CN116909347A - 集成温度阈值检测电路及对应方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及集成温度阈值检测电路及对应方法。一种集成电路，包括：温度无关电压生成电路，被配置为通过对与绝对温度成比例的电压和与绝对温度互补的电压求和来生成带隙电压；温度阈值检测电路，包括被配置为生成等于带隙电压的分数的参考电压的电阻分压器桥；以及比较器电路，被配置为将与绝对温度成比例的电压与参考电压进行比较。

Description

集成温度阈值检测电路及对应方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年4月14日提交的法国专利申请No.2203444的权益，该申请在此引入作为参考。

技术领域

本发明的实施例和实现涉及集成电路，特别是温度阈值检测电路和方法。

背景技术

电子器件的行为通常受温度影响。可以认识到，例如，在低温下工作的激光器能够发射更强大的光束。然而，当温度太低时，该光束可能对暴露于其的人造成危险。因此，重要的是防止这种风险，特别是为了符合标准设定的要求，并且在较热的温度下降低发射功率可能是不利的。传统的用于检测温度阈值的技术在缺乏检测精度或在产品复杂性和成本方面存在困难，从该温度阈值可以发生诸如激光器的装置的故障。

更具体地，用于检测该温度阈值的已知电路不总是可靠的，并且不保证温度阈值的精确检测。当这些电路生成代表可能具有缺陷的温度的信号时尤其如此。

更具体地，表示从这种电路获得的温度的信号可能遭受不期望的变化。这些变化可以具有不同的来源，例如这些电路的电源的变化。在给定温度下，表示温度的信号中的变化可导致例如所生成的表示温度的信号相对于实际温度的偏移或漂移。

结果，在检测阈值处出现的偏移可能导致温度测量中的精度的显著损失，以及温度阈值的未检测或不正确检测。尽管存在减小所生成的信号的漂移的方法，这些方法通常需要添加复杂且昂贵的电路。

因此，需要提供一种简单的解决方案来以低复杂度和低成本提高温度阈值检测的可靠性。

发明内容

根据一个方面，本发明提出一种集成电路，其包括温度无关电压生成电路，所述温度无关电压生成电路被配置为通过对与绝对温度成比例的电压以及与绝对温度互补的电压进行求和来生成带隙电压。

所述集成电路进一步包括温度阈值检测电路，所述温度阈值检测电路包括：电阻分压器桥，被配置为生成等于所述带隙电压的分数的参考电压；以及比较器电路，被配置为将与绝对温度成比例的所述电压与所述参考电压进行比较。

一方面，由于参考电压是从带隙电压获得的，因此参考电压至少部分地耐受带隙电压中的任何不合需要的变化。另一方面，与绝对温度成比例的电压还至少部分地承受带隙电压中的任何不希望的变化。结果，通过设计，包括在参考电压和与绝对温度成比例的电压中的任何不希望的变化“固有地”在比较中相互补偿。因此，利用可以具有传统的，简单的和成本有效的设计的温度无关电压生成电路来实现精确和可靠的检测。

根据一个实施例，所述温度无关电压生成电路被配置为在基极节点处生成带隙电压，且其中所述电阻分压器桥包括耦合在所述基极节点与参考节点之间的第一电阻元件及耦合在所述参考节点与接地端子之间的第二电阻元件。

根据一个实施例，电阻分压器桥能够以由控制信号命令的方式改变电阻元件的电阻值的比率，同时保持串联的电阻元件的总电阻值。

电阻元件的电阻值的比率产生期望的参考电压，即对应于适合于集成电路的给定应用的温度阈值的电压。

根据一个实施例，温度无关电压生成电路包括第一双极晶体管，该第一双极晶体管具有耦合到基极节点的基极，耦合到用于调节恒定电压的电阻电路的中间节点的发射极，以及耦合到第一支路的集电极。

温度无关电压生成电路还包括第二双极晶体管，其具有耦合到基极节点的基极，耦合到用于调节恒定电压的电阻电路的中间节点的发射极，以及耦合到第二支路的集电极。

所述温度无关电压生成电路进一步包括电流生成电路，所述电流生成电路被配置为在所述第一支路中生成第一电流且在所述第二支路中生成第二电流，所述第一双极晶体管，所述第二双极晶体管及所述用于调节所述恒定电压的电阻电路经联合配置以生成与在所述中间节点与所述接地端子之间的绝对温度成比例的电压，且生成与在所述基极节点与所述中间节点之间的绝对温度互补的电压。

这种温度无关电压生成电路，通常称为“带隙结构”，使得能够生成对温度阈值检测有用的所有电压，特别是与绝对温度成比例的电压和从中获得参考电压的带隙电压。

根据一个实施例，所述电流生成电路包括放大器，所述放大器具有耦合到所述第一支路的第一输入和耦合到所述第二支路的第二输入，所述放大器被配置为在所述基极节点处生成命令信号，所述命令信号适于经由所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管命令在所述第一支路和所述第二支路中流动的电流的强度的伺服控制。

“电流强度的伺服控制”被理解为是指在具有不同表面面积的两个双极晶体管的基极处生成的命令信号被用于根据这些支路中的电流强度差来同时调节两个相应支路中的电导率。更具体地，例如，对于双极晶体管的相同基极－发射极电压，具有较大表面积的双极晶体管能够比其它双极晶体管更多地增加在其支路中流动的电流强度，直到在两个支路中获得相同的电流。

根据一个实施例，电流生成电路包括电流镜装置，该电流镜装置被配置为生成第一支路中的第一电流和第二支路中的第二电流。

本身已知的常规电流镜装置允许复制在第一支路中流动的电流，以在第二支路中生成相同强度的电流。

根据一个实施例，电流生成电路包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，第一MOS晶体管具有耦合在电流镜和第一双极晶体管的集电极之间的第一支路上的导电端子和耦合到第二支路的节点的命令端子，第二MOS晶体管具有耦合在第二支路的节点和第二双极晶体管的集电极之间的第二支路上的导电端子和耦合到第二支路的节点的命令端子。

所述电流生成电路进一步包括第三MOS晶体管，所述第三MOS晶体管具有分别耦合到电源电压端子和所述基极节点的导电端子，以及耦合到所述第二支路的所述节点的命令端子。

一方面，第一MOS晶体管减小了电源电压变化对带隙电压的影响，从而减小了对参考电压的影响。

另一方面，第二MOS晶体管减小了与双极晶体管的操作相关的早期效应对第二支路的电流的影响。因此，第二支路的电流变得与第二双极晶体管的集电极－发射极电压无关。类似地，它还允许第一支路中的复制电流变得与第一双极晶体管的集电极－发射极电压无关。

最后，第三MOS晶体管在基极节点处提供足够的电流以给电阻分压器桥供电。此外，第三MOS晶体管允许支路中的电流根据双极晶体管的基极处的命令以类似于上文定义的命令信号的方式被伺服控制。

另一方面提供了一种包括如上定义的集成电路的系统，其中比较器电路被配置为当与绝对温度成比例的电压低于参考电压时或者当与绝对温度成比例的电压高于参考电压时生成检测信号，并且控制电路连接到温度阈值检测电路和具有温度相关特性的元件，控制电路被配置为当检测信号被生成时禁用元件。

存在这样的系统，该系统结合了可以具有温度相关特性的元件，当暴露于过高或过低的温度时，该温度相关特性会造成危险。因此，通过在这些系统中使用如上文所定义的温度阈值检测电路，可以以自主和自动的方式停用这些装置，以便有效地保护用户免受这些风险。

根据另一方面，本发明提出了一种用于从带隙电压中检测温度阈值的方法，所述带隙电压是通过对与绝对温度成比例的电压以及与绝对温度互补的电压进行求和而生成的，所述方法包括：生成等于带隙电压的一部分的参考电压；以及将与绝对温度成比例的电压与参考电压进行比较。

根据一种实现方式，在基极节点处执行带隙电压的生成，并且其中使用包括耦合在基极节点和参考节点之间的第一电阻元件以及耦合在参考节点和接地端子之间的第二电阻元件的电阻分压器桥来执行等于带隙电压的一部分的参考电压的生成。

根据一个实现，该方法包括通过分压器桥以控制信号命令的方式改变电阻元件的电阻值的比率，同时保持串联的电阻元件的总电阻值。

根据一种实现方式，带隙电压的生成包括在耦合到第一双极晶体管的集电极的第一支路中生成第一电流，以及在耦合到第二双极晶体管的集电极的第二支路中生成第二电流，并且在耦合在第一双极晶体管的发射极和接地端子之间的第一电阻元件的端子处生成与绝对温度成比例的电压。

带隙电压的生成还包括生成与在第二双极晶体管的基极和经由第二电阻元件耦合到第二双极晶体管的发射极的中间节点之间的绝对温度互补的电压。

根据一种实现方式，在第一支路中生成第一电流和在第二支路中生成第二电流包括命令第一双极晶体管和第二双极晶体管，以便根据在第一支路中流动的第一电流的强度和在第二支路中流动的第二电流的强度之间的差来分别减小在第一支路和第二支路中流动的电流之间的强度差。

根据一种实现方式，通过电流镜布置来执行第一支路中的第一电流和第二支路中的第二电流的生成。

根据另一方面，本发明提供了一种方法，该方法包括用于检测如上定义的温度阈值的方法，该方法包括：当与绝对温度成比例的电压低于参考电压时，或者当与绝对温度成比例的电压高于参考电压时，经由比较器电路生成检测信号；以及当检测信号被生成时，经由连接到阈值检测电路的控制电路禁用具有温度相关特性的元件。

附图说明

本发明的其他优点和特征将在审阅非限制性实施例和实现方式的详细描述并从附图中变得明显，在附图中：

图1示意性地示出了根据一个实施例的包括温度无关电压发生器BG的集成电路；

图2示出了包括有源电流镜装置的电流生成电路的可选实施例；以及

图3示出了包括参照图1或2所述的集成电路的系统。

具体实施方式

图1示意性地示出了根据一个实施例的包括温度无关电压发生器BG的集成电路IC。

温度无关电压生成电路BG包括第一双极晶体管Q1和第二双极晶体管Q2。在温度无关电压生成电路BG中使用的这种双极晶体管本身是已知的，并且在基极－发射极结处具有不同的发射极区和不同的电流密度。作为示例，对应于第一双极晶体管Q1的尺寸的第一双极晶体管Q1的表面积可以比第二双极晶体管Q2的表面积八倍大。为了实现这样的尺寸比，第一双极晶体管Q1可以包括N个双极晶体管的并联连接，例如N＝8，其中每个双极晶体管具有与第二双极晶体管Q2相同的表面积。这种并联连接可以通过将每个晶体管的集电极，发射极和基极分别耦合在一起来实现。N倍大的表面积允许双极晶体管对于施加在其基极和其发射极之间的相同电压将其集电极上的电流强度放大N的因子。

第一双极晶体管Q1的基极和第二双极晶体管Q2的基极在公共基极节点NB处彼此连接。特别地，第一双极晶体管Q1具有连接到第一支路的集电极。第二双极晶体管Q2具有连接到第二支路的集电极。

第一双极晶体管Q1包括经由第一电阻器RCTAT耦合到用于调节恒定电压的电阻电路的中间节点NINT的发射极。第二双极晶体管Q2包括耦合到用于调节恒定电压的电阻电路的中间节点NINT的发射极。用于调节恒定电压的电阻电路包括连接在第一双极晶体管Q1的发射极和中间节点NINT之间的第一电阻器RCTAT和连接在中间节点NINT和接地端GND之间的第二电阻器RPTAT。

第一双极晶体管Q1，第二双极晶体管Q2和用于调节恒定电压的电阻电路被共同配置为生成与在中间节点NINT和接地端GND之间的绝对温度VPTAT成比例的电压，并生成与在基极节点NB和中间节点NINT之间的绝对温度VCTAT互补的电压。特别地，与绝对温度VCTAT互补的电压具有与温度成反比的系数，并且与绝对温度VPTAT成比例的电压具有与温度成比例的系数，当相同强度的电流通过晶体管Q1和Q2时，该系数从第一双极晶体管Q1和第二双极晶体管Q2之间的基极－发射极结处的电流密度中的差导出。

因此，在基极节点NB处，存在等于与绝对温度VPTAT成比例的电压以及与绝对温度VCTAT互补的电压之和的带隙电压VBG。

有利地，调整电阻器RCTAT和RPTAT的值，以便调整电压VPTAT和VCTAT，从而获得带隙电压VBG。

温度无关电压生成电路BG还包括电流生成电路POL。电流生成电路POL包括电源电压端VDD和运算放大器OP。

放大器OP具有连接到第一支路的第一输入INL，连接到第二支路的第二输入INR和连接到基极节点NB的输出。第一输入INL和第二输入INR分别对应于放大器OP的反相输入和非反相输入。

此外，电流生成电路POL包括在第一支路上的电阻器RL和第二支路上的电阻器RR。

电阻器RL连接在电源电压端子VDD和第一支路上的放大器OP的第一输入INL之间。电阻器RR连接在电源电压端子VDD和第二支路上的放大器OP的第二输入INR之间。

电阻器RL和RR具有相等的电阻值，并且用于在运算放大器OP的输入端生成电压信号，该电压信号与分别在第一支路IL和第二支路IR中流动的电流成正比。

放大器OP被配置为在基极节点NB处生成作为第一输入INL和第二输入INR之间的电势差的函数的命令信号VCOM，例如命令电压。当第一输入INL的电位高于第二输入INR的电位时，该电位差为正，如果不是这样，则为负。

特别地，命令信号VCOM用于命令第一双极晶体管Q1和第二双极晶体管Q2的基极电流，直到第一电流IL和第二电流IR相同。

一方面，当放大器OP的输入之间的电位差为负时，命令信号VCOM用于命令第一双极晶体管Q1和第二双极晶体管Q2的基极电流的增加。

另一方面，当放大器OP的输入之间的电位差为正时，命令信号VCOM用于命令基极电流的减小。

结果，命令信号VCOM适于命令对在第一支路中流动的第一电流IL和在第二支路中流动的第二电流IR的强度的伺服控制。因此，可以在温度无关电压生成电路BG的整个工作周期内调节电流IL和IR的强度。

或者，电流生成电路POL可以用MOS(本身已知的常规术语“金属氧化物半导体”的首字母缩写)晶体管结构来实现，如下文参考图2所述。

集成电路IC还包括温度阈值检测电路DET。阈值检测电路DET包括电阻分压器桥。电阻分压器桥包括第一电阻器RS1和第二电阻器RS2。第一电阻器RS1连接在基极节点NB和参考节点NREF之间，第二电阻器RS2连接在参考节点NREF和接地端GND之间。

因此，电阻分压器桥在参考节点NREF与接地端子GND之间生成参考电压VREF。参考电压VREF等于带隙电压VBG的一部分，且具体为：

此外，电阻分压器桥例如可以从外部驱动器电路接收控制信号CTRL。根据所接收的控制信号CTRL，电阻分压器桥可以增大或减小第一电阻器RS1和第二电阻器RS2的电阻值的比率“k”，同时保持串联的电阻器RS1和RS2的总电阻值。

用户因此可以使用控制信号CTRL来定义电阻分压器桥的电阻比，并且因此改变参考电压VREF的值。可改变参考电压VREF以匹配给定应用的所需温度阈值，例如在－15℃的温度下。

温度阈值检测电路DET还包括比较器电路COMP，其可以是例如作为比较器连接的运算放大器。

比较器电路COMP包括连接到参考节点NREF的反相输入和连接到中间节点NINT的非反相输入。这允许检测到温度下降到由参考电压VREF确定的温度阈值以下。

通过交换比较器电路COMP的输入的连接，即通过将反相输入连接到中间节点NINT并且将非反相输入连接到参考节点NREF，比较器电路COMP被配置为检测高于由参考电压VREF确定的温度阈值的温度升高。

在比较之后，当与绝对温度VPTAT成比例的电压大于参考电压VREF时或者当与绝对温度VPTAT成比例的电压小于参考电压VREF时，比较器电路COMP输出检测信号VOUT。

因此，比较器电路COMP可以检测所测量的温度何时达到高温阈值或低温阈值。

一方面，如果在带隙电压VBG中出现寄生变化，则在与绝对温度VPTAT互补的电压中和在与定义带隙电压VBG的绝对温度VPTAT成比例的电压中也发现寄生变化。换句话说，与绝对温度VPTAT成比例的电压经历与带隙电压VBG类似的变化。

另一方面，参考电压VREF具有与电压VBG中与分压器电阻桥的电阻比“k”成比例的变化相对应的寄生变化。

通过将与绝对温度VPTAT成比例的电压与参考电压VREF进行比较，在这些电压的每一个中的寄生变化之间发生一阶补偿。

寄生变化的补偿允许与温度VPTAT成比例的信号和参考电压VREF之间的差异被显著减小，以便确保以可靠的方式检测温度阈值。

例如，对于与对应于三个标准偏差的平均值的最大偏差，以仅2.7℃的不准确度获得针对－15℃的温度阈值的检测进行的实验测量。

图2示出了电流生成电路POL的可选实施例，在该可选实施例中，该电流生成电路POL包括有源电流镜装置MIR。

电流镜装置MIR包括第一支路上的MOS晶体管ML和第二支路上的MOS晶体管MR。第一支路的MOS晶体管ML具有连接到电源电压端子VDD的源极，连接到第一支路的节点NL的栅极和漏极。第二支路的MOS晶体管MR具有连接到电源电压端子VDD的源极，耦合到第一支路的MOS晶体管ML的栅极的栅极和连接到第二支路的节点NR的漏极。

这样的电流镜装置MIR通常允许在第一支路上生成第一电流IL和在第二支路上生成与第一电流IL具有相同强度的第二电流IR。

电流生成电路POL还包括第一MOS晶体管M1，第二MOS晶体管M2和第三MOS晶体管M3。

第一MOS晶体管M1的源极连接到的MOS晶体管ML的漏极的源极，连接到第二支路的节点NR的栅极和连接到第一双极晶体管Q1的集电极的漏极。

第一MOS晶体管M1减小了电源电压VDD的变化对带隙电压VBG的影响，从而减小了对参考电压VREF的影响。

第二MOS晶体管M2具有连接到第二支路的节点NR的源极和栅极以及连接到第二双极晶体管Q2的集电极的漏极。

第二MOS晶体管M2减小与双极晶体管Q1和Q2的操作有关的早期效应对第二支路的第二电流IR的影响。因此，第二支路的电流IR变得与第二双极晶体管Q2的集电极－发射极电压无关。类似地，它还允许第一支路中的复制的第一电流IL变得独立于第一双极晶体管Q1的集电极－发射极电压。

第三MOS晶体管M3具有连接到电源电压端子VDD的源极，连接到第二支路的节点NR的栅极和连接到基极节点NB的漏极。

最后，第三MOS晶体管M3在基极节点NB处提供足够的电流以对电阻分压器桥供电。此外，第三MOS晶体管M3允许支路中的电流根据双极晶体管Q1和Q2的基极处的命令以类似于上文定义的命令信号VCOM的方式被伺服控制。

图3示出了包括如上参照图1或图2所述的集成电路IC的系统SYS。

系统SYS包括控制电路DRIVER和具有温度相关特性的元件ELEM。控制电路DRIVER连接到温度阈值检测电路DET和元件ELEM。元件ELEM可以是诸如垂直腔激光二极管的电子器件，当温度低于阈值时，例如当温度低于－15℃时，其可以发射相对强的辐射。控制电路DRIVER通常可以是激光二极管驱动器电路。

控制电路DRIVER被配置为当检测信号VOUT被生成时禁用元件ELEM。例如，在温度阈值处禁用元件ELEM(例如激光二极管)可以防止二极管发射可能对用户有害和/或符合标准的辐射。

Claims (21)

1.一种集成电路，包括：

温度无关电压生成电路，被配置为通过将与绝对温度成比例的电压以及与所述绝对温度互补的电压求和来生成带隙电压；

温度阈值检测电路，包括电阻分压器桥，所述电阻分压器桥被配置为生成等于所述带隙电压的分数的参考电压；以及

比较器电路，被配置为将与所述绝对温度成比例的电压与所述参考电压进行比较。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述温度无关电压生成电路被配置为在基极节点处生成所述带隙电压，并且其中所述电阻分压器桥包括耦合在所述基极节点与参考节点之间的第一电阻元件和耦合在所述参考节点与接地端子之间的第二电阻元件。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述电阻分压器桥被配置为在以由控制信号命令的方式维持串联的所述电阻元件的总电阻值的同时改变所述电阻元件的电阻值的比率。

4.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述温度无关电压生成电路包括：

第一双极晶体管，具有耦合到所述基极节点的基极，耦合到用于调节恒定电压的电阻电路的中间节点的发射极，以及耦合到第一支路的集电极；

第二双极晶体管，具有耦合到所述基极节点的基极，耦合到用于调节所述恒定电压的所述电阻电路的所述中间节点的发射极，以及耦合到第二支路的集电极；以及

电流生成电路，被配置为在所述第一支路中生成第一电流并且在所述第二支路中生成第二电流；

其中所述第一双极晶体管，所述第二双极晶体管和用于调节所述恒定电压的所述电阻电路被共同地配置为：

生成与在所述中间节点和所述接地端子之间的绝对温度成比例的电压；以及

生成与在所述基极节点和所述中间节点之间的绝对温度互补的电压。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述电流生成电路包括放大器，所述放大器具有耦合到所述第一支路的第一输入和耦合到所述第二支路的第二输入，其中所述放大器被配置为在所述基极节点处生成命令信号，所述命令信号适于经由所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管命令在所述第一支路和所述第二支路中流动的电流的强度的伺服控制。

6.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述电流生成电路包括电流镜装置，所述电流镜装置被配置为生成在所述第一支路中的所述第一电流和在所述第二支路中的所述第二电流。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述电流生成电路包括：

第一MOS晶体管，具有耦合在所述电流镜装置与所述第一双极晶体管的集电极之间的所述第一支路上的导电端子和耦合到所述第二支路的节点的命令端子；以及

第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管具有耦合在所述第二支路的节点与所述第二双极晶体管的集电极之间的所述第二支路上的导电端子和耦合到所述第二支路的所述节点的命令端子；以及

第三MOS晶体管，具有分别耦合到电源电压端子和所述基极节点的导电端子，以及耦合到所述第二支路的所述节点的命令端子。

8.一种系统，包括：

集成电路，包括：

温度无关电压生成电路，被配置为通过将与绝对温度成比例的电压以及与所述绝对温度互补的电压进行求和来生成带隙电压；

温度阈值检测电路，包括电阻分压器桥，所述电阻分压器桥被配置为生成等于所述带隙电压的分数的参考电压；以及

比较器电路，被配置为：

将与所述绝对温度成比例的所述电压与所述参考电压进行比较；以及

响应于与所述绝对温度成比例的所述电压低于所述参考电压，或者响应于与所述绝对温度成比例的所述电压高于所述参考电压，生成检测信号；以及

控制电路，连接到所述温度阈值检测电路并且连接到具有温度相关特性的元件，所述控制电路被配置为响应于所述检测信号被生成而停用所述元件。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述温度无关电压生成电路被配置为在基极节点处生成所述带隙电压，并且其中所述电阻分压器桥包括耦合在所述基极节点与参考节点之间的第一电阻元件和耦合在所述参考节点与接地端子之间的第二电阻元件。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述电阻分压器桥被配置为以由控制信号命令的方式改变所述电阻元件的电阻值的比率，同时保持串联的所述电阻元件的总电阻值。

11.根据权利要求9所述的系统，其中所述温度无关电压生成电路包括：

第一双极晶体管，具有耦合到所述基极节点的基极，耦合到用于调节恒定电压的电阻电路的中间节点的发射极，以及耦合到第一支路的集电极；

第二双极晶体管，具有耦合到所述基极节点的基极，耦合到用于调节所述恒定电压的所述电阻电路的所述中间节点的发射极，以及耦合到第二支路的集电极；以及

电流生成电路，被配置为在所述第一支路中生成第一电流并且在所述第二支路中生成第二电流；

其中所述第一双极晶体管，所述第二双极晶体管和用于调节所述恒定电压的所述电阻电路共同地配置为：

生成与在所述中间节点和所述接地端子之间的所述绝对温度成比例的电压；以及

生成与在所述基极节点和所述中间节点之间的所述绝对温度互补的电压。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述电流生成电路包括放大器，所述放大器具有耦合到所述第一支路的第一输入和耦合到所述第二支路的第二输入，其中所述放大器被配置为在所述基极节点处生成命令信号，所述命令信号适于经由所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管命令在所述第一支路和所述第二支路中流动的电流的强度的伺服控制。

13.根据权利要求11所述的系统，其中所述电流生成电路包括电流镜装置，所述电流镜装置被配置为生成所述第一支路中的所述第一电流和所述第二支路中的所述第二电流。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述电流生成电路包括：

第一MOS晶体管，具有耦合在所述电流镜装置与所述第一双极晶体管的集电极之间的所述第一支路上的导电端子和耦合到所述第二支路的节点的命令端子；以及

第二MOS晶体管，具有耦合在所述第二支路的所述节点与所述第二双极晶体管的所述集电极之间的所述第二支路上的导电端子和耦合到所述第二支路的所述节点的命令端子；以及

第三MOS晶体管，具有分别耦合到电源电压端子和所述基极节点的导电端子，以及耦合到所述第二支路的所述节点的命令端子。

15.一种方法，包括：

将与绝对温度成比例的电压以及与所述绝对温度互补的电压进行求和以生成带隙电压；

生成等于所述带隙电压的分数的参考电压；

将与所述绝对温度成比例的电压与所述参考电压进行比较；以及

从所述带隙电压检测温度阈值。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：

在基极节点处执行所述带隙电压的所述生成；以及

用电阻分压器桥执行等于所述带隙电压的分数的所述参考电压的生成，所述电阻分压器桥包括耦合在所述基极节点与参考节点之间的第一电阻元件和耦合在所述参考节点与接地端子之间的第二电阻元件。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括经由所述电阻分压器桥以由控制信号命令的方式改变所述电阻元件的电阻值的比率，同时保持串联的所述电阻元件的总电阻值。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述带隙电压的所述生成包括：

在耦合到第一双极晶体管的集电极的第一支路中生成第一电流，以及在耦合到第二双极晶体管的集电极的第二支路中生成第二电流；

在耦合到所述第一双极晶体管的发射极与接地端子之间的第一电阻元件的端子处生成与所述绝对温度成比例的电压；以及

生成与位于所述第二双极晶体管的基极与经由第二电阻元件耦合到所述第二双极晶体管的所述发射极的中间节点之间的所述绝对温度互补的电压。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述第一支路中生成所述第一电流和在所述第二支路中生成所述第二电流包括：命令所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管，以便根据分别在所述第一支路和所述第二支路中流动的电流之间的强度差，减小在所述第一支路和所述第二支路中流动的电流之间的所述强度差。

20.根据权利要求18所述的方法，其中在所述第一支路中生成所述第一电流和在所述第二支路中生成所述第二电流是通过电流镜装置执行的。

21.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：

响应于与所述绝对温度成比例的所述电压低于所述参考电压，或者响应于与所述绝对温度成比例的所述电压高于所述参考电压，生成检测信号；以及

响应于所述检测信号被生成，经由控制电路而禁用具有温度相关特性的元件。