CN118311051A - 缺陷检测方法、装置、系统及计算机可读介质 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开的一种缺陷检测方法包括：获取第一样本对应的第一缺陷信息集，以及第二样本对应的第二缺陷信息集；第一缺陷信息集包括与第一样本上多个第一缺陷一一对应的多个第一位置信息；第二缺陷信息集包括与第二样本上的多个第二缺陷一一对应的多个第二位置信息；根据多个第二位置信息确定与多个第一缺陷中的目标第一缺陷对应的目标核对缺陷信息集；目标核对缺陷信息集为第二缺陷信息集的子集；根据目标第一缺陷对应的目标第一位置信息和目标核对缺陷信息集检测多个第二缺陷中与目标第一缺陷在待测工件上的实际位置相同的目标对准第二缺陷。本发明实施例公开的缺陷检测方法能检测单个工艺步骤造成的缺陷变化。

Description

缺陷检测方法、装置、系统及计算机可读介质

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种缺陷检测方法、一种缺陷检测装置、一种缺陷检测系统及一种计算机可读介质。

背景技术

晶圆在制作成芯片的过程中需要经过很多的工艺步骤，当晶圆在其中的一个步骤中出现缺陷时，会直接影响后续该缺陷位置对应的芯片良率，从而影响晶圆或芯片的加工效率。因此需要对晶圆上的缺陷进行检测，然而现有技术中的缺陷检测方法往往只能检测出晶圆在某个工艺步骤之前的所有缺陷，难以检测出仅仅在该工艺步骤中出现的缺陷，不利于提高芯片良率。

因此，亟需提供一种缺陷检测方法，对单个工艺步骤造成的缺陷变化进行有效检测。

发明内容

因此，为克服现有技术中的至少部分缺陷和问题，本发明实施例提供了一种缺陷检测方法、一种缺陷检测装置、一种缺陷检测系统及一种计算机可读介质，能检测出单个工艺步骤造成的缺陷变化。

具体地，一方面，本发明一个实施例提供的一种缺陷检测方法，包括：获取第一样本对应的第一缺陷信息集，以及第二样本对应的第二缺陷信息集；所述第一样本和所述第二样本为待测工件在不同的工艺步骤加工后各自得到的工件样本；所述第一缺陷信息集包括与所述第一样本上多个第一缺陷一一对应的多个第一位置信息；所述第二缺陷信息集包括与所述第二样本上的多个第二缺陷一一对应的多个第二位置信息；根据所述多个第二位置信息确定与所述多个第一缺陷中的目标第一缺陷对应的目标核对缺陷信息集；所述目标核对缺陷信息集为所述第二缺陷信息集的子集；根据所述目标第一缺陷对应的目标第一位置信息和所述目标核对缺陷信息集检测所述多个第二缺陷中与所述目标第一缺陷在所述待测工件上的实际位置相同的目标对准第二缺陷。

在一个实施例中，所述缺陷检测方法还包括：根据分别以每个所述第一缺陷作为所述目标第一缺陷检测的检测结果输出所述待测工件的缺陷标记图像；其中所述检测结果为到所述多个第二缺陷中存在与所述目标第一缺陷对应的所述目标对准第二缺陷，在所述缺陷标记图像中将所述目标对准第二缺陷对应的位置标记为原始缺陷；检测到所述多个第二缺陷中不存在与所述目标第一缺陷对应的所述目标对准第二缺陷，在所述缺陷标记图像中将所述目标第一缺陷标记对应的位置标记为消除缺陷；以及在所述缺陷标记图像中将所述多个第二缺陷中除被标记为所述原始缺陷之外的所述第二缺陷各自对应的位置标记为新增缺陷。

在一个实施例中，所述待测工件包括多个待测晶粒；所述目标第一位置信息包括目标第一晶粒编号信息；所述目标第一晶粒编号信息表示所述目标第一缺陷在所述第一样本上所处的所述待测晶粒的位置；每个所述第二位置信息各自包括第二晶粒编号信息；每个所述第二晶粒编号信息表示与之对应的所述第二缺陷在所述第二样本上所处的所述待测晶粒的位置；所述根据所述多个第二位置信息确定与所述多个第一缺陷中的目标第一缺陷对应的目标核对缺陷信息集，包括：选择所述第二晶粒编号信息与所述目标第一晶粒编号信息相同的所述第二位置信息作为所述目标核对缺陷信息集中的元素。

在一个实施例中，所述目标核对缺陷信息集包括与所述多个第二缺陷中的多个目标核对缺陷一一对应的多个目标核对位置信息；所述目标第一位置信息包括所述目标第一缺陷的坐标信息；每个所述目标核对位置信息包括与之对应的所述目标核对缺陷的坐标信息；所述根据所述目标第一缺陷对应的目标第一位置信息和所述目标核对缺陷信息集检测所述多个第二缺陷中与所述目标第一缺陷在所述待测工件上的实际位置相同的目标对准第二缺陷，包括：确定所述多个目标核对位置信息中的目标计算位置信息；根据所述目标第一位置信息的坐标信息和所述目标计算位置信息的坐标信息计算得到第一计算距离值；所述第一距离值为所述目标计算位置信息对应的所述目标核对缺陷与所述目标第一缺陷之间的距离；根据所述第一计算距离值检测所述多个第二缺陷中的所述目标对准第二缺陷。

在一个实施例中，所述根据所述目标第一缺陷对应的目标第一位置信息和所述目标核对缺陷信息集检测所述多个第二缺陷中与所述目标第一缺陷在所述待测工件上的实际位置相同的目标对准第二缺陷，具体包括：分别以每个所述目标核对位置信息作为所述目标计算位置信息进行计算得到多个第一计算距离；根据所述多个第一计算距离值中的最小距离值小于预设阈值，确定所述最小距离值对应的所述目标核对缺陷为所述目标对准第二缺陷。

在一个实施例中，所述确定所述多个目标核对位置信息中的目标计算位置信息，包括：确定已被检测为所述目标对准第二缺陷的目标核对缺陷为待剔除缺陷；确定所述多个目标核对位置信息中与所述待剔除缺陷对应的待剔除位置信息；选择所述多个目标核对位置信息中除所述待剔除位置信息以外的为所述目标计算位置信息。

另一方面，本发明的另一个实施例提供的一种缺陷检测装置，包括：缺陷信息获取模块，用于获取第一样本对应的第一缺陷信息集，以及第二样本对应的第二缺陷信息集；所述第一样本和所述第二样本为待测工件在不同的工艺步骤加工后各自得到的工件样本；所述第一缺陷信息集包括与所述第一样本上多个第一缺陷一一对应的多个第一位置信息；所述第二缺陷信息集包括与所述第二样本上的多个第二缺陷一一对应的多个第二位置信息；筛选模块，用于根据所述多个第二位置信息确定与所述多个第一缺陷中的目标第一缺陷对应的目标核对缺陷信息集；所述目标核对缺陷信息集为所述第二缺陷信息集的子集；检测模块，用于根据所述目标第一缺陷对应的目标第一位置信息和所述目标核对缺陷信息集检测所述多个第二缺陷中与所述目标第一缺陷在所述待测工件上的实际位置相同的目标对准第二缺陷。

在一个实施例中，所述缺陷检测装置还包括输出标记模块，用于根据分别以每个所述第一缺陷作为所述目标第一缺陷检测的检测结果输出所述待测工件的缺陷标记图像；其中所述检测结果为到所述多个第二缺陷中存在与所述目标第一缺陷对应的所述目标对准第二缺陷，在所述缺陷标记图像中将所述目标对准第二缺陷对应的位置标记为原始缺陷；检测到所述多个第二缺陷中不存在与所述目标第一缺陷对应的所述目标对准第二缺陷，在所述缺陷标记图像中将所述目标第一缺陷标记对应的位置标记为消除缺陷；以及在所述缺陷标记图像中将所述多个第二缺陷中除被标记为所述原始缺陷之外的所述第二缺陷各自对应的位置标记为新增缺陷。

另一方面，本发明的另一个实施例提供的一种缺陷检测系统，包括处理器和连接所述处理器的存储器，所述存储器存储有所述处理器执行的指令，且所述指令使得所述处理器执行操作以进行如前述任意一项实施例所述的缺陷检测方法。

另一方面，本发明的另一个实施例提供的一种计算机可读介质，所述计算机可读介质存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令包括用于执行如前述中任一项所述的缺陷检测方法的指令。

由上可知，本发明上述实施例可以达成以下一个或多个有益效果：通过分别获取待测工件在不同工艺步骤加工后得到的第一样本和第二样本各自对应的第一缺陷信息集和第二缺陷信息集，来检测与目标第一曲线在待测工件上的实际位置相同的目标对准第二缺陷。当分别以每个第一缺陷各自作为目标第一缺陷时，可以检测出第二样本相对于第一样本上所有的不变的缺陷，从而也可以检测出所有变化的缺陷，以此来判断出在第二样本对应的工艺步骤造成的缺陷变化。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一个实施例提供的缺陷检测方法的流程示意图。

图2为本发明一个实施例提供的缺陷检测装置的结构示意图。

图3为本发明一个实施例提供的缺陷检测装系统的结构示意图。

图4为本发明一个实施例提供的计算机可读介质的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

为了使本领域普通技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。

还需要说明的是，本发明中多个实施例的划分仅是为了描述的方便，不应构成特别的限定，各种实施例中的特征在不矛盾的情况下可以相结合，相互引用。

【第一实施例】

如图1所示，本发明第一实施例提供了一种缺陷检测方法，包括步骤S11～S13。

S11：获取第一样本对应的第一缺陷信息集，以及第二样本对应的第二缺陷信息集；所述第一样本和所述第二样本为待测工件在不同的工艺步骤加工后各自得到的工件样本；所述第一缺陷信息集包括与所述第一样本上多个第一缺陷一一对应的多个第一位置信息；所述第二缺陷信息集包括与所述第二样本上的多个第二缺陷一一对应的多个第二位置信息；

S12：根据所述多个第二位置信息确定与所述多个第一缺陷中的目标第一缺陷对应的目标核对缺陷信息集；所述目标核对缺陷信息集为所述第二缺陷信息集的子集；

S13：根据所述目标第一缺陷对应的目标第一位置信息和所述目标核对缺陷信息集检测所述多个第二缺陷中与所述目标第一缺陷在所述待测工件上的实际位置相同的目标对准第二缺陷。

其中，步骤S11中所述的第一样本可以是待测工件在任意一个加工步骤加工后得到的工件样本，该加工步骤可以称为第一工艺步骤，待测工件例如为晶圆，第一样本可以记为wafer1。则第二样本是待测工件经过与第一工艺步骤之后的工艺步骤加工后得到的工件样本，该工艺步骤可以称为第二工艺步骤，第二样本可以记为wafer2。即可以理解为wafer1经第二工艺步骤加工成为wafer2，wafer1和wafer2是同一个待测工件，仅仅是不同的工艺步骤的产物，因此其上的缺陷会有所差异。其中wafer2上的多个第二缺陷中有部分是与wafer1上的多个第一缺陷的实际位置相同的，这些缺陷是在第一工艺步骤之前就已经产生，在第二工艺步骤中未发生变化的。wafer2上的多个第二缺陷中还有部分是在第一工艺步骤之前没有，在第二工艺步骤中才产生的可以称这些为新增的缺陷。wafer1上的多个第一缺陷中还有部分是在第一工艺步骤中存在，在第二工艺步骤中消除的，可以称这些为消除的缺陷。

由于一个工件样本上的缺陷数量极大，每次缺陷检测过程中晶圆的位置有所偏差因此仅通过单独对wafer1和wafer2进行缺陷检测并不能判断出哪些缺陷是第二工艺步骤中没有变化的缺陷、哪些是新增的缺陷、哪些是消除的缺陷。本实施例提出的方案为分别采集wafer1和wafer2的缺陷信息集，根据第一缺陷信息集和第二缺陷信息集进行上述步骤S11～S13的缺陷检测方法，可以检测出多个第二缺陷中是否存在与目标第一缺陷的实际位置相同的目标对准第二缺陷。分别以多个第一缺陷中的每个第一缺陷作为目标第一缺陷，即可以检测出第二样本相对于第一样本上所有的不变的缺陷，从而也可以检测出所有变化的缺陷，以此来判断出在第二样本对应的工艺步骤造成的缺陷变化。为了表述方便，在分别以多个第一缺陷依次作为目标第一缺陷进行检测的过程中，以“当前的目标第一缺陷”和“上一次的目标第一缺陷”、“之前的目标第一缺陷”等作为不同检测过程的区分。

更进一步的，缺陷检测方法例如还可以包括步骤S14：根据分别以每个所述第一缺陷作为所述目标第一缺陷检测的检测结果输出所述待测工件的缺陷标记图像；其中所述检测结果为到所述多个第二缺陷中存在与所述目标第一缺陷对应的所述目标对准第二缺陷，在所述缺陷标记图像中将所述目标对准第二缺陷对应的位置标记为原始缺陷；检测到所述多个第二缺陷中不存在与所述目标第一缺陷对应的所述目标对准第二缺陷，在所述缺陷标记图像中将所述目标第一缺陷标记对应的位置标记为消除缺陷；以及在所述缺陷标记图像中将所述多个第二缺陷中除被标记为所述原始缺陷之外的所述第二缺陷各自对应的位置标记为新增缺陷。

例如wafer1上包括n个第一缺陷Q1，wafer2上包括m个第二缺陷Q2，n和m都为正整数，可以相等也可以不相等。例如以n个第一缺陷中的第i个第一缺陷Q1_i为目标第一缺陷，若检测到m个第二缺陷中的第j个第二缺陷Q2_j为与Q1_i对应的目标对准第二缺陷，则在缺陷标记图像中将Q2_j(或者Q1_i)对应的缺陷位置标记为原始缺陷。若检测到m个第二缺陷中没有与Q1_i对应的目标对准第二缺陷，则在缺陷标记图像中将Q1_i对应的位置标记为消除缺陷。依次检测完所有的第一缺陷后，例如有k个第二缺陷被标记为原始缺陷，则剩余的m-k个第二缺陷对应的位置被标记为新增缺陷。通过缺陷标记图像，可以直观的判断出由于第二工艺步骤造成的缺陷的增加或减少的位置。

其中，第一缺陷信息集例如包括多个第一缺陷的总数量信息，还包括与多个第一缺陷一一对应的多个第一缺陷信息，每个第一缺陷信息中则包括表示对应的第一缺陷所在位置的第一位置信息、表示对应的第一缺陷的形状大小的尺寸信息等等。同理第二缺陷信息集例如包括多个第二缺陷的总数量信息，还包括多个第二缺陷一一对应的多个第二缺陷信息，每个第二缺陷信息中则包括对应的第二缺陷所在位置的第二位置信息、表示对应的第二缺陷的形状大小的尺寸信息等等。更具体地，待测工件包括多个待测晶粒。每个第一位置信息各自包括第一晶粒编号信息。第一晶粒编号信息表示与之对应的第一缺陷在第一样本上所处的待测晶粒的位置。目标第一位置信息包括目标第一晶粒编号信息。目标第一晶粒编号信息表示目标第一缺陷在第一样本上所处的待测晶粒的位置。每个第二位置信息各自包括第二晶粒编号信息。每个第二晶粒编号信息表示与之对应的第二缺陷在第二样本上所处的待测晶粒的位置。当一个第二位置信息的第二晶粒编号信息与一个第一位置信息的第一晶粒编号信息相同时，说明该第一缺陷和该第二缺陷所处的待测晶粒为同一个待测晶粒。更具体地，每个第一位置信息各自还包括其对应的第一缺陷的坐标信息，每个第二位置信息各自还包括其对应的第二缺陷的坐标信息。目标第一位置信息包括目标第一缺陷的坐标信息。第一缺陷信息集和第二缺陷信息集例如预先通过常规的缺陷检测设备检测并存储在存储器中，执行本实施例提供的缺陷检测方法时从存储器中读取即可。

举例而言，第一缺陷信息或者第二缺陷信息例如均可以表示为(X坐标，Y坐标，X方向缺陷大小，Y方向缺陷大小，晶粒编号信息)。其中晶粒编号信息例如可以按照待测晶粒在待测工件上相对坐标的形式(例如第几行第几列)，或者是待测晶粒对应的编号等，只要能表示待测晶粒在待测工件上的位置即可。其中X坐标和Y坐标为缺陷在其所处的待测晶粒上的相对坐标。

更进一步地，步骤S12具体包括：

步骤S121：选择第二晶粒编号信息与目标第一晶粒编号信息相同的第二位置信息作为目标核对缺陷信息集中的元素。

即，在步骤S121中选出与目标第一缺陷位于同一个待测晶粒上的第二缺陷对应的第二位置信息。当不存在第二晶粒编号信息与目标第一晶粒编号信息相同的第二位置信息时，则目标核对缺陷信息集为空集。例如当目标核对缺陷信息集为空集时，在步骤S13中可以直接确定检测结果为多个第二缺陷中不存在与该目标第一缺陷在待测工件上实际位置相同的目标第二对准缺陷。步骤S14中可以将该目标第一缺陷标记对应的位置标记为消除缺陷。表示在第二工艺步骤中消除了该目标第一缺陷。当只有一个第二位置信息的第二晶粒编号信息与目标第一编号晶粒相同时，则目标核对缺陷信息集中包括一个第二位置信息。当有多个第二位置信息的第二晶粒编号信息与目标第一编号晶粒相同时，则目标核对缺陷信息集中包括多个第二位置信息。对于目标核对缺陷信息集中包括一个或者多个第二位置信息时，在步骤S13中需要进一步的处理来选出目标第二对准缺陷。以目标核对缺陷信息集中包括多个第二位置信息为例，将这些第二晶粒编号信息与目标第一晶粒编号信息相同的第二位置信息称为目标核对位置信息，将目标核对位置信息对应的第二缺陷称为目标核对缺陷。即目标核对缺陷信息集包括与多个第二缺陷中的多个目标核对缺陷一一对应的多个目标核对位置信息。其中每个目标核对位置信息包括与之对应的目标核对缺陷的坐标信息。

步骤S13例如具体包括：

步骤S131：确定多个目标核对位置信息中的目标计算位置信息；

步骤S132：根据目标第一位置信息的坐标信息和目标计算位置信息的坐标信息计算得到第一计算距离值；第一距离值为目标计算位置信息对应的目标核对缺陷与目标第一缺陷之间的距离；

步骤S133：根据第一计算距离值检测多个第二缺陷中的目标对准第二缺陷。

步骤S13具体可以有两种实施方式，例如对于任意一个第一缺陷作为目标第一缺陷而言，都可以在步骤S131中将每个目标核对位置信息都作为目标计算位置信息，并在步骤S132中进行计算得到多个第一计算距离值。在步骤S133中则根据多个第一计算距离值中的最小距离值小于预设阈值，确定最小距离值对应的目标核对缺陷为目标对准第二缺陷。若该最小距离值不小于预设阈值，则确定多个第二缺陷中不存在当前的目标第一缺陷对应得目标对准第二缺陷。其中第一距离值为绝对值。

在分别以每个第一缺陷依次作为目标第一缺陷进行检测的过程中，由于多个目标核对缺陷中可能有一个或者几个目标核对缺陷在之前的检测步骤中已经被确定为一个目标对准第二缺陷，因此，可以不再对这些已经确定为目标对准第二缺陷的目标核对缺陷进行计算。因此在另一种实施方式中，步骤S131具体可以包括：确定已被检测为所述目标对准第二缺陷的目标核对缺陷为待剔除缺陷；确定所述多个目标核对位置信息中与所述待剔除缺陷对应的待剔除位置信息；选择所述多个目标核对位置信息中除所述待剔除位置信息以外的为所述目标计算位置信息。可以减少判断步骤。

参照前述目标核对缺陷信息集中包括多个第二位置信息的实施例，目标核对缺陷信息集中只包括一个第二缺陷信息(称为目标核对位置信息)时。可根据该一个目标核对位置信息和目标第一位置信息计算第一计算距离值，判断该第一计算距离值小于预设阈值时，将该目标核对位置信息对应的第二缺陷确定为目标对准第二缺陷。若该一个目标核对位置信息对应的第二缺陷已经在之前的目标第一缺陷检测时被确定为目标对准第二缺陷，则无需计算可以直接确定当前的目标第一缺陷不存在目标对准第二缺陷。

为了表述方便，例如以其中一个待测晶粒为例，位于该待测晶粒的第一缺陷有A、B、D、E共四个，位于该待测晶粒的第二缺陷有a、b、c、d、f共5个。以A为目标第一缺陷时，在步骤S12中，根据a、b、c、d、f各自对应的第二位置信息的第二晶粒编号信息均与A对应的目标第一晶粒编号信息相同，a、b、c、d、f均为目标核对缺陷信息集中的元素，即a、b、c、d、f各自对应的第二位置信息均为目标核对位置信息。在步骤S13中分别计算A到a、b、c、d、f的距离得到5个第一计算距离值，例如将这5个第一计算距离值分别记为A-a、A-b、A-c、A-d、A-f。其中A-a为最小距离值，且小于预设阈值。确定a为A对应的目标对准第二缺陷。再以B为目标第一缺陷，此过程中成B为当前的目标第一缺陷，A为上一次的目标第一缺陷。在步骤S13中分别计算B到a、b、c、d、f的距离，得到5个第一计算距离，例如记为B-a、B-b、B-c、B-d、B-f，其中B-b为最小距离值且小于预设阈值。确定b为B对应的目标对准第二缺陷。当然，由于a在上一次检测时已经被确认为时上一次目标第一缺陷A对应的目标对准第二缺陷，因此本次计算中可以将a确定为剔除缺陷，剔除a对应的目标核对位置信息，只计算B-b、B-c、B-d、B-f即可，可以减少计算量。依次类推，当以D为目标第一缺陷时，则可以只计算D-c、D-d、D-f，例如D-d为最小值，则确定d为D对应的目标对准第二缺陷。以E为目标第一缺陷时可以只计算E-c、E-f。例如E-c为最小距离值但不小于预设阈值，则确定第二缺陷中没有与E对应的目标对准第二缺陷。根据前述检测结果可以在待测工件的缺陷标记图像中将A(a)、B(b)、D(d)标记为原始缺陷，E标记为消除缺陷，c和f标记为新增缺陷。当然，以上仅为举例说明，本实施例并不限制于此。

【第二实施例】

本发明的第二实施例提供了一种缺陷检测装置100，用于执行前述第一实施例提供的缺陷检测方法。参照图2，缺陷检测装置100包括缺陷信息获取模块101、筛选模块102和检测模块103。其中缺陷信息获取模块101用于执行前述步骤S11，筛选模块102用于执行步骤S12，检测模块103用于执行前述步骤S13。更具体地缺陷检测装置100还可以包括输出标记模块，用于执行前述步骤S14。

关于缺陷检测方法的详细流程和具体细节请参考前述第一实施例的描述，在此不再赘述。本发明第二实施例提供的缺陷检测装置的技术效果与前述第一实施例中的缺陷检测方法的技术效果相同，在此不再赘述。

【第三实施例】

本发明的第三实施例提供的一种缺陷检测系统200，例如包括处理器201和电连接处理器201的存储器202，存储器202存储有处理器201执行的指令，所述指令使得处理器201执行操作以进行前述第一实施例中任意一种缺陷检测方法。

本发明第三实施例提供的缺陷检测系统200的功能和技术效果可参考前述第一实施例中的缺陷检测方法的相关描述，在此不再赘述。

【第四实施例】

本发明的第四实施例提供了一种计算机可读介质500，计算机可读介质500存储有计算机可读指令501，计算机可读指令501包括用于执行前述第一实施例中任意一种缺陷检测方法的指令。

本发明第四实施例提供的计算机可读介质500的功能和技术效果可参考与前述第一实施例中的缺陷检测方法的技术效果，在此不再赘述。

需要说明的是，在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和/或方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元/模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多路单元或模块可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元/模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元/模块显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多路网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元/模块来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元/模块可以集成在一个处理单元/模块中，也可以是各个单元/模块单独物理存在，也可以两个或两个以上单元/模块集成在一个单元/模块中。上述集成的单元/模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元/模块的形式实现。

上述以软件功能单元/模块的形式实现的集成的单元/模块，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。上述软件功能单元存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)的一个或多个处理器执行本发明各个实施例所述方法的部分步骤。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括：

获取第一样本对应的第一缺陷信息集，以及第二样本对应的第二缺陷信息集；所述第一样本和所述第二样本为待测工件在不同的工艺步骤加工后各自得到的工件样本；所述第一缺陷信息集包括与所述第一样本上多个第一缺陷一一对应的多个第一位置信息；所述第二缺陷信息集包括与所述第二样本上的多个第二缺陷一一对应的多个第二位置信息；

根据所述多个第二位置信息确定与所述多个第一缺陷中的目标第一缺陷对应的目标核对缺陷信息集；所述目标核对缺陷信息集为所述第二缺陷信息集的子集；

根据所述目标第一缺陷对应的目标第一位置信息和所述目标核对缺陷信息集检测所述多个第二缺陷中与所述目标第一缺陷在所述待测工件上的实际位置相同的目标对准第二缺陷。

2.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，还包括：

根据分别以每个所述第一缺陷作为所述目标第一缺陷检测的检测结果输出所述待测工件的缺陷标记图像；其中检测到所述多个第二缺陷中存在与所述目标第一缺陷对应的所述目标对准第二缺陷，在所述缺陷标记图像中将所述目标对准第二缺陷对应的位置标记为原始缺陷；检测到所述多个第二缺陷中不存在与所述目标第一缺陷对应的所述目标对准第二缺陷，在所述缺陷标记图像中将所述目标第一缺陷标记对应的位置标记为消除缺陷；以及在所述缺陷标记图像中将所述多个第二缺陷中除被标记为所述原始缺陷与所述消除缺陷之外的所述第二缺陷各自对应的位置标记为新增缺陷。

3.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述待测工件包括多个待测晶粒；所述目标第一位置信息包括目标第一晶粒编号信息；所述目标第一晶粒编号信息表示所述目标第一缺陷在所述第一样本上所处的所述待测晶粒的位置；每个所述第二位置信息各自包括第二晶粒编号信息；每个所述第二晶粒编号信息表示与之对应的所述第二缺陷在所述第二样本上所处的所述待测晶粒的位置；

所述根据所述多个第二位置信息确定与所述多个第一缺陷中的目标第一缺陷对应的目标核对缺陷信息集，包括：

选择所述第二晶粒编号信息与所述目标第一晶粒编号信息相同的所述第二位置信息作为所述目标核对缺陷信息集中的元素。

4.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述目标核对缺陷信息集包括与所述多个第二缺陷中的多个目标核对缺陷一一对应的多个目标核对位置信息；所述目标第一位置信息包括所述目标第一缺陷的坐标信息；每个所述目标核对位置信息包括与之对应的所述目标核对缺陷的坐标信息；

所述根据所述目标第一缺陷对应的目标第一位置信息和所述目标核对缺陷信息集检测所述多个第二缺陷中与所述目标第一缺陷在所述待测工件上的实际位置相同的目标对准第二缺陷，包括：

确定所述多个目标核对位置信息中的目标计算位置信息；

根据所述目标第一位置信息的坐标信息和所述目标计算位置信息的坐标信息计算得到第一计算距离值；所述第一距离值为所述目标计算位置信息对应的所述目标核对缺陷与所述目标第一缺陷之间的距离；

根据所述第一计算距离值检测所述多个第二缺陷中的所述目标对准第二缺陷。

5.如权利要求4所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述根据所述目标第一缺陷对应的目标第一位置信息和所述目标核对缺陷信息集检测所述多个第二缺陷中与所述目标第一缺陷在所述待测工件上的实际位置相同的目标对准第二缺陷，具体包括：

分别以每个所述目标核对位置信息作为所述目标计算位置信息进行计算得到多个第一计算距离；

根据所述多个第一计算距离值中的最小距离值小于预设阈值，确定所述最小距离值对应的所述目标核对缺陷为所述目标对准第二缺陷。

6.如权利要求4所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述确定所述多个目标核对位置信息中的目标计算位置信息，包括：

确定已被检测为所述目标对准第二缺陷的目标核对缺陷为待剔除缺陷；

确定所述多个目标核对位置信息中与所述待剔除缺陷对应的待剔除位置信息；选择所述多个目标核对位置信息中除所述待剔除位置信息以外的为所述目标计算位置信息。

7.一种缺陷检测装置，其特征在于，包括：

缺陷信息获取模块，用于获取第一样本对应的第一缺陷信息集，以及第二样本对应的第二缺陷信息集；所述第一样本和所述第二样本为待测工件在不同的工艺步骤加工后各自得到的工件样本；所述第一缺陷信息集包括与所述第一样本上多个第一缺陷一一对应的多个第一位置信息；所述第二缺陷信息集包括与所述第二样本上的多个第二缺陷一一对应的多个第二位置信息；

筛选模块，用于根据所述多个第二位置信息确定与所述多个第一缺陷中的目标第一缺陷对应的目标核对缺陷信息集；所述目标核对缺陷信息集为所述第二缺陷信息集的子集；

检测模块，用于根据所述目标第一缺陷对应的目标第一位置信息和所述目标核对缺陷信息集检测所述多个第二缺陷中与所述目标第一缺陷在所述待测工件上的实际位置相同的目标对准第二缺陷。

8.如权利要求7所述的缺陷检测装置，其特征在于，还包括输出标记模块，用于根据分别以每个所述第一缺陷作为所述目标第一缺陷检测的检测结果输出所述待测工件的缺陷标记图像；其中所述检测结果为到所述多个第二缺陷中存在与所述目标第一缺陷对应的所述目标对准第二缺陷，在所述缺陷标记图像中将所述目标对准第二缺陷对应的位置标记为原始缺陷；检测到所述多个第二缺陷中不存在与所述目标第一缺陷对应的所述目标对准第二缺陷，在所述缺陷标记图像中将所述目标第一缺陷标记对应的位置标记为消除缺陷；以及在所述缺陷标记图像中将所述多个第二缺陷中除被标记为所述原始缺陷之外的所述第二缺陷各自对应的位置标记为新增缺陷。

9.一种缺陷检测系统，其特征在于，包括处理器和连接所述处理器的存储器，所述存储器存储有所述处理器执行的指令，且所述指令使得所述处理器执行操作以进行如权利要求1-6中任一项所述的缺陷检测方法。

10.一种计算机可读介质，所述计算机可读介质存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令包括用于执行如权利要求1-6中任一项所述的缺陷检测方法的指令。