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CN116895628A - 具有垂直端子的半导体封装件模块 - Google Patents

具有垂直端子的半导体封装件模块 Download PDF

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CN116895628A
CN116895628A CN202310266974.3A CN202310266974A CN116895628A CN 116895628 A CN116895628 A CN 116895628A CN 202310266974 A CN202310266974 A CN 202310266974A CN 116895628 A CN116895628 A CN 116895628A
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CN
China
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semiconductor package
housing
vertical
terminals
package module
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Application number
CN202310266974.3A
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崔伦华
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Jmj Korea Co ltd
Original Assignee
Jmj Korea Co ltd
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Publication date
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Abstract

本发明提供一种具有垂直端子的半导体封装件模块，其能够通过连接垂直端子来增加端子的数量，能够解决电连接时端子的弯曲问题，并且能够可以减少通过端子的电信号电阻。

Description

具有垂直端子的半导体封装件模块
技术领域
本发明涉及一种具有垂直端子的半导体封装件模块，更详细而言，涉及一种具备能够通过连接垂直端子来增加端子的数量，能够解决电连接时端子的弯曲问题，并且可以降低通过端子的电信号电阻的垂直端子的半导体封装件模块。
背景技术
通常，半导体封装件包括安装于下部基板或上部基板上的半导体芯片、作为粘合在半导体芯片上的起到间隔件作用的金属柱的导体、施加外部电信号的引线框架、利用密封材料成型的封装件壳体以及暴露于下部基板或上部基板上而形成的散热柱。
例如，参照图1，在利用环氧塑封料(EMC：Epoxy Mold Compound)成型而制造的半导体封装件10、20中，为了施加电信号或电力/电压，水平端子11和/或垂直端子12与安装于封装件壳体14内部的半导体芯片13电连接，尤其，这种端子11、12需要与用于驱动半导体芯片13的栅极电极的栅极驱动板30电连接。
因此，一个以上的垂直端子12主要利用构成，并以90°至130°的预定角度弯曲，以便与在PCB板上安装栅极驱动半导体31的栅极驱动板30进行电连接。并且，将垂直端子12插入到在PCB板上形成的过孔中，通过焊接将垂直端子12与PCB板进行电连接。
但是，这种端子只能从封装件壳体14的侧面露出，当通过弯曲将垂直端子12插入到位于封装件壳体14的上表面或下表面的PCB板时，垂直端子12会弯曲而产生不良，从而导致电气可靠性下降。
此外，由于只能从封装件壳体14的侧面露出端子11、12，因此在增加端子数量方面存在局限性，并由于与半导体芯片13和最终PCB板连接的电路变长，因而存在电阻增加的问题。
因此，需要一种能够增加端子的数量、能够解决电连接时端子的弯曲问题、能够减少通过端子的电信号电阻的技术。
【现有技术文献】
【专利文献】
(专利文献0001)韩国授权专利公报第10-0867573号(散热能力改善的电力用模块封装件及其制造方法，2008.11.10公告)
(专利文献0002)韩国公开专利公报第10-2001-0111736号(配备有直接附着于引线框架的背面的绝缘散热板的电源模块封装件，2001.12.20)
发明内容
本发明的思想所要实现的技术问题在于提供一种具有垂直端子的半导体封装件模块，其可以通过连接垂直端子来增加端子的数量、可以解决电连接时端子的弯曲问题、可以减少通过端子的电信号电阻。
为了实现上述目的，本发明的实施例提供一种具有垂直端子的半导体封装件模块，其包括第一半导体封装件及第二半导体封装件，其中，所述第一半导体封装件包括：一个以上的基板，安装有一个以上的半导体芯片；一个以上的金属桥接件，与所述半导体芯片及所述基板中的一个以上电连接；一个以上的端子，与所述半导体芯片及所述基板中的一个以上电连接；第一壳体，覆盖所述半导体芯片和所述端子的一部分，其中，所述金属桥接件的一表面的至少一部分暴露在所述第一壳体的一表面，以能够进行电连接，并且所述基板的一表面的至少一部分或全部暴露在所述第一壳体的一表面或两表面，其中，第二半导体封装件包括：第二壳体，层叠形成于所述第一半导体封装件的上部或下部；一个以上的端子接合部，与暴露到所述第一壳体的一表面的所述金属桥接件的一表面电连接或结构性连接；垂直端子，结构性连接于所述端子接合部，其中，所述垂直端子贯通所述第二壳体而延伸形成。
其中，所述第二壳体可以利用所述垂直端子以嵌件成型的方式进行制作。
并且，贯通所述第二壳体的所述垂直端子的侧面的一部分可以与所述第二壳体的贯通孔结构性接合。
并且，贯通所述第二壳体的所述垂直端子的侧面的一部分可以与所述第二壳体的贯通孔的内周面以5μm周至5mm的距离隔开。
并且，所述端子接合部可以位于所述第二壳体的一表面的外部。
并且，所述端子接合部可以埋设于所述第二壳体的内部，所述端子接合部的接合面可以暴露于所述第二壳体的一表面的外部。
并且，所述端子接合部的一部分可以位于所述第二壳体的内部，所述端子接合部的其余部分可以位于所述第二壳体的一表面的外部。
并且，在所述第二壳体上可以形成有一个以上的贯通孔或非贯通孔。
并且，在所述第二壳体的至少一表面上可以突出形成有一个以上的突起引导销。
并且，所述第一壳体的一部分可以形成为插入到所述第二壳体的贯通孔或非贯过孔中。
并且，在所述第一壳体的一表面可以形成有阴刻孔。
并且，在所述第二壳体的至少一表面可以突出形成有一个以上的突起引导销，在所述第一壳体的一表面可以形成有阴刻孔，并且所述第二壳体的突起引导销的一部分可以插入到所述第一壳体的阴刻孔中。
并且，在所述垂直端子电连接或结构性连接于所述金属桥接件之后，在所述第一壳体的一表面与所述第二壳体的一表面之间可以形成有至少一部分1μm以上的间隙。
并且，在所述垂直端子电连接或结构性连接于所述金属桥接件之后，所述一个以上的端子接合部的至少一部分可以设置为插入于所述第一壳体的内部。
并且，所述第一壳体的材料可以为环氧塑封料，所述第二壳体的材料可以为聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚或热固性树脂。
并且，所述第一壳体的材料可以为环氧塑封料，所述第二壳体的材料可以为PCB。
并且，所述第二壳体可以包括一层以上的绝缘层。
并且，所述第二半导体封装件可以包括：一个以上的金属图案，形成于所述第二壳体的一表面、两表面或内部；一个以上的半导体部件，安装在所述金属图案上。
并且，贯通所述第二壳体的一个以上的垂直端子的一部分可以借由接合材料而与所述第二壳体的一表面的一部分电连接或结构性连接。
并且，所述第二半导体封装件可以是驱动所述第一半导体封装件的半导体芯片的栅极电极的栅极驱动板。
并且，在所述一个以上的第二壳体的上表面或下表面还可以形成有一个以上的第三半导体封装件。
并且，所述第三半导体封装可以包括：第三壳体；一个以上的金属图案，形成于所述第三壳体的一表面、两表面或内部；一个以上的半导体部件，安装在所述金属图案上。
并且，所述一个以上的垂直端子可以贯通所述第二壳体而与形成在所述第三壳体的一表面、两表面或内部的金属图案电接合。
并且，所述第一半导体封装件的基板可以包括一层以上的绝缘层。
并且，在所述第一半导体封装件的基板的一表面上可以形成有散热柱，从而使所述半导体芯片驱动时产生的热量可以向外部传递。
并且，在所述第一半导体封装件的基板的一表面可以形成有金属散热器，并在所述基板与所述金属散热器之间夹设有热传导接合剂而相互接合。
并且，所述第一半导体封装件的基板的至少一表面的一部分可以与所述第二半导体封装件的第二壳体的一表面的一部分重叠。
根据本发明，具有如下效果：除了分别向第一壳体的两侧表面暴露的垂直端子和水平端子之外，还可以将垂直端子电连接到第一壳体的上表面和/或下表面来增加端子的数量，并且在与第二半导体封装件进行结构连接时，可以解决端子的弯曲问题，并可以通过直接与第二半导体封装件垂直连接的端子来减少电信号电阻。
附图说明
图1是例示根据现有技术的具有垂直端子的半导体封装件模块的图。
图2是示出根据本发明的实施例的具有垂直端子的半导体封装件模块的剖面结构的图。
图3a至图5b是分别例示图2的具有垂直端子的半导体封装件模块的第二半导体封装件结构的图。
图6a至图9c是分别示出图2的具有垂直端子的半导体封装件模块的多种应用例的图。
附图标记说明
110：第一半导体封装件 111：半导体芯片
112：基板 113：金属桥接件
114a：垂直端子 114b：水平端子
115：第一壳体 116、117、118：接合层
119：阴刻孔 120：第二半导体封装件
121：第二壳体 122：端子接合部
123：垂直端子 124、125：贯通孔
126：非贯通孔 127：突起引导销
128a：金属图案 128b：半导体部件
129：接合材料 130：第三半导体封装件
131：第三壳体 132：金属图案
133：半导体部件 141：散热柱
142：金属散热器
具体实施方式
以下，参照附图对具有上述特征的本发明的实施例进行更详细的说明。
根据本发明的实施例的具有垂直端子的半导体封装件模块包括第一半导体封装件110及第二半导体封装件120，其中，第一半导体封装件110包括：一个以上的基板112，安装有一个以上的半导体芯片111；一个以上的金属桥接件113，与半导体芯片111和/或基板112电连接；一个以上的端子，与半导体芯片111和/或基板112电连接；第一壳体115，覆盖半导体芯片111和端子的一部分，其中，金属桥接件113的一表面的至少一部分暴露在第一壳体115的一表面，以能够进行电连接，并且基板112的一表面的至少一部分或全部暴露在第一壳体115的一表面或两表面，其中，第二半导体封装件120包括：第二壳体121，层叠形成于第一半导体封装件110的上部或下部；一个以上的端子接合部122，与暴露在第一壳体115的一表面的金属桥接件113的一表面电连接和/或结构性连接；垂直端子123，结构性连接于端子接合部122，其中，垂直端子123贯通第二壳体121并延伸形成，其中，通过将垂直端子123连接到第一壳体115的上表面和/或下表面来增加端子的数量，并在与第二半导体封装件120进行电连接时，可以解决端子的弯曲问题，并可以减少通过端子的电信号电阻。
以下，参照图2至图9c，对上述结构的具有垂直端子的半导体封装件模块进行如下具体说明。
首先，参照图2，第一半导体封装件110包括：一个以上的基板112，安装有将接合层116夹设的一个以上的半导体芯片111；一个以上的金属桥接件113，与半导体芯片111和/或基板112夹设接合层117而电连接；一个以上的端子，与半导体芯片111和/或基板112电连接；第一壳体115，覆盖半导体芯片111和端子的一部分来进行电绝缘。
其中，金属桥接件113的一表面的至少一部分暴露，以能够电连接到第一壳体115的上表面和/或下表面，并且基板112的一表面可以由至少一部分或全部暴露于第一壳体115的一表面的单面基板，或者至少一部分或全部暴露于两个表面的双面基板构成。
此时，至少一部分暴露以能够进行电连接的概念不仅包括物理或结构上暴露的情况，还包括通过夹设粘合剂或电连接介质以实现能够电连接的结构。
此外，半导体芯片111可以使用作为具有电力转换功能的电力用半导体芯片的绝缘栅双极晶体管(IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor)或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，从而能够应用于转换或控制电力的逆变器(inverter)或转换器(converter)或车载充电机(OBC：OnBoard Charger)等装置。
此外，基板112包括一层以上的绝缘层112a和层叠于绝缘层112a的上表面和/或下表面的一个以上的金属图案112b，绝缘层112a可以由Al2O3、AlN、Si3N4或SiC的单一材料构成或可以由包含上述材料中的一种以上的复合材料构成。
此外，半导体芯片111在基板112上夹设接合层116并安装，半导体芯片111可以通过电连接装置113a与垂直端子114a进行电连接，和/或通过金属桥接件113与水平端子114b进行电连接，并且垂直端子114a可以在第一壳体115的一侧面暴露并沿垂直方向弯曲而形成，水平端子114b可以在第一壳体115的另一侧面暴露并沿水平方向延伸而形成。
此外，第一壳体115的材料可以是环氧塑封料(EMC：Epoxy Molding Compound)。
此外，接合层116、117可以包括含有Sn的焊料或含有Ag或Cu的金属材料。
接下来，参照图2，第二半导体封装件120包括：第二壳体121，层叠形成于第一半导体封装件110的上部或下部；一个以上的端子接合部122，通过夹设接合层118而与暴露于第一壳体115的一表面的金属桥接件113的一表面电连接或结构性连接；垂直端子123，结构性连接于端子接合部122。
其中，垂直端子123沿垂直方向贯通第二壳体121而延伸形成，从而可以通过金属桥接件113将外部电信号施加到半导体芯片111。
此外，第二壳体121的材料可以是与第一壳体115的材料不同的材料，例如，可以是聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT：Polybutyleneterephthalate)、聚苯硫醚(PPS：Polyphenylenesulfide)、印刷电路基板(PCB：Printed circuit board)或热固性树脂。
因此，除了分别向第一壳体115的两侧面暴露的垂直端子114a和水平端子114b之外，可以将垂直端子123电连接到第一壳体115的上表面或下表面来增加端子的数量，并当与第二半导体封装件120结构连接时，可以解决端子的弯曲问题，并可以通过直接垂直连接到第二半导体封装件120的端子来减小电信号电阻。
另外，第二壳体121利用垂直端子123以嵌件成型的方式制作，如图3所示，端子接合部122及垂直端子123在垂直贯通第二壳体121的同时进行结构性接合，从而形成为一体型，垂直端子123的侧面的一部分可以与第二壳体121的贯通孔124进行结构性接合，因而在与第一半导体封装件110结合时，可以通过夹设接合层118而将端子接合部122在不进行额外的电气操作的同时电连接到金属桥接件113，从而提高操作的效率性。
或者，如图5b所示，也可以预先制作形成有沿垂直方向贯通的贯通孔124的第二壳体121，并通过将垂直端子123插入于贯通孔124的方式与第一半导体封装件110结合，贯通第二壳体121的垂直端子123的侧面的一部分与第二壳体121的贯通孔124的内周面以5μm至5mm的距离D隔开而插入，以防止由第二壳体121的发热引起热膨胀时所产生的应力直接向垂直端子123传递，从而可以进一步提高垂直端子123的接合可靠性。
此外，第二壳体121与端子接合部122可以以多种结构进行结合，如图3a所示，整个端子接合部122可以完全暴露于第二壳体121的一表面的外部，如图3b所示，整个端子接合部122可以埋设于第二壳体121的内部，并且端子接合部122的接合面可以暴露于第二壳体121的一表面的外部，如图3c所示，端子接合部122的一部分可以位于第二壳体121的内部，并且端子接合部122的其余部分可以位于第二壳体121的一表面的外部。
此外，参照图4a，在第二壳体121上可以形成有用于与第一壳体115进行结构性结合的一个以上的贯通孔125或非贯通孔126，参照图4b，在第二壳体121的至少一表面上也可以突出形成有用于与第一壳体115进行结构性结合的一个以上的突起引导销127。
即，如图7a所示，第一壳体115的一部分可以朝向第二壳体121以预定高度突出形成，以便插入到第二壳体121的贯通孔125或非贯通孔126中。
或者，如图7b所示，在第一壳体115的一表面以预定深度形成有阴刻孔119，第二壳体121的突起引导销127的一部分插入到第一壳体115的阴刻孔119中，从而第一壳体115与第二壳体121可以进行结构性结合。
此外，参照图6a，在垂直端子123通过端子接合部122电连接于金属桥接件113之后，在第一壳体115的一表面与第二壳体121的一表面之间形成有至少一部分在1μm少以上的间隙G，以避免第一壳体115和第二壳体121直接进行物理性接合，从而最小化因不同材料分别构成的第一壳体115和第二壳体121的热膨胀系数差异所引起的热膨胀应力对垂直端子123和金属桥接件113之间的电结合的影响，以便能够进一步提高接合可靠性及电气可靠度。
例如，如上所述，第一壳体115的材料可以是EMC，第二壳体121的材料可以是PBT、PPS、PCB或热固性树脂，因此热膨胀系数不同，从而在第一壳体115和第二壳体121之间可以形成间隙G。
此外，参照图6b，在垂直端子123电连接于金属桥接件113之后，也可以使一个以上的端子接合部122的至少一部分通过阴刻孔119插入于第一壳体115的内部，以提高金属桥接件113与垂直端子123的结合强度并确保电气可靠性。
此外，参照图8a，第二半导体封装件120可以包括形成于第二壳体121的一表面、两表面或内部的一个以上的金属图案128a、安装在金属图案128a上的一个以上的半导体部件128b，并且第二壳体121可以包括一层以上的绝缘层121a。
此外，如图8a所示，贯通第二壳体121的一个以上的垂直端子123的一部分也可以借由接合材料129与第二壳体121的一表面的一部分进行电连接或结构性连接，以使垂直端子123与第二壳体121的结合强度进一步提高。
其中，第二半导体封装件120可以是通过电连接于金属桥接件113的垂直端子123来驱动第一半导体封装件110的半导体芯片111的栅极电极的栅极驱动板(gate driveboard)。
此外，如图8b所示，在一个以上的第二壳体121的上表面或下表面可以进一步层叠一个以上的第三半导体封装件130，并且第三半导体封装件130可以包括第三壳体131、形成于第三壳体131的一表面、两表面或内部的一个以上的金属图案132、安装在金属图案132上的一个以上的半导体部件133。
其中，一个以上的垂直端子123可以通过贯通第二壳体121而与形成于第三壳体131的一表面、两表面或内部的金属图案132进行电接合。
此外，参照图9a，在第一半导体封装件110的基板112的一表面上可以形成散热柱141，并将驱动半导体芯片111时产生的热量向外部传导，从而确保电气可靠性。
或者，参照图9b，也可以在第一半导体封装件110的基板112的一个表面附着形成金属散热器142，并通过在基板112和金属散热器142之间夹设导热粘合剂142a来进行相互接合，从而确保电气可靠性。
此外，参照图9c，具有双面基板结构的第一半导体封装件110的基板112的至少一表面的一部分与第二半导体封装件120的第二壳体121的一表面的一部分以彼此重叠的方式结合，从而在不覆盖全部第一半导体封装件110的同时也可以将垂直端子结构应用于双面基板结构，并可以通过第一半导体封装件110的暴露的基板区域来有效地执行散热。
因此，借由如上所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，除了分别向第一壳体的两侧面暴露的垂直端子和水平端子之外，还可以通过将垂直端子电连接到第一壳体的上表面或下表面来增加端子的数量，并且当与第二半导体封装件进行结构连接时，可以解决端子的弯曲问题，并可以通过直接与第二半导体封装件垂直连接的端子来减少电信号电阻。
本说明书中记载的实施例和附图中示出的结构仅为本发明的最优选的一实施例，并不代表本发明的全部技术思想，因此，应理解为在本申请的时间点可以存在能够代替这些的多样的等同物和变形例。

Claims (27)

1.一种具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，包括第一半导体封装件及第二半导体封装件，
其中，所述第一半导体封装件包括：
一个以上的基板，安装有一个以上的半导体芯片；
一个以上的金属桥接件，与所述半导体芯片及所述基板中的一个以上电连接；
一个以上的端子，与所述半导体芯片及所述基板中的一个以上电连接；
第一壳体，覆盖所述半导体芯片和所述端子的一部分，
其中，所述金属桥接件的一表面的至少一部分暴露在所述第一壳体的一表面，以能够进行电连接，并且所述基板的一表面的至少一部分或全部暴露在所述第一壳体的一表面或两表面，
其中，第二半导体封装件包括：
第二壳体，层叠形成于所述第一半导体封装件的上部或下部；
一个以上的端子接合部，与暴露到所述第一壳体的一表面的所述金属桥接件的一表面电连接或结构性连接；
垂直端子，结构性连接于所述端子接合部，
其中，所述垂直端子贯通所述第二壳体而延伸形成。
2.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述第二壳体利用所述垂直端子以嵌件成型的方式进行制作。
3.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
贯通所述第二壳体的所述垂直端子的侧面的一部分与所述第二壳体的贯通孔结构性接合。
4.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
贯通所述第二壳体的所述垂直端子的侧面的一部分与所述第二壳体的贯通孔的内周面以5μm周至5mm的距离隔开。
5.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述端子接合部位于所述第二壳体的一表面的外部。
6.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述端子接合部埋设于所述第二壳体的内部，所述端子接合部的接合面暴露于所述第二壳体的一表面的外部。
7.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述端子接合部的一部分位于所述第二壳体的内部，所述端子接合部的其余部分位于所述第二壳体的一表面的外部。
8.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
在所述第二壳体上形成有一个以上的贯通孔或非贯通孔。
9.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
在所述第二壳体的至少一表面上突出形成有一个以上的突起引导销。
10.根据权利要求8所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述第一壳体的一部分形成为插入到所述第二壳体的贯通孔或非贯过孔中。
11.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
在所述第一壳体的一表面形成有阴刻孔。
12.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
在所述第二壳体的至少一表面突出形成有一个以上的突起引导销，在所述第一壳体的一表面形成有阴刻孔，并且所述第二壳体的所述突起引导销的一部分插入到所述第一壳体的所述阴刻孔中。
13.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
在所述垂直端子电连接或结构性连接于所述金属桥接件之后，在所述第一壳体的一表面与所述第二壳体的一表面之间形成有至少一部分1μm以上的间隙。
14.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
在所述垂直端子电连接或结构性连接于所述金属桥接件之后，所述一个以上的端子接合部的至少一部分设置为插入于所述第一壳体的内部。
15.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述第一壳体的材料为环氧塑封料，所述第二壳体的材料为聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚或热固性树脂。
16.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述第一壳体的材料为环氧塑封料，所述第二壳体的材料为印刷电路基板。
17.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述第二壳体包括一层以上的绝缘层。
18.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述第二半导体封装件包括：
一个以上的金属图案，形成于所述第二壳体的一表面、两表面或内部；
一个以上的半导体部件，安装在所述金属图案上。
19.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
贯通所述第二壳体的一个以上的垂直端子的一部分借由接合材料而与所述第二壳体的一表面的一部分电连接或结构性连接。
20.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述第二半导体封装件是驱动所述第一半导体封装件的所述半导体芯片的栅极电极的栅极驱动板。
21.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
在所述一个以上的第二壳体的上表面或下表面还形成有一个以上的第三半导体封装件。
22.根据权利要求21所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述第三半导体封装包括：
第三壳体；
一个以上的金属图案，形成于所述第三壳体的一表面、两表面或内部；
一个以上的半导体部件，安装在所述金属图案上。
23.根据权利要求22所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述一个以上的垂直端子贯通所述第二壳体而与形成在所述第三壳体的一表面、两表面或内部的金属图案电接合。
24.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述第一半导体封装件的基板包括一层以上的绝缘层。
25.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
在所述第一半导体封装件的基板的一表面上形成有散热柱，从而使所述半导体芯片驱动时产生的热量向外部传导。
26.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
在所述第一半导体封装件的基板的一表面形成有金属散热器，并在所述基板与所述金属散热器之间夹设有热传导接合剂而相互接合。
27.根据权利要求1所述的具有垂直端子的半导体封装件模块，其特征在于，
所述第一半导体封装件的基板的至少一表面的一部分与所述第二半导体封装件的第二壳体的一表面的一部分重叠。
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