CN115332429B - 微型组件结构及显示设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种微型组件结构,其包括组件以及固定结构。组件具有上表面、下表面及第一侧表面。下表面相对于上表面。第一侧表面连接上表面及下表面。固定结构包括连接部及第一转折部。连接部至少自组件的上表面延伸至第一侧表面。第一转折部接触以连接连接部的第一末端并自第一侧表面向外延伸以远离第一侧表面。连接部的第一末端位于上表面及下表面之间的第一侧表面上。
Description
技术领域
本发明涉及一种组件结构及显示设备,尤其涉及一种具有突出结构的微型组件结构及显示设备。
背景技术
随着科技的进步,许多电子组件的体积逐渐往微型化发展。而微型化的电子组件可能需要转移而配置至对应的线路板上,以作为后续消费端的应用。因此,如何使微型化的电子组件在制造或应用的过程中,可以有效率地被转移(如:可以提升提取过程的速度或良率),实已成目前研究上的热门课题。
发明内容
本发明提供一种微型组件结构或显示设备,其组件在制造或应用的过程中,可以有效率地被转移。
根据本发明的一实施例,微型组件结构包括组件以及固定结构。组件具有上表面、下表面及第一侧表面。下表面相对于上表面。第一侧表面连接上表面及下表面。固定结构包括连接部及第一转折部。连接部至少自组件的上表面延伸至第一侧表面。第一转折部接触以连接连接部的第一末端并自第一侧表面向外延伸以远离第一侧表面。连接部的第一末端位于上表面及下表面之间的第一侧表面上。
根据本发明的一实施例,显示设备包括微型发光组件以及固定结构。微型发光组件具有上表面、下表面及第一侧表面。下表面相对于上表面。第一侧表面连接上表面及下表面。固定结构包括连接部及第一转折部。连接部至少自微型发光组件的上表面延伸至第一侧表面。第一转折部接触以连接连接部的第一末端并自第一侧表面向外延伸以远离第一侧表面。连接部的第一末端位于上表面及下表面之间的第一侧表面上。第一转折部远离于第一侧表面的末端悬空。
为让本发明能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1H是本发明的一实施例的一种微型组件结构的部分制作方法的部分剖视示意图;
图1I是本发明的一实施例的一种微型组件结构的部分上视示意图;
图2A至图2G是本发明的另一实施例的一种微型组件结构的部分上视示意图;
图3A至图3C是本发明的一实施例的一种显示设备的部分制作方法的部分剖视示意图;
图4是本发明的一实施例的一种微型组件结构的部分剖视示意图;
图5是本发明的一实施例的一种微型组件结构的部分剖视示意图。
附图标记说明:
100、200a、200b、200c、200d、200e、200f、200g、400、500:微型组件结构;
110、310、310’:组件;
110a:上表面;
110b:下表面;
110c:第一侧表面;
110d:第二侧表面;
111:第一型半导体层;
112:发光层;
113:第二型半导体层;
113a:上表面;
114:第一导电层;
111c、112c、113c、111c:侧壁;
115:图案化绝缘层;
116:第一电极;
117:第二电极;
120、120’:固定结构;
125:连接部;
121:第一转折部;
121d:第一延伸方向;
122:第二转折部;
122d:第二延伸方向;
121w、122w:宽度;
121h、122h:厚度;
123:第一支撑部;
123d:第三延伸方向;
124:第二支撑部;
124d:第四延伸方向;
130:载板;
130a:表面;
300:显示设备;
330:线路板;
350:导电连接件;
600:取放装置;
811、911:第一型半导体材料层;
812、912:发光材料层;
813、913:第二型半导体材料层;
820:固定材料层;
830:衬底;
841、842:填充材料层;
830a、842a:表面;
843:开口或沟槽;
h1:第一距离;
h2:第二距离;
h3:第三距离;
R1:区域。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
在附图中,为了清楚起见,可能放大或缩小了部分的组件或膜层的尺寸。
为求清楚表示,在附图中可能省略绘示或标示了部分的组件或膜层。
并且,在说明书中所表示的数值,可以包括所述数值以及在本领域中普通技术人员可接受的偏差范围内的偏差值。举例而言,本文使用的“约”或“基本上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围(如:±10%)内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制或误差;或工艺系统的限制或误差,但不限)。
图1A至图1H是依照本发明的一实施例的一种微型组件结构的部分制作方法的部分剖视示意图。
请参照图1A,提供衬底830,其中衬底830的表面上具有依序堆栈的第二型半导体材料层813、发光材料层812、第一型半导体材料层811以及第一导电材料层814。衬底830、第二型半导体材料层813、发光材料层812、第一型半导体材料层811和/或第一导电材料层814的材料、结构或形成方式可为熟知此技术者自行选用,本发明并不以此为限。另外,第一导电材料层814可视需要形成,本发明并不以此为限。
请参照图1A至图1B,在形成第一型半导体材料层811之后,可以移除部分的第二型半导体材料层813、发光材料层812、第一型半导体材料层811以及第一导电材料层814,以暴露出部分的衬底830。并且,对应地形成图案化的第二型半导体层113、图案化的发光层112、图案化的第一型半导体层111以及图案化的第一导电层114。上述膜层的移除方式可为熟知此技术者自行选用,本发明并不以此为限。
请继续参照图1B,在图案化第二型半导体层113、发光层112、第一型半导体层111以及第一导电层114之后,形成图案化绝缘层115。举例而言,图案化绝缘层115可以覆盖第一型半导体层111、发光层112、第二型半导体层113及第一导电层114的侧壁,以及第一型半导体层111、发光层112以及第二型半导体层113所暴露出的部分衬底830,但本发明不限于此。
图案化绝缘层115的材料或形成方式可为熟知此技艺者自行选用,本发明不以此为限。
请继续参照图1B,在形成图案化绝缘层115之后,形成第一电极116以及第二电极117。第一电极116电连接于第一型半导体层111。第二电极117电连接于第二型半导体层113。在一实施例中,第一电极116与第一型半导体层111之间可以经由对应的第一导电层114而电连接,但本发明不限于此。
另外,为求清楚表示,在图1B或后续的图示中并未一一表示所有的第一型半导体层111、发光层112、第二型半导体层113、第一导电层114、图案化绝缘层115、第一电极116、第二电极117或其他类似的构件或对应的位置。
请参照图1B至图1C,在形成第一电极116以及第二电极117之后,在衬底830上形成填充材料层841。
在本实施例中,填充材料层841的材料可以包括苯环丁烯(benzocyclobutene;BCB)、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类、其他类似的聚合物或前述材料的组合,以于后续的工艺中,可以经由一蚀刻剂(etching reagent)将填充材料层841移除。填充材料层841形成或移除的方式可为熟知此技艺者自行选用,本发明不以此为限。
请继续参照图1C,在形成填充材料层841之后,可以于填充材料层841上配置载板130。在一实施例中,载板130与填充材料层841之间可以具有对应的粘着材料,但本发明不限于此。
请参照图1C至图1D,在配置载板130之后,可以移除衬底830。举例而言,可以将图1C中所绘示的结构上下旋转或翻转(rotate or flip upside down),然后,将衬底830移除。
在本实施例中,在将衬底830移除之后,可以暴露出第二型半导体层113的上表面113a(即,最远离第一型半导体层111的表面)。
请参照图1D至图1E,在移除衬底830之后,可以移除部分的填充材料层841(标示于图1D)。举例而言,可以经由蚀刻剂以蚀刻的方式移除部分的填充材料层841(标示于图1D),以形成较薄的填充材料层842(标示于图1E)。如此一来,可以使填充材料层842的表面842a低于第二型半导体层113的上表面113a。
在本实施例中,在移除部分的填充材料层841(标示于图1D)时或之前,可以移除部分的图案化绝缘层115。也就是说,图案化绝缘层115基本上可以不覆盖于较薄的填充材料层842(标示于图1E)的表面824a。
在一实施例中,可以经由干式蚀刻(dry etching)、湿式蚀刻(wet etching)、激光钻孔(laser drilling)或研磨(grinding)的方式以移除部分的图案化绝缘层115,但本发明不限于此。
在本实施例中,填充材料层842的表面842a基本上平行于第二型半导体层113的上表面113a,但本发明不限于此。
请参照图1E至图1F,移除部分的填充材料层842,以暴露出部分的载板130。举例而言,可以经由干式蚀刻(dry etching)、湿式蚀刻(wet etching)、激光钻孔(laserdrilling)或机械钻孔(mechanical drilling),以形成一个或多个贯穿填充材料层842的开口或沟槽843。
请参照图1F至图1G,移除部分的填充材料层842而暴露出部分的载板130之后,可以于第二型半导体层113及填充材料层842上形成固定材料层820。固定材料层820可以自第二型半导体层113的上表面113a延伸至填充材料层842的表面,且进一步地填入填充材料层842的开口或沟槽843(标示于图1F)以连接至载板130。固定材料层820的材料或形成方式可为熟知此技艺者自行选用,本发明不以此为限。
在本实施例中,固定材料层820的材料可以不同于填充材料层842的材料。举例而言,在本实施例中,固定材料层820的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或上述的组合,但本发明不限于此。
请参照图1G至图1H,在形成固定材料层820之后,移除填充材料层842。填充材料层842的移除方式可为熟知此技术者自行选用,本发明不以此为限。举例而言,可以经由湿式蚀刻的方式以移除填充材料层842。
在本实施例中,在移除填充材料层842之后,在无外力作用的情况下,部分或全部的固定材料层820可以作为用于支撑或固定的固定结构120。
经过上述工艺后即可大致上完成本实施例的微型组件结构100的制作。
图1H可以是依照本发明的一实施例的一种微型组件结构的部分剖视示意图。图1I可以是依照本发明的一实施例的一种微型组件结构的部分上视示意图。举例而言,图1I可以是对应于图1H中区域R1的上视示意图。
请参照图1H至图1I,微型组件结构100包括组件110以及固定结构120。组件110可以具有上表面110a、下表面110b、第一侧表面110c以及第二侧表面110d。下表面110b相对于上表面110a。第一侧表面110c相对于第二侧表面110d。第一侧表面110c的相对两端分别连接上表面110a的一侧及下表面110b的一侧。第二侧表面110d的相对两端分别连接上表面110a的另一侧及下表面110b的另一侧。固定结构120包括连接部125及第一转折部121。连接部125至少自组件110的上表面110a延伸至第一侧表面110c以连接组件110。第一转折部121与连接部125相连接。第一转折部121可以沿着第一延伸方向121d且自组件110的第一侧表面110c向外(即,向远离组件110的方向)延伸。第一转折部121介于上表面110a及下表面110b之间。在本实施例中,组件110可以包括第一型半导体层111、发光层112、第二型半导体层113以及图案化绝缘层115。
在本实施例中,第一延伸方向121d可以基本上平行于上表面110a。
在本实施例中,第一转折部121的宽度121w介于0.1微米(micrometer;μm)~20μm。
在本实施例中,第一转折部121的厚度121h小于3μm。
在本实施例中,连接部125可以更自组件110的上表面110a延伸至第二侧表面110d以连接组件110。并且,固定结构120可以还包括第二转折部122。第二转折部122与连接部125相连接,且第二转折部122不同于第一转折部121。第二转折部122可以沿着第二延伸方向122d且自组件110的第二侧表面110d向外(即,向远离组件110的方向)延伸。第二转折部122介于上表面110a及下表面110b之间。
在本实施例中,第二延伸方向122d可以基本上平行于上表面110a。
在本实施例中,第二转折部122的宽度122w介于0.1μm~20μm。
在本实施例中,第二转折部122的厚度122h小于3μm。
在一实施例中,第一转折部121和/或第二转折部122可以被称为突出结构。
在本实施例中,组件110的上表面110a与突出结构(第一转折部121和/或第二转折部122)之间具有第一距离h1,组件110的上表面110a与下表面110b之间具有第三距离h3,且第三距离h3大于第一距离h1。如此一来,可以避免固定结构层凸出组件110的下表面110b(第一电极116或第二电极117的电极表面),以降低组件110接合时第一电极116或第二电极117无法有效接合至目标衬底上的电极的可能。
在本实施例中,组件110可以经由固定结构120配置于载板130上。
在本实施例中,组件110的下表面110b与载板130之间具有第二距离h2,且第一距离h1大于第二距离h2。如此一来,可以避免组件110吸取时,下压时碰触垂直的固定结构120导致吸取良率下降。
在本实施例中,固定结构120还包括第一支撑部123。第一支撑部123连接第一转折部121,且第一支撑部123连接于载板130。第一支撑部123可以具有第三延伸方向123d。第三延伸方向123d不同于第一延伸方向121d。
在本实施例中,第一支撑部123的高度大于组件110与载板130之间的距离。也就是说,载板130的表面130a与第一转折部121之间的距离大于载板130的表面130a与组件110的下表面110b之间的第二距离h2。如此一来,可以使组件110与载板130之间具有空气间隙(air gap)。也就是说,组件110与载板130之间可以具有不为实体物所占有的空间。
在本实施例中,固定结构120可以还包括第二支撑部124。第二支撑部124连接第二转折部122,且第二支撑部124连接于载板130。第二支撑部124可以具有第四延伸方向124d。第四延伸方向124d不同于第二延伸方向122d。
在本实施例中,第二支撑部124的高度大于组件110与载板130之间的距离。也就是说,载板130的表面130a与第二转折部122之间的距离大于载板130的表面130a与组件110的下表面110b之间的最短距离。
在本实施例中,固定结构120为连续结构。也就是说,连接部125、第一转折部121、第一支撑部123、位于组件110的第二侧表面110d上的部分连续结构(如:部分的连接部125)、第二转折部122及第二支撑部124的材料基本上为相同。
在本实施例中,组件110为微发光二极管(micro LED;μLED)。举例而言,从上视方向(如:图1I所绘示的方向)看,组件110为尺寸基本上为约(1μm~100μm)×(1μm~100μm)大小的微发光二极管。
在本实施例中,组件110的上表面110a可以是第二型半导体层113远离第一型半导体层111的表面113a,但本发明不限于此。
在本实施例中,组件110的第一侧表面110c及第二侧表面110d可以是图案化绝缘层115的部分表面。
在本实施例中,组件110的至少一部分下表面110b可以是图案化绝缘层115远离上表面110a的部分表面,但本发明不限于此。
在本实施例中,组件110可以还包括第一导电层114,但本发明不限于此。
在本实施例中,组件110可以包括第一电极116以及第二电极117。组件110的至少一部分下表面110b可以是第一电极116远离上表面110a的部分表面。组件110的至少一部分下表面110b可以是第二电极117远离上表面110a的部分表面。但本发明不限于此。
图2A是依照本发明的另一实施例的一种微型组件结构的部分上视示意图。本实施例的微型组件结构200与第一实施例的微型组件结构100相似,其相同或相似的构件以相同或相似的标号表示,且具有类似的功能、材料或配置方式,并省略描述。
请参照图1H与图2A,微型组件结构200a包括组件110以及固定结构120。并且,固定结构120包括连接部125及第一转折部121。连接部125至少自组件110的上表面110a延伸至第一侧表面110c。第一转折部121与连接部125相连接。第一转折部121可以沿着第一延伸方向121d且自组件110的第一侧表面110c向外(即,向远离组件110的方向)延伸。
本实施例的固定结构120与前述的固定结构120相似,差别在于:从上视方向(如:图2A所绘示的方向)看,连接部125位于第一电极116以及第二电极117之间。
其他类似于微型组件结构100或微型组件结构200a的微型组件结构200b、200c、200d、200e、200f、200g、可以如图2B至图2G所示。
如图2B所示,从上视方向看,在微型组件结构200b中,固定结构120为多个彼此分离的结构体且分散于组件110周侧。固定结构120的位置可于组件110四边、四角或其组合型式。固定结构120中各个结构体的一部分与组件110相连,固定结构120中各个结构体的另一部分则延伸至组件110的外侧。如图2B所示,从上视方向看,固定结构120可以为具有点对称(point symmetry)及/或面对称(plane symmetry)形式的图案。
如图2C所示,从上视方向看,在微型组件结构200c中,固定结构120为单一结构体。固定结构120可以包括第一部分及多个第二部分。第一部分覆盖组件110的上表面110a。第二部分延伸至组件110的外侧(如:自组件110的上表面110a延伸至侧表面110c,并自组件110的侧表面向外延伸)。固定结构120的第一部分不覆盖至整个组件110的上表面110a。各个第二部分可以分别连接于第一部分。如图2C所示,从上视方向看,固定结构120可以为具有点对称形式的图案。
如图2D所示,从上视方向看,在微型组件结构200d中,固定结构120为单一结构体。固定结构120可以包括第一部分及多个第二部分。第一部分覆盖组件110的上表面110a。第二部分延伸至组件110的外侧(如:自组件110的上表面110a延伸至侧表面110c,并自组件110的侧表面向外延伸)。固定结构120的第一部分不覆盖至整个组件110的上表面110a。各个第二部分可以分别连接于第一部分。如图2D所示,从上视方向看,固定结构120可以为具有点对称及/或面对称形式的图案。
如图2E所示,从上视方向看,在微型组件结构200e中,固定结构120为单一结构体。固定结构120可以包括第一部分及第二部分。第一部分覆盖组件110的上表面110a。第二部分延伸至组件110的外侧(如:自组件110的上表面110a延伸至侧表面110c,并自组件110的侧表面向外延伸)。固定结构120的第一部分覆盖整个组件110的上表面110a。第二部分可以围绕第一部分。如图2E所示,从上视方向看,固定结构120可以为具有点对称及/或面对称形式的图案。
如图2F所示,从上视方向看,在微型组件结构200f中,固定结构120为单一结构体。固定结构120可以包括第一部分及多个第二部分。第一部分覆盖组件110的上表面110a。第二部分延伸至组件110的外侧(如:自组件110的上表面110a延伸至侧表面110c,并自组件110的侧表面向外延伸)。固定结构120的第一部分不覆盖至整个组件110的上表面110a。固定结构120的第一部分可以具有圆型、方型或其他形状的图案开孔。各个第二部分可以分别连接于第一部分。如图2F所示,从上视方向看,固定结构120可以为具有点对称及/或面对称形式的图案。
如图2G所示,从上视方向看,在微型组件结构200g中,固定结构120为单一结构体。固定结构120可以包括第一部分及第二部分。第一部分覆盖组件110的上表面110a。第二部分延伸至组件110的外侧(如:自组件110的上表面110a延伸至侧表面110c,并自组件110的侧表面向外延伸)。固定结构120的第一部分不覆盖整个组件110的上表面110a。固定结构120的第一部分可以具有圆型、方型或其他形状的图案开孔。第二部分可以围绕第一部分。如图2G所示,从上视方向看,固定结构120可以为具有点对称及/或面对称形式的图案。
图3A至图3C是依照本发明的一实施例的一种显示设备的部分制作方法的部分剖视示意图。
请参照图1I及图3A,提供微型组件结构。在本实施例中,所提供的微型组件结构是以第一实施例的微型组件结构100为例,因此,在后续的说明及标示中以第一实施例的微型组件结构100作为示例性的表示。并且,相同或相似的构件以相同或相似的标号表示,且具有类似的功能、材料或配置方式,并省略描述。然而,在其他未示出的实施例中,所提供的微型组件结构可以是相似于第一实施例的微型组件结构100的其他微型组件结构(如:第二实施例的微型组件结构200)。
请参照图3A,可以经由转移装置(transfer apparatus)500,以提取微型组件结构100中的组件110。举例而言,取放装置600可以从组件110的上表面110a上(如:固定材料层820的表面)提取组件110。
值得注意的是,本发明对于取放装置600的种类并不加以限制。另外,在附图(如:图3A或图3B)中仅示意性地绘示取放装置600的一部分。也就是说,在图标中对于取放装置600绘示的方式并未对取放装置600的外观、种类、数量、样示或取放方式构成限制。
请参照图3A至图3B,在取放装置600下压或是提取的过程中,会在组件110与载板130之间产生应力,而前述的应力会使组件110与载板130之间的固定结构120产生对应的断裂(crack),如此一来,可以使组件110自载板130分离而可被转移。
在本实施例中,第一转折部121的第一延伸方向121d和/或第二转折部122的第二延伸方向122d基本上平行于组件110的上表面110a。如此一来,在取放装置600下压或是提取的过程中,由于前述的应力的方向基本上垂直于第一延伸方向121d和/或第二延伸方向122d,可以较容易地使第一转折部121的某处和/或第二转折部122的某处产生对应的断裂,而可以提升提取过程的速度或良率。
在本实施例中,第一转折部121的宽度121w(标示于图1I、图2A)介于0.1μm~20μm,和/或第一转折部121的厚度121h(标示于图1H)小于3μm;和/或,第二转折部122的宽度122w介于0.1μm~20μm(标示于图1I、图2A),和/或第二转折部122的厚度122h(标示于图1H)小于3μm。如此一来,在取放装置600下压或是提取的过程中,可以较容易地使第一转折部121的某处和/或第二转折部122的某处产生对应的断裂,而可以提升提取过程的速度或良率。
请参照图3B,在本实施例中,在经由取放装置600以使第一转折部121的某处产生对应的断裂之后,残存于组件110上的固定结构120’基本上仍自组件110的上表面110a延伸至第一侧表面110c,且残存于组件110上的固定结构120’基本上包括自第一侧表面110c向外延伸的第一转折部121’,其中第一转折部121’所处位置介于所述上表面110a及所述下表面110b之间。也就是说,组件110及固定结构120’仍可被称为微型组件结构100’。于此,第一转折部121’远离于第一侧表面110c的末端悬空。也就是说,第一转折部121’远离于第一侧表面110c的末端为自由末端。
在本实施例中,第一转折部121’远离于第一侧表面110c的末端具有不规则表面,但本发明不限定于此。
类似地,在本实施例中,固定结构120’基本上可以还包括自第二侧表面110d’向外延伸的第二转折部122’,其中第二转折部122’所处位置介于所述上表面110a及所述下表面110b之间。于此,第二转折部122’远离于第二侧表面110d的末端悬空。也就是说,第二转折部122’远离于第二侧表面110d的末端为自由末端。
类似地,在本实施例中,第二转折部122’远离于第二侧表面110d的末端具有不规则表面。
请参照图3B至图3C,可以经由取放装置600,以将组件110配置于线路板330上。然后,可以使组件110与线路板330中对应的线路(未示出)电连接。
在本实施例中,可以使组件110的下表面110b面向线路板330的方式,以使组件110的第一电极116及第二电极117与线路板330中对应的线路(未示出)电连接。另外,由于固定结构120’自组件110的上表面110a延伸至第一侧表面110c与第二侧表面110d,且第一转折部121’和/或第二转折部122’介于上表面110a及下表面110b之间。因此,可以降低将组件110配置于线路板330时或之后,固定结构120’对组件110和/或线路板330的影响。
在本实施例中,线路板330可以为硬板也可以为软板,于本发明并不以此为限。
在本实施例中,线路板330可以还包含主动(有源)式组件(如:晶体管)、被动(无源)式组件(如:电容、电阻或电感)或其他适宜的电子组件,于本发明并不以此为限。
在本实施例中,组件110与线路板330之间可以经由导电连接件350而彼此电连接。导电连接件350可以包括导电柱(conductive pillar)、焊球(solder ball)、导电凸块(conductive bump)、导电片(conductive sheet)、导电胶(conductive glue)、导电膜(conductive film)、具有其他形式或形状的导电件或上述的组合,但本发明不限于此。
在本实施例中,可以经由相同、相似或不同于前述的方式,将组件310及组件310’配置于线路板330上。另外,本发明并未限定组件110、组件310及组件310’彼此之间的配置顺序。
在本实施例中,组件310和/或组件310’为微发光二极管,但本发明不限于此。在本实施例中,组件110、组件310及组件310’彼此之间的可发光颜色不同,但本发明不限于此。
经过上述工艺后即可大致上完成本实施例的显示设备300的制作。
图3C可以是依照本发明的一实施例的一种显示设备的部分剖视示意图。
请参照图3C,显示设备300包括组件110以及第一转折部121’。第一转折部121’介于上表面110a及下表面110b之间。第一转折部121’自组件110的第一侧表面110c向外延伸。第一转折部121’的宽度121w介于0.1μm~10μm,且第一转折部121’的厚度121h小于3μm。显示设备300的组件110为微发光二极管。
图4是依照本发明的一实施例的一种微型组件结构的部分剖视示意图。
在本实施例的微型组件结构400中,组件110的下表面110b可以是第二型半导体层113远离第一型半导体层111的表面;或是,组件110的一部分上表面110a可以是图案化绝缘层115、第一电极116和/或第二电极117远离第二型半导体层113的部分表面。
图5是依照本发明的一实施例的一种微型组件结构的部分剖视示意图。
在本实施例的微型组件结构500中,组件110的上表面110a可以是第一电极116的部分表面;或是,组件110的下表面110b可以是第二电极117的部分表面。
综上所述,本发明一实施例的微型组件结构或显示设备,其组件在制造或应用的过程中,可以有效率地被转移。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (17)
1.一种微型组件结构,其特征在于,包括:
组件,具有上表面、下表面及第一侧表面,其中所述下表面相对于所述上表面,且所述第一侧表面连接所述上表面及所述下表面;以及
固定结构,包括连接部及第一转折部,其中所述连接部至少自所述组件的所述上表面延伸至所述第一侧表面,所述第一转折部接触以连接所述连接部的第一末端并自所述第一侧表面向外延伸以远离所述第一侧表面,其中所述连接部的所述第一末端位于所述上表面及所述下表面之间的所述第一侧表面上,其中所述第一转折部远离于所述第一侧表面的末端与所述第一侧表面之间具有间距。
2.如权利要求1所述的微型组件结构,其特征在于,其中所述第一转折部的宽度介于0.1μm~10μm,和/或所述第一转折部的厚度小于3μm。
3.如权利要求1所述的微型组件结构,其特征在于,其中所述固定结构为同一材料。
4.如权利要求1所述的微型组件结构,其特征在于,其中所述固定结构为连续结构。
5.如权利要求1所述的微型组件结构,其特征在于,其中所述固定结构暴露出部分的所述上表面。
6.如权利要求1所述的微型组件结构,其特征在于,其中所述第一转折部的延伸方向基本上平行于所述组件的所述上表面。
7.如权利要求1所述的微型组件结构,其特征在于,其中所述上表面与所述第一转折部之间具有第一距离,所述上表面与所述下表面之间具有第三距离,且所述第三距离大于所述第一距离。
8.如权利要求1所述的微型组件结构,其特征在于,还包括:
载板,其中所述组件经由所述固定结构配置于所述载板上。
9.如权利要求8所述的微型组件结构,其特征在于,其中所述组件与所述载板之间具有空气间隙。
10.如权利要求8所述的微型组件结构,其特征在于,其中所述固定结构还包括连接所述第一转折部的第一支撑部,且所述第一支撑部连接于所述载板。
11.如权利要求10所述的微型组件结构,其特征在于,其中所述第一转折部的延伸方向不同于所述第一支撑部的延伸方向。
12.如权利要求10所述的微型组件结构,其特征在于,其中所述第一支撑部的高度大于所述组件与所述载板之间的距离。
13.一种微型组件结构,其特征在于,包括:
组件,具有上表面、下表面及第一侧表面,其中所述下表面相对于所述上表面,且所述第一侧表面连接所述上表面及所述下表面;以及
固定结构,包括连接部及第一转折部,其中所述连接部至少自所述组件的所述上表面延伸至所述第一侧表面,所述第一转折部接触以连接所述连接部的第一末端并自所述第一侧表面向外延伸以远离所述第一侧表面,其中所述连接部的所述第一末端位于所述上表面及所述下表面之间的所述第一侧表面上,其中所述固定结构暴露出所述第一侧表面远离所述上表面的一部分。
14.一种微型组件结构,其特征在于,包括:
组件,具有上表面、下表面及第一侧表面,其中所述下表面相对于所述上表面,且所述第一侧表面连接所述上表面及所述下表面;以及
固定结构,包括连接部及第一转折部,其中所述连接部至少自所述组件的所述上表面延伸至所述第一侧表面,所述第一转折部接触以连接所述连接部的第一末端并自所述第一侧表面向外延伸以远离所述第一侧表面,其中所述连接部的所述第一末端位于所述上表面及所述下表面之间的所述第一侧表面上,其中所述第一转折部远离于所述第一侧表面的末端悬空。
15.一种微型组件结构,其特征在于,包括:
组件,具有上表面、下表面及第一侧表面,其中所述下表面相对于所述上表面,且所述第一侧表面连接所述上表面及所述下表面;以及
固定结构,包括连接部及第一转折部,其中所述连接部至少自所述组件的所述上表面延伸至所述第一侧表面,所述第一转折部接触以连接所述连接部的第一末端并自所述第一侧表面向外延伸以远离所述第一侧表面,其中所述连接部的所述第一末端位于所述上表面及所述下表面之间的所述第一侧表面上,其中所述第一转折部远离于所述第一侧表面的末端具有不规则表面。
16.一种微型组件结构,其特征在于,包括:
组件,具有上表面、下表面及第一侧表面,其中所述下表面相对于所述上表面,且所述第一侧表面连接所述上表面及所述下表面;以及
固定结构,包括连接部及第一转折部,其中所述连接部至少自所述组件的所述上表面延伸至所述第一侧表面,所述第一转折部接触以连接所述连接部的第一末端并自所述第一侧表面向外延伸以远离所述第一侧表面,其中所述连接部的所述第一末端位于所述上表面及所述下表面之间的所述第一侧表面上,其中所述组件还具有第二侧表面,所述第二侧表面连接所述上表面及所述下表面,所述第二侧表面相对于所述第一侧表面,所述固定结构还自所述组件的所述上表面延伸至所述第二侧表面,所述固定结构还包括自所述第二侧表面向外延伸的第二转折部,其中所述第二转折部接触以连接所述连接部的第二末端并自所述第二侧表面向外延伸以远离所述第二侧表面,其中所述连接部的所述第二末端位于所述上表面及所述下表面之间的所述第二侧表面上。
17.一种显示设备,其特征在于,包括:
微型发光组件,具有上表面、下表面及第一侧表面,其中所述下表面相对于所述上表面,且所述第一侧表面连接所述上表面及所述下表面;以及
固定结构,包括连接部及第一转折部,其中所述连接部至少自所述微型发光组件的所述上表面延伸至所述第一侧表面,所述第一转折部接触以连接所述连接部的第一末端并自所述第一侧表面向外延伸以远离所述第一侧表面,其中所述连接部的所述第一末端位于所述上表面及所述下表面之间的所述第一侧表面上,且所述第一转折部远离于所述第一侧表面的末端悬空。
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