CN115966518A

CN115966518A - 电子装置

Info

Publication number: CN115966518A
Application number: CN202111171407.7A
Authority: CN
Inventors: 吴湲琳; 林修同; 郑百乔
Original assignee: Innolux Display Corp
Current assignee: Innolux Corp
Priority date: 2021-10-08
Filing date: 2021-10-08
Publication date: 2023-04-14
Also published as: EP4164362A1; US20230116227A1; TW202316641A; TWI845948B; PH12022050472A1

Abstract

一种电子装置，包括一第一无机绝缘层、一第一基板、一第二无机绝缘层、以及多个电子组件。第一基板设置在第一无机绝缘层上。第二无机绝缘层设置在第一基板上。电子组件设置在第二无机绝缘层上。第二无机绝缘层的一厚度小于第一无机绝缘层的一厚度。

Description

电子装置

技术领域

本公开是有关于一种电子装置，且特别是有关于一种能增加阻挡水气能力的电子装置。

背景技术

电子装置中通常具有金属导线，以电性连接不同的组件。然而，金属导线容易受到水气侵害，使得金属导线可能会氧化、腐蚀等。这可能造成电子装置导电不良、短路、或漏电等不利结果。

有鉴于此，需要一种能降低水气侵害电子装置中的金属导线的结构或装置以增加阻挡水气的能力，改善前述的缺点。

发明内容

本公开的一些实施例提供一种电子装置，包括一第一无机绝缘层、一第一基板、一第二无机绝缘层、以及多个电子组件。第一基板设置在第一无机绝缘层上。第二无机绝缘层设置在第一基板上。电子组件设置在第二无机绝缘层上。第二无机绝缘层的一厚度小于第一无机绝缘层的一厚度。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1表示根据本公开一些实施例的电子装置的剖视图。

图2A表示根据本公开一些实施例的电子装置的剖视图。

图2B表示根据本公开一些实施例的电子装置的剖视图。

图2C表示根据本公开一些实施例的电子装置的剖视图。

图3表示根据本公开一些实施例的电子装置的上视图。

图1-3编号说明如下：

11：第一基板

11'：第一基板厚度

11a：边界

11b：边界

11c：边界

12：第二基板

12'：第二基板厚度

21：第一无机绝缘层

21'：第一厚度

22：绝缘层

22'：加总厚度

22a：边界

22b：边界

22c：边界

30：电子组件结构

30a：边界

30b：边界

30c：边界

33：电路结构

34：传感器

100：电子装置

221：第二无机绝缘层

221'：第二厚度

222：第三无机绝缘层

222'：第三厚度

223：第四无机绝缘层

223'：第四厚度

311：电路结构

312：电子组件

313：封顶

321：电路结构

322：显示组件

323：传感器

324：封顶

341：绝缘层

3121：封装层

3131：保护层

3132：粘着层

3133：抗反射层

3134：粘着层

3221：封装层

3231：绝缘层

3241：保护层

3242：抗反射层

3243：粘着层

W1：距离

W2：距离

W3：距离

W4：距离

W5：距离

W6：距离

具体实施方式

透过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本公开，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本公开中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本公开的范围。此外，不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号，仅为简单清楚地叙述一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。

本公开通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求书中，「包括」、「含有」、「具有」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。因此，当本公开的描述中使用术语「包括」、「含有」及/或「具有」时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。

此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如「下方」或「底部」及「上方」或「顶部」，以描述附图的一个组件对于另一组件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「下方」侧的组件将会成为在「上方」侧的组件。

当相应的构件(例如组件或膜层或区域)被称为「在另一个构件上」或「连接到另一个构件」时，它可以直接在另一个构件上或直接连接到另一个构件，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为「直接在另一个构件上」或「直接连接另一个构件」时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为「在另一个构件上」时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。此外，用语“电性连接”、“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。另外，本说明书或权利要求书中提及的“第一”、“第二”等用语仅用以命名不同的组件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制组件数量上的上限或下限，也并非用以限定组件的制造顺序或设置顺序。

术语「大约」、「等于」、「相等」或「相同」、「实质上」或「大致上」一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。

能理解的是，虽然在此可使用用语「第一」、「第二」等来叙述各种组件、层及/或部分，这些组件、层及/或部份部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、层及/或部分。因此，以下讨论的一第一组件、层及/或部分可在不偏离本公开一些实施例的启示的情况下被称为一第二组件、层及/或部分。另外，为了简洁起见，在说明书中亦可不使用「第一」、「第二」等用语来区别不同组件。在不违背后附权利要求所界定的范围的情况下，权利要求所记载的第一组件及/或第二组件可解读为说明书中符合叙述的任何组件。

在本公开中，厚度、长度与宽度的量测方式可采用光学显微镜量测而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像量测而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％以内的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。

如本文所使用，用语「膜(film)」及/或「层(layer)」可指任何连续或不连续的结构及材料(诸如，借由本文所揭示的方法沉积的材料)。例如，膜及/或层可包括二维材料、三维材料、纳米粒子、或甚至部分或完整分子层、或部分或完整原子层、或原子及/或分子团簇(clusters)。膜或层可包含具有针孔(pinholes)的材料或层，其可以是至少部分连续的。

如本文中所使用，「结构(structure)」可包括如本文所述的基板。结构可包括上覆于基板的一或多个层(诸如，根据本文所述的方法形成的一或多个层)。

须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本公开精神的情况下构成另一实施例。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与本领域技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有一与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。

本公开的电子装置可包括显示设备、天线装置、感测装置、发光装置、或拼接装置，但不以此为限。电子装置可包括可弯折或可挠式电子装置。电子装置可包括电子组件。电子装置例如包括液晶(liquid crystal)层或发光二极管(Light Emitting Diode，LED)。电子组件可包括无源组件与有源组件，例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管、传感器等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic lightemitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)、量子点发光二极管(quantum dot LED)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材料、或上述组合，但不以此为限。传感器可例如包括电容式传感器(capacitive sensors)、光学式传感器(optical sensors)、电磁式传感器(electromagnetic sensors)、指纹传感器(fingerprint sensor，FPS)、触控传感器(touch sensor)、天线(antenna)、或触控笔(pen sensor)等，但不限于此。下文将以显示设备做为电子装置以说明本公开内容，但本公开不以此为限。

本公开的显示设备可以是自发光显示设备，例如为有机发光二极管显示设备，但不以此为限。下文将以显示设备作为电子装置以说明本公开内容，但本公开不以此为限。

现请参阅附图，图1表示根据本公开一些实施例的电子装置100的剖视图。电子装置100可以包括第一无机绝缘层21、第一基板11、绝缘层22、以及电子组件结构30(包含多个电子组件，图未示)。在一些实施例中，第一基板11可以设置在第一无机绝缘层21上，绝缘层22可以设置在第一基板11上。电子组件结构30可以设置在绝缘层22上。

在一些实施例中，电子装置100更可包括第二基板12设置在第一无机绝缘层21的下方，而可让第一无机绝缘层21设置在第一基板11与第二基板12之间。在一些实施例中，第一基板11及第二基板12可以是由材料所界定。例如，在一些实施例中，第一基板11及第二基板12可以包括有机材料，例如包括高分子聚合物等，但不限于此。举例来说，在一些实施例中，第一基板11及第二基板12可以包括聚酰亚胺(Polyimide)，但不限于此。

在一些实施例中，第一基板11及第二基板12也可以由杨氏模数所界定。在一些实施例中，第一基板11及第二基板12的杨氏模数可以介于30百万帕(MPa)到4500百万帕之间。在一些实施例中，第一基板11及第二基板12的杨氏模数可以介于30百万帕到40百万帕之间。在一些实施例中，第一基板11及第二基板12的杨氏模数可以是约为30百万帕。在一些实施例中，第一基板11及第二基板12的杨氏模数可以是约为34百万帕，但不限于此。

在一些实施例中，第一基板11及第二基板12的杨氏模数可以是约为4100百万帕。在一些实施例中，更可包括支撑膜(可以包含聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate film，PET)，未表示在附图中)设置于第二基板12下方，而第二基板12及其下方的支撑膜的结构的杨氏模数可以是约为4100百万帕。

在一些实施例中，第一基板11及第二基板12可以是由其厚度所界定。例如，在一些实施例中，第一基板11及/或第二基板12的厚度可以比第一无机绝缘层21或绝缘层22的个别厚度大。举例来说，在一些实施例中，第一基板11及/或第二基板12的厚度可以是第一无机绝缘层21或绝缘层22的个别厚度的大约10倍，但不限于此。

第一无机绝缘层21及绝缘层22可以具有降低水气渗透的材料。

在一些实施例中，由于电子组件结构30设置在绝缘层22上，绝缘层22可以设置在电子组件结构30与第一基板11之间。如此一来，绝缘层22可以降低从第一基板11往电子组件结构30传递的水气，而可降低电子组件结构30因接触水气而受到侵蚀或损害的几率。

在一些实施例中，第一无机绝缘层21可以设置在第一基板11与第二基板12之间。如此一来，第一无机绝缘层21可以降低从第二基板12往第一基板11(或电子组件结构30)传递的水气，而可降低电子组件结构30因接触水气而受到侵蚀或损害的几率。

第一无机绝缘层21可以包括单层或多层结构。绝缘层22可以包括单层或多层结构，当绝缘层22例如为多层结构时，可以包括一第二无机绝缘层221、一第三无机绝缘层222、以及一第四无机绝缘层223。

在一些实施例中，第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221、及第四无机绝缘层223的材料可以相同，且第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221、及第四无机绝缘层223的材料可以与第三无机绝缘层222的材料不同。

在一些实施例中，第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221、或第四无机绝缘层223所含氧(O)的比例可以高于第三无机绝缘层222所含氧的比例。在一些实施例中，第三无机绝缘层222所含氮(N)的比例可以高于第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221、或第四无机绝缘层223所含氮的比例。举例来说，第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221、第四无机绝缘层223可以包括氧化硅(SiOx)，而第三无机绝缘层222可以包括氮化硅(SiNy)。

在一些实施例中，第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221、第三无机绝缘层222、及第四无机绝缘层223可以包括氮氧化硅(SiOxNy)，然而第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221、或第四无机绝缘层223所包括的氮氧化硅(SiOx1Ny1)的氮氧比例可以与第三无机绝缘层222所包括的氮氧化硅(SiOx2Ny2)的氮氧比例不同(亦即，x1不等于x2、或y1不等于y2)。在一些实施例中，x1可以大于x2，且y2可以大于y1。

请参阅图1，第二无机绝缘层221、第三无机绝缘层222、第四无机绝缘层223设置在电子组件结构30与第一基板11之间，可以降低来自第一基板11所传递的水气。

在一些实施例中，第二无机绝缘层221设置在第一基板11上。在一些实施例中，第三无机绝缘层222设置在第二无机绝缘层221上。在一些实施例中，第四无机绝缘层223设置在第三无机绝缘层222上。在一些实施例中，电子组件结构30设置在第四无机绝缘层223上。

亦即，在一些实施中，第四无机绝缘层223设置在电子组件结构30与第三无机绝缘层222之间。在一些实施中，第三无机绝缘层222设置在第四无机绝缘层223与第二无机绝缘层221之间。

借由如此的配置，可以在绝缘层22内产生材料相异的交界面(第二无机绝缘层221与第三无机绝缘层222的交界面、以及第三无机绝缘层222与第四无机绝缘层223的交界面)，使的从第一基板11往电子组件结构30传递的水气的传递路径需经过多个交界面，并且可以使得水气的传递路径长度增加，而可减少往电子组件结构30传递的水气。

在一些实施例中，第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221、第三无机绝缘层222、及第四无机绝缘层223的厚度可以彼此不同。应注意的是，此处所谓的厚度可以是沿着各层排列方向、或是从第一基板11或第二基板12往电子组件结构30的方向上的厚度(意即第一基板11或第二基板12的法线方向)，例如是Z方向。举例来说，在图1所示的实施例中，各层的厚度是平行于Z方向。

第一无机绝缘层21可以具有一第一厚度21’、第二无机绝缘层221可以具有一第二厚度221’、第三无机绝缘层222可以具有一第三厚度222’、第四无机绝缘层223可以具有一第四厚度223’。

在一些实施例中，第一厚度21’可以大于第二厚度221’、第三厚度222’、及第四厚度223’。如此一来，可以增加水气渗透的路径长度，使得第一无机绝缘层21可以降低来自第二基板12传递的水气。

在一些实施例中，第二厚度221’可以大于第三厚度222’、及第四厚度223’。如此一来，可以增加水气渗透的路径长度，使得第二无机绝缘层221可以降低来自第一基板11传递的水气。再者，由于第四厚度223’较小，可以让第四无机绝缘层223比第二无机绝缘层221更为致密(例如第四无机绝缘层223可以具有较少孔洞及/或裂缝)，减少水气渗透的路径数量，使得第四无机绝缘层223可以降低来自第一基板11传递的水气。另外，由于第四厚度223’较小，第四无机绝缘层223的内应力较少影响到其与其他组件的附着度，而可提升第四无机绝缘层223与其他组件(例如，第三无机绝缘层222及/或电子组件结构30)的附着度。

在一些实施例中，第四厚度223’可以大于第三厚度222’。同样地，由于第三无机绝缘层222所含氮的比例较高，其内应力可以大于其他无机绝缘层。因此，在第三厚度222’较小的状况下，可以降低第三无机绝缘层222的内应力，可以让第三无机绝缘层222较为致密，使得第三无机绝缘层222可以降低来自第一基板11传递的水气。再者，在第三厚度222’较小的状况下，可以提升第三无机绝缘层222与其他组件(例如，第二无机绝缘层221及/或第四无机绝缘层223)的附着度。

在一些实施例中，第一基板11可以具有一第一基板厚度11’，且第二基板12可以具有一第二基板厚度12’。第一基板厚度11’及第二基板厚度12’较绝缘层厚，而可以使得第一基板11及第二基板12具有较高的强度，以承载不同的层、组件、结构、或装置。

在一些实施例中，第一基板11的厚度小于第二基板12的厚度(亦即，第一基板厚度11’小于第二基板厚度12’)。如此一来，可以降低第一基板11所含有的水气，并减少从第一基板11往电子组件结构30传递的水气。在一些实施例中，第二基板12的厚度与第一基板11的厚度的差(亦即，第二基板厚度12’减去第一基板厚度11’)可以是大于或等于0.1微米且小于或等于6微米。

当第二基板12的厚度与第一基板11的厚度的差小于0.1微米时，第一基板11的厚度会增加并与第二基板12的厚度接近，第一基板11将会含有较多的水气，而会增加从第一基板11往电子组件结构30传递的水气，此将不利于电子组件结构30。

当第二基板12的厚度与第一基板11的厚度的差大于6微米时，第一基板11及第二基板12将容易产生翘曲，使得设置在第一基板11及第二基板12之间的第一无机绝缘层21容易产生较多的裂缝及水气传递的路径，提高水气渗透过第一无机绝缘层21的几率，此将不利于电子组件结构30。

当第二基板12的厚度与第一基板11的厚度的差介于前述的范围内时，第一基板11及第二基板12可以减少往电子组件结构30传递的水气。

根据一些实施例，第一厚度21’、第二厚度221’、第三厚度222’、第四厚度223’、第一基板厚度11’、及第二基板厚度12’的数值可以如表1.1及表1.2所示。

表1.1

	实施例1	实施例2	实施例3
				第四厚度223’(微米)	0.29	0.29	0.28
第三厚度222’(微米)	0.06	0.06	0.06
				第二厚度221’(微米)	0.55	0.54	0.52
第一基板厚度11’(微米)	9.01	5.16	5.22
				第一厚度21’(微米)	0.57	0.65	0.69
第二基板厚度12’(微米)	9.35	5.54	9.68

表1.2

应注意的是，上述表1.1及表1.2所列出的数值仅是示例，并不能视为限制本公开。

在一些实施例中，绝缘层22可以具有一加总厚度22’。在一些实施例中，如图1所示，加总厚度22’可以是第二厚度221’、第三厚度222’、及第四厚度223’之和。在一些实施例中，加总厚度22’可以大于第一厚度21’，以使得绝缘层22可以降低来自第一基板11传递的水气。

在一些实施例中，第一厚度21’对加总厚度22’的比值(第一厚度21’/加总厚度22’)可以大于或等于0.4且小于或等于0.95。在一些实施例中，第一厚度21’对加总厚度22’的比值(第一厚度21’/加总厚度22’)可以较佳地为大于或等于0.6且小于或等于0.8。

当第一厚度21’对加总厚度22’的比值小于前述范围(例如，小于0.4)时，可能会降低第一无机绝缘层21阻挡水气的效果。

当第一厚度21’对加总厚度22’的比值大于前述范围(例如，大于0.95)时，第一无机绝缘层21可能容易与第二基板12分离、或者第一无机绝缘层21可能容易与第一基板11分离。

当第一厚度21’对加总厚度22’的比值在前述的范围内时(例如，大于或等于0.4且小于或等于0.95)，第一无机绝缘层21可以降低来自第二基板12传递的水气，且可以提升第一无机绝缘层21与其他组件(例如，第一基板11及/或第二基板12)的附着度。

如前所述，第一基板厚度11’与第二基板厚度12’可以不同。在一些实施例中，第一基板厚度11’对第二基板厚度12’的比值(第一基板厚度11’/第二基板厚度12’)可以大于或等于0.5且小于1。

当第一基板厚度11’对第二基板厚度12’的比值(第一基板厚度11’/第二基板厚度12’)小于0.5时，第一基板11及第二基板12将容易产生翘曲，使得设置在第一基板11及第二基板12之间的第一无机绝缘层21容易产生较多的裂缝及水气传递的路径，减少渗透过第一无机绝缘层21的水气。

当第一基板厚度11’对第二基板厚度12’的比率(第一基板厚度11’/第二基板厚度12’)大于或等于1时，第一基板11将含有较多的水气，而会增加从第一基板11往电子组件结构30传递的水气，此将不利于电子组件结构30。

当第一基板厚度11’对第二基板厚度12’的比值(第一基板厚度11’/第二基板厚度12’)介于前述的范围内时，第一基板11及第二基板12可以减少往电子组件结构30传递的水气。

如前所述，第一厚度21’、第二厚度221’、及第四厚度223’可以不同。在一些实施例中，第二厚度221’对第一厚度21’的比值(第二厚度221’/第一厚度21’)可以大于或等于0.7且小于1。在一些实施例中，第四厚度223’对第二厚度221’的比值(第四厚度223’/第二厚度221’)可以大于或等于0.4且小于或等于0.8。在一些实施例中，第四厚度223’对第一厚度21’、第二厚度221’、及第四厚度223’之和的比值(第四厚度223’/(第一厚度21’+第二厚度221’+第四厚度223’))可以大于或等于0.1且小于或等于0.3。

也就是说，第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221、及第四无机绝缘层223的厚度关系为越接近电子组件结构30，则其厚度将越小(可以参考图1)。如此一来，可以使得接近电子组件结构30的绝缘层的内应力较小，而可使得其孔洞较少(较致密)，以减少水气传递路径并降低水气传递。

在一些实施例中，第一厚度21’、第二厚度221’、第三厚度222’及第四厚度223’之和对第一基板厚度11’及第二基板厚度12’之和的比值((第一厚度21’+第二厚度221’+第三厚度222’+第四厚度223’)/(第一基板厚度11’+第二基板厚度12’))可以大于或等于0.05且小于或等于0.2。

当第一厚度21’、第二厚度221’、第三厚度222’及第四厚度223’之和对第一基板厚度11’及第二基板厚度12’之和的比值((第一厚度21’+第二厚度221’+第三厚度222’+第四厚度223’)/(第一基板厚度11’+第二基板厚度12’))小于0.05时，水气将容易渗透第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221、第三无机绝缘层222及第四无机绝缘层223。

当第一厚度21’、第二厚度221’、第三厚度222’及第四厚度223’之和对第一基板厚度11’及第二基板厚度12’之和的比值((第一厚度21’+第二厚度221’+第三厚度222’+第四厚度223’)/(第一基板厚度11’+第二基板厚度12’))大于0.2时，制造电子装置100的制程时间(tack time)将会增加，不利于电子装置100的制程及/或成本。再者，第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221、第三无机绝缘层222及第四无机绝缘层223容易产生较多的孔洞，使得水气较容易渗透。

当第一厚度21’、第二厚度221’、第三厚度222’及第四厚度223’之和对第一基板厚度11’及第二基板厚度12’之和的比值((第一厚度21’+第二厚度221’+第三厚度222’+第四厚度223’)/(第一基板厚度11’+第二基板厚度12’))介于前述的范围内时，可以使得各层之内应力较小，而可使得其孔洞较少(较致密)，以减少水气传递路径并降低水气传递。

在一些实施例中，第一厚度21’、第二厚度221’、及第四厚度223’之和对第一基板厚度11’及第二基板厚度12’之和的比值((第一厚度21’+第二厚度221’+第四厚度223’)/(第一基板厚度11’+第二基板厚度12’))可以大于或等于0.05且小于或等于0.2。

当第一厚度21’、第二厚度221’、及第四厚度223’之和对第一基板厚度11’及第二基板厚度12’之和的比值((第一厚度21’+第二厚度221’+第四厚度223’)/(第一基板厚度11’+第二基板厚度12’))小于0.05时，水气将容易渗透过第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221及第四无机绝缘层223。

当第一厚度21’、第二厚度221’、及第四厚度223’之和对第一基板厚度11’及第二基板厚度12’之和的比值((第一厚度21’+第二厚度221’+第四厚度223’)/(第一基板厚度11’+第二基板厚度12’))大于0.2时，制造电子装置100的制程时间将会增加，不利于电子装置100的制程及/或成本。再者，第一无机绝缘层21、第二无机绝缘层221及第四无机绝缘层223容易产生较多的孔洞，使得水气较容易渗透。

当第一厚度21’、第二厚度221’、及第四厚度223’之和对第一基板厚度11’及第二基板厚度12’之和的比值((第一厚度21’+第二厚度221’+第四厚度223’)/(第一基板厚度11’+第二基板厚度12’))介于前述的范围内时，可以使得各层之内应力较小，而可使得其孔洞较少(较致密)，以减少水气传递路径并降低水气传递。

根据一些实施例(可以参考表1.1及表1.2的数值)，各层厚度的比值关系可以如表2.1及表2.2所示。

表2.1

表2.2

应注意的是，上述表2.1及表2.2所列出的数值仅是示例，并不能视为限制本公开。

请参阅图2A、图2B及图2C。在一些实施例中，电子组件结构30可以包括多个电子组件(例如包括显示组件及/或传感器等)与电路结构等。

如图2A所示，图2A表示根据本公开一些实施例的电子装置100的剖视图。在图2A的实施例中，电子组件结构30可以包括一电路结构311及多个电子组件312，电子组件结构30上有一封顶(cover)313，其中，电子组件312可以例如是显示组件(例如是微发光二极管)，但不限于此。封顶313可以包括保护层3131、粘着层3132、抗反射层3133及粘着层3134，但不限于此。

在一实施例中，电路结构311可以设置在绝缘层22上并包含导电层及绝缘层。在一实施例中，电路结构311中的导电层可以由金属所制成，因此，须降低电路结构311接触到水气的几率。

在一实施例中，电子组件312可以设置在电路结构311上。在一实施例中，更可包括封装层3121设置在电子组件312上。在一实施例中，封顶313可以设置在电子组件312上，且位于电子装置100的顶部。封顶313可以降低从电子装置100的顶部传递的水气，以降低电子组件结构30受到水气侵害的几率。

如图2B所示，图2B表示根据本公开一些实施例的电子装置100的剖视图。在图2B的实施例中，电子组件结构30可以包括一电路结构321、多个电子组件(包括多个显示组件322及多个传感器323)，电子组件结构30上有一封顶324，其中，显示组件322例如可以是有机发光二极管，但不限于此。封顶324可以包括保护层3241、抗反射层3242及粘着层3243，但不限于此。

同前所述，电路结构321包含导电层及绝缘层，导电层可以由金属所制成，因此，须降低电路结构321接触到水气的几率。在此实施例中，第二基板12、第一无机绝缘层21、第一基板11、绝缘层22、电路结构321及显示组件322整体结构的杨氏模数约为4100百万帕，但不限于此。

在一实施例中，显示组件322可以设置在电路结构321上。在一实施例中，更可包括封装层3221设置在显示组件322上。在一实施例中，传感器323可以设置在显示组件322上，但不限于此。在一实施例中，更可包括绝缘层3231设置在传感器323上。在一实施例中，封顶324可以设置在传感器323上，且位于电子装置100的顶部。封顶324可以有效阻挡从电子装置100的顶部传递的水气，以避免电子组件结构30受到水气的侵害。传感器323可如前所述，于此不再重述。

如图2C所示，图2C表示根据本公开一些实施例的电子装置100的剖视图。在图2C的实施例中，电子组件结构30可以包括一电路结构33以及多个电子组件(包括多个传感器34)。传感器34可如前所述，于此不再重述。

在一实施例中，电路结构33可以设置在绝缘层22上。同前所述，电路结构33包含导电层及绝缘层，导电层可以由金属所制成，因此，须降低电路结构33接触到水气的几率。在一实施例中，传感器34可以设置在电路结构33上。在一实施例中，更可包括绝缘层341设置在传感器34上。

应注意的是，上述所列出实施例仅为示例，并不能视为限制本公开。

请参阅图3，图3表示根据本公开一些实施例的电子装置100的上视图。第一基板11可以具有一边界11a、一边界11b、以及一边界11c。绝缘层22可以具有一边界22a、一边界22b、以及一边界22c。电子组件结构30中的电路结构(如图2A中的电路结构311、或图2B中的电路结构321、或图2C中的电路结构33)可以具有一边界30a、一边界30b、以及一边界30c。

如图3所示，边界11a、边界22a及边界30a彼此对应；边界11b、边界22b及边界30b彼此对应；且边界11c、边界22c及边界30c彼此对应。

边界11a与边界22a具有一距离W1；边界11a与边界30a具有一距离W2；边界11b与边界22b具有一距离W3；边界11b与边界30b具有一距离W4；边界11c与边界22c具有一距离W5；且边界11c与边界30c具有一距离W6。

在一实施例中，距离W1、距离W3及距离W5可以大于或等于0且小于或等于1微米。在一实施例中，距离W1、距离W3及距离W5可以相同。在一实施例中，距离W1、距离W3及距离W5可以不同。

在一实施例中，距离W2、距离W4及距离W6可以大于距离W1、距离W3及距离W5。在一实施例中，距离W2、距离W4及距离W6可以大于或等于100微米且小于或等于10000微米。在一实施例中，距离W2、距离W4及距离W6可以相同。在一实施例中，距离W2、距离W4及距离W6可以不同。

也就是说，绝缘层22可以延伸出电子组件结构30，且第一基板11可以延伸出绝缘层22。因此，绝缘层22与第一基板11部分重叠，且电子组件结构30与绝缘层22部分重叠。如此一来，可以降低电子组件结构30的边缘受到水气的侵袭。

应注意的是，图3所示出的形状仅为一示例，并不能视为限制本公开。

综上所述，本公开实施例可以降低电子装置100(特别是电子组件结构30)受到水气侵害，以改善电子装置100的信赖度及/或寿命，并且本公开实施例的电子装置100还具有制造便利以及降低成本的优势。

虽然本公开的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，任何本领域技术人员，在不脱离本公开的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本公开的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何本领域技术人员可从本公开揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本公开使用。因此，本公开的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，且各实施例间特征只要不违背发明精神或相互冲突，均可任意混合搭配使用。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本公开的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。

Claims

1.一种电子装置，包括：

一第一无机绝缘层；

一第一基板，设置在该第一无机绝缘层上；

一第二无机绝缘层，设置在该第一基板上；以及

多个电子组件，设置在该第二无机绝缘层上；

其中该第二无机绝缘层的一厚度小于该第一无机绝缘层的一厚度。

2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第二无机绝缘层及该第一无机绝缘层包括相同的材料。

3.如权利要求1所述的电子装置，更包括一第三无机绝缘层，设置在该第二无机绝缘层与该多个电子组件之间，

其中该第三无机绝缘层的一厚度小于该第二无机绝缘层的该厚度。

4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，该第三无机绝缘层与该第二无机绝缘层包括不同的材料。

5.如权利要求3所述的电子装置，更包括一第四无机绝缘层，设置在该第三无机绝缘层与该多个电子组件之间，

其中该第四无机绝缘层的一厚度大于该第三无机绝缘层的该厚度。

6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该第四无机绝缘层的该厚度小于该第二无机绝缘层的该厚度。

7.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该第四无机绝缘层及该第二无机绝缘层包括相同的材料。

8.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该第一无机绝缘层具有一第一厚度、该第二无机绝缘层具有一第二厚度、该第三无机绝缘层具有一第三厚度、该第四无机绝缘层具有一第四厚度，

其中该第一厚度小于一加总厚度，且该加总厚度为该第二厚度、该第三厚度及该第四厚度之和。

9.如权利要求8所述的电子装置，其特征在于，该第一厚度对该加总厚度的一比值大于或等于0.4且小于或等于0.95。

10.如权利要求1所述的电子装置，更包括一第二基板，其中该第一无机绝缘层设置在该第一基板与该第二基板之间。

11.如权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该第一基板及该第二基板包括有机材料。

12.如权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该第一基板的一厚度小于该第二基板的一厚度。

13.如权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该第一基板的一厚度对该第二基板的一厚度的一比值大于或等于0.5且小于1。

14.如权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该第二基板的一厚度与该第一基板的一厚度的差大于或等于0.1微米且小于或等于6微米。

15.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该多个电子组件包括有机发光二极管、次毫米发光二极管或微发光二极管。

16.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该多个电子组件包括电容式传感器、光学式传感器、或电磁式传感器。