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CN118511258A - 基板处理装置、气体喷嘴、半导体装置的制造方法、基板处理方法及程序 - Google Patents

基板处理装置、气体喷嘴、半导体装置的制造方法、基板处理方法及程序 Download PDF

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CN118511258A
CN118511258A CN202280087896.4A CN202280087896A CN118511258A CN 118511258 A CN118511258 A CN 118511258A CN 202280087896 A CN202280087896 A CN 202280087896A CN 118511258 A CN118511258 A CN 118511258A
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CN
China
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gas
substrate
nozzle
vertical direction
flow rate
Prior art date
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CN202280087896.4A
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English (en)
Inventor
冈岛优作
槣原美香
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Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Publication date
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Abstract

本发明提供一种如下构成的技术，具备：处理室，其对基板进行处理；以及气体供给部，其具备在基板表面的垂直方向的上方侧喷出第一气体的第一喷出口、以及在所述垂直方向的下方侧喷出第二气体的第二喷出口，构成为来自所述第二喷出口的第二气体的流速比来自所述第一喷出口的第一气体的流速快。

Description

基板处理装置、气体喷嘴、半导体装置的制造方法、基板处理 方法及程序
技术领域
本发明涉及基板处理装置、气体喷嘴、半导体装置的制造方法、基板处理方法及程序。
背景技术
作为在半导体装置的制造工序使用的基板处理装置的一个方式，例如使用一并处理多张基板的基板处理装置(例如专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-129879号公报
发明内容
发明所要解决的课题
提供一种能够对成为处理对象的基板进行面内均匀处理的技术。
用于解决课题的方案
根据本公开的一个方式，提供一种如下构成的技术，具备：
处理室，其对基板进行处理；以及
气体供给部，其具备在基板表面的垂直方向的上方侧喷出第一气体的第一喷出口、以及在所述垂直方向的下方侧喷出第二气体的第二喷出口，
构成为来自所述第二喷出口的第二气体的流速比来自所述第一喷出口的第一气体的流速快。
发明的效果
根据本公开的一个方式，能够对成为处理对象的基板进行面内均匀处理。
附图说明
图1是表示本公开的一个方式的基板处理装置的概略结构例的说明图。
图2是表示本公开的一个方式的基板处理装置的概略结构例的说明图。
图3是表示本公开的一个方式的基板处理装置的概略结构例的说明图。
图4是说明本公开的一个方式的基板支撑部的说明图。
图5是说明本公开的一个方式的气体供给系统的说明图。
图6是说明本公开的一个方式的气体排气系统的说明图。
图7是对能够在本公开的一个方式中使用的气体进行说明的说明图。
图8是说明本公开的一个方式的基板处理装置的控制器的说明图。
图9是表示本公开的一个方式的气体喷嘴的概略结构例的说明图。
图10是说明本公开的一个方式的基板处理流程的流程图。
图11是表示本公开的一个方式的来自气体喷嘴的气体供给的例子的说明图。
图12是表示本公开的一个方式的来自气体喷嘴的气体供给的例子的说明图。
具体实施方式
以下，边参照附图边说明有关本案的实施方式。另外，在以下的说明中使用的附图是皆为示意性的，被显示于附图的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等是不一定与现实者一致。并且，在多个附图的相互间各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也不一定一致。
(1)基板处理装置的结构
利用图1～图8来说明本公开的一个方式的基板处理装置的概要结构。图1是基板处理装置200的侧剖视图，图2是图1的α-α’的剖视图。在此，基于说明的方便起见，追加记载喷嘴223、喷嘴225。图3是说明框体227、加热器211、分配部的关系的说明图。在此，基于说明的方便起见，记载分配部222与喷嘴223，省略分配部224、喷嘴225。
接着，说明有关具体的内容。基板处理装置200具有框体201，框体201具备反应管容纳室206及移载室217。反应管容纳室206配置于移载室217上。
反应管容纳室206具有：在铅直方向上延伸的圆筒形状的反应管210；设置在反应管210的外周的作为加热部(炉体)的加热器211；作为气体供给部的气体供给构造212；以及作为气体排气部的气体排气构造213。在此，反应管210也称为处理室，也将反应管210内的空间称为处理空间。反应管210能够容纳后述的基板支撑部300。
加热器211在与反应管210侧对置的内表面设有电阻加热加热器，并以包围他们的方式设有隔热部。因此，在加热器211的外侧，即不与反应管210对置的一侧被构成为热影响变少。加热器211的电阻加热加热器电连接加热器控制部211a。通过控制加热器控制部211a，能够控制加热器211的接通/断开、加热温度。加热器211能够将后述的气体加热至可热分解的温度。另外，加热器211也称为处理室加热部或第一加热部。
在反应管容纳室206内具备反应管210、上游侧整流部214、下游侧整流部215。在气体供给部也可包含上游侧整流部214。此外，在气体排气部也可包含下游侧整流部215。
气体供给构造212设置在反应管210的气体流动方向上游，从气体供给构造212向反应管210供给气体。气体排气构造213设置在反应管210的气体流动方向下游，反应管210内的气体被从气体排气构造213排出。
在反应管210与气体供给构造212之间设有整理从气体供给构造212供给的气体的流动的上游侧整流部214。即，气体供给构造212与上游侧整流部214邻接。并且，在反应管210与气体排气构造213之间设有整理从反应管210排出的气体的流动的下游侧整流部215。反应管210的下端被歧管(manifold)216支撑。
反应管210、上游侧整流部214、下游侧整流部215是连续的构造，例如以石英或SiC等的材料形成。他们由透过从加热器211放射的热的热透过性构件构成。加热器211的热加热基板S或气体。
构成气体供给构造212的框体由金属构成，上游侧整流部214的一部即框体227由石英等构成。气体供给构造212与框体227能够分离，在固定时是隔着O型环229来固定。框体227是被连接至反应管210的侧方的连接部206a。
从反应管210侧观察，框体227在与反应管210不同的方向上延伸，并与后述的气体供给构造212连接。加热器211与框体227在反应管210与气体供给构造212之间的邻接部227b邻接。被邻接的部位称为邻接部227b。
从反应管210观察，气体供给构造212设置在比邻接部227b靠里侧。气体供给构造212具备：能够与后述的气体供给管261连通的分配部224；以及能够与气体供给管271连通的分配部222。在分配部222的下游侧设有多个喷嘴223，在分配部224的下游设有多个喷嘴225。各喷嘴在铅直方向上配置多个。在图1中记载了分配部222及喷嘴223。
在各喷嘴223、225的前端侧(与分配部222、224的连通侧相反的一侧)设有后述的喷出口。各喷嘴223、225是经由前端侧的喷出口来进行向处理空间内的气体供给。另外，各喷嘴223、225及连通至他们的喷出口设置在后述的气体喷嘴。
如后所述，分配部222能够分配原料气体，因此也称为原料气体分配部。喷嘴223是供给原料气体的部件，因此也称为原料气体供给喷嘴。
此外，分配部224设为能够分配反应气体，因此也称为反应气体分配部。喷嘴225是供给反应气体的部件，因此也称为反应气体供给喷嘴。
气体供给管251与气体供给管261如后所述供给不同种类的气体。如图2所示，喷嘴223、喷嘴225是以并排的关系配置。在此是在水平方向上，喷嘴223被配置于框体227的中心，在其两侧配置喷嘴225。将被配置于两侧的喷嘴分别称为喷嘴225a、225b。
如图3所示，在分配部222设有多个吹出孔222c。吹出孔222c设为在铅直方向上不重叠。多个喷嘴223被连接为设在分配部222的吹出孔222c与各个喷嘴223内部连通。喷嘴223在铅直方向上，被配置于后述的区划板226之间或框体227与区划板226之间。
分配部222具备与喷嘴223连接的分配构造222a及导入管222b。导入管222b构成为与后述的气体供给部250的气体供给管251连通。
从反应管210观察，分配构造222a配置于比加热器211靠里侧。因此，分配构造222a配置于不易受加热器211的影响的位置。
在气体供给构造212与框体227的周围设有能够以比加热器211低的温度来加热的上游侧加热器228。上游侧加热器228构成为包含二个的加热器228a、228b。具体而言，在框体227的表面，在气体供给构造212与邻接部227b之间的面的周围设有上游侧加热器228a。并且，在气体供给构造212的周围设有上游侧加热器228b。另外，上游侧加热器228也称为上游侧加热部或第二加热部。
在此，所谓低温是例如被供给至分配部222内的气体不会再液化的温度，进一步是维持气体的低分解状态的程度的温度。
分配部224与分配部222同样，具备与喷嘴225连接的分配构造224a及导入管224b。导入管224b构成为与后述的气体供给部260的气体供给管261连通。分配部224与多个喷嘴225是被连接为设在分配部224的孔224c与各个喷嘴225内部连通。如图2所记载，分配部224与喷嘴225例如被设置有两个，气体供给管261构成为与他们分别连通。多个喷嘴225例如以喷嘴223为中心，配置于线对称的位置。
如此，通过按每个被供给的气体设置分配部及喷嘴，不会有从各气体供给管供给的气体在各气体分配部混合的情况，因此可抑制气体在分配部224混合而有可能产生微粒。
上游侧加热器228a的至少一部分的结构与喷嘴223、喷嘴225的延伸方向平行配置。上游侧加热器228b的至少一部分的结构沿着分配部222的配置方向而设置。如此，即使在喷嘴内或分配部内也可维持低温。
上游侧加热器228与加热器控制部228电连接。具体而言，在上游侧加热器228a连接加热器控制部228c，在上游侧加热器228b连接加热器控制部228d。通过控制加热器控制部228c、228d，能够控制加热器228的接通/断开、加热温度。另外，在此是说明使用两个加热器控制部228c、228d，但不是限于此，只要能够进行所需的温度控制，也可使用一个的加热器控制部、三个以上的加热器控制部。另外，上游侧加热器228也称为第二加热器。
上游侧加热器228是可卸下的结构，在将气体供给构造212与框体227分离时，可提前从气体供给构造212、框体227卸下。此外，也可固定于各部位，在将气体供给构造212与框体227分离时，也可在固定于气体供给构造212、框体227的状态下，将气体供给构造212与框体227分离。
在上游侧加热器228a与框体227之间也可设置作为罩的例如由金属构成的金属罩212a。通过设置金属罩212a，可将从上游侧加热器228a发出的热予高效地供给至框体227内。尤其是，框体227由石英构成，因此担心热流失，但通过设置金属罩212a，可抑制热流失。因此，无须过剩地加热，可抑制向加热器228的电力供给。
在上游侧加热器228b与构成气体供给构造212的框体之间是也可设置金属罩212b。通过设置金属罩212b，可将从上游侧加热器228b发出的热高效地供给至分配部。因此，可抑制向上游侧加热器228的电力供给。
上游侧整流部214具有框体227与区划板226。在作为区划部的区划板226中，与基板S对置的部分以至少比基板S的直径更大的方式在水平方向上延伸。在此所谓的水平方向是表示框体227的侧壁方向。区划板226在框体227内沿铅直方向配置多个。区划板226固定于框体227的侧壁，构成为气体不会超过区划板226而移动至下方或上方的邻接区域。通过设为不超过，能够确实地形成后述的气体流动。
区划板226是无孔连续的构造。各个的区划板226设置在对应于基板S的位置。在区划板226之间、区划板226与框体227之间设有喷嘴223、喷嘴225。即，至少按每个区划板226设有喷嘴223、喷嘴225。通过设为如此的结构，可按每个区划板226之间、区划板226与框体227之间，执行使用了第一气体和第二气体的制程。因此，可在多个基板S间将处理设为均匀的状态。
另外，各个区划板226与被配置于其上方的喷嘴223之间的各自的距离优选为相同的距离。即，喷嘴223与被配置于其下方的区划板226或框体227之间的各自构成为配置于相同的高度。如此，可将从喷嘴223的前端到区划板226的距离设为相同，因此可使基板S上的分解度在多个基板间形成均匀。
从喷嘴223、喷嘴225吹出的气体通过区划板226来整理气体流动，供给至基板S的表面。区划板226在水平方向上延伸，且为无孔的连续构造，因此气体的主流向铅直方向的移动被抑制，而在水平方向上移动。因此，可使到达各个的基板S的气体的压力损失遍及铅直方向均匀。
在本案中，设置在分配部222的吹出孔222c的直径构成为比区划板226间的距离、框体227与区划板226之间的距离更小。
下游侧整流部215构成为在基板S被支撑于基板支撑部300的状态下，顶部会比配置于最上位的基板S的位置更高，底部比被配置于基板支撑部300的最下位的基板S的位置更低。
下游侧整流部215具有框体231及区划板232。区划板232中的与基板S对置的部分以至少比基板S的直径更大的方式在水平方向上延伸。在此所谓的水平方向是表示框体231的侧壁方向。进一步，区划板232在铅直方向上配置多个。区划板232固定于框体231的侧壁，构成为气体不会超过区划板232而移动至下方或上方的邻接区域。通过设为不超过，可确实地形成后述的气体流动。在框体231中的与气体排气构造213接触的一侧设有凸缘233。
区划板232是无孔连续的构造。区划板232分别设置在对应于基板S的位置，且分别对应于区划板226的位置。对应的区划板226与区划板232优选设为同等的高度。进一步，处理基板S时，优选使基板S的高度与区划板226、区划板232的高度一致。通过设为如此的构造，从各喷嘴供给的气体如图中的箭头般，形成通过区划板226上、基板S、区划板232上的流动。此时，区划板232在水平方向上延伸，且为无孔的连续构造。通过设为如此的构造，可使从各个的基板S上排出的气体的压力损失均匀。因此，通过各基板S的气体的气体流动向铅直方向的流动被抑制，并且朝向排气构造213而形成于水平方向。
通过设置区划板226及区划板232，可分别在各个基板S的上游、下游，使压力损失在铅直方向上均匀，因此可在区划板226、基板S上、区划板232确实地形成向铅直方向的流动被抑制的水平的气体流动。
气体排气构造213设置在下游侧整流部215的下游。气体排气构造213主要由框体241及气体排气管连接部242构成。在框体241中的下游侧整流部215侧设有凸缘243。
气体排气构造213与下游侧整流部215的空间连通。框体231与框体241为高度连续的构造。框体231的顶部构成为与框体241的顶部同等的高度，框体231的底部构成为与框体241的底部同等的高度。
通过下游侧整流部215的气体从排气孔244排气。此时，气体排气构造没有区划板那样的结构，因此包含铅直方向的气体流动会朝向气体排气孔而形成。
移载室217经由歧管216设置于反应管210的下部。在移载室217利用未图示的真空搬送机机器人(robot)来将基板S载置(搭载)于基板支撑件(以下也有简称为晶舟的情况)300，或通过真空搬送机机器人来将基板S从基板支撑件300取出。
在移载室217的内部能够容纳基板支撑件300、隔板支撑部310及上下方向驱动机构部400，该上下方向驱动机构部400构成将基板支撑件300与隔板支撑部310(将他们一并称为基板保持件)在上下方向和旋转方向上驱动的第一驱动部。在图1中，基板支撑件300示出通过上下方向驱动机构部400来上升并容纳于反应管内的状态。
其次，利用图1、图4来说明基板支撑部的详细。
基板支撑部至少由基板支撑件300构成，在移载室217的内部经由基板搬入口149来利用真空搬送机机器人进行基板S的转移，或将转移的基板S搬送至反应管210的内部而进行在基板S的表面形成薄膜的处理。另外，也可以认为在基板支撑部中含有隔板支撑部310。
就隔板支撑部310而言，多张圆板状的隔板314以预定的间距固定于被支撑在基部311与顶板312之间的支柱313。基板支撑件300具有多个支撑杆315被支撑于基部311，且多个基板S通过该多个支撑杆315而以预定的间隔被支撑的结构。
基板支撑件300通过被支撑于基部311的多个支撑杆315而以预定的间隔载置多个基板S。被该支撑杆315支撑的多个基板S之间通过以预定间隔被固定(支撑)于隔板支撑部310所支撑的支柱313的圆板状的隔板314来隔开。在此，隔板314配置于基板S的上部和下部中的任一个或双方。
载置于基板支撑件300的多个基板S的预定的间隔与被固定于隔板支撑部310的隔板314的上下的间隔相同。此外，隔板314的直径形成为比基板S的直径大。
晶舟300通过多个支撑杆315将多张例如5张基板S多段支撑于铅直方向。基部311及多个支撑杆315例如由石英、SiC等的材料形成。另外，在此是表示在晶舟300支撑5张基板S的例子，但不限于此。例如，也可构成能支撑5～50张基板S程度的晶舟300。另外，隔板支撑部310的隔板314也称为隔离物(separator)。
隔板支撑部310与基板支撑件300通过上下方向驱动机构部400而在反应管210与移载室217之间的上下方向、以及绕着被支撑于基板支撑件300的基板S的中心的旋转方向上被驱动。
构成第一驱动部的上下方向驱动机构部400具备上下驱动用马达410、旋转驱动用马达430以及晶舟上下机构420作为驱动源，该晶舟上下机构420具备将基板支撑件300驱动于上下方向的作为基板支撑件升降机构的线性致动器。
接着，利用图5说明气体供给系统的详细。
如图5(a)记载，在气体供给管251从上游方向依序设有第一气体源252、流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)253、及开闭阀即阀254。
第一气体源252是含有第一元素的第一气体(亦称为“含第一元素气体”)源。第一气体是原料气体亦即处理气体之一。在此，第一气体是至少二个的硅原子(Si)所结合的气体，且例如含有Si及氯(Cl)的气体，图7(a)记载的六氯化二硅(Si2Cl6，六氯二硅烷，简称：HCDS)气体等的含有Si-Si键的原料气体。如图7(a)所示，HCDS气体是在该化学构造式中(1个分子中)含有Si及氯基(氯化物)。
该Si-Si键在反应管210内，具有通过与后述的基板S的构成凹部的壁碰撞而分解的程度的能量。在此，所谓分解是意指Si-Si键被切断的情形。即，Si-Si键通过朝壁的碰撞而结合被切断。以下也将含有这种Si-Si键的原料气体称为“分解系气体”。
主要通过气体供给管251、MFC253、阀254来构成第一气体供给系统250(也称为含硅气体供给系统)。气体供给管251被连接至分配部222的导入管222b。
在供给管251中的阀254的下游侧连接气体供给管255。在气体供给管255从上游方向依序设有惰性气体源256、MFC257及开闭阀即阀258。从惰性气体源256供给惰性气体例如氮(N2)气体。
主要通过气体供给管255、MFC257、阀258来构成第一惰性气体供给系统。从惰性气体源256供给的惰性气体在基板处理工序中，作为净化滞留于反应管210内的气体的净化气体发挥作用。也可将第一惰性气体供给系统添加在第一气体供给系统250中。
如图5(b)记载，在气体供给管261从上游方向依序设有第二气体源262、流量控制器(流量控制部)的MFC263及开闭阀即阀264。气体供给管261被连接至分配部224的导入管224b。
第二气体源262是含有第二元素的第二气体(以下亦称为“含第二元素气体”)源。含第二元素气体是处理气体之一。另外，含第二元素气体也可认作为反应气体或改性气体。
在此，含第二元素气体含有与第一元素不同的第二元素。第二元素是例如氧(O)、氮(N)、碳(C)中的任一个。在本案中，含第二元素气体是例如含氮气体。具体而言，氨(NH3)、二亚胺(N2H2)气体、联氨(N2H4)气体、N3H8气体等的含有N-H键的氮化氢系气体。将这种第二气体与分解系气体即第一气体对比，以下有时也称为“非分解系气体”。
主要通过气体供给管261、MFC263、阀264来构成第二气体供给系统260。
在供给管261中的阀264的下游侧连接气体供给管265。在气体供给管265从上游方向依序设有惰性气体源266、MFC267及开闭阀即阀268。从惰性气体源266供给惰性气体例如氮(N2)气体。
主要通过气体供给管265、MFC267、阀268来构成第二惰性气体供给系统。从惰性气体源266供给的惰性气体在基板处理工序中，作为净化滞留于反应管210内的气体的净化气体发挥作用。也可将第二惰性气体供给系统添加在第二气体供给系统260中。
在喷嘴223、喷嘴225与基板S之间优选不配置阻碍被供给的气体的流动的阻碍物。特别是，在供给含有硅-硅键的气体的喷嘴223与基板S之间不配置阻碍物。
假设配置了阻碍气体流动的结构时，可以认为气体与阻碍物碰撞，分压上升。于是，有可能导致气体的分解过度地被促进。该情况下，气体的消耗量变高，向凹部的未分解状态的气体的供给量减少，其结果有可能无法实现所需的阶梯覆盖(stepcoverage)。
为此，以抑制分解被促进的压力上升为目的，优选不设置障碍物。另外，在此是记载为不设障碍物，但只要不上升至分解被促进的压力，也可存在某程度的障碍。
接着，利用图6说明排气系统。
将反应管210的气氛排气的排气系统280具有与反应管210连通的排气管281，经由排气管连接部242而连接至框体241。
如图6记载，在排气管281经由作为开闭阀的阀282、作为压力调整器(压力调整部)的APC(Auto Pressure Controller，自动压力控制器)阀283连接有作为真空排气装置的真空泵284，构成为可进行真空排气成反应管210内的压力成为预定的压力(真空度)。排气系统280也称为处理室排气系统。
接着，利用图8说明控制器。基板处理装置200具有控制基板处理装置200的各部的动作的控制器600。
将控制器600的概略显示于图8。控制部(控制单元)的控制器600构成为具备CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)601、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)602、作为存储部的存储部603、I/O端口604的计算机。RAM602、存储部603、I/O端口604构成为可经由内部汇流排605来与CPU601交换数据。基板处理装置200内的数据的收发通过也作为为CPU601的一个的功能的收发指示部606的指示来进行。
在控制器600设有经由网络与上位装置670连接的网络收发部683。网络收发部683能够从上位装置接收被储存于晶盒111的基板S的处理履历或关于预定处理的信息等。
存储部603是例如由闪存储器、HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等构成。在存储部603内可读出地储存有控制基板处理装置的动作的控制程序、记载有基板处理的步骤、条件等的制程处方等。
另外，制程处方被组合为可使控制器600执行后述的基板处理工序的各步骤，可取得预定的结果，作为程序发挥功能。以下，也将该制程处方或控制程序等总称为程序。另外，在本说明书中使用程序的用语时，有时只包含制程处方单体，有时只包含控制程序单体，或有时包含他们双方。此外，RAM602构成为暂时性地保持通过CPU601所读出的程序或数据等的存储区域(工作区域)。
I/O端口604连接至基板处理装置200的各结构。CPU601构成为读出来自存储部603的控制程序而执行，且按照来自输入输出装置681的操作指令的输入等，从存储部603读出制程处方。而且，CPU601构成可按照被读出的制程处方的内容，控制基板处理装置200。
CPU601具有收发指示部606。控制器600可通过使用储存上述的程序的外部存储装置(例如硬盘等的磁盘、DVD等的光盘、MO等的光磁盘、USB存储器等的半导体存储器)682来将程序安装于计算机等而构成本案的控制器600。另外，用于供给程序至计算机的手段是不限于经由外部存储装置682来供给的情况。例如，也可使用因特网或专线等的通信手段，不经由外部存储装置682来供给程序。另外，存储部603或外部存储装置682构成为计算机可读取的存储介质。以下，也可将他们总称为存储介质。另外，在本说明书中使用存储介质的用语时，有时只包含存储部603单体，有时只包含外部存储装置682单体，或有时包含他们双方。
(2)气体喷嘴的结构
其次，利用图9来说明设有各喷嘴223、225等的气体喷嘴的概要结构。图9是气体喷嘴220的说明图，在图9中，(b)是(a)的A-A剖面，(c)是(a)的B-B剖面，(d)是表示(a)的侧面视。
气体喷嘴220以与支撑于基板支撑件300的多个基板S分别对应的方式，在铅直方向上配置多个。即，气体喷嘴220沿着积载基板S的方向来多段设置，按每个区划板226之间、或区划板226与框体227之间配置。
多个气体喷嘴220分别是如图9(a)所示，喷嘴223及配置于其两侧的喷嘴225被设为以并排的关系定位。
如图9(a)、(b)及(d)所示，喷嘴223的前端侧(与分配部222的连通侧相反的一侧)经由第一气体分支路223a与第一喷出口223b连通。由此，从第一喷出口223b通过喷嘴223而供给的第一气体朝向被支撑于基板支撑件300的基板S喷出。
此外，如图9(a)、(c)及(d)所示，喷嘴225的前端侧(与分配部224的连通侧相反的一侧)经由第二气体分支路225c、225e与第二喷出口225d、225f连通。由此，从第二喷出口225d、225f通过喷嘴225而供给的第二气体朝向被支撑于基板支撑件300的基板S喷出。
第一喷出口223b及第二喷出口225d、225f均设置在气体喷嘴220的端面。具体而言，如图9(d)所示，在气体喷嘴220的端面，第一喷出口223b设置在基板S的积载方向即铅直方向(即相对于基板S的表面的垂直方向，以下将该方向简称为“垂直方向”)的上方侧。对此，第二喷出口225d被设在垂直方向的下方侧。因此，第一喷出口223b在垂直方向的上方侧喷出第一气体，第二喷出口225d在垂直方向的下方侧喷出第二气体。另外，有关第二喷出口225f也可不必一定被设在垂直方向的下方侧。
在这种气体喷嘴220中，喷嘴223、第一气体分支路223a及第一喷出口223b构成向垂直方向的上方侧供给第一气体的第一气体供给流路。此外，至少喷嘴225、第二气体分支路225c及第二喷出口225d构成向垂直方向的下方侧供给第二气体的第二气体供给流路。也可认为在第二气体供给流路包含第二气体分支路225e及第二喷出口225f。
构成第一气体供给流路的第一气体分支路223a如图9(a)所示，形成为将来自喷嘴223的气体的流动分支成多个(例如三个)。由此，如图9(d)所示，第一喷出口223b沿着与垂直方向的正交方向(以下将此方向简称为“水平方向”)(即以并排的关系定位的方式)设置多个(例如三个)。
多个第一喷出口223b均具有同形状，例如被形成圆形状。有关第一喷出口223b的形成尺寸等在后面详述。
这些第一喷出口223b中的至少一个配置为与对基板S的放射状喷射对应。所谓放射状喷射是指包含从气体喷嘴220的水平方向的横宽的中央侧朝向基板S的边缘部侧的气体喷射。即，以喷出第一气体的至少一个第一喷出口223b从气体喷嘴220的水平方向的横宽的中央侧朝向基板S的边缘部侧的方式，构成与该第一喷出口223b连通的第一气体分支路223a。具体而言，被配置为以并排的关系定位的三个中的两侧的第一气体分支路223a分别朝向基板S的两边缘部侧，由此从各第一喷出口223b放射状地喷出第一气体。
另一方面，构成第二气体供给流路的第二气体分支路225c形成为将来自配置在喷嘴223的两侧的各喷嘴225的气体的流动汇集成一个。由此，如图9(d)所示，第二喷出口225d设为以长度方向为延伸于水平方向的一个横长形状构成。有关第二喷出口225d的形成尺寸等在后面详述。
(3)半导体装置制造工序的步骤
接下来，说明有关使用上述结构的基板处理装置200在基板S上形成薄膜的工序，作为半导体制造工序的一工序。另外，在以下的说明中，构成基板处理装置的各部的动作通过控制器600来控制。
在此利用图10来说明有关使用第一气体与第二气体，通过交替供给他们，在基板S上形成膜的成膜处理。
(S202)
说明移载室压力调整工序S202。在此，将移载室217内的压力设为与真空搬送室140同水准的压力。具体而言，使被连接至移载室217的未图示的排气系统工作，以移载室217的气氛成为真空水准的方式，对移载室217的气氛进行排气。
另外，也可与本工序并行来使加热器282运转。具体而言，也可使加热器282a、加热器282b分别运转。使加热器282运转的情况下，至少在后述的膜处理工序208的期间运转。
(S204)
接着说明搬入工序S204。
一旦移载室217成为真空水准，则开始基板S的搬送。一旦基板S到达真空搬送室140，则将与基板搬入口149邻接的未图示的闸阀开放，从未图示的邻接的真空搬送室，将基板S搬入至移载室217。
此时基板支撑件300在移载室217中待机，基板S被移载至基板支撑件300。一旦预定张数的基板S被移载至基板支撑件300，则使真空搬送机机器人退避至框体141，并且使基板支撑件300上升，使基板S移动至反应管210中。
向反应管210的移动是被定位为基板S的表面与区划板226、区划板232的高度一致。
(S206)
说明加热工序S206。一旦将基板S搬入至反应管210内，则将反应管210内控制成为预定的压力，且以基板S的表面温度成为预定的温度的方式控制加热器211。温度是后述的高温度带，例如加热至400℃以上且800℃以下。优选为500℃以上且700℃以下。压力是例如可设为50～5000Pa。此时，使上游侧加热部228运转的情况下，通过分配部222的气体控制为加热至不再液化的温度，即后述的低分解温度带或未分解温度带。例如，以气体成为300℃程度的方式加热。
(S208)
说明膜处理工序S208。在加热工序S206之后，进行S208的膜处理工序。在膜处理工序S208中根据制程处方，控制第一气体供给系统250而将第一气体供给至反应管210内，并且控制第二气体供给系统260而将第二气体供给至反应管210内，进一步控制排气系统280而从反应管210内将处理气体排气，进行膜处理。另外，在此是使第一气体与第二气体同时存在于处理空间而进行CVD处理，但也可将第一气体及第二气体交替地供给至反应管210内而进行交替供给处理。此外，将第二气体设为等离子体状态进行处理的情况下，也可使用未图示的等离子体生成部来设为等离子体状态。
作为膜处理方法的具体例的交替供给处理是可考虑以下的方法。例如，在第一工序中将第一气体供给至反应管210内，在第二工序中将第二气体供给至反应管210内，作为净化工序在第一工序与第二工序之间将惰性气体供给至反应管210内并且将反应管210的气氛排气，进行将第一工序、净化工序及第二工序的组合进行多次交替供给处理，形成所需的膜。
被供给的气体在上游侧整流部214、基板S上的空间、下游侧整流部215形成气体流动。此时，在各基板S上以无压力损失的状态向基板S供给气体至，因此在各基板S间均匀的处理成为可能。
(S210)
说明基板搬出工序S210。在S210中，在与上述的基板搬入工序S204相反的步骤，将处理完毕的基板S向移载室217外搬出。
(S212)
说明判定S212。在此是判定是否处理了预定次数基板。一旦被判断未处理预定次数，则回到搬入工序S204，处理接下来的基板S。一旦被判断处理了预定次数，则结束处理。
另外，在气体流动的形成中，上述表现为水平，但只要整体在水平方向上形成气体的主流即可，若为不影响多个基板的均匀处理的范围，则也可为向铅直方向扩散的气体流动。
此外，上述中有同程度、同等、相等等的表现，他们当然包含实质上相同。
(4)气体供给的方式
其次，利用图11～图12来说明有关膜处理工序S208的气体供给的具体的方式。在膜处理工序S208中，例如将第一气体与第二气体供给至反应室206。
第一气体与第二气体是相对于基板S从水平方向(即沿着基板S的面内方向)供给。该情况下，例如图11(b)所示，若直接从喷嘴223及喷嘴225相对于基板S供给第一气体及第二气体，则会在基板S的表面上发生较大的漩涡，分解系气体即第一气体的停留时间会因为该漩涡的流动而变长，由此分解发展而有可能导致成膜不良。而且，各个气体未混合地通过基板S上，从而在面内的成膜状态发生凹凸的偏差，或形成喷嘴223与喷嘴225的间隙空间，从而在该间隙空间气体滞留，从而有可能导致成膜不良。即，若分解系气体即第一气体与非分解系气体即第二气体难以在基板S的表面上混合，则面内凹凸控制变难。
相对于此，若根据上述结构的气体喷嘴220，则如图12所示，第一气体从喷嘴223通过第一气体分支路223a及第一喷出口223b，在垂直方向的上方侧，相对于基板S供给。此外，第二气体从喷嘴225至少通过第二气体分支路225c及第二喷出口225d，在垂直方向的下方侧，相对于基板S供给。因此，能够分别从个别的气体流路相对于基板S同时供给分解系气体即第一气体及非分解系气体即第二气体。
而且，在第一气体及第二气体的供给时，气体喷嘴220构成为来自第二喷出口225d的第二气体的流速比来自第一喷出口223b的第一气体的流速变快。第一气体的流速主要是依据流动于喷嘴223的第一气体的流量与该第一气体所通过的第一气体分支路223a及第一喷出口223b的剖面积来决定。此外，第二气体的流速主要是依据流动于喷嘴225的第二气体的流量与该第二气体所通过的第二气体分支路225c及第二喷出口225d的剖面积来决定。即，气体喷嘴220以第二气体的流速比第一气体的流速变快的方式，构成第一喷出口223b或第二喷出口225d的形状、尺寸等。
通过从这种结构的气体喷嘴220进行第一气体及第二气体的供给，如图11(a)所示，以第二气体来制造出快速流动，可利用该流动来使第一气体流动。因此，可抑制在基板S的表面上发生漩涡，相对于基板面内均匀地供给抑制分解的第一气体，所以在抑制成膜不良上非常有用。
更详细是在气体喷嘴220中，将喷出非分解系气体即第二气体的第二喷出口225d设为相对于基板S的表面平行的宽广的横长形状，制造沿着基板S的表面那样的第二气体的流动。然后，通过从位于比第二喷出口225d靠垂直方向的上方侧的第一喷出口223b喷出第一气体，使得第一气体搭载于第二气体的流动而相对于基板S的面内均等地流动。这种气体的流动通过将第二喷出口225d的水平方向(即与垂直方向的正交方向)的横宽构成为比第一喷出口223b的水平方向的横宽更宽，可容易地实现。如此，在基板S的面内的成膜状态无凹凸的偏倚发生的情形，且在喷嘴223与喷嘴225的间隙空间也无气体滞留的情形，因此可良好地进行面内凹凸控制，且在抑制成膜不良上非常有用。
以下，举具体例说明有关来自气体喷嘴220的气体供给的详细。
(流速)
如上所述，在第一气体及第二气体的供给时，设为第二气体的流速比第一气体的流速变快。
具体而言，例如第一气体的流速成为100mm～1m/sec，第二气体的流速可设为比第一气体的流速更快的300mm～5m/sec。当各个流速的至少一方小于在此列举的下限值时，分解系气体的分解进展，有可能导致阶梯覆盖恶化。另一方面，若各个流速的至少一方超过在此列举的上限值，则流速会过快，有可能导致成膜速率下降。
因此，第一气体及第二气体的流速是第二气体比第一气体更快，且优选分别在上述的范围内。
(喷出口的纵宽形状)
为了将第二气体的流速设为比第一气体的流速更快，例如可考虑将第一喷出口223b的垂直方向的纵宽构成比第二喷出口225d的垂直方向的纵宽更宽。
具体而言，例如可将喷出第一气体的第一喷出口223b的垂直方向的纵宽设为3mm～20mm，将喷出第二气体的第二喷出口225d的垂直方向的纵宽设为0.5mm～10mm，比第一喷出口223b的纵宽更窄。当各个纵宽的至少一方小于在此列举的下限值时，喷嘴内压会变高，有可能成为微粒的原因。另一方面，若各个纵宽的至少一方超过在此列举的上限值，则流速会下降，有可能导致气体的分解促进。
因此，第一喷出口223b及第二喷出口225d的纵宽优选分别位于上述的范围内。
(气体分支路的体积)
为了将第二气体的流速设为比第一气体的流速更快，例如，可考虑将第一气体分支路223a的体积构成为比第二气体分支路225c的体积更大。具体而言，例如，可将第一气体所通过的第一气体分支路223a的体积设为100mm2～1000mm2，将第二气体所通过的第二气体分支路225c的体积设为50mm2～2000mm2，比第一气体分支路223a的体积更小。当各个体积的至少一方小于在此列举的下限值时，喷嘴内压会变低，有可能导致气体不流动。另一方面，若各个体积的至少一方超过在此列举的上限值，则喷嘴内压会变高，有可能成为微粒的原因。因此，第一气体分支路223a及第二气体分支路225c的体积优选分别位于上述的范围内。
(喷嘴内压力)
为了将第二气体的流速设为比第一气体的流速更快，例如可考虑构成为将构成包含第一气体分支路223a及第一喷出口223b的第一气体供给流路的压力设为比构成包含第二气体分支路225c及第二喷出口225d的第二气体供给流路的压力更低。
具体而言，例如，可将流动第一气体的第一气体供给流路的压力设为10Pa～10000Pa，将流动第二气体的第二气体供给流路的压力设为10Pa～20000Pa，比第一气体供给流路的压力更高。当各个压力的至少一方小于在此列举的下限值时，相对于炉内的气体压力会变低，有可能导致气体不流动。另一方面，若各个压力的至少一方超过在此列举的上限值，则相对于炉内的气体压力会变高，有可能成为微粒的原因。
因此，第一气体供给流路及第二气体供给流路的压力优选分别位于上述的范围内。
(喷出口的水平方向的总宽)
在第一喷出口223b在水平方向上设有多个，且第二喷出口225d、225f在水平方向上设有多个的情况下，为了将第二气体的流速设为比第一气体的流速更快，例如可考虑将第一喷出口223b的水平方向的总宽(总计宽度)构成为比第二喷出口225d、225f的水平方向的总宽(总计宽度)更窄。具体而言，例如，可将第一喷出口223b的水平方向的总宽设为3mm～100mm，将第二喷出口225d、225f的水平方向的总宽设为10mm～200mm，比第一喷出口223b的水平方向的总宽更宽。当各个总宽的至少一方小于在此列举的下限值时，喷出的气体仅流动至基板S的中央，有可能导致成膜的面内凹倾向变强。另一方面，若各个总宽的至少一方超过在此列举的上限值，则加热器(加热部)的缺口宽会变大，有可能成为热流失的原因。
因此，第一喷出口223b及第二喷出口225d、225f的水平方向的总宽优选分别位于上述的范围内。
(放射状喷射)
当第一喷出口223b的水平方向的总宽比第二喷出口225d、225f的水平方向的总宽更窄时，根据第一喷出口223b的配置，有可能从第一喷出口223b喷出的第一气体的流动的区域宽相较于第二气体的流动的区域宽会变窄。然而，即使在该情况下，只要第一喷出口223b的至少一个与向基板S的放射状喷射对应地配置，便可扩大第一气体的流动的区域宽。因此，可相对于基板S的面内的整个区域均匀地供给第一气体，在抑制成膜不良上非常有用。
另外，向基板S的放射状喷射不限第一喷出口223b，也可以是第二喷出口225f对应。该情况下，可将第二气体均匀地供给至炉内的整个区域。而且，除第二喷出口225d之外，若设有对应于放射状喷射的第二喷出口225f，则在抑制基板S的表面上的漩涡的发生上非常有用。
(多段配置)
进行以上的气体供给的气体喷嘴220在多个基板S的积载方向多段设置。因此，被多段设置的气体喷嘴220相对于多个基板S分别个别地进行。而且，个别的气体供给均成为可相对于基板S的面内均匀地成膜的结构。
(5)实施方式的效果
若根据本实施方式，则取得以下所示的一个或多个效果。
(a)在本实施方式中，在第一气体及第二气体的供给时，从上方侧的第一喷出口223b喷出第一气体，从下方侧的第二喷出口225d喷出第二气体。而且，来自第二喷出口225d的第二气体的流速比来自第一喷出口223b的第一气体的流速更快。
因此，根据本实施方式，则以第二气体来制造出快的流动，可利用该流动来使第一气体流动，由此抑制在基板S的表面上发生漩涡，而能够相对于基板面内均匀地供给抑制分解的第一气体。即，通过相对于基板S的气体供给的均匀化来抑制成膜不良，对于成为处理对象的基板S能够实现面内均匀处理。
(b)根据本实施方式，由于第一喷出口223b的垂直方向的纵宽比第二喷出口225d的垂直方向的纵宽更宽，因此在将第二气体的流速设为比第一气体的流速更快上更为理想，为了基板S的面内均匀处理而非常有用。
(c)根据本实施方式，由于第一气体分支路223a的体积比第二气体分支路225c的体积更大，因此在将第二气体的流速设为比第一气体的流速更快上更为理想，为了基板S的面内均匀处理而非常有用。
(d)根据本实施方式，由于第一气体供给流路的压力比第二气体供给流路的压力更低，因此在将第二气体的流速设为比第一气体的流速更快上更为理想，为了基板S的面内均匀处理而非常有用。
(e)根据本实施方式，由于第二喷出口225d的水平方向的横宽比第一喷出口223b的水平方向的横宽更宽，因此在将第二气体的流速设为比第一气体的流速更快上更为理想，并且可容易实现设为使第一气体搭载于第二气体的流动而相对于基板S的面内均等地流动的气体的流动。
(f)根据本实施方式，由于将第一喷出口223b设为圆形状，且将第二喷出口225d设为与基板S的表面平行的宽广的横长形状，因此可容易实现设为使第一气体搭载于第二气体的流动而相对于基板S的面内均等地流动的气体的流动。
(g)根据本实施方式，由于多个设置的第一喷出口223b的水平方向的总宽(总计宽度)比多个设置的第二喷出口225d、225f的水平方向的总宽(总计宽度)更窄，因此在将第二气体的流速设为比第一气体的流速更快上更为理想，为了基板S的面内均匀处理而非常有用。
(h)根据本实施方式，由于第一喷出口223b的至少一个与向基板S的放射状喷射对应地配置，因此相较于未对应于该放射状喷射的情况，可扩大第一气体的流动的区域宽。因而，可相对于基板S的面内的整个区域均匀地供给第一气体，在抑制成膜不良上非常有用。
(i)根据本实施方式，由于气体喷嘴220被多段设于多个基板S的积载方向，因此可个别地进行相对于多个基板S各自的气体供给，针对所有多个基板S都可实现面内均匀处理。
(6)变形例等
以上，具体说明了本公开的实施方式，但本公开不被限定于上述的实施方式，可在不脱离其主旨的范围实施各种变更。
在上述的实施方式中，列举多段设置的气体喷嘴220与多个基板S分别个别地对应的情况为例，但本公开不被限于此。即，气体喷嘴220也可按多个基板S的每一个设置一个，或也可相对于多个基板S设置一个。
在上述的实施方式中，列举第二喷出口225d以横长形状构成的情况为例，但本公开不被限于此。即，第二喷出口225d也可以不是横长形状，例如为将圆形状的圆孔在水平方向上排列多个而配置。该情况下，第二喷出口225d优选水平方向的总宽比第一喷出口223b的总宽更宽。
在上述的实施方式中，列举除了横长形状的第二喷出口225d以外，在其两侧设置第二喷出口225f的情况为例，但本公开不被限于此。即，第二喷出口225f不必一定设置，且在设置的情况下也可以在第二喷出口225d的两侧分别设置多个(即两侧合计四个以上)。
在上述的实施方式中，列举在基板处理装置所进行的成膜处理中，在基板S上使用第一气体及第二气体来形成膜的情况为例，但本公开是不被限定于此。即，也可以使用其他种类的气体作为用于成膜处理的处理气体来形成其他种类的薄膜。而且，即使在使用三种以上的处理气体的情况下，只要是供给他们进行成膜处理，便可适用本公开。具体而言，第一元素是例如也可为钛(Ti)、硅(Si)、锆(Zr)、铪(Hf)等各种元素。此外，第二元素是例如也可为氮(N)、氧(O)等。另外，作为第一元素更优选为前述的Si。
在此以HCDS气体为例作为第一气体进行说明，但不限于此，只要含硅且具有Si-Si键即可，例如也可使用二甲基四氯乙硅烷((CH3)2Si2Cl4，简称：TCDMDS)、四甲基乙硅烷((CH3)4Si2Cl2，简称：DCTMDS)。TCDMDS是如图7(b)记载，具有Si-Si键，进一步含有氯基、伸烷基。此外，DCTMDS是如图7(c)记载般，具有Si-Si键，进一步含有氯基、亚烷基。
在上述的实施方式中，列举成膜处理为例，作为基板处理装置所进行的处理，但本公开是不被限定于此。即，本公开只要是向处理对象的基板供给气体而进行的处理即可，除了成膜处理以外，在进行退火处理、扩散处理、氧化处理、氮化处理、光刻(lithography)处理等的其他的基板处理的情况也可适用。进一步，本公开是在其他的基板处理装置，例如退火处理装置、蚀刻装置、氧化处理装置、氮化处理装置、曝光装置、涂布装置、干燥装置、加热装置、利用等离子体的处理装置等的其他的基板处理装置也可适用。此外，本公开也可混在这些装置。此外，也可针对实施方式的结构的一部分实施其他结构的追加、削除、置换。
(7)本公开的优选的方式
以下，附记有关本公开的优选的方式。
(附记1)
本公开的一方式提供一种气体喷嘴，其具备：在基板表面的垂直方向的上方侧喷出第一气体的第一喷出口；以及在所述垂直方向的下方侧喷出第二气体的第二喷出口，其中，
构成为来自所述第二喷出口的第二气体的流速比来自所述第一喷出口的第一气体的流速快。
(附记2)
本公开的一方式提供一种气体喷嘴，其具备：在基板表面的垂直方向的上方侧喷出第一气体的第一喷出口；以及在所述垂直方向的下方侧喷出第二气体的第二喷出口，其中，
构成为所述第一喷出口的所述垂直方向的纵宽比所述第二喷出口的所述垂直方向的纵宽宽。
(附记3)
本公开的一方式提供一种气体喷嘴，其具备：第一气体分支路，其与在基板表面的垂直方向的上方侧喷出第一气体的第一喷出口连通；以及第二气体分支路，其与在所述垂直方向的下方侧喷出第二气体的第二喷出口连通，其中，
构成为所述第一气体分支路的体积比所述第二气体分支路的体积大。
(附记4)
本公开的一方式提供一种气体喷嘴，其具备：第一气体供给流路，其向基板表面的垂直方向的上方侧供给第一气体；以及第二气体供给流路，其向所述垂直方向的下方侧供给第二气体，其中，
构成为所述第一气体供给流路的压力比所述第二气体供给流路的压力低。
(附记5)
在附记1～附记4的任一项中，优选为，
构成为所述第二喷出口的与所述垂直方向的正交方向的横宽比所述第一喷出口的所述正交方向的横宽宽。
(附记6)
在附记1～附记5的任一项中，优选为，
构成为所述第一喷出口呈圆形状，所述第二喷出口呈横长形状。
(附记7)
在附记1～附记6的任一项中，优选为，
所述第一喷出口在水平方向上设有多个，所述第二喷出口在所述水平方向上设有多个，构成为所述第一喷出口的所述水平方向的总宽比所述第二喷出口的所述水平方向的总宽窄。
(附记8)
在附记1～附记7的任一项中，优选为，
与向基板的放射状喷射对应地配置有喷出所述第一气体的至少一个所述第一喷出口。
(附记9)
在附记1～附记8的任一项中，优选为，
所述气体喷嘴被多段地设置在多个所述基板的积载方向上。
(附记10)
本公开的一方式提供一种基板处理装置，其具备：
处理室，其对基板进行处理；以及
气体供给部，其具备在基板表面的垂直方向的上方侧喷出第一气体的第一喷出口、以及在所述垂直方向的下方侧喷出第二气体的第二喷出口，
构成为来自所述第二喷出口的第二气体的流速比来自所述第一喷出口的第一气体的流速快。
(附记11)
在附记10的基板处理装置中，优选为，
构成为所述第二喷出口的与所述垂直方向的正交方向的横宽比所述第一喷出口的所述正交方向的横宽宽。
(附记12)
在附记10或11的基板处理装置中，优选为，
构成为所述第一喷出口呈圆形状，所述第二喷出口呈横长形状。
(附记13)
在附记10～12的任一项的基板处理装置中，优选为，
所述第一喷出口在水平方向上设有多个，所述第二喷出口在所述水平方向上设有多个，构成为所述第一喷出口的所述水平方向的总宽比所述第二喷出口的所述水平方向的总宽窄。
(附记14)
在附记10～13的任一项的基板处理装置中，优选为，
与向基板的放射状喷射对应地配置有喷出所述第一气体的至少一个所述第一喷出口。
(附记15)
在附记10～14的任一项的基板处理装置中，优选为，
具备基板保持部，该基板保持部将多个所述基板保持为多段地积载，
所述气体供给部多段地设置在多个所述基板的积载方向上。
(附记16)
本公开的一方式提供一种半导体装置的制造方法，其具备：
向基板处理装置所具备的处理室搬入基板的工序；以及
对所述基板进行处理的工序，从设置在基板表面的垂直方向的上方侧的第一喷出口喷出第一气体，从设置在所述垂直方向的下方侧的第二喷出口喷出第二气体，并且使来自所述第二喷出口的第二气体的流速比来自所述第一喷出口的第一气体的流速快。
(附记17)
本公开的一方式提供一种程序，其利用计算机使基板处理装置执行以下步骤：
向基板处理装置所具备的处理室搬入基板的步骤；以及
对所述基板进行处理的步骤，从设置在基板表面的垂直方向的上方侧的第一喷出口喷出第一气体，从设置在所述垂直方向的下方侧的第二喷出口喷出第二气体，并且使来自所述第二喷出口的第二气体的流速比来自所述第一喷出口的第一气体的流速快。
符号说明
S—基板；200—基板处理装置；210—反应管；212—气体供给构造；220—气体喷嘴；223—喷嘴；223a—第一气体分支路；223b—第一喷出口；223b、225—喷嘴；225c、225e—第二气体分支路；225d、225f—第二喷出口；300—基板支撑部；600—控制器。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
处理室，其对基板进行处理；以及
气体供给部，其具备在基板表面的垂直方向的上方侧喷出第一气体的第一喷出口、以及在所述垂直方向的下方侧喷出第二气体的第二喷出口，
构成为来自所述第二喷出口的第二气体的流速比来自所述第一喷出口的第一气体的流速快。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
构成为所述第二喷出口的与所述垂直方向的正交方向的横宽比所述第一喷出口的所述正交方向的横宽宽。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
构成为所述第一喷出口呈圆形状，所述第二喷出口呈横长形状。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一喷出口在水平方向上设有多个，所述第二喷出口在所述水平方向上设有多个，构成为所述第一喷出口的所述水平方向的总宽比所述第二喷出口的所述水平方向的总宽窄。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
与向基板的放射状喷射对应地配置有喷出所述第一气体的至少一个所述第一喷出口。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
具备基板保持部，该基板保持部将多个所述基板保持为多段地积载，
所述气体供给部多段地设置在多个所述基板的积载方向上。
7.一种气体喷嘴，其具备：第一喷出口，其在基板表面的垂直方向的上方侧喷出第一气体；以及第二喷出口，其在所述垂直方向的下方侧喷出第二气体，
所述气体喷嘴的特征在于，
构成为来自所述第二喷出口的第二气体的流速比来自所述第一喷出口的第一气体的流速快。
8.一种气体喷嘴，其具备：第一喷出口，其在基板表面的垂直方向的上方侧喷出第一气体；以及第二喷出口，其在所述垂直方向的下方侧喷出第二气体，
所述气体喷嘴的特征在于，
构成为所述第一喷出口的所述垂直方向的纵宽比所述第二喷出口的所述垂直方向的纵宽宽。
9.一种气体喷嘴，其具备：第一气体分支路，其与在基板表面的垂直方向的上方侧喷出第一气体的第一喷出口连通；以及第二气体分支路，其与在所述垂直方向的下方侧喷出第二气体的第二喷出口连通，
所述气体喷嘴的特征在于，
构成为所述第一气体分支路的体积比所述第二气体分支路的体积大。
10.一种气体喷嘴，其具备：第一气体供给流路，其向基板表面的垂直方向的上方侧供给第一气体；以及第二气体供给流路，其向所述垂直方向的下方侧供给第二气体，
所述气体喷嘴的特征在于，
构成为所述第一气体供给流路的压力比所述第二气体供给流路的压力低。
11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
向基板处理装置所具备的处理室搬入基板的工序；以及
对所述基板进行处理的工序，从设置在基板表面的垂直方向的上方侧的第一喷出口喷出第一气体，从设置在所述垂直方向的下方侧的第二喷出口喷出第二气体，并且使来自所述第二喷出口的第二气体的流速比来自所述第一喷出口的第一气体的流速快。
12.一种基板处理方法，其特征在于，具备：
向基板处理装置所具备的处理室搬入基板的工序；以及
对所述基板进行处理的工序，从设置在基板表面的垂直方向的上方侧的第一喷出口喷出第一气体，从设置在所述垂直方向的下方侧的第二喷出口喷出第二气体，并且使来自所述第二喷出口的第二气体的流速比来自所述第一喷出口的第一气体的流速快。
13.一种程序，其特征在于，利用计算机使基板处理装置执行以下步骤：
向基板处理装置所具备的处理室搬入基板的步骤；以及
对所述基板进行处理的步骤，从设置在基板表面的垂直方向的上方侧的第一喷出口喷出第一气体，从设置在所述垂直方向的下方侧的第二喷出口喷出第二气体，并且使来自所述第二喷出口的第二气体的流速比来自所述第一喷出口的第一气体的流速快。
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