CN117280000A - 固化性的有机聚硅氧烷组合物和半导体装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种固化性有机聚硅氧烷组合物。其为固化前为润滑脂状且作业性优异，散热效果也优异，并且在固化时能够成为不会产生裂纹或空隙的固化物。所述固化性有机聚硅氧烷组合物包含以下成分。(A)有机聚硅氧烷，其具有不同粘度的(A‑1)0.01～10Pa·s和(A‑2)11～1000Pa·s，且在1分子中具有2个以上与硅原子键合的烯基，(B))有机氢聚硅氧烷，其在1分子中具有2个以上与硅原子键合的氢原子，(C)镓和/或镓合金，其熔点为‑20～70℃，(D)热传导性填充剂，其平均粒径为0.1～100μm，(E)铂族金属催化剂，(G‑1)有机聚硅氧烷，其由下述通式(1)表示，(在式(1)中，R1为烷基，R2为烷基，a为5～100的整数，b为1～3的整数)。
Description
本发明涉及固化性有机聚硅氧烷组合物、其制造方法、其固化物、该固化物作为热传导性层的使用、具有该热传导性层的半导体装置和该半导体装置的制造方法。
背景技术
被封装在印刷布线基板上的发热性电子部件，例如，CPU等IC封装，由于在使用时的发热引起的温度上升而导致性能降低和/或破损，因此，以往实施在IC封装和具有散热片的散热部件之间，通过配置具有良好热传导性的热传性导片材或应用热传导性润滑脂，将由所述IC封装等产生的热量有效地传导到散热构件使其散热。但是，随着电子部件等的高性能化，其发热量有日益增加的倾向，因此，要求开发比以往热传导性更为优异的材料/部件。
以往的热传导性片材具有可以容易地拆卸和安装的在操作/步骤上的优点。另外，在热传导性润滑脂的情况下，不受CPU、散热构件等表面的凹凸的影响，追随所述凹凸，不会在所述两者之间产生间隙，能够使所述两者密合，具有界面热阻小的优点。但是，热传导性片材和热传导性润滑脂均是为了赋予热传导性而配合热传导性填充剂而得到的，但在热传导性片材的情况下，为了不给其制造步骤中的作业性/加工性带来障碍，另外，在热传导性润滑脂的情况下，为了不使在使用注射器等进行涂布发热性电子部件等时的作业性上产生问题，由于需要将其表观粘度的上限抑制在一定限度，因此，无论在哪种情况下，热传导性填充剂的配合量的上限都受到限制，存在着得不到充分的热传导性效果的缺点。
在此，提出了在热传导性糊料内配合低熔点金属的方法(专利文献1：日本特开平7-207160号公报、专利文献2：日本特开平8-53664号公报)；将液态金属固定在三相复合体中，具有进行稳定化作用的粒状材料(专利文献3：日本特开2002-121292号公报)等。但是，使用了这些低熔点金属的导热性材料会污染涂布部以外的部件，另外，如果长时间使用，则存在油状物漏出等问题。为了解决这些问题，虽然提出了在固化性的硅酮中分散镓和/或镓合金的方法(专利文献4：日本专利第4551074号)，但在组合物的厚度大的情况下，由于热传导率低，所以不能充分满足需要。另外，虽然提出了提高其热传导率的方法(专利文献5：日本专利第4913874号和专利文献6：日本专利第5640945号)，但在固化时容易产生裂纹或空隙，不能充分地发挥性能。
现有技术文献
专利文献
[专利文献1]：日本特开平7-207160号公报
[专利文献2]：日本特开平8-53664号公报
[专利文献3]：日本特开2002-121292号公报
[专利文献4]：日本专利第4551074号
[专利文献5]：日本专利第4913874号
[专利文献6]：日本专利第5640945号
发明内容
发明要解决的问题
因此，本发明的目的在于，得到一种固化性有机聚硅氧烷组合物，其中，热传导性优异的材料被以所需要的且充分的量进行配合，且所述材料以微粒的状态被均匀地分散在由树脂成分构成的基质中，并且在固化时能够形成为不会产生裂纹或空隙的固化物。另外，本发明的目的还在于，提供一种制造该固化性有机聚硅氧烷组合物的方法。
另外，本发明的另一目的在于，提供一种作为热传导性层的应用，其中，与以往的热传导性润滑脂同样该固化性有机聚硅氧烷组合物被夹在发热性电子部件和散热部件之间进行配置，从而追随所述部件或构件的表面的凹凸而不会产生间隙，并且，通过热处理、交联而形成固化物，由该固化物构成该热传导性层。另外，本发明的目的还在于，提供一种借助所述热传导性层接合了发热性电子部件和散热构件的散热性能优异的半导体装置及其制造方法。
解决问题的方法
为了解决上述问题，本发明人们进行了深入的研究的结果，得到如下认知:通过使用粘度不同的2种具有烯基的有机聚硅氧烷，且配合低熔点的镓和/或镓合金、特定的烷氧基聚硅氧烷、与特定的硅原子键合的有机氢聚硅氧烷和热传导性填充剂，容易得到所述镓和/或镓合金以微粒状态均匀分散的组合物，并且在对所述组合物进行加热处理而形成固化物的步骤中，少有裂纹和空隙的产生，在液态的所述镓和/或镓合金彼此凝聚形成粒径大的液态粒子的同时，该液态粒子彼此进一步与热传导性填充剂连结而形成连续的一种通路，另外，在通过树脂成分的固化而形成的交联网状体中，所述通路状的结构被固定、保持。
而且，得到如下认知：通过将如上所述得到的固化物以夹在发热性电子部件和散热构件之间的方式配置成层状，从而能够作为热阻低的热传导性层使用，且在所述发热性电子部件运行时产生的热经由含有被固定/保持在如上所述结构中的镓和/或镓合金的所述热传导性层被迅速地传导到散热部件，得到散热特性优异的半导体制品；基于这些认知，完成了本发明。
即，本发明为提供下述固化性有机聚硅氧烷组合物和使用了所述固化性有机聚硅氧烷组合物的半导体装置的发明。
[1]一种固化性有机聚硅氧烷组合物，其包含：
(A)有机聚硅氧烷：100质量份，
其由下述(A-1)和(A-2)构成，且相对于(A-1)和(A-2)的合计，(A-1)的比例为10～90质量％，其中，
(A-1)为有机聚硅氧烷，其在25℃条件下的粘度为0.01～10Pa·s，且在1分子中具有2个以上的与硅原子键合的烯基，
(A-2)为有机聚硅氧烷，其在25℃条件下粘度为11～1000Pa·s，且在1分子中具有2个以上的与硅原子键合的烯基，
(B)在1分子中具有两个以上与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷：其量满足与该成分中的硅原子键合的氢原子的个数相对于所述(A)成分中的一个烯基为0.1～5.0个，
(C)镓和镓合金：300～20000质量份，其为熔点为-20～70℃的选自镓和镓合金中的1种以上，
(D)平均粒径为0.1～100μm的热传导性填充剂：10～1000质量份，
(E)铂族金属催化剂：相对于(A)成分的质量，以铂族金属的质量换算为0.1～500ppm，
以及，
(G-1)以下述通式(1)表示的有机聚硅氧烷：10～500质量份。
(在式(1)中，R1为相同或不同的烷基，R2为烷基，a为5～100的整数，b为1～3的整数。)
[2]如[1]所述的固化性有机聚硅氧烷组合物，其中，
另外，还包含(G-2)烷氧基硅烷化合物：其相对于(A)成分100质量份为0.1～100质量份，且以下述通式(2)表示：
R3 cR4 dSi(OR5)4-c-d (2)
(在式(2)中，R3独立地为碳原子数为6～16的烷基，R4独立地为未取代或取代的碳原子数为1～8的一价烃基，R5独立地为碳原子数为1～6的烷基，c为1～3的整数，d为0～2的整数，c+d的和为1～3的整数。)
[3]如[1]或[2]所述的固化性有机聚硅氧烷组合物，其中，
另外，相对于(A)成分100质量份，还含有0.1～100质量份的(G-3)三氟丙基三甲氧基硅烷。
[4]如[1]～[3]中任一项所述的固化性有机聚硅氧烷组合物，其中，
(B)成分为有机氢聚硅氧烷，其满足在1分子中具有5个以上在分子链非末端与硅原子键合的氢原子，且满足下式(3)。
0.1<α/β (3)
(在式(3)中，α表示为与分子链非末端的硅原子键合的氢原子的数，β表示为(B)成分中的硅原子总数。)
[5]如[1]～[4]中任一项所述的固化性有机聚硅氧烷组合物，其中，
(C)成分在组合物中被分散为1～200μm的粒子状。
[6]一种热传导性有机硅润滑脂组合物，
其包含[1]～[5]中任一项所述的固化性有机聚硅氧烷组合物。
[7]一种[1]～[5]中任一项所述的固化性有机聚硅氧烷组合物的固化物。
[8]一种如[7]所述的固化物的用途，
其中，将所述固化物夹持配置在发热性电子部件和散热构件之间作为热传导性层。
[9]一种半导体装置，
其为具有发热性电子部件、散热构件和由[7]所述的固化物构成的热传导性层的半导体装置，其通过所述热传导性层接合了所述发热性电子部件和所述散热构件。
[10]一种如[9]所述的半导体装置的制造方法，
其具有，
(a)在发热性电子部件的表面涂布[1]～[5]中任一项所述的固化性有机聚硅氧烷组合物，且使其在所述表面形成由所述组合物构成的被覆层的步骤，
(b)将散热构件压接在所述被覆层且使其固定的步骤；和
(c)将在步骤(b)后得到的结构体在80～180℃条件下加热，使所述被覆层固化而形成热传导性层的步骤。
发明的效果
本发明的固化性有机聚硅氧烷组合物由于在固化前为润滑脂状，所以在将其涂布在CPU等发热性电子部件上时的作业性良好，在压接散热构件时，能够追随于两者表面的凹凸，在两者之间不产生间隙，进而使两者密合，因此，不会产生界面热阻。
另外，在通过加成反应使树脂成分固化时的加热处理步骤中，产生裂纹和空隙少，且在本发明的组合物中所含的镓和/或镓合金进行凝聚，形成粒径大的液状粒子的同时，该液状粒子相互连结，进而，与导热性填充剂相连接形成一种通路，且由于所述通路状的结构被固定/保持在通过树脂成分的固化而形成的三维交联网状体中，所以能够将从发热性电子部件产生的热迅速地传导到散热构件，进而能够可靠地发挥比以往的热传导性片材或热传导性润滑脂高的散热效果。而且，由于在被组装在半导体装置中的由本发明组合物的固化物构成的热传导性层中所包含的形成了所述通路的镓和/或镓合金被固定/保持在固化树脂的三维交联网状体中，所以不会发生在以往的热传导性润滑脂的情况下污染其它部件或者随着时间的推移油状物泄漏的问题。因此，可以进一步提高半导体装置的可靠性。
附图说明
图1为表示应用本发明的组合物的半导体装置的一例的纵剖面概略图。
具体实施方式
[固化性有机聚硅氧烷组合物]
<(A)有机聚硅氧烷>
本发明组合物的(A)成分为在1分子中具有2个以上与硅原子键合的烯基的有机聚硅氧烷，且为在本发明的加成反应固化体系中的主剂(基础聚合物)。(A)成分为由下述(A-1)和(A-2)构成的成分。
(A-1)有机聚硅氧烷，在25℃条件下的粘度为0.01～10Pa·s，其在1分子中具有2个以上的与硅原子键合的烯基，
(A-2)有机聚硅氧烷，在25℃下的粘度为11～1000Pa·s，其在1分子中具有2个以上的与硅原子键合的烯基，
(A-1)的粘度优选为0.1～5Pa·s的范围、更优选为0.1～1Pa·s的范围。如果(A-1)的粘度低于0.01Pa·s，则固化物变脆，容易产生裂纹；如果(A-1)的粘度大于10Pa·s，则固化物变软，容易产生空隙。
(A-2)的粘度优选为15～500Pa·s的范围、更优选为20～100Pa·s的范围。如果(A-2)的粘度低于11Pa·s，则在制造时不会对材料施加搅拌剪切，因此组合物难以成为润滑脂状；如果(A-2)的粘度大于1000Pa·s，则组合物的粘度过高，从而难以进行处理。
需要说明的是，在本发明中，所述粘度为使用螺旋粘度计PC-ITL(株式会社马尔科姆公司制造)在25℃条件下所测定的值。
相对于(A-1)和(A-2)的合计，(A-1)的比例为10～90质量％、优选为20～80质量％、更优选为30～70质量％。
如果(A-1)的比例小于10质量％，则固化物变软，在固化时容易产生空隙；如果(A-1)的比例大于90质量％，则在制造时不会对材料施加搅拌剪切，因此组合物难以成为润滑脂状。
对(A-1)和(A-2)的有机聚硅氧烷的分子结构没有限定，可列举出例如，直链状、支链状和具有一部分支链的直链状，特别优选为直链状。
与硅原子键合的烯基的数量，在(A-1)和(A-2)的各自中，只要是在1分子中为2个以上即可，优选为2～10个、更优选2～5个。
作为与硅原子键合的烯基可列举出例如，乙烯基、烯丙基、1-丁烯基和1-己烯基等。其中，优选为通用性高的乙烯基。该烯基可以与分子链末端的硅原子或分子链中途的硅原子中的任一种进行键合，但为了使得到的固化物的柔软性良好，其优选为仅与分子链末端的硅原子键合而存在的烯基。
作为除烯基以外的与硅原子键合的基团，可例举出例如，为未取代或取代的一价烃基，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基等烷基；环戊基和环己基苯基等环烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、2-苯基乙基和2-苯丙基等芳烷基；氯甲基、3,3,3-三氟丙基、3-氯丙基等卤代烷基等。并且，从合成方面和经济性方面考虑，优选为其中90％以上为甲基。
作为这样的有机聚硅氧烷的优选的具体例，可列举出在分子链两末端用二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、在分子链两末端用甲基二乙烯基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、在分子链两末端用二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷/甲基苯基硅氧烷共聚物等。
<(B)有机氢聚硅氧烷>
本发明组合物的(B)成分为在1分子中具有2个以上与硅原子键合的氢原子(以下称为“Si-H基”)的有机氢聚硅氧烷，其为作为上述(A)成分的交联剂发挥着作用的成分。即，该(B)成分中的Si-H基通过后述(E)成分的铂系催化剂的作用，且通过氢化硅烷化反应与(A)成分中的烯基进行加成，从而赋予具有三维网状结构的交联固化物，所述三维网状结构具有交联键。
(B)成分的Si-H基的数在1分子中为2个以上，从固化时的抑制空隙的观点出发，优选为5个以上，更优选为10个以上。另外，(B)成分更优选为满足在1分子中具有5个以上的在分子链非末端与硅原子键合的氢原子，且满足下述式(3)的有机氢聚硅氧烷。
0.1<α/β (3)
(在式(3)中，α表示为与分子链非末端的硅原子键合的氢原子的数，β表示为(B)成分中的硅原子总数。)
在上述α/β的范围小于0.1以下的情况下，由于固化时容易产生空隙，因此同时需要为0.1<α/β。在这种情况下，α/β优选为0.11以上、特别优选为0.12以上，对其上限没有特别限制，但优选为0.95以下、特别优选为0.90以下。
(B)成分的分子结构只要满足上述要件即可，没有特别限定，可以为以往公知的例如，直链状、环状、支链状、三维网状(树脂状)等中的任意一种。在1分子中的硅原子数(或聚合度)通常为3～1000个、优选为5～400个、更优选为10～300个、进一步优选为10～100个、特别优选为10～60个。
(B)成分的有机氢聚硅氧烷的运动粘度通常为1～10000mm2/s、优选为3～5000mm2/s、更优选为5～3000mm2/s，且优选为在室温(25℃)条件下为液状的有机氢聚硅氧烷。需要说明的是，该运动粘度为通过奥斯特瓦尔德粘度计在25℃条件下所测定的值。
作为满足上述要件的有机氢聚硅氧烷，优选为例如，以下述平均组成式(4)表示的有机氢聚硅氧烷。
R6 eHfSiO(4-e-f)/2 (4)
(在式(4)中，R6表示为不具有脂肪族不饱和键的未取代或取代的1价烃基，e为0.7～2.2的数，f为0.001～0.5的数，但e+f为满足0.8～2.5的数。)
在上述(4)中，R6为通常碳原子数为1～10、优选为1～6的不具有脂肪族不饱和键的未取代或取代的1价烃基。作为其具体例，可列举出例如，甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、环己基、辛基、壬基、癸基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯基乙基、苯丙基等芳烷基；这些基团的一部分或全部氢原子被氟、氯等卤素原子取代而成的基团，如3，3，3-三氟丙基等，优选为烷基、芳基、3，3，3-三氟丙基，更优选为甲基、苯基、3，3，3-三氟丙基。
在上述式(4)中，e、f和e+f分别为如上所述，e优选为0.9～2.1的数，f优选为0.002～0.2的数、特别优选为0.005～0.1的数，e+f优选为满足1.0～2.3的数、特别优选为满足1.5～2.2的数。
对以上述式(4)表示的有机氢聚硅氧烷的分子结构没有特别限定，可以为直链状、环状、支链状、三维网状(树脂状)等中的任意一种。其中，由于1分子中的硅原子数和运动粘度为满足上述范围、因此，特别优选为直链状。
作为以上述式(4)表示的有机氢聚硅氧烷的具体例，可列举出分子链两末端以二甲基氢甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷/甲基氢硅氧烷共聚物、分子链两末端以二甲基氢甲硅烷氧基封端的甲基氢硅氧烷/二甲基硅氧烷/二苯硅氧烷共聚物、分子链单末端以二甲基氢甲硅烷氧基封端、另一末端以三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷/甲基氢硅氧烷共聚物、分子链单末端以二甲基氢甲硅烷氧基封端、另一末端以三甲基甲硅烷氧基封端的甲基氢硅氧烷/二甲基硅氧烷/二苯硅氧烷共聚物、由(CH3)2HSiO1/2单元和(CH3)3SiO1/2单元和(CH3)HSiO2/2单元和SiO4/2单元构成的共聚物、由(CH3)2HSiO1/2单元和(CH3)3SiO1/2单元和(CH3)HSiO2/2单元和(CH3)2SiO2/2单元和SiO4/2单元构成的共聚物、由(CH3)2HSiO2/2单元和(CH3)HSiO2/2单元和(CH3)2SiO2/2单元和SiO4/2单元构成的共聚物、由(CH3)2HSiO1/2单元和SiO4/2单元和(CH3)HSiO2/2单元、(CH3)2SiO2/2单元和(C6H5)3SiO1/2单元构成的共聚物、由(CH3)2HSiO1/2单元和(CH3)3SiO1/2单元和(C6H5)2SiO2/2单元和(CH3)HSiO2/2单元和(CH3)2SiO2/2单元和SiO4/2单元构成的共聚物等。
相对于(A)成分中的1个与硅原子键合的烯基，(B)成分的配合量为(B)成分中的与硅原子键合的氢原子为0.1～5.0个的量、优选为0.3～3.0个的量、更优选为0.5～2.0个的量。在该与硅原子键合的氢原子少于0.1个的情况下，交联密度会变得过低，在固化时容易产生空隙；如果该与硅原子键合的氢原子多于5.0个，则所得到的热传导性有机硅组合物会变得过硬，从而可靠性变差。
(B)成分的有机氢聚硅氧烷可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
<(C)镓和/或镓合金>
本发明组合物的(C)成分为熔点-20～70℃的镓和/或镓合金。该(C)成分为为了对由本发明的组合物所得到的固化物赋予良好的热传导性而配合的成分，且该成分的配合组成本发明的特征。
如上所述，该(C)成分的熔点需要在-20～70℃的范围。为了在本发明中使用，即使在物理性上可以使用-20℃以下的镓和/或镓合金，但难以得到熔点低于-20℃的镓和/或镓合金，且在经济上也为不优选。另外相反，如果超过70℃，则在组合物调制步骤中不能迅速熔解，其结果为操作性差。因此，如上所述，(C)成分的熔点其在-20～70℃的范围内为适宜的范围。特别是在-19～50℃的范围内的镓和/或镓合金，容易调制本发明组合物，故被优选。
金属镓的熔点为29.8℃。另外，作为代表性的镓合金，可列举出例如，镓-铟合金；例如Ga-In(质量比＝75.4：24.6，熔点＝15.7℃)；镓锡-合金、镓-锡-锌合金；例如Ga-Sn-Zn(质量比＝82：12：6，熔点＝17℃)；镓-铟-锡合金；例如Ga-In-Sn(质量比＝68.5：21.5：10，熔点＝-19℃或质量比＝62：25：13，熔点＝5.0℃或质量比＝21.5：16.0：62.5，熔点＝10.7℃)、镓-铟-铋-锡合金；例如Ga-In-Bi-Sn(质量比＝9.4：47.3：24.7：18.6，熔点＝48.0℃)等。
该(C)成分既可单独使用1种，也可组合使用2种以上。
存在于未固化状态的本发明组合物中的镓和/或镓合金的液态微粒或固体微粒的形状为大致球形，但也可包括不定形状的微粒。另外，该镓和/或镓合金的平均粒径通常为1～200μm、特别优选为5～150μm、进一步优选为10～100μm。由于如果所述平均粒径太小，则组合物的粘度过高，进而组合物缺乏延展性，因此在涂布操作性上存在问题。另外，与上述相反，如果所述平均粒径过大，则组合物变得不均匀，因此难以对发热性电子部件等进行薄膜状的涂布。需要说明的是，所述形状和平均粒径、进一步在组合物中的分散状态，如上所述，由于在组合物调制之后被迅速保存在低温条件下，因此，可以一直保持到对发热性电子部件等的涂布步骤。还需要说明的是，该平均粒径为通过用2枚载玻片夹入固化前的组合物，通过株式会社KEYENCE公司制造的VR-3000进行观察而算出。即，从通过该测定器拍摄的图像中随机选择30个粒子，测量各自的粒径，从而算出了它们的平均值。
相对于上述(A)成分100质量份，该(C)成分的配合量为300～20000质量份、特别优选为2000～15000质量份、进一步优选为3000～12000质量份。如果所述配合量不足300质量份，则热传导率变低，在组合物厚的情况下，不能得到充分的散热性能。如果所述配合量多于20000质量份，则难以形成均匀组合物。另外，由于组合物的粘度过高，有时不能作为具有延展性的润滑脂状的组合物而得到组合物。
<(D)热传导性填充剂>
在本发明组合物中，在配合所述(C)成分的同时，也需要配合在以往公知的热传导性片材或热传导性润滑脂中所配合的(D)热传导性填充剂(但是，(C)成分除外)。
作为该(D)成分，只要为热传导率良好者即可，并无特别的限定，可以使用以往所有公知者。可列举出例如，铝粉末、氧化锌粉末、氧化铝粉末、氮化硼粉末、氮化铝粉末、氮化硅粉末、铜粉末、金刚石粉末、镍粉末、锌粉末、不锈钢粉末、碳粉末等。另外，该(D)成分可以单独使用1种，也可以组合2种以上使用。
特别是，从容易获得和经济的观点考虑，优选为氧化锌粉末和氧化铝粉末。
作为(D)成分的平均粒径，其为在0.1～100μm的范围内、优选为在1～20μm的范围内。如果所述平均粒径过小，则所得到的组合物的粘度过高，因此缺乏延展性。另外相反，如果所述平均粒径过大，则难以得到均匀的组合物。需要说明的是，该平均粒径为通过激光测厚仪Microtrac MT3300EX(日本日机装株式会社制造)所测定的体积标准的体积平均直径[MV]。
相对于(A)成分100质量份，(D)成分的配合量如果少于10质量份，则镓和/或镓合金不会均匀地分散在所述(A)成分中或(A)成分和后述的(G)成分的混合物中；(D)成分的配合量如果多于1000质量份，则组合物的粘度变高，则存在不能得到具有延展性的润滑脂状的组合物的问题，因此，(D)成分的配合量可为10～1000质量份的范围，优选为50～500质量份的范围。
<(E)铂族金属催化剂>
本发明组合物的(E)成分的铂族金属催化剂是为了促进上述(A)成分中的烯基和上述(B)成分中的SiH的加成反应，从而由本发明组合物赋予三维网状的状态的交联固化物而配合的成分。
作为该(E)成分，可以使用在通常的氢化硅烷化反应中使用的所有公知的成分，可列举出例如，铂金属(铂黑)、氯铂酸、铂-烯烃络合物、铂-醇络合物、铂配位化合物等。(E)成分的配合量只要是使本发明组合物固化所需的有效量即可，并无特别的限制，例如，相对于作为铂原子的(A)成分的质量，通常优选为0.1～500ppm左右。
<(G-1)表面处理剂>
在调制组合物时，为了对(C)成分的镓和/或镓合金进行疏水化处理，且使所述(C)成分与(A)成分的有机聚硅氧烷的润湿性提高，将所述(C)成分作为微粒均匀地分散在由所述(A)成分构成的基质中，而将以下述通式(1)表示的聚硅氧烷作为(G-1)表面处理剂配合在本发明组合物中。
另外，该(G-1)成分对于上述(D)成分的热传导性填充剂也同样具有提高其表面的润湿性、使其均匀分散性良好的作用。
作为(G-1)成分，其为以下述通式(1)表示的分子链的单末端用水解性基团封端的聚硅氧烷，且在25℃条件下的运动粘度为10～10000mm2/s。需要说明的是，该运动粘度为通过奥斯特瓦尔德粘度计在25℃条件下所测定的值。
(在式(1)中，R1为相同或不同的烷基，R2为烷基，a为5～100的整数，b为1～3的整数。)
作为上述通式(1)中的R1的烷基，可列举出例如，甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、环己基、辛基、壬基、癸基等。其中，特别优选为甲基和乙基。
作为上述通式(1)中的R2的烷基，可列举出例如，甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、环己基、辛基、壬基、癸基等。其中，特别优选为甲基和乙基。
如果相对于(A)成分100质量份的(G-1)成分的配合量为10质量份以上，则(C)成分和(D)成分被充分分散，进而成为均匀的润滑脂组合物，因此被优选，但如果(G-1)成分的配合量多于500质量份，则相对性的(A)成分变少，则产生所得到的组合物难以固化的问题。如果不能固化，则润滑脂在被涂布于CPU等设备后会发生偏移，具有性能显著下降的可能性。因此，(G-1)成分的配合量为在10～500质量份的范围内，优选为在50～300质量份的范围内。
<其它成分>
除了上述必需成分之外，根据需要也可以在本发明的固化性有机聚硅氧烷组合物中配合下述成分。
<(F)加成反应控制剂>
本发明组合物的(F)成分的加成反应控制剂为根据需要所配合的成分，其为在室温中的上述铂系催化剂的作用下抑制氢化硅烷化反应，以确保本发明组合物的适用期(适用寿命、使用时限)，以对发热性电子部件等的涂布作业不造成障碍的方式所配合的成分。
作为该(F)成分，可以使用通常的加成反应固化型有机硅组合物中所使用的所有公知的加成反应控制剂。可列举出例如，1-乙炔基-1-环己醇、3-丁炔-1-醇等炔属化合物或各种氮化合物、有机磷化合物、肟化合物和有机氯化合物等。
该(F)成分的配合量根据上述(E)成分的使用量而有所不同，不能一概而论，只要是能够抑制氢化硅烷化反应的进行的有效量即可，没有特别的限制。例如，相对于(A)成分100质量份，(F)成分的配合量通常可以为0.001～5质量份左右。如果(F)成分的配合量过少，则不能确保充分的适用期；另外，如果(F)成分的配合量过多，则本发明组合物的固化性降低。需要说明的是，为了提高(F)成分对组合物的分散性，根据需要，也可以在用甲苯、二甲苯、异丙醇等有机溶剂进行稀释后进行使用。
另外，在本发明组合物中，也可以进一步配合作为(G-2)成分的以下的烷氧基硅烷。
(G-2)下述通式(2)：
R3 cR4 dSi(OR5)4-c-d (2)
(在式(2)中，R3独立地为碳原子数为6～16的烷基，R4独立地为未取代或取代的碳原子数为1～8的一价烃基，R5独立地为碳原子数为1～6的烷基，c为1～3的整数，d为0～2的整数，c+d的和为1～3的整数。)
作为上述通式(2)中的R3，可列举出例如，己基、辛基、壬基、癸基、十二烷基、十四烷基等。如果碳原子数低于6，则不能充分提高上述(C)成分和(D)成分的润湿性；如果碳原子数超过16，则该(G-2)成分的有机硅烷在常温条件下固化，不仅不利于处理，且得到的组合物的低温特性降低。
另外，作为上述通式(2)中的R4，可列举出例如，甲基、乙基、丙基、己基、辛基等烷基；环戊基、环己基等环烷基；乙烯基、烯丙基等烯基；苯基、甲苯基等芳基；2-苯基乙基、2-甲基-2-苯基乙基等芳烷基；3，3，3-三氟丙基、2-(九氟丁基)乙基、2-(十七氟辛基)乙基、对氯苯基等卤代烃基。其中，特别优选为甲基和乙基。
另外，作为上述通式(2)中的R5，可以列举出例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等烷基。其中，特别优选为甲基和乙基。
作为该(G-2)成分的优选具体例，可例举如下。
C6H13Si(OCH3)3
C10H21Si(OCH3)3
C12H25Si(OCH3)3
C12H25Si(OC2H5)3
C10H21(CH3)Si(OCH3)2
C10H21(C6H5)Si(OCH3)2
C10H21(CH3)Si(OC2H5)2
C10H21(CH＝CH2)Si(OCH3)2
需要说明的是，该(G-2)成分可以单独使用1种，也可以将2种以上组合使用。另外，相对于(A)成分100质量份，由于其配合量如果为0.1质量份以上，则组合物的粘度容易达到所希望的范围；其配合量多于100质量份时，润湿效果不会增大，不经济，因此，以0.1～100质量份的范围为宜、更优选为1～50质量份。
另外，在本发明组合物中，进一步根据情况，也可以配合作为(G-3)成分的三氟丙基三甲氧基硅烷。另外，由于相对于(A)成分100质量份，其配合量如果为0.1质量份以上，则组合物的粘度容易成为所希望的范围，其配合量既使多于100质量份，也不会增大润湿效果，为不经济，因此，以0.1～100质量份的范围为宜。更优选为1～50质量份。
另外，(G-1)成分、(G-2)成分、(G-3)成分既可以分别单独使用，也可以组合使用。
<上述以外的任选成分>
在不损害本发明的目的/效果的范围内，在本发明组合物中，也可以配合以下平均组成式(5)的有机聚硅氧烷。
为以平均组成式(5)表示的在25℃条件下的运动粘度为10～100000mm2/s的有机聚硅氧烷，既可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
R7 gSiO(4-g)/2 (5)
(在式(5)中，R7独立地为不具有脂肪族系不饱和键的未取代或取代的碳原子数为1～18的一价烃基，g为1.8～2.2的数。)
上述R7独立地为非取代或取代的碳原子数为1～18的一价烃基。作为R7，可例举出例如，甲基、乙基、丙基、己基、辛基、癸基、十二烷基、十四烷基、十六烷基以及十八烷基等烷基；环戊基、环己基等环烷基；乙烯基、丙烯基等烯基；苯基、甲苯基等芳基；2-苯乙基、2-甲基-2-苯乙基等芳烷基；3,3,3-三氟丙基、2-(全氟丁基)乙基、2-(全氟辛基)乙基、对-氯苯基等卤化烃基等。
在本发明组合物中，还可以进一步配合例如，氧化铁、氧化铈等耐热性改进剂；二氧化硅等粘度调节剂；着色剂等。
<组合物的粘度>
本发明组合物如后所述，适用于发热性电子部件的表面，在将散热构件压接在其上后，通过加热处理而固化，从而形成热传导性层。此时，为了形成良好的作业性，需要本发明组合物为润滑脂状。
例如，本发明组合物被收纳在注射器内，从该注射器涂布在CPU等的发热性电子部件的表面而被形成被覆层，且散热部件压接在其上。因此，本发明组合物的粘度通常为10～1000Pa·s、特别优选为30～400Pa·s。如果所述粘度过低，则在进行所述涂布时产生滴落，有时会成为作业上的问题。相反，如果所述粘度过高，则难以从注射器中挤出，因此，有时涂布作业的效率会变差。需要说明的是，该粘度为通过螺旋粘度计PC-ITL(MALCOM CO.,LTD.制造)在25℃条件下所测定的值。
[本发明组合物的调制]
本发明的固化性有机聚硅氧烷组合物可通过具有如下的
(i)将所述(A)成分、所述(C)成分、所述(D)成分和所述(G-1)成分以及在含有其情况下的所述(G-2)成分及(G-3)成分在为20～120℃范围内的温度、且为所述(C)成分的熔点以上的温度条件下进行混炼，从而得到均匀的混合物(i)的步骤；
(ii)停止混合物(i)的混炼，将混合物(i)的温度冷却到低于所述(C)成分的熔点，从而得到混合物(ii)的步骤；
(iii)将所述(B)成分、所述(E)成分、在含有其的情况下的所述(F)成分和任选的其它成分追加在混合物(ii)中，在所述(C)成分的熔点以下的温度条件下进行混炼，从而得到均匀的混合物(iii)的步骤的制造方法而得到，但不限于本记载。
在所述制造方法中，可以使用具备加热单元和根据需要具备冷却单元的可调节搅拌机、行星式搅拌机等的搅拌机/混炼机。
在所述(i)步骤中，(C)成分的镓和/或镓合金的液态物和(D)成分的热传导性填充剂，被均匀地分散在将(G-2)成分和(G-3)成分的任意一种或它们的两种以上、(A)成分与(G-1)成分组合而成的混合液中。
在所述步骤(ii)中的降温操作或冷却操作其优选为迅速进行。在该步骤(ii)中，被均匀地分散在由将(G-2)成分和(G-3)成分的任意一种或它们的两种以上、(A)成分与(G-1)成分组合而成的混合液构成的基质中的液态微粒或固体微粒状态的(C)成分，保持着其平均粒径和所述分散状态。
所述步骤(iii)也优选在尽可能短的时间内结束。在该步骤(iii)的结束时刻，(C)成分的微粒的所述分散状态实质并未发生变化。然后，在该步骤(iii)结束后，可将生成的组合物收容在容器内，迅速地保存在约-30～-10℃、优选为-25～-15℃的温度的冷冻库、冷冻室等中为宜。另外，在该运输等中，也可以使用具备冷冻设备的车辆等。通过这样在低温条件下进行保管/输送，例如，即使通过长时间的保存，也能够稳定地保持本发明组合物的组成和分散状态。
[对半导体装置的应用]
在使本发明的组合物进行固化的情况下，可以通过将其在80～180℃的温度条件下保持30～240分钟左右进行固化。
本发明的组合物的固化物可以作为介于发热性电子部件和散热构件之间形成热传导性层的热传导性固化物进行使用。
在这种情况下，使用上述本发明组合物的散热特性优异的半导体装置，即，为具有发热性电子部件、散热构件和由上述本发明组合物的固化物构成的热传导性层的半导体装置，从而能够得到通过所述热传导性层接合所述发热性电子部件和散热构件的半导体装置。
所述半导体器件可以通过具有以下
(a)在发热性电子部件的表面涂布本发明的组合物，从而在所述表面形成由所述组合物构成的被覆层的步骤；
(b)将散热部件压接固定在所述被覆层的步骤；和
(c)将在步骤(b)后得到的结构体在80～180℃条件下进行加热，使所述被覆层固化而形成热传导性层的步骤的制造方法而得到。
关于所述半导体装置及其制造方法，参照图1进行说明。需要说明的是，图1所记载的装置仅为表示本发明组合物应用于半导体装置的一个实例的装置，其要旨并非为将涉及本发明的半导体装置限定于图1所记载的装置。
首先，将冷冻保存状态的本发明组合物放置在室温下自然解冻，恢复为润滑脂状。接着，将本发明组合物收纳在注射器等涂布用具内。
由注射器等中将本发明组合物涂布(分配)在发热性电子部件、例如在图1中所记载的基板3上被封装的发热性电子部件CPU2等的表面，从而形成固化性组合物层(被覆层)1。另外，同时为了固定散热部件4，也涂布粘接剂5，在此基础上，通过被覆层1，将散热部件4压接固定在CPU2上。
此时，被夹在CPU2和散热构件4之间而存在的被覆层1的厚度以调整为通常为5～100μm、特别优选为10～70μm的方式为宜。如果所述厚度过薄，则容易发生剥离，导致可靠性变差；反之，如果所述厚度过厚，则热阻变大，导致不能得到充分的散热效果。
接着，将如上所述的构成的装置置于加热装置内，使由本发明组合物构成的被覆层1固化，从而形成热传导性层1。该固化所需的温度条件为80～180℃、特别优选为100～150℃。如果所述温度低于80℃，则固化变得不充分；相反，如果在超过180℃的高温下，电子部件或基材有可能劣化。
在升温到所述固化时的温度条件的过程中，如果本发明组合物中的(C)成分的镓和/或镓合金的液态微粒或固体微粒相互凝聚，形成粒径大的液态粒子，则同时与上述(D)成分连结而形成连续的一种通路。
此外，所述(C)成分的液态粒子也熔合在接触的CPU2和散热构件4的表面。因此，CPU2和散热部件4通过连结所述(C)成分的液态粒子和所述(D)成分的热传导性填充剂而连续的一种通路，实质上成为一体连续的富有热传导性的构件。另外，所述通路状结构被固定/保持在通过(A)成分和(B)成分的加成反应所形成的固化物的三维交联网状体中。
另外，在运行/使用如上所述得到的半导体装置的情况下，CPU等发热性电子部件的表面温度通常为60～120℃左右的高温。对于该发热，由本发明组合物的固化物构成的热传导性层为显示出如上所述的高热传导，与以往的热传导性片材或热传导性润滑脂相比，发挥了更优异的散热特性的显著优异的作用/效果的热传导性层。而且，即使处于半导体装置的长期连续运行/使用的状态，由于在所述热传导性层中含有的形成所述通路的(C)成分的镓和/或镓合金被固定/保持在固化物的三维交联网状体中，所以不会从热传导性层漏出。
而且，该热传导性层具有粘性，即使在散热部件偏移的情况下，以及在长期使用时也具有稳定的柔软性，不会从发热性电子部件和散热构件上剥离。
需要说明的是，既使通过预先由本发明组合物制作所希望厚度的片状固化物，并使其与以往的热传导性片材同样地介于发热性电子部件和散热构件之间，也能够得到同样的效果。另外，作为需要热传导性和耐热性的其它装置等的部件，也能够适宜使用本发明组合物的固化物的片材等。
以下，列举实施例对本发明进行更为详细地说明，但本发明并不限定于此。
【实施例】
将在下述实施例和比较例中使用的(A)～(G)成分表示如下。需要说明的是，粘度为使用螺旋粘度计PC-ITL(株式会社马尔科姆公司制)所测定的值，运动粘度为使用奥斯特瓦尔德粘度计所测定的值。
(A)成分：
在25℃条件下的粘度如下所述的两末端用二甲基乙烯基甲硅烷基封端的二甲基聚硅氧烷；
(A-1-1)粘度：0.1Pa·s
(A-1-2)粘度：1.0Pa
(A-2-1)粘度：30Pa·s
(A-2-2)粘度：100Pa·s
(B)成分：
(B-1)以下述结构式表示的有机氢聚硅氧烷(α/β＝0.35，在25℃条件下的运动粘度为113mm2/s)
(在式中，括号内的硅氧烷单元的排列顺序为任意。)
(B-2)以下述结构式表示的有机氢聚硅氧烷(α/β＝0.29，在25℃条件下的运动粘度为27mm2/s)。
(在式中，括号内的硅氧烷单元的排列顺序为任意。)
(C)成分：
(C-1)金属镓(熔点＝29.8℃)
(C-2)Ga-In合金(质量比＝75.4：24.6，熔点＝15.7℃)
(C-3)Ga-In-Sn合金(质量比＝68.5：21.5：10，熔点＝-19℃)
(C-4)Ga-In-Sn合金(质量比＝62：25：13，熔点＝5.0℃)
(C-5)金属铟(熔点＝156.2℃)<比较用>
(D)成分：
(D-1)：氧化铝粉末(平均粒径：8.2μm)
(D-2)：氧化锌粉末(平均粒径：1.0μm)
(E)成分：
(E-1)：铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的二甲基聚硅氧烷(两末端用二甲基乙烯基甲硅烷基封端的化合物，粘度：0.6Pa·s)溶液(铂原子含量：1质量％)
(F)成分：
(F-1)1-乙炔基-1-环己醇
(G)成分：
(G-1)由下述结构式表示的运动粘度为32mm2/s的单末端用三甲氧基甲硅烷基封端的二甲基聚硅氧烷
(G-2)结构式：以C10H21Si(OCH3)3表示的有机硅烷
(G-3)三氟丙基三甲氧基硅烷
需要说明的是，在组合物的调制步骤中，“(G)成分”表示为于表1或表2中所记载的各自例中所使用的汇总(G-1)成分、(G-2)成分和(G-3)成分的成分。
[实施例1～6、比较例1～5]
<组合物的调制>
按表1和2中所记载的组成比称取各成分，且依照如下所述调制了组合物。
将(A)成分、(C)成分、(D)成分和(G)成分加入到内容积250毫升的可调节搅拌机(THINKY CORPORATION制造，商品名：消泡炼太郎(あわとり練太郎))容器中，将其升温至70℃，并保持该温度，混炼5分钟。接着，停止混炼，冷却至15℃。
接着，将(B)成分、(E)成分和(F)成分加入在(A)成分、(C)成分、(D)成分和(G)成分的混合物中，且在25℃条件下进行混炼，使其均匀，从而调制了各组合物。
<粘度的测定>
均在25℃条件下，使用株式会社马尔科姆公司制造的型号PC-1TL(10rpm)，对组合物的绝对粘度进行了测定。
<(C)成分的粒径测定>
将在上述得到的各组合物夹入在2枚载玻片之间，从用株式会社KEYENCE公司制造的VR-3000拍摄的图像中随机选择30个粒子，测量各自的粒径，从而算出了它们的平均值。
<固化物的调制>
将在上述得到的各组合物涂布在直径为1.26mm、厚度为1mm的铝板(以下称为“标准铝板”)的整个面上，重叠其它的标准铝板，且施加约为175.5kPa(1.80kgf/cm2)的压力，从而得到了3层结构体。接着，将该3层结构体在电炉内升温至150℃，且将该温度保持1小时，使各组合物固化，然后将其放置至室温进行冷却，从而调制了热阻测定用试样。
对得到的各试样的厚度进行测定，且通过减去标准铝板的已知厚度，算出了固化后的各组合物的厚度。需要说明的是，在测定上述各试样的厚度时，使用了微米计(Mitutoyo Corporation，型号：M820-25VA)。将固化后的各组合物的厚度表示在表1～表2。
<热阻的测定>
使用上述各试样，使用热阻测定器(NETZSCH公司制造模型：LFA447)测定了固化后的各组合物的热阻(mm2·K/W)。将测定结果表示在表1～表2。
<空隙试验>
在5×7cm的2枚载玻片中夹入各组合物0.2g，且在其上放置1kg的重物，在室温条件下放置了15分钟。然后，取下其重物，在将该试验片在150℃的烘箱中放置1小时后取出。用肉眼和显微镜(株式会社KEYENCE公司制造：模型VR-3200)对夹在载玻片中的固化物进行了观察。
[评价]
·将用肉眼观察到裂纹的评价为：×
·将用显微镜观察到1个以上直径为1.0mm以上的圆形空隙(void)的评价为：×
·将用肉眼和显微镜进行观察而完全没有观察到裂纹和直径1.0mm以上的圆形空隙(void)的评价为：o
<热传导率的测定>
对上述各试样的热传导率，通过日本京都电子工业株式会社制造的TPS-2500S，且均在25℃条件下进行了测定。
<(D)成分的粒径测定>
热传导性填充剂的粒径测定为通过日本日机装株式会社制造的激光测厚仪(Microtrac)MT3300EX测定的体积标准的累积平均直径。
<对半导体装置的适用>
将在上述各实施例1～6中得到的0.2g组合物涂布在2cm×2cm的CPU的表面，形成被覆层。使散热构件重叠在该被覆层上并使其固化，从而得到了通过10～70μm厚度的热传导性层接合了所述CPU和散热构件的半导体装置。将这些各装置装入主计算机、个人计算机等中，在使其运行时，虽然CPU的发热温度约为100℃，但在任何装置的情况下，都能够长时间进行稳定的热传导及散热，进而能够防止因过热蓄积而导致的CPU的性能降低、破损等。因此，可以确认，通过采用本发明组合物的固化物，能够提高半导体装置的可靠性。
表1
*为了方便起见，将相对于(A)成分中的一个与硅原子键合的烯基的(B)成分中的与硅原子键合的氢原子的个数表记为H/Vi(以下相同)
表2
注)未能得到润滑脂状的均匀的组合物。
附图标记说明
1 固化性组合物层(被覆层)(热传导性层)，
2 CPU(中央处理单元)，
3 基板，
4 散热构件，
5 粘接剂
Claims (10)
1.一种固化性有机聚硅氧烷组合物，其包含：
(A)有机聚硅氧烷：100质量份，
其由下述(A-1)和(A-2)构成，且相对于(A-1)和(A-2)的合计，(A-1)的比例为10～90质量％，其中，
(A-1)为有机聚硅氧烷，其在25℃条件下的粘度为0.01～10Pa·s，且在1分子中具有2个以上的与硅原子键合的烯基,
(A-2)为有机聚硅氧烷，其在25℃条件下粘度为11～1000Pa·s，且在1分子中具有2个以上的与硅原子结合的烯基,
(B)在1分子中具有两个以上与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷：其量满足与该成分中的硅原子键合的氢原子的个数相对于所述(A)成分中的一个烯基为0.1～5.0个，
(C)镓和镓合金：300～20000质量份，其为熔点为-20～70℃的选自镓和镓合金中的1种以上，
(D)平均粒径为0.1～100μm的热传导性填充剂：10～1000质量份，
(E)铂族金属催化剂：相对于(A)成分的质量，以铂族金属的质量换算为0.1～500ppm，
以及，
(G-1)以下述通式(1)表示的有机聚硅氧烷：10～500质量份
在式(1)中，R1为相同或不同的烷基，R2为烷基，a为5～100的整数，b为1～3的整数。
2.如权利要求1所述的固化性有机聚硅氧烷组合物，其中
另外，还包含(G-2)烷氧基硅烷化合物：其相对于(A)成分100质量份为0.1～100质量份，且以下述通式(2)表示：
R3 cR4 dSi(OR5)4-c-d(2)
在式(2)中，R3独立地为碳原子数为6～16的烷基，R4独立地为未取代或取代的碳原子数为1～8的一价烃基，R5独立地为碳原子数为1～6的烷基，c为1～3的整数，d为0～2的整数，c+d的和为1～3的整数。
3.如权利要求1或2所述的固化性有机聚硅氧烷组合物，其中，
另外，相对于(A)成分100质量份，还含有0.1～100质量份的(G-3)三氟丙基三甲氧基硅烷。
4.如权利要求1～3中任一项所述的固化性有机聚硅氧烷组合物，其中，
(B)成分为有机氢聚硅氧烷，其满足在1分子中具有5个以上在分子链非末端与硅原子键合的氢原子，且满足下式(3)
0.1<α/β (3)
在式(3)中，α表示为与分子链非末端的硅原子键合的氢原子的数，β表示为(B)成分中的硅原子总数。
5.如权利要求1～4中任一项所述的固化性有机聚硅氧烷组合物，其中，
(C)成分在组合物中被分散为1～200μm的粒子状。
6.一种热传导性有机硅润滑脂组合物，
其包含如权利要求1～5中任一项所述的固化性有机聚硅氧烷组合物。
7.一种如权利要求1～5中任一项所述的固化性有机聚硅氧烷组合物的固化物。
8.一种如权利要求7所述的固化物的用途，
其中，将所述固化物夹持配置在发热性电子部件和散热构件之间作为热传导性层。
9.一种半导体装置，
其为具有发热性电子部件、散热构件和由如权利要求7所述的固化物构成的热传导性层的半导体装置，其通过所述热传导性层接合了所述发热性电子部件和所述散热构件。
10.一种如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，
其具有，
(a)在发热性电子部件的表面涂布如权利要求1～5中任一项所述的固化性有机聚硅氧烷组合物，且使其在所述表面形成由所述组合物构成的被覆层的步骤，
(b)将散热构件压接在所述被覆层且使其固定的步骤；和
(c)将在步骤(b)后得到的结构体在80～180℃条件下加热，使所述被覆层固化而形成热传导性层的步骤。
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