CN117241622B - 一种显示面板及其制作方式 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板及其制作方式，该显示面板包括：基板；多个子像素，设置于基板上；像素限定层，设置于基板上，像素限定层用于限定多个子像素的位置；隔离结构，设置于像素限定层上，隔离结构用于隔离多个子像素，隔离结构包括依次层叠的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层，相邻两个子像素的阴极层通过第一导电层连接，第一绝缘层上设有过孔，第一导电层和第二导电层通过过孔连接；阴极辅助层，设置于隔离结构上，阴极辅助层连接第二导电层。通过上述方法，提升了整面阴极的均一性，增大了阴极面积，进而减弱因阴极电阻较大而造成的IR Drop，改善显示亮度不均匀的现象。

Description

一种显示面板及其制作方式

技术领域

本申请主要涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方式。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode)，即有机发光二极管，其自发光原理是用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极(Anode)和阴极(Cathode)，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极经移动到有机发光层复合后发出可见光。因其无需背光源、可视角度大、色彩更丰富、节能显著等优势，广泛的应用于各个领域之中。

在相关技术之中，为了实现无源矩阵OLED的高分辨率和彩色化，更好地解决阴极模板分辨率低和器件成品率低等问题，实际研究中引入了阴极隔离柱结构并采用FMM(FineMetal Mask，金属掩膜版)工艺进行沉积，即在器件制备中不使用金属模板，而是在蒸镀有机薄膜和金属阴极之前，在基板上制作绝缘的间壁，最终实现将器件的不同像素隔开，实现像素阵列。

采用上述的方式会造成阴极的整面均一性较差，由此造成的IR Drop(电阻压降)明显，显示出现亮度不均等问题的出现。

发明内容

本申请的是主要目的是提出一种显示面板及其制作方式，能够在面板中的阴极顶部形成辅助阴极，并使阴极与辅助阴极连接，增大阴极面积提升整面阴极的均一性，降低IRDrop，改善显示亮度不均的问题。

为解决上述问题，本申请提供一种显示面板，该显示面板包括如下结构：基板；多个子像素，设置于基板上；像素限定层，设置于基板上，像素限定层用于限定多个子像素的位置；隔离结构，设置于像素限定层上，隔离结构用于隔离多个子像素，隔离结构包括依次层叠的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层，相邻两个子像素的阴极层通过第一导电层连接，第一绝缘层上设有过孔，第一导电层和第二导电层通过过孔连接；阴极辅助层，设置于隔离结构上，阴极辅助层连接第二导电层。

在一实施例中，第一绝缘层包括主体部和设置于主体部上的顶部，顶部延伸出主体部的上表面以形成第一悬垂部；第二绝缘层延伸出第二导电层的上表面以形成第二悬垂部。

在一实施例中，过孔贯穿主体部和顶部。

在一实施例中，阴极辅助层覆盖第二悬垂部的上表面、侧面和下表面，第二导电层的侧面，以及第一悬垂部的上表面和侧面。

在一实施例中，第一悬垂部的侧面还设置有有机层，阴极辅助层覆盖有机层。

在一实施例中，子像素包括依次层叠的阳极层、发光层和阴极层，发光层搭接于像素限定层的上表面，阴极层延伸至发光层和第一导电层之间并接触像素限定层的上表面。

在一实施例中，显示面板还包括：保护层，保护层覆盖阴极层、第一导电层、第一绝缘层、阴极辅助层；第一封装层，第一封装层覆盖保护层和第二绝缘层，第一封装层的上表面为平坦结构；第二封装层，设置于第一封装层上。

为解决上述问题，本申请还提供一种显示面板的制作方法，该制作方法的步骤包括：提供一基板；在基板上形成阳极层和像素限定层；在像素限定层上依次形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层，第一绝缘层上设有过孔，第一导电层和所述第二导电层通过过孔连接；在阳极层上依次形成发光层和阴极层，并在隔离结构上形成阴极辅助层，阴极辅助层连接第二导电层，阳极层、发光层和阴极层形成子像素，相邻两个子像素的阴极层通过第一导电层连接。

在一实施例中，在像素限定层上依次形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层，包括：在像素限定层上依次形成第一导电层和第一绝缘层，第一绝缘层包括主体部和设置于主体部上的顶部，顶部延伸出主体部的上表面以形成第一悬垂部；在第一绝缘层上形成贯穿主体部和顶部的过孔；在第一绝缘层上形成第二导电层，第二导电层通过过孔连接第一导电层；在第二导电层上形成第二绝缘层，第二绝缘层延伸出第二导电层的上表面以形成第二悬垂部。

在一实施例中，在阳极层上依次形成发光层和阴极层，并在隔离结构上形成阴极辅助层，包括：在阳极层上形成发光层、并在第一悬垂部的侧面形成有机层；在发光层上形成阴极层、并在第二悬垂部的上表面、侧面和下表面，第二导电层的侧面，以及第一悬垂部的上表面和侧面形成阴极辅助层。

通过上述显示面板以及利用上述制作方法制作的显示面板，在悬垂结构底座上增加双悬垂结构，使得阴极在顶部悬垂结构上形成的辅助阴极，以使底部阴极与辅助阴极通过金属柱实现连接，从而提升了整面阴极的均一性，增大了阴极的面积从而降低了阴极电阻，进而减弱因阴极电阻较大而造成的IR Drop，以改善显示亮度不均匀的现象。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本申请提供的显示面板一实施例的结构示意图；

图2是本申请提供的显示面板一实施例的中间结构示意图；

图3是背板阳极、阴极、辅助阴极的位置俯视图；

图4是本申请提供的显示面板制作方法一实施例的流程示意图；

图5是图4中步骤S14的子步骤流程示意图；

图6是图4中步骤S16的子步骤流程示意图；

图7a～图7k是图4中提供的显示面板制作方法中各步骤对应的结构示意图；

图8是本申请提供的显示装置一实施例的结构示意图。

附图标记：100、显示面板；10、基板；20、子像素；21、阳极层；22、发光层；23、阴极层；30、像素限定层；40、隔离结构；41、第一导电层；42、第一绝缘层；421、主体部；422、顶部；43、第二导电层；44、第二绝缘层；50、阴极辅助层；60、保护层；70、第一封装层；80、第二封装层；a、第一悬垂部；b、第二悬垂部；c、有机层；A、过孔；1、阳极区域；2、阴极区域；3、辅助阴极区域；200、显示装置。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

目前，为了更好地解决阴极模板分辨率低和器件成品率低等问题，实际研究中引入了阴极隔离柱结构以实现将不同像素隔离，用以解决相邻像素间有机发光层短路等问题，由于实际设计中，像素之间的开口间距较小，悬垂体宽度有限，故受限于导电氧化物柱体的宽度较小且接触电阻较大，从而导致其阴极的整面均一性较差，由此造成的IR Drop明显，显示出现亮度不均等问题的出现。

参阅图1和图2，图1是本申请提供的显示面板一实施例的结构示意图。图2是本申请提供的显示面板一实施例的中间结构示意图。该显示面板包括：基板10、子像素20、像素限定层30、隔离结构40、阴极辅助层50。

具体地，多个子像素20，设置于基板10上，子像素20包括依次层叠的阳极层21、发光层22和阴极层23；像素限定层30，设置于基板10上，像素限定层30用于限定多个子像素20的位置；隔离结构40，设置于像素限定层上，隔离结构40用于隔离多个子像素20，隔离结构40包括依次层叠的第一导电层41、第一绝缘层42、第二导电层43和第二绝缘层44，相邻两个子像素20的阴极层23通过第一导电层41连接，第一绝缘层42上设有过孔A，第一导电层41和第二导电层43通过过孔连接；阴极辅助层50，设置于隔离结构40上，阴极辅助层50连接第二导电层43。

其中，第一导电层41和第二导电层43可以采用金属氧化物、过度金属氧化物或其他导电材料制成；具体地，第一导电层41和第二导电层43的材料相同，也可以不相同，具体根据实际情况进行设定。

可选地，在一实施例中，第一绝缘层42包括主体部421和设置于主体部421上的顶部422，顶部422延伸出主体部421的上表面以形成第一悬垂部a；第二绝缘层44延伸出第二导电层43的上表面以形成第二悬垂部b。其中，第一绝缘层42的主体部421和顶部422的结构分别采用一氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNO)等材料，利用不同的材料的刻蚀速率不同以形成倒梯形的蘑菇形状。在一实施例中，第一绝缘层42采用一氧化硅(SiO)和氮化硅(SiNx)双层结构在第一导电层41上方形成第一悬垂部a，以构成第一倒梯形的蘑菇状结构；第二绝缘层44采用无机SiNx材料在第二导电层43上方形成第二悬垂部b，以构成第二倒梯形的蘑菇状结构，第一倒梯形结构与第二倒梯形结构一起构成双悬垂结构。

可选地，在一实施例中，第一悬垂部a和第二悬垂部b的长度相等，在另一实施例中，第一悬垂部a的长度小于第二悬垂部b的长度，通过构建第一悬垂部a和第二悬垂部b的方式，使得隔离结构40呈现出蘑菇体的结构，以解决相邻像素之间的有机发光层短路的问题。

可选地，在一实施例中，过孔A贯穿主体部421和顶部422，通过对第一绝缘层42进行刻蚀打孔的方式，实现后续对底部第一导电层41和顶部第二导电层43通过过孔A进行连接，并且第二导电层43与阴极辅助层50相连接，第一导电层41与阴极层23连接，从而实现四者的连接导通，形成整面的阴极导通。

可选地，在一实施例中，阴极辅助层50覆盖第二悬垂部b的上表面、侧面和下表面，第二导电层43的侧面，以及第一悬垂部a的上表面和侧面。

可选地，在一实施例中，第一悬垂部a的侧面还设置有有机层c，阴极辅助层50覆盖有机层c。

其中，在蒸发沉积的过程中，由于隔离结构40中的延伸出的悬垂部的存在，导致阴极层23和发光层22在形成的过程，会在延伸突出悬垂部的发生断裂，以在悬垂部上形成阴极辅助层50和有机层c。具体地，在一实施例中，通过改变阴极层23和发光层22的蒸发沉积角度，使其在第二绝缘层44的第二悬垂部b处断裂，以形成阴极辅助层50和有机层c，其中有机层c覆盖第一绝缘层42中的第一悬垂部a的上表面及侧面的一部分；阴极辅助层50覆盖在第一绝缘层42中的第一悬垂部a的上表面及侧面和第二绝缘层44中的第二悬垂部b的上表面及侧面，将有机层c表面覆盖，并且沉积覆盖在第二导电层43的侧面，与第二导电层43接触连接，实现阴极辅助层50与第二导电层43的导通。

可选地，在一实施例中，子像素20包括依次层叠的阳极层21、发光层22和阴极层23，发光层22搭接于像素限定层30的上表面，阴极层23延伸至发光层22和第一导电层41之间并接触像素限定层30的上表面。由于上述第一悬垂部a和第二悬垂部b的原因，在沉积阴极层23和发光层22的过程中，阴极层23覆盖在发光层22的上表面和侧面，与第一导电层41接触连接，从而实现阴极层23和第一导电层41的导通，并且通过阴极层23将发光层22与第一导电层41之间隔断，防止发光层22与第一导电层41导通，以使相邻间子像素发生有机发光层短路的问题。

其中子像素20为多个且间隔分布在隔离结构40之间，阳极层21的材料包括但不限于铬、钛、金、银、铜、铝、ITO、它们的组合或其他合适的导电材料及其组合。

发光层22用于在通电时发射红光、蓝光或绿光。发光层22可包括HIL(HoleInjection Layer，空穴注入层)、HTL(Hole Transfer Layer，空穴传输层)、EML(EmittingLayer，发射层)和ETL(Electron Transfer Layer，电子转移层)中的一种或多种。

阴极层23的两端与隔离结构40中的第一导电层41接触连接，以使得相邻间的子像素通过第一导电层41将彼此的阴极层23连接在一起从而实现整面的阴极连接导通，其中的阴极层23的材料包括但不限于铬、钛、金、银、铜、铝、ITO、它们的组合或其他合适的导电材料及其组合。阴极层23的材料可以与阳极层21的材料相同，也可以不相同，具体根据实际情况进行设定。

具体地，在一实施例中，上述阴极辅助层50如图3所示，图3是背板阳极、阴极、辅助阴极的位置俯视图。中间位置为阳极区域1，开口阴极区域2通过阳极周围的悬垂结构的导电层连接成整面，悬垂结构顶部的辅助阴极区域3在各个开口外围形成环形的整面导电层，通过与顶部导电层的搭接实现整面辅助阴极的连接面，从而提高以及的整面搭接的可靠性。

可选地，在一实施例中，如图1所示，显示面板还包括：保护层60、第一封装层70和第二封装层80，保护层60覆盖阴极层23、第一导电层41、第一绝缘层42、阴极辅助层50；第一封装层70覆盖保护层60和第二绝缘层44，第一封装层70的上表面为平坦结构；第二封装层80设置于第一封装层70上。

其中，在经过单次刻蚀完成形成单个子像素后，采用无机封装的方式对单色OLED材料和阴极进行封装保护形成刻蚀保护层，再逐个进行其他发光层和阴极的制备，在三色发光层和阴极均制备完成后采用有机封装和无机封装的形式进行整体封装，在一实施例中，保护层60采用无机封装的方式，第一封装层70采用有机封装，第二封装层80采用无机封装。

可选地，在一实施例中，保护层60、第一封装层70和第二封装层80可采用任一封装材料，例如无机封装、有机封装和无机有机复合封装，其中，无机有机复合封装材料兼具了无机封装材料水氧阻隔性好和有机封装材料成膜性好的优势。

本申请还提供一种显示面板100的制作方法以解决上述问题，该制作方法具体包括如下步骤：

参阅图4和图7a～图7k，图4是本申请提供的显示面板制作方法一实施例的流程示意图。图7a～图7k是图4中提供的显示面板制作方法中各步骤对应的结构示意图。

步骤S10：提供一基板。

具体地，基板10在整个显示面板中起到支撑的作用，用于承载各种元器件及材料。

可选地，在一实施例中，基板10包括衬底(图未示)和驱动电路(图未示)，其显示面板100为有源OLED；在另一实施例中，基板只包括衬底，不包括驱动电路，其显示面板100为无源OLED。

具体地，在一实施例中该衬底的材料采用玻璃基板，而玻璃基板一般被用作载板来使用；在另一实施例中，该衬底的材料采用柔性基板，其中，柔性基板采用柔性PI(聚酰亚胺)薄膜作为基板。

上述中的驱动电路可分为像素驱动电路和外围驱动电路，其中的像素驱动电路主要为面板的持续点亮提供实现条件，而外围电路则是为面板的矩阵电路提供准确的输入信号，例如，如为有源矩阵电路提供逐行选通的扫描信号(行驱动信号)，为选通行的各OLED像素提供带有显示信息的数据信号(列驱动信号)。因此，像素驱动电路和外围驱动电路相辅相成、紧密配合，共同完成驱动有源OLED显示屏的正常工作。

步骤S12：在基板上形成阳极层和像素限定层。

具体地，如图7a所示，在基板上形成对应所需的金属层作为阳极层材料，其中，金属层的材料采用包括但不限于铬、钛、金、银、铜、铝、ITO、它们的组合或其他合适的导电材料及其组合。

可选地，在一实施例中，如图7a所示，通过在金属层上方涂覆第一层光刻胶并图案化光刻胶，保留对应所需的结构，以在基板上形成所需的阳极层21；在完成刻蚀的阳极层21的上方制备像素限定层30，用于隔断相邻子像素20的阳极层21，同样地，在像素限定层30上方涂覆第二层光刻胶并图案化光刻胶以保留对应所需结构形成像素限定层30；在一实施例中，像素限定层30垂直于基板方向的高度高于阳极层21。其中，像素限定层30采用有机材料包括但不限于聚酰亚胺，像素限定层30的无机材料包括但不限于氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(Si2N2O)、氟化镁(MgF2)或它们的组合。在另一实施例中，采用PDL材料作为像素限定层30的材料，PDL是一种像素定义材料，用于定义每个子像素以便其中的发光层之间的颜色不会互相干扰。

其中的刻蚀方法包括湿法刻蚀或干法刻蚀(Dry etch)的方式，其中，干法刻蚀包括激光刻蚀或等离子体刻蚀。湿法刻蚀包括化学法刻蚀。

步骤S14：在像素限定层上依次形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层，第一绝缘层上设有过孔，第一导电层和所述第二导电层通过过孔连接。

参阅图5，图5是图4中步骤S14的子步骤流程示意图。

步骤S14的子步骤，具体包括如下步骤：

步骤S140：在像素限定层上依次形成第一导电层和第一绝缘层，第一绝缘层包括主体部和设置于主体部上的顶部，顶部延伸出主体部的上表面以形成第一悬垂部。

可选地，在一实施例中，如图7b所示，在像素限定层30上利用物理气相沉积、化学气相沉积或真空溅射等方式沉积导电层，在导电层上涂覆第三层光刻胶并图形化光刻胶，以保留在像素限定层上的第一导电层41结构，其中第一导电层41的材料采用金属氧化物或过度金属氧化物或其他导电材料制成，例如金属钼(MO)、氮化铝(AlN)等材料。

可选地，在一实施例中，如图7c所示，在第一导电层41的上方制备第一绝缘层42，并通过利用不同材料的刻蚀速率的不同，在第一绝缘层42上形成第一悬垂部a，以构成悬垂结构。其中，第一绝缘层42的材料可以为非导电有机材料，非导电有机材料包括负性感光有机材料。例如，负性感光有机材料包括但不限于负性光刻胶。

可选地，在一实施例中，第一绝缘层42所构成的第一悬垂结构可以通过在曝光制程中，负性光刻胶被光照的部分会聚合交联固化，未被光照的部分不发生交联聚合。负性光刻胶的表面更容易聚合交联，负性光刻胶远离表面的部分的光照强度逐渐减弱，负性光刻胶从表面到远离表面的方向，负性光刻胶的聚合交联程度逐渐减弱。在显影制程中，未发生交联聚合的负性光刻胶会被洗除，得到倒梯形结构的悬垂结构。

步骤S142：在第一绝缘层上形成贯穿主体部和顶部的过孔。

可选地，在一实施例中，如图7d所示，可利用蚀刻等方式在第一绝缘层42上形成过孔A，通过过孔A将后续的第二导电层43与第一导电层41进行连接，增加阴极和辅助阴极的搭接界面个数，提高搭接界面的可靠性。

步骤S144：在第一绝缘层上形成第二导电层，第二导电层通过过孔连接第一导电层。

可选地，在一实施例中，如图7e所示，在形成过孔A的第一绝缘层42上方再通过物理气相沉积、化学气相沉积或真空溅射等方式沉积导电层，以形成第二导电层43，第二导电层43通过过孔A与底部第一导电层41进行搭接。在一实施例中，考虑到阴极蒸发沉积的坡度角，第二导电层43在横截面的宽度上应小于或等于第一导电层41。

步骤S146：在第二导电层上形成第二绝缘层，第二绝缘层延伸出第二导电层的上表面以形成第二悬垂部。

可选地，在一实施例中，如图7f所示，在第二导电层43的上方通过沉积等方式形成第二绝缘层44，其中，第二绝缘层44的形成方式与第一绝缘层42的形成方式相同，在此不再赘述。在一实施例中，第二绝缘层44的第二悬垂部b的长度与第一绝缘层42的第一悬垂部a的长度相等。

步骤S16：在阳极层上依次形成发光层和阴极层，并在隔离结构上形成阴极辅助层，阴极辅助层连接第二导电层，阳极层、发光层和阴极层形成子像素，相邻两个子像素的阴极层通过第一导电层连接。

参阅图6，图6是图4中步骤S16的子步骤流程示意图。

步骤S16的子步骤，具体包括如下步骤：

步骤S160：在阳极层上形成发光层、并在第一悬垂部的侧面形成有机层。

具体的，由于不同子像素20发出的光的颜色不同，因此不同子像素20中发光层22的材料不同，需要在不同步骤中制得发出不同颜色光的子像素20。发光层22包括但不限于红色发光层(图未示)、绿色发光层(图未示)和蓝色发光层(图未示)。其中，具体形成的红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层的顺序根据实际情况自行设定。例如，首先形成红色发光层、然后形成绿色发光层，最后形成蓝色发光层。

可选地，在一实施例中，如图7g所示，通过蒸发沉积的方式形成发光层22，但由于悬垂结构的突出部分第一悬垂部a和第二悬垂部b的原因，导致发光层在突出部分发生膜层断裂，使得下断裂面处的发光层搭接在像素限定层30上，但不与第一导电层41接触连接，上断裂面处在第一绝缘层的42的第一悬垂部a处形成有机层c。

步骤S162：在发光层上形成阴极层、并在第二悬垂部的上表面、侧面和下表面，第二导电层的侧面，以及第一悬垂部的上表面和侧面形成阴极辅助层。

可选地，在一实施例中，如图7h所示，在发光层22的上方通过蒸发沉积的方式形成阴极层23和阴极辅助层50。与发光层22形成原因相同，由于悬垂结构的突出部分第一悬垂部a和第二悬垂部b的原因，导致阴极在突出部分发生膜层断裂，在一实施例中，通过改变蒸发角度的方式，使得阴极在下断裂处包裹住发光层22，使发光层22与第一导电层41隔离开来，并且阴极层23与第一导电层41直接连接，以实现不同子像素20的阴极层23通过第一导电层41进行连接形成不同子像素间阴极的网状连接，其中，第一导电层41的在垂直于基板的方向上高于阴极层23。上断裂处的阴极沿着第一绝缘层42和第二绝缘层44所构建的双悬垂结构进行沉积，以在第二悬垂部b的上表面、侧面和下表面，第二导电层43的侧面，以及第一悬垂部a的上表面和侧面形成阴极辅助层50，并且阴极辅助层50与第二导电层43的侧面搭接导通，由此实现阴极辅助层50与第二导电层43、第一导电层41以及阴极层23的整体导通，增加了阴极连接的可靠性，有效的降低阴极的整面电阻，从而提升阴极的整面均一性。

可选地，在一实施例中，上述制备方法还包括对显示面板的封装，如图7i所示，首先通过对单色OLED材料及阴极进行封装保护，再逐个制备其他发光层和阴极，如图7j和图7k所示，当三色有机发光层和阴极均完成图案化的制备后，对其进行有机封装和无机封装结合的方式进行整体封装，其中保护层60采用无机封装，第一封装层70采用有机封装，第二封装层80采用无机封装。

本申请提供一种显示面板。通过上述显示面板以及利用上述制作方法制作的显示面板，在悬垂结构底座上增加双悬垂结构，使得阴极在顶部悬垂结构上形成网状的辅助阴极，以使底部阴极与辅助阴极通过金属柱实现连接，从而提升了整面阴极的均一性，增大了阴极的面积从而降低了阴极电阻，进而减弱因阴极电阻较大而造成的IR Drop，以改善显示亮度不均匀的现象。

参阅图8，图8是本申请提供的显示装置一实施例的结构示意图。该显示装置200包括如上述实施例中介绍的任一显示面板100或通过上述制作方法制造的显示面板100，以通过该显示面板100对该显示装置200提供稳定的画面输出。

以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板；

多个子像素，设置于所述基板上；

像素限定层，设置于基板上，所述像素限定层用于限定多个所述子像素的位置；

隔离结构，设置于所述像素限定层上，所述隔离结构用于隔离多个所述子像素，所述隔离结构包括依次层叠的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层，相邻两个所述子像素的阴极层通过所述第一导电层连接，所述第一绝缘层上设有过孔，所述第一导电层和所述第二导电层通过所述过孔连接；

阴极辅助层，设置于所述隔离结构上，所述阴极辅助层连接所述第二导电层；

其中，所述第一绝缘层包括主体部和设置于所述主体部上的顶部，所述顶部延伸出所述主体部的上表面以形成第一悬垂部；所述第二绝缘层延伸出所述第二导电层的上表面以形成第二悬垂部。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述过孔贯穿所述主体部和所述顶部。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极辅助层覆盖所述第二悬垂部的上表面、侧面和下表面，所述第二导电层的侧面，以及所述第一悬垂部的上表面和侧面。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一悬垂部的侧面还设置有有机层，所述阴极辅助层覆盖所述有机层。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素包括依次层叠的阳极层、发光层和阴极层，所述发光层搭接于所述像素限定层的上表面，所述阴极层延伸至所述发光层和所述第一导电层之间并接触所述像素限定层的上表面。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

保护层，所述保护层覆盖所述阴极层、所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述阴极辅助层；

第一封装层，所述第一封装层覆盖所述保护层和所述第二绝缘层，所述第一封装层的上表面为平坦结构；

第二封装层，设置于所述第一封装层上。

7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成阳极层和像素限定层；

在所述像素限定层上依次形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层，所述第一绝缘层上设有过孔，所述第一导电层和所述第二导电层通过所述过孔连接；

在所述阳极层上依次形成发光层和阴极层，并在所述第二绝缘层上形成阴极辅助层，所述阴极辅助层连接所述第二导电层，所述阳极层、所述发光层和所述阴极层形成子像素，相邻两个所述子像素的阴极层通过所述第一导电层连接；

其中，所述在所述像素限定层上依次形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层，包括：

在所述像素限定层上依次形成第一导电层和第一绝缘层，所述第一绝缘层包括主体部和设置于所述主体部上的顶部，所述顶部延伸出所述主体部的上表面以形成第一悬垂部；

在所述第一绝缘层上形成贯穿所述主体部和所述顶部的过孔；

在所述第一绝缘层上形成第二导电层，所述第二导电层通过所述过孔连接所述第一导电层；

在所述第二导电层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层延伸出所述第二导电层的上表面以形成第二悬垂部。

8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述阳极层上依次形成发光层和阴极层，并在所述第二绝缘层上形成阴极辅助层，包括：

在所述阳极层上形成发光层、并在所述第一悬垂部的侧面形成有机层；

在所述发光层上形成阴极层、并在所述第二悬垂部的上表面、侧面和下表面，所述第二导电层的侧面，以及所述第一悬垂部的上表面和侧面形成阴极辅助层。