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CN119605336A - 显示装置 - Google Patents

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CN119605336A
CN119605336A CN202280098478.5A CN202280098478A CN119605336A CN 119605336 A CN119605336 A CN 119605336A CN 202280098478 A CN202280098478 A CN 202280098478A CN 119605336 A CN119605336 A CN 119605336A
Authority
CN
China
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light emitting
semiconductor light
emitting device
electrode
assembly
Prior art date
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Pending
Application number
CN202280098478.5A
Other languages
English (en)
Inventor
张在元
崔元硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Electronics Inc
LG Display Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc, LG Display Co Ltd filed Critical LG Electronics Inc
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    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
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    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
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Abstract

显示装置包括：基板；第一组装配线，配置在基板上；第二组装配线，配置在基板上；分隔壁，配置在第一组装配线和第二组装配线上并包括组装孔；半导体发光器件，配置在组装孔；连接电极，配置在半导体发光器件的侧部；以及电极配线，配置在半导体发光器件的上侧。第一组装配线和第二组装配线各自均包括：第一导电电极，与组装孔垂直重叠；以及第二导电电极，与第一导电电极连接，并且与半导体发光器件垂直重叠。

Description

显示装置
技术领域
实施例涉及一种显示装置。
背景技术
大面积显示器包括液晶显示器(LCD)、OLED显示器以及微LED显示器(Micro-LEDdisplay)等。
微LED显示器是将作为具有100μm以下的直径或截面积的半导体发光器件的微LED用作显示器件的显示器。
微LED显示器将作为半导体发光器件的微LED用作显示器件，因此在明暗比、响应速度、颜色再现率、视野角、明度、分辨率、寿命、发光效率或亮度等很多特性上具有优异的性能。
尤其，微LED显示器可以以模块方式分离、结合画面，从而具有尺寸或分辨率调节自由的优点以及能够实现柔性显示器的优点。
但是，大型微LED显示器需要几百万个以上的微LED，因此存在难以将微LED快速且准确地转移到显示面板的技术问题。
最近开发的转移技术有拾放工艺(pick and place process)、激光剥离法(LaserLift-off method)或自组装方式(self-assembly method)等。
其中，自组装方式作为半导体发光器件在流体内自行寻找组装位置的方式，是有利于实现大屏幕的显示装置的方式。
但是，目前对通过微LED的自组装来制造显示器的技术的研究还不完善。
尤其是在现有技术中，在将数百万个以上的半导体发光器件快速地转移到大型显示器的情况下，虽然能够提高转移速度(transfer speed)，但是转移不良率(transfererror rate)可能提高，从而存在转移产量(transfer yield)降低的技术问题。
在相关技术中，虽然尝试了利用介电泳(dielectrophoresis，DEP)的自组装方式的转移工艺，但是由于介电泳力的不均匀性等，存在自组装率低的问题。
另一方面，根据非公开内部技术，在通过自组装方式将半导体发光器件组装到基板上之后，执行用于电连接半导体发光器件的后续工序。
图1a和图1b示出了非公开内部技术的显示装置。
如图1a和图1b所示，在半导体发光器件3组装到分隔壁1的组装孔1H之后，在半导体发光器件3的侧部形成连接电极4。接着，在分隔壁1上形成绝缘层5，并且通过接触孔2，电极配线6与半导体发光器件3的上侧连接。
利用曝光工序，在半导体发光器件3上形成接触孔2。为此，如图2a和图2b所示，包括图案孔8的图案掩模7位于绝缘层5上。之后，执行对准工序，以使图案孔8位于半导体发光器件3的中心。
然而，在图案掩模7的图案孔8因未对准而偏移后执行曝光工序的情况下，接触孔2形成为露出连接电极4。之后，如图3所示，在接触孔2形成电极配线6的情况下，电极配线6与连接电极4电短路。在这种情况下，半导体发光器件3不会发光，从而存在产生发光不良的问题。
另一方面，根据曝光时的光束点的焦点的位置，产生具有各种尺寸的接触孔2。如图4a所示，在光束点位于半导体发光器件3的上侧之后执行曝光工序的情况下，形成正常的接触孔2。然而，如图4b所示，在光束点位于半导体发光器件3的上侧方的上方时，接触孔2的尺寸非常小而作为非正常处理。如图4c所示，在光束点位于半导体发光器件3的内侧的情况下，接触孔2的尺寸非常大而作为非正常处理。尤其，如图4c所示，在接触孔2的尺寸比半导体发光器件3的尺寸大的情况下，半导体发光器件3的顶面以及连接电极4均露出，从而存在如前所述的在电极配线6和连接电极4之间发生电短路的问题。
发明内容
发明所要解决的问题
实施例的目的在于，解决前述的问题及其他问题。
实施例的另一目的在于，提供一种显示装置。
另外，实施例的又一目的在于，提供一种能够防止电短路不良的显示装置。
另外，实施例的又一目的在于，提供一种结构简单的显示装置。
另外，实施例的又一目的在于，提供一种能够提高亮度的显示装置。
另外，实施例的又一目的在于，提供一种工艺简单的显示装置。
另外，实施例的又一目的在于，提供一种能够强化固定力的显示装置。
实施例的技术课题不限于本发明内容中记载的技术课题，还包括通过具体实施方式可以掌握的技术课题。
解决问题的技术方案
根据用于实现上述或另一目的的实施例的一个方面，显示装置包括：基板；第一组装配线，配置在所述基板上；第二组装配线，配置在所述基板上；分隔壁，配置在所述第一组装配线和所述第二组装配线上并包括组装孔；半导体发光器件，配置在所述组装孔；连接电极，配置在所述半导体发光器件的侧部；以及电极配线，配置在所述半导体发光器件的上侧；所述第一组装配线和所述第二组装配线各自均包括：第一导电电极，与所述组装孔垂直重叠；以及第二导电电极，与所述第一导电电极连接，并且与所述半导体发光器件垂直重叠。
所述基板包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素；所述半导体发光器件包括：至少一个第一半导体发光器件，配置在所述第一子像素；至少一个第二半导体发光器件，配置在所述第二子像素；以及至少一个第三半导体发光器件，配置在所述第三子像素；所述第一半导体发光器件、所述第二半导体发光器件以及所述第三半导体发光器件分别可以发出不同的光。
所述电极配线可以公共连接于所述第一半导体发光器件、所述第二半导体发光器件以及所述第三半导体发光器件。
所述连接电极可以包括：第一连接电极，配置在所述第一子像素的所述第一半导体发光器件的周缘；第二连接电极，配置在所述第二子像素的所述第二半导体发光器件的周缘；以及第三连接电极，配置在所述第三子像素的所述第三半导体发光器件的周缘。
所述第一半导体发光器件、所述第二半导体发光器件以及所述第三半导体发光器件各自均包括：发光层；以及侧部电极，从所述发光层的下侧延伸并配置于所述发光层的侧部；所述第一连接电极、所述第二连接电极以及所述第三连接电极分别可以与所述侧部电极接触。
所述第一连接电极、所述第二连接电极以及所述第三连接电极分别可以与所述第一组装配线和所述第二组装配线中的至少一个组装配线连接。
所述第一连接电极、所述第二连接电极以及所述第三连接电极分别可以与所述第一导电电极接触。
所述第一连接电极、所述第二连接电极以及所述第三连接电极分别可以与所述第二导电电极接触。
所述电极配线可以配置在所述第一半导体发光器件、所述第二半导体发光器件、所述第三半导体发光器件以及所述分隔壁上。
所述电极配线可以与所述第一半导体发光器件、所述第二半导体发光器件以及所述第三半导体发光器件各自的顶面接触。
所述第一半导体发光器件、所述第二半导体发光器件以及所述第三半导体发光器件各自的顶面分别可以与所述分隔壁的顶面位于同一水平线上。
所述第一组装配线和所述第二组装配线中的至少一个组装配线可以是阳极电极，所述电极配线可以是阴极电极。
所述第一导电电极可以是金属电极。
所述第二导电电极可以是透明电极，所述电极配线可以是反射电极。
所述第二导电电极可以是反射电极，所述电极配线可以是透明电极。
所述半导体发光器件可以具有倾斜面，以使下侧的尺寸比上侧的尺寸大。
发明效果
如图1a和图1b所示，在半导体发光器件3上形成有绝缘层5的情况下，为了电连接半导体发光器件3的上侧，可以在绝缘层5的与半导体发光器件3的上侧相对应的位置形成接触孔2。然而，如图2a和图2b所示，如果在图案掩模7未对准的状态下执行曝光工序，则可能在偏离半导体发光器件3的中心的位置形成使连接电极4露出的接触孔2。在这种情况下，如图3所示，电极配线6和连接电极4电短路，从而产生半导体发光器件3不发光的点亮不良。
根据实施例，如图11至图13所示，电极配线360可以与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3各自的上侧直接连接，而不贯穿额外的绝缘层。即，在第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3上不会形成额外的绝缘层。例如，由于分别形成在第一组装孔340H1、第二组装孔340H2以及第三组装孔340H3的第二绝缘层350的顶面与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3各自的顶面位于同一水平线上，因此在第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3上不会形成第二绝缘层350。
在这种情况下，通过将电极配线360配置在第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3上，电极配线360可以与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3的顶面直接接触，而没有额外的绝缘层的阻碍。因此，如图2a至图3所示，在接触孔2因图案掩模7未对准而在形成于半导体发光器件3上的绝缘层5位于错误位置而不是正确位置的情况下，可能因相应的接触孔2而在电极配线6和连接电极4之间发生电短路。但是，通过实施例的结构，可以解决电短路问题。
另一方面，如图11至图13以及图25所示，电极配线360一体地形成在显示面板10的显示区域DA上，并且电极配线360可以用作阴极电极。例如，可以向电极配线360供应固定电压，例如，0V的基准电压。因此，不需要将与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3各自的上侧连接的电极配线360分离来相互绝缘。由此，通过在显示面板10的显示区域DA上沉积导电膜来形成电极配线360，因此结构简单，工序容易。
另一方面，如图15和图16所示，通过反射第一半导体发光器件150-1(第二半导体发光器件150-2、第三半导体发光器件150-3也相同)中生成的光的一部分，有助于光朝特定方向、即前方方向或后方方向输出，从而可以提高亮度。
实施例可适用的追加范围可以通过以下的详细说明变得更加清楚。但是，本领域技术人员可以清楚地理解实施例的思想和范围内的各种变更和修改，因此应理解为，详细的说明和特定实施例诸如优选实施例仅是示例性的。
附图说明
图1a和图1b示出了非公开内部技术的显示装置。
图2a和图2b示出了因未对准而接触孔形成为露出连接电极的情形。
图3示出了电极配线通过接触孔与连接电极发生电短路的情形。
图4示出了通过接触孔形成工序形成的各种接触孔。
图5示出了配置有实施例的显示装置的住宅的客厅。
图6是示意性地示出实施例的显示装置的框图。
图7是示出图6的像素的一例的电路图。
图8是图5的显示装置中第一面板区域的放大图。
图9是图8的A2区域的放大图。
图10是示出实施例的发光器件通过自组装方式组装到基板的例子的图。
图11是示出实施例的显示装置的俯视图。
图12是更详细地示出实施例的显示装置的俯视图。
图13是沿图12的实施例的显示装置的C1-C2线剖开的剖视图。
图14是示出实施例的第一半导体发光器件的剖视图。
图15示出了在实施例的显示装置中根据底部发射(bottom emission)方式来显示图像的情形。
图16示出了在实施例的显示装置中根据顶部发射(top emission)方式来显示图像的情形。
图17至图24是示出实施例的显示装置的制造工序的剖视图。
图25是示出实施例的显示装置的框图。
图中所示的复数个构成要素的尺寸、形状、数值等可以与实际情况不同。另外，即使相同的构成要素在各个图中以彼此不同的尺寸、形状、数值等示出，这也只是图中的一个示例，相同的构成要素可以在各个图中具有彼此相同的尺寸、形状、数值等。
具体实施方式
以下，参照附图对本说明书中公开的实施例进行详细说明，并且与图号无关地，对相同或类似的构成要素赋予相同的附图标记，并省略对其重复说明。以下描述中使用的构成要素的后缀“模块”和“部”出于考虑说明书的容易撰写而赋予或混用，它们本身并不具有彼此区分的含义或作用。并且，附图是用于使本说明书中公开的实施例容易理解，本说明书中公开的技术思想并不受附图限制。并且，当提及层、区域或基板等要素存在于另一构成要素“上”时，应理解为其可以直接存在于另一要素上，或者它们之间还可以存在其他中间要素。
在本说明书中说明的显示装置可以包括TV、标牌(signage)、手机、智能手机(smart phone)、汽车用HUD(head-Up Display，抬头显示器)、笔记本电脑(laptopcomputer)用背光单元、VR或AR用显示器等。但是，本说明书中记载的实施例的构成也可以适用于日后开发的新产品形式的可显示的装置。
以下，对实施例的发光器件及包括该发光器件的显示装置进行说明。
图5示出了配置有实施例的显示装置的住宅的客厅。
参照图5，实施例的显示装置100可以显示洗衣机101、扫地机器人102、空气净化器103等各种电子产品的状态，可以基于IOT来与各个电子产品进行通信，也可以基于用户的设定数据来控制各个电子产品。
实施例的显示装置100可以包括在薄且柔软的基板之上制造的柔性显示器(flexibledisplay)。柔性显示器不仅可以保持现有的平板显示器的特性，而且还能够像纸一样弯曲或卷绕。
在柔性显示器中，视觉信息可以通过单独控制以矩阵形态配置的单位像素(unitpixel)的发光来实现。单位像素是指用于实现一个颜色的最小单位。柔性显示器的单位像素可以由发光器件实现。在实施例中，发光器件可以是Micro-LED(微米级发光二极管)或Nano-LED(纳米级发光二极管)，但不限于此。
图6是示意性地示出实施例的显示装置的框图，图7是示出图6的像素的一例的电路图。
参照图6和图7，实施例的显示装置可以包括显示面板10、驱动电路20、扫描驱动部30以及电源供应电路50。
实施例的显示装置100可以以有源矩阵(AM，Active Matrix)方式或无源矩阵(PM，Passive Matrix)方式驱动发光器件。
驱动电路20可以包括数据驱动部21和定时控制部22。
显示面板10可以形成为矩形，但不限于此。即，显示面板10可以形成为圆形或椭圆形。显示面板10的至少一侧可以形成为以规定曲率弯曲。
显示面板10可以划分为显示区域DA和配置于显示区域DA的周边的非显示区域NDA。显示区域DA是形成有复数个像素PX以显示图像的区域。显示面板10可以包括复数个数据线D1～Dm(m是2以上的整数)、与复数个数据线D1～Dm交叉的复数个扫描线S1～Sn(n是2以上的整数)、被供应高电位电压的高电位电压线VDDL、被供应低电位电压VSS的低电位电压线VSSL以及与复数个数据线D1～Dm和复数个扫描线S1～Sn连接的复数个像素PX。
复数个像素PX中的每一个像素可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发出第一主波长的第一颜色光，第二子像素PX2可以发出第二主波长的第二颜色光，第三子像素PX3可以发出第三主波长的第三颜色光。第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，第三颜色光可以是蓝色光，但不限于此。另外，图6例示出复数个像素PX中的每一个像素包括三个子像素，但不限于此。即，复数个像素PX中的每一个像素可以包括四个以上的子像素。
第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每一个子像素可以连接到复数个数据线D1～Dm中的至少一个线、复数个扫描线S1～Sn中的至少一个线以及高电位电压线VDDL。如图7所示，第一子像素PX1可以包括复数个发光器件LD、用于向复数个发光器件LD供应电流的复数个晶体管以及至少一个电容器Cst。
虽然未图示，但第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每一个子像素也可以仅包括一个发光器件LD以及至少一个电容器Cst。
复数个发光器件LD中的每一个发光器件可以是包括第一电极、复数个导电型半导体层以及第二电极的半导体发光二极管。在此，第一电极可以是阳极电极，第二电极可以是阴极电极，但不限于此。
发光器件LD可以是水平型发光器件、倒装芯片型发光器件以及垂直型发光器件中的一种。
如图7所示，复数个晶体管可以包括：驱动晶体管DT，向复数个发光器件LD供应电流；以及扫描晶体管ST，向驱动晶体管DT的栅电极供应数据电压。驱动晶体管DT可以包括：栅电极，连接于扫描晶体管ST的源电极；源电极，连接于被施加高电位电压的高电位电压线VDDL；以及漏电极，连接于复数个发光器件LD的复数个第一电极。扫描晶体管ST可以包括：栅电极，连接于扫描线Sk(k是满足1≤k≤n的整数)；源电极，连接于驱动晶体管DT的栅电极；以及漏电极，连接于数据线Dj(j是满足1≤j≤m的整数)。
电容器Cst形成在驱动晶体管DT的栅电极和源电极之间。存储电容器Cst充电驱动晶体管DT的栅极电压和源极电压的差值。
驱动晶体管DT和扫描晶体管ST可以由薄膜晶体管(thin film transistor)形成。另外，在图7中，以驱动晶体管DT和扫描晶体管ST由P型MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)形成为中心进行了说明，但本发明不限于此。驱动晶体管DT和扫描晶体管ST也可以由N型MOSFET形成。在这种情况下，驱动晶体管DT和扫描晶体管ST各自的源电极和漏电极的位置可以变更。
另外，在图7中，例示了第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每一个子像素包括具有一个驱动晶体管DT、一个扫描晶体管ST以及一个电容器Cst的2T1C(2Transistor-1capacitor，两个晶体管和一个电容器)，但本发明不限于此。第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每一个子像素可以包括复数个扫描晶体管ST和复数个电容器Cst。
第二子像素PX2和第三子像素PX3可以表示为与第一子像素PX1实质相同的电路图，因此省略对其详细说明。
驱动电路20输出用于驱动显示面板10的复数个信号和复数个电压。为此，驱动电路20可以包括数据驱动部21和定时控制部22。
数据驱动部21从定时控制部22接收数字视频数据DATA和源控制信号DCS。数据驱动部21根据源控制信号DCS，将数字视频数据DATA转换成复数个模拟数据电压并供应到显示面板10的复数个数据线D1～Dm。
定时控制部22从主机系统接收数字视频数据DATA和复数个定时信号。复数个定时信号可以包括垂直同步信号(vertical sync signal)、水平同步信号(horizontal syncsignal)、数据使能信号(data enable signal)以及点时钟(dot clock)。主机系统可以是智能手机或平板计算机(Tablet PC)的应用处理器、显示器、TV的片上系统等。
定时控制部22生成用于控制数据驱动部21和扫描驱动部30的动作定时的控制信号。复数个控制信号可以包括：源控制信号DCS，用于控制数据驱动部21的动作定时；以及扫描控制信号SCS，用于控制扫描驱动部30的动作定时。
驱动电路20可以配置在设置于显示面板10的一侧的非显示区域NDA。驱动电路20由集成电路(integrated circuit，IC)形成，可以以COG(chip on glass，玻璃上芯片)方式、COP(chip on plastic，塑料上芯片)方式或超声波接合方式安装在显示面板10上，但本发明不限于此。例如，驱动电路20可以安装在电路板(未图示)上，而不是显示面板10。
数据驱动部21可以以COG(chip on glass)方式、COP(chip on plastic)方式或超声波接合方式安装在显示面板10上，定时控制部22可以安装在电路板上。
扫描驱动部30从定时控制部22接收扫描控制信号SCS。扫描驱动部30根据扫描控制信号SCS生成复数个扫描信号并供应到显示面板10的复数个扫描线S1～Sn。扫描驱动部30包括复数个晶体管，可以形成在显示面板10的非显示区域NDA。或者，扫描驱动部30可以由集成电路形成，在这种情况下，可以安装在附着于显示面板10的另一侧的栅极柔性膜上。
电路板可以利用各向异性导电膜(anisotropic conductive film)来附着在设置于显示面板10的一侧边缘的复数个焊盘上。因此，电路板的复数个引线可以与复数个焊盘电连接。电路板可以是柔性印刷电路板(flexible prinited circuit board)、印刷电路板(printed circuit board)或诸如覆晶薄膜(chip on film)的柔性膜(flexible film)。电路板可以向显示面板10的下部弯曲(bending)。因此，电路板的一侧可以附着于显示面板10的一侧边缘，另一侧可以配置于显示面板10的下部，可以连接于安装有主机系统的系统板。
电源供应电路50可以由从系统板施加的主电源生成显示面板10的驱动所需的复数个电压并供应给显示面板10。例如，电源供应电路50可以由主电源生成用于驱动显示面板10的复数个发光器件LD的高电位电压VDD和低电位电压VSS，并供应到显示面板10的高电位电压线VDDL和低电位电压线VSSL。另外，电源供应电路50可以由主电源生成并供应用于驱动驱动电路20和扫描驱动部30的驱动电压。
图8是图3的显示装置中第一面板区域的放大图。
参照图8，实施例的显示装置100可以通过平铺来机械、电连接诸如第一面板区域A1的复数个面板区域来制造。
第一面板区域A1可以包括按单位像素(图6的PX)配置的复数个半导体发光器件150。
例如，单位像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3。例如，复数个红色半导体发光器件150R可以配置于第一子像素PX1，复数个绿色半导体发光器件150G可以配置于第二子像素PX2，复数个蓝色半导体发光器件150B可以配置于第三子像素PX3。单位像素PX还可以包括未配置半导体发光器件的第四子像素，但不限于此。
图9是图8的A2区域的放大图。
参照图9，实施例的显示装置100可以包括基板200、组装配线201、202、绝缘层206以及复数个半导体发光器件150。可以包括更多的构成要素。
组装配线可以包括彼此隔开的第一组装配线201和第二组装配线202。第一组装配线201和第二组装配线202可以为了组装半导体发光器件150而生成介电泳力(DEP force)。例如，半导体发光器件150可以是水平型半导体发光器件、倒装芯片型半导体发光器件以及垂直型半导体发光器件中的一种。
为了实现各个单位像素(sub-pixel)，半导体发光器件150可以包括红色半导体发光器件150、绿色半导体发光器件150G以及蓝色半导体发光器件150B，但不限于此，也可以具有红色荧光体和绿色荧光体等来分别实现红色和绿色。
基板200可以是支撑配置于该基板200上的复数个构成要素的支撑构件，或者可以是保护复数个构成要素的保护构件。
基板200可以是刚性(rigid)基板或柔性(flexible)基板。基板200可以由蓝宝石、玻璃、硅或聚酰亚胺(Polyimide)形成。另外，基板200可以包括PEN(PolyethyleneNaphthalate：聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(Polyethylene Terephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)等具有柔韧性的材质。另外，基板200可以是透明的材质，但不限于此。基板200可以在显示面板中发挥支撑基板的功能，在发光器件自组装时，还可以发挥组装用基板的功能。
基板200可以是设置有图6和图7所示的子像素PX1、PX2、PX3内的电路例如晶体管ST、DT、电容器Cst、信号配线等的背板(backplane)，但不限于此。
绝缘层206可以包括聚酰亚胺、PAC、PEN、PET、聚合物等具有绝缘性和柔韧性的有机物材料或氧化硅(SiO2)或氮化硅系(SiNx)等无机物材料，也可以与基板200一体形成而形成单个基板。
绝缘层206可以是具有粘合性和导电性的导电性粘合层，导电性粘合层具有柔性，从而能够实现显示装置的柔性功能。例如，绝缘层206可以是各向异性导电性膜(ACF，anisotropy conductive film)或各向异性导电介质、含有导电性粒子的溶液(solution)等导电性粘合层。导电性粘合层可以是在与厚度垂直的方向上具有导电性，而在与厚度水平的方向上具有电绝缘性的层。
绝缘层206可以包括用于插入半导体发光器件150的组装孔203。因此，在自组装时，半导体发光器件150可以容易地插入到绝缘层206的组装孔203。组装孔203可以被称为插入孔、固定孔、对齐孔等。组装孔203也可以被称为孔。
组装孔203可以被称为孔、槽、沟槽、凹槽、袋等。
组装孔203可以根据半导体发光器件150的形状而不同。例如，红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件以及蓝色半导体发光器件分别可以具有不同的形状，组装孔203可以具有与这些半导体发光器件各自的形状对应的形状。例如，组装孔203可以包括用于组装红色半导体发光器件的第一组装孔、用于组装绿色半导体发光器件的第二组装孔以及用于组装蓝色半导体发光器件的第三组装孔。例如，红色半导体发光器件可以具有圆形，绿色半导体发光器件可以具有包括第一短轴和第二长轴的第一椭圆形，蓝色半导体发光器件可以具有包括第二短轴和第二长轴的第二椭圆形，但不限于此。蓝色半导体发光器件的椭圆形的第二长轴可以大于绿色半导体发光器件的椭圆形的第二长轴，蓝色半导体发光器件的椭圆形的第二短轴可以小于绿色半导体发光器件的椭圆形的第一短轴。
另一方面，将半导体发光器件150安装到基板200上的方式例如可以有自组装方式(图10)和转移方式等。
图10是示出实施例的发光器件通过自组装方式组装到基板的例子的图。
基于图10说明实施例的半导体发光器件通过利用电磁场的自组装方式来组装到显示面板的例子。
稍后说明的组装基板200可以在发光器件组装后，在显示装置中发挥面板基板200a的功能，但实施例并不限于此。
参照图10，半导体发光器件150可以被投入到填充有流体1200的腔室1300，通过由组装装置1100产生的磁场，半导体发光器件150可以移动到组装基板200。此时，靠近组装基板200的组装孔207H的发光器件150可以通过由复数个组装配线的电场产生的介电泳力来组装到组装孔207H。流体1200可以是水，例如超纯水等，但不限于此。腔室可以被称为水槽、盛器、容器等。
在将半导体发光器件150投入到腔室1300之后，可以将组装基板200配置在腔室1300上。根据实施例，组装基板200也可以投入到腔室1300内。
半导体发光器件150可以包括具有磁性体的磁性层(未图示)。磁性层可以包含镍(Ni)等具有磁性的金属。由于投入到流体内的半导体发光器件150包括磁性层，因此可以通过由组装装置1100产生的磁场来移动到组装基板200。磁性层可以配置在发光器件的上侧或下侧或两侧。
半导体发光器件150可以包括包围顶面和侧面的钝化层。钝化层可以利用离子体增强化学气相沉积(PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、低压化学气相沉积(LPCVD：Low Pressure CVD)、溅射沉积法等来形成二氧化硅、氧化铝等无机物绝缘体。另外，钝化层可以通过旋涂光刻胶、聚合物物质等有机物的方法来形成。
半导体发光器件150可以包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及配置在它们之间的活性层。第一导电型半导体层可以是n型半导体层，第二导电型半导体层可以是p型半导体层，但不限于此。第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及配置在它们之间的活性层可以构成发光部。发光部可以被称为发光层、发光区域等。
第一电极(层)可以配置在第一导电型半导体层的下方，第二电极(层)可以配置在第二导电型半导体层的上方。为此，第一导电型半导体层或第二导电型半导体层的一部分区域可以向外部露出。由此，在半导体发光器件150组装于组装基板200之后的显示装置的制造工序中，可以蚀刻钝化层中的一部分区域。
第一电极可以包括至少一个以上的层。例如，第一电极可以包括欧姆层、反射层、磁性层、导电层、氧化防止层、粘合层等。欧姆层可以包括Au、AuBe等。反射层可以包括Al、Ag等。磁性层可以包括Ni、Co等。导电层可以包括Cu等。氧化防止层可以包括Mo等。粘合层可以包括Cr、Ti等。
第二电极可以包括透明的导电层。例如，第二电极可以包括ITO、IZO等。
组装基板200可以包括分别与要组装的半导体发光器件150对应的一对第一组装配线201、第二组装配线202。第一组装配线201和第二组装配线202分别可以由单一金属或金属合金或金属氧化物等多重层叠而形成。例如，第一组装配线201和第二组装配线202各自均可以包括Cu、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf中的至少一种而形成，并且不限于此。
第一组装配线201和第二组装配线202可以随着被施加交流电压而形成电场，通过由该电场产生的介电泳力，投入的半导体发光器件150可以固定到组装孔207H。第一组装配线201和第二组装配线202之间的间隔可以小于半导体发光器件150的宽度和组装孔207H的宽度，从而可以更精确地固定利用电场的半导体发光器件150的组装位置。
在第一组装配线201和第二组装配线202上形成有绝缘层215，可以保护第一组装配线201和第二组装配线202免受流体1200的影响，可以防止第一组装配线201和第二组装配线202中流动的电流泄漏。例如，绝缘层215可以由二氧化硅、氧化铝等无机物绝缘体或有机物绝缘体形成为单层或多层。绝缘层215可以具有用于在组装半导体发光器件150时防止第一组装配线201和第二组装配线202受损的最小厚度，并且可以具有用于稳定地组装半导体发光器件150的最大厚度。
在绝缘层215的上部可以形成有分隔壁207。分隔壁207的一部分区域可以位于第一组装配线201和第二组装配线202的上部，其余区域可以位于组装基板200的上部。
另一方面，在制造组装基板200时，通过去除形成在绝缘层215上部的分隔壁中的一部分，可以形成供每个半导体发光器件150结合并组装到组装基板200的组装孔207H。
在组装基板200形成有供复数个半导体发光器件150结合的组装孔207H，形成有组装孔207H的面可以与流体1200接触。组装孔207H可以引导半导体发光器件150的准确的组装位置。
另一方面，组装孔207H可以具有与要组装到对应位置的半导体发光器件150的形状对应的形状和尺寸。由此，能够防止其他半导体发光器件组装到组装孔207H，或复数个半导体发光器件组装到组装孔207H。
重新参照图10，在组装基板200配置于腔室之后，施加磁场的组装装置1100可以沿组装基板200移动。组装装置1100可以是永磁铁或电磁铁。
为了使磁场影响的区域在流体1200内最大化，组装装置1100可以以与组装基板200接触的状态移动。根据实施例，组装装置1100可以包括复数个磁性体，或者也可以包括与组装基板200对应的尺寸的磁性体。在此情况下，组装装置1100的移动距离也可以被限制在规定范围以内。
在由组装装置1100产生的磁场的作用下，腔室1300内的半导体发光器件150可以朝组装装置1100和组装基板200移动。
半导体发光器件150在朝组装装置1100移动的过程中，可以在由组装配线201、202之间的电场形成的介电泳力作用下，进入组装孔207H并固定。
具体而言，第一组装配线201和第二组装配线202可以利用交流电源来形成电场，并且可以利用该电场来在组装配线201、202之间形成介电泳力。利用该介电泳力，可以将半导体发光器件150固定到组装基板200上的组装孔207H。
此时，在组装于组装基板200的组装孔207H上的发光器件150和组装配线201、202之间形成有规定的焊料层(未图示)，能够提高发光器件150的结合力。
另外，在组装后，在组装基板200的组装孔207H可以形成模制层(未图示)。模制层可以是透明树脂或包含反射物质、散射物质的树脂。
通过上述的利用电磁场的自组装方式，能够大幅缩短将每个半导体发光器件组装到基板所需的时间，因此能够更加快速且经济地实现大面积高像素显示器。
以下，参照图11至图25，说明用于解决上述问题的各种实施例。以下省略的说明可以通过图1至图10以及与该附图相关的上述的说明来容易地理解。
图11是示出实施例的显示装置的俯视图。图12是更详细地示出实施例的显示装置的俯视图。
如图11和图12所示，单位像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3。
实施例的显示装置300为了显示图像，可以包括至少一个第一半导体发光器件150-1、至少一个第二半导体发光器件150-2以及至少一个第三半导体发光器件150-3。
至少一个第一半导体发光器件150-1可以配置在第一子像素PX1，至少一个第二半导体发光器件150-2可以配置在第二子像素PX2，至少一个第三半导体发光器件150-3可以配置在第三子像素PX3。
第一子像素PX1可以包括第一组装孔340H1，第二子像素PX2可以包括第二组装孔340H2，第三子像素PX3可以包括第三组装孔340H3。第一半导体发光器件150-1可以配置在第一子像素PX1的第一组装孔340H1，第二半导体发光器件150-2可以配置在第二子像素PX2的第二组装孔340H2，第三半导体发光器件150-3可以配置在第三子像素PX3的第三组装孔340H3。
实施例的显示装置300可以包括电极配线360。电极配线360可以配置在单位像素PX的整个区域上。即，电极配线360可以配置在第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3上。例如，电极配线360可以配置在第一子像素PX1的第一半导体发光器件150-1、第二子像素PX2的第二半导体发光器件150-2以及第三子像素PX3的第三半导体发光器件150-3上。
电极配线360可以具有板形状。例如，电极配线360的底面和/或顶面可以具有水平面。例如，随着金属膜沉积在单位像素PX的整个区域，可以形成具有板形状的电极配线360。因此，不需要在沉积后进行额外的图案化工序，因此工序简单，并且可以缩短工序时间。
电极配线360可以是阴极电极。电极配线360可以与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3公共连接。例如，从低电位电压线(图7的VSSL)供应的低电位电压(图6的VSS)可以通过电极配线360分别向第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3供应。例如，低电位电压可以是0V或比0V更低的电压。
实施例的显示装置300可以包括复数个连接电极370-1、370-2、370-3。复数个连接电极可以包括第一连接电极370-1、第二连接电极370-2以及第三连接电极170-3。第一连接电极370-1可以配置在第一半导体发光器件150-1的侧部上，第二连接电极370-2可以配置在第二半导体发光器件150-2的侧部上，第三连接电极370-3可以配置在第三半导体发光器件150-3的侧部上。
第一连接电极370-1可以配置在第一子像素PX1的第一组装孔340H1。例如，第一连接电极370-1可以在第一组装孔340H1配置于第一半导体发光器件150-1的周缘。第二连接电极370-2可以配置在第二子像素PX2的第二组装孔340H2。例如，第二连接电极370-2可以在第二组装孔340H2配置于第二半导体发光器件150-2的周缘。第三连接电极170-3可以配置在第三子像素PX3的第三组装孔340H3。例如，第三连接电极170-3可以在第三组装孔340H3配置于第三半导体发光器件150-3的周缘。
另一方面，实施例的显示装置300可以包括复数个信号线SL1至SL4。复数个信号线可以包括第一信号线SL1、第二信号线SL2、第三信号线SL3以及第四信号线SL4。
第一信号线SL1可以与第一子像素PX1的第一连接电极370-1连接，第二信号线SL2可以与第二子像素PX2的第二连接电极370-2连接，第三信号线SL3可以与第三子像素PX3的第三连接电极170-3连接。例如，第一信号线SL1可以在第一子像素PX1与连接于第一半导体发光器件150-1的侧部的第一连接电极370-1连接。例如，第二信号线SL2可以在第二子像素PX2与连接于第二半导体发光器件150-2的侧部的第二连接电极370-2连接。例如，第三信号线SL3可以在第三子像素PX3与连接于第三半导体发光器件150-3的侧部的第三连接电极170-3连接。
第一信号线SL1、第二信号线SL2以及第三信号线SL3可以经由在图6和图7中示出的扫描晶体管ST和驱动晶体管DT来分别与第一数据线D1、第二数据线D2以及第三数据线D3连接。例如，第一信号线SL1、第二信号线SL2以及第三信号线SL3分别可以与驱动晶体管DT的漏极端子连接，供应高电位电压VDD的高电位电压线VDDL可以与驱动晶体管DT的源极端子连接。
第四信号线SL4可以与公共连接于第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3每个的上侧的电极配线360连接。另外，第四信号线SL4可以与低电位电压线VSSL连接。由此，低电位电压(图6的VSS)可以经由低电位电压线VSSL、第四信号线SL4以及电极配线360分别供应到第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3。
作为一例，第四信号线SL4可以与电极配线360形成为一体。在这种情况下，第四信号线SL4和电极配线360可以位于同一水平面上。例如，第四信号线SL4和电极配线360可以利用相同的图案化工序来同时形成。例如，通过在基板310上沉积并图案化金属膜，可以在第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3上同时形成电极配线360和从电极配线360延伸的第四信号线SL4。
作为另一例，第四信号线SL4可以不与电极配线360形成为一体。在这种情况下，第四信号线SL4和电极配线360可以配置在不同的层上。即，第四信号线SL4可以通过接触孔来与电极配线360电连接。
可以向与第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3分别连接的高电位电压线VDDL供应相同的高电位电压VDD。可以向与第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3分别连接的低电位电压线VSSL供应相同的低电位电压VSS。
在这种情况下，第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3分别可以基于相同的电位值、即相当于高电位电压VDD和低电位电压VSS之间的电位差的电位值，根据第一数据电压、第二数据电压以及第三数据电压来确定第一子像素PX1的第一半导体发光器件150-1、第二子像素PX2的第二半导体发光器件150-2以及第三子像素PX3的第三半导体发光器件150-3的光的亮度。即，第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3的光的亮度分别可以由根据第一数据电压、第二数据电压以及第三数据电压分别在第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3的驱动晶体管DT中流动的驱动电流来确定。
例如，根据第一数据电压，在第一子像素PX1的驱动晶体管DT中流动第一驱动电流，第一半导体发光器件150-1可以发出具有与第一驱动电流相应的第一亮度的第一光。例如，根据第二数据电压，在第二子像素PX2的驱动晶体管DT中流动第二驱动电流，第二半导体发光器件150-2可以发出具有与第二驱动电流相应的第二亮度的第二光。例如，根据第三数据电压，在第三子像素PX3的驱动晶体管DT中流动第三驱动电流，第三半导体发光器件150-3可以发出具有与第三驱动电流相应的第三亮度的第三光。例如，第一光可以是红色光，第二光可以是绿色光，第三光可以是蓝色光。
另一方面，由于亮度由驱动电流确定，因此如果要增加驱动电流，则可以增加低电位电压VSS和高电位电压VDD之间的电位差。例如，在低电位电压VSS为0V的情况下，通过增加高电位电压VDD，可以增加驱动电流，从而亮度也可以增加。即，通过调节低电位电压VSS和高电位电压VDD之间的电位差，可以调节亮度。
例如，第一半导体发光器件150-1可以由包含GaAs的化合物半导体材质构成，以发出红色光，但不限于此。例如，第二半导体发光器件150-2和第三半导体发光器件150-3可以由包含GaN的化合物半导体材质构成，以分别发出绿色光和蓝色光，但不限于此。
另一方面，可以向与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3公共连接的电极配线360供应低电位电压VSS，可以向驱动晶体管DT的源极端子供应高电位电压VDD。在这种情况下，如前所述，第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3的光的强度、即亮度分别可以根据分别供应到第一数据线D1、第二数据线D2以及第三数据线D3的第一数据电压、第二数据电压、第三数据电压的大小而不同。第一数据电压可以是红色数据电压，第二数据电压可以是绿色数据电压，第三数据电压可以是蓝色数据电压，但不限于此。
图13是沿图12的实施例的显示装置的C1-C2线剖开的剖视图。
在图12中示出了第一子像素PX1，由于第二子像素PX2和第三子像素PX3也具有与第一子像素PX1相似的结构，因此可以从以下对第一子像素PX1的说明容易地理解。
参照图11至图13，实施例的显示装置300可以包括基板310、第一组装配线321、323、325、第二组装配线322、324、326、分隔壁340、复数个半导体发光器件150-1、150-2、150-3、复数个连接电极370-1、370-2、370-3以及电极配线360。实施例的显示装置300可以包括比这更多的构成要素。
如前所述，基板310起到支撑配置在其上方的构成要素的作用，因此省略详细的说明。
在基板310上可以界定有复数个子像素PX1、PX2、PX3。图中示出了第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3沿第二方向Y排列，但不限于此。
包括复数个第一子像素PX1的第一子像素列、包括复数个第二子像素PX2的第二子像素列以及包括复数个第三子像素PX3的第三子像素列可以彼此平行地沿第二方向Y排列。
在第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3分别可以设置有至少一个组装孔340H1、340H2、340H3。
通过自组装工序，在复数个子像素PX1、PX2、PX3中的每一个子像素中，复数个半导体发光器件150-1、150-2、150-3分别可以通过形成在第一组装配线321、323、325和第二组装配线322、324、326之间的介电泳力来组装于组装孔340H1、340H2、340H3。
例如，通过形成在设置于第一子像素PX1的第一组装配线321和第二组装配线322之间的介电泳力，第一半导体发光器件150-1可以组装于第一组装孔340H1。例如，通过形成在设置于第二子像素PX2的第一组装配线323和第二组装配线324之间的介电泳力，第二半导体发光器件150-2可以组装于第二组装孔340H2。例如，通过形成在设置于第三子像素PX3的第一组装配线325和第二组装配线326之间的介电泳力，第三半导体发光器件150-3可以组装于第三组装孔340H3。
通过考虑用于形成组装孔340H1、340H2、340H3的公差余量和用于在组装孔340H1、340H2、340H3内容易地组装半导体发光器件150-1、150-2、150-3的余量等，可以确定组装孔340H1、340H2、340H3的尺寸。例如，组装孔340H1、340H2、340H3的尺寸可以大于半导体发光器件150-1、150-2、150-3的尺寸。例如，在半导体发光器件150-1、150-2、150-3组装于组装孔340H1、340H2、340H3的中心时，半导体发光器件150-1、150-2、150-3的外侧面和组装孔340H1、340H2、340H3的内侧面之间的距离可以是2μm以下，但不限于此。
例如，组装孔340H1、340H2、340H3可以具有与半导体发光器件150-1、150-2、150-3的形状对应的形状。例如，在半导体发光器件150-1、150-2、150-3为圆形的情况下，组装孔340H1、340H2、340H3也可以是圆形。例如，在半导体发光器件150-1、150-2、150-3为矩形的情况下，组装孔340H1、340H2、340H3也可以是矩形。
作为一例，第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每个子像素的组装孔340H1、340H2、340H3可以具有相同的形状、即圆形。在这种情况下，配置在第一子像素PX1的第一半导体发光器件150-1、配置在第二子像素PX2的第二半导体发光器件150-2以及配置在第三子像素PX3的第三半导体发光器件150-3可以具有与组装孔340H1、340H2、340H3对应的形状、即圆形。
如上所述，在第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每个子像素的组装孔340H1、340H2、340H3具有相同的形状的情况下，第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3分别可以依次组装于对应的子像素PX1、PX2、PX3中的每个子像素的组装孔340H1、340H2、340H3，但不限于此。
例如，第一半导体发光器件150-1可以组装于基板310的第一子像素PX1的第一组装孔340H1，第二半导体发光器件150-2可以组装于基板310的第二子像素PX2的第二组装孔340H2，第三半导体发光器件150-3可以组装于基板310的第三子像素PX3的第三组装孔340H3。在这种情况下，第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3中的每个半导体发光器件的形状可以相同，但不限于此。各个组装孔340H1、340H2、340H3分别可以具有与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3中的每个半导体发光器件的形状对应的形状，并且可以具有比第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3中的每个半导体发光器件的尺寸大的尺寸。
作为另一例，虽未图示，但第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每个子像素的组装孔340H1、340H2、340H3可以具有不同的形状。
例如，第一子像素PX1的第一组装孔340H1可以具有圆形，第二子像素PX2的第二组装孔340H2可以具有包括第一短轴和第一长轴的第一椭圆形，第三子像素PX3的第三组装孔340H3可以具有包括比第一短轴短的第二短轴和比第一长轴长的第二长轴的第二椭圆形。在这种情况下，第一半导体发光器件150-1可以具有与第一子像素PX1的第一组装孔340H1对应的形状、即圆形，第二半导体发光器件150-2可以具有与第二子像素PX2的第二组装孔340H2对应的形状、即第一椭圆形，第三半导体发光器件150-3可以具有与第三子像素PX3的第三组装孔340H3对应的形状、即第二椭圆形。
如上所述，通过具有互不相同的形状的复数个组装孔340H1、340H2、340H3和具有与该复数个组装孔340H1、340H2、340H3中的每个组装孔对应的形状的第一至第三半导体发光器件150-1、150-2、150-3，第一至第三半导体发光器件150-1、150-2、150-3可以在自组装时同时组装于相应的组装孔340H1、340H2、340H3。即、即使第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3为了自组装而在流体1200内混合，也可以在基板310上的第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每个子像素的组装孔340H1、340H2、340H3组装对应的半导体器件150-1、150-2、150-3。
例如，在第一子像素PX1的第一组装孔340H1可以组装有具有与该第一组装孔340H1的形状对应的形状的第一半导体发光器件150-1。同时，在第二子像素PX2的第二组装孔340H2可以组装有具有与该第二组装孔340H2的形状对应的形状的第二半导体发光器件150-2。同时，在第三子像素PX3的第三组装孔340H3可以组装有具有与该第三组装孔340H3的形状对应的形状的第三半导体发光器件150-3。因此，具有互不相同的形状的第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3分别组装到与自身的形状对应的组装孔340H1、340H2、340H3，因此能够防止组装不良。
另一方面，复数个半导体发光器件可以包括第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3。例如，第一半导体发光器件150-1可以配置在第一子像素PX1的第一组装孔340H1，第二半导体发光器件150-2可以配置在第二子像素PX2的第二组装孔340H2，第三半导体发光器件150-3可以配置在第二半导体发光器件150-2和第三子像素PX3的第三组装孔340H3。
由于第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3的结构相似或相同，因此，以下以第一半导体发光器件150-1为中心进行说明。第二半导体发光器件150-2和第三半导体发光器件150-3可以从以下说明的第一半导体发光器件150-1容易地理解。
如图14所示，第一半导体发光器件150-1可以包括第二导电型半导体层153、活性层152、第一导电型半导体层151、钝化层157以及侧部电极155。第二导电型半导体层、活性层152以及第一导电型半导体层151可以构成发光层。
活性层152可以配置在第二导电型半导体层153的顶面上，第一导电型半导体层151可以配置在活性层152的顶面上。第二导电型半导体层153可以包括p型掺杂剂，第一导电型半导体层151可以包括n型掺杂剂。钝化层157可以包围发光层151至153的周缘。
虽未图示，但是在第一导电型半导体层151上可以配置有包括用于形成欧姆的欧姆层的上部电极，但不限于此。
侧部电极155可以配置在发光层151至153的侧部上。侧部电极155可以从发光层151至153的下侧延伸并配置在发光层151至153的侧部。侧部电极155可以沿发光层151至153的侧部的周缘配置，但不限于此。例如，侧部电极155可以沿第二导电型半导体层153的侧部的周缘配置。在发光层151至153的侧部，侧部电极155可以与钝化层157接触。因此，发光层151至153可以被钝化层157和侧部电极155保护。由于配置在发光层151至153的侧部上的侧部电极155的高度比活性层152的高度低，因此能够防止侧部电极155和活性层152之间的电短路。在此，高度可以以发光层151至153的底面为基准。
另一方面，第一半导体发光器件150-1可以具有倾斜面154，以使下侧的尺寸大于上侧的尺寸。倾斜面154可以是发光层151至153的侧面或钝化层157的侧面。例如，倾斜面154可以使发光层151至153的底面的尺寸比顶面151a的尺寸大。在这种情况下，由于钝化层157配置在发光层151至153的倾斜面154上，因此钝化层157也可以具有倾斜面。
另一方面，分隔壁340可以包括复数个组装孔340H1、340H2、340H3。复数个组装孔340H1、340H2、340H3可以包括设置于第一子像素PX1的第一组装孔340H1、设置于第二子像素PX2的第二组装孔340H2以及设置于第三子像素PX3的第三组装孔340H3。
第一组装孔340H1、第二组装孔340H2以及第三组装孔340H3分别可以是具有规定的深度的槽、凹槽、沟槽、凹陷部(dent)。
如前所述，利用自组装方式，第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3分别可以组装于第一组装孔340H1、第二组装孔340H2以及第三组装孔340H3。
分别配置于第一组装孔340H1、第二组装孔340H2以及第三组装孔340H3的第半导体发光器件、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3的顶面可以比分隔壁340的顶面更高或相同。
另一方面，第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3分别可以包括第一组装配线321、323、325和第二组装配线322、324、326。
第一组装配线321、323、325分别可以配置在基板310的第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3。第二组装配线322、324、326分别可以配置在基板310的第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3。
通过第一组装配线321、323、325和第二组装配线322、324、326之间的介电泳力，第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3分别可以配置在第一子像素PX1的第一组装孔340H1、第二子像素PX2的第二组装孔340H2以及第三子像素PX3的第三组装孔340H3。即、第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3各自的第一组装配线321、323、325和第二组装配线322、324、326可以为了组装第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3而设置。
第一组装配线321、323、325和第二组装配线322、324、326可以以经过第一组装孔340H1、第二组装孔340H2以及第三组装孔340H3各自的中心的第二方向Y上的参考线为中心具有彼此对称的结构。
在第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每个子像素中，第一组装配线321、323、325可以包括第一导电电极321-1、323-1、325-1和第二导电电极321-2、323-2、325-2，第二组装配线322、324、326可以包括第一导电电极322-1、324-1、326-1和第二导电电极322-2、324-2、326-2。
第一组装配线321、323、325的第一导电电极321-1、323-1、325-1可以沿第二方向Y长长地配置。第一组装配线321、323、325的第一导电电极321-1、323-1、325-1的一部分区域分别可以包括分别向第一组装孔340H1、第二组装孔340H2以及第三组装孔340H3延伸的凸出电极。第一组装配线321、323、325的第一导电电极321-1、323-1、325-1的凸出电极分别可以与第一组装孔340H1、第二组装孔340H2以及第三组装孔340H3垂直重叠。
第一组装配线321、323、325的第二导电电极321-2、323-2、325-2分别可以与第一导电电极321-1、323-1、325-1连接，并且可以与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3垂直重叠。第一组装配线321、323、325的第二导电电极321-2、323-2、325-2的一部分区域分别可以与所述第一导电电极321-1、323-1、325-1的凸出电极垂直重叠。例如，第二导电电极321-2、323-2、325-2可以与第一导电电极321-1、323-1、325-1的凸出电极的侧面和顶面接触，但不限于此。即，第二导电电极321-2、323-2、325-2也可以与凸出电极的底面接触。
第二组装配线322、324、326的第一导电电极322-1、324-1、326-1可以沿第二方向Y长长地配置。第二组装配线322、324、326的第一导电电极322-1、324-1、326-1的一部分区域分别可以包括分别向第一组装孔340H1、第二组装孔340H2以及第三组装孔340H3延伸的凸出电极。第二组装配线322、324、326的第一导电电极322-1、324-1、326-1的凸出电极分别可以与第一组装孔340H1、第二组装孔340H2以及第三组装孔340H3垂直重叠。
第二组装配线322、324、326的第二导电电极322-2、324-2、326-2分别可以与第一导电电极322-1、324-1、326-1连接，并且可以与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3垂直重叠。第二组装配线322、324、326的第二导电电极322-2、324-2、326-2的一部分区域分别可以与所述第一导电电极322-1、324-1、326-1的凸出电极垂直重叠。例如，第二导电电极322-2、324-2、326-2可以与第一导电电极322-1、324-1、326-1的凸出电极的侧面和顶面接触，但不限于此。即，第二导电电极322-2、324-2、326-2也可以与凸出电极的底面接触。
例如，第一组装配线321、323、325的第一导电电极321-1、323-1、325-1和第二组装配线322、324、326的第一导电电极322-1、324-1、326-1分别可以以经过第一组装孔340H1、第二组装孔340H2以及第三组装孔340H3各自的中心的第二方向Y上的参考线为中心具有彼此对称的结构。例如，第一组装配线321、323、325的第二导电电极321-2、323-2、325-2和第二组装配线322、324、326的第二导电电极322-2、324-2、326-2分别可以以经过第一组装孔340H1、第二组装孔340H2以及第三组装孔340H3各自的中心的第二方向Y上的参考线为中心具有彼此对称的结构。
另一方面，复数个子像素PX1、PX2、PX3分别可以包括复数个连接电极370-1、370-2、370-3。
第一连接电极370-1可以在第一子像素PX1的第一组装孔340H1内配置于第一半导体发光器件150-1的周缘。第一连接电极370-1的一侧可以与第一半导体发光器件150-1的侧部连接。第一连接电极370-1的一侧可以与第一半导体发光器件150-1的侧部电极155连接。第一连接电极370-1的另一侧可以与第一组装配线321和/或第二组装配线322连接。第一连接电极370-1的另一侧可以与第一组装配线321的第一导电电极321-1接触。第一连接电极370-1的另一侧可以与第一组装配线321的第二导电电极321-2接触。第一连接电极370-1的另一侧可以与第二组装配线322的第一导电电极322-1接触。第一连接电极370-1的另一侧可以与第二组装配线322的第二导电电极322-2接触。
第一组装配线321的第二导电电极321-2的一部分区域可以与第一连接电极370-1的另一侧垂直重叠，第一组装配线321的第二导电电极321-2的另一区域可以与第一半导体发光器件150-1垂直重叠。第二组装配线322的第二导电电极322-2的一部分区域可以与第一连接电极370-1的另一侧垂直重叠，第二组装配线322的第二导电电极322-2的另一区域可以与第一半导体发光器件150-1垂直重叠。
第二连接电极370-2可以在第二子像素PX2的第二组装孔340H2内配置于第二半导体发光器件150-2的周缘。第二连接电极370-2的一侧可以与第二半导体发光器件150-2的侧部连接。第二连接电极370-2的一侧可以与第二半导体发光器件150-2的侧部电极连接。第二连接电极370-2的另一侧可以与第一组装配线323和/或第二组装配线324连接。第二连接电极370-2的另一侧可以与第一组装配线323的第一导电电极323-1接触。第二连接电极370-2的另一侧可以与第一组装配线323的第二导电电极323-2接触。第二连接电极370-2的另一侧可以与第二组装配线324的第一导电电极324-1接触。第二连接电极370-2的另一侧可以与第二组装配线324的第二导电电极324-2接触。
第一组装配线323的第二导电电极323-2的一部分区域可以与第二连接电极370-2的另一侧垂直重叠，第一组装配线323的第二导电电极323-2的另一区域可以与第二半导体发光器件150-2垂直重叠。第二组装配线324的第二导电电极324-2的一部分区域可以与第二连接电极370-2的另一侧垂直重叠，第二组装配线324的第二导电电极324-2的另一区域可以与第二半导体发光器件150-2垂直重叠。
第三连接电极370-3可以在第三子像素PX3的第三组装孔340H3内配置于第三半导体发光器件150-3的周缘。第三连接电极170-3的一侧可以与第三半导体发光器件150-3的侧部连接。第三连接电极170-3的一侧可以与第三半导体发光器件150-3的侧部电极连接。第三连接电极170-3的另一侧可以与第一组装配线325和/或第二组装配线326连接。第三连接电极170-3的另一侧可以与第一组装配线325的第一导电电极325-1接触。第三连接电极170-3的另一侧可以与第一组装配线325的第二导电电极325-1接触。第三连接电极170-3的另一侧可以与第二组装配线326的第一导电电极326-1接触。第三连接电极170-3的另一侧可以与第二组装配线326的第二导电电极326-2接触。
第一组装配线325的第二导电电极325-2的一部分区域可以与第三连接电极170-3的另一侧垂直重叠，第一组装配线325的第二导电电极325-2的另一区域可以与第三半导体发光器件150-3垂直重叠。第二组装配线326的第二导电电极326-2的一部分区域可以与第三连接电极170-3的另一侧垂直重叠，第二组装配线326的第二导电电极326-2的另一区域可以与第三半导体发光器件150-3垂直重叠。
另一方面，第一连接电极370-1可以附着在第一半导体发光器件150-1、第一组装配线321的第一导电电极321-1和第二导电电极321-2、第二组装配线322的第一导电电极322-1和第二导电电极322-2、以及在第一组装孔340H1内露出的第一绝缘层330和分隔壁340。由此，通过第一连接电极370-1，可以强化第一组装配线321、第二组装配线322以及第一半导体发光器件150-1的固定力。
第二连接电极370-2可以附着在第二半导体发光器件150-2、第一组装配线323的第一导电电极323-1和第二导电电极323-2、第二组装配线324的第一导电电极324-1和第二导电电极324-2、以及在第二组装孔340H2内露出的第一绝缘层330和分隔壁340。由此，通过第二连接电极370-2，可以强化第一组装配线323、第二组装配线324以及第二半导体发光器件150-2的固定力。
第三连接电极170-3可以附着在第三半导体发光器件150-3、第一组装配线325的第一导电电极325-1和第二导电电极325-2、第二组装配线326的第一导电电极326-1和第二导电电极326-2、以及在第三组装孔340H3内露出的第一绝缘层330和分隔壁340。由此，通过第三连接电极170-3，可以强化第一组装配线325、第二组装配线326以及第三半导体发光器件150-3的固定力。
另一方面，电极配线360可以配置在复数个像素PX上。即，电极配线360可以配置在构成复数个像素PX中的每个像素的第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3上。例如，电极配线360可以配置在第一子像素PX1的第一半导体发光器件150-1、第二子像素PX2的第二半导体发光器件150-2以及第三子像素PX3的第三半导体发光器件150-3上。例如，电极配线360可以配置在分隔壁340上。例如，电极配线360可以配置在第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3各自的第一组装孔340H1、第二组装孔340H2以及第三组装孔340H3各自的第二绝缘层350上。
电极配线360可以与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3公共连接。
电极配线360可以与第一半导体发光器件150-1的顶面151a接触。电极配线360可以与第一半导体发光器件150-1的第一导电型半导体层151的顶面151a接触。在上部电极配置于第一导电型半导体层151上的情况下，电极配线360可以与上部电极的顶面接触。上部电极可以包括用于形成欧姆的欧姆层。
电极配线360可以与第二半导体发光器件150-2的顶面接触。电极配线360可以与第二半导体发光器件150-2的第一导电型半导体层151的顶面接触。在上部电极配置于第一导电型半导体层151上的情况下，电极配线360可以与上部电极的顶面接触。上部电极可以包括用于形成欧姆的欧姆层。
电极配线360可以与第三半导体发光器件150-3的顶面接触。电极配线360可以与第三半导体发光器件150-3的第一导电型半导体层151的顶面接触。在上部电极配置于第一导电型半导体层151上的情况下，电极配线360可以与上部电极的顶面接触。上部电极可以包括用于形成欧姆的欧姆层。
电极配线360可以与分隔壁340的顶面接触。第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3每个半导体发光器件的顶面151a可以与分隔壁340的顶面位于同一水平线上，但不限于此。在分隔壁340的顶面位于比第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3每个半导体发光器件的顶面151a更低的位置的情况下，第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3每个半导体发光器件的顶面151a和分隔壁340的顶面不位于同一个水平线上。
另一方面，第一组装配线321、323、325和/或第二组装配线322、324、326可以是阳极电极，电极配线360可以是阴极电极。在这种情况下，由于向电极配线360供应负(-)电压，向第一组装配线321、323、325和/或第二组装配线322、324、326供应正(+)电压，因此电流可以以第一组装配线321、323、325和/或第二组装配线322、324、326-->第一半导体发光器件150-1或第二半导体发光器件150-2或第三半导体发光器件150-3-->电极配线360的顺序流动。例如，第一电流从第一半导体发光器件150-1的下部向上部流动，第一半导体发光器件150-1可以发出具有与第一电流相应的亮度的红色光。例如，第二电流从第二半导体发光器件150-2的下部向上部流动，第二半导体发光器件150-2可以发出具有与第二电流相应的亮度的绿色光。例如，第三电流从第三半导体发光器件150-3的下部向上部流动，第三半导体发光器件150-3可以发出具有与第三电流相应的亮度的蓝色光。在此，第一电流、第二电流以及第三电流分别可以是用于生成光的驱动电流。
重新参照图11至图13，实施例的显示装置300可以包括第一绝缘层330和第二绝缘层350。
第一绝缘层330可以配置在第一组装配线321、323、325和第二组装配线322、324、326上。第一绝缘层330可以防止第一组装配线321、323、325和第二组装配线322、324、326在自组装时因露出到流体而被腐蚀。第一绝缘层330可以防止第一组装配线321、323、325和第二组装配线322、324、326之间的电短路。第一绝缘层330可以帮助复数个半导体发光器件150-1、150-2、150-3更容易地组装。为此，第一绝缘层330可以由具有介电常数的绝缘材质构成。介电泳力的强度可以根据第一绝缘层330的介电常数以及复数个半导体发光器件150-1、150-2、150-3内的介电常数，例如钝化层157的介电常数而不同。
第一绝缘层330可以由绝缘特性优异的材质构成。例如，第一绝缘层330可以由无机绝缘材质诸如SiNx或SiOx等构成，但不限于此。
第二绝缘层350可以配置在复数个子像素PX1、PX2、PX3。即，第二绝缘层350分别可以配置在第一子像素PX1的第一组装孔340H1、第二子像素PX2的第二组装孔340H2以及第三子像素PX3的第三组装孔340H3。第二绝缘层350可以在第一组装孔340H1配置于第一半导体发光器件150-1的周缘。第二绝缘层350可以在第一组装孔340H1配置于第一连接电极370-1上。第二绝缘层350可以在第二组装孔340H2配置于第二半导体发光器件150-2的周缘。第二绝缘层350可以在第二组装孔340H2配置于第二连接电极370-2上。第二绝缘层350可以在第三组装孔340H3配置于第三半导体发光器件150-3的周缘。第二绝缘层350可以在第三组装孔340H3配置于第三连接电极170-3上。
第二绝缘层350的顶面可以与分隔壁340的顶面位于同一个水平线上。第二绝缘层350的顶面可以与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3各自的顶面151a位于同一个水平线上。
另一方面，如图12所示，第一信号线SL1、第二信号线SL2以及第三信号线SL3分别可以与第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3各自的第一组装配线321、323、325和第二组装配线322、324、326通过接触孔CTH1a、CTH1b、CTH2a、CTH2b、CTH3a、CTH3b电连接。在图中示出了第一信号线SL1、第二信号线SL2以及第三信号线SL3分别与第一组装配线321、323、325和第二组装配线322、324、326都连接，但也可以与第一组装配线321、323、325或第二组装配线322、324、326选择性地连接。
另一方面，图15示出了在实施例的显示装置中根据底部发射方式来显示图像的情形。
如图15所示，第一半导体发光器件150-1中生成的光可以直接朝下部方向排出，或者可以在由电极配线360反射后朝下部方向行进。朝下部方向行进的红色光可以穿透第一组装配线321和/或第二组装配线322。为此，电极配线360可以是反射电极，第一组装配线321和/或第二组装配线322可以是透明电极。第一组装配线321的第一导电电极321-1和/或第二组装配线322的第一导电电极322-1可以是金属电极，第一组装配线321的第二导电电极321-2和/或第二组装配线322的第二导电电极322-2可以是透明电极。即使第一组装配线321的第一导电电极321-1和/或第二组装配线322的第一导电电极322-1为不透明的金属电极，也可以通过将其设计成红色光的波长可穿透的厚度，红色光也可以穿透第一组装配线321的第一导电电极321-1和/或第二组装配线322的第一导电电极322-1。
虽未图示，但第二半导体发光器件150-2的绿色光和第三半导体发光器件150-3的蓝色光也可以以朝下部方向行进的底部发射方式来发光。
根据实施例，电极配线360作为反射电极反射光，从而可以提高光的亮度。
图16示出了在实施例的显示装置中根据顶部发射(top emission)方式来显示图像的情形。
如图16所示，第一半导体发光器件150-1中生成的光可以直接朝上部方向排出，或者可以在由第一组装配线321和/或第二组装配线322反射后朝上部方向行进。朝上部方向行进的红色光可以穿透电极配线360。为此，电极配线360可以是透明电极，第一组装配线321和/或第二组装配线322可以是反射电极。第一组装配线321的第二导电电极321-2和/或第二组装配线322的第二导电电极322-2可以是反射电极。
虽未图示，但第二半导体发光器件150-2的绿色光和第三半导体发光器件150-3的蓝色光也可以以朝上部方向行进的顶部发射方式来发光。
根据实施例，电极配线360可以与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3各自的上侧直接连接，而不贯穿额外的绝缘层。因此，在实施例中，在电极配线形成在额外的绝缘层上并且为了单独与各个半导体发光器件连接而形成接触孔的情况下，可以防止由于图案掩模的未对准引起的接触孔的偏移而导致的电极配线和各个半导体发光器件周缘的连接电极之间的电短路。
根据实施例，通过在第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3上配置板形状的单个电极配线360，而无需在额外的绝缘层上单独形成用于分别与第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3连接的第一电极配线、第二电极配线以及第三电极配线，因此结构简单，工序容易。
图17至图24是示出实施例的显示装置的制造工序的剖视图。
图17至图24示出了显示装置300的第一子像素PX的制造工序，但第二子像素PX2和第三子像素PX3也可以与以下说明的第一子像素PX1的制造工序相同。
如图17所示，第一导电电极321-1、322-1可以在基板310上彼此隔开形成。即，通过在基板310上沉积并图案化导电膜，可以形成第一导电电极321-1、322-1。第一导电电极321-1、322-1可以是不透明电极、透明电极或反射电极。第一导电电极321-1、322-1可以是单层或多层。
如图18所示，第二导电电极321-2、322-2可以在基板310上彼此隔开形成。即，通过在基板310上沉积并图案化导电膜，可以形成第二导电电极321-2、322-2。第二导电电极321-2、322-2可以是不透明电极、透明电极或反射电极。第二导电电极321-2、322-2可以是单层或多层。
第二导电电极321-2、322-2的一部分区域与第一导电电极321-1、322-1的一部分区域垂直重叠，彼此可以电连接。
第一导电电极321-1和与第一导电电极321-1连接的第二导电电极321-2可以构成第一组装配线321。第一导电电极322-1和与第一导电电极322-1连接的第二导电电极322-2可以构成第二组装配线322。
第一组装配线321和第二组装配线322稍后可以用在组装第一半导体发光器件150-1。
如图19所示，第一绝缘层330可以形成在第一组装配线321和第二组装配线322上。第一绝缘层330可以形成在基板310的整个区域上，但不限于此。第一绝缘层330可以由绝缘性优异的无机物材质形成，但不限于此。第一绝缘层330可以由具有介电常数的绝缘材质构成。
如图20所示，分隔壁340可以形成在第一绝缘层330上。分隔壁340可以具有第一组装孔340H1。在分隔壁340形成在第一绝缘层330上之后，可以通过在第一组装配线321和第二组装配线322上去除分隔壁340来形成第一组装孔340H1。即，通过去除分隔壁340，可以使第一绝缘层330的顶面露出。
分隔壁340可以形成为比稍后组装于第一组装孔340H1的第一半导体发光器件150-1的厚度小或相同。
例如，第一组装孔340H1可以形成在第一组装配线321的第二导电电极321-2和第二组装配线322的第二导电电极322-2上，但不限于此。
如上所述，可以将形成有第一组装配线321、第二组装配线322以及第一组装孔340H1的基板310称为组装基板300A或背板基板。在组装基板300A可以设置有用于驱动第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3各自的第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2以及第三半导体发光器件150-3的驱动电路，例如，图7所示的扫描晶体管ST、驱动晶体管DT、电容器Cst等。
另一方面，可以使用如上所述制造的组装基板300A来执行自组装工序。
首先，在腔室(图10的1300)中填充流体1200之后，组装基板300A可以紧固于腔室1300。之后，复数个第一半导体发光器件150-1可以投入于流体120。通过向第一组装配线321和第二组装配线322施加交流电压，可以在第一组装孔340H1形成介电泳力。之后，至少一个以上的磁铁1100在组装基板300A的后方旋转和/或移动，从而复数个第一半导体发光器件150-1可以旋转和/或移动。
在腔室1300内旋转和/或移动中的复数个第一半导体发光器件150-1中最靠近第一组装孔340H1的第一半导体发光器件150-1可以在由第一组装配线321和第二组装配线322之间的交流电压形成的介电泳力的作用下组装于第一组装孔340H1。组装于第一组装孔340H1的第一半导体发光器件150-1的下侧可以与第一绝缘层330的顶面相接或位于第一绝缘层330的顶面上。
如图21所示，组装于第一组装孔340H1的第一半导体发光器件150-1被介电泳力固定，从而不会脱离到第一组装孔340H1的外部。
如图22所示，通过在第一组装孔340H1中去除位于第一半导体发光器件150-1的周缘的第一绝缘层330，可以形成使第一组装配线321和/或第二组装配线322的顶面露出的连接孔330H。通过连接孔330H，第一组装配线321和/或第二组装配线322的第一导电电极321-1、322-1的一部分区域的顶面可以露出。通过连接孔330H，第一组装配线321和/或第二组装配线322的第二导电电极321-2、322-2的一部分区域的顶面可以露出。连接孔330H可以用于使第一半导体发光器件150-1与第一组装配线321和/或第二组装配线322电连接。
即，如图23所示，第一连接电极370-1可以在第一组装孔340H1形成在第一半导体发光器件150-1的周缘。第一连接电极370-1可以与第一半导体发光器件150-1的侧部电极155接触。第一连接电极370-1可以与第一半导体发光器件150-1的钝化层157的一部分区域接触。第一连接电极370-1可以与第一组装配线321和/或第二组装配线322的第一导电电极321-1、322-1的一部分区域接触。第一连接电极370-1可以与第一组装配线321和/或第二组装配线322的第二导电电极321-2、322-2的一部分区域接触。第一连接电极370-1可以在第一组装孔340H1与第一绝缘层330和分隔壁340接触。
另一方面，第二绝缘层350可以在第一组装孔340H1形成在第一半导体发光器件150-1的周缘。由于第二绝缘层350形成为较厚的厚度，因此可以由容易形成厚度的有机物材质形成，但不限于此。
第二绝缘层350可以在第一组装孔340H1配置于第一连接电极370-1上。第二绝缘层350的顶面可以与分隔壁340的顶面位于同一水平线上。第二绝缘层350的顶面可以与第一半导体发光器件150-1的顶面151a位于同一水平线上。通过第二绝缘层350，可以分别强化第一连接电极370-1和第一半导体发光器件150-1的固定力。
如图24所示，电极配线360可以形成在基板310上。通过在基板310上沉积并图案化导电膜，可以形成电极配线360。即，在形成电极配线360时，仅需要沉积工序，而不需要接触孔形成工序，从而工序简单，并且可以缩短工序时间。
电极配线360可以形成在第一半导体发光器件150-1上。电极配线360可以形成在分隔壁340上。电极配线360可以形成在第二绝缘层350上。
虽未图示，但电极配线360不仅可以形成在包括第一半导体发光器件150-1的第一子像素PX1，而且还可以形成在包括第二半导体发光器件150-2的第二子像素PX2以及包括第三半导体发光器件150-3的第三子像素PX3上。
电极配线360以相同工序一体地形成在第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3上，因此结构简单，工序容易。
通过后续工序形成电极配线360，可以制造显示装置300。
另一方面，以上描述了关于包括第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3的单位像素PX的显示装置300。
然而，为了在显示装置300中实现图像，需要包括复数个像素PX的显示面板和用于驱动该显示面板的各种电路装置。
图25是示出实施例的显示装置的框图。
参照图25，实施例的显示装置300可以包括显示面板10、驱动电路20、扫描驱动部30以及电源供应电路50。
在图6中描述了驱动电路20、扫描驱动部30以及电源供应电路50，因此省略了进一步的说明。
显示面板10可以划分为显示区域DA和配置于显示区域DA的周边的非显示区域NDA。显示区域DA是形成有像素PX以显示图像的区域。
在图11至图13中示出了各个像素PX的结构。
在实施例中，电极配线360可以一体地配置在显示面板10的显示区域DA上。
即，电极配线360不仅配置在显示区域DA的像素PX，而且还一体地配置在像素PX之间的边界区域，因此结构简单，工序容易。
参照图11至图13以及图25，电极配线360可以配置在显示区域DA的像素PX各自的第一半导体发光器件150-1、第二半导体发光器件150-2、第三半导体发光器件150-3、分隔壁340以及第二绝缘层350上。电极配线360的顶面和/或底面可以具有水平面。
另一方面，上述的显示装置可以是显示面板。即，在实施例中，显示装置和显示面板可以理解为是相同的含义。在实施例中，实际意义上的显示装置可以包括显示面板以及为了显示图像而能够控制显示面板的控制器(或处理器)。
以上所述的详细的说明在所有方面上不应被解释为限制性的，而是应当被理解为是示例性的。实施例的范围应由所附的权利要求的合理解释来确定，实施例的等同范围内的所有变更包括在实施例的范围。
产业上的可利用性
实施例可以应用于显示图像或信息的显示领域。实施例可以应用于利用半导体发光器件来显示图像或信息的显示领域。半导体发光器件可以是微米级半导体发光器件或纳米级半导体发光器件。
例如，实施例可以应用于TV、标牌、智能手机、移动电话、移动终端机、汽车用HUD、笔记本电脑用背光单元、VR或AR用显示装置。

Claims (16)

1.一种显示装置，其中，包括：
基板；
第一组装配线，配置在所述基板上；
第二组装配线，配置在所述基板上；
分隔壁，配置在所述第一组装配线和所述第二组装配线上并包括组装孔；
半导体发光器件，配置在所述组装孔；
连接电极，配置在所述半导体发光器件的侧部；以及
电极配线，配置在所述半导体发光器件的上侧；
所述第一组装配线和所述第二组装配线各自均包括：
第一导电电极，与所述组装孔垂直重叠；以及
第二导电电极，与所述第一导电电极连接，并且与所述半导体发光器件垂直重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述基板包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素；
所述半导体发光器件包括：
至少一个第一半导体发光器件，配置在所述第一子像素；
至少一个第二半导体发光器件，配置在所述第二子像素；以及
至少一个第三半导体发光器件，配置在所述第三子像素；
所述第一半导体发光器件、所述第二半导体发光器件以及所述第三半导体发光器件分别发出不同的光。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述电极配线公共连接于所述第一半导体发光器件、所述第二半导体发光器件以及所述第三半导体发光器件。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述连接电极包括：
第一连接电极，配置在所述第一子像素的所述第一半导体发光器件的周缘；
第二连接电极，配置在所述第二子像素的所述第二半导体发光器件的周缘；以及
第三连接电极，配置在所述第三子像素的所述第三半导体发光器件的周缘。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第一半导体发光器件、所述第二半导体发光器件以及所述第三半导体发光器件各自均包括：
发光层；以及
侧部电极，从所述发光层的下侧延伸并配置于所述发光层的侧部；
所述第一连接电极、所述第二连接电极以及所述第三连接电极分别与所述侧部电极接触。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第一连接电极、所述第二连接电极以及所述第三连接电极分别与所述第一组装配线和所述第二组装配线中的至少一个组装配线连接。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述第一连接电极、所述第二连接电极以及所述第三连接电极分别与所述第一导电电极接触。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第一连接电极、所述第二连接电极以及所述第三连接电极分别与所述第二导电电极接触。
9.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述电极配线配置在所述第一半导体发光器件、所述第二半导体发光器件、所述第三半导体发光器件以及所述分隔壁上。
10.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述电极配线与所述第一半导体发光器件、所述第二半导体发光器件以及所述第三半导体发光器件各自的顶面接触。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述第一半导体发光器件、所述第二半导体发光器件以及所述第三半导体发光器件各自的顶面分别与所述分隔壁的顶面位于同一水平线上。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一组装配线和所述第二组装配线中的至少一个组装配线是阳极电极；
所述电极配线是阴极电极。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一导电电极是金属电极。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二导电电极是透明电极；
所述电极配线是反射电极。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二导电电极是反射电极；
所述电极配线是透明电极。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述半导体发光器件具有倾斜面，以使所述半导体发光器件的下侧的尺寸比上侧的尺寸大。
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