CN119120008A - 一种用于制备钙钛矿的组合物及其制备方法和应用 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于制备钙钛矿的组合物及其制备方法和应用，所述钙钛矿前驱体溶液的制备原料包括：碘化铅、碘化铯、2‑苯乙胺氢碘酸盐(PEAI)和2,2'‑氧双(乙胺)，本发明在钙钛矿前驱体中引入低成本的2,2'‑氧双(乙胺)(OD)添加剂，成功制备了深红光钙钛矿发光二极管。本发明中含有2,2'‑氧双(乙胺)添加剂的钙钛矿溶液制备得到的器件的半峰宽≤40nm，器件在685nm处的半峰宽具体为38nm，同时器件的EQE可达10.0％，实现了制备得到高性能和光谱色纯稳定的深红光钙钛矿发光二极管。

Description

一种用于制备钙钛矿的组合物及其制备方法和应用

技术领域

本发明属于微电子器件技术领域，具体涉及一种用于制备钙钛矿的组合物及其制备方法和应用。

背景技术

随着对显示器的需求急剧攀升，促使对显示技术设立了更为严苛的标准，涵盖追求极致的颜色纯度、能效提升、更广阔的色域覆盖以及超高清分辨率。在此背景下，金属卤化物钙钛矿材料凭借其卓越的荧光量子产率、优异的导电性能、狭窄且可调谐的发射光谱、灵活的溶液加工方式以及低廉的制造成本，在发光二极管(LED)领域崭露头角，被视为未来显示与照明技术的方向。特别是红光金属卤化物钙钛矿发光二极管(PeLEDs)，作为构筑全彩显示系统的基石光电器件，其性能直接关乎能否达到如Rec.2020这类高标准颜色规范。然而，当前红光PeLEDs在颜色纯度和外量子效率(EQE)方面尚存显著提升空间，同时其较宽的半峰宽(超过50nm)成为限制色域扩展的关键因素。为了突破这一瓶颈，实现更宽广的色域覆盖与卓越的显示品质，科研界亟需探索创新策略，以降低红光PeLEDs的半峰宽，从而推动显示技术迈向新的高度。为了应对上述挑战，大量科研团队提出了许多不同创新策略。例如有研究将苯乙基铵与1-萘甲基铵阳离子以8:2的摩尔比融合，成功制备了准二维红光钙钛矿电致发光器件，实现了661nm波长、半峰宽为52nm的优异红光发射，展现了其在颜色调控方面的进步。还有研究通过精细调控有机盐与无机盐的摩尔比例，特别是碘化苄铵与碘化铯、碘化铅的组合，实现了680nm波长、半峰宽仅为39nm的红光发射，并达到了6.23％的外量子效率，显著提升了器件性能。还有研究引入了碘化钾以优化钙钛矿薄膜的相分布，有效减少了缺陷，弱化了Cs⁺与[PbI₆]^4-配位八面体间的相互作用，实现了679nm波长、半峰宽56nm的红光发射，且外量子效率高达8.61％。以上研究表明通过组分优化工程和添加剂工程可以有效降低红光PeLEDs的半峰宽，实现较好的色纯度，但是对于实现半峰宽(<50nm)和高性能EQE的显示器件仍需进一步探索。

因此亟需提供一种光谱色纯稳定的深红光钙钛矿发光二极管。

发明内容

本发明旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种用于制备钙钛矿的组合物，以其制备得到的深红光钙钛矿发光二极管具有高性能和光谱色纯稳定的特性。

本发明还提出一种钙组合物的制备方法。

本发明还提出一种钙钛矿薄膜所述钙钛矿薄膜由所述的组合物制备得到。

本发明还提出一种钙钛矿发光二极管，包括自上而下依次叠加设置金属电极层、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和导电玻璃层，所述钙钛矿发光层为所述的钙钛矿薄膜。

根据本发明的第一个方面，提出了一种用于制备钙钛矿的组合物，所述组合物的制备原料包括：碘化铅、碘化铯、2-苯乙胺氢碘酸盐(PEAI)和2,2'-氧双(乙胺)。

本发明在钙钛矿前驱体中引入低成本的2,2'-氧双(乙胺)(OD)添加剂，成功制备了深红光PeLED。该OD添加剂能够有效降低显示器件的电致发光(EL)的半峰宽，实现较好的色纯度，本发明中含有OD添加剂的钙钛矿溶液制备得到的器件的半峰宽≤40nm，器件在685nm处的半峰宽具体为38nm，同时器件的EQE可达10.0％，本发明为实现高性能和光谱色纯稳定的深红光PeLED提供了一种简单、可行的新方法。

本发明中的2,2'-氧双(乙胺)(OD)添加剂直接对钙钛矿发光层起到重要作用，在钙钛矿发光层浅层存在例如卤素的空位缺陷、悬挂健等许多的缺陷，本发明中的2,2'-氧双(乙胺)对这些缺陷有抑制作用，从而有助于实现制备得到一种高性能和光谱色纯稳定的深红光PeLED。

在本发明的一些实施方式中，摩尔比计，所述碘化铅、所述碘化铯、所述2-苯乙胺氢碘酸盐(PEAI)和所述2,2'-氧双(乙胺)为：1：1：0.7：0.064～0.106。

通过精确控制碘化铅和碘化铯的摩尔比，可以调整钙钛矿的带隙能量和电子结构，从而优化器件的发光特性；减少材料中的缺陷和非理想结构，提高钙钛矿材料的稳定性和耐久性；通过适当的PEAI掺杂，实现了调节电子和空穴的能级对齐，改善载流子注入和传输的效果。

在本发明的一些实施方式中，所述用于制备钙钛矿的组合物中，在溶液态下，Pb²⁺的浓度为0.01-0.5mmol/ml。

上述浓度下的Pb²⁺有助于精确控制材料的晶体结构、成分均匀性以及最终的物理和化学性质、提高材料的稳定性、耐久性以及优化能带结构和电子结构，提高制备得到的钙钛矿发光二极管器件的效率和稳定性。

根据本发明的第二个方面，提出了组合物的制备方法，包括：在溶液态下，混合碘化铅、碘化铯、2-苯乙胺氢碘酸盐和2,2'-氧双(乙胺)并加热。

在本发明的一些实施方式中，所述碘化铯的溶液中，溶剂为：二甲基亚砜。

在本发明的一些实施方式中，所述2-苯乙胺氢碘酸盐的溶液中，溶剂为N,N-二甲基甲酰胺。

在本发明的一些实施方式中，所述2,2'-氧双(乙胺)的溶液中，溶剂为N,N-二甲基甲酰胺。

在本发明的一些实施方式中，所述加热的温度为30～80℃。

根据本发明的第三个方面，提出了一种钙钛矿薄膜，所述钙钛矿薄膜由所述的用于制备钙钛矿的组合物制备得到。

在本发明的一些实施方式中，所述钙钛矿薄膜的制备方法包括：将所述钙钛矿的组合物的前驱体溶液进行旋涂结晶后退火。

在本发明的一些实施方式中，旋涂的转速为1000～5000rpm，所述旋涂的时间为30-100s。

在本发明的一些实施方式中，所述旋涂的步骤中，还包括在旋涂的第20-60s迅速滴加含聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)的溶液使薄膜结晶。

在上述条件下加入聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)后可以在薄膜中形成更有序和紧密的结晶结构，有助于提高薄膜的载流子传输性能和光电转换效率。

在本发明的一些实施方式中，所述含聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)的溶液的浓度为0.1-20mg/ml，所述含聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)的溶液的溶剂为1,4-二氧己环(DOA)。

在本发明的一些实施方式中，所述退火的温度为50-150℃，所述退火的时间为0.1-10min。

根据本发明的第四个方面，提出了一种钙钛矿发光二极管，包括自上而下依次叠加设置金属电极层、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和导电玻璃层，所述钙钛矿发光层为所述的钙钛矿薄膜。

在本发明的一些实施方式中，所述钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：

S1：采用激光刻蚀工艺对导电玻璃进行图案化处理后依次采用丙酮、乙醇和去离子水对导电玻璃进行超声清洗；

S2：将清洗后的导电玻璃利用烘箱进行烘干得到导电玻璃层，随后立即传入充满惰性气氛(可以为N₂)环境中；

S3：将电子注入层的溶液采用旋涂的方式沉积在导电玻璃衬底上，随后进行退火处理，得到电子注入层；

S4：将电子传输层的溶液采用旋涂的方式沉积在电子注入层上，随后进行退火处理，得到电子传输层；

S5：将配置好的钙钛矿前驱体溶液利用旋涂的方式沉积在电子传输层上，随后进行退火处理，得到钙钛矿发光层；

S6：将空穴传输层利用真空蒸镀的方式沉积在钙钛矿发光层上，得到空穴传输层；

S7：将空穴注入层利用真空蒸镀的方式沉积在空穴传输层薄膜上，得到空穴注入层薄膜；

S8：将金属电极层利用真空蒸镀的方式沉积空穴注入层上，得到金属电极层。

在本发明的一些实施方式中，所述导电玻璃衬底包括表面镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃衬底。

在本发明的一些实施方式中，步骤S1中，所述超声清洗的时间不低于10min。

在本发明的一些实施方式中，步骤S2中，所述烘干的时间为5-30min，所述烘干的温度为100-150℃。

在本发明的一些实施方式中，步骤S3中，所述电子注入层的材料包括锂镁氧化锌。

在本发明的一些实施方式中，步骤S3中，所述电子注入层的溶液的浓度为10-20mg/ml。

在本发明的一些实施方式中，步骤S3中，所述电子注入层的溶液的溶剂包括无水乙醇。

在本发明的一些实施方式中，步骤S3中，所述旋涂的参数包括：转速3000-5000rpm，旋涂时间30-120s。

在本发明的一些实施方式中，步骤S3中，所述退火的温度为100-200℃，所述退火的时间为10-30min。

在本发明的一些实施方式中，步骤S4中，所述电子传输层的材料包括聚乙烯亚胺。

在本发明的一些实施方式中，步骤S4中，所述电子传输层的溶液的浓度为0.1-10mg/ml。

在本发明的一些实施方式中，步骤S4中，所述电子传输层的溶液的溶剂包括无水乙醇。

在本发明的一些实施方式中，步骤S4中，所述旋涂的参数包括：转速3000-5000rpm，旋涂时间30-120s，退火温度为50-150℃。

在本发明的一些实施方式中，步骤S6中，所述空穴传输层的材料包括1,3,5-三(4-[咔唑-9-基]苯)胺。

在本发明的一些实施方式中，步骤S6中，所述真空蒸镀的压强为：5×10^-5～5×10^-4Pa所述真空蒸镀的镀膜厚度为20-50nm，所述真空蒸镀的速率为

在本发明的一些实施方式中，步骤S6中，所述空穴传输层的材料包括1,3,5-三(4-[咔唑-9-基]苯)胺。

在本发明的一些实施方式中，步骤S7中，所述空穴注入层的材料包括三氧化钼。

在本发明的一些实施方式中，步骤S7中，所述真空蒸镀的压强为5×10^-5～5×10^{- 4}Pa，所述真空蒸镀的镀膜厚度为1-20nm，所述真空蒸镀的速率

在本发明的一些实施方式中，步骤S8中，所述金属电极的材料包括铝。

在本发明的一些实施方式中，步骤S8中，所述真空蒸镀的压强为5×10^-5～5×10^{- 4}Pa，所述真空蒸镀的镀膜厚度为100-200nm，所述真空蒸镀的速率

在本发明的一些实施方式中，所述钙钛矿发光二极管的制备方法还包括将制备得到的钙钛矿发光二极管封装处理。

在本发明的一些实施方式中，所述封装处理的步骤包括对获得的器件使用紫外光固化胶粘连玻璃片后，再采用365nm紫光灯照射其20-60s进行固化。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明做进一步的说明，其中：

图1为实施例1制备得到钙钛矿发光二极管器件结构图；

图2为实施例1和对比例1的钙钛矿薄膜的扫描电子显微镜(SEM)结果图；

图3为实施例1和对比例1的钙钛矿薄膜的光致发光(PL)光谱的实验结果图；

图4为实施例1和对比例1的钙钛矿发光二极管的电流密度-电压-亮度测试结果图；

图5为实施例1和对比例1的钙钛矿发光二极管的外量子效率与电流效率测试结果图；

图6为实施例1和对比例1的钙钛矿发光二极管的电致发光光谱图；

图7为实施例1和对比例1的钙钛矿发光二极管在不同的工作电压下的电致发光光谱；

图8为实施例1和对比例1的钙钛矿发光二极管寿命测试结果图。

图9为实施例1、实施例2、实施例3、对比例1和对比例2的钙钛矿发光二极管的外量子效率与电流效率测试结果图；

具体实施方式

本发明中的词语“优选地”、“更优选地”等是指，在某些情况下可提供某些有益效果的本发明实施方案。然而，在相同的情况下或其他情况下，其他实施方案也可能是优选的。此外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用，也并非旨在将其他实施方案排除在本发明的范围之外。

当本文中公开一个数值范围时，上述范围视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。

下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的范围。

本发明所采用的试剂、方法和设备，如无特殊说明，均为本技术领域常规试剂、方法和设备。

实施例1

本实施例提供了一种用于制备钙钛矿的组合物及其制备方法和钙钛矿发光二极管，具体地：

钙钛矿的组合物的制备方法为：

A1：在氮气的环境下，先配制好0.6mM/mL的PbI₂(溶剂DMF)、0.6mM/mL的CsI(溶剂DMSO)、0.15mM/mL的OD(溶剂DMF)、0.6mM/mL的PEAI(溶剂DMF)溶液，然后按照PbI₂：CsI：PEAI：OD＝1：1：0.7：0.08的摩尔比进行混合，最后保证Pb²⁺的浓度为0.12m mmol/mL，将配置好的钙钛矿前驱体溶液放在充满氮气的手套箱里，在黑暗环境下40℃加热至少10小时以上，使其充分搅拌溶解后得到钙钛矿前驱体溶液；

钙钛矿发光二极管的制备方法为：

S1：对透明衬底进行清洗，将ITO导电玻璃放入含有洗涤剂的烧杯中，50℃恒温超声清洗1小时，然后用去离子水清洗3次，每次超声清洗10min；

S2：随后将清洗后的ITO导电玻璃放在150℃的热台进行烘干，时间为5分钟，最后进行等离子处理(Plasma)15分钟后立即送入充满氮气的手套箱中；

S3：将提前配制好的14mg/ml的Li-MgZnO溶液(溶剂为无水乙醇)，利用移液枪将其均匀滴加到ITO表面，以3000r/min的转速旋涂30s，随后置于热台，140℃退火20分钟，获得电子注入层薄膜；

S4：在冷却后的电子注入层薄膜上滴加0.5mg/ml的PEI溶液，以3000r/min的转速旋涂30s后置于热台80℃退火5分钟，获得电子传输层薄膜；

S5：在冷却后的电子传输层薄膜上将钙钛矿前驱体溶液均匀滴加到电子传输层表面，以3000r/min的转速旋涂76s，并在第50s时迅速滴加0.5mg/ml的TFB溶液，然置于热台，80℃退火3分钟，获得钙钛矿发光层薄膜；

S6：将空穴传输层TCTA利用真空蒸镀的方式沉积在发光层薄膜上，在压强为5×10^-5条件下进行蒸镀，镀膜厚度为30nm，速率约得到空穴传输层薄膜；

S7：将空穴注入层MoO₃利用真空蒸镀的方式沉积在空穴传输层薄膜上，在压强为5×10^-5Pa条件下进行蒸镀，镀膜厚度为7nm，速率约得到空穴注入层薄膜；

S8：将金属电极Al层利用真空蒸镀的方式沉积电极修饰层薄膜上，在压强为5×10^-5Pa条件下进行蒸镀，镀膜厚度为150nm，速率约得到金属电极Al后得到钙钛矿发光二极管；

最后，进行钙钛矿发光二极管的封装，使用紫外光固化胶粘连玻璃片后，再采用365nm紫光灯照射其约30s进行固化，完成封装获得钙钛矿发光二极管器件制备。

实施例2

本实施例提供了一种用于制备钙钛矿的组合物及其制备方法和钙钛矿发光二极管，本实例与实施例1的区别在于钙钛矿前驱体溶液中OD添加剂母液的浓度为0.12mM/mL；配制方案按照PbI₂：CsI：PEAI：OD＝1：1：0.7：0.064的摩尔比进行混合，其余条件相同。

实施例3

本实施例提供了一种用于制备钙钛矿的组合物及其制备方法和钙钛矿发光二极管，本实例与实施例1的区别在于钙钛矿前驱体溶液中OD添加剂母液的浓度为0.20mM/mL；配制方案按照PbI₂：CsI：PEAI：OD＝1：1：0.7：0.106的摩尔比进行混合，其余条件相同。

对比例1

本对比例提供了一种用于制备钙钛矿的组合物及其制备方法和钙钛矿发光二极管，本对比例和实施例1的区别在于钙钛矿前驱体溶液中不引入OD添加剂，其余条件相同。

对比例2

本对比例提供了一种用于制备钙钛矿的组合物及其制备方法和钙钛矿发光二极管，本对比例和实施例1的区别在于钙钛矿前驱体溶液中以2,2’-(乙二氧)双(乙胺)(EDBE)替代实施例1中的OD添加剂，其余条件相同，具体为：

A1：在氮气的环境下，先配制好0.6mM/mL的PbI₂(溶剂DMF)、0.6mM/mL的CsI(溶剂DMSO)、0.15mM/mL的2,2’-(乙二氧)双(乙胺)(溶剂DMF)、0.6mM/mL的PEAI(溶剂DMF)溶液，然后按照PbI₂：CsI：PEAI：EDBE＝1：1：0.7：0.08的摩尔比进行混合，最后保证Pb²⁺的浓度为0.12mmol/mL，将配置好的钙钛矿前驱体溶液放在充满氮气的手套箱里，在黑暗环境下40℃加热至少10小时以上，使其充分搅拌溶解后得到钙钛矿前驱体溶液；

钙钛矿发光二极管的制备方法为：

S1：对透明衬底进行清洗，将ITO导电玻璃放入含有洗涤剂的烧杯中，50℃恒温超声清洗1小时，然后用去离子水清洗3次，每次超声清洗10min；

S2：随后将清洗后的ITO导电玻璃放在150℃的热台进行烘干，时间为5分钟，最后进行等离子处理(Plasma)15分钟后立即送入充满氮气的手套箱中；

S3：将提前配制好的14mg/ml的Li-MgZnO溶液(溶剂为无水乙醇)，利用移液枪将其均匀滴加到ITO表面，以3000r/min的转速旋涂30s，随后置于热台，140℃退火20分钟，获得电子注入层薄膜；

S4：在冷却后的电子注入层薄膜上滴加0.5mg/ml的PEI溶液，以3000r/min的转速旋涂30s后置于热台80℃退火5分钟，获得电子传输层薄膜；

S5：在冷却后的电子传输层薄膜上将钙钛矿前驱体溶液均匀滴加到电子传输层表面，以3000r/min的转速旋涂76s，并在第50s时迅速滴加0.5mg/ml的TFB溶液，然置于热台，80℃退火3分钟，获得钙钛矿发光层薄膜；

S6：将空穴传输层TCTA利用真空蒸镀的方式沉积在发光层薄膜上，在压强为5×10^-5条件下进行蒸镀，镀膜厚度为30nm，速率约得到空穴传输层薄膜；

S7：将空穴注入层MoO₃利用真空蒸镀的方式沉积在空穴传输层薄膜上，在压强为5×10^-5Pa条件下进行蒸镀，镀膜厚度为7nm，速率约得到空穴注入层薄膜；

S8：将金属电极Al层利用真空蒸镀的方式沉积电极修饰层薄膜上，在压强为5×10^-5Pa条件下进行蒸镀，镀膜厚度为150nm，速率约得到金属电极Al后得到钙钛矿发光二极管；

最后，进行钙钛矿发光二极管的封装，使用紫外光固化胶粘连玻璃片后，再采用365nm紫光灯照射其约30s进行固化，完成封装获得钙钛矿发光二极管器件制备。

本对比例中得到的钙钛矿发光二极管相比于实施例1改变了钙钛矿材料的载流子传输特性，例如电子和空穴的寿命或迁移率，增加电荷载流子的重新组合率，进而影响发光过程中的能谱纯度和半峰宽度。

测试例

图2是扫描电子显微镜(SEM)对红光钙钛矿薄膜的表面进行了形貌分析的结果。从图2中的(a)可以发现，对比例1中不含有OD添加剂的薄膜表面不均匀，同时存在一些不规则块状区域，这会严重影响器件性能。而图2中的(b)为实施例1中含有OD添加剂的薄膜，明显更见平整和均匀，这表明了加入OD添加剂可以提高钙钛矿薄膜质量，对实现高性能的器件具有促进作用。

图3为实施例1和对比例1钙钛矿薄膜的光致发光(PL)光谱的实验结果。实施例1和对比例1钙钛矿薄膜在680nm处均出现了明显的PL发射锋，实施例1含有OD修饰的钙钛矿薄膜Pl的半峰宽为40nm，相比对比例1没有OD修饰的钙钛矿薄膜的半峰宽(50nm)少10nm，说明了OD的加入使得薄膜具有光色更为集中，颜色纯度更高的作用。

图4为实施例1含有OD和对比例1没有OD的钙钛矿器件电流密度-电压-亮度测试结果。实施例1含有OD的钙钛矿器件的器件运行过程中电流密度明显小于对比例1没有OD的钙钛矿器件，说明了OD修饰后的器件电子注入过程更加顺畅。

图5为实施例1含有OD和对比例1没有OD的器件外量子效率与电流效率的结果，对比例1没有OD的钙钛矿器件的最大外量子效率(EQE)仅为2.4％，实施例1含有OD的钙钛矿器件的最大EQE则可以达到10.0％，说明了OD的加入明显提升了器件的性能，体现了该添加剂的有效性。

图6为实施例1含有OD和对比例1没有OD的器件电致发光光谱图，含有OD添加剂的器件EL峰为685nm，没有OD添加剂的器件EL峰为682nm，通过对比，加入OD添加剂后明显具有更窄的EL半峰宽，从原先没有OD添加剂的器件EL半峰宽43nm减小到38nm，充分体现了OD添加剂的加入可以获得光色更加集中的器件。

图7为实施例1含有OD和对比例1没有OD的器件在不同的工作电压下的电致发光光谱。当工作电压从3.2V增加到6V时，两者的EL锋基本都不发生偏移，这表明加入OD添加剂后并不会影响器件光谱的偏移。

图8为实施例1含有OD和对比例1没有OD的器件寿命测试结果。在10cd/m²的初始亮度条件下，记录器件的亮度下降到初始亮度值的50％所需要的时间(T₅₀)。测试发现，实施例1含有OD的钙钛矿器件T₅₀半衰期寿命可达206.7min，而对比例1没有OD的钙钛矿器件T₅₀半衰期寿命仅为33.2min，这表明引入OD添加剂可以有效提高器件运行时间。

图9为含有OD不同浓度的实施例1、实施例2、实施例3、没有OD的对比例1和含有EDBE的对比例2器件外量子效率与电流效率测试结果。实施例1的最大EQE为10.0％，实施例2的最大EQE为7.4％，实施例3的最大EQE为7.1％，对比例1的最大EQE为2.4％，对比例2的最大EQE为6.4％，通过对比说明实施例1的OD浓度是最佳的可以获得性能最好的器件，同时含有OD的器件EQE(实施例1、实施例2和实施例3)均大于没有OD(对比例1)和含有EDBE(对比例2)的器件，进一步说明了OD添加剂的有效性且优于同类添加剂。

以上内容对本发明实施例作了详细说明，但是本发明不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。此外，在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

Claims (10)

1.一种用于制备钙钛矿的组合物，其特征在于，所述组合物的制备原料包括：碘化铅、碘化铯、2-苯乙胺氢碘酸盐和2,2'-氧双(乙胺)。

2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，按摩尔比计，所述碘化铅、所述碘化铯、所述2-苯乙胺氢碘酸盐和所述2,2'-氧双(乙胺)为：1：1：0.7：0.064～0.106。

3.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，在溶液态下，所述组合物中，Pb²⁺的浓度为0.01-0.5mmol/ml。

4.一种如权利要求1～3中任一项所述的组合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在溶液态下，混合碘化铅、碘化铯、2-苯乙胺氢碘酸盐和2,2'-氧双(乙胺)并加热。

5.根据权利要求4所述的组合物的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为30～80℃。

6.一种钙钛矿薄膜，其特征在于，所述钙钛矿薄膜由权利要求1～3中任一项所述的组合物制备得到。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述钙钛矿薄膜的制备方法包括：将所述钙钛矿的组合物的前驱体溶液进行旋涂结晶后退火。

8.根据权利要求7所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述旋涂的转速为1000～5000rpm，所述旋涂的时间为30-100s。

9.一种钙钛矿发光二极管，其特征在于，包括自上而下依次叠加设置金属电极层、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和导电玻璃层，所述钙钛矿发光层为权利要求7所述的钙钛矿薄膜。

10.根据权利要求9所述的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括1,3,5-三(4-[咔唑-9-基]苯)胺。