CN119020867A - 籽晶片定量腐蚀装置及其操作方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于半导体技术领域，具体涉及处理半导体的装置，尤其涉及籽晶片定量腐蚀装置及其操作方法。本发明提供了一种籽晶片定量腐蚀装置，包括：反应筒，其内注有腐蚀剂；籽晶杆，其贯穿所述密封盘，且适于相对反应筒上下滑动；籽晶片，其设置在所述籽晶杆下端；缓冲件，其下端设置在密封盘上，且籽晶杆滑动缓冲件内部；联动件，其套设在籽晶杆外壁，且适于与缓冲件抵接；其中，籽晶杆带动联动件向下移动，至联动件与缓冲件抵接，所述缓冲件适于减缓籽晶杆下移速度；籽晶片腐蚀完成后，籽晶杆相对联动件向上移动，籽晶杆相对联动件周向转动，以甩落籽晶片底壁残留的腐蚀剂。

Description

籽晶片定量腐蚀装置及其操作方法

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及处理半导体的装置，尤其涉及籽晶片定量腐蚀装置及其操作方法。

背景技术

液相法碳化硅晶体生长时，籽晶片浸入溶液中，溶液中饱和的碳化硅析出，与籽晶片相结合，进行晶体生长，得到碳化硅晶体。籽晶片浸入溶液后，溶液对籽晶进行溶解，形成生长台阶，溶液中饱和碳化硅在台阶上生长。但是，由于溶液中各部分组分存在差异，对籽晶溶解能力不同，导致籽晶表面台阶分布不均匀，籽晶表面各位置晶体生长速度不同，影响晶体生长的均匀性，对晶体质量产生影响。

在相关技术中，在籽晶粘接之前，对籽晶进行腐蚀处理，使籽晶表面显露出可供溶液中饱和碳化硅进行生长的台阶。而籽晶片在放入腐蚀装置内进行腐蚀时，操作不当会导致籽晶片插入腐蚀溶液内时形成较大的波纹，最终影响了籽晶底壁的生长台阶的均匀性。

因此，在上述前提下如何解决籽晶片放入腐蚀溶液内的稳定性是本领域亟需解决的技术问题。

需要说明的是，本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解本申请构思的背景技术，因此，并不认为上述描述构成现有技术的信息。

发明内容

本公开实施例至少提供一种籽晶片定量腐蚀装置及其操作方法。

第一方面，本公开实施例提供了籽晶片定量腐蚀装置，包括：

反应筒，其内注有腐蚀剂；

密封盘，其升降设置在反应筒上，且适于盖合反应筒；

籽晶杆，其贯穿所述密封盘，且适于相对反应筒上下滑动；

籽晶片，其设置在所述籽晶杆下端；

缓冲件，其下端设置在密封盘上，且籽晶杆滑动缓冲件内部；

联动件，其套设在籽晶杆外壁，且适于与缓冲件抵接；

其中，籽晶杆带动联动件向下移动，至联动件与缓冲件抵接，所述缓冲件适于减缓籽晶杆下移速度；

籽晶片腐蚀完成后，籽晶杆相对联动件向上移动，籽晶杆相对联动件周向转动，以甩落籽晶片底壁残留的腐蚀剂。

在一种可选的实施方式中，所述缓冲件为柔性件，当缓冲件被联动件挤压形变时，籽晶杆外壁适于与缓冲件内壁贴合。

在一种可选的实施方式中，所述缓冲件底部靠近密封盘处开设有若干排尘孔，所述排尘孔沿密封盘径向设置。

在一种可选的实施方式中，所述联动件内壁开设有一螺旋槽；

所述籽晶杆外壁设置有与所述螺旋槽相适配的凸块，所述凸块适于在所述螺旋槽内滑动。

在一种可选的实施方式中，所述反应筒上设置有一支撑台，所述支撑台与所述密封盘互相平行；

所述支撑台上开设有一放置口，所述放置口的直径大于所述籽晶片的直径。

在一种可选的实施方式中，所述联动件的外径大于所述缓冲件的内径，联动件向下移动适于挤压所述缓冲件收缩形变。

在一种可选的实施方式中，所述缓冲件的内径略大于籽晶杆的直径，联动件挤压缓冲件收缩形变时，所述缓冲件内壁适于与所述籽晶杆外壁抵接。

在一种可选的实施方式中，所述反应筒外部套设有一加热炉，所述加热炉内壁设置有若干加热丝，所述加热丝适于加热反应筒内的腐蚀剂。

在一种可选的实施方式中，反应筒，其内注有腐蚀剂；

密封盘，其盖合在所述反应筒上端；

待腐蚀件，其贯穿所述密封盘，且适于相对反应筒上下滑动；

缓冲件，其下端设置在密封盘上，且套设在待腐蚀件外部；

联动件，其套设在待腐蚀件外壁，且设置在缓冲件上方；

其中，待腐蚀件和联动件同步向下移动，至联动件与缓冲件抵接，所述缓冲件适于减缓待腐蚀件浸入腐蚀剂内的下移速度；

腐蚀完成后，待腐蚀件相对联动件向上移动，待腐蚀件相对联动件周向转动，以甩落待腐蚀件底壁残留的腐蚀剂。

在一种可选的实施方式中，所述联动件内壁开设有一螺旋槽；

所述待腐蚀件包括：籽晶杆和籽晶片，所述籽晶片设置在籽晶片的下端；

所述籽晶杆外壁设置有与所述螺旋槽相适配的凸块，所述凸块适于在所述螺旋槽内滑动。

第二方面，本公开实施例还提了一种腐蚀设备的操作方法，所述操作方法包括：

在籽晶片腐蚀前，称重籽晶片的重量；

将NaOH、KOH和Na₂O₂，调配腐蚀剂，将调配好的腐蚀剂注入反应筒内，将腐蚀剂加热后稳定；

密封盘盖合在反应筒上，籽晶杆带动籽晶片向反应筒内移动，在籽晶片距离腐蚀剂一定距离停留一定时间，以预热籽晶片；

籽晶杆带动联动件向下移动，至联动件与缓冲件抵接，所述缓冲件适于减缓籽晶杆下移速度；

籽晶片浸泡在腐蚀剂内一定时间后，将籽晶片自腐蚀剂内取出；

籽晶片腐蚀完成后，籽晶杆相对联动件向上移动，籽晶杆相对联动件周向转动，以甩落籽晶片底壁残留的腐蚀剂；

将籽晶片从腐蚀剂中取出，放入氢氟酸以中和籽晶片表面的腐蚀剂，随后用蒸馏水冲洗籽晶片。

本发明的有益效果是，本发明的籽晶片定量腐蚀装置及其操作方法，通过缓冲件和联动件的配合，在籽晶片逐渐向反应筒内的腐蚀剂移动的过程中，缓冲件能够减缓籽晶片的下移速度，避免了籽晶片下移速度过快而导致的籽晶片冲击腐蚀剂，造成腐蚀剂表面有较大的波动而影响腐蚀剂对籽晶片的腐蚀效果。

在籽晶片自腐蚀剂内脱离后，籽晶片周向转动，能够甩飞籽晶片底壁残留的腐蚀剂，避免了籽晶片被过渡腐蚀。同时，籽晶杆在相对缓冲件上下移动的过程中，与缓冲件内壁摩擦，能够放大缓冲件内壁的破损处，以便于人工及时的发现缓冲件的磨损情况，避免了缓冲件磨损后而产生的缓冲性能降低，而导致的籽晶片下移速度和下移行程增加的情况，提高了籽晶片被腐蚀的稳定性。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，本文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开实施例提供的籽晶片定量腐蚀装置的立体图；

图2为本公开实施例提供的反应筒内部剖视图；

图3为本公开实施例提供的密封盘和缓冲件的剖视立体图；

图4为本公开实施例提供的联动件挤压缓冲件压缩形变示意图。

图中：

1、反应筒；10、支撑台；11、加热炉；

2、密封盘；

3、籽晶杆；30、凸块；

4、缓冲件；40、排尘孔；

5、联动件；50、螺旋槽；

6、籽晶片。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本文中，当提到第一部件位于第二部件上时，这可以表示第一部件可以直接形成在第二部件上，或者第三部件可以插置在第一部件和第二部件之间。此外，在附图中，为了有效描述技术内容，部件的厚度可以被夸大或缩小。

在本文中，将参照附图更详细地描述本公开的示例实施方式。如这里所使用的，诸如“……中的至少一个”的表述当在一列元件之后时修饰整列元件，而不是修饰列表中的个别元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个”应当被理解为包括仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、或a、b和c中的全部。

本文使用的术语仅用于描述特定的示例性配置，无意进行限制。如这里所使用的，单数冠词“一”、“一个”和“该”也可以旨在包括复数形式，除非上本文清楚地表明不是这样。术语“包括”、“包含”和“具有”是包含性的，因此指定特征、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。本文描述的方法步骤、过程和操作不应被解释为必须要求它们以所讨论或示出的特定顺序来执行，除非被具体标识为执行顺序。可以采用额外的或替代的步骤。

如本文所使用的，短语“在一个实施例中”、“根据一个实施例”、“在一些实施例中”等通常指的是该短语之后的特定特征、结构或特性可以被包括在本公开的至少一个实施例中的事实。因此，特定的特征、结构或特性可以被包括在本公开的多于一个实施例中，使得这些短语不一定指同一个实施例。如本文所使用的，术语“示例”、“示例性的”等用于“用作示例、实例或说明。本文中描述为“示例”或“示例性”的任何实施方式、方面或设计不一定被解释为优选或优于其他实施方式、方面或设计。相反，术语“示例”、“示例性”等的使用旨在以具体的方式呈现概念。

经研究发现，现有技术的缺点：在籽晶粘接之前，对籽晶进行腐蚀处理，使籽晶表面显露出可供溶液中饱和碳化硅进行生长的台阶。而籽晶片在放入腐蚀装置内进行腐蚀时，操作不当会导致籽晶片插入腐蚀溶液内时形成较大的波纹，即籽晶片插入腐蚀剂内的速度过快，会导致腐蚀剂表面产生较大的波纹和震荡，腐蚀剂较大的波纹和震动会影响对籽晶片的腐蚀效果；而且，籽晶片向下移动的行程增大，也会影响腐蚀效果，最终影响了籽晶底壁的生长台阶的均匀性。

因此，如何解决籽晶片放入腐蚀溶液内的稳定性是本领域亟需解决的技术问题。

针对以上方案所存在的缺陷，均是发明人在经过实践并仔细研究后得出的结果，因此，上述问题的发现过程以及本文中本公开针对上述问题所提出的解决方案，都应该是发明人在本公开过程中对本公开做出的贡献。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

下面结合附图，对本发明的一些实施例作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

如图1至图4所示，一些实施例提供了籽晶片6定量腐蚀装置，包括：反应筒1，其内注有腐蚀剂；籽晶片6浸泡在腐蚀剂内后，所述腐蚀剂适于将籽晶片6底壁腐蚀成适于饱和碳化硅进行生长的台阶。密封盘2，其升降设置在反应筒1上，且适于盖合反应筒1；在籽晶片6称重结束后，密封盘2盖合在反应筒1上，一方面防止反应筒1内的热量的散失和腐蚀剂向外挥发，同时，也有利于人工操作籽晶杆3上下移动。籽晶杆3，其贯穿所述密封盘2，且适于相对反应筒1上下滑动；籽晶杆3设置在密封盘2的圆心处。籽晶片6，其设置在所述籽晶杆3下端；在对籽晶片6进行腐蚀前，需要对籽晶片6进行称重，腐蚀完成后，需要再次对籽晶片6称重，籽晶片6腐蚀后，其重量减小在2±0.2g之间；通过腐蚀前后重量的变化，能够初步判断籽晶片6的腐蚀效果是否合格。缓冲件4，其下端设置在密封盘2上，且籽晶杆3滑动缓冲件4内部；联动件5，其套设在籽晶杆3外壁，且适于与缓冲件4抵接；其中，籽晶杆3带动联动件5向下移动，至联动件5与缓冲件4抵接，所述缓冲件4适于减缓籽晶杆3下移速度；联动件5在向下移动时，适于挤压所述缓冲件4收缩形变，缓冲件4在形变的过程中，减缓籽晶杆3的下降速度，同时，缓冲件4在收缩形变的过程中，内部空气逐渐被压缩，以使籽晶杆3外壁掉落在缓冲件4内的灰尘通过排尘孔40向外排出。籽晶片6腐蚀完成后，籽晶杆3相对联动件5向上移动，籽晶杆3相对联动件5周向转动，以甩落籽晶片6底壁残留的腐蚀剂。通过缓冲件4和联动件5的配合，在籽晶片6逐渐向反应筒1内的腐蚀剂移动的过程中，缓冲件4能够减缓籽晶片6的下移速度，避免了籽晶片6下移速度过快而导致的籽晶片6冲击腐蚀剂，造成腐蚀剂表面有较大的波动而影响腐蚀剂对籽晶片6的腐蚀效果。

在籽晶片6自腐蚀剂内脱离后，籽晶片6周向转动，能够甩飞籽晶片6底壁残留的腐蚀剂，避免了籽晶片6被过渡腐蚀。同时，籽晶杆3在相对缓冲件4上下移动的过程中，与缓冲件4内壁摩擦，能够放大缓冲件4内壁的破损处，以便于人工及时的发现缓冲件4的磨损情况，避免了缓冲件4磨损后而产生的缓冲性能降低，而导致的籽晶片6下移速度和下移行程增加的情况，提高了籽晶片6被腐蚀的稳定性。

参考附图4，所述缓冲件4为柔性件，当缓冲件4被联动件5挤压形变时，籽晶杆3外壁适于与缓冲件4内壁贴合。所述缓冲件4底部靠近密封盘2处开设有若干排尘孔40，所述排尘孔40沿密封盘2径向设置。联动件5向下移动时，联动件5挤压缓冲件4收缩形变，缓冲件4在收缩形变时，其内壁与籽晶杆3的外壁抵接，籽晶杆3外壁与缓冲件4内壁摩擦，缓冲件4会清理籽晶杆3外壁的灰尘，同时，在缓冲件4被挤压收缩形变的过程中，灰尘通过排尘孔40向外排出；在籽晶杆3相对与缓冲件4转动时，会加快缓冲件4的磨损，因此，当籽晶杆3自缓冲件4内脱离后，缓冲件4因多次使用的老化，会因为籽晶杆3的转动的摩擦，而导致产生的裂痕增大，从而有助于人工早一些发现缓冲件4的老化，也可以提醒操作人员及时更换缓冲件4。

而当缓冲件4老化未被及时发现时，籽晶杆3和联动件5同步向下移动时，由于缓冲件4的老化，其对联动件5的缓冲效果减小，因此，会导致籽晶片6的下降速度会大于正常的下降速度，籽晶片6与腐蚀剂接触时，会产生较大的波动和液面波纹；同时，籽晶片6浸入腐蚀剂内的行程也大于正常的行程，导致籽晶片6会被过渡腐蚀。

参考附图2，所述联动件5内壁开设有一螺旋槽50；所述籽晶杆3外壁设置有与所述螺旋槽50相适配的凸块30，所述凸块30适于在所述螺旋槽50内滑动。籽晶杆3相对联动件5向上移动时，所述凸块30适于在螺旋槽50内滑动，以使籽晶杆3相对联动件5周向转动。

进一步的，所述反应筒1上设置有一支撑台10，所述支撑台10与所述密封盘2互相平行；所述支撑台10上开设有一放置口，所述放置口的直径大于所述籽晶片6的直径。支撑台10的设置，适于限位所述密封盘2，以提高籽晶杆3在向下移动时的稳定性。

为了能够挤压缓冲件4收缩形变，所述联动件5的外径大于所述缓冲件4的内径，联动件5向下移动适于挤压所述缓冲件4收缩形变。缓冲件4被压缩形变时，其内壁适于与籽晶杆3的外壁贴合，籽晶杆3相对缓冲件4周向转动时，籽晶杆3与缓冲件4的内壁的摩擦力增大，从而能够放大缓冲件4内壁细小的开裂缝隙，以便于人工观察缓冲件4是否出现老化而产生的裂缝。

所述缓冲件4的内径略大于籽晶杆3的直径，联动件5挤压缓冲件4收缩形变时，所述缓冲件4内壁适于与所述籽晶杆3外壁抵接。

参考附图1，所述反应筒1外部套设有一加热炉11，所述加热炉11内壁设置有若干加热丝，所述加热丝适于加热反应筒1内的腐蚀剂。

一些实施例提供了一种籽晶片6定量腐蚀装置，包括：

反应筒1，其内注有腐蚀剂；

密封盘2，其盖合在所述反应筒1上端；

待腐蚀件，其贯穿所述密封盘2，且适于相对反应筒1上下滑动；

缓冲件4，其下端设置在密封盘2上，且套设在待腐蚀件外部；

联动件5，其套设在待腐蚀件外壁，且设置在缓冲件4上方；

其中，待腐蚀件和联动件5同步向下移动，至联动件5与缓冲件4抵接，所述缓冲件4适于减缓待腐蚀件浸入腐蚀剂内的下移速度；

腐蚀完成后，待腐蚀件相对联动件5向上移动，待腐蚀件相对联动件5周向转动，以甩落待腐蚀件底壁残留的腐蚀剂。

所述联动件5内壁开设有一螺旋槽50；

所述待腐蚀件包括：籽晶杆3和籽晶片6，所述籽晶片6设置在籽晶片6的下端；

所述籽晶杆3外壁设置有与所述螺旋槽50相适配的凸块30，所述凸块30适于在所述螺旋槽50内滑动。

一些实施例提供了一种腐蚀设备的操作方法，所述操作方法包括：

在籽晶片6腐蚀前，称重籽晶片6的重量；

将NaOH、KOH和Na₂O₂，以质量比10:10:1调配腐蚀剂，将调配好的腐蚀剂注入反应筒1内，将腐蚀剂加热至500℃，稳定30min；

密封盘2盖合在反应筒1上，籽晶杆3带动籽晶片6向反应筒1内移动，在籽晶片6距离腐蚀剂1cm处停留10min，以预热籽晶片6；

籽晶杆3带动联动件5向下移动，至联动件5与缓冲件4抵接，所述缓冲件4适于减缓籽晶杆3下移速度；

籽晶片6浸泡在腐蚀剂内15min，将籽晶片6自腐蚀剂内取出；

籽晶片6腐蚀完成后，籽晶杆3相对联动件5向上移动，籽晶杆3相对联动件5周向转动，以甩落籽晶片6底壁残留的腐蚀剂；

将籽晶片6从腐蚀剂中取出，放入氢氟酸中，中和籽晶片6表面的腐蚀剂，随后用蒸馏水冲洗籽晶片6。

在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语诸如“第一”、“第二”和其他数字术语在本文中使用时并不暗示顺序或次序，除非上本文明确地指示。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，以上讨论的第一元件、部件、区域、层或区段可以被称为第二元件、部件、区域、层或区段。

以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (11)

1.一种籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，包括：

反应筒（1），其内注有腐蚀剂；

密封盘（2），其升降设置在反应筒（1）上，且适于盖合反应筒（1）；

籽晶杆（3），其贯穿所述密封盘（2），且适于相对反应筒（1）上下滑动；

籽晶片，其设置在所述籽晶杆（3）的下端；

缓冲件（4），其下端设置在密封盘（2）上，且籽晶杆（3）滑动缓冲件（4）内部；

联动件（5），其套设在籽晶杆（3）外壁，且适于与缓冲件（4）抵接；

其中，籽晶杆（3）带动联动件（5）向下移动，至联动件（5）与缓冲件（4）抵接，所述缓冲件（4）适于减缓籽晶杆（3）下移速度；

籽晶片腐蚀完成后，籽晶杆（3）相对联动件（5）向上移动，籽晶杆（3）相对联动件（5）周向转动，以甩落籽晶片底壁残留的腐蚀剂。

2.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，

所述缓冲件（4）为柔性件，当缓冲件（4）被联动件（5）挤压形变时，籽晶杆（3）外壁适于与缓冲件（4）内壁贴合。

3.如权利要求2所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，

所述缓冲件（4）底部靠近密封盘（2）处开设有若干排尘孔（40），所述排尘孔（40）沿密封盘（2）径向设置。

4.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，

所述联动件（5）内壁开设有一螺旋槽（50）；

所述籽晶杆（3）外壁设置有与所述螺旋槽（50）相适配的凸块（30），所述凸块（30）适于在所述螺旋槽（50）内滑动。

5.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，

所述反应筒（1）上设置有一支撑台（10），所述支撑台（10）与所述密封盘（2）互相平行；

所述支撑台（10）上开设有一放置口，所述放置口的直径大于所述籽晶片的直径。

6.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，

所述联动件（5）的外径大于所述缓冲件（4）的内径，联动件（5）向下移动适于挤压所述缓冲件（4）收缩形变。

7.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，

所述缓冲件（4）的内径略大于籽晶杆（3）的直径，联动件（5）挤压缓冲件（4）收缩形变时，所述缓冲件（4）内壁适于与所述籽晶杆（3）外壁抵接。

8.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，

所述反应筒（1）外部套设有一加热炉（11），所述加热炉（11）内壁设置有若干加热丝，所述加热丝适于加热反应筒（1）内的腐蚀剂。

9.一种籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，

反应筒（1），其内注有腐蚀剂；

密封盘（2），其盖合在所述反应筒（1）上端；

待腐蚀件，其贯穿所述密封盘（2），且适于相对反应筒（1）上下滑动；

缓冲件（4），其下端设置在密封盘（2）上，且套设在待腐蚀件外部；

联动件（5），其套设在待腐蚀件外壁，且设置在缓冲件（4）上方；

其中，待腐蚀件和联动件（5）同步向下移动，至联动件（5）与缓冲件（4）抵接，所述缓冲件（4）适于减缓待腐蚀件浸入腐蚀剂内的下移速度；

腐蚀完成后，待腐蚀件相对联动件（5）向上移动，待腐蚀件相对联动件（5）周向转动，以甩落待腐蚀件底壁残留的腐蚀剂。

10.如权利要求9所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，

所述联动件（5）内壁开设有一螺旋槽（50）；

所述待腐蚀件包括：籽晶杆（3）和籽晶片，所述籽晶片设置在籽晶片的下端；

所述籽晶杆（3）外壁设置有与所述螺旋槽（50）相适配的凸块（30），所述凸块（30）适于在所述螺旋槽（50）内滑动。

11.一种腐蚀设备的操作方法，其特征在于，采用如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，所述操作方法包括：

在籽晶片腐蚀前，称重籽晶片的重量；

将NaOH、KOH和Na₂O₂，以质量比调配成腐蚀剂，将调配好的腐蚀剂注入反应筒（1）内，将腐蚀剂加热后稳定；

密封盘（2）盖合在反应筒（1）上，籽晶杆（3）带动籽晶片向反应筒（1）内移动，在籽晶片距离腐蚀剂一定距离后处停留一定时间，以预热籽晶片；

籽晶杆（3）带动联动件（5）向下移动，至联动件（5）与缓冲件（4）抵接，所述缓冲件（4）适于减缓籽晶杆（3）下移速度；

籽晶片浸泡在腐蚀剂内一定时间后，将籽晶片自腐蚀剂内取出；

籽晶片腐蚀完成后，籽晶杆（3）相对联动件（5）向上移动，籽晶杆（3）相对联动件（5）周向转动，以甩落籽晶片底壁残留的腐蚀剂；

将籽晶片从腐蚀剂中取出，放入氢氟酸以中和籽晶片表面的腐蚀剂，随后用蒸馏水冲洗籽晶片。