CN119422104A - 调节系统、装置和方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于光刻设备的流体处理结构的独立调节系统，包括：检查系统，被配置为检查流体处理结构并确定要在流体处理结构的主表面上执行的一种或多种不同调节类型；以及调节设备，被配置为在流体处理结构的主表面上执行所确定的一种或多种不同调节类型。

Description

调节系统、装置和方法

相关申请的交叉引用

本申请要求EP申请22191309.8的优先权，该申请于2022年8月19日提交，并通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及一种用于调节流体处理结构的独立调节系统。

背景技术

光刻设备是一种用于将所需图案施加到衬底上的机器。光刻设备可用于制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常称为“设计布局”或“设计”)投影到衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。已知的光刻设备包括所谓的步进机，其中每个目标部分通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射，以及所谓的扫描仪，其中每个目标部分通过沿给定方向(“扫描”方向)通过辐射束扫描图案来照射，同时同步地沿与该方向平行或反向平行的方向扫描衬底。

随着半导体制造工艺的不断进步，电路元件的尺寸不断减小，而每个器件的功能元件(如晶体管)的数量几十年来一直在稳步增加，这一趋势通常被称为“摩尔定律”。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在追逐能够创建越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。

通过在曝光期间在衬底上提供具有相对高折射率的浸没流体(例如水)，可以进一步提高较小特征的分辨率。浸没流体的作用是能够对较小特征进行成像，因为曝光辐射在流体中的波长比在气体中的波长短。浸没流体的作用也可以被视为增加系统的有效数值孔径(NA)以及增加焦深。

流体可通过流体处理结构而被限制在光刻设备的投影系统与衬底之间的局部区域内。在光刻设备的操作过程中，需要适当地控制浸没流体的流动。

普遍需要改进维护和修理流体处理结构的技术。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种用于光刻设备的流体处理结构的独立调节系统，包括：检查系统，配置为检查流体处理结构并确定要在流体处理结构的主表面上执行的一种或多种不同调节类型；以及调节设备，配置为在流体处理结构的主表面上执行所确定的一种或多种不同调节类型。

根据本发明的第二方面，提供了一种调节系统和流体处理结构；其中：调节系统根据第一方面；并且流体处理结构由调节系统所接纳。

根据本发明的第三方面，提供了一种洁净室中的装置，包括：光刻设备；以及根据第一方面的调节系统。

根据本发明的第四方面，提供了一种用于再调节光刻设备的流体处理结构的方法，该方法包括：从光刻设备中移除流体处理结构；将流体处理结构提供应独立的调节系统；检查流体处理结构以确定要在流体处理结构的主表面上执行的一种或多种不同调节类型；以及在流体处理结构的主表面上执行所确定的一种或多种不同调节类型。

下面结合附图对本发明的另外的实施例、特征和优点以及本发明的各个实施例、特征和优点的结构和操作进行详细描述。

附图说明

现在将参考附图以示例的方式描述本发明的实施例，其中相应的参考符号表示相应的部件，其中：

图1示出了光刻设备的示意概览；

图2a、图2b、图2c和图2d分别以横截面形式描绘了流体处理系统的两个不同版本，每个版本的左侧和右侧示出了不同的特征，这些特征可以围绕整个圆周延伸；

图3示意性地描绘了根据第一实施例的调节系统。

图4示意性地描绘了根据第二实施例的调节系统。

图中所示的特征不一定按比例绘制，并且所描绘的尺寸和/或布置不具有限制性。应理解，图中包括可选特征，这些特征可能不是本发明所必需的。此外，并非每个图中都描绘了设备的所有特征，并且图中可能仅显示与描述特定特征相关的一些组件。在图中，相同的部件由相同的参考标记表示。

具体实施方式

在本文件中，术语“辐射”和“光束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如，波长为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm)。

术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以广义地解释为指通用的图案形成装置，其可用于赋予入射辐射束图案化横截面，对应于要在衬底的目标部分中创建的图案。术语“光阀”也可以在此上下文中使用。除了经典的掩模(透射或反射、二元、相移、混合等)之外，其他此类图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。

图1示意性地示出了光刻设备。光刻设备包括：照射系统(也称为照射器)IL，其配置为调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，其构造为支撑图案形成装置(例如，掩模)MA并连接到第一定位器PM，其构造为根据某些参数精确定位图案形成装置MA；衬底支撑件(例如，衬底台)WT，其构造为支撑衬底(例如，抗蚀剂涂覆的晶片)W并连接到第二定位器PW，其构造为根据某些参数精确定位衬底支撑件WT；以及投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS，其构造为将图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。控制器500控制设备的整体操作。控制器500可以是集中控制系统或者光刻设备的各个子系统内的多个独立子控制器的系统。

在操作中，照射系统IL从辐射源SO接收辐射束B，例如通过光束传输系统BD。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射、反射、磁性、电磁、静电和/或其他类型的光学部件，或它们的任何组合，用于引导、成形和/或控制辐射。照射器IL可用于调节辐射束B，使其在图案形成装置MA的平面上的横截面上具有所需的空间和角度强度分布。

本文使用的术语“投影系统”PS应被广泛解释为涵盖各种类型的投影系统，包括折射、反射、反射折射、变形、磁性、电磁和/或静电光学系统，或它们的任何组合，以适合所使用的曝光辐射和/或其他因素，例如使用浸没液体或使用真空。本文使用的任何术语“投影透镜”均可视为更通用的术语“投影系统”PS的同义词。

光刻设备属于这样一种类型，其中至少一部分衬底W可以被具有相对较高折射率的浸没液体(例如水)覆盖，从而填充投影系统PS和衬底W之间的浸没空间11-这也称为浸没光刻。有关浸没技术的更多信息，请参阅US6,952,253，该专利以引用的方式并入本文中。

光刻设备可以是具有两个或更多个衬底支撑件WT的类型(也称为“双台型”)。在这种“多台型”机器中，衬底支撑件WT可以并行使用，和/或可以在位于一个衬底支撑件WT上的衬底W上执行衬底W的后续曝光准备步骤，同时使用另一个衬底支撑件WT上的另一个衬底W来曝光另一个衬底W上的图案。

除了衬底支撑件WT之外，光刻设备还可以包括测量台(图中未示出)。测量台被布置成保持传感器和/或清洁装置。传感器可以布置成测量投影系统PS的性质或辐射束B的性质。测量台可以保持多个传感器。清洁装置可以布置成清洁光刻设备的一部分，例如投影系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投影系统PS时，测量台可以在投影系统PS下方移动。

在操作中，辐射束B入射到图案形成装置(例如，掩模MA)上，该装置保持在掩模支撑件MT上，并由图案形成装置MA上的图案(设计布局)进行图案化。穿过掩模MA后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将光束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助第二定位器PW和位置测量系统IF，衬底支撑件WT可以精确移动，例如，以便将辐射束B路径中的不同目标部分C定位在聚焦和对准的位置。类似地，第一定位器PM和可能的另一个位置传感器(未在图1中明确示出)可用于精确定位图案形成装置MA相对于辐射束B的路径。图案形成装置MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2对准。尽管所示的衬底对准标记P1、P2占据专用的目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时，它们被称为划线对准标记。

为了阐明本发明，使用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴，即x轴、y轴和z轴。三个轴中的每一个都与其他两个轴正交。围绕x轴的旋转称为Rx旋转。围绕y轴的旋转称为Ry旋转。围绕z轴的旋转称为Rz旋转。x轴和y轴定义水平面，而z轴在垂直方向。笛卡尔坐标系不限制本发明，仅用于阐明。相反，可以使用另一种坐标系(例如圆柱坐标系)来阐明本发明。笛卡尔坐标系的方向可以不同，例如，使得z轴具有沿水平面的分量。

浸没技术已引入光刻系统，以提高较小特征的分辨率。在浸没式光刻设备中，具有相对较高折射率的浸没液体层被置于设备的投影系统PS(图案化光束通过该系统投影到衬底W)和衬底W之间的浸没空间11中。浸没液体覆盖投影系统PS的最终元件下方的衬底W的至少一部分。因此，衬底W的至少一部分正在曝光的部分浸没在浸没液体中。

在商业浸没式光刻中，浸没液体是水。通常，水是高纯度的蒸馏水，例如半导体制造厂中常用的超纯水(UPW)。在浸没系统中，UPW通常经过净化，并且在作为浸没液体供应到浸没空间11之前，它可能经过额外的处理步骤。除了水之外，还可以使用其他具有高折射率的液体作为浸没液体，例如：碳氢化合物，例如氟烃；和/或水溶液。此外，已经设想在浸没式光刻中使用除液体之外的其他流体。

在本说明书中，将在描述中提及局部浸没，其中浸没液体在使用中被限制在最终元件100与面向最终元件100的表面之间的浸没空间11中。面向表面是与衬底W的表面共面的衬底W的表面或支撑台(或衬底支撑件WT)的表面。(请注意，下文中对衬底W的表面的引用也另外或备选地指衬底支撑件WT的表面，除非另有明确说明；反之亦然)。投影系统PS和衬底支撑件WT之间存在的流体处理结构12用于将浸没液体限制在浸没空间11中。由浸没液体填充的浸没空间11在平面上小于衬底W的顶面，并且浸没空间11相对于投影系统PS保持基本静止，而衬底W和衬底支撑件WT在下面移动。

已经设想了其他浸没系统，例如非受限浸没系统(所谓的“全湿”浸没系统)和浴式浸没系统。在非受限浸没系统中，浸没液体覆盖的不仅仅是最终元件100下方的表面。浸没空间11外部的液体以薄液体膜的形式存在。液体可以覆盖衬底W的整个表面，甚至覆盖衬底W和与衬底W共面的衬底支撑件WT。在浴式系统中，衬底W完全浸没在浸没液体浴中。

流体处理结构12是一种将浸没液体供应到浸没空间11、从浸没空间11中移除浸没液体并由此将浸没液体限制在浸没空间11中的结构。它包括作为流体供应系统一部分的特征。PCT专利申请公开号WO 99/49504中公开的装置是一种早期的流体处理结构，包括管道，这些管道供应或回收浸没空间11中的浸没液体，并且根据投影系统PS下方的载物台的相对运动进行操作。在较新的设计中，流体处理结构沿着投影系统PS的最终元件100与衬底支撑件WT或衬底W之间的浸没空间11的边界的至少一部分延伸，从而部分地限定浸没空间11。

流体处理结构12可以具有多种不同的功能。每种功能都可以从使流体处理结构12能够实现该功能的相应特征中衍生出来。流体处理结构12可以用许多不同的术语来表示，每个术语都指代一种功能，例如屏障构件、密封构件、流体供应系统、流体去除系统、液体限制结构等。

作为屏障构件，流体处理结构12是浸没液体从浸没空间11流出的屏障。作为液体限制结构，该结构将浸没液体限制在浸没空间11内。作为密封构件，流体处理结构12的密封特征形成密封，以将浸没液体限制在浸没空间11内。密封特征可以包括来自密封构件表面开口的额外气体流，例如气刀。

在一个实施例中，流体处理结构12可以供应浸没流体并且因此成为流体供应系统。

在一个实施例中，流体处理结构12可以至少部分地限制浸没流体，从而成为流体限制系统。

在一个实施例中，流体处理结构12可以为浸没流体提供屏障，从而成为屏障构件，例如流体限制结构。

在一个实施例中，流体处理结构12可以产生或使用气体流动，例如以帮助控制浸没流体的流动和/或位置。

气体的流动可以形成密封以限制浸没流体，因此流体处理结构12可以称为密封构件；这种密封构件可以是流体限制结构。

在一个实施例中，浸没液体被用作浸没液体。在这种情况下，流体处理结构12可以是液体处理系统。参考上述描述，本段中对相对于流体定义的特征的引用可以理解为包括相对于液体定义的特征。

光刻设备具有投影系统PS。在曝光衬底W期间，投影系统PS将图案化辐射束投影到衬底W上。为了到达衬底W，辐射束B的路径从投影系统PS穿过由投影系统PS和衬底W之间的流体处理结构12限制的浸没液体。投影系统PS具有透镜元件，该透镜元件是光束路径中的最终元件，其与浸没液体接触。与浸没液体接触的该透镜元件可称为“最后一个透镜元件”或“最终元件”。最终元件100至少部分地被流体处理结构12包围。流体处理结构12可将浸没液体限制在最终元件100下方和面对表面上方。

图2a、图2b、图2c和图2d显示了流体处理系统的变体中可能存在的不同特征。除非另有说明，否则设计可能与图2a、图2b、图2c和图2d共享一些相同的特征。本文所述的特征可以如图所示或根据需要单独或组合选择。这些图描绘了流体处理系统的不同版本，其中左侧和右侧示出了不同的特征，这些特征可以围绕整个圆周延伸。因此，例如，流体处理系统可以具有围绕整个圆周延伸的相同特征。例如，流体处理系统可以仅具有图2a的左侧的特征，或图2a的右侧的特征，或图2b的左侧的特征，或图2b的右侧的特征，或2c的左侧的特征，或2c的右侧的特征，或2d的左侧的特征，或2d的右侧的特征。备选地，流体处理系统可在圆周的不同位置处提供这些图中特征的任意组合。流体处理系统可包括如下变型中所述的流体处理结构12。

图2a示出了最终元件100的底面周围的流体处理结构12。最终元件100具有倒置的截头圆锥形状。截头圆锥形状具有平面底面和圆锥面。截头圆锥形状从平面突出并具有底部平面。底部平面是最终元件100的底面的光学活性部分，辐射束B可以通过该部分。最终元件100可以具有涂层30。流体处理结构12围绕截头圆锥形状的至少一部分。流体处理结构12具有面向截头圆锥形状的圆锥面的内表面。内表面和圆锥面可以具有互补形状。流体处理结构12的顶面可以基本上是平面的。流体处理结构12可安装在最终元件100的截头圆锥形状周围。流体处理结构12的底面可基本为平面，并且在使用中，底面可与衬底支撑件WT和/或衬底W的面对表面平行。因此，流体处理结构12的底面可称为面对衬底W的表面的表面。底面和面对表面之间的距离可在30至500微米的范围内，优选在80至200微米的范围内。

流体处理结构12比最终元件100更靠近衬底W和衬底支撑件WT的面对表面。因此，浸没空间11被限定在流体处理结构12的内表面、截头圆锥部分的平面和面对表面之间。在使用过程中，浸没空间11充满浸没液体。浸没液体填充最终元件100和流体处理结构12之间的互补表面之间的缓冲空间的至少一部分，在一个实施例中，填充互补内表面和圆锥表面之间的空间的至少一部分。

浸没液体通过形成在流体处理结构12的表面中的开口供应到浸没空间11。浸没液体可通过流体处理结构12的内表面中的供应开口20供应。备选地或附加地，浸没液体从形成在流体处理结构12的底面中的下方供应开口23供应。下方供应开口23可围绕辐射束B的路径，并且可由阵列中的一系列开口或单个狭缝形成。浸没液体被供应以填充浸没空间11，使得通过投影系统PS下方的浸没空间11的流动是层流的或至少是明确界定的。从下方供应开口23供应浸没液体还可防止气泡进入浸没空间11。这种浸没液体的供应可用作液体密封。

浸没液体可从形成在内表面中的回收开口21回收。浸没液体通过回收开口21的回收可通过施加负压实现；通过回收开口21的回收是浸没液体流过浸没空间11的速度的结果；或者回收可以是两者的结果。当在平面图中观察时，回收开口21可位于供应开口20的相对侧。附加地或备选地，浸没液体可通过位于流体处理结构12的顶表面上的溢流回收件24回收。供应开口20和回收开口21的功能可互换(即液体的流动方向相反)。这允许根据流体处理结构12和衬底W的相对运动来改变流动方向。

附加地或可备选地，可以通过形成在其底面中的回收开口25从流体处理结构12下方回收浸没液体。回收开口25可用于将浸没液体的弯液面33保持到流体处理结构12。弯液面33形成在流体处理结构12和面对表面之间，并且用作液体空间和气态外部环境之间的边界。回收开口25可以是多孔板，其可以以单相流的形式回收浸没液体。底面中的回收开口可以是一系列固定开口32，通过这些固定开口回收浸没液体。固定开口32可以以两相流的形式回收浸没液体。

可选地，相对于流体处理结构12的内表面，径向向外的是气刀开口26。气体可以以较高的速度通过气刀开口26供应，以协助将浸没液体限制在浸没空间11中。供应的气体可以是湿润的，并且其可以含有大量二氧化碳。气刀开口26径向向外的是气体回收开口28，用于回收通过气刀开口26供应的气体。

流体处理结构12的底面(即，流体处理结构12面向衬底W的表面)中可以存在其他开口，例如通向大气或气体源或真空。这种可选的其他开口50的示例在图2a的右侧以虚线示出。如图所示，其他开口50可以是供应或抽取构件，其由双头箭头表示。例如，如果配置为供应，则其他开口50可以与任何供应构件一样连接到液体供应或气体供应。备选地，如果配置为抽取，则其他开口50可用于抽取流体，并且可以例如连接到大气或气体源或真空。例如，至少一个另外的开口50可存在于气刀开口26和气体回收开口28之间，和/或固定开口32和气刀开口26之间。在替代布置中，流体处理结构12可包含固定开口32、气刀开口26和可选的下方供应开口23。供应开口20或回收开口21可形成在流体处理结构12的内表面中。

图2a左右两侧的流体处理结构12的两种不同形式固定住弯液面33。由于固定开口32的位置固定，图2a右侧的流体处理结构12版本可将弯液面33固定在相对于最终元件100基本固定的位置。图2a左侧的流体处理结构12版本可将弯液面33固定在回收开口25下方，因此弯液面33可沿回收开口25的长度和/或宽度移动。为了使辐射束B指向曝光下的衬底W的整个侧面，支撑衬底W的衬底支撑件WT相对于投影系统PS移动。为了使光刻设备曝光的衬底W的输出最大化，衬底支撑件WT(以及衬底W)尽可能快地移动。然而，存在一个临界相对速度(通常称为临界扫描速度)，高于该速度时，流体处理结构12和衬底W之间的弯液面33会变得不稳定。不稳定的弯液面33更有可能丢失浸没液体，例如以一个或多个液滴的形式丢失。此外，不稳定的弯液面33更有可能导致浸没液体中夹杂气泡，尤其是当受限的浸没液体穿过衬底W的边缘时。

液滴可能施加热负荷并且可能成为缺陷的来源。液滴可能蒸发而留下干燥污渍，可能移动并传输污染物(诸如颗粒)，可能与较大的浸没液体主体碰撞而将气泡引入较大的主体并且可能蒸发，将热负荷施加到其所在的表面。如果表面与光刻设备的部件相对于被成像的衬底W的定位相关，那么这种热负荷可能成为变形的原因和/或定位误差的来源。因此，不希望在表面上形成液滴。为了避免形成这种液滴，衬底支撑件WT的速度因此被限制为弯液面33保持稳定的临界扫描速度。这限制了光刻设备的吞吐量。

图2a中的流体处理系统的左侧可以包括弹簧60。弹簧60可以是可调节的被动弹簧，其被配置为沿衬底W的方向向流体处理结构12施加偏置力。因此，弹簧60可用于控制流体处理结构12在衬底W上方的高度。这种可调节的被动弹簧在US7,199,874中进行了描述，该专利全文以引用的方式并入本文中。其他偏置装置也可能是合适的，例如，使用电磁力。尽管弹簧60显示在图2a的左侧，但它是可选的，并且不需要与图2a的左侧的其他特征一起包括。弹簧60未显示在任何其他图中，但也可以与关于图2a、图2b、图2c或图2d描述的流体处理系统的其他变体一起包括。

图2b在其左侧和右侧显示了流体处理结构12的两个不同版本，其允许弯液面33相对于最终元件100移动。弯液面33可以沿移动衬底W的方向移动。这降低了弯液面33和移动衬底W之间的相对速度，这可以提高稳定性并降低弯液面33破裂的风险。弯液面33破裂时的衬底W速度增加，从而允许衬底W在投影系统PS下更快地移动。因此，吞吐量增加。

图2b中所示的与图2a相同的特征具有相同的参考编号。流体处理结构12具有与截头圆锥形状的圆锥面互补的内表面。流体处理结构12的底面比截头圆锥形状的底部平面更靠近面对表面。

浸没液体通过形成在流体处理结构12内表面中的供应开口34被供应到浸没空间11。供应开口34位于内表面的底部，可能位于截头圆锥形状的底面下方。供应开口34位于内表面周围，围绕辐射束B的路径间隔开。

通过流体处理结构12底面中的回收开口25从浸没空间11回收浸没液体。当面对表面在流体处理结构12下方移动时，弯液面33可在与面对表面的移动相同的方向上在回收开口25的表面上迁移。回收开口25可由多孔构件形成。浸没液体可单相回收。浸没液体可双相流回收。双相流被接收在流体处理结构12内的腔室35中，在此被分离成液体和气体。液体和气体通过单独的通道36、38从腔室35回收。

流体处理结构12的底面的内周缘39延伸到浸没空间11中，远离内表面以形成板40。内周缘39形成小孔径，其尺寸可与辐射束B的形状和尺寸相匹配。板40可用于隔离其两侧的浸没液体。供应的浸没液体向内流向孔径，穿过内孔径，然后在板40下方径向向外流向周围的回收开口25。

流体处理结构12可分为两部分，如图2b右侧所示：内部部分12a和外部部分12b。内部部分12a和外部部分12b可相对彼此移动，主要在与面对表面平行的平面内移动。内部部分12a可具有供应开口34，并且可具有溢流回收件24。外部部分12b可具有板40和回收开口25。内部部分12a可具有中间回收件42，用于回收在内部部分12a和外部部分12b之间流动的浸没液体。

因此，图2b的两种不同版本的流体处理结构允许弯液面33沿与衬底W相同的方向移动，从而实现更快的扫描速度并提高光刻设备的吞吐量。然而，弯液面33在图2b左侧的流体处理结构12中的恢复开口25的表面上迁移的速度可能很慢。图2b右侧的流体处理结构12通过相对于内部部分12a和最终元件100移动外部部分12b允许弯液面33更快地移动。然而，可能难以控制中间恢复42以确保在内部部分12a和外部部分12b之间提供足够的浸没液体以防止它们之间的接触。实施方案还可以包括在移动的外部部分12b中提供的液体供应。

图2c在其左侧和右侧显示了流体处理结构12的两个不同版本，其可用于将浸没液体的弯液面33固定到流体处理结构12上，如上文关于图2a和/或图2b所述。图2c中所示的与图2a和/或图2b共同的特征共享相同的参考编号。

流体处理结构12具有与截头圆锥形的圆锥表面互补的内表面。流体处理结构12的底面比截头圆锥形的底平面更靠近面对表面。浸没液体通过形成在流体处理结构12的表面中的开口输送到浸没空间11。浸没液体可以通过流体结构12的内表面中的供应开口34供应。备选地或附加地，浸没液体可以通过流体结构12的内表面中的供应开口20供应。备选地或附加地，浸没液体通过下方供应开口23供应。浸没液体可以通过抽取构件回收，例如，通过形成在内表面中的回收开口21和/或溢流回收件24和/或流体处理结构12的表面中的一个或多个开口，如下所述。

两种不同版本的流体处理结构12固定弯液面33。由于回收开口32a的位置固定，图2c右侧的流体处理结构12版本可将弯液面33固定在相对于最终元件100基本固定的位置。图2c左侧的流体处理结构12版本可将弯液面33固定在回收开口25下方，因此弯液面33可沿回收开口25的长度和/或宽度移动。

如上文关于图2b所述，流体处理结构12的底面的内周缘可延伸到浸没空间11中远离内表面以形成板40，如左手侧所示。如上所述，这可形成小孔，并可在任一侧隔离浸没液体和/或使浸没液体向内流向孔径，通过内孔径，然后在板40下方径向向外流向周围的回收开口25。虽然该特征在图2c的左手侧示出，但它可与所示的其他特征组合使用。优选地，如左手侧所示，浸没液体通过形成在流体处理结构12的内表面中的供应开口34供应到浸没空间11。供应开口34位于内表面的底部，可能位于截头圆锥形状的底面下方。供应开口34位于内表面周围，围绕辐射束B的路径间隔开。备选地或附加地，浸没液体可通过流体结构12内表面中的供应开口20供应。备选地或附加地，浸没液体通过下方供应开口23供应。尽管供应开口34是优选的液体供应，但是可提供供应开口34、供应开口20和/或下方供应开口23的任意组合。

如图2c左侧所示，流体处理系统可包括如上所述的流体处理结构12和另一设备3000。流体处理结构12可具有抽取构件(例如，回收开口25)和液体供应开口(例如，下方供应开口23)。应当理解，流体处理结构12可包括与图2a左侧、图2a右侧、图2b左侧、图2b右侧或(如下所述)图2c右侧相关的任何配置，并与另一设备3000结合使用。

所述附加设备3000也可以称为液滴捕集器。所述附加设备3000用于减少流体处理结构12移动到表面上之后衬底W表面上出现液体的情况。所述附加设备3000可以包括液体供应构件3010和至少一个抽取构件3020。所述至少一个抽取构件3020可以形成为在平面上围绕所述至少一个供应构件3010的形状。至少一个液体供应构件3010可配置为向位于另外的设备3000的至少一部分与衬底W的表面之间的空间3110提供另外的液体。另外的设备3000可配置为通过至少一个抽取构件3020回收至少部分液体。另外的设备3000可用于将衬底W表面上剩余的任何液体与空间3110中的液体合并，然后使用另外的设备3000抽取液体，从而减少衬底W表面上剩余的液体量。

在图2c中，另外的设备3000被显示为与流体处理结构12分离的设备。另外的设备3000可以定位在流体处理结构12附近。备选地，另外的设备3000可以是流体处理结构12的一部分，即与流体处理结构12集成(如图2d所示，但是，可以选择任一布置)。

另外的设备3000可以被配置为向空间3110提供与流体处理结构12提供的液体分开的液体。

附加地或备选地，流体处理结构12可具有如图2c右侧所示的部件。更具体地，流体处理结构12可包括形成在流体处理结构12表面上的至少一个液体供应构件、两个抽取构件(例如，回收开口32a和32b)和两个气体供应构件(例如，气体供应开口27a和27b)。气体供应开口27a可省略，即是可选的。至少一个液体供应构件可与上述流体处理结构12底面中的下方供应开口23或形成在流体处理结构12内表面上的供应开口20或液体供应开口34相同，如关于图2b左侧所述。液体供应构件、抽取构件和气体供应构件可形成在流体处理结构12的表面上。具体地，这些部件可形成在流体处理结构12面向衬底W的表面上，即流体处理结构12的底面上。

两个抽取构件中的至少一个构件可包括多孔材料37。多孔材料37可设置在开口内，例如回收开口32a，流体处理结构12通过该开口从流体处理结构12下方抽取流体，并可回收单相流中的浸没液体。两个抽取构件中的另一个，例如回收开口32b，可作为双相抽取器回收浸没流体。多孔材料37不需要与流体处理结构12的底面齐平。

具体而言，流体处理结构12可以包括液体供应构件(例如，供应开口23下方)，其中第一抽取构件(例如，回收开口32a)径向位于液体供应构件的外侧，第一气体供应构件(例如，气体供应开口27a)径向位于液体供应构件的外侧。第一抽取构件向外延伸，而第二抽取构件(例如，回收开口32b)径向延伸第一气体供应构件向外延伸，并且第二气体供应构件(例如，气体供应开口27b)径向延伸在第二抽取构件的外部。与图2a类似，流体处理结构12的底面中可以存在其他开口，例如通向大气或气源或真空，如之前所述(关于流体处理结构12)。

例如，可在流体处理结构12的底面中设置至少一个另外的开口(未示出)。另外的开口是可选的。另外的开口可布置在第一抽取构件(例如，回收开口32a)和第一气体供应构件(例如，气体供应开口27a)之间，如上文所述。备选地或附加地，另外的开口可布置在第二抽取构件(例如，回收开口32b)和第二气体供应构件(例如，气体供应开口27b)之间，如上文所述。另外的开口可与上文所述另外的开口50相同。

可选地，流体处理结构12包括凹槽29。凹槽29可以设置在回收开口32a和回收开口32b之间或气体供应开口27a和回收开口32b之间。凹槽29的形状可以均匀地围绕流体处理结构12，并且可以可选地包含倾斜表面。在凹槽29设置在回收开口32a和回收开口32b之间的情况下，气体供应开口27b可以设置在倾斜表面上，如图2c所示。在供应开口27a和回收开口32b之间设置凹槽29的情况下，气体供应开口27b可以设置在与衬底W的表面平行的流体处理结构12的倾斜表面或底面的一部分上。备选地，凹槽29的形状可以围绕流体处理结构12的圆周变化。凹槽29的形状可以变化，以改变从气体供应构件供应的气体对流体处理结构12下方的流体的影响。凹槽29也可以是负凹槽，即突出结构，其缩小了流体处理结构12和衬底W之间的间隔。

图2d在其左半部分和右半部分中示出了流体处理结构12的两个不同版本。图2d左半部分的流体处理结构12具有液体注入缓冲器41a，其容纳缓冲量的浸没液体，以及液体注入孔41，其将浸没液体从液体注入缓冲器供应到空间11。液体注入孔41的外侧是用于将液体引导到设有多孔构件的内回收缓冲器43a的内液体回收孔径43。在内液体回收孔径43的外侧设有与图2c中描述的类似的凹槽29。在凹槽29的外侧，在流体处理结构12的下表面中是气体引导槽44，外回收孔44a开在该气体引导槽中。外回收孔44a将两相回收流引导到同样设有多孔构件的外回收缓冲器44b。最外面是气封孔45，气封孔45连通气封缓冲体积45a和流体处理结构12下方的空间，以提供气流来容纳浸没液体。在上述实施例中，弯液面33可以固定在回收开口32a上，也可以是可移动的。

流体处理结构12在其内倾斜面中具有液体供应开口20。在流体处理结构12的下侧，存在(从内侧到外侧)带有多孔构件37的抽取开口25；第一气刀开口26a、第二气刀开口26b和第三气刀开口26c。这些开口中的每一个都通向流体处理结构12下侧的凹槽，该凹槽提供缓冲体积。流体处理结构12的最外部分呈阶梯状，从而在流体处理结构12和衬底W之间提供更大的分离。

图2a至图2d示出了可用作流体处理系统的一部分的不同配置的示例。应理解，上面提供的示例涉及特定的抽取构件和回收构件，但不必使用确切类型的抽取构件和/或回收构件。在某些情况下，使用不同的术语来指示构件的位置，但可以提供相同的功能特征。上面提到的抽取构件的示例包括回收开口21、溢流回收件24、回收开口25(可能包括多孔板和/或腔室35)、气体回收开口28、固定开口32、回收开口32a、回收开口32b和/或中间回收件42。上面提到的供应构件的示例包括供应开口20、下方供应开口23、气刀开口26、气体供应开口27a、气体供应开口27b和/或供应开口34。一般而言，用于抽取/回收流体、液体或气体的抽取构件可与分别抽取/回收流体、液体或气体的至少任何其它实例互换。类似地，用于供应流体、液体或气体的供应构件可与分别供应流体、液体或气体的至少任何其它实例互换。抽取构件可通过连接到将流体、液体或气体吸入抽取构件的负压来从空间抽取/回收流体、液体或气体。供应构件可通过连接到相关供应来向空间供应流体、液体或气体。

如前所述，浸没液体可通过抽取构件从浸没空间11(本文中也称为液体限制空间11)中抽取。如图2a、图2c和图2d所示，抽取构件可以是回收开口21。从平面图上看，抽取构件可以位于供应开口20的相对侧。抽取构件可以抽取液体和气体。供应开口20可以供应液体。抽取构件和供应开口20都可以设置在内表面(即壁)中，该内表面面向最终元件100的截头圆锥形状的圆锥表面。因此，水可以连续流过最终元件100周围的液体限制空间11。

如前所述，流体处理系统可包括流体处理结构12和/或另外的设备3000。流体处理系统通常包括至少一个基本上平坦的底面，并且在使用中，至少一个底面可与衬底支撑件WT和/或衬底W的面对表面平行。因此，流体处理系统的至少一个底面可称为流体处理系统的面对衬底的表面200。面对衬底的衬底200可以是流体处理结构12的表面。面对衬底的衬底200可以是另外的设备3000的表面。面对衬底的衬底200可以是流体处理系统的面对衬底W的任何其他表面。此外，面对衬底的表面200可以是流体处理系统的面对衬底的表面的组合”。例如，面对衬底的表面200可包括流体处理结构12的一个或多个表面和另外的设备3000的一个或多个表面。

如图2a至2d的配置所示，面对衬底的表面200可设有一个或多个开口。一个或多个开口可包括但不限于流体供应构件和/或流体抽取构件。流体抽取构件的示例包括但不限于回收开口25、气体回收开口28、固定开口32、回收开口32a、回收开口32b、抽取构件3020、液体回收孔径43和/或外回收孔44a。流体抽取构件还可以是用于抽取/回收流体、液体和/或气体的任何其他开口。流体供应构件的示例包括下方供应开口23、气刀开口26、气体供应开口27a、气体供应开口27b、液体供应构件3010和/或液体注入孔41b。流体供应构件还可以是用于供应流体、液体和/或气体的任何其他开口。面对衬底的表面200中的一个或多个开口可以备选地或另外地包括其它开口，例如另外的开口50和/或气体密封孔45。面对衬底的表面200中的一个或多个开口可以包括用于流体的单相或双相流动的开口。

面对衬底的表面200中的一个或多个开口可用于向浸没空间11提供浸没流体、从浸没空间11中移除浸没流体、和/或将浸没流体保持在浸没空间11中。一个或多个开口实现或达到这些目的中的一个或多个的能力可能因制造缺陷、堵塞、污染和/或开口的任何其他缺陷而受到不利影响。例如，浸没流体供应部件的堵塞可能会降低浸没流体流入浸没空间11的流速，这可能导致浸没空间11中浸没流体的不足。作为另一个示例，浸没流体抽取部件的堵塞可能会降低浸没流体抽取部件的抽取能力，这可能导致浸没空间11中的浸没流体溢出。作为另一个示例，气刀开口26的堵塞可能会降低用于将浸没流体保持在浸没空间11中的气封中的压力，这可能导致浸没流体从浸没空间11中逸出。

因此，面向衬底的表面200中的一个或多个开口的任何缺陷都可能对流体处理系统的性能产生不利影响，进而可能对光刻设备的性能产生不利影响。

如上所述，流体处理系统可以包括流体处理结构12，该流体处理结构12包括面向衬底的表面中的开口。流体处理结构12也可以称为浸没罩(IH)。当流体处理结构12出现缺陷时，例如其面向衬底的表面中的一个或多个开口被堵塞，则需要停止使用流体处理结构12。众所周知，流体处理结构12随后会被送回其供应商。流体处理结构12的供应商可以在将流体处理结构12送回其使用地点之前对其进行全面维修和重新鉴定。这是一个非常低效和缓慢的过程，特别是因为供应商可能位于流体处理结构12使用地点的另一端。此外，大多数停止使用的流体处理结构12只需要清洁和/或小修。

实施例通过提供独立的调节系统来改进已知技术，该系统用于在使用地点附近对流体处理结构进行再调节。调节系统的实施例可执行多种工艺来清洁和/或修复流体处理结构。

根据实施例的调节系统可以位于光刻设备所在的同一洁净室内。调节系统可以是独立于光刻设备操作的独立系统。当确定要重新调节光刻设备所包含的流体处理结构时，可以将流体处理结构移动到调节系统，在那里对其进行重新调节。流体处理结构可以在光刻设备中重新调节后进行更换。备选地，可以将存储在调节系统内的不同流体处理结构安装在光刻设备中。因此，光刻设备的停机时间比已知技术要短得多。可以最大限度地减少停机时间。

图3示意性地示出了根据第一实施例的调节系统301。

第一实施例的调节系统301可包括用于接纳流体处理结构304的容器。流体处理结构304可以是如图2a-图2d中所述的流体处理结构12。调节系统301可包括用于调节由容器保持的流体处理结构304的调节设备307。调节系统301可包括可检查流体处理结构304的至少一部分的检查系统。检查系统可确定要对流体处理结构304执行的一种或多种不同调节类型。然后，调节设备307可自动执行清洁和/或修复流体处理结构304的过程。

调节系统301可包括流体入口歧管302，用于向容器保持的流体处理结构304提供流体流。所提供的流体可以是液体流，例如超纯水流。调节系统301还可包括流体出口歧管303，用于接纳流过容器保持的流体处理结构304的流体流。可存在流体再循环系统，其提供用于再循环通过流体处理结构304的流体流的流动路径309。在流动路径309内，可存在过滤器308，其可捕获(即收集)再循环流体中的任何颗粒。颗粒可由调节系统301分析和/或提供应不同的设备以分析颗粒。尽管图3中未示出，但流体再循环系统还可包括泵和其操作所需的任何其他装置。

调节系统301可包括光发射器305，其可为激光发射器，其可照射流体处理结构304。激光发射器可发射散射光。调节系统301可包括光接收器306，其可为激光接收器，用于检测光。

下面将根据实施例更详细地描述调节系统301以及调节系统301的操作。

流体处理结构304可具有主表面，该主表面是当流体处理结构304用于光刻设备时流体处理结构304面向衬底W的表面。流体处理结构304的主表面可包括用于供应和/或抽取流体的开口，并且可能是流体处理结构304中最常需要清洁和/或维修的部分。

调节设备307可布置成位于由调节系统301的容器接纳的流体处理结构304下方。调节设备307可包括主表面，该主表面可称为活性表面，其面向流体处理结构304的主表面。

检查系统可配置为在调节设备307对流体处理结构304执行任何调节过程之前检查流体处理结构304。检查系统可包括处理器，用于控制检查过程并接收、生成和传输与检查过程相关的数据。具体而言，检查系统可根据流体处理结构304的检查生成和/或接收检查数据。处理器可根据检查数据自动确定要在流体处理结构304上执行的一种或多种不同调节类型过程。检查系统可自动生成并向调节设备307发送用于执行所确定的一种或多种调节过程的指令。例如，指令可以是针对要在流体处理结构304的所有主要表面上执行的特定类型的清洁，也可以是针对要修复的主要表面的仅特定部分。

检查系统可以包括一个或多个相机，用于生成流体处理结构304的至少主表面的全部或部分的图像和/或视频。检查系统可以分析图像和/或视频以生成检查数据。

检查系统可控制光发射器305，使其照射流体处理结构304的主表面和/或使光穿过流过流体处理结构304的流体。检查系统可根据光接收器306检测到的光生成检查数据。例如，检查系统可使用光接收器306检测到的光来检查流体处理结构304的至少主表面的全部或部分。具体而言，光发射器305(可为激光发射器)可用散射光照射流体处理结构304的部分或全部主表面。检查系统可根据光接收器306检测到的光的图案生成检查数据。检查数据可包括流体处理结构304的特征(例如开口)的测量尺寸。测量尺寸可包括开口的直径、形状和尺寸中的一项或多项。检查系统可将测量的尺寸与参考数据(可能包括历史数据)进行比较，以检测尺寸的任何变化。例如，与历史数据的比较可以检测开口直径的漂移。

检查系统可以包括颗粒分析仪，该颗粒分析仪被布置成根据过滤器308收集的颗粒的分析来生成检查数据。由此可以检测来自流体处理结构304的内部流动路径中的任何污染物颗粒的存在和类型。污染物颗粒的类型可以包括纤维、金属和有机颗粒。因此，要执行的确定的一种或多种调节类型可能取决于检测到的污染物颗粒的类型。

检查系统可配置为在调节设备307对流体处理结构304执行调节过程的同时检查流体处理结构304。检查系统可实时生成并显示调节过程进度的指示。检查系统可确定流体处理结构304的调节何时完成以及流体处理结构304何时准备在光刻设备中使用。检查系统可在流体处理结构304的调节完成时生成并显示通知。流体处理结构304的调节完成的确定可根据用户预定义的场景。

调节设备307可以执行多种不同类型的过程来重新调节流体处理结构304。调节设备307对流体处理结构304执行的每个调节过程可以局部执行或全局执行。也就是说，每个调节过程可以仅在流体处理结构304的主表面的一个或多个部分上执行，或者在流体处理结构304的整个主表面上执行。

调节设备307可以执行的修复工艺的类型可以包括以下一种或多种：修复工艺；抛光工艺；涂层工艺；以及将添加剂施加到流体处理结构304的过程。

调节设备307可以包括用于抛光流体处理结构主表面上的划痕的抛光垫。

调节设备307可包括用于切割、移除、重塑和/或机械修饰流体处理结构304的部件的激光器。调节设备307可使用激光器改变一些开口的形状。调节设备307可使用激光器或其他装置来对流体处理结构304中的开口进行除锈。

调节设备307可以执行离子沉积以填充流体处理结构304的主表面中的裂缝。调节设备307可以将添加剂施加到流体处理结构304的主表面。添加剂可以是塑料或金属材料。

流体处理结构304可以是模块化的。调节设备307执行的修复工艺可以包括更换流体处理结构304的一个或多个模块。

调节系统301可以包括机械设备(图3中未示出)，该机械设备被布置成撞击流体处理结构304。这可以在流体处理结构304中产生冲击波，从而将流体处理结构304中粘在一起的任何部件移开。这可以帮助检查和调节过程。

虽然图3中未示出，但流体再循环系统可以包括流体温度控制系统。流体温度控制系统可以监测由流体再循环系统再循环的流体的温度，并且如果需要，加热或冷却流体，以便将其保持在或改变为期望的温度。流体温度控制系统可以设置在流动路径309中。

虽然图3中未示出，但流体再循环系统可以包括流体流动控制系统。流体流动控制系统可以控制流体再循环系统中流体的流速。流体流动控制系统可以快速停止和启动流体流动，从而在流体中产生压力波。压力波可以移开流体处理结构304中粘在一起的部分，从而有助于流体处理结构304的检查和/或调节过程。流体流动控制系统可以设置在流动路径309中

调节系统301还可以包括用于控制流体处理结构304的温度的温度控制系统。流体处理结构304的温度可以针对每个检查和调节过程改变为适当的温度并且维持在适当的温度。

调节系统301还可包括一个或多个存储部分(图3中未示出)，用于存储多个流体处理结构304。可以存在第一存储部分，用于存储需要调节设备307进行再调节的多个流体处理结构304。可以存在第二存储部分，用于存储已由调节设备307再调节的多个流体处理结构304。调节系统301可自动选择第一存储部分中的流体处理结构304进行再调节，再调节所选的流体处理结构304，然后将再调节的流体处理结构304存储在第二存储部分中。调节系统301可确定流体处理结构304再调节的顺序，然后依次再调节流体处理结构304。有利的是，第二存储部分提供一个或多个随时可用的流体处理结构304的存储。当光刻设备的流体处理结构304需要修复时，可以快速地从光刻设备移除流体处理结构304并且用另一个准备使用的流体处理结构304替换。

如前所述，调节系统301可以与光刻设备位于同一洁净室中。调节系统301是独立于光刻设备运行的独立系统。

调节系统301可以包括传送系统(图3中未示出)，用于自动将需要重新调节的流体处理结构304从光刻设备传送到调节系统301。传送系统还可以自动将已经重新调节并准备使用的流体处理结构304从调节系统301传送到光刻设备。备选地，流体处理结构304可以在光刻设备和调节系统301之间手动传送。

调节系统301的流体再循环系统可以完全独立于光刻设备的流体流动系统来设置和操作。

为了提供和控制检查系统和调节设备307，调节系统301可以包括计算机、服务器、大型机主机、终端、个人计算机、任何类型的移动计算设备等，或者它们的组合。

可以提供非暂态计算机可读介质，用于存储用于检查系统和调节设备307的控制器的处理器的指令。非暂态介质的常见形式包括，例如，软盘、柔性盘、硬盘、固态驱动器(SSD)、磁带或任何其他磁性数据存储介质、光盘只读存储器(CD-ROM)、任何其他光学数据存储介质、具有孔图案的任何物理介质、随机存取存储器(RAM)、可编程只读存储器(PROM)和可擦除可编程只读存储器(EPROM)、FLASH-EPROM或任何其他闪存、非易失性随机存取存储器(NVRAM)、缓存、寄存器、任何其他存储器芯片或盒式存储器以及它们的联网版本。

锈化是一种腐蚀层，可能形成在与水接触的流体处理结构12的内表面和外表面上。锈化会增加浸没流体中产生颗粒的风险，也会使流体处理结构12的外观变差。当流体处理结构12变得锈化时，它们目前会被报废。

根据第二实施例，提供了一种用于清除流体处理结构的调节系统。清除是消除锈化影响的过程，以使锈化的流体处理结构12基本恢复到锈化未发生的状态。通过在锈化表面上流动酸来清除流体处理结构的锈化。然后可以在光刻设备中重新使用清除的流体处理结构。

图4示意性地示出了根据第二实施例的调节系统401。第二实施例的调节系统401可以包括流体供应系统402和除锈系统403。流体供应系统402产生不同的流体流，这些流体流被供应到除锈系统403。除锈系统403接纳具有锈化表面的流体处理结构418，并且被布置成使用从流体供应系统402接收的流体来对流体处理结构418的锈化表面除锈。流体处理结构418可以是如图2a-图2d中所述的流体处理结构12。

流体供应系统402包括酸供应件406、稀释液体供应件407、超纯水(UPW)供应件404、极洁净干燥空气(XCDA)供应件405、酸供应泵412、加热器411、稀释液体供应调节器413、pH计414、UPW供应阀408、XCDA供应阀409、酸供应阀410和流体供应件415。虽然图4中未示出，但还可以有控制系统，用于自动控制至少稀释液体供应调节器413、UPW供应阀408、XCDA供应阀409和酸供应阀410的操作。

流体供应件415是流体供应系统402的流体输出。流体供应系统402是可控制的，使得通过流体供应件415的流体输出是酸性、UPW、XCDA，或者没有流体输出通过流体供应件415。

为了在流体供应源415中提供酸，酸从酸供应源406输出。pH计414可测量酸的pH。如果需要改变酸的pH，可自动控制稀释液体供应调节器413，以便将酸与来自稀释液体供应源407的稀释液体(例如水)以适当的比例混合。酸供应泵412可对酸加压，加热器411可将酸加热到适当的温度以进行脱酸。酸供应阀410可自动控制，以便酸以适当的速率流入流体供应源415。UPW供应阀408和XCDA供应阀409可关闭，以便仅将酸供应到流体供应源415。

为了在流体供应源415中提供UPW，可控制UPW供应阀408，以使UPW以适当的速率从UPW供应源404流向流体供应源415。可关闭酸供应阀410和XCDA供应阀409，以便仅将UPW供应到流体供应源415。

为了在流体供应源415中提供XCDA，控制XCDA供应阀409，使XCDA以适当的速率从XCDA供应源405流向流体供应源415。可以关闭酸供应阀410和UPW供应阀408，以便仅将XCDA供应到流体供应源415。

当UPW供应阀408、XCDA供应阀409、酸供应阀410全部关闭时，没有流体供应至流体供应源415。

除锈系统403包括除锈台419、液体浴槽420、搅拌风扇417、一个或多个O形环416、盖424、吸入管线421、排水泵422和排水管423。除锈系统403布置成接纳已除锈的流体处理结构，即具有已除锈表面的流体处理结构418。除锈系统403布置成接收来自流体供应系统402的流体供应件415的流体。虽然图4中未示出，但还可以存在用于自动控制除锈系统403的操作的控制系统。同一控制系统可以自动控制流体供应系统402和除锈系统403的操作。

除锈流体处理结构418可定位在除锈台419的上表面上的一个或多个O形环416上。液体浴420是可向其供应酸和其它流体的区域，并且至少部分地由流体处理结构418的一些外表面、除锈台419的上表面和一个或多个O形环416界定。酸和其它流体可流入流体处理结构418的下表面和除锈台419的上表面之间的通道。通道的末端可由一个或多个O形环416界定。盖424可定位在穿过流体处理结构418的主开口上方，使得酸和其它流体可流到的区域被封闭。盖424可防止酸流到流体处理结构418的某些应避免受酸影响的表面。流体处理结构418的某些表面可能包含胶水和/或其他材料，如果与酸接触，这些材料会损坏。盖424可防止酸到达流体处理结构418的这些表面并因此损坏这些表面。搅拌风扇417可布置成当液体浴420中有液体时产生湍流。虽然图4中未示出，但除锈台419可安装在动态平台上。动态平台可在所有三个正交轴(例如x轴、y轴和z轴)上双向旋转。旋转可能只是围绕每个轴的部分旋转，而不是完全旋转。动态平台可用于摇动流体处理结构418，以增加流体流动中的湍流。流体流动中的湍流可增加流体到达流体处理结构418的所有锈化表面的程度、流体对颗粒的分离以及流体的混合。湍流还可防止释放的颗粒重新沉淀在流体处理结构418中。酸和其它流体可通过吸入管线421从液体浴420流出。流体可通过排水泵422抽入吸入管线421。吸入管线421中的流体可流至排水管423。

第二实施例的调节系统401可以自动执行清理流体处理结构418的过程。调节系统401可以如下所述进行操作。

除锈系统403中可设置除管流体处理结构418。流体供应系统402可产生酸以供应给除锈系统403。来自酸供应件406的酸可与来自稀释液体供应件407的稀释液体(例如水)混合，以使其具有适当的pH值。酸供应泵412可将酸加压至适当的压力。加热器411可加热酸，使其处于适合除管的温度。然后，酸可通过流体供应件415供应给除锈系统403。

除锈系统403可从流体供应件415接收酸。所接收的酸可供应到流体处理结构418中可能发生锈蚀的部分表面，优选所有表面。这些表面与水接触。具体而言，酸可供应到流体处理结构418中可能发生锈蚀的管道。这包括所有流体供应管道和流体抽取管道。酸可流过管道并进入液体浴420。酸可流到流体处理结构418中可能发生锈蚀的部分外表面，优选所有外表面，例如阻尼器表面，即流体处理结构418的下侧或底部表面。可供应酸，使得酸到达其可能流到的基本上所有表面。可操作搅拌风扇417和/或动态平台以在酸流中产生湍流。酸可连续流入除锈系统403，通过流体处理结构418流入排水管423。备选地，可暂时停止流入排水管423的流动，以便流入流体处理结构418的酸暂时保留在流体处理结构418内。允许酸接触每个表面的时间可以是约120秒或少于120秒，并且优选少于60秒。在允许酸与其可能到达的表面保持接触所需的时间长度之后，所有酸可流向排水管423。

当酸被供应到除锈系统403时，流体处理结构418的管道的入口和出口(其设计在使用时不支持液体流动，例如在使用时仅支持气体流动的管道)可以被密封，使得没有酸流入其中。由于没有液体流动，因此预计在这样的管道中不会发生除锈。

然后，流体供应系统402可产生UPW流，该流通过流体供应件415供应到除锈系统403。UPW可从酸接触的所有表面上冲洗掉任何残留的酸。搅拌风扇417和/或动态平台可操作以在UPW流中产生湍流。UPW可流到排水管423。

然后，流体供应系统402可产生XCDA流，该流通过流体供应件415供应到除锈系统403。XCDA可从水接触的所有表面干燥任何剩余的水。搅拌风扇417和/或动态平台可操作以在XCDA流中产生湍流。XCDA可流到排水管423。

然后可以从除锈系统403中移除流体处理结构418并在光刻设备中重新使用。

有利的是，第二实施例的调节系统401可以自动执行清除脏污的流体处理结构418的过程。

在第二实施例的一个实施例中，酸的pH值可以在整个酸供应过程中变化。具体地，可以在酸供应过程开始时使用具有低pH值的酸，以便快速去除锈面。然后可以增加酸的pH值，使得锈面去除速率减慢，以增加对锈面去除的控制。可以通过改变来自酸供应器406的酸与来自稀释液供应器407的稀释液的混合比例来控制酸的pH值。

在第二实施例的另一个实施例中，可以存在多个酸供应源406，并且每个酸供应源406可以包括不同的酸。然后，控制系统可以选择用于特定目的酸。例如，可以使用第一种酸去除一些抗蚀剂，然后可以使用第二种酸去除锈化。

在第二实施例的另一个实现方式中，酸的pH值可以根据与调节系统401分开的系统(未示出)的确定或测量来设定。这允许调节系统401的操作员手动设定pH值。

在第二实施例的另一个实施例中，检测器或传感器(未示出)可测量流体处理结构418表面上的锈化度和/或污染水平。可根据测量的锈化度和/或污染来控制清除锈化过程。检测器可以是例如光学检测器，例如照相机。

在第二实施例的另一个实施例中，pH传感器或仪表(未示出)可测量流体供应件415中的酸和吸入管线421中的酸的pH值。酸供应过程可根据pH传感器或仪表的测量结果进行控制。具体而言，可继续除锈过程，直到吸入管线421中的酸的pH值与流体供应件415中的酸的pH值基本相同。

在第二实施例的另一个实施例中，流经除锈系统403的酸液可被过滤并供应回流体供应系统402，类似于第一实施例中描述的流体再循环系统。然后，酸液可被重新供应到除锈系统403。

上述第二实施例的任意两个或多个实现方式可以相互结合使用。

第二实施例的调节系统401可以是与第一实施例的调节系统301分开的独立调节系统，或者也可以是与第一实施例的调节系统301集成在一起。

实施例包括对上述技术的多种修改和变化。

尽管第二实施例已被描述为用于对流体处理结构418进行除锈的调节系统401，但是第二实施例更一般地包括用于对流体处理系统418进行除锈的调节系统401。调节系统401还可用于对其他类型的除锈结构和系统进行除锈。

实施例可用于修复流体处理系统中多种已知类型的流体处理结构，例如图2a至2d中所示的结构。实施例不限于修复流体处理系统的特征或其面向衬底的表面的特定布置。实施例可用于修复任何流体处理系统的全部或部分。

尽管上文可能已具体提及在修复流体处理系统的背景下使用本发明的实施例，但本发明的实施例不限于此。实施例包括修复光刻设备的任何其他组件。实施例还可用于修复光刻设备所包含的装置以外的装置，例如掩模检查装置、计量装置的组件，或测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)之类的物体的任何装置的组件。这些装置通常可称为光刻工具。这种光刻工具可使用环境(非真空)条件。

尽管本文中具体提到了浸没式光刻设备的使用，但应理解，本发明的实施例不限于这种类型的光刻设备。例如，实施例包括对极紫外(EUV)光刻设备所包含的器件进行修复。

尽管本文中可能具体提到了光刻设备在IC制造中的应用，但应理解，本文所述的光刻设备可能具有其他应用。可能的其他应用包括制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。

上下文允许的情况下，本发明的实施例可以以硬件、固件、软件或它们的任何组合来实现。本发明的实施例还可以通过存储在机器可读介质上的指令来实现，这些指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁存储介质；光存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例程、指令可以在本文中描述为执行某些动作。然而，应该理解，这样的描述仅仅是为了方便，并且这样的动作实际上是由执行固件、软件、例程、指令等的计算设备、处理器、控制器或其他设备产生的，并且在这样做时可能导致致动器或其他设备与物理世界交互。

尽管本文中可能在光刻设备的背景下具体提及本发明的实施例，但本发明的实施例可用于其他设备。本发明的实施例可构成掩模检查设备、计量设备或任何测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)之类的物体的设备的一部分。这些设备通常可称为光刻工具。这种光刻工具可使用环境(非真空)条件。

尽管上文可能具体参考了在光学光刻背景下使用本发明的实施例，但应当理解，在上下文允许的情况下，本发明不限于光学光刻。

实施例包括以下编号条款：

1.一种用于光刻设备的流体处理结构的独立调节系统，包括：

检查系统，被配置为检查所述流体处理结构并确定要被在所述流体处理结构的主表面上执行的一种或多种不同的调节类型；以及

调调节设备，被配置为在所述流体处理结构的所述主表面上执行所确定的一种或多种不同调节类型。

2.根据条款1所述的调节系统，其中所述检查系统被配置为检查所述调节过程并实时生成所述调节过程的进度的指示。

3.根据条款1或2所述的调节系统，其中所述检查系统被配置为根据用户预定义场景确定所述流体处理结构的所述调节何时完成并准备好使用。

4.根据任一前述条款所述的调节系统，其中所述检查系统被配置为当所述流体处理结构的所述调节完成时生成通知。

5.根据任一前述条款所述的调节系统，其中当所述流体处理结构在光刻设备中使用时，所述流体处理结构的所述主表面是面向衬底的表面。

6.根据任一前述条款所述的调节系统，其中所述调节设备包括主表面；并且

所述调节设备被配置为使得，当所述流体处理结构被所述调节系统接纳时，所述调节设备的主表面面对所述流体处理结构的所述主表面。

7.根据条款6所述的调节系统，其中所述调节设备被配置为使得当所述流体处理结构被所述调节系统接纳时，所述调节设备的所述主表面位于所述流体处理结构的所述主表面下方。

8.根据任一前述条款所述的调节系统，其中所述调节设备被配置为在所述流体处理结构上执行的调节的所述类型包括以下中的一项或多项：

修修复工艺；

抛抛光工艺；

涂层工艺；

用于将添加剂施加到所述流体处理结构的工艺；

用于更换所述流体处理结构的模块化部件的工艺；以及

用于对所述流体处理结构的至少部分的工艺进行除锈。

9.根据前述条款中任一项所述的调节系统，还包括流体再循环系统；

其中，当所述流体处理结构被所述调节系统接纳时，所述流体再循环系统被配置为使流体的流再循环通过所述流体处理结构；并且

所述检查系统被配置为对所述再循环流体执行分析，并根据所述分析确定要被执行的一种或多种调节类型。

10.根据条款9所述的调节系统，其中所述流体再循环系统包括过滤器，所述过滤器被布置在其流体流动路径中，用于收集所述流体中的污染物；并且

所述检查系统被配置为分析由所述过滤器收集的所述污染物，使得所确定的要被执行的所述一种或多种调节类型取决于所述污染物的类型。

11.根据条款9或10所述的调节系统，还包括流体温度控制系统，所述流体温度控制系统被配置为控制由所述流体再循环系统再循环的所述流体的温度。

12.根据条款9至11所述的调节系统，还包括流体流动控制系统，所述流体流动控制系统被配置为控制所述流体再循环系统中的所述流体的流动，使得在所述流体中产生压力波。

13.根据任一前述条款所述的调节系统，还包括用于控制所述流体处理结构的温度的温度控制系统。

14.根据任一前述条款所述的调节系统，还包括布置为生成所述流体处理结构中的冲击波的机械设备。

15.根据前述条款中任一项所述的调节系统，其中所述检查系统还包括：

光发射器，被配置为照射所述流体处理结构的所述主表面和/或流过所述流体处理结构的流体；以及

光接收器，被配置为检测来自所述照射的光；

其中所述检查系统被配置为根据接收到的所述光确定要被执行的一种或多种调节类型。

16.根据前述条款中任一项所述的调节系统，其中所发射的所述光被配置为发射散射光。

17.根据前述任一条款所述的调节系统，其中所述检查系统被配置为测量所述流体处理结构的特征的尺寸并且将所测量的所述尺寸与参考数据进行比较。

18.根据条款17所述的调节系统，其中所述特征包括开口，并且所测量的所述尺寸包括以下中的多项中的一项：开口的直径、形状和尺寸。

19.根据前述任一条款所述的调节系统，还包括用于存储多个流体处理结构的存储部分。

20.根据前述任一条款所述的调节系统，其中所述调节系统被配置为依次自动调节多个流体处理结构。

21.根据前述权利要求中任一项所述的调节系统，其中所述调节系统包括：

流体供应系统；以及

除锈系统；

其中所述除锈系统被配置为接收来自所述流体供应系统的酸并且利用所接收的所述酸来对所述流体处理结构的至少一部分进行除锈。

22.一种调节系统和一种流体处理结构；其中：

所述调节系统是根据前述任一条款所述的调节系统；并且

所述流体处理结构由所述调节系统接纳。

23.一种洁净室中的装置，包括：

光刻设备；以及

根据条款1至21中任一项所述的调节系统。

24.根据条款23所述的装置，还包括传送系统，用于自动将流体处理结构从所述光刻设备传送到所述调节系统。

25.根据条款24所述的装置，还包括流体处理结构；

其中所述流体处理结构由所述调节系统接纳。

26.一种修复光刻设备的流体处理结构的方法，所述方法包括：

从光刻设备中移除流体所述处理结构；

向独立的调节系统提供所述流体处理结构；

检查所述流体处理结构以确定要被在所述流体处理结构的主表面上执行的一种或多种不同调节类型；以及

在所述流体处理结构的所述主表面上执行所确定的所述一种或多种不同调节类型。

27.根据条款26所述的方法，其中所述调节系统是根据条款1至21中的任一项的。

28.根据条款26或27所述的方法，其中所述调节系统和所述光刻设备位于同一洁净室中。

虽然上文已描述了本发明的具体实施例，但应认识到，本发明可以以不同于所述的方式实施。上文的描述旨在说明，而非限制。因此，本领域技术人员将明白，可以对所述本发明进行修改，而不偏离下文所述权利要求的范围。

Claims (15)

1.一种用于光刻设备的流体处理结构的独立调节系统，包括：

检查系统，被配置为检查所述流体处理结构并确定要被在所述流体处理结构的主表面上执行的一种或多种不同的调节类型；以及

调节设备，被配置为在所述流体处理结构的所述主表面上执行所确定的一种或多种不同调节类型。

2.根据权利要求1所述的调节系统，其中所述检查系统被配置为检查所述调节过程并实时生成所述调节过程的进度的指示，和/或其中所述检查系统被配置为根据用户预定义场景确定所述流体处理结构的所述调节何时完成并准备好使用，和/或其中所述检查系统被配置为当所述流体处理结构的所述调节完成时生成通知，和/或其中所述检查系统被配置为测量所述流体处理结构的特征的尺寸并将所测量的所述尺寸与参考数据进行比较，和/或其中当所述流体处理结构在光刻设备中使用时，所述流体处理结构的所述主表面是面向衬底的表面。

3.根据权利要求2所述的调节系统，其中所述特征包括开口，并且所测量的所述尺寸包括以下中的一项或多项：所述开口的直径、形状和尺寸。

4.根据权利要求1、2或3所述的调节系统，其中所述调节设备包括主表面；并且

所述调节设备被配置为使得，当所述流体处理结构被所述调节系统接纳时，所述调节设备的主表面面对所述流体处理结构的所述主表面，和/或

其中所述调节系统被配置为自动地顺序地调节多个所述流体处理结构。

5.根据权利要求4所述的调节系统，其中所述调节设备被配置为使得当所述流体处理结构被所述调节系统接纳时，所述调节设备的所述主表面位于所述流体处理结构的所述主表面下方。

6.根据前述权利要求中任一项所述的调节系统，其中所述调节设备被配置为在所述流体处理结构上执行的调节的所述类型包括以下中的一项或多项：

修复工艺；

抛光工艺；

涂层工艺；

用于将添加剂施加到所述流体处理结构的工艺；

用于更换所述流体处理结构的模块化部件的工艺；以及

用于对所述流体处理结构的至少部分进行除锈的工艺。

7.根据前述权利要求中任一项所述的调节系统，还包括流体再循环系统；

其中，当所述流体处理结构被所述调节系统接纳时，所述流体再循环系统被配置为使流体的流再循环通过所述流体处理结构；并且

所述检查系统被配置为对所述再循环流体执行分析，并根据所述分析确定要被执行的一种或多种调节类型。

8.根据权利要求7所述的调节系统，其中所述流体再循环系统包括过滤器，所述过滤器被布置在其流体流动路径中，用于收集所述流体中的污染物；并且

所述检查系统被配置为分析由所述过滤器收集的所述污染物，使得所确定的要被执行的所述一种或多种调节类型取决于所述污染物的类型，和/或还包括流体温度控制系统，所述流体温度控制系统被配置为控制由所述流体再循环系统再循环的所述流体的温度，和/或还包括流体流动控制系统，所述流体流动控制系统被配置为控制所述流体再循环系统中的所述流体的流动，使得在所述流体中产生压力波，和/或还包括用于控制所述流体处理结构的温度的温度控制系统，和/或还包括用于控制所述流体处理结构的温度的温度控制系统，和/或还包括用于控制所述流体处理结构的温度的温度控制系统，和/或还包括用于存储多个流体处理结构的存储部分。

9.根据前述权利要求中任一项所述的调节系统，其中所述检查系统还包括：

光发射器，被配置为照射所述流体处理结构的所述主表面和/或流过所述流体处理结构的流体；以及

光接收器，被配置为检测来自所述照射的光；

其中所述检查系统被配置为根据接收到的所述光确定要被执行的一种或多种调节类型。

10.根据权利要求9所述的调节系统，其中所发射的所述光被配置为发射散射光。

11.根据前述权利要求中任一项所述的调节系统，其中所述调节系统包括：

流体供应系统；以及

除锈系统；

其中所述除锈系统被配置为接收来自所述流体供应系统的酸并且利用所接收的所述酸来对所述流体处理结构的至少一部分进行除锈。

12.一种调节系统和一种流体处理结构；其中：

所述调节系统是根据前述权利要求中的任一项所述的调节系统；并且

所述流体处理结构由所述调节系统接纳。

13.一种洁净室内的装置，包括：

光刻设备；以及

根据权利要求1至11中任一项所述的调节系统。

14.根据权利要求13所述的装置，还包括用于将流体处理结构从所述光刻设备自动转移到所述调节系统的传送系统，和/或还包括所述流体处理结构；

其中所述流体处理结构由所述调节系统接纳。

15.一种用于修复光刻设备的流体处理结构的方法，所述方法包括：

从所述光刻设备中移除所述流体处理结构；

向独立的调节系统提供所述流体处理结构；

检查所述流体处理结构以确定要被在所述流体处理结构的主表面上执行的一种或多种不同调节类型；以及

在所述流体处理结构的所述主表面上执行所确定的所述一种或多种不同调节类型。