CN1180519C - 半导体激光器及其制造方法和应用此激光器的光拾取器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种半导体激光器，将半导体激光芯片置于管座上，以使带有主辐射侧的发光点的半导体激光芯片的端面从管座顶部边缘或者辅安装座顶部边缘突出，以便不遮挡半导体的发光点。模片粘接导电胶用于粘接半导体激光芯片。在管座顶部边缘或者辅安装座顶部边设有倒角或者圆角。而且，光拾取器至少包含本半导体激光器、一个衍射光栅、一个光检测器、一个聚光透镜和一个物镜。本发明还涉及半导体激光器的制造方法以及采用此半导体激光器的光拾取器。

Description

半导体激光器及其制造方法和应用此激光器的光拾取器

技术领域

本发明涉及一种半导体激光器，尤其是一种半导体激光器芯片的安装结构和制造方法及应用该装置的光拾取器。

背景技术

现有技术的半导体激光器如图6-9所示，一种现有技术的半导体激光器制造方法的模片粘接过程如图10A和10B所示。

在图6所示的现有半导体激光器中，半导体芯片50通过金属钎焊材料52(如焊料或类似物)焊接在位于管座51端部顶部51a的指定位置上。半导体激光芯片50由金属钎焊材料52固定在该芯片将进行模片粘接的位置上。因此，在该粘接步骤中，半导体芯片需要通过弹簧筒夹(未画出)或者类似装置固定，以使芯片不能移动。在图6中，半导体激光器发射光束的光轴55是连接主辐射侧的发光点53和监视器侧的发光点54的光轴。

前述的引用文献，例如日本特许公开昭63-138794号和日本特许公开平5-291696号，其中的每一方案都是利用金属钎焊材料(如金锡合金或类似物)，并且注意了半导体芯片的尺寸和安装的突起部分(或顶部)的尺寸。将参照图7和图8进行描述这些装置。

参照图7，现有半导体激光器60是通过下述工艺得到的：通过台面蚀刻硅形成一个安装座63、通过金锡合金焊料64把一个有源层62面对安装的一侧的半导体激光元件61模片粘接到安装座63的突起部分上，然后把一条金线66连接到半导体激光元件61上。在安装座63的底部配置热辐射板65。

如图7所示，半导体激光元件61和安装座63在半导体激光元件61的周边部分不互相接触。因此，在半导体激光元件61的模片粘接阶段，金锡合金焊料64在安装座63突起部分的上表面上溢出，它停留在安装座63突起部分的周围，并不会升到半导体激光元件61的侧表面上。

图8为另一现有技术半导体激光器70的剖视图。半导体激光器70有一激光芯片71和一散热器72。散热器72设有梯形截面形状的突起80，该突起80的上表面比激光芯片71的下表面稍小，并有一平的安装表面72a。激光芯片71安装在突起80的上表面上，即，通过钎焊材料73焊接在安装表面72a上。

这种半导体激光器70的制造步骤包括：在突起8上表面涂敷低熔点的钎焊材料73(例如铟)，使其加热熔融(温度300℃)，冷却后，在突起80上固定激光芯片71。

如上所述，激光芯片71依靠钎焊材料73直接模片粘接在散热器72的突起80上，而不用插入辅安装座。因此，能以低成本生产半导体激光器。当加热熔融时，钎焊材料73随着在突起80的表面上的流动而被激光芯片71压出散热器72的安装表面72a，但是不升到激光芯片71的侧表面上。因此，甚至当为了使发光点74靠近散热器72而使盖层75变薄时，也可以防止激光束L反射发散或者受到钎焊材料73局部地阻碍，从而改进了激光器的辐射特性。

在近些年，需要通过价值工程学(VE)或者类似方式改进半导体激光器的制造方法，以提高其安装效率，减少工艺步骤和所用机械的数量。从这一观点出发，现有的半导体激光器存在许多问题，如对金属钎焊材料(金锡合金焊料或低融点钎焊材料铟)进行加热和冷却循环需要很长时间，并且金属钎焊材料的成本高。

作为对改进程度的衡量，图9示出了这种半导体激光器。图9中示出了半导体激光芯片50，管座51，管座的顶部51a，主辐射侧的发光点53，监视器侧的发光点54和连接主辐射侧的发光点与监视器侧的发光点的半导体激光器发射光光轴55。在图9所示的半导体激光器中，半导体激光芯片50是用模片粘接导电胶56替代金属钎焊材料52进行模片粘接的。如果利用模片粘接导电胶56，那么材料的成本较低，并且粘接剂的加热和固化可在模片粘接后进行。因此，如果使用模片粘接导电胶56，则在半导体激光器的粘接位置上不需要进行加热和冷却或者不需要其它粘接装置。这样能够减少模片粘接过程的时间，以及减少模片粘接场所(即粘接装置)所占用的时间。模片粘接的半导体激光器要移动到其它位置，进行加热和冷却的过程。

图10A和10B示出了上述现有半导体激光器制造方法中模片粘接过程。在图10A中，注射器针头的针尖57向正下方58A移动，将指定的微量模片粘接导电胶56从分配器注射器针头的针尖57喷出。模片粘接导电胶56通过向下移动的注射器针头涂敷在管座51顶部51a的指定位置上，然后，使注射器针头的针尖57向上方58B移动，移开注射器针头，如图10B所示。随后，把半导体激光器芯片50置于模片粘接导电胶56的涂层上。

半导体激光芯片50的尺寸大约0.2mm²，光发射点位于距半导体激光芯片50的下表面约0.05mm处。另一方面，注射器针头的针尖57的直径约为0.3mm。注射器针头的针尖57最好很小。可是，为使可靠地涂敷指定量的模片粘接导电胶56，针尖的尺寸不能小于0.3mm的直径。

因此，由于注射器针尖直径的尺寸实际上是0.3mm，半导体激光芯片50的尺寸是0.2mm²，所以模片粘接导电胶56的涂敷区域大于半导体激光芯片50。

但是，在上述现有半导体激光装置中，从半导体激光芯片50的下表面挤出的模片粘接导电胶56的厚度达到约0.05mm，该厚度与模片粘接导电胶的黏度有关。另一方面，半导体激光器件芯片50光发射点在距半导体激光芯片50的下表面约0.05mm的高度处。因此，当半导体激光芯片50是靠模片粘接导电胶56粘接时，模片粘接导电胶56就会升到半导体激光芯片50的端面和侧面，如图9所示。这容易造成主辐射侧的发光点53和监视器侧的发光点54被遮挡的不利问题。另外，近来已把半导体激光器开发应用在例如光盘的光拾取器上，并且把具有光输出功率不小于50mW的高输出功率的激光器逐渐应用在可抹去信息的光拾取器中。但是，随着光拾取器的不同，特别是采用三光束系统的光拾取器，在光拾取器的芯片表面、管座表面和类似的表面反射的副光束的反射光产生坏的影响。因此，急需排除这种反射光的不利影响。

发明内容

由此，本发明的目的是提供一种半导体激光器，它使模片粘接导电胶既不遮挡主辐射侧的发光点也不遮挡监视侧的发光点，并消除了光拾取器的反射光所造成的不利影响，还提供该器件的制造方法和应用本器件的光拾取器。

为达到上述目的，本发明提供一种半导体激光器，其具有一半导体激光器芯片，该半导体激光器芯片按以下这种方式置于管座上，使得主辐射侧的发光点端面处于其上的半导体激光芯片的一个端面从管座顶部边缘或从管座上的辅安装座顶部边缘伸出，以防止遮挡半导体激光器的发光点，并且其中模片粘接导电胶作为半导体激光芯片的模片粘接用的粘接剂，在管座顶部边缘或者在设于管座的辅安装座顶部边缘形成倒角或者圆角。

于是，能够获得高可靠性和高生产率的半导体激光器，其中在模片粘接步骤中粘接剂不再从管座端面和半导体激光芯片的侧面溢出，并且不会发生主辐射侧的发光点和监视侧的发光点被遮挡的问题。

在本发明的一个实施例中，在半导体激光芯片的后表面上涂敷模片粘接导电胶，放置半导体激光芯片，使其从管座顶部边缘或从管座上的辅安装座顶部边缘伸出。

于是，在模片粘接过程中，在半导体激光芯片的后表面上涂敷粘接剂，该模片粘接导电胶可以刚性支撑和保护半导体激光芯片，使得半导体激光芯片从管座顶部边缘或从管座上的辅安装座顶部边缘伸出。因此，可获得可靠性高的半导体激光器。

在本发明的实施例中，可在管座或者设在管座上的辅安装座顶部边缘形成倒角或者圆角。

按照上述实施例，由于形成了倒角或圆角，模片粘接导电胶不再从半导体激光芯片端面和侧面溢出，而使主辐射侧的发光点和监视器侧的发光点被遮挡的问题不再发生。另外，落在倒角或者类似部分上的模片粘接导电胶难以反射光，防止了半导体激光器由于反射光的反射造成的缺陷，并能够获得具有反射光容差裕度且可靠性高的半导体激光器。

在本发明的实施例中，半导体激光芯片的发光点距半导体激光芯片的模片粘接表面约0.03mm或更高。

于是，由于所设置的半导体激光芯片发光点的高度为0.03mm或更高，所以能够获得高可靠性和高生产效率的半导体激光芯片，其模片粘接导电胶不会从半导体激光芯片的端面和侧面溢出，使主辐射侧的发光点和监视器侧的发光点被遮挡的问题不再发生。

本发明提供一种由上述半导体激光器、衍射光栅和光检测器构成的光拾取器。

利用本发明的半导体激光器可获得半导体激光器反射光影响小的光拾取器。

本发明提供一种制造上述半导体激光器的方法，包括a)提供一管座，其中，在管座顶部边缘或者在设于管座的一辅安装座顶部边缘形成倒角或者圆角；b)将一个注射器针头放置在合适的位置上，以使当模片粘接导电胶从分配器注射器针头的尖端喷出进行涂敷时，该注射器针头的针尖从管座顶部边缘或者从设在管座上的辅安装座顶部边缘局部地伸出；c)将半导体激光芯片以这样的方式放置在管座上，使设有主辐射侧的发光点的半导体激光芯片的端面从管座顶部边缘或者辅安装座顶部边缘伸出，以便不会遮挡半导体的发光点。

按照制造半导体激光装置的方法，在模片粘接的步骤中，粘接剂不再从半导体激光芯片的端面和侧面溢出，使主辐射侧的发光点和监视器侧的发光点被遮挡的问题不再发生。因此，能获得可靠性高的半导体激光器。

另外，利用模片粘接导电胶作为半导体激光芯片的模片粘接粘接剂时，该材料的成本比金属钎焊材料或类似的材料的成本有所降低。另外，模片粘接导电胶的加热和固化可以在模片粘接后进行。这就意味着对于所述粘接位置或者所需模片粘接的装置既不需加热也不要冷却。这能够减少模片粘接过程的时间和粘接场所(粘接装置)所占用的时间。结果能获得低成本高可靠性高生产率的半导体激光器及其制造方法。

附图说明

通过以下的详细描述和所提供的仅用于举例示意的附图，可以更为全面地理解本发明，因此，它们不作为对本发明的限定，其中：

图1A和1B是根据本发明半导体激光器第一实施例的说明图，其中图1A是在顶部的端部设有倒角的示意图，图1B是在顶部的端部设有圆角的示意图；

图2A、2B和2C是本发明半导体激光器第一实施例制造方法模片粘接过程的说明图，其中图2A是模片粘接过程第一步的说明图，图2B是模片粘接过程第二步的说明图，图2C是模片粘接过程第三步的说明图；

图3是本发明半导体激光器第二实施例的说明图；

图4A和4B是本发明半导体激光器第二实施例制造方法模片粘接过程的说明图，其中图4A是模片粘接过程第一步的说明图，图4B是模片粘接过程第二步的说明图；

图5是根据本发明第三实施例光拾取器的说明图；

图6是现有半导体激光器的说明图；

图7是现有半导体激光器的说明图；

图8是现有半导体激光器的说明图；

图9是现有半导体激光器的说明图；

图10A和10B是现有半导体激光器制造方法的说明图，其中图10A和10B是现有半导体激光器制造方法的模片粘接过程的说明图。

具体实施方式

图1到图5示出了与本发明实施例相应的半导体激光器，图1A和1B是根据本发明第一实施例半导体激光器的说明图。图2A，2B和2C是本发明第一实施例半导体激光器制造方法模片粘接过程的说明图。图3是根据本发明半导体激光器第二实施例的说明图。图4A和4B是本发明第二实施例半导体激光器制造方法模片粘接过程的说明图。图5是根据本发明第一实施例半导体激光器和具有衍射光栅和光检测器的光拾取器的图。

在图1A中示出了半导体激光芯片10，管座11，管座的顶部11a，设在管座端部顶部处的倒角12a，模片粘接导电胶14，流到倒角12a上的模片粘接导电胶15a，主辐射侧的发光点16，监视侧的发光点17和连接主辐射侧的发光点及监视侧的发光点的发射光光轴18。

在图1B中示出了在管座端部顶部处设有一圆角12b和流到圆角12b上的模片粘接导电胶15a。其他构成元件与图1A相同，因而不再描述。

参照图1A和1B，半导体激光器的管座11由铁基或者铜基的金属合金的母料形成，并且管座11具有经过镀金处理或类似处理的承载表面。如图1A和1B所示，其顶部边缘有一倒角12a或者圆角(具有半径为R)12b。

如图1A所示，倒角12a设在管座11的顶部11a处，粘接半导体激光芯片10，使它从顶部11a的端部伸出。在这样的布置下，当半导体激光芯片10通过模片粘接导电胶14与管座粘接时，多余的模片粘接导电胶15a流到倒角12a上。因此，模片粘接导电胶15a不会升到位于半导体激光芯片10端面的主辐射侧的发光点16和监视侧的发光点17的水平线以上。因此，模片粘接导电胶14既不会遮挡半导体激光芯片10主辐射侧的发光点16也不会遮挡半导体激光芯片10监视侧的发光点17。

如上所述，模片粘接导电胶14在既不会遮挡半导体激光芯片10主辐射侧的发光点16也不会遮挡半导体激光芯片10监视器侧的发光点17的状态下，支撑并保护半导体激光芯片10的后表面。因此，能获得可靠性高的半导体激光器。

另外，落在倒角上或类似的部分上的模片粘接导电胶15a容易使光散射并难于反射，这防止了半导体激光器由于反射光的反射造成的缺陷，并能够获得具有反射光容差裕度的、可靠性高的半导体激光器。

在图1B的情况下，圆角12b设在管座11的顶部11a处，如图1B所示，粘接半导体激光芯片10，使得它从管座11端部顶部11a伸出，直到圆角12b之上。在这样的布置下，当半导体激光芯片10依靠模片粘接导电胶14与管座粘接时，多余的模片粘接导电胶15a流到圆角12b上。因此，模片粘接导电胶15a不会升到设在半导体激光芯片10端面的主辐射侧的发光点16和监视侧的发光点17的水平线以上。因此，模片粘接导电胶14既不会遮挡半导体激光芯片10主辐射侧的发光点16也不会遮挡半导体激光芯片10监视侧的发光点17。

如上所述，该模片粘接导电胶14在既不会遮挡半导体激光芯片10主辐射侧的发光点16也不会遮挡半导体激光芯片10监视侧的发光点17的状态下，支撑并保护半导体激光芯片10的后表面。因此，能获得可靠性高的半导体激光器。

另外，落在圆角上的模片粘接导电胶15a使光难于反射。这样的布置防止了半导体激光器由于反射光的反射造成的缺陷，以及能够获得具有反射光容差裕度的、可靠性高的半导体激光器。

应该注意圆角12b的曲率半径随半导体激光器的使用目的的不同而不同。在多数情况下，曲率半径在约30到70μm的范围内，平均曲率半径在约40到50μm之间。

图2A、2B和2C是本发明第一实施例半导体激光器制造方法模片粘接过程的说明图。

图2A是模片粘接过程第一步的说明图，如图所示，使分配器注射器针头下降，将指定的微量模片粘接导电胶从针头的尖端喷出。图2B是模片粘接过程第二步的说明图，如图所示状态，针头的尖端与管座接触并停止移动，使模片粘接导电胶流在或滴在倒角上。图2C是模片粘接过程第三步的说明图，表示分配器注射器针头的尖端从管座上离开的状态。现在描述如图所示的状态。

如图2A所示，通过分配器使指定的微量模片粘接导电胶14a从分配器注射器针头的尖端19喷出。如图2B所示，注射器针头的尖端19向正下方20A移动，模片粘接导电胶14a粘接在管座11的顶部11a的指定位置上。

注射器针头尖端19倒角的最外边缘放在顶部11a所形成的边角和倒角12a的外侧。

在图2B中，倒角12a设在顶部11a的端部，注射器针头尖端19的一部分19a从管座11端部的顶部11a的指定部位伸出。因此，模片粘接导电胶14a的一部分落在倒角12a上，并且成为模片粘接导电胶14b。

随后，如果注射器针头尖端19向上方20B移动，如图2C所示，然后，模片粘接导电胶14a跟着移动，并且涂敷在顶部11a的指定位置上，成为模片粘接导电胶14b、14c和14d，在这种情况下，参考标号14b指示的是流到倒角12a上的模片粘接导电胶，参考标号14c指示的是用于产生模片粘接的模片粘接导电胶，参考标号14d指示的是留在注射器针头上的模片粘接导电胶。

结果，在管座11顶部11a指定位置涂敷的模片粘接导电胶14c的区域具有一个直径为0.3mm的部分切断的圆形，这也是注射器针头尖端19的尺寸。这样，涂敷模片粘接导电胶14c的区域能够在半导体激光芯片10的模片粘接方向，即在管座11的径向上，减小。

如上所述，根据本发明半导体激光器的第一实施例，通过将注射器针头尖端19的一部分从粘接位置伸出，使顶部11a带有倒角12a，涂敷模片粘接导电胶14c的区域小于位于管座11顶部11a指定部位的约0.2mm2的半导体激光芯片10。

从分配器的注射器针头尖端19喷出的微量模片粘接导电胶14a被涂敷，并且一部分流到设在顶部11a端部的倒角12a上，这使得模片粘接导电胶14c的厚度要小于0.05mm。这样模片粘接导电胶14c的厚度比半导体激光芯片10光发射点的高度的平均值0.05mm要小。模片粘接导电胶的厚度是大约10μm到30μm(0.01mm到0.03mm)，这同样依赖于模片粘接导电胶的粘度、银填料量、工作温度等条件。

如图1A和1B所示，当主辐射侧的发光点16的端面从边角伸出10到60μm(最好是10到30μm)时，半导体激光芯片10就安装在顶部11a的与倒角12a相邻指定的位置上。这样便可使模片粘接导电胶14不升到半导体激光芯片10的主辐射侧的发光点16和监视侧的发光点17的水平线以上。

尽管是参照2A、2B和2C就在图1A所示的在顶部形成有倒角12a的情况描述的该模片粘接的过程，但是就在图1B所示的在顶部形成有圆角12b的情况的模片粘接过程可以认为是等同的。

当然，在顶部具有图1B所示的圆角12b时，如图2A所示的顶部11a形成的边角和倒角12a应与由平顶部变为圆角12b的弯曲表面的部位相对应。

如上所述，本发明能够获得高可靠性和高生产率的半导体激光芯片的模片粘接工艺和高可靠性的半导体激光器，其中模片粘接导电胶14c不会从半导体激光芯片的端面和侧面溢出，主辐射侧的发光点16和监视侧的发光点17被遮挡的问题不再发生。

另外，落在倒角12a或圆角12b的模片粘接导电胶(15a或15b)容易使光产生散射且难于反射。根据这样的布置，能够防止半导体激光器由于反射光的影响而产生的缺陷，以及能够获得高可靠性的具有反射光容差裕度的半导体激光器。

图3是本发明半导体激光器的第二实施例，图4A和4B示出了本激光器件制造方法的模片粘接过程。

在图3中示意了半导体激光芯片10、管座11、管座11的顶部11a、辅安装座13、辅安装座的表面13、边角、即顶部13a的边缘13c、模片粘接导电胶14、主辐射侧的发光点16、监视器侧的发光点17和连接主辐射侧的发光点及监视器侧的发光点的发射光光轴18。辅安装座13由硅基的晶片或者如氮化铝、碳化硅或类似的陶瓷基材料制成，并可以根据需要，设置电极图形或光电二极管。通过用一种粘接剂粘接或钎焊材料等将辅安装座13粘接或固定于管座11的指定位置上。

位于辅安装座13a端部的顶部13a可设有一倒角或者圆角。

图4A和4B是图3的半导体激光器的模片粘接方法。参照图4A，通过用粘接剂粘接或者钎焊材料等，将辅安装座3粘接或固定于管座11的指定位置上。在该图中，参考标号13c指的是辅安装座13端部顶部13a的边角，而参考标号19b指的是分配器注射器针头尖端19周边的最外边缘。如图4A所示，注射器针头尖端19的一部分19a是从辅安装座13的顶部13a的指定部位伸出的，这样，注射器针头19的最外边19b处于边角即边缘13c外边。

如图4A所示，借助分配器使模片粘接导电胶14a以指定的微量从分配器注射器针头的尖端19喷出。注射器针头的尖端19向下方20A移动，尽管图中未画出，模片粘接导电胶14a粘接在辅安装座13顶部13a的指定位置上。

如图4B所示，如果注射器针头尖端19向上方20B移动，那么用于模片粘接的模片粘接导电胶14c涂敷在辅安装座13顶部13a上，模片粘接导电胶14b向下流到粘接在辅安装座13的端表面13b中，剩下的模片粘接导电胶14d继续粘接在注射器针头尖端19上。

在图4B中，放置半导体激光芯片的顶部指定位置由于辅安装座13的厚度，而比管座11高。于是，如图4A所示的模片粘接导电胶14a的一部分落在辅安装座的端面13b上，模片粘接导电胶14b将形成薄的涂层。

结果，顶部13a的指定位置涂敷的模片粘接导电胶14c的区域是一个直径为0.3mm的部分截断的圆形，这也是注射器针头尖端的尺寸。这样，涂敷模片粘接导电胶14c的区域能够在半导体激光芯片10的模片粘接方向，即在辅安装座13的纵向上减小。

如上所述，本发明半导体激光器的第二实施例提供一带有辅安装座13的管座11，注射器针头19的一部分从辅安装座13的一端向外突出。其结果是，要安装的半导体激光芯片10所放置的位置使得主辐射侧的发光点的端面从辅安装座13一端伸出约10到60μm(最好是10到30μm)，并且模片粘接导电胶14c被精确地涂敷在小于半导体激光芯片10的约0.2mm²尺寸的区域上。

由于所涂敷的模片粘接导电胶14a的一部分流到辅安装座的端面13b上，所以，落在辅安装座上的模片粘接导电胶14c的厚度可以约小于0.05mm。这样，模片粘接导电胶14c可以具有厚度10到30μm，它小于半导体激光芯片10发光点高度0.05mm的平均值。

流到辅安装座端面13b上的模片粘接导电胶14b不参与模片粘接，如果模片粘接导电胶14b设计成与管座11的作用是等效的，那么即使当其与管座11接触时也没有问题。

模片粘接导电胶14由热固性的环氧树脂与，例如，银的填料(银膏)混合而成。银填料的实例包括针状晶系填料和片状填料。模片粘接导电胶可以仅通过用具有高热电导的石墨粉末与树脂如环氧树脂混合而获得。该高热电导的石墨粉末是由含有石墨粉末或碳的聚合物材料或一起与银填料经热处理而成。

如上所述，所安装的半导体激光芯片10置于辅安装座13上，使得半导体激光芯片10主辐射侧的发光点的端面突出约10到60μm(最好是10到30μm)，如图3所示。然后，可得到模片粘接导电胶14不升到半导体激光芯片10的主辐射侧的发光点16和监视侧的发光点17的水平线以上的状态。

结果，根据本发明，模片粘接导电胶14不从半导体结果芯片10的端面和侧面溢出，并且主辐射侧的发光点16和监视侧的发光点17被遮挡的问题不再发生。因此，可获得可靠性高的模片粘接的半导体激光芯片和可靠性高的半导体激光器。

图5出了个本发明第三实施例的光拾取器。本发明的光拾取器利用了本发明的半导体激光器，包括至少一个本发明的半导体激光器，一衍射光栅和一个光检测器。

参照图5，本发明的光拾取器100由本发明如上述第一和第二实施例中描述的半导体激光器101、衍射光栅102、分光器103、光检测器104、准直透镜(聚光透镜)105和装有驱动器的物镜106构成。

从半导体激光器101的半导体激光芯片107主辐射侧发光点108发射的激光109由衍射光栅102分成三束光，它们由零级光束L0(主光束)，第一级正光束L1(侧光束)和第一级负光束L2(侧光束)组成。由L0，L1，L2组成的三束光通过分光器103、聚光透镜105和物镜106入射到记录介质110如光盘上。

从记录介质110的表面反射的零级光L0(下面指反射光)通过物镜106和聚光透镜105由分束器103反射。包含信息信号的反射光入射到光检测器104上，并转换成电信号。透过分束器103的反射光再由衍射光栅102分成零级反射光R0(主反射光)，第一级正反射光R1(侧反射光)和第一级负反射光R2(侧反射光)。

零级反射光R0回到接近半导体激光芯片的主辐射侧发光点108。业已公知，半导体激光芯片主辐射侧的发光点的反射率通常是32％或更少，因此，这不会对从光检测器104获得的3束型跟踪信号产生不利影响。

第一级正反射光R1散射到外面，或精确地说散射到半导体激光芯片107的主辐射侧的发光点的端面以外70μm到120μm处。因此，半导体激光芯片主辐射侧的发光点的端面不存在反射光，因此光束R1对光检测器104不会产生不利影响。

另一方面，第一级负反射光R2向位于管座端部的端面112(或设在管座上的辅安装座的端面)散射，众所周知第一级负光反射光R2对光检测器104存在不利影响。但是，本发明的半导体激光器具有模片粘接导电胶，它位于粘接半导体激光器的半导体激光芯片107的表面附近和管座顶部附近。

由于模片粘接导电胶113是不平整的，因此，表面光反射率在9到24％的范围内，并且具有一个15％左右的低平均值。

由第一实施例和第二实施例所述的本发明的半导体激光器的设置，使得主辐射侧的发光点的端面从管座顶部边缘或者辅安装座顶部边缘伸出10到60μm(最好是10到30μm)，并且，半导体激光芯片由作为粘接剂的模片粘接导电胶粘接。因此，能够抑制由第一级负级反射光R2反射产生的散射光。

由此，即使该反射光是由光学系统反射的，并作为散射光入射到光检测器104上，模片粘接导电胶113反射的反射光也不具有引起故障的足够强度。

由于应用本发明的半导体激光器，在跟踪信号上可获得受上述半导体激光器产生的反射光影响较小的三束光系统光拾取器。

显然，以上所描述的本发明可以以多种方式改变，这些改变不能认为是脱离了本发明的范围和构思，所有这些改变对本领域的技术人员来说都是显而易见的，且将包含在下面权利要求的范围中。

Claims (5)

1.一种半导体激光器，包括：

按下述要求置于管座上的半导体激光芯片，使设有主辐射侧的发光点的半导体激光芯片的端面从管座顶部边缘或者辅安装座顶部边缘伸出，以便不会遮挡半导体的发光点，并且其中

采用模片粘接导电胶作为用于半导体激光芯片的模片粘接的粘接剂；

在管座顶部边缘或者在设于管座的辅安装座顶部边缘形成倒角或者圆角。

2、根据权利要求1所述的半导体激光器，其中模片粘接导电胶涂敷在半导体激光芯片的后表面上用于与管座或者辅安装座粘接，按下述要求放置该半导体激光芯片，使该半导体激光芯片从管座顶部边缘或者辅安装座顶部边缘伸出。

3、根据权利要求1所述的半导体激光器，其中半导体激光芯片发光点比半导体激光芯片膜片粘接表面至少高0.03mm。

4、一种光拾取器，包括：

一半导体激光器，该半导体激光器包括：

按下述要求置于管座上的半导体激光芯片，使设有主辐射侧的发光点的半导体激光芯片的端面从管座顶部边缘或者辅安装座顶部边缘伸出，以便不会遮挡半导体的发光点，并且其中

采用模片粘接导电胶作为用于半导体激光芯片的模片粘接的粘接剂；

在管座顶部边缘或者在设于管座的辅安装座顶部边缘形成倒角或者圆角；

一个衍射光栅；和

一个光检测器。

5、一种制造半导体激光器的方法，包括下述步骤：

a)提供一管座，其中，在管座顶部边缘或者在设于管座的一辅安装座顶部边缘形成倒角或者圆角；

b)将一个注射器针头放置在合适的位置上，以使当模片粘接导电胶从分配器注射器针头的尖端喷出进行涂敷时，该注射器针头的针尖从管座顶部边缘或者从设在管座上的辅安装座顶部边缘局部地伸出；

c)将半导体激光芯片以这样的方式放置在管座上，使设有主辐射侧的发光点的半导体激光芯片的端面从管座顶部边缘或者辅安装座顶部边缘伸出，以便不会遮挡半导体的发光点。

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