CN115558426A - 芯片表面研磨的方法、用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液及其制备方法 - Google Patents
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- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims abstract description 202
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000725 suspension Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 49
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L calcium carbonate Substances [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 11
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 28
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 claims description 9
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 5
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 17
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 abstract description 4
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 241000282412 Homo Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Images
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
本发明属于芯片加工技术领域，具体涉及芯片表面研磨的方法、用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液及其制备方法。本发明将不同尺寸的颗粒进行混合，利用小颗粒占据大颗粒缝隙，形成一种致密的研磨层，将研磨次数缩短为两次，能够大幅提高研磨效率，从而降低研磨时长。本发明提供的用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液保证配制的磨料在研磨过程中，内部研磨颗粒能够分布均匀，保证研磨效果。此外，悬浮磨抛液中采用了纳米碳酸钙，不仅具备了防沉降作用，同时具备了增加研磨层面粗糙度，提高研磨效率以及防止研磨面表面氧化的作用，一定程度也降低了成本；并且还添加了二氧化铈微粒，使得其同时具备了抛光液的作用，减少表面因研磨产生的划痕量，完善研磨效果。
Description
技术领域
本发明属于芯片加工技术领域，具体涉及芯片表面研磨的方法、用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液及其制备方法。
背景技术
芯片，又称微电路、微芯片、集成电路，是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。用于红外探测器的芯片，主要用于安全防范、森林防火、红外激光等，是把500μm左右的芯片通过研磨、粗抛、精抛等工艺减薄到100μm以下，且表面TTV小于2μm，表面平整光滑，机械损伤小。人眼能直接感知的光谱范围是400-700nm，而红外线是一种人眼不可见的光波，红外探测技术是利用目标与背景间的红外辐射差所形成的热点或图像获取目标及背景信息。研磨抛光是为了降低芯片表面粗糙度，达到设计厚度，具有良好的透光性，以提髙红外系统探测和识别目标的能力，并可以将人射的红外辐射经光电转换变为人眼可观察的图像。
现有芯片在加工过程中，研磨过程长，研磨过程复杂，需要5种不同尺寸颗粒研磨料(9μm、7μm、5μm、3μm、2μm)，并且每一种尺寸颗粒料都需要独立研磨一次，即使使用上述多种粒径的磨料，仍然不能实现芯片表面的研磨效果；同时由于磨料颗粒分布不均匀，长时间存放产生沉降现象，进而需要重新配制，导致生产成本过高。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明提供了芯片表面研磨的方法、用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液及其制备方法，目的是为了解决现有芯片在加工过程中，研磨过程长，研磨过程复杂，需要5种不同尺寸颗粒研磨料，并且每一种尺寸颗粒料都需要独立研磨一次，即使使用上述多种粒径的磨料，仍然不能实现芯片表面的研磨效果；同时由于磨料颗粒分布不均匀，长时间存放产生沉降现象，进而需要重新配制，导致生产成本过高的技术问题。
本发明提供了第一个技术方案，既用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液的制备方法，具体技术方案如下：
用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液的制备方法，将0.3-0.5重量份二氧化铈颗粒和0.7-0.9份纳米碳酸钙颗粒加水加入球磨机中进行湿磨粉碎。
在某些实施方式中，所述湿磨粉碎的时间为8-15h，所述湿磨粉碎的球磨机中球磨直径为0.5mm-2mm。
本发明还提供了第二个技术方案，既用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，其特征在于，利用第一个技术方案中的方法制备的悬浮抛磨液。
本发明还提供了第三个技术方案，即芯片表面研磨的方法，将9μm、7μm、3μm三种粒径的氧化铝粉与第二个技术方案中的用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液混合后获得第一磨料，在研磨机上利用第一磨料对芯片进行第一次抛光，再将3μm、2μm两种粒径的氧化铝粉与第二个技术方案中的用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液混合后获得第二磨料，在研磨机上对芯片进行第二次抛光。
进一步，包括如下步骤：
S1，将包含9μm、7μm、3μm三种粒径的100份氧化铝粉倒入1000份去离子水中，搅拌均匀加入100份第二个技术方案中的用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，搅拌15～30min，获得第一磨料；
S2，将芯片放置在研磨机上，喷洒步骤S1中第一磨料对芯片进行第一次抛光；
S3，将包含3μm、2μm两种粒径的100份氧化铝粉倒入1000份去离子水中，搅拌均匀加入100份第二个技术方案中的用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，搅拌15～30min，获得第二磨料；
S4，将经过步骤S2第一次抛光的芯片放置在研磨机上，喷洒步骤S2中第二磨料对芯片进行第二次抛光。
在某些实施方式中，步骤S1中，100份氧化铝粉包括30％-50％的9μm粒径的氧化铝粉、30％-50％的7μm粒径的氧化铝粉和30％-50％的3μm粒径的氧化铝粉。
在某些实施方式中，步骤S2中，所述第一次抛光中，研磨压力为500g/cm2，研磨的转速为60r/min，滴料速度为20ml/min。
在某些实施方式中，步骤S3中，100份氧化铝粉包括30％-80％的3μm粒径的氧化铝粉和30％-80％的2粒径的氧化铝粉。
在某些实施方式中，步骤S2中，所述第二次抛光中，研磨压力为500g/cm2，研磨的转速为60r/min，滴料速度为20ml/min。
本发明具有以下有益效果：本发明提供的芯片表面研磨的方法，将原本研磨工艺中分为5次研磨过程简化为大尺寸颗粒加新制悬浮磨抛液和小尺寸颗粒加悬浮磨抛液完成两次研磨，由于将不同尺寸的颗粒进行混合，利用小颗粒占据大颗粒缝隙，形成一种致密的研磨层，能够大幅提高研磨效率，从而降低研磨时长。本发明提供的用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液在研磨过程中，保证配制的磨料在研磨过程中，内部研磨颗粒能够分布均匀，防止颗粒产生沉降作用进行分层，导致研磨效果变差。此外，悬浮磨抛液中采用了纳米碳酸钙，不仅具备了防沉降作用，同时具备了增加研磨层面粗糙度，提高研磨效率以及防止研磨面表面氧化的作用，同时纳米碳酸钙相比其他的悬浮液配方而言，用料便宜，一定程度上降低了成本；并且还添加了二氧化铈微粒，使得悬浮磨抛液同时具备了抛光液的作用，在添加到研磨液中能够使得研磨过程中经过研磨减薄后的表面能够同时具有一定的抛光效果，减少表面因研磨产生的划痕量，完善研磨效果。
附图说明
图1是本发明芯片表面研磨的方法的工作原理示意图；
图2是本发明实施例1中芯片研磨后表面的电镜图；
图3是本发明实施例2中芯片研磨后表面的电镜图；
图4是本发明实施例3中芯片研磨后表面的电镜图；
图5是利用现有技术芯片研磨后表面的电镜图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图1-5，对本发明进一步详细说明。
实施例1
本实施例提供了芯片表面研磨的方法、用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液及其制备方法，具体如下：
首先配制用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，具体操作为：将0.3份二氧化铈颗粒和0.7份纳米碳酸钙颗粒加水加入球磨机中进行湿磨粉碎，粉碎时长为8h，粉碎时球磨机中的球磨直径为2mm，粉碎后得到的液体即为用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液。
利用上述用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液对芯片表面研磨进行研磨，具体如下：
步骤一、将100份氧化铝粉(9μm40％、7μm30％、3μm30％)倒入1000份去离子水中，搅拌均匀加入100份上述用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，用玻璃棒搅拌15分钟，获得第一次磨料。在研磨机上进行第一次抛光，研磨材料选用为玻璃磨盘。研磨机参数为：研磨压力500g/cm2，研磨转速为60r/min，滴料速度为20ml/min，同一高度芯片去除500μm需要60min。
步骤二、将100份氧化铝粉(3μm50％、2μm50％)倒入1000份去离子水中，搅拌均匀加入100份上述用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，用玻璃棒搅拌15分钟，获得第二次磨料。研磨机参数为：研磨压力500g/cm2，研磨转速为60r/min，滴料速度为20ml/min，同一高度芯片去除500μm需要40min。
利用本实施例的方案进行芯片研磨后，芯片表面如图2所示。
实施例2
本实施例提供了芯片表面研磨的方法、用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液及其制备方法，具体如下：
首先配制用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，具体操作为：将0.5份二氧化铈颗粒和0.9份纳米碳酸钙颗粒加水加入球磨机中进行湿磨粉碎，粉碎时长为15h，粉碎时球磨机中的球磨直径为1mm，粉碎后得到的液体即为用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液。
利用上述用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液对芯片表面研磨进行研磨，具体如下：
步骤一、将100份氧化铝粉(9μm60％、7μm20％、3μm20％)倒入1000份去离子水中，搅拌均匀加入100份上述用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，用玻璃棒搅拌30分钟，获得第一次磨料。在研磨机上进行第一次抛光，研磨材料选用为玻璃磨盘。研磨机参数为：研磨压力500g/cm2研磨转速为60r/min，滴料速度为20ml/min，同一高度芯片去除500μm需要40min。
步骤二、将100份氧化铝粉(3μm60％、2μm40％)倒入1000份去离子水中，搅搅拌均匀加入100份上述用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，用玻璃棒搅拌30分钟，获得第二次磨料。研磨方法为：研磨压力500g/cm2研磨转速为60r/min，滴料速度为20ml/min，同一高度芯片去除500μm需要30min。
利用本实施例的方案进行芯片研磨后，芯片表面如图3所示。
实施例3
本实施例提供了芯片表面研磨的方法、用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液及其制备方法，具体如下：
首先配制用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，具体操作为：将0.4份二氧化铈颗粒和0.8份纳米碳酸钙颗粒加水加入球磨机中进行湿磨粉碎，粉碎时长为12h，粉碎时球磨机中的球磨直径为0.5mm，粉碎后得到的液体即为用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液。
利用上述用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液对芯片表面研磨进行研磨，具体如下：
步骤一、将100份氧化铝粉(9μm50％、7μm30％、3μm20％)倒入1000份去离子水中，搅拌均匀加入100份上述用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，用玻璃棒搅拌20分钟，获得第一次磨料。在研磨机上进行第一次抛光，研磨材料选用为玻璃磨盘。研磨机参数为：研磨压力500g/cm2研磨转速为60r/min，滴料速度为20ml/min，同一高度芯片去除500μm需要50min。
步骤二、将100份氧化铝粉(3μm40％、2μm60％)倒入1000份去离子水中，搅搅拌均匀加入100份上述用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，用玻璃棒搅拌20分钟，获得第二次磨料。研磨机参数为：研磨压力500g/cm2研磨转速为60r/min，滴料速度为20ml/min，同一高度芯片去除500μm需要30min。
利用本实施例的方案进行芯片研磨后，芯片表面如图4所示。
利用现有研磨技术对芯片进行研磨，芯片表面如图5所示。利用实施例1-3的方法研磨后的芯片表面粗糙度更低，更加细腻，表面没有划痕，研磨效果明显被提升。
综上所述，本发明提供的芯片表面研磨的方法，将原本研磨工艺中分为5次研磨过程简化为大尺寸颗粒加新制悬浮磨抛液和小尺寸颗粒加悬浮磨抛液完成两次研磨，由于将不同尺寸的颗粒进行混合，利用小颗粒占据大颗粒缝隙，形成一种致密的研磨层，能够大幅提高研磨效率，从而降低研磨时长。本发明提供的用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液在研磨过程中，保证配制的磨料在研磨过程中，内部研磨颗粒能够分布均匀，防止颗粒产生沉降作用进行分层，导致研磨效果变差。此外，悬浮磨抛液中采用了纳米碳酸钙，不仅具备了防沉降作用，同时具备了增加研磨层面粗糙度，提高研磨效率以及防止研磨面表面氧化的作用，同时纳米碳酸钙相比其他的悬浮液配方而言，用料便宜，一定程度上降低了成本；并且还添加了二氧化铈微粒，使得悬浮磨抛液同时具备了抛光液的作用，在添加到研磨液中能够使得研磨过程中经过研磨减薄后的表面能够同时具有一定的抛光效果，减少表面因研磨产生的划痕量，完善研磨效果。
上述仅本发明较佳可行实施例，并非是对本发明的限制，本发明也并不限于上述举例，本技术领域的技术人员，在本发明的实质范围内，所作出的变化、改型、添加或替换，也应属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液的制备方法，其特征在于，将0.3-0.5重量份二氧化铈颗粒和0.7-0.9重量份纳米碳酸钙颗粒加水加入球磨机中进行湿磨粉碎。
2.根据权利要求1所述用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液的制备方法，其特征在于，所述湿磨粉碎的时间为8-15h，所述湿磨粉碎的球磨机中球磨直径为0.5mm-2mm。
3.用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，其特征在于，利用权利要求1或2所述的方法制备的悬浮抛磨液。
4.芯片表面研磨的方法，其特征在于，将9μm、7μm、3μm三种粒径的氧化铝粉与权利要求3所述的用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液混合后获得第一磨料，在研磨机上利用第一磨料对芯片进行第一次抛光，再将3μm、2μm两种粒径的氧化铝粉与权利要求3所述的用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液混合后获得第二磨料，在研磨机上对芯片进行第二次抛光。
5.根据权利要求4所述的芯片表面研磨的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，将包含9μm、7μm、3μm三种粒径的100份氧化铝粉倒入1000份去离子水中，搅拌均匀加入100份权利要求3所述的用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，搅拌15～30min，获得第一磨料；
S2，将芯片放置在研磨机上，喷洒步骤S1中第一磨料对芯片进行第一次抛光；
S3，将包含3μm、2μm两种粒径的100份氧化铝粉倒入1000份去离子水中，搅拌均匀加入100份权利要求3所述的用于芯片表面研磨的悬浮磨抛液，搅拌15～30min，获得第二磨料；
S4，将经过步骤S2第一次抛光的芯片放置在研磨机上，喷洒步骤S2中第二磨料对芯片进行第二次抛光。
6.根据权利要求5所述的芯片表面研磨的方法，其特征在于，步骤S1中，100份氧化铝粉包括30％-50％的9μm粒径的氧化铝粉、30％-50％的7μm粒径的氧化铝粉和30％-50％的3μm粒径的氧化铝粉。
7.根据权利要求5所述的芯片表面研磨的方法，其特征在于，步骤S2中，所述第一次抛光中，研磨压力为500g/cm2，研磨的转速为60r/min，滴料速度为20ml/min。
8.根据权利要求5所述的芯片表面研磨的方法，其特征在于，步骤S3中，100份氧化铝粉包括30％-80％的3μm粒径的氧化铝粉和30％-80％的2粒径的氧化铝粉。
9.根据权利要求5所述的芯片表面研磨的方法，其特征在于，步骤S2中，所述第二次抛光中，研磨压力为500g/cm2，研磨的转速为60r/min，滴料速度为20ml/min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Citations (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000038572A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Hiroaki Tanaka | ガラス、石英用研磨組成物及びその製造方法 |
| JP2000328045A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-28 | C Uyemura & Co Ltd | 研磨剤組成物 |
| CN1955249A (zh) * | 2005-10-28 | 2007-05-02 | 安集微电子（上海）有限公司 | 用于钽阻挡层的化学机械抛光浆料 |
| TW200725714A (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-01 | Anji Microelectronics Co Ltd | Systems, methods and slurries for chemical mechanical polishing |
| CN101351518A (zh) * | 2005-11-02 | 2009-01-21 | 杜邦纳米材料气体产品有限公司 | 连接到固体用以增强cmp配方的自由基形成活化剂 |
| CN102504705A (zh) * | 2011-10-17 | 2012-06-20 | 刘玉林 | 光通讯Zr02陶瓷插芯精密加工用抛光液及其制备方法 |
| CN103320093A (zh) * | 2013-06-20 | 2013-09-25 | 无锡晨旸科技股份有限公司 | 一种平板玻璃混合型研磨材料生产的工艺方法 |
| CN103814102A (zh) * | 2011-09-20 | 2014-05-21 | 堺化学工业株式会社 | 玻璃研磨用复合颗粒 |
| CN103992743A (zh) * | 2014-05-09 | 2014-08-20 | 杰明纳微电子股份有限公司 | 含有二氧化铈粉体与胶体二氧化硅混合磨料的抛光液及其制备工艺 |
| CN104403574A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-03-11 | 河北工业大学 | 蓝宝石衬底材料的复合磨料抛光液及其循环使用方法 |
| CN105729297A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-07-06 | 南京航空航天大学 | 研抛一体化冰粒型固结磨料抛光垫及其制备方法 |
| CN106913905A (zh) * | 2015-12-24 | 2017-07-04 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种抗降解和抗菌性能良好的二氧化铈掺杂硅酸钙涂层及其制备方法和应用 |
| CN107936971A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-04-20 | 周新淳 | 一种显示屏用荧光粉及其制备方法 |
| CN107932293A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-04-20 | 姚松年 | 一种金属板材加工用的抛光装置及其用抛光液的制备方法 |
| CN110198808A (zh) * | 2016-11-23 | 2019-09-03 | 曼泽纳抛光磨料有限两合公司 | 用于表面加工的方法、添加剂的用途和表面加工介质 |
| CN111216037A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-06-02 | 河南联合精密材料股份有限公司 | 一种抛光垫及其制备方法 |
| CN111993257A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-11-27 | 深圳市前海国佳科技有限公司 | 半导体芯片研磨抛光方法及研磨抛光系统 |
| CN112125665A (zh) * | 2020-09-24 | 2020-12-25 | 郑州方铭高温陶瓷新材料有限公司 | 电炉钢包、钢包、转炉炼钢内水口氧化锆陶瓷的制备工艺 |
| CN114045153A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-02-15 | 清华大学 | 一种制备二氧化铈悬浮液的方法、二氧化铈悬浮液及抛光液 |
| CN114958302A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-08-30 | 珠海戴蒙斯科技有限公司 | 一种高效的研磨液及其制备方法和应用 |
-
2022
- 2022-09-23 CN CN202211178156.XA patent/CN115558426A/zh active Pending
Patent Citations (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000038572A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Hiroaki Tanaka | ガラス、石英用研磨組成物及びその製造方法 |
| JP2000328045A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-28 | C Uyemura & Co Ltd | 研磨剤組成物 |
| CN1955249A (zh) * | 2005-10-28 | 2007-05-02 | 安集微电子（上海）有限公司 | 用于钽阻挡层的化学机械抛光浆料 |
| CN101351518A (zh) * | 2005-11-02 | 2009-01-21 | 杜邦纳米材料气体产品有限公司 | 连接到固体用以增强cmp配方的自由基形成活化剂 |
| TW200725714A (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-01 | Anji Microelectronics Co Ltd | Systems, methods and slurries for chemical mechanical polishing |
| CN103814102A (zh) * | 2011-09-20 | 2014-05-21 | 堺化学工业株式会社 | 玻璃研磨用复合颗粒 |
| CN102504705A (zh) * | 2011-10-17 | 2012-06-20 | 刘玉林 | 光通讯Zr02陶瓷插芯精密加工用抛光液及其制备方法 |
| CN103320093A (zh) * | 2013-06-20 | 2013-09-25 | 无锡晨旸科技股份有限公司 | 一种平板玻璃混合型研磨材料生产的工艺方法 |
| CN103992743A (zh) * | 2014-05-09 | 2014-08-20 | 杰明纳微电子股份有限公司 | 含有二氧化铈粉体与胶体二氧化硅混合磨料的抛光液及其制备工艺 |
| CN104403574A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-03-11 | 河北工业大学 | 蓝宝石衬底材料的复合磨料抛光液及其循环使用方法 |
| CN106913905A (zh) * | 2015-12-24 | 2017-07-04 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种抗降解和抗菌性能良好的二氧化铈掺杂硅酸钙涂层及其制备方法和应用 |
| CN105729297A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-07-06 | 南京航空航天大学 | 研抛一体化冰粒型固结磨料抛光垫及其制备方法 |
| CN110198808A (zh) * | 2016-11-23 | 2019-09-03 | 曼泽纳抛光磨料有限两合公司 | 用于表面加工的方法、添加剂的用途和表面加工介质 |
| CN107932293A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-04-20 | 姚松年 | 一种金属板材加工用的抛光装置及其用抛光液的制备方法 |
| CN107936971A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-04-20 | 周新淳 | 一种显示屏用荧光粉及其制备方法 |
| CN111216037A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-06-02 | 河南联合精密材料股份有限公司 | 一种抛光垫及其制备方法 |
| CN111993257A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-11-27 | 深圳市前海国佳科技有限公司 | 半导体芯片研磨抛光方法及研磨抛光系统 |
| CN112125665A (zh) * | 2020-09-24 | 2020-12-25 | 郑州方铭高温陶瓷新材料有限公司 | 电炉钢包、钢包、转炉炼钢内水口氧化锆陶瓷的制备工艺 |
| CN114045153A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-02-15 | 清华大学 | 一种制备二氧化铈悬浮液的方法、二氧化铈悬浮液及抛光液 |
| CN114958302A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-08-30 | 珠海戴蒙斯科技有限公司 | 一种高效的研磨液及其制备方法和应用 |
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