子，但也可使用以双面电路形成基板作为中心层，在其双面上根据上述的步骤配置孔加工及填入导电性浆料的半固化片或B级化薄膜和铜箔，并进行加热加压一体化，进而形成图案以制造多层电路形成基板。

图3是展示本发明的第3实施方案中的电路形成基板的制造方法而制造的电路形成基板的截面图。

根据激光5的加工能量、脉冲幅度、波长等的条件，在基板材料1两侧上或在其一单面上有效地形成形成一体化部7，但在上述多层电路形成基板上如图3(a)所示由于在表层侧上配置一体化部7，可将焊接面的连接强度提高。另外，如图3(b)所示，在形成的电路11的密度高的一侧配置一体化部，使层间的连接装置扩散，可防止电路间的绝缘不良等的问题产生。

上述的实施方案中说明了将隔离膜的一部分转印在贯通孔周围的例子，但在通常称为建造(buildup)基板的基板上使用代表性的不贯通孔的基板制造工艺中也可适用本发明，且通过不仅将隔离膜的一部分转印在孔洞周围还转印在信号线等的电路配线部的下部，可获得提高电路配线部的连接强度的效果。

以上的第1实施方案至第3实施方案中，就层间的连接手段使用导电性浆料的例子加以说明，但也可使用电镀或金属蒸镀作为连接手段。

(第4实施方案)

图4(a)～(d)是展示本发明的第4实施方案中电路形成基板的制造方法的步骤截面图。

在芳族聚酰胺无纺布中浸渍有环氧树脂的基板1的双面上，借助于加热辊的积层法等暂时连接隔离膜，形成如图4(a)所示的构造。隔离膜4使用在作为热塑性材料的以聚对苯二甲酸乙二醇酯为主材料的厚20微米的基底薄膜的双面上设置由热硬化树脂构成的涂敷层得到的材料。作为热硬化树脂涂敷层的一例，使用涂敷有约1微米厚的、双酚A型环氧树脂40重量部、对环氧改性聚氨酯树脂20重量部、和作为硬化剂的漆用酚醛型苯酚树脂19重量部、作为硬化促进剂的咪唑2重量部的组合物、并干燥硬化的涂敷层。另外，该涂敷层也可使用第1实施方案中所说明的涂料。

然后，如图4(b)所示，从上方照射二氧化碳激光以形成贯通孔6。因加工时的热影响，在贯通孔的大体圆周部上形成射入侧隆起部15及射出侧隆起部16。此处的射入侧及射出侧以激光5的射入方向为基准。依发明人的实验，当使用波长为10.6μm的二氧化碳激光时，射出侧隆起部16比射入侧隆起部15大，即厚度较大。

然后，如图4(c)所示，借助于滑动等方法填入导电性浆料8。导电性浆料8以铜粒子及热硬化树脂为主体并将它们分散在粘接剂中。在填入后由于铜粒子的沉淀及其他的原因，射出侧隆起部16附近比射入侧隆起部15附近的导电性浆料8的粘度高。其次，如图4(d)所示，从基板上剥离隔离膜4。此时如图4(d)所示，两者将从隔离膜4及导电性浆料8的界面上分离，从确保导电性浆料8的量上来说，导电性浆料8从基板1表面隆起的形状是优选的。若条件不合适，导电性浆料8将在隔离膜剥离时附着在射入侧隆起部15或射出侧隆起部16上，从基板1上被带走。这种情况下导电性浆料8的量比正规的情况下少，因此对导电性浆料的层间连接带来不良影响。该被夺取现象多以导电性浆料8的粘度、隔离薄厚度及贯通孔6的孔径为主要原因，此外射入侧隆起部15或射出侧隆起部16的厚度也是重要的原因。如上所述通常射出侧隆起部16附近的导电性浆料8的粘度将变高，且容易产生被夺取现象。另外，如图4(b)所述用激光进行贯通孔加工时，由于射出侧隔离膜4的孔径也变小，因此在射出侧隆起部16上容易产生被夺取现象。为防止被夺取现象的发生，发明人使用波长为9.4μm的上述二氧化碳激光进行实验以防止被夺取现象。当使用波长为10.6μm的二氧化碳激光时，由于射出侧隆起部16的厚度较大而频频发生被夺取现象，在剥离隔离膜4后的基板1的双面上配置铜箔并进行热压，作成与本发明的第1实施方案相同的双面电路形成基板时，连接双面的电路的电阻将极为不均。因此，若为了减小射出侧隆起部16的厚度而将激光5的能量减小，则无法获得作为目的的贯通孔6直径。但是，当使用波长为9.4μm的二氧化碳激光时，因射出侧隆起部16的厚度较薄，不发生被夺取现象，而且不易发生被夺取现象的射入侧隆起部15的厚度可确保较大的浆料量。结果，即使作成双面电路形成基板，连接双面的电路的电阻也是稳定的。

在本实施方案中以二氧化碳的波长为9.4μm为例进行了说明，但二氧化碳激光通过调整其气体组成的方法等可选择其波长，可采用9.6μm等的10μm以下、9μm以上的多种振荡线。

如上所述的本发明的电路形成基板及其制造方法，在孔洞形成步骤即电路形成步骤中将该隔离剥膜的一部分转印在电路形成基板上，或在孔洞形成步骤中在贯通孔或不贯通孔的周围将基板及隔离膜加以密接而一体化，或者由于形成以隔离膜为主体的隆起部而提高焊接面或电路的连接强度，或在孔周围上连接装置将不扩散，且防止导电性浆料被隔离膜带走的现象，尤其可提高高密度的电路形成基板的可靠性。

Claims (16)

1.一种电路形成基板的制造方法，包含以下分别独立的步骤，或以这些步骤的内容为目的而将各步骤的构成要素加以混合的步骤，这些步骤包括：

孔洞形成步骤，以能束照射由一种或多种材料构成的板状或片状的基板，进行贯通或不贯通的孔洞加工，该能束由激光波长为10μm以下、9μm以上的二氧化碳激光构成；

连接装置形成步骤，在将上述孔洞形成步骤中所形成的贯通或不贯通的孔洞中形成电气连接基板的表里或内外层的连接装置；以及

电路形成步骤，通过形成金属箔或薄膜而在基板表面上形成导体层，并根据所希望的形状进行构图；

其特征在于，在上述孔洞形成步骤前还包含在上述基板的单面或双面上张贴薄膜状隔离膜的隔离膜张贴步骤，该隔离膜具有由热塑性树脂、或热塑性树脂和热硬化树脂的混合物构成的涂层，在上述孔洞形成步骤中，将上述隔离膜的一部分转印在上述基板上的在上述电路形成步骤中形成的电路或焊接面的全部或一部分位置上。

2.一种电路形成基板的制造方法，包含以下分别独立的步骤，或以这些步骤的内容为目的而将各步骤的构成要素加以混合的步骤，这些步骤包括：

孔洞形成步骤，以能束照射由一种或多种材料构成的板状或片状的基板，进行贯通或不贯通的孔洞加工，该能束由激光波长为10μm以下、9μm以上的二氧化碳激光构成；

连接装置形成步骤，在将上述孔洞形成步骤中所形成的贯通或不贯通的孔洞中形成电气连接基板的表里或内外层的连接装置；以及

电路形成步骤，通过形成金属箔或薄膜而在基板表面上形成导体层，并根据所希望的形状进行构图；

其特征在于，在上述孔洞形成步骤前还包含在上述基板的单面或双面上张贴薄膜状隔离膜的隔离膜张贴步骤，该隔离膜具有由热塑性树脂、或热塑性树脂和热硬化树脂的混合物构成的涂层，在上述孔洞形成步骤中，使在上述张贴步骤中已被基本一体化了的基板及隔离膜，在该贯通或不贯通的孔洞周围的在上述电路形成步骤中形成的电路或焊接面的全部或一部分的位置上更密接而一体化。

3.如权利要求1的电路形成基板的制造方法，其中：把该隔离膜的一部分转印在上述孔洞形成步骤中所形成的贯通或不贯通的孔洞的大体周边上。

4.如权利要求1的电路形成基板的制造方法，其中：向该电路形成步骤中所形成的电路的全部或一部分的位置照射能束，使隔离膜的一部分转印。

5.如权利要求1或2的电路形成基板的制造方法，其中：该基板材料使用具有孔隙的多孔材料，且在上述孔洞形成步骤中所形成的贯通或不贯通的孔洞周围形成由隔离膜、或基板材料和隔离膜材料相混合的材料构成的无孔隙或孔隙少的无孔隙层。

6.如权利要求1或2的电路形成基板制造方法，其中：连接装置形成步骤还包含下述的电路形成步骤，即，在孔洞形成步骤中所形成的贯通或不贯通的孔洞中填入导电性涂料，然后从基板上剥离隔离膜，在基板的单面或双面上配置金属箔或内层用电路形成基板并加热加压，使基板和金属箔、或基板和内层电路形成基板呈现一体化，并借助于导电性涂敷使基板的表里或内外层呈现电气连接，然后再对金属箔进行构图。

7.如权利要求1或2的电路形成基板的制造方法，其中：在孔洞形成步骤后，将隔离膜从基板上剥离，在基板的单面上配置金属箔或内层用电路形成基板并加热加压，使基板和金属箔、或基板和内层电路形成基板一体化，然后在基板的孔洞内和单面或双面的全部或一部分上形成薄膜，基板的表里或内外层呈现电气连接后，再对该薄膜进行构图，形成所希望的电路。

8.如权利要求1或2的电路形成基板的制造方法，其中：从隔离膜转印到基板上的涂敷层由金属薄膜构成。

9.如权利要求1或2的电路形成基板的制造方法，其中：金属箔的单面或双面经过粗糙化处理。

10.如权利要求9的电路形成基板的制造方法，其中：经粗糙化处理的表面的平均粗糙度大于转印到基板材料上的隔离膜的一部分的厚度。

11.如权利要求9的电路形成基板的制造方法，其中：经粗糙化处理的表面的平均粗糙度小于转印到基板材料上的隔离膜的一部分的厚度。

12.如权利要求1或2的电路形成基板的制造方法，其中：孔洞形成步骤中，激光能束呈脉冲状地照射一次或多次，上述一次或多次中至少第一次为10mJ以上的脉冲能量。

13.如权利要求1或2的电路形成基板的制造方法，其中：基板材料使用在补强材料中含浸热硬化树脂、且B级化的所谓的半固化片，或使用不用补强材料而将热硬化树脂B级化的薄膜。

14.如权利要求1的电路形成基板的制造方法，其中：在基板上转印的隔离膜的一部分的厚度小于3μm。

15.如权利要求1或2的电路形成基板的制造方法，其中：将基板的两面中的有效地进行隔离膜的转印或无孔隙层的形成的那个面配置为电路形成基板的表层侧。

16.一种电路形成基板，其中：在包含热硬化树脂的基板表面上形成的电路或焊接面的全部或一部分的位置的下部由热塑性树脂和上述热硬化树脂共同硬化成形，且上述热塑性树脂构造成从电路或焊接面的最靠近它们的下方沿基板的厚度和深度方向逐渐地减少热塑性。

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