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CN116530220A - 介电基板及其形成方法 - Google Patents

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CN116530220A
CN116530220A CN202180079093.XA CN202180079093A CN116530220A CN 116530220 A CN116530220 A CN 116530220A CN 202180079093 A CN202180079093 A CN 202180079093A CN 116530220 A CN116530220 A CN 116530220A
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CN
China
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volume
filler
polymer
dielectric substrate
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Application number
CN202180079093.XA
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J·阿达姆丘克
D·托马斯
M·怀特
S·拉维钱德兰
G·T·巴斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fansford Composite Materials Co ltd
Original Assignee
Saint Gobain Performance Plastics Corp
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Abstract

本公开涉及一种介电基板，该介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。该聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可以包含第一填充材料。该第一填充材料的粒度分布可以具有至少约1.0微米并且不大于约1.7的D10，至少约1.0微米并且不大于约3.5微米的D50，和至少约2.7微米并且不大于约6微米的D90。

Description

介电基板及其形成方法
技术领域
本公开涉及介电基板及其形成方法。具体地，本公开涉及用于覆铜层压板结构的介电基板及其形成方法。
背景技术
覆铜层压板(CCL)包括层压在两层导电铜箔上或其之间的介电材料。随后的操作将此类CCL转变为印刷电路板(PCB)。当用于形成PCB时，导电铜箔被选择性地蚀刻以形成具有通孔的电路，该通孔在层之间钻出并且被金属化，即被电镀，以在多层PCB中的层之间建立导电性。因此，CCL必须表现出优异的热机械稳定性。PCB在制造操作(诸如焊接)和使用期间也经常暴露在过高的温度下。因此，它们必须能在200℃以上的连续温度下工作而不变形并且能承受剧烈的温度波动，同时防止吸湿。CCL的介电层充当导电层之间的间隔物并且可以通过阻挡导电性来使电信号损失和串扰最小化。介电层的介电常数(电容率)越低，电信号通过该层的速度就越高。因此，取决于温度和频率以及材料极化率的低耗散因数对于高频应用至关重要。因此，需要可以用于PCB和其他高频应用的改善的介电材料和介电层。
发明内容
根据第一方面，介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可以包含第一填充材料。第一填充材料的粒度分布可以具有至少约0.5微米并且不大于约1.6的D10，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
根据另一方面，介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可以包含第一填充材料。第一填充材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填充材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填充材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填充材料的D50粒度分布测量值。
根据再一方面，介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可以包含第一填充材料。第一填充材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度，以及不大于约8.0m2/g的平均表面积。
根据另一方面，覆铜层压板可以包括铜箔层和覆盖铜箔层的介电基板。介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。陶瓷填料组分可以包含第一填充材料，该第一填充材料可以包含二氧化硅。第一填充材料的粒度分布可以具有至少约0.5微米并且不大于约1.6的D10，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
根据又一方面，覆铜层压板可以包括铜箔层和覆盖铜箔层的介电基板。介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可以包含第一填充材料。第一填充材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填充材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填充材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填充材料的D50粒度分布测量值。
根据再一方面，覆铜层压板可以包括铜箔层和覆盖铜箔层的介电基板。介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可以包含第一填充材料。第一填充材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度，以及不大于约8.0m2/g的平均表面积。
根据另一方面，一种形成介电基板的方法可以包括：将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及用含氟聚合物基粘合剂层涂覆该聚合物基芯膜。陶瓷填料前体组分可以包含第一填料前体材料。第一填充材料的粒度分布可以具有至少约0.5微米并且不大于约1.6的D10，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
根据另一方面，一种形成介电基板的方法可以包括：将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；以及将成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及用含氟聚合物基粘合剂层涂覆该聚合物基芯膜。陶瓷填料前体组分可以包含第一填料前体材料。第一填料前体材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填料前体材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填料前体材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填料前体材料的D50粒度分布测量值。
根据再一方面，一种形成介电基板的方法可以包括：将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及用含氟聚合物基粘合剂层涂覆该聚合物基芯膜。陶瓷填料前体组分可以包含第一填料前体材料。第一填充材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度，以及不大于约8.0m2/g的平均表面积。
根据另一方面，一种形成覆铜层压板的方法可以包括：提供铜箔层；将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及在聚合物基芯膜和铜箔之间提供含氟聚合物基粘合剂层。陶瓷填料前体组分可以包含第一填料前体材料。第一填充材料的粒度分布可以具有至少约0.5微米并且不大于约1.6的D10，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
根据又一方面，一种形成覆铜层压板的方法可以包括：提供铜箔层；将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及在聚合物基芯膜和铜箔之间提供含氟聚合物基粘合剂层。陶瓷填料前体组分可以包含第一填料前体材料。第一填料前体材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填料前体材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填料前体材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填料前体材料的D50粒度分布测量值。
根据再一方面，一种形成覆铜层压板的方法可以包括：提供铜箔层；将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及在聚合物基芯膜和铜箔之间提供含氟聚合物基粘合剂层。陶瓷填料前体组分可以包含第一填料前体材料。第一填充材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度，以及不大于约8.0m2/g的平均表面积。
附图说明
实施方案通过示例示出，并且不限于附图。
图1包括示出根据本文所描述的实施方案的介电层形成方法的图；
图2包括示出根据本文所描述的实施方案形成的介电层的构造的图示；
图3包括示出根据本文所描述的实施方案的覆铜层压板形成方法的图；
图4包括示出根据本文所描述的实施方案形成的覆铜层压板的构造的图示；
图5包括示出根据本文所描述的实施方案的印刷电路板形成方法的图；并且
图6包括示出根据本文所描述的实施方案形成的印刷电路板的构造的图示。
技术人员应当理解，附图中的元件是为了简单和清楚而示出的，并且不必按比例绘制。
具体实施方式
以下讨论将集中于教导内容的具体实施方式和实施方案。提供详细描述以帮助描述某些实施方案，并且不应将其解释为对公开内容或教导内容的范围或适用性的限制。应当理解，可以基于本文提供的公开内容和教导内容使用其他实施方案。
术语“包含(comprises、comprising)”、“包括(includes、including)”、“具有(has、having)”或它们的任何其他变型形式旨在涵盖非排他性的包括。例如，包括一系列特征的方法、制品或装置不必仅限于那些特征，而是可包括未明确列出的或此类方法、制品或装置固有的其他特征。此外，除非明确相反地陈述，否则“或”是指包含性的或，而不是排他性的或。例如，条件A或B由以下任一项满足：A为真(或存在)且B为假(或不存在)，A为假(或不存在)且B为真(或存在)，以及A和B两者均为真(或存在)。
另外，使用“一个”或“一种”来描述本文所述的元件和部件。这样做仅仅是为了方便和给出本发明范围的一般意义。该描述应被理解为包括一个、至少一个或单数，也包括复数，或反之亦然，除非清楚地表明其另有含义。例如，当在本文中描述单个项目时，可以使用多于一个项目来代替单个项目。类似地，在本文中描述多于一个项目的情况下，单个项目可替代该多于一个项目。
本文所描述的实施方案整体涉及一种介电基板，该介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。根据特定实施方案，聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。
首先参考形成介电基板的方法，图1包括示出根据本文所描述的实施方案的用于形成介电基板的形成方法100的图。根据特定实施方案，形成方法100可以包括将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物的第一步骤110，将成形混合物形成为聚合物基芯膜的第二步骤120，以及用含氟聚合物基粘合剂层涂覆聚合物基芯膜的第三步骤130。
根据特定实施方案，陶瓷填料前体组分可以包括第一填料前体材料，该第一填料前体材料可以具有可改善由形成方法100形成的介电基板的性能的特定特性。
根据某些实施方案，第一填料前体材料可以具有特定的尺寸分布。为了本文所描述的实施方案的目的，材料的粒度分布，例如第一填料前体材料的粒度分布，可以使用粒度分布D值D10、D50和D90的任何组合来描述。来自粒度分布的D10值被定义为其中10％的颗粒小于该值且90％的颗粒大于该值的粒度值。来自粒度分布的D50值被定义为其中50％的颗粒小于该值且50％的颗粒大于该值的粒度值。来自粒度分布的D90值被定义为其中90％的颗粒小于该值且10％的颗粒大于该值的粒度值。为了本文所描述实施方案的目的，使用激光衍射光谱对特定材料进行粒度测量。
根据某些实施方案，第一填料前体材料可以具有特定的尺寸分布D10值。例如，第一填料前体材料的D10可以为至少约0.5微米，诸如至少约0.6微米或至少约0.7微米或至少约0.8微米或至少约0.9微米或至少约1.0微米或至少约1.1微米或甚至至少约1.2微米。根据再其他实施方案，第一填充材料的D10可以不大于约1.6微米，诸如不大于约1.5微米或甚至不大于约1.4微米。应当理解，第一填料前体材料的D10可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的D10可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据其他实施方案，第一填料前体材料可以具有特定的尺寸分布D50值。例如，第一填料前体材料的D50可以为至少约0.8微米，诸如至少约0.9微米或至少约1.0微米或至少约1.1微米或至少约1.2微米或至少约1.3微米或至少约1.4微米或至少约1.5微米或至少约1.6微米或至少约1.7微米或至少约1.8微米或至少约1.9微米或至少约2.0微米或至少约2.1微米或甚至至少约2.2微米。根据再其他实施方案，第一填充材料的D50可以不大于约2.7微米，诸如不大于约2.6微米或不大于约2.5微米或甚至不大于约2.4微米。应当理解，第一填料前体材料的D50可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的D50可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据其他实施方案，第一填料前体材料可以具有特定的尺寸分布D90值。例如，第一填料前体材料的D90可以为至少约1.5微米，诸如至少约1.6微米或至少约1.7微米或至少约1.8微米或至少约1.9微米或至少约2.0微米或至少约2.1微米或至少约2.2微米或至少约2.3微米或至少约2.4微米或至少约2.5微米或至少约2.6微米或甚至至少约2.7微米。根据再其他实施方案，第一填充材料的D90可以不大于约8.0微米，诸如不大于约7.5微米或不大于约7.0微米或不大于约6.5微米或不大于约6.0微米或不大于约5.5微米或不大于约5.4微米或不大于约5.3微米或不大于约5.2微米或甚至不大于约5.1微米。应当理解，第一填料前体材料的D90可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的D90可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，第一填料前体材料可以具有使用激光衍射光谱测量的特定平均粒度。例如，第一填料前体材料的平均粒度可以不大于约10微米，诸如不大于约9微米或不大于约8微米或不大于约7微米或不大于约6微米或不大于约5微米或不大于约4微米或不大于约3微米或甚至不大于约3微米。应当理解，第一填料前体材料的平均粒度可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的平均粒度可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据再其他实施方案，第一填料前体材料可以被描述为具有特定的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填料前体材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填料前体材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填料前体材料的D50粒度分布测量值。例如，第一填料前体材料的PSDS可以不大于约5，诸如不大于约4.5或不大于约4.0或不大于约3.5或不大于约3.0或甚至不大于约2.5。应当理解，第一填料前体材料的PSDS可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的PSDS可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据再其他实施方案，第一填料前体材料可以被描述为具有使用布鲁纳-埃米特-特勒(BET)表面积分析(氮吸附)测量的特定平均表面积。例如，第一填料前体材料可以具有不大于约8m2/g的平均表面积，诸如不大于约7.9m2/g或不大于约7.5m2/g或不大于约7.0m2/g或不大于约6.5m2/g或不大于约6.0m2/g或不大于约5.5m2/g或不大于约5.0m2/g或不大于约4.5m2/g或不大于约4.0m2/g或甚至不大于约3.5m2/g。根据再其他实施方案，第一填料前体材料可以具有至少约1.2m2/g(诸如至少约2.2m2/g)的平均表面积。应当理解，第一填料前体材料的平均表面积可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的平均表面积可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据其他实施方案，第一填料前体材料可以包括特定材料。根据特定实施方案，第一填料前体材料可以包含二氧化硅基化合物。根据再其他实施方案，第一填料前体材料可以由二氧化硅基化合物组成。根据其他实施方案，第一填料前体材料可以包含二氧化硅。根据再其他实施方案，第一填料前体材料可以由二氧化硅组成。
根据又其他实施方案，成形混合物可以包括特定含量的陶瓷填料前体组分。例如，陶瓷填料前体组分的含量可以为成形混合物总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或甚至至少约54体积％。根据再其他实施方案，陶瓷填料前体组分的含量可以不大于成形混合物总体积的约57体积％，诸如不大于约56体积％或甚至不大于约55体积％。应当理解，陶瓷填料前体组分的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，陶瓷填料前体组分的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料前体组分可以包括特定含量的第一填料前体材料。例如，第一填料前体材料的含量可以为陶瓷填料前体组分的总体积的至少约80体积％，诸如至少约81体积％或至少约82体积％或至少约83体积％或至少约84体积％或至少约85体积％或至少约86体积％或至少约87体积％或至少约88体积％或至少约89体积％或甚至至少约90体积％。根据再其他实施方案，第一填料前体材料的含量可以不大于陶瓷填料前体组分的总体积的约100体积％，诸如不大于约99体积％或不大于约98体积％或不大于约97体积％或不大于约96体积％或不大于约95体积％或不大于约94体积％或不大于约93体积％或甚至不大于约92体积％。应当理解，第一填料前体材料的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料前体组分可以包括第二填料前体材料。
根据又其他实施方案，第二填料前体材料可以包括特定材料。例如，第二填料前体材料可以包含高介电常数陶瓷材料，诸如介电常数为至少约14的陶瓷材料。根据特定实施方案，第二填料前体材料可以包含任何高介电常数陶瓷材料，诸如TiO2、SrTiO3、ZrTi2O6、MgTiO3、CaTiO3、BaTiO4或它们的任何组合。
根据又其他实施方案，第二填料前体材料可以包含TiO2。根据再其他实施方案，第二填料前体材料可以由TiO2组成。
根据再其他实施方案，陶瓷填料前体组分可以包括特定含量的第二填料前体材料。例如，第二填料前体材料的含量可以为陶瓷填料前体组分的总体积的至少约1体积％，诸如至少约2体积％或至少约3体积％或至少约4体积％或至少约5体积％或至少约6体积％或至少约7体积％或至少约8体积％或至少约9体积％或至少约10体积％。根据再其他实施方案，第二填料前体材料的含量可以不大于陶瓷填料前体组分的总体积的约20体积％，诸如不大于约19体积％或不大于约18体积％或不大于约17体积％或不大于约16体积％或不大于约15体积％或不大于约14体积％或不大于约13体积％或不大于约12体积％。应当理解，第二填料前体材料的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第二填料前体材料的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，陶瓷填料前体组分可以包括特定含量的无定形材料。例如，陶瓷填料前体组分可以包括至少约97％的无定形材料，诸如至少约98％或甚至至少约99％。应当理解，无定形材料的含量可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，无定形材料的含量可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。根据其他实施方案，树脂基质前体组分可以包含特定材料。例如，树脂基质前体组分可以包含全氟聚合物。根据再其他实施方案，树脂基质前体组分可以由全氟聚合物组成。
根据又其他实施方案，树脂基质前体组分的全氟聚合物可以包括四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或它们的任何组合。根据其他实施方案，树脂基质前体组分的全氟聚合物可以由四氟乙烯(TFE)的共聚物组成；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或它们的任何组合。
根据又其他实施方案，树脂基质前体组分的全氟聚合物可以包括聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合。根据再其他实施方案，树脂基质前体组分的全氟聚合物可以由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合组成。
根据又其他实施方案，成形混合物可以包含特定含量的树脂基质前体组分。例如，树脂基质前体组分的含量可以为成形混合物总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或至少约54体积％或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，树脂基质前体组分的含量不大于成形混合物总体积的约63体积％或不大于约62体积％或不大于约61体积％或不大于约60体积％或不大于约59体积％或不大于约58体积％或甚至不大于约57体积％。应当理解，树脂基质前体组分的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，树脂基质前体组分的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，成形混合物可以包含特定含量的全氟聚合物。例如，全氟聚合物的含量可以为成形混合物总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或至少约54体积％或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，全氟聚合物的含量可以不大于成形混合物总体积的约63体积％，诸如不大于约62体积％或不大于约61体积％或不大于约60体积％或不大于约59体积％或不大于约58体积％或甚至不大于约57体积％。应当理解，全氟聚合物的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，全氟聚合物的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
现在参考根据形成方法100形成的介电基板的实施方案，图2包括介电基板200的图。如图2中所示，介电基板200可以包括聚合物基芯膜203和含氟聚合物基粘合剂层207。如图2中进一步示出的，聚合物基芯膜203可以包含树脂基质组分210和陶瓷填料组分220。
根据特定实施方案，陶瓷填料组分220可以包含第一填充材料，该第一填充材料可以具有可以改善介电基板200的性能的特定特性。
根据某些实施方案，陶瓷填料组分220的第一填充材料可以具有特定的尺寸分布。为了本文所描述的实施方案的目的，材料的粒度分布，例如第一填充材料的粒度分布可以使用粒度分布D值D10、D50和D90的任何组合来描述。来自粒度分布的D10值被定义为其中10％的颗粒小于该值且90％的颗粒大于该值的粒度值。来自粒度分布的D50值被定义为其中50％的颗粒小于该值且50％的颗粒大于该值的粒度值。来自粒度分布的D90值被定义为其中90％的颗粒小于该值且10％的颗粒大于该值的粒度值。为了本文所描述实施方案的目的，使用激光衍射光谱对特定材料进行粒度测量。
根据某些实施方案，陶瓷填料组分220的第一填充材料可以具有特定的尺寸分布D10值。例如，第一填充材料的D10可以为至少约0.5微米，诸如至少约0.6微米或至少约0.7微米或至少约0.8微米或至少约0.9微米或至少约1.0微米或至少约1.1微米或甚至至少约1.2微米。根据再其他实施方案，第一填充材料的D10可以不大于约1.6微米，诸如不大于约1.5微米或甚至不大于约1.4微米。应当理解，第一填充材料的D10可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的D10可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据其他实施方案，陶瓷填料组分220的第一填充材料可以具有特定的尺寸分布D50值。例如，第一填充材料的D50可以为至少约0.8微米，诸如至少约0.9微米或至少约1.0微米或至少约1.1微米或至少约1.2微米或至少约1.3微米或至少约1.4微米或至少约1.5微米或至少约1.6微米或至少约1.7微米或至少约1.8微米或至少约1.9微米或至少约2.0微米或至少约2.1微米或甚至至少约2.2微米。根据再其他实施方案，第一填充材料的D50可以不大于约2.7微米，诸如不大于约2.6微米或不大于约2.5微米或甚至不大于约2.4微米。应当理解，第一填充材料的D50可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的D50可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据其他实施方案，陶瓷填料组分220的第一填充材料可以具有特定的尺寸分布D90值。例如，第一填充材料的D90可以为至少约1.5微米，诸如至少约1.6微米或至少约1.7微米或至少约1.8微米或至少约1.9微米或至少约2.0微米或至少约2.1微米或至少约2.2微米或至少约2.3微米或至少约2.4微米或至少约2.5微米或至少约2.6微米或甚至至少约2.7微米。根据再其他实施方案，第一填充材料的D90可以不大于约8.0微米，诸如不大于约7.5微米或不大于约7.0微米或不大于约6.5微米或不大于约6.0微米或不大于约5.5微米或不大于约5.4微米或不大于约5.3微米或不大于约5.2微米或甚至不大于约5.1微米。应当理解，第一填充材料的D90可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的D90可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220的第一填充材料可以具有如根据激光衍射光谱测量的特定平均粒度。例如，第一填充材料的平均粒度可以不大于约10微米，诸如不大于约9微米或不大于约8微米或不大于约7微米或不大于约6微米或不大于约5微米或不大于约4微米或不大于约3微米或甚至不大于约2微米。应当理解，第一填充材料的平均粒度可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的平均粒度可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220的第一填充材料可以被描述为具有特定的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填充材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填充材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填充材料的D50粒度分布测量值。例如，第一填充材料的PSDS可以不大于约5，诸如不大于约4.5或不大于约4.0或不大于约3.5或不大于约3.0或甚至不大于约2.5。应当理解，第一填充材料的PSDS可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的PSDS可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220的第一填充材料可以被描述为具有使用布鲁纳-埃米特-特勒(BET)表面积分析(氮吸附)测量的特定平均表面积。例如，第一填充材料可以具有不大于约8m2/g的平均表面积，诸如不大于约7.9m2/g或不大于约7.5m2/g或不大于约7.0m2/g或不大于约6.5m2/g或不大于约6.0m2/g或不大于约5.5m2/g或不大于约5.0m2/g或不大于约4.5m2/g或不大于约4.0m2/g或甚至不大于约3.5m2/g。根据再其他实施方案，第一填充材料可以具有至少约1.2m2/g(诸如至少约2.2m2/g)的平均表面积。应当理解，第一填充材料的平均表面积可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的平均表面积可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，含氟聚合物基粘合剂层207可以具有特定的平均厚度。例如，粘合剂层207的平均厚度可以为至少约0.2微米，诸如至少约0.5微米或至少约1.0微米或至少约1.5微米或至少约2.0微米或至少约2.5微米或甚至至少约3.0微米。根据又其他实施方案，粘合剂层207的平均厚度可以不大于约7微米，诸如不大于约6.5或不大于约6.0或不大于约5.5或不大于约5.0不大于约4.9微米或不大于约4.8微米或不大于约4.7微米或不大于约4.6微米或不大于约4.5微米或不大于约4.4微米或不大于约4.3微米或不大于约4.2微米或不大于大于约4.1微米或不大于约4.1微米或不大于约4.0微米或不大于约3.9微米或不大于约3.8微米或不大于约3.7微米或不大于约3.6微米或甚至不大于约3.5微米。应当理解，粘合剂层207的平均厚度可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，粘合剂层207的平均厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，含氟聚合物基粘合剂层207可以包括特定材料。例如，含氟聚合物基粘合剂层207可以包括但不限于含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物。根据再其他实施方案，含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物组成。
根据其他实施方案，陶瓷填料组分220的第一填充材料可以包括特定材料。根据特定实施方案，第一填充材料可以包含二氧化硅基化合物。根据再其他实施方案，第一填充材料可以由二氧化硅基化合物组成。根据其他实施方案，第一填充材料可以包含二氧化硅。根据再其他实施方案，第一填充材料可以由二氧化硅组成。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以包括特定含量的陶瓷填料组分220。例如，陶瓷填料组分220的含量可以为聚合物基芯膜203总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或甚至至少约54体积％。根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220的含量可以不大于聚合物基芯膜203总体积的约57体积％，诸如不大于约56体积％或甚至不大于约55体积％。应当理解，陶瓷填料组分220的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，陶瓷填料组分220的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以包括特定含量的陶瓷填料组分220。例如，陶瓷填料组分220的含量可以为介电基板200的总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或甚至至少约54体积％。根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220的含量可以不大于介电基板200总体积的约57体积％，诸如不大于约56体积％或甚至不大于约55体积％。应当理解，陶瓷填料组分220的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，陶瓷填料组分220的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220可以包含特定含量的第一填充材料。例如，第一填充材料的含量可以为陶瓷填料组分220总体积的至少约80体积％，诸如至少约81体积％或至少约82体积％或至少约83体积％或至少约84体积％或至少约85体积％或至少约86体积％或至少约87体积％或至少约88体积％或至少约89体积％或甚至至少约90体积％。根据再其他实施方案，第一填充材料的含量可以不大于陶瓷填料组分220总体积的约100体积％，诸如不大于约99体积％或不大于约98体积％或不大于约97体积％或不大于约96体积％或不大于约95体积％或不大于约94体积％或不大于约93体积％或甚至不大于约92体积％。应当理解，第一填充材料的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220可以包含第二填充材料。
根据又其他实施方案，陶瓷填料组分220的第二填充材料可以包括特定材料。例如，第二填充材料可以包含高介电常数陶瓷材料，诸如介电常数为至少约14的陶瓷材料。根据特定实施方案，陶瓷填料组分220的第二填充材料可以包含任何高介电常数陶瓷材料，诸如TiO2、SrTiO3、ZrTi2O6、MgTiO3、CaTiO3、BaTiO4或它们的任何组合。
根据又其他实施方案，陶瓷填料组分220的第二填充材料可以包含TiO2。根据再其他实施方案，第二填充材料可以由TiO2组成。
根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220可以包含特定含量的第二填充材料。例如，第二填充材料的含量可以为陶瓷填料组分220总体积的至少约1体积％，诸如至少约2体积％或至少约3体积％或至少约4体积％或至少约5体积％或至少约6体积％或至少约7体积％或至少约8体积％或至少约9体积％或至少约10体积％。根据再其他实施方案，第二填充材料的含量可以不大于陶瓷填料组分220总体积的约20体积％，诸如不大于约19体积％或不大于约18体积％或不大于约17体积％或不大于约16体积％或不大于约15体积％或不大于约14体积％或不大于约13体积％或不大于约12体积％。应当理解，第二填充材料的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第二填充材料的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，陶瓷填料组分220可以包括特定含量的无定形材料。例如，陶瓷填料组分220可以包括至少约97％的无定形材料，诸如至少约98％或甚至至少约99％。应当理解，无定形材料的含量可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，无定形材料的含量可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据其他实施方案，树脂基质组分210可以包括特定材料。例如，树脂基质组分210可以包含全氟聚合物。根据再其他实施方案，树脂基质组分210可以由全氟聚合物组成。
根据又其他实施方案，树脂基质组分210的全氟聚合物可以包括四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或它们的任何组合。根据其他实施方案，树脂基质组分210的全氟聚合物可以由四氟乙烯(TFE)的共聚物组成；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或它们的任何组合。
根据又其他实施方案，树脂基质组分210的全氟聚合物可以包括聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合。根据再其他实施方案，树脂基质组分210的全氟聚合物可以由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合组成。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以包含特定含量的树脂基质组分210。例如，树脂基质组分210的含量可以为聚合物基芯膜203总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或至少约54体积％或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，树脂基质组分210的含量不大于聚合物基芯膜203总体积的约63体积％或不大于约62体积％或不大于约61体积％或不大于约60体积％或不大于约59体积％或不大于约58体积％或甚至不大于约57体积％。应当理解，树脂基质组分210的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，树脂基质组分210的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以包含特定含量的树脂基质组分210。例如，树脂基质组分210的含量可以为介电基板200总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或至少约54体积％或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，树脂基质组分210的含量不大于介电基板200总体积的约63体积％或不大于约62体积％或不大于约61体积％或不大于约60体积％或不大于约59体积％或不大于约58体积％或甚至不大于约57体积％。应当理解，树脂基质组分210的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，树脂基质组分210的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以包含特定含量的全氟聚合物。例如，全氟聚合物的含量可以为聚合物基芯膜203总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或至少约54体积％或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，全氟聚合物的含量可以不大于聚合物基芯膜203总体积的约63体积％，诸如不大于约62体积％或不大于约61体积％或不大于约60体积％或不大于约59体积％或不大于约58体积％或甚至不大于约57体积％。应当理解，全氟聚合物的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，全氟聚合物的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以包含特定含量的全氟聚合物。例如，全氟聚合物的含量可以为介电基板200总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或至少约54体积％或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，全氟聚合物的含量可以不大于介电基板200总体积的约63体积％，诸如不大于约62体积％或不大于约61体积％或不大于约60体积％或不大于约59体积％或不大于约58体积％或甚至不大于约57体积％。应当理解，全氟聚合物的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，全氟聚合物的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，聚合物基芯膜203可以包括如使用x射线衍射测量的特定孔隙率。例如，聚合物基芯膜203的孔隙率可以不大于约10体积％，诸如不大于约9体积％或不大于约8体积％或不大于约7体积％或不大于约6体积％或甚至不大于约5体积％。应当理解，介电聚合物基芯膜203的孔隙率可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜203的孔隙率可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以具有特定的平均厚度。例如，聚合物基芯膜203的平均厚度可以为至少约10微米，诸如至少约15微米或至少约20微米或至少约25微米或至少约30微米或至少约35微米或至少约40微米或至少约45微米或至少约50微米或至少约55微米或至少约60微米或至少约65微米或至少约70微米或甚至至少约75微米。根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203的平均厚度可以不大于约2000微米，诸如不大于约1800微米或不大于约1600微米或不大于约1400微米或不大于约1200微米或不大于约1000微米或不大于约800微米或不大于约600微米或不大于约400微米或不大于约200微米或不大于约190微米或不大于约180微米或不大于约170微米或不大于约160微米或不大于约150微米或不大于约140微米或不大于约120微米或甚至不大于约100微米。应当理解，聚合物基芯膜203的平均厚度可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜203的平均厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以具有在5GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜203可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以具有在5GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜203可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以具有在10GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜203可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以具有在10GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜203可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以具有在28GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜203可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以具有在28GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜203可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以具有在39GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜203可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以具有在39GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜203可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以具有在76GHz-81GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜203可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以具有在76GHz-81GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜203可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜203的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜203可以具有如根据IPC-TM-6502.4.24Rev.C玻璃化转变温度和Z轴热膨胀通过TMA测量的特定热膨胀系数。例如，聚合物基芯膜203可以具有不大于约80ppm/℃的热膨胀系数。
应当理解，本文所描述的任何介电基板(例如，聚合物基芯膜203)可以在最初描述的介电基板的外表面上包括另外的聚合物基层并且该另外的聚合物基层可以包括本文所描述的填料(即，填料的聚合物层)或可以不包括填料(即，未填料的聚合物层)。
根据又其他实施方案，介电基板200可以具有特定的平均厚度。例如，介电基板200的平均厚度可以为至少约10微米，诸如至少约15微米或至少约20微米或至少约25微米或至少约30微米或至少约35微米或至少约40微米或至少约45微米或至少约50微米或至少约55微米或至少约60微米或至少约65微米或至少约70微米或甚至至少约75微米。根据又其他实施方案，介电基板200的平均厚度可以不大于约2000微米，诸如不大于约1800微米或不大于约1600微米或不大于约1400微米或不大于约1200微米或不大于约1000微米或不大于约800微米或不大于约600微米或不大于约400微米或不大于约200微米或不大于约190微米或不大于约180微米或不大于约170微米或不大于约160微米或不大于约150微米或不大于约140微米或不大于约120微米或甚至不大于约100微米。应当理解，介电基板200的平均厚度可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，介电基板200的平均厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以具有在5GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板200可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板200的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板200的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以具有在5GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板200可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板200的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板200的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以具有在10GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板200可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板200的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板200的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以具有在10GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板200可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板200的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板200的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以具有在28GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板200可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板200的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板200的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以具有在28GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板200可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板200的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板200的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以具有在39GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板200可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板200的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板200的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以具有在39GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板200可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板200的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板200的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以具有在76GHz-81GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板200可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板200的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板200的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以具有在76GHz-81GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板200可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板200的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板200的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板200可以具有如根据IPC-TM-6502.4.24Rev.C玻璃化转变温度和Z轴热膨胀通过TMA测量的特定热膨胀系数。例如，介电基板200可以具有不大于约80ppm/℃的热膨胀系数。
应当理解，本文所描述的任何介电基板(例如，介电基板200)可以在最初描述的介电基板的外表面上包括另外的聚合物基层并且该另外的聚合物基层可以包括本文所描述的填料(即，填料的聚合物层)或可以不包括填料(即，未填料的聚合物层)。
现在转向可以包括本文所描述的介电基板的覆铜层压板的实施方案。本文所描述的此类另外的实施方案总体上涉及覆铜层压板，该覆铜层压板可以包括铜箔层和覆盖铜箔层的介电基板。根据某些实施方案，介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。根据特定实施方案，聚合物基芯膜可以包括树脂基质组分和陶瓷填料组分。
接下来参考形成覆铜层压板的方法，图3包括示出根据本文所描述的实施方案的用于形成覆铜层压板的形成方法300的图。根据特定实施方案，形成方法300可以包括提供铜箔层的第一步骤310、将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物的第二步骤320、将成形混合物形成为聚合物基芯膜的第三步骤330，以及用含氟聚合物基粘合剂层涂覆聚合物基芯膜以形成覆铜层压板的第四步骤340。
根据特定实施方案，陶瓷填料前体组分可以包括第一填料前体材料，该第一填料前体材料可以具有可改善由形成方法300形成的介电基板的性能的特定特性。
根据某些实施方案，第一填料前体材料可以具有特定的尺寸分布。为了本文所描述的实施方案的目的，材料的粒度分布，例如第一填料前体材料的粒度分布，可以使用粒度分布D值D10、D50和D90的任何组合来描述。来自粒度分布的D10值被定义为其中10％的颗粒小于该值且90％的颗粒大于该值的粒度值。来自粒度分布的D50值被定义为其中50％的颗粒小于该值且50％的颗粒大于该值的粒度值。来自粒度分布的D90值被定义为其中90％的颗粒小于该值且10％的颗粒大于该值的粒度值。为了本文所描述实施方案的目的，使用激光衍射光谱对特定材料进行粒度测量。
根据某些实施方案，第一填料前体材料可以具有特定的尺寸分布D10值。例如，第一填料前体材料的D10可以为至少约0.5微米，诸如至少约0.6微米或至少约0.7微米或至少约0.8微米或至少约0.9微米或至少约1.0微米或至少约1.1微米或甚至至少约1.2微米。根据再其他实施方案，第一填充材料的D10可以不大于约1.6微米，诸如不大于约1.5微米或甚至不大于约1.4微米。应当理解，第一填料前体材料的D10可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的D10可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据其他实施方案，第一填料前体材料可以具有特定的尺寸分布D50值。例如，第一填料前体材料的D50可以为至少约0.8微米，诸如至少约0.9微米或至少约1.0微米或至少约1.1微米或至少约1.2微米或至少约1.3微米或至少约1.4微米或至少约1.5微米或至少约1.6微米或至少约1.7微米或至少约1.8微米或至少约1.9微米或至少约2.0微米或至少约2.1微米或甚至至少约2.2微米。根据再其他实施方案，第一填充材料的D50可以不大于约2.7微米，诸如不大于约2.6微米或不大于约2.5微米或甚至不大于约2.4微米。应当理解，第一填料前体材料的D50可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的D50可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据其他实施方案，第一填料前体材料可以具有特定的尺寸分布D90值。例如，第一填料前体材料的D90可以为至少约1.5微米，诸如至少约1.6微米或至少约1.7微米或至少约1.8微米或至少约1.9微米或至少约2.0微米或至少约2.1微米或至少约2.2微米或至少约2.3微米或至少约2.2微米或至少约2.5微米或至少约2.6微米或甚至至少约2.7微米。根据再其他实施方案，第一填充材料的D90可以不大于约8.0微米，诸如不大于约7.5微米或不大于约7.0微米或不大于约6.5微米或不大于约6.0微米或不大于约5.5微米或不大于约5.4微米或不大于约5.3微米或不大于约5.2微米或甚至不大于约5.1微米。应当理解，第一填料前体材料的D90可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的D90可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，第一填料前体材料可以具有使用激光衍射光谱测量的特定平均粒度。例如，第一填料前体材料的平均粒度可以不大于约10微米，诸如不大于约9微米或不大于约8微米或不大于约7微米或不大于约6微米或不大于约5微米或不大于约4微米或不大于约3微米或甚至不大于约2微米。应当理解，第一填料前体材料的平均粒度可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的平均粒度可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据再其他实施方案，第一填料前体材料可以被描述为具有特定的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填料前体材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填料前体材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填料前体材料的D50粒度分布测量值。例如，第一填料前体材料的PSDS可以不大于约5，诸如不大于约4.5或不大于约4.0或不大于约3.5或不大于约3.0或甚至不大于约2.5。应当理解，第一填料前体材料的PSDS可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的PSDS可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据再其他实施方案，第一填料前体材料可以被描述为具有使用布鲁纳-埃米特-特勒(BET)表面积分析(氮吸附)测量的特定平均表面积。例如，第一填料前体材料可以具有不大于约8m2/g的平均表面积，诸如不大于约7.9m2/g或不大于约7.5m2/g或不大于约7.0m2/g或不大于约6.5m2/g或不大于约6.0m2/g或不大于约5.5m2/g或不大于约5.0m2/g或不大于约4.5m2/g或不大于约4.0m2/g或甚至不大于约3.5m2/g。根据再其他实施方案，第一填料前体材料可以具有至少约1.2m2/g(诸如至少约2.2m2/g)的平均表面积。应当理解，第一填料前体材料的平均表面积可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的平均表面积可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据其他实施方案，第一填料前体材料可以包括特定材料。根据特定实施方案，第一填料前体材料可以包含二氧化硅基化合物。根据再其他实施方案，第一填料前体材料可以由二氧化硅基化合物组成。根据其他实施方案，第一填料前体材料可以包含二氧化硅。根据再其他实施方案，第一填料前体材料可以由二氧化硅组成。
根据又其他实施方案，成形混合物可以包括特定含量的陶瓷填料前体组分。例如，陶瓷填料前体组分的含量可以为成形混合物总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或甚至至少约54体积％。根据再其他实施方案，陶瓷填料前体组分的含量可以不大于成形混合物总体积的约57体积％，诸如不大于约56体积％或甚至不大于约55体积％。应当理解，陶瓷填料前体组分的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，陶瓷填料前体组分的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料前体组分可以包括特定含量的第一填料前体材料。例如，第一填料前体材料的含量可以为陶瓷填料前体组分的总体积的至少约80体积％，诸如至少约81体积％或至少约82体积％或至少约83体积％或至少约84体积％或至少约85体积％或至少约86体积％或至少约87体积％或至少约88体积％或至少约89体积％或甚至至少约90体积％。根据再其他实施方案，第一填料前体材料的含量可以不大于陶瓷填料前体组分的总体积的约100体积％，诸如不大于约99体积％或不大于约98体积％或不大于约97体积％或不大于约96体积％或不大于约95体积％或不大于约94体积％或不大于约93体积％或甚至不大于约92体积％。应当理解，第一填料前体材料的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填料前体材料的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料前体组分可以包括第二填料前体材料。
根据又其他实施方案，第二填料前体材料可以包括特定材料。例如，第二填料前体材料可以包含高介电常数陶瓷材料，诸如介电常数为至少约14的陶瓷材料。根据特定实施方案，第二填料前体材料可以包含任何高介电常数陶瓷材料，诸如TiO2、SrTiO3、ZrTi2O6、MgTiO3、CaTiO3、BaTiO4或它们的任何组合。
根据又其他实施方案，第二填料前体材料可以包含TiO2。根据再其他实施方案，第二填料前体材料可以由TiO2组成。
根据再其他实施方案，陶瓷填料前体组分可以包括特定含量的第二填料前体材料。例如，第二填料前体材料的含量可以为陶瓷填料前体组分的总体积的至少约1体积％，诸如至少约2体积％或至少约3体积％或至少约4体积％或至少约5体积％或至少约6体积％或至少约7体积％或至少约8体积％或至少约9体积％或至少约10体积％。根据再其他实施方案，第二填料前体材料的含量可以不大于陶瓷填料前体组分的总体积的约20体积％，诸如不大于约19体积％或不大于约18体积％或不大于约17体积％或不大于约16体积％或不大于约15体积％或不大于约14体积％或不大于约13体积％或不大于约12体积％。应当理解，第二填料前体材料的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第二填料前体材料的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，陶瓷填料前体组分可以包括特定含量的无定形材料。例如，陶瓷填料前体组分可以包括至少约97％的无定形材料，诸如至少约98％或甚至至少约99％。应当理解，无定形材料的含量可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，无定形材料的含量可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
现在参考根据形成方法300形成的覆铜层压板的实施方案，图4包括覆铜层压板400的图。如图4中所示，覆铜层压板400可以包括铜箔层402和覆盖铜箔层402表面的介电基板405。如图4中进一步示出的，介电基板405可以包括聚合物基芯膜403和含氟聚合物基粘合剂层407。还如图4中进一步示出的，聚合物基芯膜403可以包含树脂基质组分410和陶瓷填料组分420。
根据特定实施方案，陶瓷填料组分420可以包括第一填充材料，该第一填充材料可以具有可以改善覆铜层压板400的性能的特定特性。
根据某些实施方案，陶瓷填料组分420的第一填充材料可以具有特定的尺寸分布。为了本文所描述的实施方案的目的，材料的粒度分布，例如第一填充材料的粒度分布可以使用粒度分布D值D10、D50和D90的任何组合来描述。来自粒度分布的D10值被定义为其中10％的颗粒小于该值且90％的颗粒大于该值的粒度值。来自粒度分布的D50值被定义为其中50％的颗粒小于该值且50％的颗粒大于该值的粒度值。来自粒度分布的D90值被定义为其中90％的颗粒小于该值且10％的颗粒大于该值的粒度值。为了本文所描述实施方案的目的，使用激光衍射光谱对特定材料进行粒度测量。
根据某些实施方案，陶瓷填料组分420的第一填充材料可以具有特定的尺寸分布D10值。例如，第一填充材料的D10可以为至少约0.5微米，诸如至少约0.6微米或至少约0.7微米或至少约0.8微米或至少约0.9微米或至少约1.0微米或至少约1.1微米或甚至至少约1.2微米。根据再其他实施方案，第一填充材料的D10可以不大于约1.6微米，诸如不大于约1.5微米或甚至不大于约1.4微米。应当理解，第一填充材料的D10可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的D10可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据其他实施方案，陶瓷填料组分420的第一填充材料可以具有特定的尺寸分布D50值。例如，第一填充材料的D50可以为至少约0.8微米，诸如至少约0.9微米或至少约1.0微米或至少约1.1微米或至少约1.2微米或至少约1.3微米或至少约1.4微米或至少约1.5微米或至少约1.6微米或至少约1.7微米或至少约1.8微米或至少约1.9微米或至少约2.0微米或至少约2.1微米或甚至至少约2.2微米。根据再其他实施方案，第一填充材料的D50可以不大于约2.7微米，诸如不大于约2.6微米或不大于约2.5微米或甚至不大于约2.4微米。应当理解，第一填充材料的D50可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的D50可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据其他实施方案，陶瓷填料组分420的第一填充材料可以具有特定的尺寸分布D90值。例如，第一填充材料的D90可以为至少约1.5微米，诸如至少约1.6微米或至少约1.7微米或至少约1.8微米或至少约1.9微米或至少约2.0微米或至少约2.1微米或至少约2.2微米或至少约2.3微米或至少约2.2微米或至少约2.5微米或至少约2.6微米或甚至至少约2.7微米。根据再其他实施方案，第一填充材料的D90可以不大于约8.0微米，诸如不大于约7.5微米或不大于约7.0微米或不大于约6.5微米或不大于约6.0微米或不大于约5.5微米或不大于约5.4微米或不大于约5.3微米或不大于约5.2微米或甚至不大于约5.1微米。应当理解，第一填充材料的D90可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的D90可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料组分420的第一填充材料可以具有如根据激光衍射光谱测量的特定平均粒度。例如，第一填充材料的平均粒度可以不大于约10微米，诸如不大于约9微米或不大于约8微米或不大于约7微米或不大于约6微米或不大于约5微米或不大于约4微米或不大于约3微米或甚至不大于约2微米。应当理解，第一填充材料的平均粒度可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的平均粒度可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料组分420的第一填充材料可以被描述为具有特定的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填充材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填充材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填充材料的D50粒度分布测量值。例如，第一填充材料的PSDS可以不大于约5，诸如不大于约4.5或不大于约4.0或不大于约3.5或不大于约3.0或甚至不大于约2.5。应当理解，第一填充材料的PSDS可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的PSDS可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料组分420的第一填充材料可以被描述为具有使用布鲁纳-埃米特-特勒(BET)表面积分析(氮吸附)测量的特定平均表面积。例如，第一填充材料可以具有不大于约8m2/g的平均表面积，诸如不大于约7.9m2/g或不大于约7.5m2/g或不大于约7.0m2/g或不大于约6.5m2/g或不大于约6.0m2/g或不大于约5.5m2/g或不大于约5.0m2/g或不大于约4.5m2/g或不大于约4.0m2/g或甚至不大于约3.5m2/g。根据再其他实施方案，第一填充材料可以具有至少约1.2m2/g(诸如至少约2.2m2/g)的平均表面积。应当理解，第一填充材料的平均表面积可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的平均表面积可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，含氟聚合物基粘合剂层407可以具有特定的平均厚度。例如，粘合剂层407的平均厚度可以为至少约0.2微米，诸如至少约0.5微米或至少约1.0微米或至少约1.5微米或至少约2.0微米或至少约2.5微米或甚至至少约3.0微米。根据又其他实施方案，粘合剂层407的平均厚度可以不大于约7微米，诸如不大于约6.5或不大于约6.0或不大于约5.5或不大于约5.0不大于约4.9微米或不大于约4.8微米或不大于约4.7微米或不大于约4.6微米或不大于约4.5微米或不大于约4.4微米或不大于约4.3微米或不大于约4.2微米或不大于大于约4.1微米或不大于约4.1微米或不大于约4.0微米或不大于约3.9微米或不大于约3.8微米或不大于约3.7微米或不大于约3.6微米或甚至不大于约3.5微米。应当理解，粘合剂层407的平均厚度可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，粘合剂层407的平均厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，含氟聚合物基粘合剂层407可以包括特定材料。例如，含氟聚合物基粘合剂层207可以包括但不限于含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物。根据再其他实施方案，含氟聚合物基粘合剂层407可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物组成。
根据其他实施方案，陶瓷填料组分420的第一填充材料可以包含特定材料。根据特定实施方案，第一填充材料可以包含二氧化硅基化合物。根据再其他实施方案，第一填充材料可以由二氧化硅基化合物组成。根据其他实施方案，第一填充材料可以包含二氧化硅。根据再其他实施方案，第一填充材料可以由二氧化硅组成。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以包括特定含量的陶瓷填料组分420。例如，陶瓷填料组分420的含量可以为聚合物基芯膜203总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或甚至至少约54体积％。根据再其他实施方案，陶瓷填料组分420的含量可以不大于聚合物基芯膜203总体积的约57体积％，诸如不大于约56体积％或甚至不大于约55体积％。应当理解，陶瓷填料组分420的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，陶瓷填料组分420的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以包括特定含量的陶瓷填料组分420。例如，陶瓷填料组分420的含量可以为介电基板405的总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或甚至至少约54体积％。根据再其他实施方案，陶瓷填料组分420的含量可以不大于介电基板400总体积的约57体积％，诸如不大于约56体积％或甚至不大于约55体积％。应当理解，陶瓷填料组分420的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，陶瓷填料组分420的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料组分420可以包含特定含量的第一填充材料。例如，第一填充材料的含量可以为陶瓷填料组分420总体积的至少约80体积％，诸如至少约81体积％或至少约82体积％或至少约83体积％或至少约84体积％或至少约85体积％或至少约86体积％或至少约87体积％或至少约88体积％或至少约89体积％或甚至至少约90体积％。根据再其他实施方案，第一填充材料的含量可以不大于陶瓷填料组分220总体积的约100体积％，诸如不大于约99体积％或不大于约98体积％或不大于约97体积％或不大于约96体积％或不大于约95体积％或不大于约94体积％或不大于约93体积％或甚至不大于约92体积％。应当理解，第一填充材料的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第一填充材料的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，陶瓷填料组分420可以包含第二填充材料。
根据又其他实施方案，陶瓷填料组分420的第二填充材料可以包括特定材料。例如，第二填充材料可以包含高介电常数陶瓷材料，诸如介电常数为至少约14的陶瓷材料。根据特定实施方案，陶瓷填料组分420的第二填充材料可以包含任何高介电常数陶瓷材料，诸如TiO2、SrTiO3、ZrTi2O6、MgTiO3、CaTiO3、BaTiO4或它们的任何组合。
根据又其他实施方案，陶瓷填料组分420的第二填充材料可以包含TiO2。根据再其他实施方案，第二填充材料可以由TiO2组成。
根据再其他实施方案，陶瓷填料组分420可以包含特定含量的第二填充材料。例如，第二填充材料的含量可以为陶瓷填料组分420总体积的至少约1体积％，诸如至少约2体积％或至少约3体积％或至少约4体积％或至少约5体积％或至少约6体积％或至少约7体积％或至少约8体积％或至少约9体积％或至少约10体积％。根据再其他实施方案，第二填充材料的含量可以不大于陶瓷填料组分220总体积的约20体积％，诸如不大于约19体积％或不大于约18体积％或不大于约17体积％或不大于约16体积％或不大于约15体积％或不大于约14体积％或不大于约13体积％或不大于约12体积％。应当理解，第二填充材料的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，第二填充材料的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，陶瓷填料组分420可以包括特定含量的无定形材料。例如，陶瓷填料组分420可以包括至少约97％的无定形材料，诸如至少约98％或甚至至少约99％。应当理解，无定形材料的含量可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，无定形材料的含量可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据其他实施方案，树脂基质组分410可以包括特定材料。例如，树脂基质组分410可以包含全氟聚合物。根据再其他实施方案，树脂基质组分410可以由全氟聚合物组成。
根据又其他实施方案，树脂基质组分410的全氟聚合物可以包括四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或它们的任何组合。根据其他实施方案，树脂基质组分410的全氟聚合物可以由四氟乙烯(TFE)的共聚物组成；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或它们的任何组合。
根据又其他实施方案，树脂基质组分410的全氟聚合物可以包括聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合。根据再其他实施方案，树脂基质组分410的全氟聚合物可以由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合组成。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以包含特定含量的树脂基质组分410。例如，树脂基质组分410的含量可以为介电基板400总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或至少约54体积％或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，树脂基质组分410的含量不大于聚合物基芯膜403总体积的约63体积％或不大于约62体积％或不大于约61体积％或不大于约60体积％或不大于约59体积％或不大于约58体积％或甚至不大于约57体积％。应当理解，树脂基质组分410的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，树脂基质组分410的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板400可以包含特定含量的树脂基质组分410。例如，树脂基质组分410的含量可以为介电基板400总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或至少约54体积％或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，树脂基质组分410的含量不大于介电基板400总体积的约63体积％或不大于约62体积％或不大于约61体积％或不大于约60体积％或不大于约59体积％或不大于约58体积％或甚至不大于约57体积％。应当理解，树脂基质组分410的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，树脂基质组分410的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以包含特定含量的全氟聚合物。例如，全氟聚合物的含量可以为介电基板405总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或至少约54体积％或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，全氟聚合物的含量可以不大于聚合物基芯膜403总体积的约63体积％，诸如不大于约62体积％或不大于约61体积％或不大于约60体积％或不大于约59体积％或不大于约58体积％或甚至不大于约57体积％。应当理解，全氟聚合物的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，全氟聚合物的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以包含特定含量的全氟聚合物。例如，全氟聚合物的含量可以为介电基板405总体积的至少约45体积％，诸如至少约46体积％或至少约47体积％或至少约48体积％或至少约49体积％或至少约50体积％或至少约51体积％或至少约52体积％或至少约53体积％或至少约54体积％或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，全氟聚合物的含量可以不大于介电基板200总体积的约63体积％，诸如不大于约62体积％或不大于约61体积％或不大于约60体积％或不大于约59体积％或不大于约58体积％或甚至不大于约57体积％。应当理解，全氟聚合物的含量可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，全氟聚合物的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其他实施方案，聚合物基芯膜403可以包括如使用x射线衍射测量的特定孔隙率。例如，基板405的孔隙率可以不大于约10体积％，诸如不大于约9体积％或不大于约8体积％或不大于约7体积％或不大于约6体积％或甚至不大于约5体积％。应当理解，聚合物基芯膜403的孔隙率可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜403的孔隙率可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以具有特定的平均厚度。例如，聚合物基芯膜403的平均厚度可以为至少约10微米，诸如至少约15微米或至少约20微米或至少约25微米或至少约30微米或至少约35微米或至少约40微米或至少约45微米或至少约50微米或至少约55微米或至少约60微米或至少约65微米或至少约70微米或甚至至少约75微米。根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403的平均厚度可以不大于约2000微米，诸如不大于约1800微米或不大于约1600微米或不大于约1400微米或不大于约1200微米或不大于约1000微米或不大于约800微米或不大于约600微米或不大于约400微米或不大于约200微米或不大于约190微米或不大于约180微米或不大于约170微米或不大于约160微米或不大于约150微米或不大于约140微米或不大于约120微米或甚至不大于约100微米。应当理解，聚合物基芯膜403的平均厚度可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜403的平均厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以具有在5GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜403可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以具有在5GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜403可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以具有在10GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜403可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以具有在10GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜403可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以具有在28GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜403可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以具有在28GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜403可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以具有在39GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜403可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以具有在39GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜403可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以具有在76GHz-81GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜403可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以具有在76GHz-81GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，聚合物基芯膜403可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，聚合物基芯膜403的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，聚合物基芯膜403可以具有如根据IPC-TM-6502.4.24Rev.C测量的特定热膨胀系数。例如，聚合物基芯膜403可以具有不大于约80ppm/℃的热膨胀系数。
根据再其他实施方案，介电基板405可以包括如使用x射线衍射测量的特定孔隙率。例如，基板405的孔隙率可以不大于约10体积％，诸如不大于约9体积％或不大于约8体积％或不大于约7体积％或不大于约6体积％或甚至不大于约5体积％。应当理解，介电基板405的孔隙率可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板405的孔隙率可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以具有特定的平均厚度。例如，介电基板405的平均厚度可以为至少约10微米，诸如至少约15微米或至少约20微米或至少约25微米或至少约30微米或至少约35微米或至少约40微米或至少约45微米或至少约50微米或至少约55微米或至少约60微米或至少约65微米或至少约70微米或甚至至少约75微米。根据又其他实施方案，介电基板405的平均厚度可以不大于约2000微米，诸如不大于约1800微米或不大于约1600微米或不大于约1400微米或不大于约1200微米或不大于约1000微米或不大于约800微米或不大于约600微米或不大于约400微米或不大于约200微米或不大于约190微米或不大于约180微米或不大于约170微米或不大于约160微米或不大于约150微米或不大于约140微米或不大于约120微米或甚至不大于约100微米。应当理解，介电基板405的平均厚度可以是上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，介电基板405的平均厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内，并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以具有在5GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板405可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板405的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板405的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以具有在5GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板405可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板405的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板405的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以具有在10GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板405可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板405的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板405的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以具有在10GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板405可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板405的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板405的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以具有在28GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板405可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板405的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板405的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以具有在28GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板405可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板405的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板405的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以具有在39GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板405可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板405的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板405的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以具有在39GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板405可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板405的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板405的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以具有在76GHz-81GHz、20％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板405可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板405的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板405的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以具有在76GHz-81GHz、80％RH之间的范围内测量的特定耗散因数(Df)。例如，介电基板405可以具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004或不大于约0.003或不大于约0.002或不大于约0.0019或不大于约0.0018或不大于约0.0017或不大于约0.0016或不大于约0.0015或不大于约0.0014。应当理解，介电基板405的耗散因数可以是上述值中的任一者之间的任何值，并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电基板405的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内，并且包括上述值中的任一者。
根据又其他实施方案，介电基板405可以具有如根据IPC-TM-6502.4.24Rev.C玻璃化转变温度和Z轴热膨胀通过TMA测量的特定热膨胀系数。例如，介电基板405可以具有不大于约80ppm/℃的热膨胀系数。
应当理解，本文所描述的任何覆铜层压板可以在最初描述的介电基板的外表面上、在基板和覆铜层压板的任何铜箔层之间包括另外的聚合物基层。还如本文所描述，另外的聚合物基层可以包括本文所描述的填料(即，填料的聚合物层)或可以不包括填料(即，未填料的聚合物层)。
接下来参考形成印刷电路板的方法，图5包括示出根据本文所描述的实施方案的用于形成印刷电路板的形成方法500的图。根据特定实施方案，形成方法500可以包括提供铜箔层的第一步骤510、将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物的第二步骤520、将成形混合物形成为聚合物基芯膜的第三步骤530、用含氟聚合物基粘合剂层涂覆聚合物基芯膜以形成覆铜层压板的第四步骤540，以及将覆铜层压板形成为印刷电路板的第四步骤550。
应当理解，本文参考形成方法100和/或形成方法300提供的所有描述、细节和特性可进一步适用于或描述形成方法500的相应方面。
现在参考根据形成方法500形成的印刷电路板的实施方案，图6包括印刷电路板600的图。如图6中所示，印刷电路板600可以包括覆铜层压板601，覆铜层压板可以包括铜箔层602和覆盖铜箔层402的表面的介电基板605。如图6中进一步示出的，介电基板605可以包括聚合物基芯膜603和含氟聚合物基粘合剂层607。还如图6中进一步示出的，聚合物基芯膜603可以包含树脂基质组分610和陶瓷填料组分620。
同样，应当理解，本文提供的关于介电基板200(405)和/或覆铜层压板400的所有描述可以进一步应用于印刷电路板600的校正方面，包括印刷电路板600的所有组分。
许多不同方面和实施方案都是可能的。本文描述了那些方面和实施方案中的一些。在阅读本说明书之后，技术人员将理解，那些方面和实施方案仅是示例性的并且不限制本发明的范围。实施方案可以根据如下列出的实施方案中的任一个或多个实施方案。
实施方案1.一种介电基板，包括：聚合物基芯膜，和含氟聚合物基粘合剂层，其中该聚合物基芯膜包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中该第一填充材料的粒度分布包括：至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
实施方案2.一种介电基板，包括：聚合物基芯膜，和含氟聚合物基粘合剂层，其中该聚合物基芯膜包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，其中该第一填充材料还包含不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于该第一填充材料的D90粒度分布测量值，D10等于该第一填充材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于该第一填充材料的D50粒度分布测量值。
实施方案3.一种介电基板，包括：聚合物基芯膜，和含氟聚合物基粘合剂层，其中该聚合物基芯膜包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中该第一填充材料还包括不大于约10微米的平均粒度和不大于约8m2/g的平均表面积。
实施方案4.根据实施方案2和3中任一项所述的介电基板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10。
实施方案5.根据实施方案2和3中任一项所述的介电基板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50。
实施方案6.根据实施方案2和3中任一项所述的介电基板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
实施方案7.根据实施方案1所述的介电基板，其中该第一填充材料还包括不大于约10微米的平均粒度。
实施方案8.根据实施方案2、3和7中任一项所述的介电基板，其中该第一填充材料包含不大于约10微米或不大于约9微米或不大于约8微米或不大于约7微米或不大于约6微米或不大于约5微米或不大于约4微米或不大于约3微米或不大于约2微米的平均粒度。
实施方案9.根据实施方案1和3中任一项所述的介电基板，其中该第一填充材料包含不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填充材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填充材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填充材料的D50粒度分布测量值。
实施方案10.根据实施方案1和2中任一项所述的介电基板，其中该第一填充材料还包括不大于约8m2/g的平均表面积。
实施方案11.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该含氟聚合物基粘合剂层具有至少约0.2微米的平均厚度。
实施方案12.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该含氟聚合物基粘合剂层的平均厚度不大于约7微米。
实施方案13.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该含氟聚合物基粘合剂层包括含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物。根据再其他实施方案，该含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯组成。
实施方案14.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该含氟聚合物基粘合剂层由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物组成。根据再其他实施方案，该含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯组成。
实施方案15.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该含氟聚合物基粘合剂层是PFA层。
实施方案16.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该第一填充材料包含二氧化硅基化合物。
实施方案17.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该第一填充材料包含二氧化硅。
实施方案18.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该树脂基质包含全氟聚合物。
实施方案19.根据实施方案18所述的介电基板，其中该全氟聚合物包括四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或它们的任何组合。
实施方案20.根据实施方案18所述的介电基板，其中该全氟聚合物包括聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合。
实施方案21.根据实施方案18所述的介电基板，其中该全氟聚合物由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合组成。
实施方案22.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该树脂基质组分的含量为聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案23.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该树脂基质组分的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约63体积％。
实施方案24.根据实施方案18所述的介电基板，其中该全氟聚合物的含量为聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案25.根据实施方案18所述的介电基板，其中该全氟聚合物的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约63体积％。
实施方案26.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该陶瓷填料组分的含量为聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案27.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该陶瓷填料组分的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约57体积％。
实施方案28.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该第一填充材料的含量为陶瓷填料组分的总体积的至少约80体积％。
实施方案29.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该第一填充材料的含量不大于陶瓷填料组分的总体积的约100体积％。
实施方案30.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该陶瓷填料组分还包含第二填充材料。
实施方案31.根据实施方案30所述的介电基板，其中该第二填充材料包含高介电常数陶瓷材料。
实施方案32.根据实施方案31所述的介电基板，其中该高介电常数陶瓷材料具有至少约14的介电常数。
实施方案33.根据实施方案31所述的介电基板，其中该陶瓷填料组分还包括TiO2、SrTiO3、ZrTi2O6、MgTiO3、CaTiO3、BaTiO4或它们的任何组合。
实施方案34.根据实施方案30所述的介电基板，其中该第二填充材料的含量为陶瓷填料组分的总体积的至少约1体积％。
实施方案35.根据实施方案30所述的介电基板，其中该第二填充材料的含量不大于陶瓷填料组分的总体积的约20体积％。
实施方案36.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该陶瓷填料组分至少约97％是无定形的。
实施方案37.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该聚合物基芯膜包含不大于约10体积％的孔隙率。
实施方案38.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该聚合物基芯膜包括至少约10微米的平均厚度。
实施方案39.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该聚合物基芯膜的平均厚度不大于约2000微米。
实施方案40.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该介电基板包含不大于约0.005的耗散因数(5GHz、20％RH)。
实施方案41.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该介电基板包含不大于约0.0014的耗散因数(5GHz、20％RH)。
实施方案42.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该介电基板包含不大于约80ppm/℃的热膨胀系数(所有轴线)。
实施方案43.根据实施方案1、2和3中任一项所述的介电基板，其中该介电基板包含不大于约0.05％的吸湿性。
实施方案44.一种覆铜层压板，包括：铜箔层，和覆盖该铜箔层的介电基板，其中该介电基板包括：聚合物基芯膜，和含氟聚合物基粘合剂层，其中该聚合物基芯膜包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中该第一填充材料的粒度分布包括：至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
实施方案45.一种覆铜层压板，包括：铜箔层，和覆盖该铜箔层的介电基板，其中该介电基板包括：聚合物基芯膜，和含氟聚合物基粘合剂层，其中该聚合物基芯膜包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，其中该第一填充材料还包含不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填充材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填充材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填充材料的D50粒度分布测量值。
实施方案46.一种覆铜层压板，包括：铜箔层，和覆盖该铜箔层的介电基板，其中该介电基板包括：聚合物基芯膜，和含氟聚合物基粘合剂层，其中该聚合物基芯膜包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包括第一填充材料，并且其中该第一填充材料还包括不大于约10微米的平均粒度和不大于约8m2/g的平均表面积。
实施方案47.根据实施方案45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10。
实施方案48.根据实施方案45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50。
实施方案49.根据实施方案45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
实施方案50.根据实施方案44所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料还包含不大于约10微米的平均粒度。
实施方案51.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料包含不大于约10微米的平均粒度。
实施方案52.根据实施方案44和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料包含不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填充材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填充材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填充材料的D50粒度分布测量值。
实施方案53.根据实施方案44和45中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料还包括不大于约8m2/g的平均表面积。
实施方案54.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该含氟聚合物基粘合剂层具有至少约0.2微米的平均厚度。
实施方案55.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该含氟聚合物基粘合剂层的平均厚度不大于约7微米。
实施方案56.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该含氟聚合物基粘合剂层包括含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物。根据再其他实施方案，该含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯组成。
实施方案57.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该含氟聚合物基粘合剂层由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物组成。根据再其他实施方案，该含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯组成。
实施方案58.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该含氟聚合物基粘合剂层是PFA层。
实施方案59.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料包含二氧化硅基化合物。
实施方案60.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料包含二氧化硅。
实施方案61.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该树脂基质包含全氟聚合物。
实施方案62.根据实施方案61所述的覆铜层压板，其中该全氟聚合物包括四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或它们的任何组合。
实施方案63.根据实施方案61所述的覆铜层压板，其中该全氟聚合物包括聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合。
实施方案64.根据实施方案61所述的覆铜层压板，其中该全氟聚合物由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合组成。
实施方案65.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该树脂基质组分的含量为该聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案66.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该树脂基质组分的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约63体积％。
实施方案67.根据实施方案61所述的覆铜层压板，其中该全氟聚合物的含量为聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案68.根据实施方案61所述的覆铜层压板，其中该全氟聚合物的含量为不大于聚合物基芯膜的总体积的约63体积％。
实施方案69.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该陶瓷填料组分的含量为聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案70.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该陶瓷填料组分的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约57体积％。
实施方案71.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料的含量为陶瓷填料组分的总体积的至少约80体积％。
实施方案72.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料的含量不大于陶瓷填料组分的总体积的约100体积％。
实施方案73.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该陶瓷填料组分还包含第二填充材料。
实施方案74.根据实施方案73所述的覆铜层压板，其中该第二填充材料包含高介电常数陶瓷材料。
实施方案75.根据实施方案74所述的覆铜层压板，其中该高介电常数陶瓷材料具有至少约14的介电常数。
实施方案76.根据实施方案74所述的覆铜层压板，其中该陶瓷填料组分还包括TiO2、SrTiO3、ZrTi2O6、MgTiO3、CaTiO3、BaTiO4或它们的任何组合。
实施方案77.根据实施方案73所述的覆铜层压板，其中该第二填充材料的含量为陶瓷填料组分的总体积的至少约1体积％。
实施方案78.根据实施方案73所述的覆铜层压板，其中该第二填充材料的含量不大于陶瓷填料组分的总体积的约20体积％。
实施方案79.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该陶瓷填料组分至少约97％是无定形的。
实施方案80.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该聚合物基芯膜包含不大于约10体积％的孔隙率。
实施方案81.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该聚合物基芯膜包括至少约10微米的平均厚度。
实施方案82.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该聚合物基芯膜包括不大于约2000微米的平均厚度。
实施方案83.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.005的耗散因数(5GHz、20％RH)。
实施方案84.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.0014的耗散因数(5GHz、20％RH)。
实施方案85.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该聚合物基芯膜包含不大于约80ppm/℃的热膨胀系数(所有轴线)。
实施方案86.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.05％的吸湿性。
实施方案87.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该覆铜层压板包含不大于约10体积％的孔隙率。
实施方案88.根据实施方案44、45和46中任一项所述的覆铜层压板，其中该覆铜层压板包含至少约6lb/in的铜箔层和介电基板之间的剥离强度。
实施方案89.一种包括覆铜层压板的印刷电路板，其中该覆铜层压板包括：铜箔层，和覆盖铜箔层的介电基板，其中该介电基板包括：聚合物基芯膜，和含氟聚合物基粘合剂层，其中该聚合物基芯膜包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中该第一填充材料的粒度分布包括：至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
实施方案90.一种包括覆铜层压板的印刷电路板，其中该覆铜层压板包括：铜箔层，和覆盖铜箔层的介电基板，其中该介电基板包括：聚合物基芯膜，和含氟聚合物基粘合剂层，其中该聚合物基芯膜包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，其中该第一填充材料还包含不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填充材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填充材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填充材料的D50粒度分布测量值。
实施方案91.一种包括覆铜层压板的印刷电路板，其中该覆铜层压板包括：铜箔层，和覆盖铜箔层的介电基板，其中该介电基板包括：聚合物基芯膜，和含氟聚合物基粘合剂层，其中该聚合物基芯膜包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中该第一填充材料还包括不大于约10微米的平均粒度和不大于约8m2/g的平均表面积。
实施方案92.根据实施方案90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10。
实施方案93.根据实施方案90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50。
实施方案94.根据实施方案90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
实施方案95.根据实施方案89所述的印刷电路板，其中该第一填充材料还包含不大于约10微米的平均粒度。
实施方案96.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料包含不大于约10微米的平均粒度。
实施方案97.根据实施方案89和91中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料包含不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填充材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填充材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填充材料的D50粒度分布测量值。
实施方案98.根据实施方案89和90中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料还包括不大于约8m2/g的平均表面积。
实施方案99.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该含氟聚合物基粘合剂层具有至少约0.2微米的平均厚度。
实施方案100.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该含氟聚合物基粘合剂层的平均厚度不大于约7微米。
实施方案101.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该含氟聚合物基粘合剂层包括含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物。根据再其他实施方案，该含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯组成。
实施方案102.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该含氟聚合物基粘合剂层由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物组成。根据再其他实施方案，该含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯组成。
实施方案103.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该含氟聚合物基粘合剂层是PFA层。
实施方案104.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料包含二氧化硅基化合物。
实施方案105.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料包含二氧化硅。
实施方案106.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该树脂基质包含全氟聚合物。
实施方案107.根据实施方案106所述的印刷电路板，其中该全氟聚合物包括四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或它们的任何组合。
实施方案108.根据实施方案106所述的印刷电路板，其中该全氟聚合物包括聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合。
实施方案109.根据实施方案106所述的印刷电路板，其中该全氟聚合物由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合组成。
实施方案110.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该树脂基质组分的含量为该聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案111.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该树脂基质组分的含量不大于该聚合物基芯膜的总体积的约63体积％。
实施方案112.根据实施方案106所述的印刷电路板，其中该全氟聚合物的含量为聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案113.根据实施方案106所述的印刷电路板，其中该全氟聚合物的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约63体积％。
实施方案114.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该陶瓷填料组分的含量为该聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案115.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该陶瓷填料组分的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约57体积％。
实施方案116.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料的含量为陶瓷填料组分的总体积的至少约80体积％。
实施方案117.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料的含量不大于陶瓷填料组分的总体积的约100体积％。
实施方案118.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该陶瓷填料组分还包含第二填充材料。
实施方案119.根据实施方案118所述的印刷电路板，其中该第二填充材料包含高介电常数陶瓷材料。
实施方案120.根据实施方案119所述的印刷电路板，其中该高介电常数陶瓷材料具有至少约14的介电常数。
实施方案121.根据实施方案119所述的印刷电路板，其中该陶瓷填料组分还包括TiO2、SrTiO3、ZrTi2O6、MgTiO3、CaTiO3、BaTiO4或它们的任何组合。
实施方案122.根据实施方案118所述的印刷电路板，其中该第二填充材料的含量为陶瓷填料组分的总体积的至少约1体积％。
实施方案123.根据实施方案118所述的印刷电路板，其中该第二填充材料的含量不大于陶瓷填料组分的总体积的约20体积％。
实施方案124.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该陶瓷填料组分至少约97％是无定形的。
实施方案125.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该聚合物基芯膜包含不大于约10体积％的孔隙率。
实施方案126.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该聚合物基芯膜包括至少约10微米的平均厚度。
实施方案127.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该聚合物基芯膜包括不大于约2000微米的平均厚度。
实施方案128.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.005的耗散因数(5GHz、20％RH)。
实施方案129.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.0014的耗散因数(5GHz、20％RH)。
实施方案130.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该聚合物基芯膜包含不大于约80ppm/℃的热膨胀系数(所有轴线)。
实施方案131.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.05％的吸湿性。
实施方案132.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该覆铜层压板包含不大于约10体积％的孔隙率。
实施方案133.根据实施方案89、90和91中任一项所述的印刷电路板，其中该覆铜层压板在铜箔层和印刷电路板之间的剥离强度为至少约6lb/in。
实施方案134.一种形成介电基板的方法，其中该方法包括：将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及用含氟聚合物基粘合剂层涂覆该聚合物基芯膜，其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，并且其中该第一填料前体材料的粒度分布包括：至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
实施方案135.一种形成介电基板的方法，其中该方法包括：将树脂前体基质组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及用含氟聚合物基粘合剂层涂覆该聚合物基芯膜，其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，其中该第一填料前体材料还包含不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填料前体材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填料前体材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填料前体材料的D50粒度分布测量值。
实施方案136.一种形成介电基板的方法，其中该方法包括：将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；以及将该成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及用含氟聚合物基粘合剂层涂覆该聚合物基芯膜，其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，并且其中该第一填料前体材料还包括不大于约10微米的平均粒度和不大于约8m2/g的平均表面积。
实施方案137.根据实施方案135和136中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10。
实施方案138.根据实施方案135和136中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50。
实施方案139.根据实施方案135和136中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
实施方案140.根据实施方案134所述的方法，其中该第一填料前体材料还包含不大于约10微米的平均粒度。
实施方案141.根据实施方案135、136和140中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含不大于约10微米的平均粒度。
实施方案142.根据实施方案134和136中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填料前体材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填料前体材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填料前体材料的D50粒度分布测量值。
实施方案143.根据实施方案134和135中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料还包括不大于约8m2/g的平均表面积。
实施方案144.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层具有至少约0.2微米的平均厚度。
实施方案145.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层的平均厚度不大于约7微米。
实施方案146.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层包括含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物。根据再其他实施方案，该含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯组成。
实施方案147.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物组成。根据再其他实施方案，该含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯组成。
实施方案148.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层是PFA层。
实施方案149.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含二氧化硅基化合物。
实施方案150.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含二氧化硅。
实施方案151.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该树脂基质前体组分包含全氟聚合物。
实施方案152.根据实施方案151所述的方法，其中该全氟聚合物包括四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或它们的任何组合。
实施方案153.根据实施方案151所述的方法，其中该全氟聚合物包括聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合。
实施方案154.根据实施方案151所述的方法，其中该全氟聚合物由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合组成。
实施方案155.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该树脂基质前体组分的含量。
实施方案156.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该树脂基质前体组分的含量不大于该成形混合物总体积的约63体积％。
实施方案157.根据实施方案151所述的方法，其中该全氟聚合物的含量为该成形混合物总体积的至少约45体积％。
实施方案158.根据实施方案151所述的方法，其中该全氟聚合物的含量不大于该成形混合物总体积的约63体积％。
实施方案159.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分的含量为成形混合物总体积的至少约45体积％。
实施方案160.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分的含量不大于成形混合物总体积的约57体积％。
实施方案161.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的含量为陶瓷填料前体组分的总体积的至少约80体积％。
实施方案162.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的含量不大于陶瓷填料前体组分的总体积的约100体积％。
实施方案163.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分还包括第二填料前体材料。
实施方案164.根据实施方案163所述的方法，其中该第二填料前体材料包括高介电常数陶瓷材料。
实施方案165.根据实施方案164所述的方法，其中该高介电常数陶瓷材料具有至少约14的介电常数。
实施方案166.根据实施方案164所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分还包括TiO2、SrTiO3、ZrTi2O6、MgTiO3、CaTiO3、BaTiO4或它们的任何组合。
实施方案167.根据实施方案163所述的方法，其中该第二填料前体材料的含量为陶瓷填料前体组分的总体积的至少约1体积％。
实施方案168.根据实施方案163所述的方法，其中该第二填料前体材料的含量不大于陶瓷填料前体组分的总体积的约20体积％。
实施方案169.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分至少约97％是无定形的。
实施方案170.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包含不大于约10体积％的孔隙率。
实施方案171.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包括至少约10微米的平均厚度。
实施方案172.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包括不大于约2000微米的平均厚度。
实施方案173.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.005的耗散因数(5GHz、20％RH)。
实施方案174.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.0014的耗散因数(5GHz、20％RH)。
实施方案175.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜的热膨胀系数(所有轴线)不大于约80ppm/℃。
实施方案176.根据实施方案134、135和136中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.05％的吸湿性。
实施方案177.一种形成覆铜层压板的方法，其中该方法包括：提供铜箔层；将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及在该聚合物基芯膜和该铜箔层之间提供含氟聚合物基粘合剂层，其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，并且其中该第一填料前体材料的粒度分布包括：至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
实施方案178.一种形成覆铜层压板的方法，其中该方法包括：提供铜箔层；将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及在该聚合物基芯膜和该铜箔层之间提供含氟聚合物基粘合剂层，其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，其中该第一填料前体材料还包含不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填料前体材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填料前体材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填料前体材料的D50粒度分布测量值。
实施方案179.一种形成覆铜层压板的方法，其中该方法包括：提供铜箔层；将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及在该聚合物基芯膜和该铜箔层之间提供含氟聚合物基粘合剂层，其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，并且其中该第一填料前体材料还包括不大于约10微米的平均粒度和不大于约8m2/g的平均表面积。
实施方案180.根据实施方案178和179中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10。
实施方案181.根据实施方案178和179中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50。
实施方案182.根据实施方案178和179中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
实施方案183.根据实施方案182所述的方法，其中该第一填料前体材料还包含不大于约10微米的平均粒度。
实施方案184.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含不大于约10微米的平均粒度。
实施方案185.根据实施方案177和179中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填料前体材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填料前体材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填料前体材料的D50粒度分布测量值。
实施方案186.根据实施方案177和179中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料还包括不大于约8m2/g的平均表面积。
实施方案187.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层具有至少约0.2微米的平均厚度。
实施方案188.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层的平均厚度不大于约7微米。
实施方案189.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层包括含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物。根据再其他实施方案，该含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯组成。
实施方案190.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物组成。根据再其他实施方案，该含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯组成。
实施方案191.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层是PFA层。
实施方案192.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含二氧化硅基化合物。
实施方案193.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含二氧化硅。
实施方案194.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该树脂基质包含全氟聚合物。
实施方案195.根据实施方案194所述的方法，其中该全氟聚合物包括四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或它们的任何组合。
实施方案196.根据实施方案194所述的方法，其中该全氟聚合物包括聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合。
实施方案197.根据实施方案194所述的方法，其中该全氟聚合物由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合组成。
实施方案198.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该树脂基质前体组分的含量为聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案199.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该树脂基质前体组分的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约63体积％。
实施方案200.根据实施方案194所述的方法，其中该全氟聚合物的含量为聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案201.根据实施方案194所述的方法，其中该全氟聚合物的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约63体积％。
实施方案202.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分的含量为聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案203.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约57体积％。
实施方案204.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的含量为陶瓷填料前体组分的总体积的至少约80体积％。
实施方案205.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的含量不大于陶瓷填料前体组分的总体积的约100体积％。
实施方案206.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分还包含第二填充材料。
实施方案207.根据实施方案194所述的方法，其中该第二填充材料包含高介电常数陶瓷材料。
实施方案208.根据实施方案195所述的方法，其中该高介电常数陶瓷材料具有至少约14的介电常数。
实施方案209.根据实施方案195所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分还包括TiO2、SrTiO3、ZrTi2O6、MgTiO3、CaTiO3、BaTiO4或它们的任何组合。
实施方案210.根据实施方案194所述的方法，其中该第二填充材料的含量为陶瓷填料前体组分的总体积的至少约1体积％。
实施方案211.根据实施方案194所述的方法，其中该第二填充材料的含量不大于陶瓷填料前体组分的总体积的约20体积％。
实施方案212.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分至少约97％是无定形的。
实施方案213.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包含不大于约10体积％的孔隙率。
实施方案214.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包括至少约10微米的平均厚度。
实施方案215.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包括不大于约2000微米的平均厚度。
实施方案216.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.005的耗散因数(5GHz、20％RH)。
实施方案217.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.0014的耗散因数(5GHz、20％RH)。
实施方案218.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜的热膨胀系数(所有轴线)不大于约80ppm/℃。
实施方案219.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.05％的吸湿性。
实施方案220.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该覆铜层压板包含不大于约10体积％的孔隙率。
实施方案221.根据实施方案177、178和179中任一项所述的方法，其中该覆铜层压板包含至少约6lb/in的铜箔层和介电基板之间的剥离强度。
实施方案222.一种形成印刷电路板的方法，其中该方法包括：提供铜箔层；将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及在该聚合物基芯膜和该铜箔层之间提供含氟聚合物基粘合剂层，其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，并且其中该第一填料前体材料的粒度分布包括：至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，以及至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
实施方案223.一种形成印刷电路板的方法，其中该方法包括：提供铜箔层；将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及在该聚合物基芯膜和该铜箔层之间提供含氟聚合物基粘合剂层，其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，其中该第一填料前体材料还包括不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填料前体材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填料前体材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填料前体材料的D50粒度分布测量值。
实施方案224.一种形成印刷电路板的方法，其中该方法包括：提供铜箔层；将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及在聚合物基芯膜和铜箔层之间提供含氟聚合物基粘合剂层；其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，并且其中该第一填料前体材料还包括不大于约10微米的平均粒度和不大于约8m2/g的平均表面积。
实施方案225.根据实施方案223和224中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10。
实施方案226.根据实施方案223和224中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50。
实施方案227.根据实施方案223和224中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
实施方案228.根据实施方案227所述的方法，其中该第一填料前体材料还包含不大于约10微米的平均粒度。
实施方案229.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含不大于约10微米的平均粒度。
实施方案230.根据实施方案222和224中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于第一填料前体材料的D90粒度分布测量值，D10等于第一填料前体材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于第一填料前体材料的D50粒度分布测量值。
实施方案231.根据实施方案222和224中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料还包括不大于约8m2/g的平均表面积。
实施方案232.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层具有至少约0.2微米的平均厚度。
实施方案233.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层的平均厚度不大于约7微米。
实施方案234.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层包括含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物。根据再其他实施方案，该含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯组成。
实施方案235.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯(mPTFE)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物，诸如氟化乙烯-丙烯(FEP)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mPFA)，以及它们的衍生物和共混物组成。根据再其他实施方案，该含氟聚合物基粘合剂层207可以由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(PTFE)、改性聚四氟乙烯组成。
实施方案236.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该含氟聚合物基粘合剂层是PFA层。
实施方案237.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含二氧化硅基化合物。
实施方案238.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含二氧化硅。
实施方案239.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该树脂基质包含全氟聚合物。
实施方案240.根据实施方案239所述的方法，其中该全氟聚合物包括四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或它们的任何组合。
实施方案241.根据实施方案239所述的方法，其中该全氟聚合物包括聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合。
实施方案242.根据实施方案239所述的方法，其中该全氟聚合物由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物树脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或它们的任何组合组成。
实施方案243.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该树脂基质前体组分的含量为聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案244.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该树脂基质前体组分的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约63体积％。
实施方案245.根据实施方案239所述的方法，其中该全氟聚合物的含量为聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案246.根据实施方案239所述的方法，其中该全氟聚合物的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约63体积％。
实施方案247.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分的含量为聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％。
实施方案248.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分的含量不大于聚合物基芯膜的总体积的约57体积％。
实施方案249.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的含量为陶瓷填料前体组分的总体积的至少约80体积％。
实施方案250.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的含量不大于陶瓷填料前体组分的总体积的约100体积％。
实施方案251.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分还包含第二填充材料。
实施方案252.根据实施方案239所述的方法，其中该第二填充材料包含高介电常数陶瓷材料。
实施方案253.根据实施方案240所述的方法，其中该高介电常数陶瓷材料具有至少约14的介电常数。
实施方案254.根据实施方案240所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分还包括TiO2、SrTiO3、ZrTi2O6、MgTiO3、CaTiO3、BaTiO4或它们的任何组合。
实施方案255.根据实施方案239所述的方法，其中该第二填充材料的含量为该陶瓷填料前体组分的总体积的至少约1体积％。
实施方案256.根据实施方案239所述的方法，其中该第二填充材料的含量不大于该陶瓷填料前体组分的总体积的约20体积％。
实施方案257.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分是至少约97％无定形的。
实施方案258.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包含不大于约10体积％的孔隙率。
实施方案259.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包括至少约10微米的平均厚度。
实施方案260.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包括不大于约2000微米的平均厚度。
实施方案261.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.005的耗散因数(5GHz、20％RH)。
实施方案262.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包含不大于约0.0014的耗散因数(5GHz、20％RH)。
实施方案263.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜的热膨胀系数(所有轴线)不大于约80ppm/℃。
实施方案264.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该聚合物基芯膜包括不大于约0.05％的吸湿性。
实施方案265.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该覆铜层压板包括不大于约10体积％的孔隙率。
实施方案266.根据实施方案222、223和224中任一项所述的方法，其中该覆铜层压板包括至少约6lb/in的铜箔层和介电基板之间的剥离强度。
实施例
本文所述的概念将在以下实施例中进一步描述，所述实施例不限制权利要求中所述的本发明的范围。
实施例1
根据本文所描述的某些实施方案来构造和形成样本介电基板S1-S12。
使用流延膜工艺形成每个样本介电基板，其中含氟聚合物预处理的聚酰亚胺载体带穿过位于涂覆塔底部的含有水性成形混合物(即，树脂基质组分和陶瓷填料组分的组合)的浸渍盘。然后，经涂覆的载体带通过计量区，在该计量区中计量棒从经涂覆的载体带上移除过量的分散体。在计量区之后，涂覆的载体带进入温度保持在82℃和121℃之间的干燥区以蒸发水分。然后，带有干燥的膜的经涂覆的载体带通过温度保持在315℃和343℃之间的烘烤区。最后，载体带穿过温度保持在349℃和399℃之间的熔合区，以烧结(即，聚结)树脂基质材料。然后，经涂覆的载体带穿过冷却室，从冷却室可以被引导到随后的浸渍盘，以开始形成另一个层膜或被引导到剥离设备。当达到期望的膜厚度时，将膜从载体带上剥离。
每个样本介电基板S1-S12的树脂基质组分是聚四氟乙烯(PTFE)。下表1中总结了每个介电基板S1-S12的进一步构造和组成细节。
表1–介电基板构造和成分样本
下表2总结了样本介电基板S1-S12中使用的二氧化硅基组分类型的特性，包括粒度分布测量值(即，D10、D50和D90)、粒度分布跨度、平均粒度和BET表面积。
表2–二氧化硅基组分特性
下表3总结了介电基板S1-S12的每个样本的性能特性。概括的性能特性包括在5GHz下测量的样本介电基板的介电常数(“Dk(5GHz)”)，在5GHz、20％RH下测量的基板的耗散因数(“Df(5GHz、20％RH)”)，在5GHz、80％RH下测量的样本介电基板的耗散因数(“Df(5GHz、80％RH)”)，以及样本介电基板的热膨胀系数(“CTE”)。
表3–性能特性
实施例2
为了比较的目的，构造并且形成对比样本介电基板CS1-CS10。
每个对比样本介电基板使用流延膜工艺形成，其中含氟聚合物预处理的聚酰亚胺载体带穿过在涂布塔底部的含有含水成形混合物(即，树脂基质组分和陶瓷填料组分的组合)的浸渍盘。然后，经涂覆的载体带通过计量区，在该计量区中计量棒从经涂覆的载体带上移除过量的分散体。在计量区之后，经涂覆的载体带进入温度保持在82℃和121℃之间的干燥区以蒸发水分。然后，带有干燥的膜的经涂覆的载体带通过温度保持在315℃和343℃之间的烘烤区。最后，载体带穿过温度保持在349℃和399℃之间的熔合区，以烧结(即，聚结)树脂基质材料。然后，经涂覆的载体带穿过冷却室，从冷却室可以被引导到随后的浸渍盘，以开始形成另一个层膜或被引导到剥离设备。当达到期望的膜厚度时，将膜从载体带上剥离。
每个对比样本介电基板CS1-CS10的树脂基质组分是聚四氟乙烯(PTFE)。下表4中总结了每个介电基板CS1-CS10的进一步构造和组成细节。
表4–对比样本介电基板构造和成分
下表2总结了样本介电基板CS1-CS9中使用的二氧化硅基组分类型的特性，包括粒度分布测量值(即，D10、D50和D90)、粒度分布跨度、平均粒度和BET表面积。
表5–二氧化硅基组分特性
下表6总结了每个样本介电基板CS1-S9的性能特性。概括的性能特性包括在5GHz下测量的样本介电基板的介电常数(“Dk(5GHz)”)，在5GHz、20％RH下测量的基板的耗散因数(“Df(5GHz、20％RH)”)，在5GHz、80％RH下测量的样本介电基板的耗散因数(“Df(5GHz、80％RH)”)，以及样本介电基板的热膨胀系数(“CTE”)。
表6–性能特性
实施例3
根据本文所描述的某些实施方案来构造和形成样本介电基板S13-S28。
使用流延膜工艺形成每个样本介电基板，其中含氟聚合物预处理的聚酰亚胺载体带穿过位于经涂覆塔底部的含有水性成形混合物(即，树脂基质组分和陶瓷填料组分的组合)的浸渍盘。然后，经涂覆的载体带通过计量区，在该计量区中计量棒从涂覆的载体带上移除过量的分散体。在计量区之后，经涂覆的载体带进入温度保持在82℃和121℃之间的干燥区以蒸发水分。然后，带有干燥的膜的经涂覆的载体带通过温度保持在315℃和343℃之间的烘烤区。最后，载体带穿过温度保持在349℃和399℃之间的熔合区，以烧结(即，聚结)树脂基质材料。然后，经涂覆的载体带穿过冷却室，从冷却室可以被引导到随后的浸渍盘，以开始形成另一个层膜或被引导到剥离设备。当达到期望的膜厚度时，将膜从载体带上剥离。
每个样本介电基板S13-S28的树脂基质组分是聚四氟乙烯(PTFE)。每个介电基板S13-S28的进一步构造和组成细节，包括关于粘结层类型、厚度和百分比的细节，总结在下表7中。
表7–介电基板构造和成分样本
在样本介电基板13-S28中使用的二氧化硅基组分类型的特性，包括粒度分布测量值(即，D10、D50和D90)、粒度分布跨度、平均粒度和BET表面积，总结在上面的表2中。
下表8总结了每个样本介电基板S13-S28的性能特性。概括的性能特性包括在5GHz下测量的样本介电基板的介电常数(“Dk(5GHz)”)，在5GHz、20％RH下测量的基板的耗散因数(“Df(5GHz、20％RH)”)，在5GHz、80％RH下测量的样本介电基板的耗散因数(“Df(5GHz、80％RH)”)，以及样本介电基板的热膨胀系数(“CTE”)。
表8–性能特性
需注意，并非需要以上在一般描述或示例中描述的所有活动，可能不需要特定活动的一部分，并且除了所描述的那些之外还可以执行一个或多个另外的活动。更进一步，列出活动的顺序不一定是执行活动的顺序。
上文已经关于具体实施方案描述了益处、其他优点以及问题的解决方案。然而，益处、优点、问题的解决方案，以及可导致任何益处、优点或解决方案出现或变得更显著的任何特征不应被解释为任何或所有权利要求的关键、必需或必要的特征。
本文描述的实施方案的说明书和图示旨在提供对各种实施方案的结构的一般理解。说明书和图示并不旨在用作对使用本文所述的结构或方法的装置和系统的所有元件和特征的详尽和全面的描述。也可以在单个实施方案中组合地提供单独实施方案，并且相反地，为了简洁起见在单个实施方案的上下文中描述的各种特征也可以单独地或以任何子组合提供。此外，对范围中所述值的引用包括该范围内的每个值。仅在阅读了本说明书之后，许多其他实施方案对于技术人员而言可能是显而易见的。其他实施方案可被使用并从本公开得出，使得可以在不脱离本公开的范围的情况下进行结构替代、逻辑替代或另一改变。因此，本公开应被视为说明性的而非限制性的。

Claims (15)

1.一种介电基板，包括：
聚合物基芯膜，和
含氟聚合物基粘合剂层，
其中所述聚合物基芯膜包含：
树脂基质组分；和
陶瓷填料组分，
其中所述陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且
其中所述第一填充材料的粒度分布包括：
至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10，
至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，和
至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
2.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述第一填充材料还包含不大于约10微米的平均粒度。
3.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述第一填充材料包含不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于所述第一填充材料的D90粒度分布测量值，D10等于所述第一填充材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于所述第一填充材料的D50粒度分布测量值。
4.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述第一填充材料还包括不大于约8m2/g的平均表面积。
5.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述第一填充材料包含二氧化硅基化合物。
6.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述树脂基质包含全氟聚合物。
7.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述树脂基质组分的含量为所述聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％并且不大于约63体积％。
8.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述陶瓷填料组分的含量为所述聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％并且不大于约57体积％。
9.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述第一填充材料的含量为所述陶瓷填料组分的总体积的至少约80体积％并且不大于约100体积％。
10.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述介电基板包含不大于约0.005的耗散因数(5GHz、20％RH)。
11.一种覆铜层压板，包括：
铜箔层，和覆盖所述铜箔层的介电基板，
其中所述介电基板包括：
聚合物基芯膜，和
含氟聚合物基粘合剂层，
其中所述聚合物基芯膜包含：
树脂基质组分；和
陶瓷填料组分，
其中所述陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且
其中所述第一填充材料的粒度分布包括：
至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10，
至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，和
至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
12.根据权利要求11所述的覆铜层压板，其中所述第一填充材料还包含不大于约10微米的平均粒度。
13.根据权利要求11所述的覆铜层压板，其中所述第一填充材料包含不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D90-D10)/D50，其中D90等于所述第一填充材料的D90粒度分布测量值，D10等于所述第一填充材料的D10粒度分布测量值，并且D50等于所述第一填充材料的D50粒度分布测量值。
14.根据权利要求11所述的覆铜层压板，其中所述第一填充材料还包括不大于约8m2/g的平均表面积。
15.一种包括覆铜层压板的印刷电路板，其中所述覆铜层压板包括：铜箔层，和覆盖所述铜箔层的介电基板，
其中所述介电基板包括：
聚合物基芯膜，和
含氟聚合物基粘合剂层，
其中所述聚合物基芯膜包含：
树脂基质组分；和
陶瓷填料组分，
其中所述陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且
其中所述第一填充材料的粒度分布包括：
至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D10，
至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D50，和
至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D90。
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