CN116000784B - 硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置，所述承载件包括：形成有通孔的本体；衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬，所述内衬用于容置硅片，其中，所述内衬具有多孔疏水结构，使得聚集在所述硅片的外周面与所述内衬的内周面之间的间隙中的抛光液能够经由所述多孔疏水结构中的孔隙疏散。根据本发明实施例的承载件能够使硅片的周缘处的抛光液的量减小，改善抛光程度不均匀性，提高硅片表面平坦度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置。
背景技术
在半导体硅片的生产工艺中，通常需要对硅片进行双面抛光，以去除硅片成型处理过程中产生在硅片表面的损伤并将硅片表面形成为镜面状，这一处理过程通常是利用硅片双面抛光装置来完成的。
在硅片双面抛光装置中，硅片承载在承载件中。具体地，承载件可以设置在上下抛光垫之间并且可以形成有将承载件贯穿的容置部，硅片可以容置在该容置部中，以随承载件一起相对于上下抛光垫运动，由此实现使硅片的两个圆形主表面都被上下抛光垫抛光。
在上述抛光过程中，来自抛光垫的抛光液会聚集在硅片的外周面与容置部的内周壁之间的间隙中，从而使硅片的周缘处的抛光液的量增大，导致硅片的两个圆形主表面中靠近于硅片的周缘处的部分的抛光程度增大，从而导致硅片的表面平坦度恶化。
随着半导体技术的不断发展，对硅片表面平坦度要求越来越高，由于上述问题的存在，常规的硅片双面抛光装置已无法满足这样的要求。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置，能够降低硅片的周缘处的抛光程度，从而减小硅片的周缘处与中央处的抛光程度之间的差异，改善硅片表面平坦度。
本发明的技术方案是这样实现的：
第一方面，本发明实施例提供了一种硅片双面抛光装置的承载件，所述承载件包括：
形成有通孔的本体；
衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬，所述内衬用于容置硅片，其中，所述内衬具有多孔疏水结构，使得聚集在所述硅片的外周面与所述内衬的内周面之间的间隙中的抛光液能够经由所述多孔疏水结构中的孔隙疏散。
第二方面，本发明实施例提供了一种硅片双面抛光装置，所述硅片双面抛光装置包括根据第一方面所述的承载件。
本发明实施例提供了一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置，由于内衬具有多孔疏水结构，因此聚集在上述的间隙中的抛光液能够通过多孔疏水结构中的孔隙被逐渐地疏散，使得间隙处始终保持少量的抛光液，由此降低硅片的周缘处的抛光程度，改善硅片表面平坦度。
附图说明
图1为根据本发明的实施例的硅片双面抛光装置的承载件的俯视示意图；
图2为沿着图1中的线A-A剖切的局部剖视示意图；
图3为根据本发明的优选实施例的承载件的局部剖视示意图；
图4为根据本发明的实施例的硅片双面抛光装置的俯视示意图；
图5为根据本发明的实施例的硅片双面抛光装置的正视示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
参见图1和图2并结合图4和图5，本发明实施例提供了一种硅片双面抛光装置1的承载件10，所述承载件10可以包括：
形成有通孔11H的本体11；
衬入在所述本体11的通孔11H中的环状的内衬12，所述内衬12用于容置硅片W，其中，所述内衬12具有多孔疏水结构121，如在图2中示出的，使得聚集在所述硅片W的外周面WS与所述内衬12的内周面12S之间的间隙G中的抛光液PL能够经由所述多孔疏水结构121中的孔隙P疏散，如在图2中通过曲线箭头示意性地示出的，比如疏散至将在下文中进一步详细描述的下抛光垫50。
对于根据本发明的实施例的承载件10而言，由于内衬12具有多孔疏水结构121，因此聚集在上述的间隙G中的抛光液PL能够通过多孔疏水结构121中的孔隙P被逐渐地疏散，使得间隙G处始终保持少量的抛光液PL，由此降低硅片W的周缘处的抛光程度，改善硅片表面平坦度。
为了便于上述的内衬12的生产和制造，在本发明的优选实施例中，参见图3，所述内衬12可以由多孔材料制成。这样，不再需要专门将多孔疏水结构121设置在内衬12中，而是内衬12的整体都为多孔材料，由此能够将内衬12的生产和制造过程简化。
对于上述的多孔材料的孔隙率而言，如果孔隙率太大的话，会导致上述的间隙G中的抛光液PL疏散的太快，使得硅片W的周缘处没有足够的抛光液PL，而如果孔隙率太小的话，会导致上述的间隙G中的抛光液PL无法得到充分的疏散，由此仍然会存在硅片W的周缘处的抛光液PL的量较多，抛光程度高的问题。对此，在本发明的优选实施低到中，所述多孔材料的孔隙率可以介于40％至60％之间，这样，可以确保在硅片W的周缘处存在适量的抛光液PL，由此确保抛光程度和表面平坦度。
优选地，所述多孔材料可以为多孔陶瓷。多孔陶瓷具有强度高、特理和化学性质稳定等优点，适于在对硅片W进行双面抛光的工艺中使用，并且孔隙率可控的多孔陶瓷是易于生产和制造的。
优选地，所述多孔陶瓷的材质可以为耐水、耐酸碱的纯炭质材料。
为了使承载件10所装配于的硅片双面抛光装置1在结构上更为紧凑并且确保抛光质量，在本发明的优选实施例中，参见图1，所述本体11可以形成有三个通孔11H，所述三个通孔11H可以在所述本体11中均匀分布。
参见图4，本发明实施例还提供了一种硅片双面抛光装置1，所述硅片双面抛光装置1可以包括根据本发明上述各实施例的承载件10。
参见图4，所述本体11可以呈圆盘状并且具有本体外齿11T，如在图4中通过粗实线示意性地示出的，并且硅片双面抛光装置1还可以包括：
内齿圈20，所述内齿圈20具有内齿圈外齿20T，如在图4中同样通过粗实线示意性地示出的；
设置在所述内齿圈20外围的外齿圈30，所述外齿圈30具有外齿圈内齿30T，如在图4中同样通过粗实线示意性地示出的；
其中，所述本体外齿11T用于与所述内齿圈外齿20T以及所述外齿圈内齿30T啮合，这样，当内齿圈20和外齿圈30各自进行旋转时，便可以驱动承载件10以及承载在该承载件10中的硅片W运动。
参见图5，所述硅片双面抛光装置1还可以包括分别设置在所述承载件10的上方和下方以夹持所述承载件10的上抛光垫40和下抛光垫50。
参见图5，所述硅片双面抛光装置1还可以包括设置在所述上抛光垫40的上方的上定盘60和设置在所述下抛光垫50下方的下定盘70，所述上定盘60和所述下定盘70用于提供使所述上抛光垫40和所述下抛光垫50夹持所述承载件10的夹持力。
需要说明的是：本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种硅片双面抛光装置的承载件，其特征在于，所述承载件包括：
形成有通孔的本体；
衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬，所述内衬用于容置硅片，其中，所述内衬具有多孔疏水结构，使得聚集在所述硅片的外周面与所述内衬的内周面之间的间隙中的抛光液能够经由所述多孔疏水结构中的孔隙疏散，
其中，所述内衬由多孔材料制成，所述多孔材料的孔隙率介于40％至60％之间。
2.根据权利要求1所述的承载件，其特征在于，所述多孔材料为多孔陶瓷。
3.根据权利要求2所述的承载件，其特征在于，所述多孔陶瓷的材质为耐水、耐酸碱的纯炭质材料。
4.根据权利要求1或2所述的承载件，其特征在于，所述本体形成有三个通孔，所述三个通孔在所述本体中均匀分布。
5.一种硅片双面抛光装置，其特征在于，所述硅片双面抛光装置包括根据权利要求1至4中任一项所述的承载件。
6.根据权利要求5所述的硅片双面抛光装置，其特征在于，所述本体呈圆盘状并且具有本体外齿，并且硅片双面抛光装置还包括：
内齿圈，所述内齿圈具有内齿圈外齿；
设置在所述内齿圈外围的外齿圈，所述外齿圈具有外齿圈内齿；
其中，所述本体外齿用于与所述内齿圈外齿以及所述外齿圈内齿啮合。
7.根据权利要求6所述的硅片双面抛光装置，其特征在于，所述硅片双面抛光装置还包括分别设置在所述承载件的上方和下方以夹持所述承载件的上抛光垫和下抛光垫。
8.根据权利要求7所述的硅片双面抛光装置，其特征在于，所述硅片双面抛光装置还包括设置在所述上抛光垫的上方的上定盘和设置在所述下抛光垫下方的下定盘，所述上定盘和所述下定盘用于提供使所述上抛光垫和所述下抛光垫夹持所述承载件的夹持力。
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