CN116503400B - 芯片溢胶厚度的计算方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及半导体封装技术领域，公开了一种芯片溢胶厚度的计算方法及电子设备，计算方法包括：获取芯片溢胶图像；根据芯片溢胶图像，确定芯片溢胶图像的轮廓图；根据轮廓图，确定溢胶与溢胶镜像的中心线；根据中心线，确定芯片溢胶厚度。本申请通过提取芯片溢胶图像的轮廓图，确定溢胶与溢胶镜像的中心线，进一步获取到芯片溢胶厚度，能够获取到清晰的溢胶与溢胶镜像的轮廓图，精确计算出芯片溢胶厚度。

Description

芯片溢胶厚度的计算方法及电子设备

技术领域

本申请实施方式涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种芯片溢胶厚度的计算方法及电子设备。

背景技术

通常在组装物品过程中，有时需要胶水黏合零件，难免会注入过多的胶水，导致零件黏合后会产生胶水溢出表面的状况，胶水的溢出可能会影响到产品的功能，例如相机，相机的芯片在组装过程中若发生溢胶，芯片的性能和稳定性很容易受到溢胶的影响，进一步影响到拍照的质量。因此，需要在产品出售前找出溢胶状况。

目前，由于进行样品检测时光学检测系统与被检测样品不在同一平面上，因此使用2D图像无法检测溢胶厚度，而使用3D图像检测还原溢胶厚度时，由于溢胶呈现“爬坡”的型态，会导致损失一部分的溢胶信息，进一步导致检测溢胶厚度的精度不够准确，而使用侧面光学系统检测时，由于空间结构等限制，会出现无法获取到清晰的溢胶或拍摄景深不足导致不能得到清晰的溢胶轮廓的情况，从而不能够精确检测出芯片溢胶厚度。

目前，通常是通过分割3D相机获取的芯片表面图像来检测芯片中溢胶的厚度，会出现溢胶轮廓获取不够清晰从而导致溢胶厚度计算不准确的情况。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种芯片溢胶厚度的计算方法及电子设备，解决芯片溢胶轮廓获取不够清晰以及芯片溢胶厚度计算不准确的问题，能够精确计算出芯片溢胶厚度。

为了解决上述技术问题，本申请实施例提供以下技术方案：

第一方面，本申请实施例提供一种芯片溢胶厚度的计算方法，包括：

获取芯片溢胶图像；

根据芯片溢胶图像，确定芯片溢胶图像的轮廓图；

根据轮廓图，确定溢胶与溢胶镜像的中心线；

根据中心线，确定芯片溢胶厚度。

在一些实施例中，芯片包括芯片侧面，芯片侧面可用于反射溢胶形成溢胶镜像；

获取芯片溢胶图像，包括：

获取拍摄角度；

基于拍摄角度，获取芯片溢胶图像，其中，芯片溢胶图像包括溢胶以及溢胶镜像。

在一些实施例中，根据芯片溢胶图像，确定芯片溢胶图像的轮廓图，包括：

调整芯片溢胶图像的对比度，并对芯片溢胶图像进行二值化处理，获取原始二值图；

对原始二值图进行背景分割，得到目标二值图，目标二值图包括溢胶的二值图与溢胶镜像的二值图；

对目标二值图中的溢胶与溢胶镜像进行轮廓提取，得到芯片溢胶图像的轮廓图。

在一些实施例中，轮廓图包括溢胶的轮廓与溢胶镜像的轮廓，根据轮廓图，确定溢胶与溢胶镜像的中心线，包括：

基于轮廓图，建立坐标系，溢胶的轮廓与溢胶镜像的轮廓均处于坐标系内；

于溢胶的轮廓的一端设置像素线，像素线与坐标系的横轴平行；

基于像素线在坐标系上的移动，确定溢胶与溢胶镜像的中心线。

在一些实施例中，基于像素线在坐标系上的移动，确定溢胶与溢胶镜像的中心线，包括：

在坐标系沿溢胶的轮廓到溢胶镜像的轮廓的方向，逐个像素移动像素线，使得像素线遍历轮廓图；

获取像素线上的每一个像素点距离溢胶的轮廓最近的点，记为第一轮廓点；

获取像素线上的每一个像素点距离溢胶镜像的轮廓最近的点，记为第二轮廓点；

获取第一轮廓点与像素线的距离设为第一距离，获取第二轮廓点与像素线的距离设为第二距离；

计算第一距离与第二距离的距离比例；

根据距离比例，确定溢胶与溢胶镜像的中心线。

在一些实施例中，根据距离比例，确定溢胶与溢胶镜像的中心线，包括：

根据距离比例，确定像素线上的得分点，以确定同一条像素线上的得分点的数量；

确定每一条像素线的得分点的数量，并将得分点的数量最多的像素线确定为中心线。

在一些实施例中，像素线上的每一个像素点对应一个距离比例，根据距离比例，确定像素线上的得分点，包括：

根据测量精度设置阈值范围，判断距离比例是否处于阈值范围内；

若距离比例处于阈值范围内，则确定距离比例对应的像素线上的像素点为得分点。

在一些实施例中，根据中心线，获取芯片溢胶厚度，包括：

根据中心线，确定未被溢胶覆盖的芯片厚度；

根据未被溢胶覆盖的芯片厚度以及芯片的实际厚度，确定芯片溢胶厚度。

在一些实施例中，根据中心线，确定未被溢胶覆盖的芯片厚度，包括：

根据中心线，确定未被溢胶覆盖的芯片的厚度在摄像设备方向上的投影长度；

根据投影长度，确定未被溢胶覆盖的芯片厚度。

第二方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括：

至少一个处理器、以及至少一个存储器，其中，存储器存储有计算机程序，当计算机程序被处理器执行时，使得处理器执行第一方面的芯片溢胶厚度的计算方法。

本申请实施方式的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请实施方式提供一种芯片溢胶厚度的计算方法，该方法包括：获取芯片溢胶图像；根据芯片溢胶图像，确定芯片溢胶图像的轮廓图；根据轮廓图，确定溢胶与溢胶镜像的中心线；根据中心线，确定芯片溢胶厚度。本申请通过提取芯片溢胶图像的轮廓图，确定溢胶与镜像的中心线，进一步获取到芯片溢胶厚度，能够获取到清晰的溢胶与溢胶镜像的轮廓图，精确计算出溢胶厚度。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1是本申请实施例提供的一种应用环境的示意图；

图2是本申请实施例提供的一种芯片溢胶厚度的计算方法的流程示意图；

图3是图2中的步骤S201的细化流程示意图；

图4是图2中的步骤S202的细化流程示意图；

图5是本申请实施例提供的一种获取芯片溢胶图像的原始二值图的示例示意图；

图6是本申请实施例提供的一种提取溢胶的轮廓与溢胶镜像的轮廓的示例示意图；

图7是图2中的步骤S203的细化流程示意图；

图8是图7中的步骤S233的细化流程示意图；

图9是本申请实施例提供的一种像素线遍历轮廓图的示例示意图；

图10是图8中的步骤S2306的细化流程示意图；

图11是图10中的步骤S2316的细化流程示意图；

图12是图2中的步骤S204的细化流程示意图；

图13是图12中的步骤S241的细化流程示意图；

图14是本申请实施例提供的一种计算芯片溢胶厚度的示例示意图；

图15是本申请实施例提供的一种芯片溢胶厚度的计算装置的结构示意图；

图16是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

附图标号说明：

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明的是，如果不冲突，本申请实施例中的各个特征可以相互结合，均在本申请的保护范围之内。另外，本申请所采用的“第一”、“第二”等字样并不对数据进行限定，仅是对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行划分。

下面结合说明书附图具体阐述本申请的技术方案：

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种应用环境的示意图；

如图1所示，该应用环境100，包括：电子设备10、摄像设备20、芯片30，其中，电子设备10用于处理摄像设备20拍摄的图像，摄像设备20用于拍摄可反射溢胶镜像的芯片30的侧面，电子设备10与摄像设备20通过无线网络或有线接口连接。可以理解的是，电子设备10包括平板电脑、计算机终端等可联网的设备，摄像设备20包括相机、摄像头等可拍摄图像的设备，有线接口包括USB、HDMI、FireWire、Thunderbolt等接口，无线接口包括蓝牙、无线局域网等无线网络。

在本申请实施例中，电子设备10包括平板电脑、计算机终端等可联网的装置。摄像设备20为电子设备10提供有线接口或无线接口，以被电子设备10获取及识别摄像设备的信息，进而使电子设备10获取摄像设备的图像。

在介绍本申请的方案之前，先对本申请发明人所知晓的现有技术进行简单的介绍，使得后续便于理解本申请的方案。

镜像成像原理：平面镜中的像是由光的反射光线的延长线的交点形成的，平面镜中的像是虚线。其特点为物体的大小与虚像的大小相等，物体到镜面的距离与虚像到镜面的距离相等。

对比度：图像中黑色与白色的比值，即是图像中明暗区域中最亮的白和最暗的黑之间不同亮度层级的测量，从黑色到白色的渐变层次。

请参阅图2，图2是本申请实施例提供的一种芯片溢胶厚度的计算方法的流程示意图；

其中，该芯片溢胶厚度的计算方法，应用于电子设备，具体的，该芯片溢胶厚度的计算方法的执行主体为电子设备的一个或至少两个处理器。

其中，芯片包括芯片侧面。

如图2所示，该方法包括：

步骤S201：获取芯片溢胶图像；

在本申请实施例中，于芯片侧面一定距离内对应设置一个摄像设备，该摄像设备用于拍摄芯片侧面。可以理解的是，由于芯片的体积很小，当芯片发生溢胶的情况，直接通过视觉观察比较困难，通常需要摄像设备辅助观察。

具体的，使用设置于芯片侧面的摄像设备拍摄芯片侧面，获取到芯片溢胶的图像。

请再参阅图3，图3是图2中的步骤S201的细化流程示意图；

如图3所示，该步骤S201，包括：

步骤 S211：获取拍摄角度；

在本申请实施中，芯片的侧面比较光滑，使用光源照明芯片的侧面时，芯片侧面成镜面，能够反射溢胶形成溢胶镜像。可以理解的是，用于贴合芯片的胶水能够反射光源，当使用光源照明芯片的侧面时，为能够清晰看到芯片侧面的溢胶，不同的芯片需要使用不同亮度的光源。

在本申请实施例中，根据镜像成像原理，在摄像设备与垂直方向存在一定角度的视觉范围内，能够获取到溢胶以及溢胶经芯片侧面成镜像的图像。

在本申请实施例中，主要从摄像设备与垂直方向的夹角为45°的方向上拍摄芯片侧面，在摄像设备与垂直方向成45°的方向上拍摄获取的图像中，根据镜像成像原理，在45°方向上时，溢胶与溢胶镜像关于芯片侧面呈中心对称。当选取其它角度时，例如30°、60°，溢胶与溢胶镜像不再关于芯片侧面呈中心对称，此时溢胶与溢胶镜像关于芯片侧面呈一定的比例关系。

具体的，在摄像设备与垂直方向存在一定的角度内拍摄芯片侧面，记录该角度，该角度即为摄像设备的拍摄角度。

步骤S212：基于拍摄角度，获取芯片溢胶图像，其中，芯片溢胶图像包括溢胶以及溢胶镜像；

具体的，获取到摄像设备的拍摄角度，在该拍摄角度上拍摄产生溢胶的芯片的侧面，获取到芯片溢胶图像，该芯片溢胶图像能够观察到芯片的溢胶以及溢胶镜像。

在本申请实施例中，通过摄像设备获取拍摄角度，基于拍摄角度，获取芯片溢胶图像，能够获取到清晰的溢胶以及溢胶镜像图像。

步骤S202：根据芯片溢胶图像，确定芯片溢胶图像的轮廓图；

具体的，获取到芯片溢胶图像，提取该芯片溢胶图像中的溢胶与溢胶镜像的轮廓，获得提取后的芯片溢胶镜像的轮廓图。

请再参阅图4，图4是图2中的步骤S202的细化流程示意图；

如图4所示，该步骤S202，包括：

步骤S221：调整芯片溢胶图像的对比度，对芯片溢胶图像进行二值化处理，获取原始二值图；

具体的，根据芯片溢胶图像的对比度，对芯片溢胶图像进行二值化处理，即提高芯片溢胶图像的对比度，使溢胶以及溢胶镜像在芯片溢胶图像中呈高亮，再将芯片溢胶图像上的溢胶以及溢胶镜像的像素点设置为255，将芯片溢胶图像上的背景的像素点设置为0，使得芯片溢胶图像上的溢胶以及溢胶镜像呈现明显的白色，芯片溢胶图像上的背景呈现明显的黑色，得到芯片溢胶图像呈现出明显的只有黑与白的视觉效果，将芯片溢胶图像二值化处理后得到的只有黑色和白色的图像即为原始二值图。

在本申请实施例中，通过提高芯片溢胶图像的对比度，使芯片溢胶图像中的溢胶以及溢胶镜像图像呈高亮，使二值化处理后的芯片溢胶图像的溢胶以及溢胶镜像图像与背景能够呈现出明显的分界线。

在本申请实施例中，以拍摄角度为45°获取到的芯片溢胶图像为例，将芯片溢胶图像二值化处理后得到原始二值图，获取到的原始二值图如下示例。

请再参阅图5，图5是本申请实施例提供的一种获取芯片溢胶图像的原始二值图的示例示意图；

如图5所示，该图为芯片溢胶图像经过二值化处理后得到的原始二值图中的某个区域，其中，A区域为二值化处理后的溢胶镜像图像，B区域为二值化处理后的溢胶的图像，C区域为二值化处理后的芯片溢胶图像的背景，在拍摄角度为45°的角度下，溢胶与溢胶镜像相互对称。

步骤S222：对原始二值图进行背景分割，得到目标二值图，目标二值图包括溢胶的二值图与溢胶镜像的二值图；

具体的，获取芯片溢胶图像进行二值化处理后得到原始二值图，使用局部阈值法对原始二值图进行背景分割，即分割原始二值图中黑色部分，剩下白色部分即为目标二值图，该目标二值图包括溢胶的二值图以及溢胶镜像的二值图。

在本申请实施例中，通过分割原始二值图的背景，简化了二值化后的芯片溢胶图像，使溢胶的轮廓以及溢胶镜像的轮廓更加清晰。

步骤S223：对目标二值图中的溢胶与溢胶镜像进行轮廓提取，得到芯片溢胶图像的轮廓图；

具体的，获取芯片溢胶图像的目标二值图，采用轮廓提取法提取目标二值图中的溢胶的轮廓以及溢胶镜像的轮廓，删除溢胶的二值图内部的像素点以及溢胶镜像的二值图内部的像素点，即溢胶的二值图内部的目标像素点为白色，且与它相邻的8个像素点都为白色，则将该目标像素点删除，即将目标像素点设置为黑色，使目标像素点与溢胶的轮廓有明显的黑白对比，遍历除去边界的每一个像素，得到溢胶的轮廓，溢胶镜像的二值图的处理方法与溢胶的二值图的处理方法相同，最后得到溢胶的轮廓以及溢胶镜像的轮廓，溢胶的轮廓以及溢胶镜像的轮廓组合成芯片溢胶图像的轮廓图。获取到的芯片溢胶图像的轮廓图如下示例。

请再参阅图6，图6是本申请实施例提供的一种提取溢胶的轮廓与溢胶镜像的轮廓的示例示意图；

如图6所示，该图为芯片溢胶图像的轮廓图中的其中一部分区域，其中，A区域的白色线为溢胶镜像的轮廓，B区域的白色线为溢胶的轮廓，在拍摄角度为45°的角度下，溢胶的轮廓与溢胶镜像的轮廓相互对称。

在本申请实施例中，对芯片溢胶图像进行二值化处理得到原始二值图，分割原始二值图中的背景得到目标二值图，对目标二值图中的溢胶的二值图以及溢胶镜像的二值图进行轮廓提取得到芯片溢胶图像的轮廓，本申请不需要获取高分辨率的图像，就能够得到清晰的溢胶的轮廓以及溢胶镜像的轮廓。

步骤S203：根据轮廓图，确定溢胶与溢胶镜像的中心线；

在本申请实施例中，当拍摄角度为45°时，溢胶的轮廓与溢胶镜像的轮廓关于中心线对称。当拍摄角度为其它角度时，溢胶的轮廓与溢胶镜像的轮廓关于中心线呈比例关系。

在本申请实施例中，主要从拍摄角度为45°的角度确定中心线的位置。

具体的，根据轮廓图，确定溢胶的轮廓与溢胶镜像的轮廓之间的中心线，溢胶的轮廓与溢胶镜像的轮廓关于中心线对称。

请再参阅图7，图7是图2中的步骤S203的细化流程示意图；

如图7所示，该步骤S203，包括：

步骤S231：基于轮廓图，建立坐标系，溢胶的轮廓与溢胶镜像的轮廓均处于坐标系内；

具体的，获取芯片溢胶图像的轮廓图，以芯片溢胶图像的轮廓图的左下角为原点建立以毫米为单位的坐标系x-y，像素坐标系的横轴为x，像素坐标系的纵轴为y，溢胶的轮廓以及溢胶镜像的轮廓均处于坐标系的第一象限内。

步骤S232：于溢胶的轮廓的一端设置像素线，像素线与坐标系的横轴平行；

在本申请实施例中，通过摄像设备拍摄芯片溢胶图像时，芯片上表面的边缘在图像中是水平的。可以理解的是，在轮廓图中设置的像素线是与芯片上表面的边缘平行的。

具体的，在溢胶的轮廓的边缘设置像素线，该像素线由一个个像素点组成，且该像素线与坐标系的横轴平行。

步骤S233：基于像素线在坐标系上的移动，确定溢胶与溢胶镜像的中心线；

具体的，像素线从溢胶的轮廓的边缘往溢胶镜像的轮廓的边缘移动，当溢胶的轮廓与溢胶镜像的轮廓关于像素线对称，则确定该位置上的像素线为中心线，其中，像素线在移动过程中一直与坐标系的横轴保持平行。

在本申请实施例中，通过在芯片溢胶图像的轮廓图上建立坐标系，在轮廓图上设置像素线，进一步确定溢胶以及溢胶镜像的中心线，通过坐标系能够清晰的知道像素线所移动的位置，从而能够确定溢胶以及溢胶镜像的中心线，进一步快速找到溢胶与芯片的交界线。

请再参阅图8，图8是图7中的步骤S233的细化流程示意图；

如图8所示，该步骤S233，包括：

步骤S2301：在坐标系沿溢胶的轮廓到溢胶镜像的轮廓的方向，逐个像素移动像素线，使得像素线遍历轮廓图；

在本申请实施例中，假设开始在溢胶的轮廓的一段设置的像素线为中心线，像素线每移动一步就判断此时像素线所在的位置是否是实际的中心线。

具体的，像素线沿着溢胶的轮廓到溢胶镜像的轮廓的方向移动，直到该像素线遍历整个轮廓图，则停止像素线的移动。

请再参阅图9，图9是本申请实施例提供的一种像素线遍历轮廓图的示例示意图；

如图9所示，该图为芯片溢胶图像的轮廓图中的某个区域，其中，A区域的白色线为溢胶镜像的轮廓，B区域的白色线为溢胶的轮廓，a为像素线，像素线从下往上移动，直到遍历完整个轮廓图。

步骤S2302：获取像素线上的每一个像素点距离溢胶的轮廓最近的点，记为第一轮廓点；

具体的，获取像素线所处的坐标系中的位置，找到该位置上的像素线上的每一个像素点与溢胶的轮廓上的距离最近的轮廓点，该与像素点距离最近的轮廓点记为第一轮廓点，每一个第一轮廓点都与一个像素点对应。

步骤S2303：获取像素线上的每一个像素点距离溢胶镜像的轮廓最近的点，记为第二轮廓点；

具体的，获取像素线所处的坐标系中的位置，找到该位置上的像素线上的每一个像素点与溢胶镜像的轮廓上的距离最近的轮廓点，该与像素点距离最近的轮廓点记为第二轮廓点，每一个第二轮廓点都与一个像素点对应。

步骤S2304：获取第一轮廓点与像素线的距离设为第一距离，获取第二轮廓点与像素线的距离设为第二距离；

具体的，获取第一轮廓点的坐标、获取第二轮廓点的坐标以及像素线所处的竖轴位置，第一轮廓点的纵坐标、第二轮廓点的纵坐标相同，计算第一轮廓点与像素线之间的距离得到第一距离，计算第二轮廓点与像素线之间的距离得到第二距离。

步骤S2305：计算第一距离与第二距离的距离比例；

具体的，计算第一轮廓点与像素线的距离得到第一距离，以及计算第二轮廓点与像素线的距离得到第二距离，进一步计算第一距离与第二距离之比得到一个距离比例，该距离比例所对应的第一轮廓点、第二轮廓点以及像素线上的像素点均处于同一条竖直线上。

步骤S2306：根据距离比例，确定溢胶与溢胶镜像的中心线；

具体的，计算每一条像素线上的像素点对应的距离比例，根据该距离比例，进一步确定溢胶与溢胶镜像的中心线。

在本申请实施例中，获取溢胶的轮廓点与像素线的距离得到第一距离，获取溢胶镜像的轮廓点与像素线的距离得到第一距离，通过计算第一距离与第二距离之比得到距离比例，根据该距离比例确定中心线的位置，本申请通过精确的计算找到中心线的位置，从而能够精确定位溢胶与芯片的交界线。

请再参阅图10，图10是图8中的步骤S2306的细化流程示意图；

如图10所示，该步骤S2306，包括：

步骤S2316：根据距离比例，确定像素线上的得分点，以确定同一条像素线上的得分点的数量；

具体的，计算每一条像素线上的像素点对应的距离比例，根据该距离比例，确定该距离比例对应的像素点是否是得分点，若是，则标记该像素点为得分点以及该像素点对应的像素线，所有距离比例对应的像素点都判断之后，统计被标记的每一条像素线上被标记的像素点的数量，得到每一条被标记的像素线的总得分点，即每一条像素线上的得分点的数量。

步骤S2326：确定每一条像素线的得分点的数量，并将得分点的数量最多的像素线确定为中心线；

具体的，确定每一条像素线的得分点的数量，比较每一条像素线的总得分点的数量，确定总得分点数量最多的像素线为中心线，并记录该中心线所在的纵坐标的位置。

请再参阅图11，图11是图10中的步骤S2316的细化流程示意图；

如图11所示，该步骤S2316，包括：

步骤S2361：根据距离比例，确定像素线上的得分点；

具体的，计算每一条像素线上的像素点对应的距离比例，根据该距离比例，确定该距离比例对应的像素点是否是得分点，若是，则标记该像素点为得分点以及该像素点对应的像素线。

步骤S2362：距离比例是否处于阈值范围内；

在本申请实施例中，主要以拍摄角度为45°时为例，计算像素点的距离比例以及根据距离比例确定中心线。

在本申请实施例中，当拍摄角度为45°时，溢胶的轮廓与溢胶镜像的轮廓关于中心线对称。可以理解的是，在理想状态下，中心线上的每一个像素点对应的距离比例都为1，当拍摄角度为其它角度时，例如30°、60°，理想状态下，中心线上的每一个像素点对应的距离比例分别为0.5、2.0。在现实状态下，测量第一轮廓点与像素线的距离以及第二轮廓点与像素线的距离总会存在误差，则计算确定的距离比例也会存在误差，但中心线上的像素点对应的距离比例总会接近1。

在本申请实施例中，当拍摄角度为45°时，存在误差的情况下，根据测量精度，设置阈值范围为0.8-1.2。

具体的，确定每一条像素线上的像素点的距离比例，逐个判断每一个像素点对应的距离比例是否处于阈值范围内，若是，则跳转至步骤S2363，若否，则跳转至步骤S2364。

步骤S2363：确定距离比例对应的像素线上的像素点为得分点；

具体的，若距离比例处于阈值范围内，则确定该距离比例对应的像素点为得分点，标记该像素点对应的像素线。

步骤S2364：确定距离比例对应的像素线上的像素点不为得分点；

具体的，若距离比例不处于阈值范围内，则该距离比例对应的像素点不为得分点。

在本申请实施例中，通过计算第一距离与第二距离之比得到距离比例，再根据距离比例确定像素线上的得分点，进一步确定得分点的数量最多的像素线为中心线，本申请能够准确确定中心线，以进一步获取芯片溢胶的厚度。

步骤S204：根据中心线，确定芯片溢胶厚度；

在本申请实施例中，确定的溢胶与溢胶镜像的中心线即为溢胶与芯片侧面之间的交界线。

具体的，根据中心线，确定溢胶与芯片侧面之间的交界线，再根据该交界线，确定芯片溢胶厚度。

请再参阅图12，图12是图2中的步骤S204的细化流程示意图；

如图12所示，该步骤S204，包括：

步骤S241：根据中心线，确定未被溢胶覆盖的芯片厚度；

具体的，根据中心线，确定溢胶与芯片侧面之间的交界线，获取摄像设备的拍摄角度以及未被溢胶覆盖的芯片的厚度在摄像设备方向上的投影长度，根据拍摄角度以及投影长度，计算出未被溢胶覆盖的芯片厚度。

请再参阅图13，图13是图12中的步骤S241的细化流程示意图；

如图13所示，该步骤S241，包括：

步骤S2411：根据中心线，确定未被溢胶覆盖的芯片的厚度在摄像设备方向上的投影长度；

在本申请实施例中，摄像设备能够获取芯片溢胶的图像上未被溢胶覆盖的芯片厚度在图像的竖直方向上的投影长度在图像上所占的比例大小。

具体的，确定了中心线即确定了芯片与溢胶的交界线，已知摄像设备的拍摄角度，已知未被溢胶覆盖的芯片厚度在芯片溢胶的图像的竖直方向上的投影长度在芯片溢胶的图像上所占的比例大小，芯片的位置固定，并且，已知摄像设备的位置信息，利用摄像设备的位置信息以及拍摄角度，根据摄像设备的成像原理以及相似三角形的特点以及已知条件，可以得出未被溢胶覆盖的芯片的厚度在摄像设备方向上的投影长度，例如：可以通过摄像设备的OpenCV库来测量芯片溢胶图像中的未被溢胶覆盖的芯片厚度在芯片溢胶的图像的竖直方向上的投影长度的大小。

步骤S2412：根据投影长度，确定未被溢胶覆盖的芯片厚度；

具体的，根据中心线，确定溢胶与芯片侧面之间的交界线，获取未被溢胶覆盖的芯片的厚度在摄像设备方向上的投影长度以及摄像设备的拍摄角度（θ），投影长度除以sinθ得到未被溢胶覆盖的芯片厚度。

步骤S242：根据未被溢胶覆盖的芯片厚度以及芯片的实际厚度，确定芯片溢胶厚度；

具体的，获取未被溢胶覆盖的芯片厚度以及芯片的实际厚度，芯片的实际厚度减去未被溢胶覆盖的芯片厚度得到芯片溢胶厚度。具体的计算芯片溢胶厚度的方法如下例子。

请再参阅图14，图14是本申请实施例提供的一种计算芯片溢胶厚度的示例示意图；

如图14所示，该图为拍摄角度为45°时芯片溢胶图像的侧面结构图，X区域为芯片侧面溢胶，Y区域为在拍摄角度为45°下溢胶在芯片侧面反射成溢胶镜像，且溢胶与溢胶镜像关于中心线对称，Z区域为芯片的另一侧面，h为芯片的实际厚度，x为未被溢胶覆盖的芯片的厚度，θ为摄像设备的拍摄角度，h1为未被溢胶覆盖的芯片的厚度在摄像设备方向上的投影长度，摄像设备在拍摄角度为θ的方向上，箭头所指的位置为交界线的位置。h1、h已知，θ为45°，求x，根据三角形的几何关系，可得x=h1/sin45°，芯片溢胶的厚度=h- h1/sin45°。

在本申请实施例中，当拍摄角度为其它角度时，利用上述定位中心线的方法找到溢胶与芯片的中心线，再利用公式求得芯片溢胶的厚度，在此不再举例说明。

在本申请实施例中，通过获取芯片溢胶图像，根据芯片溢胶图像，确定芯片溢胶图像的轮廓图，根据轮廓图，确定溢胶与溢胶镜像的中心线，根据中心线，确定芯片溢胶厚度。本申请解决了现有技术检测芯片溢胶厚度不准确的问题，无需获取清晰的芯片溢胶图像，就能够获取到清晰的芯片溢胶图像的轮廓图，根据轮廓图，准确定位溢胶与芯片的交界线，进一步获取到芯片的溢胶厚度。

请参阅图15，图15是本申请实施例提供的一种芯片溢胶厚度的计算装置的结构示意图；

如图15所示，该芯片溢胶厚度的计算装置150，包括：

图像获取单元151，用于获取芯片溢胶图像；

轮廓图确定单元152，用于根据芯片溢胶图像，确定芯片溢胶图像的轮廓图；

中心线确定单元153，用于根据轮廓图，确定溢胶与溢胶镜像的中心线；

芯片溢胶厚度确定单元154，用于根据中心线，确定芯片溢胶厚度。

在本申请实施例中，芯片溢胶厚度的计算装置可以为软件模块，软件模块包括若干指令，其存储在存储器内，处理器可以访问该存储器，调用指令进行执行，以完成上述各个实施例的芯片溢胶厚度的计算方法。

在本申请实施例中，芯片溢胶厚度的计算装置亦可以由硬件器件搭建成的，例如，芯片溢胶厚度的计算装置可以由一个或两个以上的芯片搭建而成，各个芯片可以互相协调工作，以完成上述各个实施例所阐述的芯片溢胶厚度的计算方法。再例如，芯片溢胶厚度的计算装置还可以由各类逻辑器件搭建而成，诸如由通用处理器、数字信号处理器（DSP）、专用集成电路（ASIC）、现场可编程门阵列（FPGA）、单片机、ARM（Acorn RISC Machine）或其它可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立的硬件组件或者这些部件的任何组合而搭建成。

本申请实施例中的芯片溢胶厚度的计算装置可以是装置，也可以是终端中的部件、集成电路、或芯片。该装置可以是移动电子设备，也可以为非移动电子设备。示例性的，移动电子设备可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载电子设备、可穿戴设备、超级移动个人计算机（ultra-mobile personal computer，UMPC）、上网本或者个人数字助理（personal digital assistant，PDA）等，非移动电子设备可以为服务器、网络附属存储器（Network Attached Storage，NAS）、个人计算机（personal computer，PC）、电视机（television，TV）、柜员机或者自助机等，本申请实施例不作具体限定。

本申请实施例中的芯片溢胶厚度的计算装置可以为具有操作系统的装置。该操作系统可以为安卓（Android）操作系统，可以为ios操作系统，还可以为其他可能的操作系统，本申请实施例不作具体限定。

本申请实施例提供的芯片溢胶厚度的计算装置能够实现图2的方法实施例实现的各个过程，为避免重复，这里不再赘述。

需要说明的是，上述装置可执行本申请实施例所提供的芯片溢胶厚度的计算方法，具备执行方法相应的功能模块和有益效果。未在装置实施例中详尽描述的技术细节，可参见本申请实施例所提供的芯片溢胶厚度的计算方法。

在本申请实施例中，通过提供一种芯片溢胶厚度的计算装置，包括图像获取单元，用于获取芯片溢胶图像；轮廓图确定单元，用于根据芯片溢胶图像，确定芯片溢胶图像的轮廓图；中心线确定单元，用于根据轮廓图，确定溢胶与溢胶镜像的中心线；芯片溢胶厚度确定单元，用于根据中心线，确定芯片溢胶厚度。

本申请通过获取芯片溢胶图像的轮廓图，精确定位溢胶与芯片的交界线，能够精确获取到芯片溢胶的厚度。

请再参阅图16，图16是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

如图16所示，该电子设备10包括一个或多个处理器101以及存储器102。其中，图16中以一个处理器101为例。

处理器101和存储器102可以通过总线或者其他方式连接，图16中以通过总线连接为例。

处理器，用于执行本申请任意实施例中的芯片溢胶厚度的计算方法，包括：

获取芯片溢胶图像，根据芯片溢胶图像，确定芯片溢胶图像的轮廓图，根据轮廓图，确定溢胶与溢胶镜像的中心线，根据中心线，确定芯片溢胶厚度。

通过获取芯片溢胶图像的轮廓图，精确定位溢胶与芯片的交界线，能够精确获取到芯片溢胶的厚度。

存储器102作为一种非易失性计算机可读存储介质，可用于存储非易失性软件程序、非易失性计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中的芯片溢胶厚度的计算方法对应的程序指令/模块。处理器101通过运行存储在存储器102中的非易失性软件程序、指令以及模块，从而执行电子设备的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例的芯片溢胶厚度的计算方法。

存储器102可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实施例中，存储器102可选包括相对于处理器101远程设置的存储器。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

一个或者多个模块存储在存储器102中，当被一个或者多个处理器101执行时，执行上述任意方法实施例中的芯片溢胶厚度的计算方法，例如，执行以上描述的图2所示的各个步骤。

本申请实施例还提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括一条或多条程序代码，该程序代码存储在非易失性计算机可读存储介质中，电子设备的处理器从非易失性计算机可读存储介质读取该程序代码，处理器执行该程序代码，以完成上述实施例中提供的芯片溢胶厚度的计算方法的步骤。

通过以上实施方式的描述，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来程序代码相关的硬件完成，该程序可以存储于一种非易失性计算机可读存储介质中，上述提到的非易失性计算机可读存储介质可以是只读存储器、磁盘或光盘等。

通过以上的实施方式的描述，本领域普通技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，程序可存储于一非易失性计算机可读存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，非易失性计算机可读存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体（Read-Only Memory，ROM）或随机存储记忆体（Random Access Memory，RAM）等。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上述的本申请的不同方面的许多其它变化，为了简明，它们没有在细节中提供；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种芯片溢胶厚度的计算方法，其特征在于，所述芯片包括芯片侧面，所述芯片侧面能用于反射溢胶形成溢胶镜像，包括：

获取芯片溢胶图像，其中，所述芯片溢胶图像包括芯片的溢胶以及所述溢胶镜像；

根据所述芯片溢胶图像，确定所述芯片溢胶图像的轮廓图；

根据所述轮廓图，确定溢胶与所述溢胶镜像的中心线，其中，所述中心线为所述溢胶与所述芯片侧面之间的交界线；

根据所述中心线，确定芯片溢胶厚度；

所述根据所述中心线，确定芯片溢胶厚度，包括：

根据所述中心线，确定未被溢胶覆盖的芯片厚度；

根据所述未被溢胶覆盖的芯片厚度以及芯片的实际厚度，确定所述芯片溢胶厚度；

所述根据所述中心线，确定未被溢胶覆盖的芯片厚度，包括：

根据所述中心线，确定未被溢胶覆盖的芯片的厚度在摄像设备方向上的投影长度；

根据所述投影长度，确定未被溢胶覆盖的芯片厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取芯片溢胶图像，包括：

获取拍摄角度；

基于所述拍摄角度，获取所述芯片溢胶图像，其中，所述芯片溢胶图像包括溢胶以及溢胶镜像。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述芯片溢胶图像，确定所述芯片溢胶图像的轮廓图，包括：

调整所述芯片溢胶图像的对比度，并对所述芯片溢胶图像进行二值化处理，获取原始二值图；

对所述原始二值图进行背景分割，得到目标二值图，所述目标二值图包括所述溢胶的二值图与所述溢胶镜像的二值图；

对所述目标二值图中的溢胶与溢胶镜像进行轮廓提取，得到所述芯片溢胶图像的轮廓图。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述轮廓图包括所述溢胶的轮廓与所述溢胶镜像的轮廓，所述根据所述轮廓图，确定溢胶与溢胶镜像的中心线，包括：

基于所述轮廓图，建立坐标系，所述溢胶的轮廓与所述溢胶镜像的轮廓均处于所述坐标系内；

于所述溢胶的轮廓的一端设置像素线，所述像素线与坐标系的横轴平行；

基于所述像素线在所述坐标系上的移动，确定所述溢胶与所述溢胶镜像的中心线。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述像素线在所述坐标系上的移动，确定所述溢胶与所述溢胶镜像的中心线，包括：

在所述坐标系沿溢胶的轮廓到溢胶镜像的轮廓的方向，逐个像素移动所述像素线，使得所述像素线遍历所述轮廓图；

获取所述像素线上的每一个像素点距离所述溢胶的轮廓最近的点，记为第一轮廓点；

获取所述像素线上的每一个像素点距离所述溢胶镜像的轮廓最近的点，记为第二轮廓点；

获取所述第一轮廓点与所述像素线的距离设为第一距离，获取所述第二轮廓点与所述像素线的距离设为第二距离；

计算所述第一距离与所述第二距离的距离比例；

根据所述距离比例，确定所述溢胶与溢胶镜像的中心线。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述距离比例，确定所述溢胶与溢胶镜像的中心线，包括：

根据所述距离比例，确定所述像素线上的得分点，以确定同一条像素线上的得分点的数量；

确定每一条像素线的得分点的数量，并将得分点的数量最多的像素线确定为中心线。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述像素线上的每一个像素点对应一个距离比例，所述根据所述距离比例，确定所述像素线上的得分点，包括：

根据测量精度设置阈值范围，判断所述距离比例是否处于阈值范围内；

若所述距离比例处于阈值范围内，则确定所述距离比例对应的像素线上的像素点为得分点。

8.一种电子设备，其特征在于，包括：至少一个处理器、以及至少一个存储器，其中，所述存储器存储有计算机程序，当所述计算机程序被所述处理器执行时，使得所述处理器执行权利要求1-7中任一项权利要求所述方法的步骤。