CN117483768B - 一种难熔高熵合金粉末及其制备方法与应用 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种难熔高熵合金粉末及其制备方法与应用，属于高熵合金技术领域。本发明提供的难熔高熵合金粉末的制备方法包括以下步骤：在保护气氛中对难熔金属原料进行一定条件的高能振动球磨，得到前驱体粉末；然后对得到的前驱体粉末进行等离子球化处理，得到难熔高熵合金粉末。本发明的制备方法操作简单且耗时短，能耗、成本较低、收率高；制备得到的难熔高熵合金粉末球化率高，粒径适中且碳氧杂质含量大幅降低，可应用于增材制造的选区激光熔化工艺，解决了球形难熔高熵合金粉末的制备工艺繁琐、碳氧含量高，应用于3D打印成型件存在的开裂、塑性差等问题。

Description

一种难熔高熵合金粉末及其制备方法与应用

技术领域

本发明涉及高熵合金技术领域，尤其涉及一种难熔高熵合金粉末及其制备方法与应用。

背景技术

难熔高熵合金一般选取Ti、Zr、Hf等高熔点的难熔元素组成多主元合金，可添加非难熔元素调控合金的综合性能。难熔高熵合金可抑制金属间化合物的形成，一般具BCC单相固溶体结构；因其凭借其优异的高温结构稳定性和高温力学性能，在航空航天、核工业和石油化工等需要高温服役领域具有巨大应用前景，有望替代镍基高温合金。然而，难熔高熵合金具有室温脆性难加工特点，传统制造工艺存在过程复杂、周期长、材料利用率低、成本高等诸多问题，极大限制难熔高熵合金的发展和应用。增材制造因快速凝固成形复杂零件，制备的高熵合金晶粒更细、性能更好，为难熔高熵合金的研发和应用带来了新的契机。选区激光熔化是难熔高熵合金在增材制造技术中的主要应用技术，要求粉末具较高的松装密度、球形率和流动性，同时要求粉末的氧含量、碳含量较低，防止材料打印过程中球化、开裂等缺陷形成。

适用于选区激光熔化工艺尺寸的球形难熔高熵合金粉末可通过等离子球化法制备。但由于粉末在等离子停留时间极短，原料无法实现粉末合金化，因此在等离子球化前，还需制备合金化的前驱体粉末，主要通过熔炼破碎法、喷雾造粒法和高能球磨法。但是，现有方法都存在一定缺陷：熔炼破碎法一般流程为电弧合金化熔炼-氢化处理-机械破碎-脱氢处理-筛分，需反复熔炼，成本较高，部分成分合金无法氢化破碎。Xia等人通过喷雾造粒结合等离子球化方法制备了球形MoNbTaWZr，喷雾造粒使用原料粉末较细(＜5μm)，球化后氧含量和碳含量分别为750ppm、255ppm，氧含量仍较高。专利CN108145170A通过行星式球磨制备难熔高熵合金前驱体粉末，球磨时间在12h以上；粉末球磨后需要筛分，收率低，同时加入硬脂酸锌造成粉末杂质含量较高，导致后续成形材料性能劣化，球磨后前驱体粉末为不规则形貌。专利CN110904377B采用超低温冷却高能球磨制备的WMoTaV和WMoTaVTi前驱体粉末的氧含量为0.33wt.％和0.35wt.％，杂质含量仍处于较高水平，形成氧化物，对合金结构和性能产生显著不良影响、不利于其在增材制造中的应用。

因此，优化合金化的前驱体的制备方法，并研发一种成本低、充分合金化、杂质含量低、球化率高，适用于选区激光熔化，可很好地应用于增材制造的难熔高熵合金粉末的制备方法，是当前亟需解决的痛点。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足之处而提供一种难熔高熵合金粉末及其制备方法与应用。本发明的制备方法成本低效率高，得到的难熔高熵合金粉末碳、氧含量低，球化率高、粒径适中，在增材制造过程中不易开裂、塑性好，有极高的应用价值。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

第一方面，本发明提供了一种难熔高熵合金粉末的制备方法，其包括以下步骤：

(1)在保护气氛中对难熔金属原料进行高能振动球磨，得到前驱体粉末；高能振动球磨的球料比为30：1-120：1，时间为1-5h；

(2)对步骤(1)得到的前驱体粉末进行等离子球化处理，得到难熔高熵合金粉末。

步骤(1)所述保护气氛为氩气，可减少制备过程中氧化物的形成、降低含氧量。在上述条件下采用高能振动球磨机进行球磨：在外部电机驱动下进行高频振动，利用球磨容器及其内部磨球对粉体物料产生的摩擦、剪切和撞击的作用，实现粉末的破碎混合和合金化。

优选地，其中磨球的材质为钨合金，球磨容器为真空不锈钢罐或玛瑙罐、内衬为硬质合金。

球磨过程中，易引入C、O、N、Fe等杂质元素，其中碳、氧元素对难熔高熵合金在增材制造中成件品质的影响很大。采用高能振动球磨可达更高的球料比，产生的研磨能量较大：在上述球料比范围内，能够在1-5h较短的时间内制备得到片层状的前驱体粉末，减少球磨中金属内部氧化产生的氧杂质含量，和与磨球、容器内衬刮擦引入的碳含量；同时，得到的片层状粉末径厚比在10以上，比表面积大、活性高，可在后续等离子球化处理中使碳、氧杂质充分发生反应、纯化，除杂效果更好。球料比高，则处理的原料少、效率低；球料比过低，所需球磨时间更长、引入的杂质较多；且形成不具有规则形貌的前驱体粉末、径厚比降低，不利于后续等离子球化处理，从而限制含氧量和含碳量的继续降低。

所述等离子球化处理为射频等离子球化，具有高能高焓、无电极污染、粒度可控等优点，有利于形成适宜大小的球形粉末。对得到的具有片层状形貌的前驱体粉末进行等离子球化处理，在通过等离子体时，片层状的粉末可以充分反应、进一步降低碳、氧杂质含量，并完全熔融缩聚成球形，得到充分合金化的难熔高熵合金粉末。其元素分布均匀、呈BCC单相结构，具备良好的难熔高熵合金性能，且氧、碳含量低。

上述制备方法操作简单且耗时短，能耗、成本较低、收率高；制备得到的难熔高熵合金粉末球化率高，粒径适中且碳、氧含量大幅降低，可应用于增材制造的选区激光熔化工艺，解决了球形难熔高熵合金粉末的制备工艺繁琐、杂质含量高，应用于3D打印成型时开裂、塑性差等问题。

优选地，步骤(1)中，难熔金属原料包括Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W中至少三种。其中以摩尔百分比计，每种金属原料摩尔比为5-40％。上述难熔金属原料单质具有高熔点、难熔特点，能够制备得到具有高熵效应、迟滞扩散效应、晶格畸变效应以及鸡尾酒效应的难熔高熵合金。

优选地，步骤(1)中，难熔金属原料的粒径为50-150μm。该粒径尺寸的粉末状难熔金属原料，结合控制高能振动球磨和等离子球化处理条件，能够控制得到粒径在10-63μm的球形难熔高熵合金粉末，适用于选区激光熔化要求，可应用于增材制造。

优选地，步骤(1)中，高能振动球磨的球料比为50：1-100：1，时间为2-4h。该球料比范围，反应2-4h可制备得到片层状前驱体粉末，径厚比大于15，且能够减少碳氧杂质的引入，控制氧含量和碳含量在1500ppm以下，有利于后续处理中进一步降低杂质含量。

优选地，步骤(1)中，高能振动球磨的电机振动转速为500-1500r/min。在该转速范围内，高能振动球磨机在外部电机驱动下产生较高的振动加速度(一般为重力加速度的3-10倍)和较大的振动频率，赋予磨球高碰撞能量，产生的机械冲击作用强，粉体表面产生的裂纹较难快速重新聚合，容易制备得到均匀的片层状形貌前驱体粉末。

进一步优选地，步骤(1)中，高能振动球磨的电机振动转速为900-1200r/min。该转速范围内，在较高频率下以近似的角度撞击难熔金属原料粉末，所形成的片层状前驱体粉末的径厚比最高可达25，比表面积大、有利于等离子球化处理中与等离子体充分接触反应、除去杂质。

优选地，步骤(2)中等离子球化处理的条件为：转盘转速为1-10rpm，载气流量为1-8L/min，分散气流量为0-2L/min，中心气流量为15-25L/min，第一鞘气流量为40-60L/min，第二鞘气流量为3-12L/min，等离子体功率为20-40kW，送粉速率为5-60g/min；所述第一鞘气为氩气，所述第二鞘气为氩气或氢气。经上述条件下的等离子球化处理，可制备得到具有BCC单相结构的球形难熔高熵合金，球化率大于95％，氧含量不超过500ppm、碳含量不超过300ppm。

进一步优选地，步骤(2)中等离子球化处理的条件为：转盘转速为3-5rpm，载气流量为3-5L/min，分散气流量为1-2L/min，中心气流量为20-25L/min，第一鞘气流量为50-60L/min，第二鞘气流量为5-10L/min，等离子体功率为30-40kW，送粉速率为20-40g/min；所述第一鞘气为氩气，所述第二鞘气为氢气。使用氢气作为第二鞘气，并控制一定的气流量和等离子体功率，可利用产生的氢等离子强化还原特性与杂质发生反应，反应降低碳、氧的含量、起到纯化效果，杂质元素迁移速率大大提高，碳含量可降低至100ppm、氧含量可降低至200ppm。

第二方面，本发明提供了上述难熔高熵合金粉末制备方法制备得到的难熔高熵合金粉末。经上述方法制备得到的难熔高熵合金粉末，元素分布均匀，呈BCC单相结构，球形率＞95％，氧含量及碳含量小于500ppm；通过粒径调控可满足3D打印的目标要求，且避免碳、氧含量过高产生的开裂，在增材制造中有较高的应用价值。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

本发明通过高能振动球磨实现片层状前驱体粉末高效快速制备、并减少了杂质的引入；进一步经等离子球化处理得到难熔高熵合金粉末，呈BCC单相结构、分布均匀、球形率高，碳、氧杂质含量显著降低，能够进一步满足实际生产中热喷涂工艺或3D打印工艺的要求，具有较高的应用价值。

附图说明

图1为难熔金属原料粉末的电镜图；

图2为实施例1高能振动球磨后的前驱体粉末形貌和元素分布图；

图3为实施例1等离子球化处理后的难熔高熵合金粉末截面图；

图4为实施例2高能振动球磨后的前驱体粉末形貌和元素分布图；

图5为实施例2等离子球化处理后的难熔高熵合金粉末截面图；

图6为对比例1行星式球磨后的前驱体粉末形貌图。

具体实施方式

为更好地说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。下述实施例中所使用的试验方法如无特殊说明，均为常规方法；所使用的材料、试剂等，如无特殊说明，为可从商业途径获得的试剂和材料。

实施例1

本发明实施例的一种难熔高熵合金粉末的制备方法，包括以下步骤：

(1)将难熔金属原料粉末按下述的摩尔百分比混合：5％W、10％Mo、35％Ta、35％Nb、15％V，然后在氩气保护下进行高能振动球磨：球料比为50:1，电机振动转速为900r/min，球磨的时间为4h，得到片层状结构的WMoTaNbV前驱体粉末，径厚比为25，氧含量为1100ppm，碳含量为1300ppm。

(2)对得到的前驱体粉末进行射频等离子体球化处理：转盘转速为4rpm，载气流量为5L/min，分散气流量为1.5L/min，中心气流量为20L/min，第一鞘气(氩气)流量为50L/min，第二鞘气(氢气)流量为5L/min，等离子体功率为35kW，混合原料的送粉速率为20g/min，得到难熔高熵合金粉末。

步骤(1)中的难熔金属原料粉末的电镜图如图1：分别为(a)W粉，(b)Mo粉，(c)Ta粉，(d)Nb粉和(e)V粉，粒径尺寸都在50-150μm。

高能振动球磨后得到的前驱体粉末形貌和元素分布如图2。由图2可知，前驱体粉末形貌为均匀的片层状结构，且各元素分布均匀、合金化程度高。

等离子球化处理后得到的难熔高熵合金粉末截面如图3，由图3可知：材料呈BCC单相结构，且各元素均匀分布、充分合金化，成功制备得到了难熔高熵合金粉末。

制备得到的难熔高熵合金粉末球化率为98％，球形率高；碳含量270ppm，氧含量340ppm，碳、氧杂质含量较低、大小适中，可应用于增材制造中，避免工艺处理中的材料开裂。

实施例2

本发明实施例的一种难熔高熵合金粉末的制备方法，包括以下步骤：

(1)将难熔金属原料粉末按下述的摩尔百分比混合：5％W、10％Mo、35％Ta、35％Nb、15％V；然后在氩气保护下进行高能振动球磨：球料比为90:1，电机振动转速为1200r/min，球磨的时间为3h，得到片层状结构的WMoTaNbV前驱体粉末：径厚比为20，氧含量为1300ppm，碳含量为940ppm。

(2)对得到的前驱体粉末进行射频等离子体球化处理：转盘转速为3rpm，载气流量为3L/min，分散气流量为1L/min，中心气流量为25L/min，第一鞘气(氩气)流量为60L/min，第二鞘气(氢气)流量为7L/min，等离子体功率为30kW，混合原料的送粉速率为40g/min，得到难熔高熵合金粉末。

步骤(1)中的难熔金属原料粉末的电镜图如图1：分别为(a)W粉，(b)Mo粉，(c)Ta粉，(d)Nb粉和(e)V粉，粒径尺寸都在50-150μm。

高能振动球磨后得到的前驱体粉末形貌和元素分布如图4：由图4可知，前驱体粉末形貌为均匀的片层状结构，且各元素分布均匀、粉末合金化程度高。

等离子球化处理后得到的难熔高熵合金粉末截面如图5，由图5可知：材料呈BCC单相结构，且各元素均匀分布、充分合金化，成功制备得到了难熔高熵合金粉末。

制备得到的难熔高熵合金粉末球化率为97％，球形率高；碳含量110ppm，氧含量380ppm，碳、氧杂质含量较低、大小适中，可应用于增材制造中，避免工艺处理中的材料开裂。

实施例3

本发明实施例的一种难熔高熵合金粉末的制备方法，包括以下步骤：

(1)将难熔金属原料粉末按下述的摩尔百分比混合：5％W、12.5％Mo、35％Ta、40％Ti、7.5％Hf；然后在氩气保护下进行高能振动球磨：球料比为100:1，电机振动转速为960r/min，球磨的时间为2h，得到片层状结构的WMoTaTiHf前驱体粉末：径厚比为15，氧含量为1100ppm，碳含量为720ppm。

(2)对得到的前驱体粉末进行射频等离子体球化处理：转盘转速为5rpm，载气流量为4L/min，分散气流量为2L/min，中心气流量为22L/min，第一鞘气(氩气)流量为55L/min，第二鞘气(氢气)流量为10L/min，等离子体功率为40kW，原料的送粉速率为30g/min。

上述难熔金属原料粉末的粒径尺寸在50-150μm；高能振动球磨后得到的前驱体粉末形貌为均匀的片层状结构，且各元素分布均匀、粉末合金化程度高。

等离子球化处理后得到的难熔高熵合金粉末呈BCC单相结构，且各元素均匀分布、充分合金化，成功制备得到了难熔高熵合金粉末。

制备得到的难熔高熵合金粉末球化率为98％，球形率高；碳含量100ppm，氧含量200ppm，碳、氧杂质含量较低、大小适中，可应用于增材制造中，避免工艺处理中的材料开裂。

实施例4

实施例4与实施例3的不同之处仅在于：球料比为30：1，球磨的时间为5h。

得到均匀的片层状结构前驱体粉末：径厚比为13，氧含量为2000ppm，碳含量为900ppm。

得到制备得到的难熔高熵合金粉末呈BCC单相结构，且各元素均匀分布、充分合金化，球化率为97％，球形率高；碳含量380ppm，氧含量450ppm，碳、氧杂质含量较低、大小适中，可应用于增材制造中，避免工艺处理中的材料开裂。

实施例5

实施例5与实施例3的不同之处仅在于：球料比为120：1，球磨的时间为1h。

得到均匀的片层状结构前驱体粉末：径厚比为12，氧含量为1200ppm，碳含量为800ppm。

得到制备得到的难熔高熵合金粉末呈BCC单相结构，且各元素均匀分布、充分合金化，球化率为96％，球形率高；碳含量310ppm，氧含量370ppm，碳、氧杂质含量较低、大小适中，可应用于增材制造中，避免工艺处理中的材料开裂。

实施例6

实施例6与实施例3的不同之处仅在于：电机振动转速为500r/min。

得到均匀的片层状结构前驱体粉末：径厚比为14，氧含量为1500ppm，碳含量为900ppm。

得到制备得到的难熔高熵合金粉末呈BCC单相结构，且各元素均匀分布、充分合金化，球化率为98％，球形率高；碳含量300ppm，氧含量400ppm，碳、氧杂质含量较低、大小适中，可应用于增材制造中，避免工艺处理中的材料开裂。

实施例7

本发明实施例的一种难熔高熵合金粉末的制备方法，包括以下步骤：

(1)将难熔金属原料粉末按下述的摩尔百分比混合：15％W、35％Ta、25％Ti、25％Zr；然后在氩气保护下进行高能振动球磨：球料比120:1，电机振动转速为1500r/min，球磨的时间为4h，得到片层状结构的WTaTiZr前驱体粉末：径厚比为11，氧含量为1800ppm，碳含量为960ppm。

(2)对得到的前驱体粉末进行射频等离子体球化处理：转盘转速为1rpm，载气流量为8L/min，分散气流量为0L/min，中心气流量为15L/min，第一鞘气(氩气)流量为40L/min，第二鞘气(氩气)流量为3L/min，等离子体功率为25kW，原料的送粉速率为5g/min。

上述难熔金属原料粉末的粒径尺寸在50-150μm；高能振动球磨后得到的前驱体粉末形貌为均匀的片层状结构，且各元素分布均匀、粉末合金化程度高。

等离子球化处理后得到的难熔高熵合金粉末呈BCC单相结构，且各元素均匀分布、充分合金化，成功制备得到了难熔高熵合金粉末。

制备得到的难熔高熵合金粉末球化率为95％，球形率高；碳含量300ppm，氧含量500ppm，碳、氧杂质含量较低、大小适中，可应用于增材制造中，避免工艺处理中的材料开裂。

实施例8

本发明实施例的一种难熔高熵合金粉末的制备方法，包括以下步骤：

(1)将难熔金属原料粉末按下述的摩尔百分比混合：15％W、35％Ta、40％Ti、10％Cr；然后在氩气保护下进行高能振动球磨：球料比120:1，电机振动转速为1200r/min，球磨的时间为2h，得到片层状结构的WTaTiCr前驱体粉末：径厚比为13，氧含量为1500ppm，碳含量为950ppm。

(2)对得到的前驱体粉末进行射频等离子体球化处理：转盘转速为10rpm，载气流量为1L/min，分散气流量为1.5L/min，中心气流量为25L/min，第一鞘气(氩气)流量为40L/min，第二鞘气(氩气)流量为12L/min，等离子体功率为20kW，原料的送粉速率为60g/min。

上述难熔金属原料粉末的粒径尺寸在50-150μm；高能振动球磨后得到的前驱体粉末形貌为均匀的片层状结构，且各元素分布均匀、粉末合金化程度高。

等离子球化处理后得到的难熔高熵合金粉末呈BCC单相结构，且各元素均匀分布、充分合金化，成功制备得到了难熔高熵合金粉末。

制备得到的难熔高熵合金粉末球化率为95％，球形率高；碳含量290ppm，氧含量400ppm，碳、氧杂质含量较低、大小适中，可应用于增材制造中，避免工艺处理中的材料开裂。

对比例1

对比例1与实施例1的不同之处仅在于，采用行星式球磨，为保证混合均匀及粒径满足增材制造要求，需要球磨的时间为8h。得到WMoTaNbV前驱体粉末的径厚比为1.3，氧含量为2500ppm，碳含量为1500ppm。

行星式球磨后得到的前驱体粉末形貌如图6。由图6：所得前驱体粉末形貌不规则。

制备得到的难熔高熵合金粉末球化率为94％，碳含量670ppm，氧含量960ppm，碳、氧杂质含量较高，应用于增材制造中易导致成件开裂。

对比例2

对比例2与实施例1的不同之处仅在于，高能振动球磨的球料比为20:1，球磨的时间为8h。得到WMoTaNbV前驱体粉末的径厚比为3.5，氧含量为2000ppm，碳含量为1600ppm。

所得前驱体粉末形貌不规则；制备得到的难熔高熵合金粉球化率为96％，碳含量730ppm，氧含量820ppm，碳、氧杂质含量较高，应用于增材制造中易导致成件开裂。

对比例3

对比例3与实施例1的不同之处仅在于，高能振动球磨的球料比为150:1，球磨的时间为0.5h。得到WMoTaNbV前驱体粉末的径厚比为4，氧含量为1000ppm，碳含量为700ppm。

所得前驱体粉末形貌不规则；制备得到的难熔高熵合金粉球化率为97％，碳含量510ppm，氧含量630ppm，由于球磨时间过短，前驱体粉末混合不均匀，导致增材制造成形件成分偏析。

对比例4

对比例4与实施例1的不同之处仅在于，电机振动转速为100r/min。得到WMoTaNbV前驱体粉末的径厚比为5，氧含量为1200ppm，碳含量为800ppm。

所得前驱体粉末形貌不规则；制备得到的难熔高熵合金粉球化率为95％，碳含量590ppm，氧含量650ppm，由于振动转速较低，前驱体粉末混合不均匀，不规则形貌粉末降氧效果差，应用于增材制造中易导致成件开裂和成分偏析。

由上述实施例及对比例的比较可知：

只有采用高能振动球磨，并使球料比、球磨时间和电机振动转速在特定的范围内，才能使难熔金属原料混匀并合金化，得到形貌为均匀片层状的前驱体粉末。片层状前驱体粉末径厚比在10以上、比表面积大，能够在后续的等离子体球化处理中充分反应、降低杂质氧、碳的含量，得到适用于增材制造的难熔高熵合金粉末。采用其他球磨方式(如行星式球磨)、或球磨条件在范围之外，则无法得到均匀的片层状前驱体粉末，制备得到的难熔高熵合金粉末碳、氧含量较高，应用于增材制造中易导致成件开裂或成分偏析

最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (9)

1.一种难熔高熵合金粉末的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在保护气氛中对难熔金属原料进行高能振动球磨，得到前驱体粉末；所述高能振动球磨的球料比为30：1-120：1，时间为1-5h；所述高能振动球磨的电机振动转速为500-1500r/min；

(2)对步骤(1)得到的前驱体粉末进行等离子球化处理，得到所述难熔高熵合金粉末。

2.根据权利要求1所述难熔高熵合金粉末的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，难熔金属原料包括Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W中至少三种。

3.根据权利要求1所述难熔高熵合金粉末的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，难熔金属原料的粒径为50-150μm。

4.根据权利要求1所述难熔高熵合金粉末的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，高能振动球磨的球料比为50：1-100：1，时间为2-4h。

5.根据权利要求1所述难熔高熵合金粉末的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，高能振动球磨的电机振动转速为900-1200r/min。

6.根据权利要求1所述难熔高熵合金粉末的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中等离子球化处理的条件为：转盘转速为1-10rpm，载气流量为1-8L/min，分散气流量为0-2L/min，中心气流量为15-25L/min，第一鞘气流量为40-60L/min，第二鞘气流量为3-12L/min，等离子体功率为20-40kW，送粉速率为5-60g/min；所述第一鞘气为氩气，所述第二鞘气为氩气或氢气。

7.根据权利要求6所述难熔高熵合金粉末的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中等离子球化处理的条件为：转盘转速为3-5rpm，载气流量为3-5L/min，分散气流量为1-2L/min，中心气流量为20-25L/min，第一鞘气流量为50-60L/min，第二鞘气流量为5-10L/min，等离子体功率为30-40kW，送粉速率为20-40g/min；所述第一鞘气为氩气，所述第二鞘气为氢气。

8.根据权利要求1-7任一项所述难熔高熵合金粉末的制备方法制备得到的难熔高熵合金粉末。

9.根据权利要求8所述难熔高熵合金粉末在增材制造中的应用。