CN115747913B

CN115747913B - 一种印制电路板内层铜表面的处理方法

Info

Publication number: CN115747913B
Application number: CN202211615035.7A
Authority: CN
Inventors: 黎钦源; 彭镜辉; 雷江; 陆龙生; 杨舒; 向参军
Original assignee: Guangzhou Guanghe Technology Co Ltd
Current assignee: Guangzhou Guanghe Technology Co Ltd
Priority date: 2022-12-14
Filing date: 2022-12-14
Publication date: 2024-12-20
Anticipated expiration: 2042-12-14
Also published as: CN115747913A

Abstract

本发明涉及一种印制电路板内层铜表面的处理方法，所述处理方法包括：对铜箔依次进行阳极氧化和硅烷偶联剂处理；所述阳极氧化液包括氢氧化钠、有机酸盐、EDTA和铜离子。本发明提供的表面处理方法，通过采用特定的表面处理过程，使得处理后的铜箔避免了存在信号传输的导体损耗增加及对高频传输信号的完整性影响较大的问题，显著降低了导体损耗对信号完整性的影响。

Description

一种印制电路板内层铜表面的处理方法

技术领域

本发明涉及金属表面处理技术领域，具体涉及一种印制电路板内层铜表面的处理方法。

背景技术

目前，印制电路板作为电子工业的重要元器件，因其组装性好、可靠性高、生产性强、可高密度化性等优点广泛运用于各种电子设备中。随着集成电路的迅速发展及广泛应用，印制电路板也不断更新换代，从单面板发展到双面板、多层板和挠性板，以及元器件密度不断提高，为保证印制电路板质量和提高工作可靠性，层间结合牢靠至关重要。铜箔表面光滑，需对铜箔表面进行相应的处理，提高层间结合力从而保证层间结合牢靠，避免出现分层爆板现象。

如CN104099652A公开了一种电子铜箔的表面处理粗化工艺，步骤如下：将阴极铜、浓硫酸混合溶解，配制粗化液；其中，Cu²⁺:20-40g/L，H₂SO₄：80-150g/L，粗化液温度为25-40℃；将得到的粗化液混合充分后进入粗化槽，依次经高电流密度、中电流密度和低电流密度进行电镀。本发明采用的粗化工艺使用一种电镀液来代替两种不同成分的粗化液和固化液，通过控制不同的电流密度来实现高比表面积、低峰值和高结合力的电解铜箔，应用于Tg170及以上板材时具有优良的剥离强度。

CN113973437A公开了一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，以为高速高频信号用的印刷线路板提供一种具有较低的轮廓度且同时满足抗剥离性能要求的原料铜箔，更为5G通讯提供一种不含铁磁性金属元素、具有出色的PIM性能的铜箔。方法包括：在含铜电解溶液中，加入分散剂和纳米氧化铝颗粒，使其充分混合，在铜箔表面进行电化学共沉积，形成高比表面积结构的金属复合沉积层。依次在该复合层上电镀铜层、锌层和铬层，然后涂覆硅烷偶联剂，形成完整的处理层。该处理层具有厚度小，比表面积大，粗糙度低，抗剥离强度高的特点。工艺简单，能够满足高频高速信号的无源互调PIM功能，在5G高频高速通讯领域存在可观的应用前景。

然而，现有技术中所得铜箔经表面处理后会造成信号传输的导体损耗有所增加，受趋肤效应的影响，尤其对高频传输信号的完整性影响较大。随着通讯传输使用频率不断提高，印制电路板趋于高频化以及高速化，对高频时信号传输完整性要求不断提高，对现有内层铜箔表面处理工艺提出了新的要求，需对现有工艺优化或探索新的工艺方法，保证层间结合牢靠的基础上降低导体损耗对信号完整性的影响。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种印制电路板内层铜表面的处理方法，以解决铜箔经表面处理后会存在信号传输的导体损耗增加及对高频传输信号的完整性影响较大的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种印制电路板内层铜表面的处理方法，所述处理方法包括：

对铜箔依次进行阳极氧化和硅烷偶联剂处理；

所述阳极氧化液包括氢氧化钠、有机酸盐、EDTA和铜离子。

本发明提供的表面处理方法，通过采用特定的表面处理过程，使得处理后的铜箔避免了存在信号传输的导体损耗增加及对高频传输信号的完整性影响较大的问题，显著降低了导体损耗对信号完整性的影响。

本发明中，所述有机酸盐可以是氨基羧酸盐、羟基羧酸盐、有机膦酸盐等，如可以是酒石酸钾钠、乙二胺四甲叉磷酸钠、胺三甲叉磷酸盐、二乙烯三胺五羧酸盐或庚糖酸盐等。

本发明中，阳极氧化前对铜箔依次进行酸洗、除油和超声清洗，酸洗为采用稀硫酸进行清洗，除油为采用氢氧化钠和碳酸钠的混合溶液对铜箔进行清洗。

本发明中，阳极氧化中阳极为本发明中的铜箔，阴极为石墨片，二者面积相同。

本发明中，阳极氧化和硅烷偶联剂处理之前还进行了清洗干燥，清洗为采用水或乙醇进行清洗，以将表面残余的阳极氧化液进行去除，之后在120-130℃下进行干燥3-60min。

本发明中，硅烷偶联剂处理后还进行了清洗干燥，清洗为采用水或乙醇进行清洗，以将表面残余的阳极氧化液进行去除，之后在120-130℃下进行干燥3-60min。

本发明中，硅烷偶联剂处理中处理液为含硅烷偶联剂的水醇溶液，即溶质为水和乙醇，具体配比依据现有技术进行调整即可。

作为本发明优选的技术方案，所述阳极氧化液中氢氧化钠浓度为5-10mol/L，有机酸盐浓度为0.1-0.6mol/L，EDTA浓度为0.1-0.3mol/L，铜离子浓度为0.01-0.05mol/L。

本发明中，所述阳极氧化液中氢氧化钠的浓度为5-10mol/L，例如可以是5mol/L、5.5mol/L、6mol/L、6.5mol/L、7mol/L、7.5mol/L、8mol/L、8.5mol/L、9mol/L、9.5mol/L或10mol/L等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。

本发明中，所述阳极氧化液中有机酸盐的浓度为0.1-0.6mol/L，例如可以是0.1mol/L、0.12mol/L、0.14mol/L、0.16mol/L、0.18mol/L、0.2mol/L、0.22mol/L、0.24mol/L、0.26mol/L、0.28mol/L、0.3mol/L、0.32mol/L、0.34mol/L、0.36mol/L、0.38mol/L、0.4mol/L、0.42mol/L、0.44mol/L、0.46mol/L、0.48mol/L、0.5mol/L、0.52mol/L、0.54mol/L、0.56mol/L、0.58mol/L或0.6mol/L等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。

本发明中，所述阳极氧化液中EDTA的浓度为0.1-0.3mol/L，例如可以是0.1mol/L、0.11mol/L、0.12mol/L、0.13mol/L、0.14mol/L、0.15mol/L、0.16mol/L、0.17mol/L、0.18mol/L、0.19mol/L、0.2mol/L、0.21mol/L、0.22mol/L、0.23mol/L、0.24mol/L、0.25mol/L、0.26mol/L、0.27mol/L、0.28mol/L、0.29mol/L或0.3mol/L等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。

本发明中，阳极氧化液中铜离子的浓度为0.01-0.05mol/L，例如可以是0.01mol/L、0.015mol/L、0.02mol/L、0.025mol/L、0.03mol/L、0.035mol/L、0.04mol/L、0.045mol/L或0.05mol/L等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述阳极氧化的时间为2-10min，例如可以是2min、2.2min、2.4min、2.6min、2.8min、3min、3.2min、3.4min、3.6min、3.8min、4min、4.2min、4.4min、4.6min、4.8min、5min、5.2min、5.4min、5.6min、5.8min、6min、6.2min、6.4min、6.6min、6.8min、7min、7.2min、7.4min、7.6min、7.8min、8min、8.2min、8.4min、8.6min、8.8min、9min、9.2min、9.4min、9.6min、9.8min或10min等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述阳极氧化的温度为30-50℃，例如可以是30℃、30.5℃、31℃、31.5℃、32℃、32.5℃、33℃、33.5℃、34℃、34.5℃、35℃、35.5℃、36℃、36.5℃、37℃、37.5℃、38℃、38.5℃、39℃、39.5℃或40℃等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述阳极氧化的电流密度为5-30mA/cm²，例如可以是5mA/cm²、6mA/cm²、8mA/cm²、10mA/cm²、12mA/cm²、14mA/cm²、16mA/cm²、18mA/cm²、20mA/cm²、22mA/cm²、24mA/cm²、26mA/cm²或28mA/cm²或30mA/cm²等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述硅烷偶联剂处理中所用硅烷偶联剂包括乙烯基三氯硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧乙氧基)、γ-氯丙基-三甲氧基硅烷或γ-甲基丙烯酰氧基丙基-三甲氧基硅烷中的1种或至少2种的组合。

本发明中，硅烷偶联剂的组合可以是乙烯基三氯硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷的组合，乙烯基三(β-甲氧乙氧基)和γ-氯丙基-三甲氧基硅烷的组合或乙烯基三乙氧基硅烷和乙烯基三(β-甲氧乙氧基)的组合等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述硅烷偶联剂处理中所用处理液中硅烷偶联剂的质量浓度为10-15％，例如可以是10％、10.2％、10.4％、10.6％、10.8％、11％、11.2％、11.4％、11.6％、11.8％、12％、12.2％、12.4％、12.6％、12.8％、13％、13.2％、13.4％、13.6％、13.8％、14％、14.2％、14.4％、14.6％、14.8％或15％等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述硅烷偶联剂处理中所用处理液的温度为30-60℃，例如可以是30℃、32℃、34℃、36℃、38℃、40℃、42℃、44℃、46℃、48℃、50℃、52℃、54℃、56℃、58℃或60℃等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述硅烷偶联剂处理的时间为10-15min，例如可以是10min、10.2min、10.4min、10.6min、10.8min、11min、11.2min、11.4min、11.6min、11.8min、12min、12.4min、12.6min、12.8min、13min、13.2min、13.4min、13.6min、13.8min、14min、14.2min、14.4min、14.6min、14.8min或15min等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述处理方法包括：对铜箔依次进行阳极氧化和硅烷偶联剂处理；

所述阳极氧化液包括氢氧化钠、有机酸盐、EDTA和铜离子；所述阳极氧化液中氢氧化钠浓度为5-10mol/L，有机酸盐浓度为0.1-0.6mol/L，EDTA浓度为0.1-0.3mol/L，铜离子浓度为0.01-0.05mol/L；所述阳极氧化的时间为2-10min；所述阳极氧化的温度为30-50℃；所述阳极氧化的电流密度为5-30mA/cm²；

所述硅烷偶联剂处理中所用硅烷偶联剂包括乙烯基三氯硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧乙氧基)、γ-氯丙基-三甲氧基硅烷或γ-甲基丙烯酰氧基丙基-三甲氧基硅烷中的1种或至少2种的组合；所述硅烷偶联剂处理中所用处理液中硅烷偶联剂的质量浓度为10-15％；所述硅烷偶联剂处理中所用处理液的温度为30-60℃；所述硅烷偶联剂处理的时间为10-15min。

与现有技术方案相比，本发明具有以下有益效果：

本发明的表面处理过程中，经阳极氧化后得Cu₂O+Cu(OH)₂表面之后和硅烷偶联剂相耦合使得所得铜箔传输信号完整性更好，在16GHz的信号下，本发明处理后较市售的A、B、C、D四种棕化液处理后信号损耗有明显的降低。

附图说明

图1是本发明实施例1中阳极氧化后所得铜箔表面的SEM照片；

图2是本发明中信号损耗检测的线路图。

下面对本发明进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明的保护范围以权利要求书为准。

具体实施方式

为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，本发明的典型但非限制性的实施例如下：

实施例1

本实施例提供一种印制电路板内层铜表面的处理方法，具体如下：

铜箔为采用HTE铜箔，首先配置阳极氧化液，其组成为7.5mol/L氢氧化钠、0.285mol/L酒石酸钾钠、0.156mol/L EDTA，为在烧杯中加入适量去离子水，再加入60g氢氧化钠、16g四水合酒石酸钾钠、6gEDTA，溶解后添加去离子水至溶液200mL刻度线处，得到阳极氧化液。再对铜箔依次进行酸洗、除油、超声清洗，去除表面油脂和杂质。在48℃温度下控制电流恒为9mA/cm²氧化3min得到Cu₂O+Cu(OH)₂表面，如图1所示，将阳极氧化后铜箔放置于125℃烘箱干燥3min。

再将干燥好的样品浸入硅烷偶联剂的水醇溶液中(组成为10wt％乙烯基三氯硅烷，10wt％H₂O，80wt％CH₃CH₂OH)，溶液温度为50℃，浸泡十分钟后将样品取出，用去离子水冲洗掉表面多余的硅烷偶联剂，然后放入烘箱在125℃下3min烘干处理。

接着将处理后铜箔、pp和基板压合，压合后进行信号损耗的检测，详见表1。

实施例2

铜箔为采用HTE铜箔，首先配置阳极氧化液，其组成为7.5mol/L氢氧化钠、0.285mol/L乙二胺四甲叉磷酸钠、0.156mol/L EDTA，为在烧杯中加入适量去离子水，再加入60g氢氧化钠、16g乙二胺四甲叉磷酸钠、6g EDTA，溶解后添加去离子水至溶液200mL刻度线处，得到阳极氧化液。再对铜箔依次进行酸洗、除油、超声清洗，去除表面油脂和杂质。在48℃温度下控制电流恒为12mA/cm²氧化5min得到Cu₂O+Cu(OH)₂表面，将阳极氧化后铜箔放置于125℃烘箱干燥3min。

再将干燥好的样品浸入硅烷偶联剂的水醇溶液(组成为12wt％3-氨丙基三乙氧基硅烷，10wt％H₂O，78wt％CH₃CH₂OH)中，溶液温度为50℃，浸泡十分钟后将样品取出，用去离子水冲洗掉表面多余的硅烷偶联剂，然后放入烘箱在125℃下3min烘干处理。

实施例3

铜箔为采用HTE铜箔，首先配置阳极氧化液，其组成为7.5mol/L氢氧化钠、0.285mol/L胺三甲叉磷酸钠、0.156mol/L EDTA，先在烧杯中加入适量去离子水，再加入60g氢氧化钠、16g胺三甲叉磷酸钠、6g EDTA，溶解后添加去离子水至溶液200mL刻度线处，得到阳极氧化液。再对铜箔依次进行酸洗、除油、超声清洗，去除表面油脂和杂质。在45℃温度下控制电流恒为15mA/cm²氧化3min得到Cu₂O+Cu(OH)₂表面，将阳极氧化后铜箔放置于125℃烘箱干燥3min。

再将干燥好的样品浸入硅烷偶联剂的水醇溶液(组成为15wt％乙烯基三乙氧基硅烷，10wt％H₂O，75wt％CH₃CH₂OH)中，溶液温度为50℃，浸泡十分钟后将样品取出，用去离子水冲洗掉表面多余的硅烷偶联剂，然后放入烘箱在125℃下3min烘干处理。

实施例4

铜箔为采用RTF铜箔，首先配置阳极氧化液，其组成为7.5mol/L氢氧化钠、0.285mol/L二乙烯三胺五羧酸钠、0.156mol/L EDTA，先在烧杯中加入适量去离子水，再加入60g氢氧化钠、16g二乙烯三胺五羧酸钠、6g EDTA，溶解后添加去离子水至溶液200mL刻度线处，得到阳极氧化液。再对铜箔依次进行酸洗、除油、超声清洗，去除表面油脂和杂质。在45℃温度下控制电流恒为15mA/cm²氧化1min得到Cu₂O+Cu(OH)₂表面，将阳极氧化后铜箔放置于125℃烘箱干燥3min。

再将干燥好的样品浸入硅烷偶联剂的水醇溶液(组成为11wt％乙烯基三(β-甲氧乙氧基)，10wt％H₂O，79wt％CH₃CH₂OH)中，溶液温度为50℃，浸泡十分钟后将样品取出，用去离子水冲洗掉表面多余的硅烷偶联剂，然后放入烘箱在125℃下3min烘干处理。

实施例5

铜箔为采用RTF铜箔，首先配置阳极氧化液，其组成为7.5mol/L氢氧化钠、0.285mol/L酒石酸钾钠、0.156mol/L EDTA，先在烧杯中加入适量去离子水，再加入60g氢氧化钠、16g四水合酒石酸钾钠、6g EDTA，溶解后添加去离子水至溶液200mL刻度线处，得到阳极氧化液。再对铜箔依次进行酸洗、除油、超声清洗，去除表面油脂和杂质。在50℃温度下控制电流恒为15mA/cm²氧化2min得到Cu₂O+Cu(OH)₂表面，将阳极氧化后铜箔放置于125℃烘箱干燥3min。

再将干燥好的样品浸入硅烷偶联剂的水醇溶液(组成为10wt％γ-氯丙基-三甲氧基硅烷，15wt％H₂O，75wt％CH₃CH₂OH)中，溶液温度为50℃，浸泡十分钟后将样品取出，用去离子水冲洗掉表面多余的硅烷偶联剂，然后放入烘箱在125℃下3min烘干处理。

实施例6

铜箔为采用RTF铜箔，首先配置阳极氧化液，其组成为7.5mol/L氢氧化钠、0.285mol/L乙二胺四甲叉磷酸钠、0.156mol/L EDTA，先在烧杯中加入适量去离子水，再加入60g氢氧化钠、16g乙二胺四甲叉磷酸钠、6g EDTA，溶解后添加去离子水至溶液200mL刻度线处，得到阳极氧化液。再对铜箔依次进行酸洗、除油、超声清洗，去除表面油脂和杂质。在50℃温度下控制电流恒为20mA/cm²氧化2min得到Cu₂O+Cu(OH)₂表面，将阳极氧化后铜箔放置于125℃烘箱干燥3min。

再将干燥好的样品浸入硅烷偶联剂的水醇溶液(组成为13wt％γ-甲基丙烯酰氧基丙基-三甲氧基硅烷，12wt％H₂O，75wt％CH₃CH₂OH)中，溶液温度为50℃，浸泡十分钟后将样品取出，用去离子水冲洗掉表面多余的硅烷偶联剂，然后放入烘箱在125℃下3min烘干处理。

实施例7

铜箔为采用HVLP铜箔，首先配置阳极氧化液，其组成为7.5mol/L氢氧化钠、0.285mol/L二乙烯三胺五羧酸钠、0.156mol/L EDTA，先在烧杯中加入适量去离子水，再加入60g氢氧化钠、16g二乙烯三胺五羧酸钠、6g EDTA，溶解后添加去离子水至溶液200mL刻度线处，得到阳极氧化液。再对铜箔依次进行酸洗、除油、超声清洗，去除表面油脂和杂质。在50℃温度下控制电流恒为12mA/cm²氧化3min得到Cu₂O+Cu(OH)₂表面，将阳极氧化后铜箔放置于125℃烘箱干燥3min。

再将干燥好的样品浸入硅烷偶联剂的水醇溶液(组成为10wt％3-氨丙基三乙氧基硅烷，10wt％H₂O，80wt％CH₃CH₂OH)中，溶液温度为50℃，浸泡十分钟后将样品取出，用去离子水冲洗掉表面多余的硅烷偶联剂，然后放入烘箱在125℃下3min烘干处理。

实施例8

本实施例采用一种市售的A棕化药水(安美特(中国)化学有限公司)处理铜箔表面。接着将处理后铜箔、pp和基板压合，压合后进行信号损耗的检测，详见表1。

实施例9

本实施例采用一种市售的B棕化药水(安美特(中国)化学有限公司)处理铜箔表面。接着将处理后铜箔、pp和基板压合，压合后进行信号损耗的检测，详见表1。

实施例10

本实施例采用一种市售的C棕化药水(优尼特化学有限公司)处理铜箔表面。接着将处理后铜箔、pp和基板压合，压合后进行信号损耗的检测，详见表1。

实施例11

本实施例采用一种市售的D棕化药水(优尼特化学有限公司)处理铜箔表面。接着将处理后铜箔、pp和基板压合，压合后进行信号损耗的检测，详见表1。

本发明中，上述实施例中信号损耗的检测的依据Delta-L方法进行检测，测试线路如图2所示。铜箔、pp和基板压合为按次序将铜箔、pp和基板组装后进行压合。

表1

通过上述实施例的结果可知，本发明提供的表面处理方法，通过采用特定的表面处理过程，使得处理后的铜箔避免了存在信号传输的导体损耗增加及对高频传输信号的完整性影响较大的问题，显著降低了导体损耗对信号完整性的影响。

声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims

1.一种印制电路板内层铜表面的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：

对铜箔依次进行阳极氧化和硅烷偶联剂处理；

所述阳极氧化的电流密度为18-30mA/cm²；

所述阳极氧化后铜箔表面形成Cu₂O和Cu(OH)₂层；

所述阳极氧化中所用阳极氧化液包括氢氧化钠、有机酸盐、EDTA和铜离子；

所述阳极氧化液中氢氧化钠浓度为5-10mol/L，有机酸盐浓度为0.1-0.6mol/L，EDTA浓度为0.1-0.3mol/L，铜离子浓度为0.01-0.05mol/L；

所述硅烷偶联剂处理中所用硅烷偶联剂包括乙烯基三氯硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧乙氧基)、γ-氯丙基-三甲氧基硅烷或γ-甲基丙烯酰氧基丙基-三甲氧基硅烷中的1种或至少2种的组合；

所述硅烷偶联剂处理中所用处理液中硅烷偶联剂的质量浓度为10-15％；

所述硅烷偶联剂处理中所用处理液的温度为30-60℃。

2.如权利要求1所述处理方法，其特征在于，所述阳极氧化的时间为2-10min。

3.如权利要求1所述处理方法，其特征在于，所述阳极氧化的温度为30-50℃。

4.如权利要求1所述处理方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂处理的时间为10-15min。

5.如权利要求1所述处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：

对铜箔依次进行阳极氧化和硅烷偶联剂处理；

所述阳极氧化后铜箔表面形成Cu₂O和Cu(OH)₂层；

所述阳极氧化中所用阳极氧化液包括氢氧化钠、有机酸盐、EDTA和铜离子；所述阳极氧化液中氢氧化钠浓度为5-10mol/L，有机酸盐浓度为0.1-0.6mol/L，EDTA浓度为0.1-0.3mol/L，铜离子浓度为0.01-0.05mol/L；所述阳极氧化的时间为2-10min；所述阳极氧化的温度为30-50℃；所述阳极氧化的电流密度为18-30mA/cm²；

所述硅烷偶联剂处理中所用硅烷偶联剂包括乙烯基三氯硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧乙氧基)、γ-氯丙基-三甲氧基硅烷或γ-甲基丙烯酰氧基丙基-三甲氧基硅烷中的1种或至少2种的组合；所述硅烷偶联剂处理中所用处理液中硅烷偶联剂的质量浓度为10-15％；所述硅烷偶联剂处理中所用处理液的温度为30-60℃；所述硅烷偶联剂处理的时间为10-15min。