[go: up one dir, main page]

CN119020745B - 一种稀土靶材及其制备方法 - Google Patents

一种稀土靶材及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN119020745B
CN119020745B CN202411514526.1A CN202411514526A CN119020745B CN 119020745 B CN119020745 B CN 119020745B CN 202411514526 A CN202411514526 A CN 202411514526A CN 119020745 B CN119020745 B CN 119020745B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cerium
target material
ingot
heat treatment
furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202411514526.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN119020745A (zh
Inventor
王强
吕志嘉
白娟
王政
刘雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Inner Mongolia Academy Of Science And Technology
Original Assignee
Inner Mongolia Academy Of Science And Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inner Mongolia Academy Of Science And Technology filed Critical Inner Mongolia Academy Of Science And Technology
Priority to CN202411514526.1A priority Critical patent/CN119020745B/zh
Publication of CN119020745A publication Critical patent/CN119020745A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN119020745B publication Critical patent/CN119020745B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22DCASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D7/00Casting ingots, e.g. from ferrous metals
    • B22D7/005Casting ingots, e.g. from ferrous metals from non-ferrous metals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23PMETAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
    • B23P15/00Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B59/00Obtaining rare earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B9/00General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
    • C22B9/16Remelting metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/002Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working by rapid cooling or quenching; cooling agents used therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/02Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working in inert or controlled atmosphere or vacuum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/16Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of other metals or alloys based thereon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20Recycling

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及一种稀土靶材及其制备方法,提供了一种能在空气中具有长寿命稳定性的稀土铈靶材,其采用高纯金属铈原料,利用水冷坩埚悬浮熔炼法将其熔炼成金属熔液;之后进行下拉铸锭,得到金属铈铸锭,对得到的金属铈铸锭进行轧制以及裁剪加工并进行热处理;热处理冷却后再对铈靶材进行氢等离子处理,通过在靶材表面进行特定的氢等离子体处理,得到了铈含量≥99.99wt%,致密度>98%,氧含量<500ppm的高质量铈靶材,有效提高了铈靶材的抗氧化性,且并未引入其他杂质成分,其靶材无需预处理可直接用于溅射镀膜,使用方便且可大规模产业化生产,成本较低,具有良好的抗氧化性和储存稳定性,可实现大规模产业化生产。

Description

一种稀土靶材及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种稀土靶材及其制备方法,属于金属靶材技术领域,具体涉及一种稀土铈靶材。
背景技术
PVD技术是半导体芯片制造业、太阳能行业、LCD制造业等多种行业的核心技术,主要方法有真空蒸镀、电弧等离子体镀、离子镀膜、分子束外延和溅射镀膜等。溅射是制备薄膜材料或引入产物某一成分的主要方式之一,其中所用基材被称为靶材,根据材料的种类,靶材包括金属及合金靶材、无机非金属靶材和复合靶材。同时稀土是我国的重要战略资源,在国家战略性新兴产业中发挥着至关重要的作用,稀土由于其特殊的光、电、磁及超导等特性,广泛应用于新材料、钢铁和有色金属制品,特别是在航天工业、军用装备、家用电器、新能源、核工业等领域的发展中发挥着不可或缺的作用,将稀土元素制备成靶材以溅射形式进行材料复合、改性或功能层制备是较为常用的稀土材料利用方式。
金属铈是重要的稀土元素,也是储量最丰富的稀土元素,具有独特的物理和化学性质,常用作还原剂、催化剂以及合金添加剂,在现代工业中具有重要而广泛的用途。使用铈靶材磁控溅射制备金属铈也是常用的制备金属铈薄膜或合金材料的方法,但金属铈化学性质非常活泼,在空气中易发生氧化,在潮湿环境下易发生腐蚀,同时高温下铈可与大部分金属和非金属作用,使得铈靶材在放置过程中易于引入氧杂质被氧化,导致镀层变化,纯度降低,这严重限制了金属铈靶材的推广和应用。目前通常采用在金属铈表面制备镀层来提高靶材的耐氧化性能,如CN106835015A公开了一种对金属铈表面进行改性的方法,利用双离子束溅射沉积系统,在打磨抛光的金属铈表面首先进行氩离子溅射清洗,然后进行氮化反应溅射处理生成氮化铈镀层,最后再溅射生成氮化钛陶瓷镀层,最终在铈表面形成氮化铈和氮化钛复合的双层镀层,使得金属铈抗老化腐蚀性能明显增强。但表面保护镀层不可避免地会引入杂质,对靶材使用十分不利,此外也有人将铈靶放置在煤油中隔绝空气保存,但也无法避免取用中表面氧化引起的溅射镀膜出现杂质,虽然在使用铈靶镀膜之前先进行表面溅射处理可以提高产物的纯度,但这也无形中增加了工序并导致了原料靶材的浪费。基于此有必要提供一种清洁、无氧化膜层且能在空气中保持一定抗氧化稳定性的金属铈靶材,以便减少铈靶材存储时的氧化,提高靶材储存稳定性并获得纯度较高的铈镀层。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足,提供一种金属铈靶材及靶材制备方法,通过对成型后的靶材进行氢等离子处理,有效提高了铈靶材的抗氧化性,且并未引入其他杂质成分,靶材无需预处理可直接用于溅射镀膜,使用方便且可大规模产业化生产,成本较低,进一步扩大其应用范围。
为了解决现有技术中的缺陷,本发明提供了一种稀土靶材的制备方法,所述稀土为铈,包括如下步骤:
(1)称取一定质量的高纯金属铈;所述金属铈中铈的含量≥99.99wt%,所述金属铈原料可为铈板、铈丝、铈箔、金属铈颗粒、铈块或铈棒材。
(2)采用水冷坩埚悬浮熔炼方法将称取的金属铈熔炼成铈熔液。
(3)对所述铈熔液进行下拉铸锭,得到金属铈铸锭,对得到的金属铈铸锭进行轧制以及裁剪加工;所述裁剪后的铈靶材为圆形,直径为5~100mm。
(4)对裁剪加工后的金属铈铸锭进行热处理;热处理可以提高靶材的致密度,避免熔融铸造法本身获得的靶材因致密度较小、内部孔隙较多且存在气体导致溅射镀膜时靶材内部孔隙内存在的气体突然释放造成大尺寸的靶材颗粒或微粒飞溅,从而影响靶材质量或降低溅射薄膜品质。
(5)对热处理冷却后的铈靶材进行氢等离子处理。
进一步的,步骤(2)熔炼前先在水冷坩埚中反复熔炼同成分的原料,以便清洗坩埚;所述熔炼过程中通氩气以避免氧化,悬浮熔炼炉内的压力高于大气压力300~500Pa。
进一步的,步骤(3)中下拉铸锭具体为:将盛有铈熔液的水冷坩埚以0.1~1mm/min的速度下拉,在下拉过程中铈熔液逐渐冷却凝固的同时对铈熔液进行超声处理以细化晶粒,从而得到铈铸锭;其中超声波的频率为20kHz~40kHz,超声仪的功率为20kW~40kW。
进一步的,步骤(3)中轧制以及裁剪加工具体为:金属铈铸锭降至室温后放入真空热处理炉中,抽真空至1×10-1Pa~1×10-4Pa后,升温到330℃~400℃保温2~3h,随炉冷却;采用二辊轧机进行冷轧至所需厚度,得到冷轧产物;将冷轧产物裁剪为所需靶材尺寸。
进一步的,步骤(4)中热处理为在氩气气氛下依次进行淬火、回火的方式进行,具体为:将裁剪加工后的金属铈铸锭置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-1Pa~1×10-4Pa后升温到400℃~500℃后立即放入冷却油中冷却,之后再置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-1Pa~1×102Pa后升温到100℃~150℃保温1~3h。回火也可采用梯度保温,如100℃保温1~2h,150℃保温1~2h,采用分段梯度保温方式,可以促进靶材内部孔隙连通并缩小,提高靶材的致密度。对于升温速度无特殊要求,作为优选可为20~50℃/min。
进一步的,步骤(5)中氢等离子处理为具体为:将热处理冷却后的铈靶材置于真空热处理炉,抽真空至1×10-1Pa~1×102Pa后按流量比2~10:1通入氩气、氢气;加热至300~500℃,调节气体流量,使真空热处理炉内气压保持在500~1000Pa,开启射频电源,功率200W使真空热处理炉内气体电离产生等离子体,处理0.5~1h后冷却取出。氢气气体流速可为100~500sccm。
进一步的,所述稀土靶材的制备方法包括如下步骤:将纯度为99.99wt%的块状铈放入悬浮熔炼炉的水冷坩埚内,在氩气气氛下反复熔炼3次后倒出,向水冷坩埚内加入纯度为99.99wt%的块状铈,在氩气气氛下进行熔炼,控制悬浮熔炼炉内的压力高于大气压力400Pa,直至将块状铈熔炼成铈熔液;将盛有铈熔液的水冷坩埚以0.1~1mm/min的速度下拉,在下拉过程中铈熔液逐渐冷却凝固的同时对铈熔液进行超声处理以细化晶粒,得到铈铸锭;其中超声波的频率为30kHz,超声仪的功率为30kW;铈铸锭降至室温后放入真空热处理炉中,抽真空至1×10-4Pa后,升温到400℃保温2h,随炉冷却;采用二辊轧机进行冷轧至5mm,得到冷轧产物;将冷轧产物裁剪为直径为5cm的圆片;将圆片铈靶材置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-4Pa后升温到500℃后立即放入冷却油中冷却,之后再置于真空热处理炉中,抽真空至1×102Pa后升温到150℃保温1h;继续抽真空至1×10-1Pa后按流量比10:1通入氩气、氢气;加热至450℃,调节气体流量,使真空热处理炉内气压为1000Pa,开启射频电源,功率200W使真空热处理炉内气体电离产生等离子体,处理1h后冷却取出。
本发明的另一个目的在于提供一种稀土铈靶材,所述靶材成型后表面进行氢等离子处理,所述氢等离子处理为在一定真空度下利用射频电源电离产生活性氢等离子体,将该活性氢等离子体作用于铈靶材表面及表面附近区域,一方面等离子体中的活性成分可以与金属铈表面的氧化物发生还原反应,生成水蒸气,可有效去除靶材表层杂质氧;另一方面部分活性离子会吸附在铈靶材表面并在靠近外表面的区域形成还原态层,进一步保护金属免受氧化,提高了靶材的储存稳定性。该氢等离子处理具体为:将成型后的铈靶材置于真空热处理炉,抽真空至1×10-1Pa~1×102Pa后按流量比2~10:1通入氩气、氢气;加热至300~500℃,调节气体流量,使真空热处理炉内气压保持在500~1000Pa,开启射频电源,功率200W使真空热处理炉内气体电离产生等离子体,处理0.5~1h后冷却。
进一步的,所述稀土靶材的厚度为1~10mm。
进一步的,所述靶材中铈的含量≥99.99wt%,靶材的致密度>98%,靶材中的氧含量<500ppm,稀土靶材的晶粒平均尺寸≤100μm。
本发明与现有技术相比,具有如下有益效果:
1、本发明制备得到的稀土铈靶材中铈的含量≥99.99wt%,靶材的致密度>98%,靶材中的氧含量<500ppm,稀土靶材的晶粒平均尺寸≤100μm,具有较高的纯度以及较大范围内尺寸分布,本发明对铈靶材进行的特殊处理有助于减少靶材内部氧等杂质含量,提高靶材的整体纯度;同时也能在铈靶材表面区域形成还原态层,可作为外部氧向靶材内部扩散的阻挡层,防止金属铈长时间暴露于氧化环境中时氧化,靶材本身具有长期的抗氧化性。
2、本发明制备过程简单,未引入其他杂质,靶材致密度高,内部孔隙较少,靶材纯度高,无需预处理可直接用于溅射镀膜,使用方便且可大规模产业化生产,成本较低,溅射成膜较好,有较好的市场前景。
附图说明
图1为实施例1制备得到的铈靶材的SEM图。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚,下面将对本发明实施方式的技术方案作进一步的详细描述,显然,所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
下述实施例中的实验方法,如无特殊说明,均为常规方法。下述实施例中所用的材料、试剂等,如无特殊说明,均可从商业途径得到。
实施例1
一种铈靶材制备方法,所述铈靶材制备方法包括如下步骤:将纯度为99.99wt%的块状铈放入悬浮熔炼炉的水冷坩埚内,在氩气气氛下反复熔炼4次后倒出,向水冷坩埚内加入纯度为99.99wt%的块状铈,在氩气气氛下进行熔炼,控制悬浮熔炼炉内的压力高于大气压力300Pa,直至将块状铈熔炼成铈熔液;将盛有铈熔液的水冷坩埚以0.1mm/min的速度下拉,在下拉过程中铈熔液逐渐冷却凝固的同时对铈熔液进行超声处理以细化晶粒,得到铈铸锭;其中超声波的频率为20kHz,超声仪的功率为20kW;铈铸锭降至室温后放入真空热处理炉中,抽真空至1×10-1Pa后,升温到330℃保温2h,随炉冷却;采用二辊轧机进行冷轧至厚度1mm,得到冷轧产物;将冷轧产物裁剪为直径为10mm的圆片;将圆片铈靶材置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-1Pa后升温到400℃后立即放入冷却油中冷却,之后再置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-1Pa后升温到100℃保温1h;维持真空度至1×10-1Pa后按流量比2:1通入氩气、氢气,氢气气体流速为100sccm;加热至300℃,调节气体流量,使真空热处理炉内气压保持500Pa,开启射频电源,功率200W使真空热处理炉内气体电离产生等离子体,处理0.5h后冷却取出。
经检测,该靶材铈含量为99.99wt%,平均氧含量为350ppm,密度为6.74g/cm3,平均致密度为99.85%。从图1中的SEM测试图可以看出该靶材表面较平整,颗粒大小均匀致密。
实施例2
一种铈靶材制备方法,所述铈靶材制备方法包括如下步骤:将纯度为99.993wt%的块状铈放入悬浮熔炼炉的水冷坩埚内,在氩气气氛下反复熔炼2次后倒出,向水冷坩埚内加入纯度为99.993wt%的块状铈,在氩气气氛下进行熔炼,控制悬浮熔炼炉内的压力高于大气压力500Pa,直至将块状铈熔炼成铈熔液;将盛有铈熔液的水冷坩埚以1mm/min的速度下拉,在下拉过程中铈熔液逐渐冷却凝固的同时对铈熔液进行超声处理以细化晶粒,得到铈铸锭;其中超声波的频率为40kHz,超声仪的功率为40kW;铈铸锭降至室温后放入真空热处理炉中,抽真空至1×10-4Pa后,升温到400℃保温3h,随炉冷却;采用二辊轧机进行冷轧至厚度10mm,得到冷轧产物;将冷轧产物裁剪为直径为50mm的圆片;将圆片铈靶材置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-4Pa后升温到500℃后立即放入冷却油中冷却,之后再置于真空热处理炉中,抽真空至1×102Pa后升温到150℃保温3h;维持真空度至1×102Pa后按流量比2:1通入氩气、氢气,氢气气体流速为500sccm;加热至500℃,调节气体流量,使真空热处理炉内气压保持1000Pa,开启射频电源,功率200W使真空热处理炉内气体电离产生等离子体,处理1h后冷却取出。
经检测,该靶材铈含量为99.993wt%,平均氧含量为180ppm,密度为6.748g/cm3,平均致密度为99.93%。
实施例3
一种铈靶材制备方法,所述铈靶材制备方法包括如下步骤:将纯度为99.995wt%的铈丝放入悬浮熔炼炉的水冷坩埚内,在氩气气氛下反复熔炼3次后倒出,向水冷坩埚内加入纯度为99.995wt%的铈丝,在氩气气氛下进行熔炼,控制悬浮熔炼炉内的压力高于大气压力400Pa,直至将铈丝熔炼成铈熔液;将盛有铈熔液的水冷坩埚以0.5mm/min的速度下拉,在下拉过程中铈熔液逐渐冷却凝固的同时对铈熔液进行超声处理以细化晶粒,得到铈铸锭;其中超声波的频率为30kHz,超声仪的功率为30kW;铈铸锭降至室温后放入真空热处理炉中,抽真空至1×10-3Pa后,升温到350℃保温2.5h,随炉冷却;采用二辊轧机进行冷轧至厚度5mm,得到冷轧产物;将冷轧产物裁剪为直径为20mm的圆片;将圆片铈靶材置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-2Pa后升温到450℃后立即放入冷却油中冷却,之后再置于真空热处理炉中,抽真空至1×101Pa后升温到150℃保温2h;继续抽真空至1Pa后按流量比5:1通入氩气、氢气,氢气气体流速为300sccm;加热至500℃,调节气体流量,使真空热处理炉内气压保持700Pa,开启射频电源,功率200W使真空热处理炉内气体电离产生等离子体,处理0.5h后冷却取出。
经检测,该靶材铈含量为99.995wt%,平均氧含量为230ppm,密度为6.743g/cm3,平均致密度为99.89%。
实施例4
一种铈靶材制备方法,所述铈靶材制备方法包括如下步骤:将纯度为99.99wt%的铈颗粒放入悬浮熔炼炉的水冷坩埚内,在氩气气氛下反复熔炼3次后倒出,向水冷坩埚内加入纯度为99.99wt%的铈颗粒,在氩气气氛下进行熔炼,控制悬浮熔炼炉内的压力高于大气压力400Pa,直至将铈颗粒熔炼成铈熔液;将盛有铈熔液的水冷坩埚以0.5mm/min的速度下拉,在下拉过程中铈熔液逐渐冷却凝固的同时对铈熔液进行超声处理以细化晶粒,得到铈铸锭;其中超声波的频率为30kHz,超声仪的功率为30kW;铈铸锭降至室温后放入真空热处理炉中,抽真空至1×10-4Pa后,升温到350℃保温2.5h,随炉冷却;采用二辊轧机进行冷轧至厚度5mm,得到冷轧产物;将冷轧产物裁剪为直径为20mm的圆片;将圆片铈靶材置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-4Pa后升温到500℃后立即放入冷却油中冷却,之后再置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-1Pa后升温到100℃保温2h,再升温到150℃保温1h;继续抽真空至1Pa后按流量比10:1通入氩气、氢气,氢气气体流速为500sccm;加热至500℃,调节气体流量,使真空热处理炉内气压保持1000Pa,开启射频电源,功率200W使真空热处理炉内气体电离产生等离子体,处理0.5h后冷却取出。
经检测,该靶材铈含量为99.99wt%,平均氧含量为200ppm,密度为6.745g/cm3,平均致密度为99.94%。
对比例1
一种铈靶材制备方法,所述铈靶材制备方法包括如下步骤:将纯度为99wt%的块状铈放入悬浮熔炼炉的水冷坩埚内,在氩气气氛下进行熔炼,控制悬浮熔炼炉内的压力高于大气压力400Pa,直至将块状铈熔炼成铈熔液;将水冷坩埚中的铈熔液直接浇铸成型,随炉冷却室温形成铈铸锭;采用二辊轧机进行冷轧至厚度5mm,得到冷轧产物;将冷轧产物裁剪为直径为20mm的圆片,即为铈靶材。
经检测,该靶材铈含量为99wt%,平均氧含量为620ppm,密度为6.724g/cm3,平均致密度为98.64%。
对比例2
一种铈靶材制备方法,所述铈靶材制备方法包括如下步骤:将纯度为99.99wt%的铈丝放入悬浮熔炼炉的水冷坩埚内,在氩气气氛下反复熔炼3次后倒出,向水冷坩埚内加入纯度为99.99wt%的铈丝,在氩气气氛下进行熔炼,控制悬浮熔炼炉内的压力高于大气压力400Pa,直至将铈丝熔炼成铈熔液;将盛有铈熔液的水冷坩埚以2mm/min的速度下拉,在下拉过程中铈熔液逐渐冷却凝固得到铈铸锭;铈铸锭降至室温后放入真空热处理炉中,抽真空至1×10-3Pa后,升温到350℃保温2.5h,随炉冷却;采用二辊轧机进行冷轧至厚度5mm,得到冷轧产物;将冷轧产物裁剪为直径为20mm的圆片;将圆片铈靶材置于真空热处理炉中,抽真空至1×101Pa后升温到150℃保温2h得到铈靶材。
经检测,该靶材铈含量为99.99wt%,平均氧含量为540ppm,密度为6.73g/cm3,平均致密度为99.1%。
对比例3
一种铈靶材制备方法,所述铈靶材制备方法包括如下步骤:将纯度为99.99wt%的铈丝放入悬浮熔炼炉的水冷坩埚内,在氩气气氛下反复熔炼3次后倒出,向水冷坩埚内加入纯度为99.99wt%的铈丝,在氩气气氛下进行熔炼,控制悬浮熔炼炉内的压力高于大气压力400Pa,直至将铈丝熔炼成铈熔液;将盛有铈熔液的水冷坩埚以0.5mm/min的速度下拉,在下拉过程中铈熔液逐渐冷却凝固的同时对铈熔液进行超声处理以细化晶粒,得到铈铸锭;其中超声波的频率为30kHz,超声仪的功率为30kW;铈铸锭降至室温后放入真空热处理炉中,抽真空至1×10-3Pa后,升温到350℃保温2.5h,随炉冷却;采用二辊轧机进行冷轧至厚度5mm,得到冷轧产物;将冷轧产物裁剪为直径为20mm的圆片;将圆片铈靶材置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-2Pa后升温到550℃后立即放入冷却油中冷却,之后再置于真空热处理炉中,抽真空至1×101Pa后升温到250℃保温2h;继续抽真空至1Pa后以300sccm流量通入氩气;加热至500℃,调节气体流量,使真空热处理炉内气压保持700Pa,开启射频电源,功率200W使真空热处理炉内气体电离产生等离子体,处理0.5h后冷却取出。
经检测,该靶材铈含量为99.99wt%,平均氧含量为510ppm,密度为6.74g/cm3,平均致密度为99.82%。
对比例4
一种铈靶材制备方法,所述铈靶材制备方法包括如下步骤:将纯度为99.995wt%的铈丝放入悬浮熔炼炉的水冷坩埚内,在氩气气氛下反复熔炼3次后倒出,向水冷坩埚内加入纯度为99.995wt%的铈丝,在氩气气氛下进行熔炼,控制悬浮熔炼炉内的压力高于大气压力400Pa,直至将铈丝熔炼成铈熔液;将盛有铈熔液的水冷坩埚以0.5mm/min的速度下拉,在下拉过程中铈熔液逐渐冷却凝固的同时对铈熔液进行超声处理以细化晶粒,得到铈铸锭;其中超声波的频率为30kHz,超声仪的功率为30kW;铈铸锭降至室温后放入真空热处理炉中,抽真空至1×10-3Pa后,升温到350℃保温2.5h,随炉冷却;采用二辊轧机进行冷轧至厚度5mm,得到冷轧产物;将冷轧产物裁剪为直径为20mm的圆片;将圆片铈靶材置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-2Pa后升温到450℃后立即放入冷却油中冷却,之后再置于真空热处理炉中,抽真空至1×101Pa后升温到150℃保温2h;继续抽真空至1Pa后按流量比5:1通入氩气、氢气,氢气气体流速为300sccm;加热至250℃,开启射频电源,功率200W使真空热处理炉内气体电离产生等离子体,处理0.5h后冷却取出。
经检测,该靶材铈含量为99.995wt%,平均氧含量为410ppm,密度为6.745g/cm3,平均致密度为99.91%。
经对铈靶材在老化箱中测试发现,实施例中的铈靶材在老化80℃存放5天后外观无明显变化,经测试发现铈靶材中氧含量无明显变化,而对比例中的铈靶材虽外观也无明显变化,但经测试发现靶材表面已出现少量的氧化铈。由此可见本发明提供的铈靶材可大大提高金属铈靶材的抗氧化性能,可长时间存放后直接用于溅射镀膜。从上述实施例、对比例中测试结果可以看出本发明提供的铈靶材具有较好的抗氧化性和储存稳定性,能够满足市场要求。
以上对一种稀土靶材及其制备方法进行了详细介绍,以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,其架构形式能够灵活多变,可以派生系列产品。只是做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。

Claims (8)

1.一种稀土靶材的制备方法,所述稀土为铈,其特征在于,包括如下步骤:
(1)称取一定质量的高纯金属铈;
(2)采用水冷坩埚悬浮熔炼方法将称取的金属铈熔炼成铈熔液;
(3)对所述铈熔液进行下拉铸锭,得到金属铈铸锭,对得到的金属铈铸锭进行轧制以及裁剪加工;
(4)对裁剪加工后的金属铈铸锭进行热处理;
(5)对热处理冷却后的铈靶材进行氢等离子处理;
步骤(2)熔炼前先在水冷坩埚中反复熔炼同成分的原料,以便清洗坩埚;所述熔炼过程中通氩气以避免氧化;
步骤(3)中下拉铸锭具体为:在下拉过程中铈熔液逐渐冷却凝固的同时对铈熔液进行超声处理以细化晶粒;
步骤(4)中热处理为在氩气气氛下依次进行淬火、回火的方式进行;
步骤(5)中氢等离子处理具体为:将热处理冷却后的铈靶材置于真空热处理炉,抽真空至1×10-1Pa~1×102Pa后按流量比2~10:1通入氩气、氢气;加热至300~500℃,调节气体流量,使真空热处理炉内气压保持在500~1000Pa,开启射频电源,功率200W使真空热处理炉内气体电离产生等离子体,处理0.5~1h后冷却取出。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,悬浮熔炼炉内的压力高于大气压力300~500Pa。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中下拉铸锭具体为:将盛有铈熔液的水冷坩埚以0.1~1mm/min的速度下拉,从而得到铈铸锭;其中超声波的频率为20kHz~40kHz,超声仪的功率为20kW~40kW。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中轧制以及裁剪加工具体为:金属铈铸锭降至室温后放入真空热处理炉中,抽真空至1×10-1Pa~1×10-4Pa后,升温到330℃~400℃保温2~3h,随炉冷却;采用二辊轧机进行冷轧至所需厚度,得到冷轧产物;将冷轧产物裁剪为所需靶材尺寸。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)中热处理为在氩气气氛下依次进行淬火、回火的方式进行,具体为:将裁剪加工后的金属铈铸锭置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-1Pa~1×10-4Pa后升温到400℃~500℃后立即放入冷却油中冷却,之后再置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-1Pa~1×102Pa后升温到100℃~150℃保温1~3h。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述稀土靶材的制备方法包括如下步骤:将纯度为99.99wt%的块状铈放入悬浮熔炼炉的水冷坩埚内,在氩气气氛下反复熔炼3次后倒出,向水冷坩埚内加入纯度为99.99wt%的块状铈,在氩气气氛下进行熔炼,控制悬浮熔炼炉内的压力高于大气压力400Pa,直至将块状铈熔炼成铈熔液;将盛有铈熔液的水冷坩埚以0.1~1mm/min的速度下拉,在下拉过程中铈熔液逐渐冷却凝固的同时对铈熔液进行超声处理以细化晶粒,得到铈铸锭;其中超声波的频率为30kHz,超声仪的功率为30kW;铈铸锭降至室温后放入真空热处理炉中,抽真空至1×10-4Pa后,升温到400℃保温2h,随炉冷却;采用二辊轧机进行冷轧至5mm,得到冷轧产物;将冷轧产物裁剪为直径为5cm的圆片;将圆片铈靶材置于真空热处理炉中,抽真空至1×10-4Pa后升温到500℃后立即放入冷却油中冷却,之后再置于真空热处理炉中,抽真空至1×102Pa后升温到150℃保温1h;继续抽真空至1×10-1Pa后按流量比10:1通入氩气、氢气;加热至450℃,调节气体流量,使真空热处理炉内气压为1000Pa,开启射频电源,功率200W使真空热处理炉内气体电离产生等离子体,处理1h后冷却取出。
7.根据权利要求6所述的稀土铈靶材,其特征在于,所述铈靶材的厚度为1~10mm。
8.根据权利要求6所述的稀土铈靶材,其特征在于,所述靶材中铈的含量≥99.99wt%,靶材的致密度>98%,靶材中的氧含量<500ppm,稀土靶材的晶粒平均尺寸≤100μm。
CN202411514526.1A 2024-10-29 2024-10-29 一种稀土靶材及其制备方法 Active CN119020745B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202411514526.1A CN119020745B (zh) 2024-10-29 2024-10-29 一种稀土靶材及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202411514526.1A CN119020745B (zh) 2024-10-29 2024-10-29 一种稀土靶材及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN119020745A CN119020745A (zh) 2024-11-26
CN119020745B true CN119020745B (zh) 2025-02-11

Family

ID=93535903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202411514526.1A Active CN119020745B (zh) 2024-10-29 2024-10-29 一种稀土靶材及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN119020745B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101038907A (zh) * 2006-03-15 2007-09-19 国际商业机器公司 形成互连结构的方法及其形成的互连结构
CN103409650A (zh) * 2013-07-25 2013-11-27 北京大学 氢等离子体电弧熔炼技术制备高纯稀土钆单质

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2704186B2 (ja) * 1988-07-28 1998-01-26 株式会社 半導体エネルギー研究所 磁気光学記憶媒体
CN1163954C (zh) * 1998-10-05 2004-08-25 库利克及索发投资有限公司 半导体铜键合焊点表面保护
CN104550903B (zh) * 2014-12-11 2017-05-03 陕西斯瑞新材料股份有限公司 铬粉的氢等离子脱氧方法
CN106637100B (zh) * 2015-10-30 2020-03-27 有研稀土新材料股份有限公司 稀土金属靶材及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101038907A (zh) * 2006-03-15 2007-09-19 国际商业机器公司 形成互连结构的方法及其形成的互连结构
CN103409650A (zh) * 2013-07-25 2013-11-27 北京大学 氢等离子体电弧熔炼技术制备高纯稀土钆单质

Also Published As

Publication number Publication date
CN119020745A (zh) 2024-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102002567B (zh) 一种取向高硅钢薄板的制备方法
CN109465414B (zh) 一种制备无氧铜杆的方法
CN102199721A (zh) 高硅无取向冷轧薄板及其制造方法
CN114703434B (zh) 一种Haynes214合金带箔材的制备方法
KR20010051338A (ko) 낮은 투자율을 갖는 코발트 스퍼터 타깃을 제조하는 방법
CN111958333A (zh) 一种钕铝靶材溅射面的抛光工艺
CN111996397A (zh) 一种调控CoNiV中熵合金抗氢脆和腐蚀性能的方法
EP2634287B1 (en) Titanium target for sputtering
CN111499381A (zh) 一种磁控溅射用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材的制备方法
CN119020745B (zh) 一种稀土靶材及其制备方法
CN101307429A (zh) 一种制备超细晶粒高纯度金属镍靶材的方法
CN101629276B (zh) 锆钇合金靶件的制备方法
CN115595492B (zh) 一种铸态高延性高熵合金及其制备方法和应用
CN117737374A (zh) 一种Fe-6.5Si高硅钢薄带的制备方法及产品
CN115354163B (zh) 一种细晶高纯无氧铜板的制备方法
CN102304678B (zh) Gd-Co-Al-Y块体金属玻璃及其制备方法
CN115359986B (zh) 一种抗腐蚀的钕铁硼薄片及其制备方法
KR101461785B1 (ko) 에너지 효율이 우수한 저철손 방향성 전기 강판의 제조방법
CN113265558A (zh) 一种抗弯折性能优异的铜铁合金及其加工方法
CN111411277A (zh) 一种提高镁抗氧化能力的方法及镁钙合金
CN113046704B (zh) 一种低氧大尺寸含铝基金属间化合物的合金靶材的制备方法
CN100595308C (zh) 综合性能优异的磁致伸缩合金的制备方法
CN115449767A (zh) 一种细晶高纯镍靶材的制备方法
CN116145043A (zh) 具有宽温域零热膨胀效应的合金材料及其制备方法
CN118186351A (zh) 一种磁控溅射用镍铂合金靶材及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant