CN115980432A - 一种电压检测电路 - Google Patents

Abstract

一种电压检测电路，应用于电子技术领域。该电路包括低压处理电路和与低压处理电路耦合的高压处理电路。低压处理电路的输入端连接电源，高压处理电路的输出端连接负载；低压处理电路用于在电源的输入电压低于低压阈值时，限制输入电压流入高压处理电路；高压处理电路用于在电源的输入电压高于高压阈值时，对输入电压进行降压，将降压后的输入电压输出给负载。本方案可以实现当电源的输入电压低于低压阈值时，使负载处于休息状态；此外，当电源的输入电压高于低压阈值且低于高压阈值时，使负载处于工作状态。由于低压处理电路与高压处理电路的资金成本较低且响应速度快，故本方案可以实现以低资金成本且高响应速度实现对电压的控制。

Description

一种电压检测电路

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种电压检测电路。

背景技术

电压检测电路用于控制电路系统的工作状态。当电压检测电路接收到的输入电压的电压值属于该电路系统的工作电压范围内时，电压检测电路输出工作电压至电路系统，使电路系统中的负载正常工作。当电压检测电路接收到的输入电压的电压值不属于该电路系统的工作电压范围内时，电压检测电路不向电路系统输出电压，或者说，电压检测电路向电路系统输出0V电压，使得电路系统中的负载不工作。

现阶段，电压检测电路通常由电压比较器与金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,简称MOS管)组成，或者直接采用成熟的直流变直流(direct current/direct current，DC/DC)芯片。然而，上述两种电压检测电路中需要的电容、电感、以及电阻等器件的数量较多，因此购买资金成本比较高，且不符合对电压检测电路小型化和低功耗的设计目标；此外，上述两种电压检测电路的响应速度较慢，不适用对响应速度有高要求的业务场景。

综上，目前暨需一种电压检测电路，用于以低资金成本且高响应速度实现电压控制。

发明内容

本发明提供一种电压检测电路，用于以低资金成本且高响应速度实现电压控制。

第一方面，本发明提供一种电压检测电路，包括：低压处理电路和与低压处理电路耦合的高压处理电路，低压处理电路和高压处理电路通过开关单元实现；低压处理电路的输入端连接电源，高压处理电路的输出端连接负载；低压处理电路，用于在电源的输入电压低于低压阈值时，限制输入电压流入高压处理电路；高压处理电路，用于在电源的输入电压高于高压阈值时，对输入电压进行降压，将降压后的输入电压输出给负载。

在本发明实施例中，通过在电压检测电路中设置低压处理电路以及与低压处理电路耦合的高压处理电路，可以实现当电源的输入电压低于低压阈值时，通过低压处理电路限制输入电压流入高压处理电路从而避免电压流入负载，也即是说，当电源的输入电压低于低压阈值时，负载处于休息状态；此外，当电源的输入电压高于低压阈值且低于高压阈值时，低压处理电路允许输入电压流入高压处理电路，且高压处理电路允许电压流入负载，也即是说，当电源的输入电压高于低压阈值且低于高压阈值时，负载处于工作状态；当电源的输入电压高于高压阈值时，高压处理电路可以对输入电压进行降压，并将降压后的输入电压输出给负载。上述方案中，由于低压处理电路与高压处理电路的资金成本较低且响应速度快，故本方案可以实现以低资金成本且高响应速度实现对电压的控制。

在一种可选的方式中，低压处理电路包括瞬态抑制二极管TVS，TVS的第一端为低压处理电路的输入端，TVS的第二端连接高压处理电路的输入端；TVS的导通电压和低压阈值的差值位于预设范围内。

在本发明实施例中，TVS可以限制短时间内电压的升高，因此可以保护电压检测电路免受瞬时的高压冲击，例如由于误触造成的对电压检测电路的高压冲击。此外，TVS具有快速响应和高阻抗的特点，且TVS的购买资金成本较低。

在一种可选的方式中，高压处理电路包括限流器，限流器的控制电极连接低压处理电路的输出端，限流器的第一电极用于接地，限流器的第二电极用于连接高压处理电路的输出端；限流器，用于在输入电压高于高压阈值时，将流入高压处理电路的电流限制在预设电流范围内。

在本发明实施例中，由于在高压处理电路中设置了限流器，而限流器可以在输入电压高于高压阈值时，将流入高压处理电路的电流限制在预设电流范围内。因此，当电源的输入电压高于高压阈值时，限流器可以输出稳定的电流至高压处理电路中。

在一种可选的方式中，限流器包括负极阳极负极晶体管NPN，NPN的基极为限流器的控制电极，NPN的发射极为限流器的第一电极，NPN的集电极为限流器的第二电极。

在本发明实施例中，NPN管可以控制电流流动。当输入电压高于高压阈值时，NPN管处于饱和状态。饱和状态的NPN管的集电极的电流不再随着基极的电流的增大而增大，而是处于某一固定值附近。因此，当输入电压高于高压阈值时，NPN管的集电极可以输出稳定的电流至高压处理电路中。

在一种可选的方式中，高压处理电路还包括第一电阻；第一电阻的第一端接地，第一电阻的第二端连接NPN的发射极。

在本发明实施例中，通过在高压处理电路中设置第一电阻可以限制发射极的电流的大小，避免发射机过流，从而有效防止NPN受损。此外，通过设置第一电阻可以帮助消除NPN内部的电容效应，可以使NPN的输出电流以及输出电压的稳定性更高，从而提高高压处理电路的稳定性。

在一种可选的方式中，高压处理电路还包括压差形成电路和场效应管；压差形成电路的输入端分别连接限流器的第二电极和场效应管的控制电极，压差形成电路的输出端连接场效应管的第一电极，场效应管的第二电极为高压处理电路的输出端；压差形成电路，用于根据来自限流器的电流在场效应管的第一电极和控制电极之间形成电压差；场效应管，用于根据电压差导通场效应管的第二电极和场效应管的第一电极。

在本发明实施例中，通过在高压处理电路中设置压差形成电路，可以根据来自限流器的电流在场效应管的第一电极和控制电极之间形成电压差；根据电压差将场效应管导通，使得场效应管将电压输出至负载。

在一种可选的方式中，压差形成电路包括第二电阻和电压转换器；第二电阻的第一端为压差形成电路的输入端，第二电阻的第二端连接电压转换器的输入端，电压转换器的输出端为压差形成电路的输出端。

在本发明实施例中，通过在压差形成电路中设置第二电阻和电压转换器，使得在压差形成电路的输入端以及输出端之间形成电压差。

在一种可选的方式中，场效应管为P型金属氧化物半导体PMOS管，PMOS管的栅极为场效应管的控制电极，PMOS管的源极为场效应管的第一电极，PMOS管的漏极为场效应管的第二电极。

在本发明实施例中，PMOS管用于控制电路中的电流流动。当PMOS的栅极与源极间的电压大于PMOS的开启电压时，PMOS导通，向负载输出电压。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种电压检测电路的示意图；

图2为本发明实施例提供的一种高压处理电路的示意图；

图3为本发明实施例提供的一种压差形成电路的示意图；

图4为本发明实施例提供的一种可能的电压检测电路的实际电路示意图；

图5为本发明实施例提供的一种电压检测电路的响应时间的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。且，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应所述理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本公开的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。

如背景技术中描述，现有技术中的电压检测电路购买资金成本较高、响应速度较慢。

鉴于此，本发明实施例提供一种电压检测电路，用于以低资金成本且高响应速度实现电压控制。

如图1所示，为本发明实施例提供的一种电压检测电路的示意图。该电压检测电路包括：低压处理电路和与低压处理电路耦合的高压处理电路。其中，低压处理电路和高压处理电路通过开关单元实现。低压处理电路的输入端A1连接电源，低压处理电路的输出端A2连接高压处理电路的输入端B1；高压处理电路的输出端B2连接负载。

具体的，低压处理电路用于在电源的输入电压低于低压阈值时，限制输入电压流入高压处理电路。其中，低压阈值指电压检测电路可接受的电源的最小电压，当电源的输入电压低于低压阈值时，电压检测电路限制电压流入负载，使负载处于休息状态。需要说明的是，低压阈值的取值与电压检测电路所连接的负载的类型有关，对于不同类型的负载，电压检测电路的低压阈值可能不同。

高压处理电路用于在电源的输入电压高于高压阈值时，对输入电压进行降压，将降压后的输入电压输出给负载。其中，高压阈值指电压检测电路可接受的电源的最大电压，当电源的输入电压高于低压阈值时，电压检测电路对输入电压进行降压，并将降压后的输入电压输出给负载。需要说明的是，高压阈值的取值与电压检测电路所连接的负载的类型有关，对于不同类型的负载，电压检测电路的高压阈值可能不同。

在本发明实施例中，通过在电压检测电路中设置低压处理电路以及与低压处理电路耦合的高压处理电路，可以实现当电源的输入电压低于低压阈值时，通过低压处理电路限制输入电压流入高压处理电路从而避免电压流入负载，也即是说，当电源的输入电压低于低压阈值时，负载处于休息状态；此外，当电源的输入电压高于低压阈值且低于高压阈值时，低压处理电路允许输入电压流入高压处理电路，且高压处理电路允许电压流入负载，也即是说，当电源的输入电压高于低压阈值且低于高压阈值时，负载处于工作状态；当电源的输入电压高于高压阈值时，高压处理电路可以对输入电压进行降压，并将降压后的输入电压输出给负载。上述方案中，由于低压处理电路与高压处理电路的资金成本较低且响应速度快，故本方案可以实现以低资金成本且高响应速度实现对电压的控制。

在一种可能的实施方式中，低压处理电路包括瞬态抑制二极管(TransientVoltage Suppression Diode，TVS)，TVS的第一端为低压处理电路的输入端，TVS的第二端连接高压处理电路的输入端。TVS的导通电压和低压阈值的差值位于预设范围内。

详细的，TVS是一种特殊的二极管，具有快速响应和高阻抗的特点。其工作原理为：当外界电压超过TVS的导通电压(也即TVS的击穿电压)时，TVS会被快速激活并导通，使得电流流过，从而限制电压的升高。当电压降低到正常范围时，TVS会自动断开。需要说明的是，TVS的导通电压取决于TVS的结构、材料以及制造工艺。一般来说，TVS的导通电压越高，其阻抗就越大，从而可以更好地保护敏感电路免受瞬时电压冲击的影响。

本方案中，由于低压处理电路以及高压处理电路会消耗一部分电压，因此，TVS的导通电压与预设的低压阈值不相等，TVS的导通电压往往略低于预设的低压阈值，换句话说，TVS的导通电压和低压阈值的差值位于预设范围内。示例性地，以低压阈值为5.4v为例，TVS的导通电压可以为4.5v，TVS的导通电压和低压阈值的差值为0.9v。

在本发明实施例中，TVS可以限制短时间内电压的升高，因此可以保护电压检测电路免受瞬时的高压冲击，例如由于误触造成的对电压检测电路的高压冲击。此外，TVS具有快速响应和高阻抗的特点，且TVS的购买资金成本较低。

在一种可能的实施方式中，高压处理电路包括限流器。

如图2所示，为本发明实施例提供的一种高压处理电路的示意图。限流器的控制电极D1连接低压处理电路的输出端，限流器的第一电极D2用于接地，限流器的第二电极D3用于连接高压处理电路的输出端。限流器用于在输入电压高于高压阈值时，将流入高压处理电路的电流限制在预设电流范围内。

在本发明实施例中，由于在高压处理电路中设置了限流器，而限流器可以在输入电压高于高压阈值时，将流入高压处理电路的电流限制在预设电流范围内。因此，当电源的输入电压高于高压阈值时，限流器可以输出稳定的电流至高压处理电路中。

在一种可能的实施方式中，限流器包括负极性阳极性负极性晶体管(negative-positive-negative transistor，NPN)。NPN的基极为限流器的控制电极，NPN的发射极为限流器的第一电极，NPN的集电极为限流器的第二电极。

详细的，NPN是一种常见的三极管，其中N代表N类半导体材料，P代表P类半导体材料，N代表N类半导体材料。NPN由两个P类半导体材料和一个N类半导体材料组成，其中两个P类半导体材料包围着N类半导体材料。NPN的工作原理基于半导体材料的电子迁移特性：在NPN管的正向偏压状态下，跟随PN结的N类半导体材料会产生大量的空穴(hole)。这些空穴会向P类半导体材料运动，并在这两种材料之间产生电流。NPN管具有三个电极：控制电极(也称为基极)、集电极以及发射极。

NPN有三种状态：放大状态、截止状态、饱和状态。当控制电极电流增大到一定程度时，NPN处于饱和状态。在饱和状态下，控制电极的电压大于发射极的电压，发射极的电压大于集电极的电压。饱和状态下的NPN的集电极电流不再随着控制电极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时NPN控制电流流动，集电极与发射极之间的电压很小(通常小于0.6v)，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。

在本发明实施例中，NPN管可以控制电流流动。当输入电压高于高压阈值时，NPN管处于饱和状态。饱和状态的NPN管的集电极的电流不再随着基极的电流的增大而增大，而是处于某一固定值附近。因此，当输入电压高于高压阈值时，NPN管的集电极可以输出稳定的电流至高压处理电路中。

在一种可能的实施方式中，高压处理电路还包括第一电阻。

如图上述2所示，第一电阻的第一端E1接地，第一电阻的第二端E2连接NPN的发射极。

在本发明实施例中，通过在高压处理电路中设置第一电阻可以限制发射极的电流的大小，避免发射机过流，从而有效防止NPN受损。此外，通过设置第一电阻可以帮助消除NPN内部的电容效应，可以使NPN的输出电流以及输出电压的稳定性更高，从而提高高压处理电路的稳定性。

在一种可能的实施方式中，高压处理电路还包括压差形成电路和场效应管。

如图上述2所示，压差形成电路的输入端F1分别连接限流器的第二电极D3和场效应管的控制电极J1，压差形成电路的输出端F2连接场效应管的第一电极J2，场效应管的第二电极J3为高压处理电路的输出端。

详细的，压差形成电路用于根据来自限流器的电流在场效应管的第一电极和控制电极之间形成电压差。场效应管用于根据电压差导通场效应管的第二电极和场效应管的第一电极。

场效应管，又称为场效应晶体管(field effect transistor，FET)，属于电压控制型半导体器件，通过控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流。通常情况下，场效应管包括栅极(gate,G)、漏极(drain,D)、和源极(source,S)三个端。栅极也可以称为控制电极。其中，栅极是由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极，可以被认为是控制一个物理栅的开关，也称为控制电极。栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过。按照类型，场效应管可分为结型场效应管以及金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,简称MOS管)。结型场效应管(junction field-effect transistor，JFET)是一种具有放大功能的三端有源器件，是单极场效应管中最简单的一种。MOS管，广泛应用于模拟电路与数字电路。

在本发明实施例中，通过在高压处理电路中设置压差形成电路，可以根据来自限流器的电流在场效应管的第一电极和控制电极之间形成电压差；根据电压差将场效应管导通，使得场效应管将电压输出至负载。

在一种可能的实施方式中，压差形成电路包括第二电阻和电压转换器。

如图3所示，为本发明实施例提供的一种压差形成电路的示意图。第二电阻的第一端K1为压差形成电路的输入端，第二电阻的第二端K2连接电压转换器的输入端L1，电压转换器的输出端L2为压差形成电路的输出端。

详细的，电压转换器用于将一种电压转换为另一种电压。

在一种可能的实施方式中，电压转换器可以为直流转直流(direct current-to-direct current converter，简称为DC-DC)电压转换器，实现将输入的直流电压调整为所需的电压。具体的，直流转直流电压转换器包括电动机驱动的变频器、桥式整流器和反激式整流器。电动机驱动的变频器通过调整电机的频率来调整电压。桥式整流器通过将交流电转换为直流电并通过调整电阻来调整电压。反激式整流器通过使用电感器和电容器来将交流电转换为直流电，并通过调整感应电流来调整电压。

在本发明实施例中，由于电压转换器的输出端L2连接场效应管的第一电极，通过使用电压转换器，可以使得当电压检测电路导通时，场效应管的第一电极的电压始终维持在固定值。

在本发明实施例中，通过在压差形成电路中设置第二电阻和电压转换器，使得在压差形成电路的输入端以及输出端之间形成电压差。

在一种可能的实施方式中，场效应管为P型金属氧化物半导体PMOS管，PMOS管的栅极为场效应管的控制电极，PMOS管的源极为场效应管的第一电极，PMOS管的漏极为场效应管的第二电极。

在本发明实施例中，PMOS管用于控制电路中的电流流动。当PMOS的栅极与源极间的电压大于PMOS的开启电压时，PMOS导通，向负载输出电压。

MOS管属于场效应管(field effect transistor，FET)中的一种类型，包括栅极、漏极、和源极三个端。关于MOS管的栅极、漏极以及源极的详细介绍可参见前述场效应管的栅极、漏极以及源极的相关介绍，此处不再赘述。按照沟道极性，可将MOS管分为N沟道型与P沟道型。N沟道型通常分别被称为NMOS，P沟道型通常分别被称为PMOS。MOS管常被用作电子开关，其导通条件为在MOS管的栅极与源极间加上正向电压，当正向电压大于MOS管的开启电压时，MOS管被激活导通，实现电流导通。通常，MOS管的开启电压为5V左右。

如图4所示，为本发明实施例提供的一种可能的电压检测电路的实际电路示意图。该实际电路包括电源、低压处理电路401、限流器402、第一电阻403、第二电阻404、电压转换器405、场效应管406、以及负载。其中，低压处理电路401的输入端连接电源，低压处理电路401的输出端连接限流器402的控制电极，限流器402的第一电极连接第一电阻403的第二端，第一电阻403的第一端接地，限流器402的第二电极分别连接第二电阻404的第一端以及场效应管406的控制电极，第二电阻404的第二端连接电压转换器405的输入端，电压转换器405的输出端连接场效应管406的源极，场效应管406的漏极连接负载。

下面参照图4，对电压检测电路中的每个部件进行介绍：

一个示例中，低压处理电路401可以包括一个TVS(图4中的N1)，用于在电源的输入电压低于低压阈值时，限制输入电压流入高压处理电路。关于TVS的详细介绍可参见前述相关介绍，此处不再赘述。

一个示例中，限流器402可以包括一个NPN(图4中的P1)，用于在输入电压高于高压阈值时，将流入高压处理电路的电流限制在预设电流范围内。关于NPN的详细介绍可参见前述相关介绍，此处不再赘述。

一个示例中，第一电阻403可以包括一个电阻(图4中的R1)，用于保护限流器402。

一个示例中，第二电阻404可以包括一个电阻(图4中的R2)，用于形成电压差。

一个示例中，电压转换器405可以包括一个DC-DC电压转换器(图4中的O1)，用于形成电压差。

一个示例中，场效应管406可以包括一个PMOS管，当PMOS管源极与基极间的电压差大于开启电压时，PMOS管导通，向负载输出电压。关于PMOS管的详细介绍可参见前述相关介绍，此处不再赘述。

以TVS的导通电压为4.5v、电压检测电路的低压阈值为5.4v、为例，当电源输入4v的电压时，由于4v的输入电压低于TVS的导通电压，故TVS不导通，该电压检测电路不输出电压至负载，故负载处于休息状态。当电源输入的电压为5.4v时，由于5.4v的输入电压高于TVS的导通电压，故TVS导通，点a的电势为5v左右，大于NPN的开启电压，故NPN导通。电流流入NPN，NPN的基极与NPN的发射极导通，从而NPN的集电极与NPN的发射极也导通，有电流从NPN的集电极流出。点b的电势为4v左右，也即，点c的电势为4v左右。电流流过第二电阻，点d的电势为3.3v左右，之后，电流经过电压转换器，电压转换器对电压进行升压，稳定输出5v电压，故点e的电势为5v，也即，点f的电势为5v。对于PMOS管，其控制电极的电势为点c的电势，也即4v左右，其源极的电势为点f的电势，也即5v，故PMOS管的源极与控制电极间形成电压差，PMOS管导通，PMOS管的漏极输出电流至负载，该输出的电流可以到达3A以上。

需要说明的是，电源输入的电压为5.4v时，该电压略高于TVS的导通电压，由于TVS能够以10^-12秒量级的响应速度导通，所以整个电压检测电路的切换时间延时主要取决于NPN和PMOS管。常用的NPN和PMOS管导通的时延仅在微秒级别，故本方案中电压检测电路的切换时间也在微妙级别。

如图5所示，为本发明实施例提供的一种电压检测电路的响应时间的示意图。该电压检测电路中，TVS的击穿电压为4.5V，电源输入的电压为5.4V，从图5可以看出，整个电压检测电路的响应时间仅为900微秒左右。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种电压检测电路，其特征在于，包括：

低压处理电路和与所述低压处理电路耦合的高压处理电路，所述低压处理电路和所述高压处理电路通过开关单元实现；

所述低压处理电路的输入端连接电源，所述高压处理电路的输出端连接负载；

所述低压处理电路，用于在所述电源的输入电压低于低压阈值时，限制所述输入电压流入所述高压处理电路；

所述高压处理电路，用于在所述电源的输入电压高于高压阈值时，对所述输入电压进行降压，将所述降压后的输入电压输出给所述负载。

2.根据权利要求1所述的电压检测电路，其特征在于，

所述低压处理电路包括瞬态抑制二极管TVS，所述TVS的第一端为所述低压处理电路的输入端，所述TVS的第二端连接所述高压处理电路的输入端；

所述TVS的导通电压和所述低压阈值的差值位于预设范围内。

3.根据权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，

所述高压处理电路包括限流器，所述限流器的控制电极连接所述低压处理电路的输出端，所述限流器的第一电极用于接地，所述限流器的第二电极用于连接所述高压处理电路的输出端；

所述限流器，用于在所述输入电压高于所述高压阈值时，将流入所述高压处理电路的电流限制在预设电流范围内。

4.根据权利要求3所述的电压检测电路，其特征在于，

所述限流器包括负极阳极负极晶体管NPN，所述NPN的基极为所述限流器的控制电极，所述NPN的发射极为所述限流器的第一电极，所述NPN的集电极为所述限流器的第二电极。

5.根据权利要求4所述的电压检测电路，其特征在于，所述高压处理电路还包括第一电阻；

所述第一电阻的第一端接地，所述第一电阻的第二端连接所述NPN的发射极。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的电压检测电路，其特征在于，所述高压处理电路还包括压差形成电路和场效应管；

所述压差形成电路的输入端分别连接所述限流器的第二电极和所述场效应管的控制电极，所述压差形成电路的输出端连接所述场效应管的第一电极，所述场效应管的第二电极为所述高压处理电路的输出端；

所述压差形成电路，用于根据来自所述限流器的电流在所述场效应管的第一电极和控制电极之间形成电压差；

所述场效应管，用于根据所述电压差导通所述场效应管的第二电极和所述场效应管的第一电极。

7.根据权利要求6所述的电压检测电路，其特征在于，

所述压差形成电路包括第二电阻和电压转换器；

所述第二电阻的第一端为所述压差形成电路的输入端，所述第二电阻的第二端连接所述电压转换器的输入端，所述电压转换器的输出端为所述压差形成电路的输出端。

8.根据权利要求7所述的电压检测电路，其特征在于，

所述场效应管为P型金属氧化物半导体PMOS管，所述PMOS管的栅极为所述场效应管的控制电极，所述PMOS管的源极为所述场效应管的第一电极，所述PMOS管的漏极为所述场效应管的第二电极。

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