CN117810338A - 发光元件及具有此发光元件的背光单元及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种发光元件，包含：半导体叠层，包含第一半导体层、活性层及第二半导体层；第一接触电极及第二接触电极位于半导体叠层上，其中第一接触电极包含位于第一半导体层上的第一接触部，第二接触电极包含位于第二半导体层上的第二接触部；绝缘材料叠层，位于半导体叠层上，包含开口位于第二接触部上；以及第一电极垫和第二电极垫位于绝缘材料叠层上，其中第二电极垫填入开口连接第二接触部；其中，第二电极垫包含一上表面，上表面包含高台区及凹陷区对应位于第二接触部上；其中，高台区相对于上表面的其他区域具有一最大高度；其中，高台区在一水平面上的投影面积为A1，高台区及凹陷区在上述水平面上的投影面积总和为A2，A1/A2的比值介于50％～80％。

Description

发光元件及具有此发光元件的背光单元及显示装置

技术领域

本发明涉及一种具有绝缘材料叠层的发光元件，以及具有此发光元件的背光单元及显示装置。

背景技术

固态发光元件中的发光二极管(LEDs)具有具低耗电量、低产热、寿命长、体积小、反应速度快以及良好光电特性，例如具有稳定的发光波长等特性，故已被广泛的应用于家用装置、指示灯及光电产品等。

现有的发光二极管包含一基板、一n型半导体层、一活性层及一p型半导体层形成于基板上、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p、n-电极。当通过电极对发光二极管通电，且在一特定值的顺向偏压时，来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性层内结合以放出光。然而，随着发光二极管应用于不同的光电产品，当发光二极管的尺寸缩小时，如何维持其光电特性并提升其制造良率，为本技术领域人员所研究开发的目标之一。

发明内容

一种发光元件，包含：一种发光元件，包含：半导体叠层，包含第一半导体层、活性层及第二半导体层；第一接触电极及第二接触电极位于半导体叠层上，其中第一接触电极包含位于第一半导体层上的第一接触部，第二接触电极包含位于第二半导体层上的第二接触部；绝缘材料叠层，位于半导体叠层上，包含开口位于第二接触部上；以及第一电极垫和第二电极垫位于绝缘材料叠层上，其中第二电极垫填入开口连接第二接触部；其中，第二电极垫包含一上表面，上表面包含高台区及凹陷区对应位于第二接触部上；其中，高台区相对于上表面的其他区域具有一最大高度；其中，高台区在一水平面上的投影面积为A1，高台区及凹陷区在上述水平面上的投影面积总和为A2，A1/A2的比值介于50％～80％。

附图说明

图1A为本发明一实施例的发光元件的俯视图；

图1B为沿图1A中沿线段A-A’的截面图；

图1C为本发明另一实施例的发光元件的俯视图；

图1D为沿图1C中沿线段A-A’的截面图；

图1E为本发明另一实施例的发光元件的俯视图；

图2A及图2B分别为本发明不同实施例的绝缘材料叠层的截面图；

图3为本发明一实施例的发光模块的示意图；

图4A为本发明一实施例发光元件的局部放大外观照片的示意图；

图4B为本发明一实施例发光元件的局部放大截面图；

图5A及图5B分别为不同比较例发光元件的局部放大截面图；

图6为本发明另一实施例发光元件的局部放大截面图；

图7A为图1A中区域R1的局部放大示意图；

图7B为图7A中沿线段B-B’的截面图；

图8A为图7B中左半部的局部放大图；

图8B及图8C分别为本发明另一实施例发光元件的显微影像的示意图；

图9A为本发明另一实施例的发光元件的俯视图；

图9B为图9A中沿线段A-A’的截面图；

图9C为本发明另一实施例的发光元件的截面图；

图10为本发明另一实施例的发光元件的俯视图；

图11为一显示装置背光单元的截面图；

图12A为一显示装置105的俯视示意图；

图12B为图12A中像素单元PX的局部截面图。

具体实施方式

为了使本发明的叙述更加详尽与完备，请参照下列实施例的描述并配合相关图示。但是，以下所示的实施例是用于例示本发明的发光元件，并非将本发明限定于以下的实施例。又，本说明书记载于实施例中的构成零件的尺寸、材质、形状、相对配置等在没有限定的记载下，本发明的范围并非限定于此，而仅是单纯的说明而已。且各图示所示构件的大小或位置关系等，会由于为了明确说明有加以夸大的情形。在以下的描述中，为了适切省略详细说明，对于同一或同性质的构件用同一名称及符号显示。

图1A为一俯视图，显示依据本发明一实施例的发光元件1。图1B为一截面图，是沿着图1A中线段A-A’截面的截面图。

如图1A及图1B所示，发光元件1包含基底10以及半导体叠层12位于基底10的上表面10a上，其中，半导体叠层12由下往上依序包含第一半导体层121、活性层123和第二半导体层122。第一半导体层121包含上表面121a未被活性层123和第二半导体层122所覆盖。由俯视观之，半导体叠层12包含相对设置的第一边缘E1及第三边缘E3、以及相对设置的第二边缘E2及第四边缘E4。第一接触电极20位于第一半导体层上表面121a上并与的电连接，透明导电层18及第二接触电极30位于第二半导体层122上并与的电连接；绝缘材料叠层50覆盖半导体叠层12及透明导电层18，并具有开口501及502分别暴露第一接触电极20及第二接触电极30；第一电极垫20A位于绝缘材料叠层50上，填入开口501与第一接触电极20连接；以及第二电极垫30A位于绝缘材料叠层50上，填入开口502与第二接触电极30连接。

基底10可以是一成长基板，包括用于生长磷化镓铟(AlGaInP)系列化合物的基板，例如砷化镓(GaAs)基板或磷化镓(GaP)基板，或用于生长氮化铟镓(InGaN)或氮化铝镓(AlGaN)系列化合物的基板，例如蓝宝石(Al₂O₃)基板，氮化镓(GaN)基板，碳化硅(SiC)基板、及氮化铝(AlN)基板。基底10包含上表面10a。在一实施例中，基底10可以是一图案化基板，即，基底10的上表面10a具有图案化结构P。在一实施例中，从半导体叠层12发射的光可以被基底10的图案化结构P所折射、反射或散射，从而提高发光元件的光取出效率。此外，图案化结构P减缓或抑制了基底10与半导体叠层12之间因晶格不匹配而导致的错位，从而改善半导体叠层12的外延品质。

在另一实施例中，图案化结构P与基底10包含不同的材料，图案化结构P例如包含绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。在一实施例，基底10不被半导体叠层12所覆盖的区域10A，不具有图案化结构P；而基底10被半导体叠层12所覆盖的区域10B，具有图案化结构P。在另一实施例，基底10不被半导体叠层12所覆盖的区域10A与基底10被半导体叠层12所覆盖的区域10B，区域10A的图案化结构P具有与区域10B的图案化结构P不同的尺寸、宽度、形状或高度，例如，不被半导体叠层12所覆盖区域10A中的图案化结构P，相较于被半导体叠层12所覆盖区域10B中的图案化结构P，具有较小的尺寸及较小的高度。

在本发明的一实施例中，在基底10上形成半导体叠层12的方法包含有机金属化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延法(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)或离子镀，例如溅镀或蒸镀等。

在一实施例中，半导体叠层12包含缓冲结构120位于第一半导体层121与基底10之间。缓冲结构120可减小上述的晶格不匹配并抑制错位，从而改善外延品质。缓冲结构120的材料包括GaN、AlGaN或AlN。在一实施例中，缓冲结构120包括多个子层(图未示)，所述的子层包括相同材料或不同材料。在一实施例中，缓冲结构120包括两个子层，其中第一子层的形成方式不同于第二子层的形成方式，例如第一子层的形成方式为溅镀；第二子层的形成方式为MOCVD。在一实施例中，缓冲结构120还包含第三子层，其中第三子层的形成方式为MOCVD，第二子层的生长温度不同于第三子层的生长温度。在一实施例中，第一、第二及第三子层包括相同的材料，例如AlN。在一实施例中，第一半导体层121和第二半导体层122为包覆层(cladding layer)或局限层(confinement layer)。在一实施例中，第一半导体层121和第二半导体层122具有不同的导电型态、电性、极性或用于提供电子或空穴的掺杂元素，例如，第一半导体层121包含n型半导体，以及第二半导体层122包含p型半导体。活性层123形成于第一半导体层121与第二半导体层122之间。电子与空穴在电流驱动下在活性层123中结合，将电能转换成光能以发光。可通过改变半导体叠层12中之一或多层的物理特性和化学组成，来调整发光元件1或半导体叠层12所发出的光的波长。

半导体叠层12的材料包括III-V族半导体化合物材料，例如Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(AlInGaN系列)或Al_xIn_yGa_(1-x-y)P(AlInGaP系列)，其中0≤x、y≤1；x+y≤1。根据活性层的材料，当半导体叠层12的材料是AlInGaP系列时，可以发出波长介于610nm和650nm之间的红光或波长介于550nm和570nm之间的黄光。当半导体叠层12的材料是AlInGaN系列时，可以发出峰波长介于400nm和490nm之间的蓝光或深蓝光、峰波长介于490nm和550nm之间的绿光、或峰波长介于400nm和250nm之间的UV光。活性层123包含单异质结构(singleheterostructure；SH)、双异质结构(double heterostructure；DH)、双面双异质结构(double-side double heterostructure；DDH)、多重量子阱(multi-quantum well；MQW)。活性层123的材料可以是i型、p型或n型半导体。在本实施例中，第一半导体层上表面121a除了设置第一接触电极20的接触区域，还包含一周围平台区域位于半导体叠层12的周围并围绕活性层123和第二半导体层122。图1C及图1D显示另一实施例的发光元件1’。发光元件1’与发光元件1的结构类似，差别在于，发光元件1’的第一半导体层上表面121a除了设置第一接触电极20的接触区域，不包含所述的周围平台区域。如图1D中，半导体叠层12的侧壁12s从第二半导体层122往下延伸至第一半导体层121，使侧壁12s呈一连续的斜面。在一实施例中，可从第二半导体层122往下蚀刻半导体叠层12到基底上表面10a，以形成侧壁12s。在另一实施例中，可实施多段蚀刻，先从第二半导体层122往下蚀刻直到形成第一半导体层上表面121a，接着再从第一半导体层上表面121a往下蚀刻到基底上表面10a，以形成侧壁12s，并保留部分的第一半导体层上表面121a作为形成第一接触电极20的接触区域。此外，透明导电层18边缘与第二半导体层122边缘的间距并非定值。在邻近于侧壁12s的透明导电层18，可以加宽透明导电层18边缘与第二半导体层122边缘的间距。例如，在靠近第一半导体上表面121a的上述间距，小于位于其他区域的上述间距。即如图1C及图1D所示，间距d4小于间距d3。如此一来，可以避免在形成侧壁12s过程中，半导体叠层12因制作工艺变异被过度蚀刻，而使得透明导电层18的边缘超出或贴齐第二半导体层122边缘，因此可增加制作工艺容忍度(tolerance)。

第一接触电极20包含多个第一接触部201、201’及第一指状部202，其中，自俯视观之，多个第一接触部201、201’彼此物理性分离，第一接触部201、201’具有点状形态，第一指状部202具有一条状形态，第一指状部202的宽度小于第一接触部201的宽度。如图1A所示，在俯视观之，多个第一接触部201、201’及第一指状部202沿着第一边缘E1排列，第一接触部201连接第一指状部202，第一接触部201’位于第一边缘E1与第二边缘E2所交会的角落。第二接触电极30包含多个第二接触部301、301’及第二指状部302，其中，自俯视观之，多个第二接触部301、301’彼此物理性分离，第二接触部301、301’具有点状形态，第二指状部302具有条状形态，第二指状部302的宽度小于第二接触部301的宽度。如图1A所示，在俯视观之，多个第二接触部301、301’及第二指状部302沿着第三边缘E3排列，第二接触部301连接第二指状部302，多个第二接触部301’位于第三边缘E3与第四边缘E4所交会的角落。在一实施例中，第一接触部201’上方的开口501与其所在角落的最小间距d1小于第二接触部301’上方的开口502与其所在角落的最小间距d2。第一接触部201’与第二接触部301’以对角方向、或近似对角方向相对设置。

第一指状部202及第二指状部302沿着发光元件1的长边方向(X方向)延伸且互相平行，其中，第一指状部202沿着第一边缘E1延伸，第二指状部302沿着第三边缘E3延伸。第一指状部202及第二指状部302的最大间距大于第二边缘E2或第四边缘E4长度的0.75倍，且第一指状部202及/或第二指状部302的长度大于第一边缘E1或第三边缘E3长度的0.5倍。第一指状部202与第一边缘E1的最小间距小于第二指状部302与第三边缘E3的最小间距。在另一实施例(图未示)中，第一指状部202及第二指状部302可以是非平行设置，例如第一指状部202及/或第二指状部301包含弧状或弯折。图1E显示另一实施例的发光元件1”。发光元件1”与发光元件1或发光元件1’的结构类似，差别在于，发光元件1”的第二指状部302不平行于第一指状部202。第二指状部302与第一指状部202的间距随着第二指状部302远离第二接触部301而增加，例如间距d6大于间距d5。于另一实施例(图未示)中，当发光元件1”不设置第一指状部202时，第二指状部302与第一边缘E1与的间距随着第二指状部302远离第二接触部301而增加。一般情况下，当电流从第一电极垫20A注入第一接触部201、201’时，电流容易在第一接触部201、201’的邻近区域发生壅塞，并形成较高电流密度。在本实施例中，将第二指状部301末端设置为远离第一接触部201，可得到获得较均匀电流分布，改善发光效率。在一实施例中，第一接触部201及201’的间距大于第二接触部301及301’的间距。如图1A所示，第一指状部202及第二指状部302在长边方向(X方向)上的重叠长度大于第一接触部201’及第一接触部201的间距，也可大于第二接触部301’及第二接触部301的间距。如此一来，可以增加电流散布及电流均匀性。在一实施例中，由俯视观之，第一电极垫20A的轮廓包含一外突部20p朝向发光元件1的角落突出，以完整覆盖位于该角落的第一接触部201’；更详言之，外突部20p至少超出第一接触部201’的边缘1μm，可以增加第一电极垫20A的可靠度并确保第一电极垫20A经由开口501接触第一接触部201’。

第一接触电极20及第二接触电极30包含金属材料，例如铬(Cr)、钛(Ti)、钨(W)、金(Au)、铝(Al)、铑(Rh)、铟(In)、锡(Sn)、镍(Ni)、铂(Pt)、银(Ag)等金属、或上述材料的叠层或合金。第一接触电极20及第二接触电极30各包含倾斜侧壁，在一实施例中，第一接触电极20及第二接触电极30的厚度介于0.3～3μm。

电流阻挡结构23位于半导体叠层12上，可以阻挡电流直接注入接触电极正下方的半导体叠层，增加水平方向上的电流扩散。电流阻挡结构23的材料包含绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铌、氧化铪、氧化钛、氟化镁、氧化铝等。其中，电流阻挡结构23包含第一绝缘部23a位于第一半导体层121与第一接触电极20之间，以及第二绝缘部23b位于第二半导体层122与第二接触电极30之间，并沿着第二接触电极30的第二指状部302延伸。电流阻挡结构23包含倾斜侧壁，由俯视观之，电流阻挡结构23的宽度大于位于其正上方的接触电极的宽度。在一实施例中，第二绝缘部23b具有一形状与第二接触电极30的形状相同。在另一实施例中，发光元件1可以仅设置第二绝缘部23b于第二半导体层122上，或是不设置任何电流阻挡结构。在一实施例中，第一绝缘部23a包含多个岛状部彼此分离，其中所述的多个岛状部其中之一个岛状部位于第一接触部201下方，其余的岛状部间隔地沿着第一指状部202设置。在一实施例中，第一接触电极20包含多个第一接触部201、201’，其中，第一接触部201下方设置有第一绝缘部23a，第一接触部201’下方未设置任何电流阻挡结构，因此第一接触部201’直接连接于第一半导体层121。

如图1A及图1B所示，透明导电层18位于第二接触电极30下方，覆盖第二半导体层122与第二绝缘部23b。透明导电层18用以扩散电流并与第二半导体层122形成良好的电性接触，例如欧姆接触；透明导电层18对于活性层123所发出的光线为透明，例如具有80％以上的穿透率。透明导电层18的材料可以是金属或是透明导电材料，其中金属材料包含金(Au)、镍金(NiAu)等，透明导电材料包含石墨烯、铟锡氧化物(ITO)、氧化铝锌(AZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌(ZnO)或铟锌氧化物(IZO)等材料。在另一实施例中(图未示)，发光元件1未设置任何电流阻挡结构，且透明导电层18包含多个开口分布于第二指状部302正下方，使得第二指状部302经由透明导电层18的多个开口接触第二半导体层122。

如图1B所示，绝缘材料叠层50覆盖半导体叠层12、透明导电层18及第一接触电极20和第二接触电极30，绝缘材料叠层50的开口501露出第一接触部201及201’，开口502露出第二接触部301及301’。绝缘材料叠层50从半导体叠层12的侧壁，延伸覆盖基底10的上表面10a。在另一实施例中(图未示)，绝缘材料叠层50未覆盖上表面10a的一部分，具体而言，绝缘材料叠层50未覆盖上表面10a的周围部分。

图2A及图2B显示绝缘材料叠层50于不同实施例的细部结构。绝缘材料叠层50对特定波长范围及/或特定入射角范围的光线提供反射功能，意即，绝缘材料叠层50可作为反射结构，例如，绝缘材料叠层50对于发光元件1的主波长及/或峰值波长具有60％以上的反射率。在一实施例中，如图2A图所示，绝缘材料叠层50包含第一组材料叠层51，其中，第一组材料叠层51包含一或多对由第一子层51a及第二子层51b所组成的绝缘材料对堆叠而成。第一组材料叠层包含绝缘材料，一第一子层51a及一第二子层51b组成一所述的绝缘材料对。第一子层51a相较于第二子层51b具有较高的折射率。绝缘材料叠层50通过不同折射率材料的选择搭配其厚度设计，反射特定波长范围的光线。在一实施例中，第一子层51a相较于第二子层51b具有较小的厚度。第一子层51a及第二子层51b包含绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铌、氧化铪、氧化钛、氟化镁、氧化铝等。在一实施例中，绝缘材料叠层50例如为一分布式布拉格反射器(DBR,distributed Bragg reflector)。

在一实施例中，绝缘材料叠层50更可包含第一子层51a及第二子层51b以外的其他层。例如，绝缘材料叠层50还包含一底层(图未示)位于第一组材料叠层51与半导体叠层12之间，也就是说，在半导体叠层12上先形成所述的底层，接着再形成第一子层51a及第二子层51b于所述的底层上。在一实施例中，所述的底层包含绝缘材料，其厚度大于第一子层51a及第二子层51b的厚度。在一实施例中，所述的底层的形成方式与第一子层51a及第二子层51b相同，例如，底层、第一子层51a及第二子层51b的形成方式同为化学汽相沉积(ChemicalVapor Deposition，CVD)或同为物理汽相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)。例如底层、第一子层51a及第二子层51b的形成方式为物理汽相沉积，像是蒸镀、溅镀或其组合。如此一来，可以使绝缘材料叠层50形成较平滑的表面。在另一实施例中，所述的底层的形成方式与第一子层51a及第二子层51b不同，例如，所述的底层的形成方式为化学汽相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)，更佳地，通过等离子体辅助化学气相沉积(plasmaenhanced chemical vapor deposition，PECVD)来形成。第一子层51a及第二子层51b的形成方式为蒸镀或溅镀。在一实施例中，所述的底层可提供保护发光元件或保护半导体叠层的功能，例如阻挡外界水气进入发光元件。

在另一实施例中，如图2B所示，绝缘材料叠层50包含多组材料叠层，例如包含第一组材料叠层51以及第二组材料叠层52，其中，第一组材料叠层51如前述的实施例所述，第二组材料叠层52含一或多对由第三子层52a及第四子层52b所组成的绝缘材料对堆叠而成。第二组材料叠层52例如包含绝缘材料，一第三子层52a及一第四子层52b组成一绝缘材料对。第三子层52a相较于第四子层52b具有较高的折射率，在一实施例中，第三子层52a相较于第四子层52b具有较小的厚度。第三子层52a与第一子层51a具有不同厚度，第三子层52a与第一子层51a可以是相同材料或不同材料。第四子层52b与第二子层51b具有不同厚度，第四子层52b与第二子层51b可以是相同材料或不同材料。

在另一实施例中，绝缘材料叠层50还可包含一上层(图未示)位于第一组材料叠层51上，相对第二半导体层122的另一侧，也就是说，在半导体叠层12上先形成第一子层51a及第二子层51b，接着再形成所述的上层。所述的上层包含绝缘材料，其厚度大于第一子层51a及第二子层51b的厚度。在一实施例中，所述的上层的形成方式与第一子层51a及第二子层51b不同，例如，所述的上层的形成方式为化学汽相沉积(CVD)，更佳地，通过等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)来形成。第一子层51a及第二子层51b的形成方式为溅镀或蒸镀。在一实施例中，所述的上层可增加整体绝缘材料叠层50的强度，例如当绝缘材料叠层50受到外力时，所述的上层可使绝缘材料叠层50不至于因外力而破裂损伤。在另一实施例中，所述的上层的形成方式为原子层沉积法(Atomic Layer Deposition；ALD)，第一子层51a及第二子层51b的形成方式为溅镀或蒸镀。所述的上层可共形覆盖于第一组材料叠层51上，通过其阶梯覆盖能力(step coverage)佳的膜质特性可填补绝缘材料叠层50表面的缺陷，提供一较佳的保护作用，例如避免水气进入，或避免后续形成的电极金属扩散进入绝缘材料叠层50造成电性问题。在另一实施例中，所述的上层的形成方式与第一子层51a及第二子层51b相同，例如，第一子层51a、第二子层51b及上层的形成方式同为溅镀或蒸镀。通过上层可提升绝缘材料叠层50与第一电极垫20A和第二电极垫30A之间的粘着力，以进一步提高发光元件可靠度。所述的上层的材料包含氧化物或氮化物。氧化物例如为金属氧化物，包含氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化钽、氧化锆、氧化钇、氧化镧。氮化物包含例如氮化硅、氮化铝、氮化钛或氮氧化硅。

在另一实施例中，绝缘材料叠层50包含多组材料叠层与所述的底层及/或所述的上层。绝缘材料叠层50的厚度介于0.5～6μm，在一实施例中，介于1.5～5.5μm。在一实施例中，绝缘材料叠层50的厚度大于第一接触电极20及第二接触电极30的厚度。

在另一实施例中，在形成绝缘材料叠层50之前，通过原子层沉积法(Atomic LayerDeposition；ALD)形成一致密层(图未示)于透明导电层18及半导体叠层20的表面上以直接披覆半导体叠层12。所述的致密层的材料包含氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化钽、氧化锆、氧化钇、氧化镧、氮化硅、氮化铝或氮氧化硅。在本实施例中，所述的致密层与半导体叠层12相接的界面包含金属元素及氧，其中金属元素包含铝、铪、钽、锆、钇、镧或钽。所述的致密层包含一厚度介于之间，在一实施例中，介于/> 之间。在一实施例中，所述的致密层可共形覆盖于半导体叠层12上，通过其阶梯覆盖能力(step coverage)佳的膜质特性可提供半导体叠层12一较佳的保护作用，例如避免水气进入半导体叠层12，且通过致密层与半导体叠层12以及致密层与绝缘材料叠层50之间有较佳的粘着力，可辅助绝缘材料叠层50与半导体叠层12之间的附着力，以进一步提高发光元件可靠度。

第一电极垫20A位于绝缘材料叠层50上，经由开口501与第一接触部201及201’接触，并与第一半导体层121形成电连接。第二电极垫30A位于绝缘材料叠层50上，经由开口502与第二接触部301及301’接触，并与第二半导体层122形成电连接。在一实施例中，如图1A所示，第一电极垫20A不覆盖第二接触电极30，第二电极垫30A不覆盖第一接触电极20；详言之，第一电极垫20A不覆盖第二接触部301、301’及第二指状部302，第二电极垫30A不覆盖第一接触部201、201’及第一指状部202。

第一电极垫20A及第二电极垫30A包含金属材料，例如铬(Cr)、钛(Ti)、钨(W)、金(Au)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、镍(Ni)、铂(Pt)、银(Ag)等金属、或上述材料的叠层或合金。例如，第一电极垫20A及第二电极垫30A可包含Al/Pt层、Ti/Au层、Ti/Pt/Au层、Cr/Au层、Cr/Pt/Au层、Ni/Au层、Ni/Pt/Au层、Cr/Al/Ti/Pt层、Ti/Al/Ti/Pt/Ni/Pt层、Cr/Al/Ti/Al/Ni/Pt/Au层、Cr/Al/Cr/Ni/Au层或Ag/NiTi/TiW/Pt层。第一电极垫20A及第二电极垫30A可作为外部电源供电至第一半导体层121及第二半导体层122的电流路径。在一实施例，第一电极垫20A及第二电极垫30A包含多层结构，例如第一电极垫20A及第二电极垫30A与外部电源相接的金属结构可以由金(Au)层和锡(Sn)层多层堆叠或锡(Sn)层和银(Ag)层多层堆叠而成，其中，金(Au)层或银(Ag)层作为第一电极垫20A及第二电极垫30A的最外层金属层，其中金元素在锡层的组成占比或银元素在锡层的组成占比为0.25％～2.25％。或者，金层与锡层的厚度比或银层与锡层的厚度比为锡层的0.25％～2.25％。第一电极垫20A及第二电极垫30A包含一厚度介于0.8～100μm，较佳为1～60μm，更佳为1.1～6μm。在一实施例中，第一电极垫20A及第二电极垫30A包含锡(Sn)的金属层，具有一厚度介于3.5～8.5μm。在一实施例中，第一电极垫20A及/或第二电极垫30A包含锡银(SnAg)的合金层，具有一厚度介于8～10μm之间。

图3显示依据本发明一实施例的发光模块100。发光模块100包含载板101，载板101设置有电路接合垫8a及8b，发光元件1以倒装(flip-chip)的方式，将第一电极垫20A及第二电极垫30A分别经由导电接合层80接合至电路接合垫8a及8b。在一实施例中，接合的方法包含但不限于焊接，其中导电接合层80包含金属焊料。如此一来，半导体叠层12所发出的光，主要经由基底10的下表面10b以及侧表面10c向外摘出。在一实施例中，发光模块100还可包含一透明胶材(图未示)位于载板101上，包覆发光元件1。所述的透明胶材包含硅氧树脂(Silicone)、环氧树脂(Epoxy)、压克力或其混和物等。在一实施例中，发光元件1还包含一反射结构(图未示)设置于基底10的下表面10b，用以反射半导体叠层12所发出的光，使光主要由基底10的侧表面10c向外摘出。所述的反射结构的具体细节可以如前述各实施例的绝缘材料叠层50。

图4A显示开口502与第二接触部301’附近的局部放大外观照片。照片显示第二绝缘部23b与其上方的第二接触部301’具有相同形状。图4B显示开口502附近的局部放大截面图，即图1B中区域R2的放大图，也可表示图1A中区域R1沿XX’剖面线的局部截面图。

如图4B所示，绝缘材料叠层50位于开口502的侧壁50s与第二接触部301(301’)的上表面(或XY平面)形成第二锐角并具有角度θ2，第二接触部301(301’)的侧壁与透明导电层18的上表面(或XY平面)形成第一锐角并具有角度θ1。θ1及θ2不大于80度，在一实施例中，介于30度至80度。绝缘材料叠层50共形地覆盖第二接触电极30的侧壁及上表面。第二电极垫30A共形地覆盖绝缘材料叠层50及开口502的侧壁，使得第二电极垫30A的上表面在第二接触部301(301’)上形成一高台区S1以及一凹陷区S2，高台区S1相对于第二电极垫30A的上表面其他区域具有一最大高度，凹陷区S2对应位于开口502，被高台区S1所围绕。高台区S1例如为环状，并具有一水平上表面；凹陷区S2例如包含一环形的倾斜表面环绕一水平底表面，其中，所述的倾斜表面介于所述的水平上表面及所述的水平底表面之间。

请参照图3，在发光元件1接合至载板101的过程中，由于第二电极垫30A上表面的高台区S1具有一最大高度，高台区S1为发光元件1中首先接触导电接合层80的部位，因此应力容易集中在高台区S1。倘若高台区S1面积过小，将可能导致应力过大，使得绝缘材料叠层50在开口502附近，特别是在绝缘材料叠层50有转折的部位，发生损坏或破裂，使发光元件1失效。高台区S1的面积与绝缘材料叠层50的厚度及第二锐角的角度θ2、第二接触部301(301’)的厚度及第一锐角的角度θ1、开口502的宽度相关。图5A及图5B分别显示图1B中区域R2的不同比较例。参照如图5A所示的比较例，和图4B的实施例具有相同结构且两者开口502具有相同底宽，不同处在于比较例具有较小的θ2。一般来说，当θ2越小时，即开口502侧壁的倾斜程度越缓时，有利于其上方第二电极垫30A的披覆。然而，第二电极垫30A上表面的高台区S1的面积随着第二锐角的角度θ2变小而减少，当θ2过小时，可能导致上述应力过大而造成发光元件1失效。请参照如图5B所示的比较例，其结构和图4B的实施例具有大致相同结构且两者的第二锐角的角度θ2相同，不同处在于比较例的开口502具有较大的底表面。一般来说，开口502越宽时，第二电极垫30A与第二接触电极30的接触面积越大，有利电流的传导。然而，如图5B所示，当开口502的宽度过大时，造成高台区S1的面积减小，容易导致上述应力过大的状况。因此，在本实施例中，通过调整第二电极垫30A的厚度、绝缘材料叠层50的厚度及第二锐角的角度θ2、第二接触部301(301’)的厚度及第一锐角的角度θ1、开口502的宽度，将高台区S1于水平面(XY平面)上的投影面积设定在特定范围。搭配图4B的剖面图观之，高台区S1于水平面(XY平面)上的投影面积为A1，高台区S1与凹陷区S2于水平面(XY平面)上的投影面积总和为A2，其中A1/A2介于50％～80％，θ2介于30度至80度，可以兼顾第二电极垫30A于开口502上的披覆性以及减少应力并增加绝缘材料叠层50的可靠度。

图6显示图1B中区域R2的另一实施例，开口502及第二接触部301(301’)附近的局部放大截面图。通过控制绝缘材料叠层50的蚀刻条件，开口502的侧壁在靠近开口502顶端的部分形成一弧面，使得第二电极垫30A对应的部分也为一弧面，亦即，高台区S1可以如图4A及图4B实质上为一平面，也可以如图6包含弧面，或是在高台区S1与凹陷区S2的交界处包含弧面。如图6所示，高台区S1的定义为第二电极垫30A上表面的最高点向下测量t为1μm的高度落差以内的范围，同样地，凹陷区S2、投影面积A1及A2也对应依高台区S1的定义界定其范围，其中，A1/A2介于50％～80％，θ2介于30度至80度。

在一实施例中，如图4B及图6所示，高台区S1最外围边缘E1在水平面(XY平面)上的投影位置，介于第二接触部301(301’)的侧壁在水平面(XY平面)上的投影范围之内，在后续将发光元件1接合至载板101时，可以减少开口502附近的绝缘材料叠层50的应力并增加发光元件1的可靠度。

图7A显示图1A中区域R1的局部放大示意图，图7B显示图7A中沿线段BB’的截面图。区域R1的BB’截面结构与图4B类似，差别在于第二接触电极20包含第二指状部302自第二接触部301延伸。如前述容易发生应力集中的高台区S1，位于第二接触部302上方开口502附近，即如图7A所示的第二接触部302外轮廓C1范围内。同样地，在本实施例中，A1/A2介于50％～80％，θ2介于30度至80度。

在本发明的实施例中，电流阻挡结构23(23a、23b)包含绝缘材料叠层，电流阻挡结构23(23a、23b)例如由一对或多对由不同折射率的材料层所组成的绝缘材料对堆叠而成，其具体结构例如相同于绝缘材料叠层50于图2A及图2B所描述的结构，对特定波长范围及/或特定入射角范围的光线提供反射功能，如此一来，当半导体叠层12所发出的光线射向第一接触电极20及第二接触电极30时，可被第一接触电极20下方的第一绝缘部23a及第二接触电极30下方的第二绝缘部23b所反射，而从发光元件1的其他部位摘出，增加发光元件1的亮度。在一实施例中，电流阻挡结构23(23a,23b)对于发光元件1的主波长及/或峰值波长具有60％以上的反射率。电流阻挡结构23(23a,23b)的厚度介于0.1μm～2μm，在一实施例中，介于0.2μm～1μm。在一实施例中，电流阻挡结构23(23a,23b)的厚度小于绝缘材料叠层50的厚度，且大于第一接触电极20及第二接触电极30的厚度。在一实施例中，电流阻挡结构23(23a,23b)中绝缘材料对的对数小于绝缘材料叠层50中绝缘材料对的对数。一般来说，电流阻挡结构23(23a,23b)的水平面积越大时，可提供越大的反射面积并增加发光元件亮度。然而，当电流阻挡结构23(23a,23b)面积越大时，可能会使得发光元件1的正向工作电压Vf(forward voltage)增加，降低了电能效率。因此，在一实施例中，电流阻挡结构23(23a,23b)的宽度与其正上方接触电极20及30的宽度的差值，介于1μm～15μm之间。

图8A显示图7B的左半部的局部放大图。在一实施例中，电流阻挡结构23是利用前述绝缘材料叠层50的镀膜方法形成在半导体叠层12上，接着再以光致抗蚀剂掀离(lift-off)方法进行图案化。如图8A所示，电流阻挡结构23的侧壁包含多个子侧壁，在此以第二绝缘部23b为例，如图8A所示，第二绝缘部23b的侧壁包含第一子侧壁23s1及第二子侧壁23s2，其中第一子侧壁23s1及第二子侧壁23s2相对于水平面具有不同的斜率，例如第一子侧壁23s1斜率小于第二子侧壁23s2斜率。如此一来，可以使位于电流阻挡结构23上的透明导电层18及绝缘材料叠层50具有较佳的批覆性，减少裂缝产生。图8B及图8C为显微影像图，显示图8A的不同变化例。如图8B所示，第二绝缘部23b的侧壁包含第一子侧壁23s1、第二子侧壁23s2及第三子侧壁23s3，第一子侧壁23s1斜率小于第二子侧壁23s2斜率，第二子侧壁23s2斜率小于第三子侧壁23s3斜率。第三子侧壁23s3斜面长度大于第一子侧壁23s1斜面长度、或大于第二子侧壁23s2斜面长度。在另一变化例中，如图8C所示，第二绝缘部23b的侧壁包含第一子侧壁23s1、第二子侧壁23s2、第三子侧壁23s3及第四子侧壁23s4，其中第一子侧壁23s1斜率大于第四子侧壁23s4斜率，例如，斜率关系为：第一子侧壁23s1>第二子侧壁23s2斜率及第三子侧壁23s3>第四子侧壁23s4。较佳地，第一子侧壁23s1的斜率不大于45度。上述关于第二绝缘部23b的侧壁结构的描述也适用于第一绝缘部23a的侧壁结构。第三子侧壁23s3斜面长度大于第一子侧壁23s1斜面长度、或大于第四子侧壁23s4斜面长度、或大于第二子侧壁23s2斜面长度。

图9A显示依据本发明另一实施例的发光元件2。图9B是沿着图9A中线段A-A’截面的截面图。发光元件2与发光元件1的差别在于，发光元件2包含多个发光单元，例如发光单元22a及22b分开地设置于基底10的上表面10a，各发光单元22a及22b分别包含半导体叠层12，彼此之间以沟槽36分离。其中，各发光单元22a及22b的长边沿着发光元件2的长边设置。基底10的上表面10a包含一走道区未被半导体叠层12所覆盖，所述的走道区位于发光元件2的周围并围绕发光单元22a及22b。于本实施例中，各半导体叠层12的第一半导体层121的上表面121a除了设置第一接触电极20的接触区域，还包含周围平台区域位于半导体叠层12的周围，围绕活性层123和第二半导体层122，其中，所述的接触区域及周围平台区域未被活性层123和第二半导体层122所覆盖。在另一实施例中，如图9C所示，第一半导体层121的上表面121a除了设置第一接触电极20的接触区域，不包含所述的周围平台区。因此，如图9C中半导体叠层12的侧壁12s，从第二半导体层122往下至第一半导体层122呈一连续的斜面。

如图9A所示，发光元件2还包含多个导电结构60形成在相邻的发光单元22a及22b之间和各发光单元22a及22b上，各导电结构60的两端分别与各发光单元22a及22b上的接触电极相连，以电连接各发光单元22a及22b，形成串联式或并联式发光单元阵列，例如，各导电结构60的一端与发光单元22a上的第二指状部302相连，另一端与发光单元22b上的第一指状部202相连，使发光单元22a及22b达到电性串联。导电结构60的材料包含金属，例如包含和接触电极20及30相同的金属材料。发光单元22a上的第二指状部302沿着发光单元22a的长边设置，且发光单元22a上的第二指状部302长度至少为发光单元22a的长边长度的30％。发光单元22b上的第一指状部202沿着发光单元22b的长边设置，且发光单元22b上的第一指状部202长度至少为发光单元22b的长边长度的30％。在一实施例中，导电结构60的宽度大于第一指状部202的宽度及/或第二指状部302的宽度，且发光单元22a上的第二指状部302与发光单元22b上的第一指状部202是分别连接于导电结构60的两个对角。

发光元件2还包含沟槽36位于两相邻的发光单元22a及22b之间，沟槽36底部露出基底10的上表面10a，沟槽36的侧壁为两相邻发光单元22a及22b的相面对的内侧壁所界定。本实施例中，电流阻挡结构23包含第二绝缘部23b及第三绝缘部23c。第二绝缘部23b包含多个分离部分别位于发光单元22a上的第二指状部302及第二半导体层122之间、及发光单元22b上的第二接触电极30及第二半导体层122之间。第三绝缘部23c覆盖沟槽36，更具体而言，第三绝缘部23c覆盖沟槽36中基底上表面10a，及发光单元22a及22b靠近沟槽36的相对的内侧壁，且进一步延伸至发光单元22a及22b的半导体叠层12上，其中，第三绝缘部23c与部分的第二绝缘部23b相连。如图9A所示，多个导电结构60分开设置于发光单元22a及22b之间，并分别邻近于发光元件2的二个相对的长边。第三绝缘部23c为单一结构位于多个导电结构60下方，并沿着沟槽36设置，第三绝缘部23c覆盖整个沟槽36并延伸至基底上表面10a的所述的走道区。亦即，第三绝缘部23c在Y方向上的长度大致与发光元件2在Y方向上的长度(短边长度)相等。在一实施例中，如图9A所示，第三绝缘部23c的边缘E5与发光元件2的长边对齐。在另一实施例(图未示)中，第三绝缘部23c沿着沟槽36设置，覆盖整个沟槽36但未覆盖基底上表面10a的走道区。在另一实施例(图未示)中，发光元件2的第三绝缘部23c包含多个分离的绝缘部分别对应设置于多个导电结构60下方。

绝缘材料叠层50覆盖发光单元22a及22b的半导体叠层12、多个导电结构60以及沟槽36上，其中，绝缘材料叠层50包含多个开口501位于发光单元22a上以及多个开口502位于发光单元22b上。第一电极垫20A位于绝缘材料叠层50上，并经由多个开口501与其下方的第一接触部201及201’连接，如图9A所示，多个开口501的数量例如为三个。第二电极垫30A位于绝缘材料叠层50上，并经由多个开口502与其下方的第二接触部301及301’连接，如图9A所示，多个开口502的数量例如为3个。第一电极垫20A不覆盖发光单元22a上的第二指状部302，第二电极垫30A不覆盖发光单元22b上的第一指状部202，具体地，第一电极垫20A在Z方向上不与第二接触电极30重叠；第一电极垫30A在Z方向上不与第一接触电极20重叠，因此，当绝缘材料叠层50发生损伤或裂缝时，电极垫也不会和不同导电型态的接触电极发生短路。如图9A所示，发光单元22a上的第一接触电极20(201、201’、202)与发光单元22b上的第二接触电极30(301、301’、302)实质上是以沟槽36为对称轴呈对称设置，因此，可以使发光单元22a及22b中的电流散布及亮度较为一致。发光元件2的各元件的具体结构例如材料、厚度、侧壁角度等，如未在此实施例具体描述且与发光元件1具有相同名称及标号，可参考发光元件1的描述，因此不加以赘述。

图10显示依据本发明另一实施例的发光元件3。发光元件3与发光元件2同样为发光单元阵列，差别在于，发光元件3包含三个发光单元22a-22c设置于基底10上，各发光单元22a-22c的短边沿着发光元件3的长边设置，相邻的发光单元22a-22c之间以单个导电结构60电连接。发光元件3的各元件的具体结构例如材料、厚度、侧壁角度等，如未在此实施例具体描述且与发光元件1或2具有相同名称及标号，可参考发光元件1或2的描述，因此不加以赘述。

如图10所示，在发光单元22a上，第一接触电极20及第二指状部302分别沿着发光单元22a的长边设置。第一电极垫20A位于发光单元22a上方的绝缘材料叠层50上，经由开口501与第一接触部201连接。由俯视观之，第一电极垫20A绕开与第一指状部202及第二指状部302，在Z方向上不与第一指状部202及第二指状部302重叠。此外，第一电极垫20A包含外突部20p在Z方向上与第一接触部201重叠，在一实施例中，外突部20p至少超出第一接触部201的边缘1μm。在发光单元22b上，第二指状部302呈弧形，在一实施例中地，弧形绕开发光元件3的中心区域。现行市面上的发光元件通常以晶粒型式贴附于一暂时膜层(例如蓝膜)上，待后续处理时再以一顶针施力于暂时膜层上以取下被顶针作用的发光元件，其中，顶针的施力点大致对应于发光元件的两电极垫(例如第一电极垫20A与第二电极垫30A)之间的中心区域。在本实施例的发光元件3中，位于发光单元22b上的第二指状部302绕开发光元件3的中心区域，因此发光元件3具有平坦的中心区域，在使用顶针取下发光元件3时，可以避免发光元件3于顶针处的表面高低起伏而受力不均，减少发光元件3因此失效的风险。第二电极垫30A位于发光单元22c上方的绝缘材料叠层50上，经由开口502与第二接触部201连接。

在另一实施例中，发光元件2或3还包含反射结构(图未示)设置于基底10的下表面10b，用以反射半导体叠层12所发出的光，使光主要由基底10的侧表面10c摘出。反射结构可以如前述绝缘材料叠层50，由一对或多对由不同折射率的材料层所组成的绝缘材料对堆叠而成。

依本发明任一实施例的发光元件如发光元件2及3，同样可适用于图3的实施例，将各实施例的发光元件取代图3的发元元件1，并使各实施例的发光元件对应的第一电极垫20A及第二电极垫30A分别经由导电接合层80接合至电路接合垫8a及8b，形成发光模块100。同样地，各实施例的发光元件如发光元件2及3，在区域R1及R2的具体结构也可适用如图4A～图8C所描述的结构，不在各实施例一一赘述。

图11显示一显示装置背光单元103的截面图，显示装置背光单元103包含前述任一实施例的发光元件。显示装置背光单元103包含壳体300，壳体300中容纳了如图3所示的发光模块100，光学膜112设置于发光模块100上方。光学膜112例如为光扩散片(lightdiffuser)。在本实施例中，背光单元103为直下式背光单元。发光模块100包含载板101，以及依本发明任一实施例的发光元件安装排列在载板101上。在另一实施例中(图未示)，发光模块100包含载板101和安装排列在其上表面上的多个发光元件封装体，发光元件封装体内封有前述任一实施例的发光元件，以倒装的方式安装在载板101的上表面上。

图12A显示一显示装置105的俯视示意图，显示装置105包含前述任一实施例的发光元件。如图12A所示，显示装置105包含显示基板200，其中显示基板200包含显示区210与非显示区220，以及多个像素单元PX排列设置于显示基板200中的显示区210，各像素单元PX分别包含多个子像素PX_A、PX_B及PX_C，各子像素发出不同颜色的光。非显示区220中设置有数据线驱动电路130以及扫描线驱动电路140，用以控制各像素单元PX。像素单元PX包含前述任一实施例的发光元件。

图12B为图12A中像素单元PX的局部截面图，显示基板200设置有电路接合垫8’及电路(图未示)，电路包含主动式电子元件，例如晶体管等。发光元件封装体4以倒装的方式接合于显示基板200上。类似于图3所示发光模块100，发光元件封装体4包含载板101，载板101的一侧设置有电路接合垫8a及8b及电路(图未示)，载板101的该侧上安装有多个发光元件，多个发光元件包含依本发明任一发光元件，以倒装的方式，将第一电极垫20A及第二电极垫30A分别经由导电接合层80接合至电路接合垫8a及8b。发光元件封装体4中载板101的另一侧还包含多个接合垫8”，与显示基板200上的电路接合垫8’连接，使显示基板200上的驱动电路电连接至多个发光元件。

但是上述实施例仅为例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本发明所属技术领域中普通技术人员均可在不违背本发明的技术原理及精神的情况下，对上述实施例进行修改及变化。举凡依本发明权利要求所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求内。

Claims (10)

1.一种发光元件，包含：

半导体叠层，包括第一半导体层、活性层及第二半导体层；

第一接触电极及第二接触电极位于该半导体叠层上，其中该第一接触电极包含位于该第一半导体层上的第一接触部，该第二接触电极包含位于该第二半导体层上的第二接触部；

绝缘材料叠层，位于该半导体叠层上，包含开口位于该第二接触部上；以及

第一电极垫及第二电极垫位于该绝缘材料叠层上，其该中第二电极垫填入该开口连接该第二接触部；

其中，该第二电极垫包含上表面，该上表面包含高台区及凹陷区对应位于该第二接触部上；

其中，该高台区相对于该上表面的其他区域具有最大高度；

其中，该高台区在水平面上的投影面积为A1，该高台区及该凹陷区在该水平面上的投影面积总和为A2，A1/A2的比值介于50％～80％。

2.如权例要求1所述的发光元件，其中该半导体叠层包含一对长边及一对短边；

其中，该第二接触电极还包含连接该第二接触部并沿该长边之一延伸的第二指状部；以及

其中，该第二指状部不平行于该长边。

3.如权例要求1所述的发光元件，还包含电流阻挡结构位于该第一接触电极及/或该第二接触电极下方，其中该电流阻挡结构包含交替堆叠的多个不同折射率的绝缘层；以及

其中，该电流阻挡结构的侧壁包含多个具有不同斜率的子侧壁。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一接触部位于该第一半导体层的角落；以及该第一电极垫包括朝角落突出的外突部，该外突部覆盖该第一接触部。

5.如权例要求1所述的发光元件，还包含透明导电层，位于该第二半导体层上的；

其中，该第一半导体层包含上表面未被该活性层及该第二半导体层覆盖；

在截面中，该半导体叠层包含从该第二半导体层延伸至第一半导体层的底部的连续侧壁；

靠近该第一半导体的该上表面的该透明导电层与该第二半导体层的间距小于靠近该连续侧壁的该透明导电层与该第二半导体层的间距。

6.如权例要求1所述的发光元件，还包含基底及导电结构；其中：

该第一接触电极还包含多个第一指状部，该第二接触电极还包含多个第二指状部；

该半导体叠层包含分开形成在该基板上的第一单元、第二单元及第三半单元；

该第一接触部和该第一电极垫形成在该第一单元的该第一半导体层上，该第二接触部和该第二电极垫形成在该第三单元的该第二半导体层上；

该导电结构形成于该第一单元、该第二单元及该第三单元之间并电连接该第一单元、该第二单元及该第三单元；以及

该些第二指状部之一形成在该第二半导体叠层上，且包含弧形绕开该发光元件的中心区域和该第二单元的中心区域。

7.如权利要求1所述的发光元件，还包含基板、电流阻挡结构以及多个导电结构；其中：

该半导体叠层包含分开形成在该基底上的第一单元及第二单元；

该第一接触部和该第一电极垫形成在该第一单元的该第一半导体层上，该第二接触部和该第二电极垫形成在该第二单元的该第二半导体层上；

该些导电结构分别设置于该发光元件的相对两侧，且电连接该第一单元与该第二单元；以及

该电流阻挡结构包含单一结构，形成在第一单元和该第二单元之间且位于该些导电结构下方。

8.如权利要求7所述的发光元件，其中该单一结构包含两边缘分别与该相对两侧对齐。

9.如权利要求7所述的发光元件，还包含沟槽位于该第一单元和该第二单元之间，且该沟槽的底部包含该基底的上表面；

其中该第一单元上的该第一接触部的数量与该第二单元上的该第二接触部的数量分别为多个。

其中该第一接触电极还包含连接该第一接触部之一的第一指状部，该第二接触电极还包含连接该第二接触部之一的第二指状部；以及

在一俯视中，该第一单元上的该第一接触部和该第二单元上的该第二接触部实质上以该沟槽为对称轴呈对称设置。

10.一种发光模块，包含：

载板；

多个焊垫位于该载板上；

导电接合层；以及

如权利要求1至9其中任一的该发光元件；

其中该第一电极垫及该第二电极垫经由该导电接合层连接至该些接合垫。