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CN117351883A - 像素结构及其驱动方法、显示装置 - Google Patents

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CN117351883A
CN117351883A CN202311378199.7A CN202311378199A CN117351883A CN 117351883 A CN117351883 A CN 117351883A CN 202311378199 A CN202311378199 A CN 202311378199A CN 117351883 A CN117351883 A CN 117351883A
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signal line
transistor
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pixel structure
photosensitive
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王雷
秦云科
贾鹏
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BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
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Abstract

本公开提供一种像素结构及其驱动方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的像素结构中走线数量较多，影响显示面板的分辨率的问题。本公开的像素结构中，驱动晶体管被配置为响应于数据信号线提供的数据信号，将驱动电压转换为驱动电流，并将驱动电流写入发光器件；感光电路被配置为在偏置电压信号线提供的偏置电压信号的控制下处于反偏状态，并根据发光器件发出的光信号，生成检测电信号；采集读取电路被配置为响应于采集控制信号线提供的采集控制信号，采集检测电信号，并将检测电信号传输至读取信号线；读取信号线复用数据信号线。

Description

像素结构及其驱动方法、显示装置
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种像素结构及其驱动方法、显示装置。
背景技术
目前，指纹识别功能已经成为手机等其他显示产品的标配。指纹识别技术分为屏下指纹识别和屏内指纹识别，屏下指纹识别是通过将指纹识别传感器模组设置于显示面板的下侧来实现的，屏内指纹识别是通过将指纹识别传感器模组直接集成于显示面板来实现的，其中，屏内指纹识别可以使显示产品更加轻薄。随着显示产品逐渐向曲面屏、折叠屏的方向发展，有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板也成为了当下的主流产品。因此OLED显示面板和屏内指纹识别技术的结合是未来手机等显示产品的重要研究方向。
相关技术中，屏内指纹识别技术通常是在OLED显示面板的低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon，LTPS)背板中增加单独的感光电路和采集读取电路，不仅会占用像素单元空间，还会影响显示分辨率和指纹检测的准确性。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供了一种像素结构及其驱动方法、显示装置。
第一方面，本公开实施例提供了一种像素结构，所述像素结构包括：像素电路；所述像素电路包括：数据信号线、驱动晶体管和发光器件；所述像素结构还包括：偏置电压信号线、采集控制信号线、读取信号线、感光电路和采集读取电路；
所述驱动晶体管被配置为响应于数据信号线提供的数据信号，将驱动电压转换为驱动电流，并将驱动电流写入所述发光器件；
所述感光电路被配置为在偏置电压信号线提供的偏置电压信号的控制下处于反偏状态，并根据所述发光器件发出的光信号，生成检测电信号；
所述采集读取电路被配置为响应于采集控制信号线提供的采集控制信号，采集所述检测电信号，并将检测电信号传输至读取信号线；
所述读取信号线复用所述数据信号线。
可选地，所述感光电路包括：光敏器件；所述采集读取电路包括：采集晶体管；
所述光敏器件的一端连接偏置电压信号线，另一端连接所述采集晶体管的第一极；
所述采集晶体管的控制极连接采集控制信号线，第一极连接所述光敏器件的另一端，第二极连接所述驱动晶体管的控制极。
可选地，所述感光电路包括：光敏器件；所述采集读取电路包括：采集晶体管；
所述光敏器件的一端连接偏置电压信号线，另一端连接所述采集晶体管的第一极；
所述采集晶体管的控制极连接采集控制信号线，第一极连接所述光敏器件的另一端，第二极连接所述驱动晶体管的第二极。
可选地，所述感光电路包括：光敏器件；所述采集读取电路包括：采集晶体管；
所述光敏器件的一端连接偏置电压信号线，另一端连接所述采集晶体管的第一极；
所述采集晶体管的控制极连接采集控制信号线，第一极连接所述光敏器件的另一端，第二极连接所述数据信号线。
可选地，所述像素电路还包括：第一初始化晶体管和第二初始化晶体管；所述第一初始化晶体管和所述第二初始化晶体管的第一极均连接初始化信号线；所述发光器件的第二极连接第二电源电压线；
所述偏置电压信号线复用所述初始化信号线或所述第二电源电压线。
可选地，所述像素电路还包括：阈值补偿晶体管；所述阈值补偿晶体管的控制极连接第一扫描信号线；
所述采集控制信号线复用所述第一扫描信号线。
可选地，所述感光电路还包括：存储电容；
所述存储电容的一端连接所述光敏器件的一端，另一端连接所述光敏器件的另一端。
可选地，所述光敏器件包括：光电二极管、有机光电二极管或者光敏电致发光二极管。
第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括如上述提供的像素结构。
第三方面，本公开实施例提供了一种像素结构的驱动方法，用于驱动如上述提供的像素结构，所述像素结构的驱动方法包括：
在发光阶段，响应于数据信号线提供的数据信号，利用驱动晶体管将驱动电压转换为驱动电流，并将驱动电流写入所述发光器件；
在采集阶段，利用感光电路根据所述发光器件发出的光信号，生成检测电信号；
在读取阶段，响应于采集控制信号线提供的采集控制信号，利用采集读取电路采集所述检测电信号，并将检测电信号传输至读取信号线；其中，所述读取信号线复用所述数据信号线。
附图说明
图1为一种示例性的指纹识别电路的结构示意图。
图2为本公开实施例提供的第一种像素结构的示意图。
图3为图2所示的像素结构的工作时序图。
图4a至图4f为本公开实施例提供的像素结构在不同阶段下各个晶体管的开启状态及驱动电压充电方向示意图。
图5为本公开实施例提供的第二种像素结构的示意图。
图6为本公开实施例提供的第三种像素结构的示意图。
图7为图6所示的像素结构的工作时序图。
图8为本公开实施例提供的第四种像素结构的示意图。
图9为本公开实施例提供的第五种像素结构的示意图。
图10为本公开实施例提供的像素结构的驱动方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开实施例中的所采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性的相同器件，由于采用的晶体管的源极和漏极是对称的，所以其源极、漏极是没有区别的。在本公开实施例中，为区分晶体管的源极和漏极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。此外按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型。当采用N型晶体管时，控制极为N型晶体管的栅极，第一极为N型晶体管的源极，第二极为N型晶体管的漏极。栅极输入高电平时，源极和漏极导通。P型晶体管与N型晶体管的控制信号相反，可以想到的是采用P型晶体管实现是本领域技术人员可以在没有付出创造性劳动前提下轻易想到的，因此也是在本公开实施例的保护范围内的。第一电源电压端可以为高电平电源电压端，第二电源电源端可以为低电平电源电压端。
本发明的实施例中的发光器件为电流型发光器件，进一步地，可以为微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)或者迷你发光二极管(Mini LightEmitting Diode，Mini LED)或者有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)。在本公开实施例中以发光器件为OLED为例进行说明，发光器件的第一极和第二极分别为OLED的阳极和阴极。
图1为一种示例性的指纹识别电路的结构示意图，如图1所示，OLED显示面板的基板上集成设置有指纹识别电路，指纹识别电路包括：感光电路101和采集读取电路102。感光电路101可以为光敏器件，具体可以为光电二极管(Photodiode，PIN)、有机光电二极管(Organic Photo Diode，OPD)，或者光敏电致发光二极管，在本公开实施例及之后的描述中将以PIN为例进行说明。采集读取电路102可以为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。光电二极管的一端连接偏置电压信号线Vbias，另一端连接薄膜晶体管的源极。薄膜晶体管的栅极连接采集控制信号线S(n)，源极连接光电二极管的另一端，漏极连接读取信号线Read。
可见，指纹识别电路至少连接偏置电压信号线Vbias、采集控制信号线S(n)、读取信号线Read三条信号线，走线数量较大，对OLED显示面板的像素单元造成一定程度的空间占用，因此会对OLED显示面板的显示分辨率造成影响，还会影响指纹识别的准确性。
为了至少解决上述的技术问题之一，本公开实施例提供了一种像素结构及其驱动方法、显示装置，下面将结合附图及具体实施方式，对本公开实施例提供的像素结构及其驱动方法、显示装置进行进一步详细描述。
第一方面，本公开实施例提供了一种像素结构，图2为本公开实施例提供的第一种像素结构的示意图，如图2所示，该像素结构包括：像素电路100；像素电路包括：数据信号线Vdata、驱动晶体管DT和发光器件OLED；像素结构还包括：偏置电压信号线Vbias、采集控制信号线S(n)、读取信号线Read、感光电路101和采集读取电路102。
驱动晶体管DT被配置为响应于数据信号线Vdata提供的数据信号，将驱动电压转换为驱动电流，并将驱动电流写入发光器件OLED。感光电路101被配置为在偏置电压信号线Vbias提供的偏置电压信号的控制下处于反偏状态，并根据发光器件OLED发出的光信号，生成检测电信号。采集读取电路102被配置为响应于采集控制信号线S(n)提供的采集控制信号，采集检测电信号，并将检测电信号传输至读取信号线Read；读取信号线Read复用数据信号线Vdata。
像素电路100中的驱动晶体管DT可以在数据信号线Vdata提供的数据信号的驱动下，将驱动电压转换为驱动电流，并将驱动电流写入发光器件OLED中，以驱动发光器件OLED发光，实现显示功能。可以理解的是，OLED器件包括阳极、有机层组和阴极，有机层组包括至少一个有机发光层。可以理解的是，在施加电流的情况下，阴极注入电子且阳极形成空穴，电子和空穴穿过各个层相向运动，并在有机发光层结合将能量以光子的形式释放，上述过程在驱动电流通过时不间断地快速发生，从而实现连续的发光。
感光电路101可以生成根据发光器件OLED发出的光线号，生成检测电信号。采集读取子电路102可以将上述的检测电信号进行采集并读取，实现检测功能。该检测电信号除了可以用于对指纹进行检测以外，还可以对心率、压力、血氧饱和度、血压、血糖、皮肤状态等其他体征进行检测。在本公开实施例及之后的描述中将以指纹识别为例进行描述。
本公开实施例提供的像素结构不仅可以实现显示功能，还可以实现指纹识别等功能，其中，读取信号线Read复用数据信号线Vdata，可以直接采用像素电路中原有的数据信号线Vdata用作读取信号线Read，不必单独设置独立的读取信号线Read，这样可以减少信号线的数量，减少信号线数量过多对OLED显示面板的像素单元的空间占用，因此可以避免信号线对OLED显示面板的显示分辨率造成影响，从而可以提高OLED显示面板的分辨率。
在此需要说明的是，像素电路100可以采用任意类型的驱动电路，例如可以采用7T1C(包括7个晶体管和1个电容)电路或者11T3C(包括11个晶体管和3个电容)电路，本申请对此不做具体限定。在本公开实施例及之后的描述中，将以像素电路100采用7T1C电路为例进行详细说明。
示例性地，如图2所示，像素电路1包括7个晶体管(即图示中的第一复位晶体管T1、阈值补偿晶体管T2、数据写入晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第二复位晶体管T6和驱动晶体管DT)和1个电容(即图示中的电容C1)。其中，第一复位晶体管T1、阈值补偿晶体管T2为氧化物晶体管，属于N型晶体管，数据写入晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第二复位晶体管T6、驱动晶体管DT为低温多晶硅晶体管，属于P型晶体管。可以理解的是，上述各个晶体管的类型仅为示例性的，其类型也可以根据实际需要进行设置，在此不再进行详述。
其中，第一复位晶体管T1的栅极连接上一级第一扫描信号线NG(n-1)，源极连接初始化信号线Vinit，漏极连接驱动晶体管DT的栅极。阈值补偿晶体管T2的栅极连接第一扫描信号线NG(n)，源极连接驱动晶体管DT的漏极，漏极连接驱动晶体管DT的栅极。数据写入晶体管T3的栅极连接第二扫描信号线PG(n)，源极连接数据信号线Vdata，漏极连接驱动晶体管DT的源极。第一发光控制晶体管T4的栅极连接第一发光控制信号线EM(n)，源极连接第一电源电压信号线Vdd，漏极连接驱动晶体管DT的源极。第二发光控制晶体管T5的栅极连接第二发光控制信号线EM’(n)，源极连接驱动晶体管DT的漏极，漏极连接发光器件OLED的阳极。第二复位晶体管T6的栅极连接第二扫描信号线PG(n)，源极连接初始化信号线Vinit，漏极连接发光器件OLED的阳极。发光器件OLED的阳极连接驱动晶体管DT的漏极，阴极连接第二电源电压线VSS。电容C1的一端连接驱动晶体管DT的栅极，另一端连接第一电源电压线Vdd。
在一些实施例中，如图2所示，感光电路101包括：光敏器件D；采集读取电路102包括：采集晶体管T7；光敏器件D的一端连接偏置电压信号线Vbias，另一端连接采集晶体管T7的源极；采集晶体管T7的栅极连接采集控制信号线S(n)，源极连接光敏器件D的另一端，漏极连接驱动晶体管DT的栅极。
光敏器件D具体可以为光电二极管(Photodiode，PIN)、有机光电二极管(OrganicPhoto Diode，OPD)，或者光敏电致发光二极管，在本公开实施例及之后的描述中将以PIN为例进行说明。
在一些实施例中，偏置电压信号线Vbias复用初始化信号线Vinit或第二电源电压线Vss。
偏置电压信号线Vbias复用初始化信号线Vinit或第二电源电压线Vss，可以直接采用像素电路中原有的初始化信号线Vinit或第二电源电压线Vss用作偏置电压信号线Vbias，不必单独设置独立的偏置电压信号线Vbias，这样可以进一步减少信号线的数量，减少信号线数量过多对OLED显示面板的像素单元的空间占用，因此可以避免信号线对OLED显示面板的显示分辨率造成影响，从而可以提高OLED显示面板的分辨率。
在一些实施例中，采集控制信号线S(n)复用第一扫描信号线NG(n)。
采集控制信号线S(n)复用第一扫描信号线NG(n)，可以直接采用像素电路中原有的第一扫描信号线NG(n)用作采集控制信号线S(n)，不必单独设置独立的采集控制信号线S(n)，这样可以进一步减少信号线的数量，减少信号线数量过多对OLED显示面板的像素单元的空间占用，因此可以避免信号线对OLED显示面板的显示分辨率造成影响，从而可以提高OLED显示面板的分辨率。
图3为图2所示的像素结构的工作时序图，图4a至图4f为本公开实施例提供的像素结构在不同阶段下各个晶体管的开启状态及驱动电压充电方向示意图，下面将结合图3、图4a至图4f，对本公开实施例提供的像素结构的工作过程进行进一步详细描述。
复位阶段：上一级第一扫描信号线NG(n-1)输入高电平信号，第一复位晶体管T1开启，阈值补偿晶体管T2、数据写入晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第二复位晶体管T6、采集晶体管T7关闭，驱动晶体管DT的栅极节点被初始化信号线Vinit提供的初始化信号复位，并储存在电容C1上，如图4a所示。可以理解的是，图4a至图4f中所示的箭头方向代表驱动电压充电方向，不代表电流方向；
阈值补偿阶段：第一扫描信号线NG(n)输出高电平信号，第二扫描信号线PG(n)输出低电平信号，阈值补偿晶体管T2、数据写入晶体管T3、第二复位晶体管T6、采集晶体管T7开启，第一复位晶体管T1、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5关闭，数据信号线Vdata提供的数据信号Vdata和驱动晶体管的阈值电压Vth经过驱动晶体管DT和阈值补偿晶体管T2写入驱动晶体管DT的栅极，并存储在电容C1上。对于指纹区，数据信号线Vdata提供指纹采集需要的指纹识别电位，指纹区外，数据信号线Vdata提供显示灰阶电位。这时，光敏器件D的第二极写入Vdata+Vth，第一极写入偏置电压信号线Vbias提供的偏置电压信号，光敏器件D工作在反偏状态。同时该阶段完成发光器件OLED阳极被初始化信号线Vinit提供的初始化信号复位，如图4b所示。
发光采集阶段：第一发光控制信号线EM(n)和第二发光控制信号线EM’(n)输出低电平信号，第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5开启，第一复位晶体管T1、阈值补偿晶体管T2、数据写入晶体管T3、第二复位晶体管T6、采集晶体管T7关闭，发光器件OLED发光。此时光敏器件D开始接收发光器件OLED发出的光线，电位变化保持在光敏器件D自身电容上，如图4c所示。
读取阶段：首先上一级第一扫描信号线NG(n-1)输出高电平信号，第一复位晶体管T1开启，阈值补偿晶体管T2、数据写入晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第二复位晶体管T6、采集晶体管T7关闭，驱动晶体管DT的栅极被初始化信号线Vinit提供的初始化信号复位，如图4d所示。然后第一扫描信号线NG(n)输出高电平信号，阈值补偿晶体管T2、采集晶体管T7开启，第一复位晶体管T1、数据写入晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第二复位晶体管T6关闭，光敏器件D积累的电荷经采集晶体管T7转移至驱动晶体管DT的栅极，储存在电容C1上，如图4e所示。最后第二扫描信号线PG(n)输出低电平信号，第二发光控制信号线EM’(n)输出低电平信号，数据写入晶体管T3、第二发光控制晶体管T5、第二复位晶体管T6开启，第一复位晶体管T1、阈值补偿晶体管T2、第一发光控制晶体管T4、采集晶体管T7关闭，带有检测电信号被存储在电容C1中的电压信号通过驱动晶体管DT，转化为电流信号，电流信号由数据写入晶体管T3和数据信号线Vdata(读取信号线Read)逐行进行读取，如图4f所示。
图5为本公开实施例提供的第二种像素结构的示意图，如图5所示，感光电路101包括：光敏器件D；采集读取电路102包括：采集晶体管T7；光敏器件D的一端连接偏置电压信号线Vbias，另一端连接采集晶体管T7的源极；采集晶体管T7的栅极连接采集控制信号线S(n)，源极连接光敏器件D的另一端，漏极连接驱动晶体管DT的漏极。
图5所示的像素结构与图2所示的像素结构的不同之处在于，图2所示的像素结构中，采集晶体管T7的漏极连接驱动晶体管DT的栅极，而图5所示的像素结构中，采集晶体管T7的漏极连接驱动晶体管DT的漏极。其实现方法与上述图2所示的像素结构的实现方法类似，其具体工作过程可以参照上述对图3及图4a至图4f的描述，在此不再进行详述。
图6为本公开实施例提供的第三种像素结构的示意图，如图6所示，感光电路101包括：光敏器件D；采集读取电路102包括：采集晶体管T7；光敏器件D的一端连接偏置电压信号线Vbias，另一端连接采集晶体管T7的源极；采集晶体管T7的栅极连接采集控制信号线S(n)，源极连接光敏器件D的另一端，漏极连接数据信号线Vdata。
图6所示的像素结构与图2所示的像素结构的不同之处在于，图2所示的像素结构中，采集晶体管T7的漏极连接驱动晶体管DT的栅极，而图6所示的像素结构中，采集晶体管T7的漏极连接数据信号线Vdata。采集控制信号线S(n)单独设置，由于读取信号线Read复用数据信号线Vdata，可以直接将光敏器件D接收的光信号转化的电信号传输至数据信号线Vdata(读取信号线Read)，不必再将检测电信号存储在电容C1中。
图7为图6所示的像素结构的工作时序图，如图7所示，其与图3所示的工作时序图的不同之处在于，在发光采集阶段，光敏器件D接收光信号并经光信号转化为电信号。在读取阶段，采集控制信号线S(n)逐行开启，光敏器件D的电荷直接通过数据信号线Vdata(读取信号线Read)逐行进行读取。其工作过程更为简单、高效。
图8为本公开实施例提供的第四种像素结构的示意图，图9为本公开实施例提供的第五种像素结构的示意图，图8所示的像素结构与图2所示的像素结构、图9所示的像素结构与图5所示的像素结构的不同之处在于，感光电路还包括：存储电容C2；存储电容C2的一端连接光敏器件D的一端，另一端连接光敏器件D的另一端。
图8和图9所示的像素结构中，光敏器件D与存储电容C2并联，可以改善光敏器件D的强光饱和问题，提升强光能力，同时增加光敏器件D的饱井容量。存储电容C2可以采用金属-非金属-金属的结构，也可以通过薄膜晶体管的源漏电极短接作为一端，栅极作为另一端，在此不再详述。
第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括如上述任一实施例提供的像素结构，该显示装置可以为电视机、手机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。其实现原理与上述的像素结构的实现原理类似，在此不再赘述。
第三方面，本公开实施例提供了一种像素结构的驱动方法，其用于驱动如上述任一实施例提供的像素结构。图10为本公开实施例提供的像素结构的驱动方法的流程示意图，如图10所示，该像素结构的驱动方法包括如下步骤S101至步骤S103。
S101，在发光阶段，响应于数据信号线提供的数据信号，利用驱动晶体管将驱动电压转换为驱动电流，并将驱动电流写入发光器件。
S102，在采集阶段，利用感光电路根据发光器件发出的光信号，生成检测电信号。
S103，在读取阶段，响应于采集控制信号线提供的采集控制信号，利用采集读取电路采集检测电信号，并将检测电信号传输至读取信号线；其中，读取信号线复用数据信号线。
本公开实施例提供的像素结构的驱动方法可以参照上述图3所示的工作时序图的描述，其实现原理相同，在此不再进行详述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：像素电路；所述像素电路包括：数据信号线、驱动晶体管和发光器件；所述像素结构还包括：偏置电压信号线、采集控制信号线、读取信号线、感光电路和采集读取电路；
所述驱动晶体管被配置为响应于数据信号线提供的数据信号，将驱动电压转换为驱动电流，并将驱动电流写入所述发光器件；
所述感光电路被配置为在偏置电压信号线提供的偏置电压信号的控制下处于反偏状态，并根据所述发光器件发出的光信号，生成检测电信号；
所述采集读取电路被配置为响应于采集控制信号线提供的采集控制信号，采集所述检测电信号，并将检测电信号传输至读取信号线；
所述读取信号线复用所述数据信号线。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述感光电路包括：光敏器件；所述采集读取电路包括：采集晶体管；
所述光敏器件的一端连接偏置电压信号线，另一端连接所述采集晶体管的第一极；
所述采集晶体管的控制极连接采集控制信号线，第一极连接所述光敏器件的另一端，第二极连接所述驱动晶体管的控制极。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述感光电路包括：光敏器件；所述采集读取电路包括：采集晶体管；
所述光敏器件的一端连接偏置电压信号线，另一端连接所述采集晶体管的第一极；
所述采集晶体管的控制极连接采集控制信号线，第一极连接所述光敏器件的另一端，第二极连接所述驱动晶体管的第二极。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述感光电路包括：光敏器件；所述采集读取电路包括：采集晶体管；
所述光敏器件的一端连接偏置电压信号线，另一端连接所述采集晶体管的第一极；
所述采集晶体管的控制极连接采集控制信号线，第一极连接所述光敏器件的另一端，第二极连接所述数据信号线。
5.根据权利要求2至4任一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素电路还包括：第一初始化晶体管和第二初始化晶体管；所述第一初始化晶体管和所述第二初始化晶体管的第一极均连接初始化信号线；所述发光器件的第二极连接第二电源电压线；
所述偏置电压信号线复用所述初始化信号线或所述第二电源电压线。
6.根据权利要求2或3所述的像素结构，其特征在于，所述像素电路还包括：阈值补偿晶体管；所述阈值补偿晶体管的控制极连接第一扫描信号线；
所述采集控制信号线复用所述第一扫描信号线。
7.根据权利要求2或3所述的像素结构，其特征在于，所述感光电路还包括：存储电容；
所述存储电容的一端连接所述光敏器件的一端，另一端连接所述光敏器件的另一端。
8.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述光敏器件包括：光电二极管、有机光电二极管或者光敏电致发光二极管。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至8任一项所述的像素结构。
10.一种像素结构的驱动方法，用于驱动如权利要求1至8任一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构的驱动方法包括：
在发光阶段，响应于数据信号线提供的数据信号，利用驱动晶体管将驱动电压转换为驱动电流，并将驱动电流写入所述发光器件；
在采集阶段，利用感光电路根据所述发光器件发出的光信号，生成检测电信号；
在读取阶段，响应于采集控制信号线提供的采集控制信号，利用采集读取电路采集所述检测电信号，并将检测电信号传输至读取信号线；其中，所述读取信号线复用所述数据信号线。
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