CN115184376B - 一种晶圆检测方法和装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种晶圆检测方法和装置，检测方法包括以下步骤：正面检测步骤，控制第一光源组、第二光源组分别选择性发光生成第一组合光，控制第一镜头组获取在第一组合光照射下的待检测晶圆的正面检测图像；背面检测步骤，控制第二光源组、第二光源组分别选择性发光生成第二组合光，控制第二镜头组获取在第二组合光照射下的待检测晶圆的背面检测图像；表面缺陷获取步骤，根据正面检测图像和背面检测图像获取待检测晶圆的表面缺陷；在正面检测步骤中，第二光源组为背光源；在背面检测步骤中，第一光源组为背光源。第一光源组和第二光源组配合使用，无需对第一检测模块和第二检测模块设置背光源，提高了检测效率，减少了配件数量，节省了检测成本。

Description

一种晶圆检测方法和装置

技术领域

本申请属于晶圆检测技术领域，尤其涉及一种晶圆检测方法和装置。

背景技术

晶圆的原始材料通常是硅，高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出形成硅晶棒。硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。在晶圆制作过程中，拉单晶、切片、磨片、抛光、增层、光刻、掺杂、热处理以及划片等一系列过程均可能使晶圆表面产生缺陷。为了防止存在表面缺陷的晶圆或晶圆上的芯粒流入封装工序，需借助光学检测设备识别晶圆表面缺陷并分类、标记，辅助晶圆分拣。

在相关技术中，晶圆检测方法仅能对晶圆的单面进行检测，无法同时实现晶圆的双面检测，晶圆表面缺陷的检测效率较低，成本高。

发明内容

本申请旨在至少能够在一定程度上解决相关技术中晶圆检测方法仅能对晶圆的单面进行检测，无法同时实现晶圆的双面检测，晶圆表面缺陷的检测效率较低，成本高的技术问题。为此，本申请提供了一种晶圆检测方法和装置。

本申请实施例提供的一种晶圆检测方法，所述晶圆检测方法采用晶圆检测装置对待检测晶圆进行检测，所述晶圆检测装置包括：

检测机架；

晶圆载台，设置在所述检测机架上，所述晶圆载台为透明结构；

第一检测模块，包括第一镜头组和第一光源组，设置在所述检测机架上且位于所述晶圆载台的上方；

第二检测模块，包括第二镜头组和第二光源组，设置在所述检测机架上且位于所述晶圆载台的上方；

所述晶圆检测方法包括以下步骤：

正面检测步骤，控制所述第一光源组、所述第二光源组分别选择性发光生成第一组合光，控制所述第一镜头组获取在第一组合光照射下的待检测晶圆的正面检测图像；

背面检测步骤，控制所述第二光源组、所述第二光源组分别选择性发光生成第二组合光，控制所述第二镜头组获取在第二组合光照射下的所述待检测晶圆的背面检测图像；

表面缺陷获取步骤，根据所述正面检测图像和所述背面检测图像获取所述待检测晶圆的表面缺陷；

其中，在所述正面检测步骤中，所述第二光源组为背光源；在所述背面检测步骤中，所述第一光源组为背光源。

在一些实施方式中，当所述待检测晶圆为批次初始检测时，在所述正面检测步骤中，控制所述第一光源组、所述第二光源组分别选择性发光生成的第一组合光包括所有不同光源的组合情况；

在所述背面检测步骤中，控制所述第二光源组、所述第一光源组分别选择性发光生成的第二组合光包括所有不同光源的组合情况。

在一些实施方式中，当所述待检测晶圆为批次初检测时，在所述表面缺陷获取步骤中，还包括以下步骤：

根据所述待检测晶圆的表面缺陷获取对应的所述第一组合光批次初检测组合方式和所述第二组合光批次初检测组合方式。

在一些实施方式中，在所述正面检测步骤中，控制所述第一光源组、所述第二光源组分别选择性发光生成所述第一组合光批次初检测组合方式；

在所述背面检测步骤中，控制所述第二光源组、所述第一光源组分别选择性发光生成第二组合光的批次初检测组合方式。本申请实施例还提出了一种上述晶圆检测方法采用的晶圆检测装置，所述晶圆检测装置包括：

检测机架；

晶圆载台，设置在所述检测机架上，所述晶圆载台为透明结构；

第一检测模块，包括第一镜头组和第一光源组，设置在所述检测机架上且位于所述晶圆载台的上方；

第二检测模块，包括第二镜头组和第二光源组，设置在所述检测机架上且位于所述晶圆载台的上方。

在一些实施方式中，所述第一光源组包括第一明场光源和第一暗场光源，所述第一明场光源生成的第一明场光与所述第一镜头组同轴，所述第一暗场光源生成的第一暗场光倾斜射向所述晶圆载台；

所述第二光源组包括第二明场光源和第二暗场光源，所述第二明场光源生成的第二明场光与所述第二镜头组同轴，所述第二暗场光源生成的第二暗场光倾斜射向所述晶圆载台。

在一些实施方式中，所述第一暗场光源生成的第一暗场光呈环形、矩形、多边形中的任意一种；所述第二暗场光源生成的第二暗场光呈环形、矩形、多边形中的任意一种。

在一些实施方式中，所述第一暗场光源生成的第一暗场光呈同心环状；所述第二暗场光源生成的第二暗场光呈同心环状。

在一些实施方式中，所述第一暗场光源生成的第一暗场光包括第一暗场高环光、第一暗场中环光以及第一暗场低环光；

所述第二暗场光源生成的第二暗场光包括第二暗场高环光、第二暗场中环光、第二暗场低环光。

在一些实施方式中，所述第一明场光源包括第一明场红光源、第一明场蓝光源以及第一明场绿光源；所述第一暗场光源包括第一暗场红光源、第一暗场蓝光源以及第一暗场绿光源；

所述第二明场光源包括第二明场红光源、第二明场蓝光源以及第二明场绿光源；所述第二暗场光源包括第二暗场红光源、第二暗场蓝光源以及第二暗场绿光源。

本申请实施例至少具有如下有益效果：

上述晶圆检测方法，第一检测模块的第一光源组既可以为待检测晶圆的正面检测提供主光，又可以为待检测晶圆的背面检测提供背光，使第一光源组兼具提供主光和背光两种功能；同理，第二检测模块的第二光源组既可以为待检测晶圆的背面检测提供主光，又可以为待检测晶圆的正面检测提供背光，使第二光源组兼具提供主光和背光两种功能。通过第一光源组和第二光源组的配合使用，无需对第一检测模块和第二检测模块分别单独设置背光源，即提高了晶圆检测效率，又减少了晶圆检测装置的配件数量，节省了晶圆检测装置的生产成本。

上述晶圆检测装置，在晶圆载台的上方设置有第一检测模块，在晶圆载台的下方设置有第二检测模块，通过第一检测模块和第二检测模块的配合可以分别对待检测晶圆的正面和背面进行表面缺陷的检测，在对待检测晶圆进行表面缺陷检测时，无需对待检测晶圆进行转运翻转即可进行正反面的表面缺陷检测，能够缩短对待检测晶圆的检测时间，提高检测效率。

进一步地，在上述晶圆检测装置中，第一检测模块的第一光源组既可以为待检测晶圆的正面检测提供主光，又可以为待检测晶圆的背面检测提供背光，使第一光源组兼具提供主光和背光两种功能；同理，第二检测模块的第二光源组既可以为待检测晶圆的背面检测提供主光，又可以为待检测晶圆的正面检测提供背光，使第二光源组兼具提供主光和背光两种功能。通过第一光源组和第二光源组的配合使用，无需对第一检测模块和第二检测模块分别单独设置背光源，减少了晶圆检测装置的配件数量，节省了晶圆检测装置的生产成本。

进一步地，第一检测模块的第一镜头组与第二检测模块的第二镜头组同心检测，可以确保在晶圆的检测位置为同一位置，检测对应的芯粒为同一个芯粒，能够避免正面检测图像和背面检测图像在合并时对应不上或对应错的情况。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本申请实施例中晶圆检测装置的立体结构示意图；

图2示出了图1中的晶圆检测装置的主视图；

图3示出了图1中的晶圆检测装置的俯视图；

图4示出了图1中的晶圆检测装置的左视图；

图5示出了图1中的晶圆检测装置的光路结构示意简图；

图6示出了图5中晶圆检测装置的第一暗场光源的光源结构示意简图。

附图标记：

100、检测机架；200、晶圆载台；210、晶圆固定装置；300、第一检测模块；310、第一镜头组；320、第一光源组；321、第一明场光源；322、第一暗场光源；3221、第一暗场高环光；3222、第一暗场中环光；3223、第一暗场低环光；400、第二检测模块；410、第二镜头组；420、第二光源组；421、第二明场光源；422、第二暗场光源。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

下面结合附图并参考具体实施例描述本申请：

本申请提出的一实施例的晶圆检测方法，晶圆检测方法采用晶圆检测装置对待检测晶圆进行检测，所述晶圆检测装置包括：

检测机架100；

晶圆载台200，设置在检测机架100上，晶圆载台200为透明结构；

第一检测模块300，包括第一镜头组310和第一光源组320，设置在检测机架100上且位于晶圆载台200的上方；

第二检测模块400，包括第二镜头组410和第二光源组420，设置在检测机架100上且位于晶圆载台200的上方；

所述晶圆检测方法包括以下步骤：

正面检测步骤，控制所述第一光源组320、所述第二光源组420分别选择性发光生成第一组合光，控制所述第一镜头组310获取在第一组合光照射下的待检测晶圆的正面检测图像；

背面检测步骤，控制所述第二光源组420、所述第二光源组420分别选择性发光生成第二组合光，控制所述第二镜头组410获取在第二组合光照射下的所述待检测晶圆的背面检测图像；

表面缺陷获取步骤，根据所述正面检测图像和所述背面检测图像获取所述待检测晶圆的表面缺陷；

其中，在所述正面检测步骤中，所述第二光源组420为背光源；在所述背面检测步骤中，所述第一光源组320为背光源。

上述晶圆检测方法，第一检测模块300的第一光源组320既可以为待检测晶圆的正面检测提供主光，又可以为待检测晶圆的背面检测提供背光，使第一光源组320兼具提供主光和背光两种功能；同理，第二检测模块400的第二光源组420既可以为待检测晶圆的背面检测提供主光，又可以为待检测晶圆的正面检测提供背光，使第二光源组420兼具提供主光和背光两种功能。通过第一光源组320和第二光源组420的配合使用，无需对第一检测模块300和第二检测模块400分别单独设置背光源，即提高了晶圆检测效率，又减少了晶圆检测装置的配件数量，节省了晶圆检测装置的生产成本。

在本实施例的晶圆检测方法中，正面检测步骤和背面检测步骤可以先后进行，既可以先进行正面检测步骤，后进行背面检测步骤；也可以先进行背面检测步骤，后进行正面检测步骤；此外，还可以同时进行正面检测步骤和背面检测步骤。

在本实施例的晶圆检测方法的正面检测步骤中，第一光源组320和第二光源组420分别选择性发光生成第一组合光，例如，可以是第一光源组320和第二光源组420同时依次生成蓝光、红光、绿光等；又如，可以是第一光源组320和第二光源组420依次同时生成蓝光和红光、蓝光和绿光、红光和绿光等；再如，可以是第一光源组320依次生成蓝光、红光、绿光等，同时第二光源组420依次生成红光、绿光、蓝光等。即第一光源组和第二光源组可以穷尽所有不同的组合方式。在背面检测步骤中，第二光源组420和第一光源组320选择性发光生成的第二组合光与正面检测步骤相同，在此不再赘述。

基于同样的发明构思，本申请的第二大方面还提出了一种晶圆检测装置，包括：

检测机架100；

晶圆载台200，设置在所述检测机架100上，所述晶圆载台200为透明结构；

第一检测模块300，包括第一镜头组310和第一光源组320，设置在所述检测机架100上且位于所述晶圆载台200的上方；

第二检测模块400，包括第二镜头组410和第二光源组420，设置在所述检测机架100上且位于所述晶圆载台200的上方。

上述晶圆检测装置，在晶圆载台200的上方设置有第一检测模块300，在晶圆载台200的下方设置有第二检测模块400，通过第一检测模块300和第二检测模块400的配合可以分别对待检测晶圆的正面和背面进行表面缺陷的检测，在对待检测晶圆进行表面缺陷检测时，无需对待检测晶圆进行转运翻转即可进行正反面的表面缺陷检测，能够缩短对待检测晶圆的检测时间，提高检测效率。

进一步地，在上述晶圆检测装置中，第一检测模块300的第一光源组320既可以为待检测晶圆的正面检测提供主光，又可以为待检测晶圆的背面检测提供背光，使第一光源组320兼具提供主光和背光两种功能；同理，第二检测模块400的第二光源组420既可以为待检测晶圆的背面检测提供主光，又可以为待检测晶圆的正面检测提供背光，使第二光源组420兼具提供主光和背光两种功能。通过第一光源组320和第二光源组420的配合使用，无需对第一检测模块300和第二检测模块400分别单独设置背光源，减少了晶圆检测装置的配件数量，节省了晶圆检测装置的生产成本。

在本实施例中，检测机架100用于承载晶圆检测装置的功能部件，该检测机架100的结构根据晶圆检测装置的功能部件的设置位置和功能进行适应性调整。

在本实施例的晶圆检测装置的检测过程中，机械手将待检测晶圆转运至晶圆载台200上，并通过设置在晶圆载台200上的晶圆固定装置210进行固定。第一镜头组310和第一光源组320位于待检测晶圆的上方且第一镜头组310对准待检测晶圆的正面；第二镜头组410和第二光源组420位于待检测晶圆的下方且第二镜头组410对准待检测晶圆的背面。通过第一光源组320和第二光源组420分别从待检测晶圆的正面和背面为待检测晶圆提供光照，并通过第一镜头组310和第二镜头组410对待检测晶圆进行拍照检测。

作为一种可选实施实施方式，在本实施例的晶圆检测装置中，第一光源组320包括第一明场光源321和第一暗场光源322，第一明场光源321生成的第一明场光与第一镜头组310同轴，第一暗场光源322生成的第一暗场光倾斜射向晶圆载台200；第二光源组420包括第二明场光源421和第二暗场光源422，第二明场光源421生成的第二明场光与第二镜头组410同轴，第二暗场光源422生成的第二暗场光倾斜射向晶圆载台200。

在本实施例的晶圆检测装置对待检测晶圆进行检测时，第一暗场光源322和第一明场光源321能够在第一镜头组310对待检测晶圆进行正面检测时候为待检测晶圆打光，使得第一镜头组310能够更好的对待检测晶圆进行检测，同时，第二明场光源421和/或第二暗场光源422能够为待检测晶圆提起到背光源效果，进一步使第一镜头组310能够更好的对待检测晶圆进行正面检测。与此同理，第二暗场光源422和第二暗场光源422能够在第二镜头组410对待检测晶圆进行背面检测时候为待检测晶圆打光，使得第二镜头组410能够更好的对待检测晶圆进行检测，同时，第一明场光源321和/或第一暗场光源322能够为待检测晶圆提起到背光源效果，进一步使第二镜头组410能够更好的对待检测晶圆进行背面检测。

在对待检测晶圆的进行表面缺陷检测时，不同的表面缺陷在不同的光源下形态不同，为了提高对表面缺陷的检测精度和检出率，本实施例采用第一光源组320和第二光源组420在不同的组合形成，形成不同的组合光，以不同的打光方式对待检测晶圆进行检测并区分不同的表面缺陷。

在本实施例中，第一明场光源321形成的第一明场光与第一镜头组310同轴，第二明场光源421形成的第二明场光与第二镜头组410同轴；第一暗场光源322形成的第一暗场光与第一镜头组310具有一定的夹角，第二暗场光源422形成的第二暗场光与第二镜头组410具有一定的夹角。从而能够通过第一明场光源321、第二明场光源421、第一暗场光源322以及第二暗场光源422形成不同的组合光照形式。在晶圆检测过程中，根据在不同光照通道下的图像以及不同光照通道组合下的图像可以更准确地判断晶圆的表面缺陷及其种类。

如图1和图5所示，为了使第一明场光源321形成的第一明场光与第一镜头组310同轴，可以在第一镜头组310中设有第一反射镜，通过第一反射镜反射第一明场光以调整第一明场光的方向，使其与第一镜头组310形成同轴的出光方向；第二明场光源421的设置原理与第一明场光源321的设置原理相同，在此不再赘述。

如图1和图5所示，为了使第一暗场光源322形成的第一暗场光与第一镜头组310具有一定的夹角，可以将第一暗场光源322通过固定支架灯结构设置在第一镜头组310上，通过调整第一暗场光的出光角度使第一暗场光与第一镜头组310之间具有一定的夹角。同时，由于第一暗场光源322设置在第一镜头组310上，在检测过程中晶圆移动时，第一暗场光源322和第一镜头组310与晶圆同步相对移动，在晶圆移动过程中不会影响第一暗场光与第一镜头组310的夹角。第二暗场光源422的设置原理与第一暗场光源322的设置原理相同，在此不再赘述。

作为一种可选实施方式，本实施例的第一暗场光源322生成的第一暗场光呈环形、矩形、多边形中的任意一种；第二暗场光源422生成的第二暗场光呈环形、矩形、多边形中的任意一种。在本实施例的第一暗场光源322和第二暗场光源422分别呈不同角度倾斜射向待检测晶圆，待检测晶圆受到不同光照角度的打光，能够提高对不同缺陷的检出率。

作为一种可选实施方式，如图5和图6所示，本实施例的第一暗场光源322生成的第一暗场光呈同心环状；第二暗场光源422生成的第二暗场光呈同心环状。进一步优选的，如图6所示，本实施例中第一暗场光源322生成的第一暗场光包括第一暗场高环光3221、第一暗场中环光3222以及第一暗场低环光3223；相应的，第二暗场光源422生成的第二暗场光包括第二暗场高环光、第二暗场中环光、第二暗场低环光。在本实施例中，第一暗场高环光3221、第一暗场中环光3222以及第一暗场低环光3223可以同时点亮，也可以点亮其中的任意一种或两种；与此相应的，第二暗场高环光、第二暗场中环光以及第二暗场低环光可以同时点亮，也可以点亮其中的任意一种或两种，以形成更多的、不同的组合光照形式。

表1表面缺陷与光源类型对应表

如表1所示，由于不同的表面缺陷在不同的光源下形态不同，在本实施例中，通过同心环状的第一暗场光和第二暗场光，能够使待检测晶圆受到的光照角度更为多样，即为待检测晶圆提供更多的光源种类，从而使更多的晶圆表面缺陷能够在检测过程中被第一镜头组310和第二镜头组410拍下并检测出。

作为一种可选实施方式，本实施例中，第一明场光源321包括第一明场红光源、第一明场蓝光源以及第一明场绿光源；第一暗场光源322包括第一暗场红光源、第一暗场蓝光源以及第一暗场绿光源；与此相应的，第二明场光源421包括第二明场红光源、第二明场蓝光源以及第二明场绿光源；第二暗场光源422包括第二暗场红光源、第二暗场蓝光源以及第二暗场绿光源。

由于不同的表面缺陷在不同的光源下形态不同，在本实施例中，通过不同的颜色的光源组合，能够形成更多种类的对晶圆的打光形式，增减的光源形态，以使更多的晶圆表面缺陷能够在检测过程中被第一镜头组310和第二镜头组410拍下并检测出。

在本申请的上述实施例中，既可以采用上述任一实施方式，还可以在不矛盾的情况下，将上述任一两种以上的实施方式进行组合，得到更为丰富的光源形态。

在本实施例的晶圆检测方法中，控制第一光源组320、第二光源组420分别选择性发光生成第一组合光。指的是控制第一光源组320和第二光源组420同时发光，同时控制第一光源组320的第一暗场光源322和第一明场光源321择一地发光或同时发光。其中第一明场光源321可以择一地发出蓝光、红光或绿光，也可以同时发出其中的任意两种色光或三种色光；第二明场光源421与第一明场光源321类似，在此不再赘述；同时，第一暗疮光源可以择一地发出第一暗场高环光3221、第一暗场中环光3222以及第一暗场低环光3223，也可以同时发出其中的任意两种色光或三种色光，进一步地，第一暗场高环光3221可以是蓝光、红光或绿光中的任意一种或几种；第二暗场光源422与第一暗床光源类似，在此不再赘述。

作为一种可选实施方式，在本实施例的晶圆检测方法中，当待检测晶圆为批次初检测时，在正面检测步骤中，控制第一光源组320、第二光源组420分别选择性发光生成的第一组合光包括所有不同光源的组合情况；

在背面检测步骤中，控制第二光源组420、第一光源组320分别选择性发光生成的第二组合光包括所有不同光源的组合情况。

在本实施例中，当待检测晶圆为批次初检测时，在检测前无法估计待测晶圆的表面缺陷种类和表面缺陷数量，在此种情况下，控制第一光源组320、第二光源组420分别选择性发光生成的第一组合光包括所有不同光源的组合情况，以期在正面检测步骤中，通过采用第一光源组320和第二光源组420的所有不同光源的组合情况，尽可能检测出在所有不同光源组合情况下的所有表面缺陷种类；同理，控制第二光源组420、第一光源组320分别选择性发光生成的第二组合光包括所有不同光源的组合情况，以期在背面检测步骤中，通过采用第二光源组420和第一光源组320的所有不同光源的组合情况，尽可能检测出在所有不同光源组合情况下的所有表面缺陷种类。

进一步地，当所述待检测晶圆为批次初检测时，在所述表面缺陷获取步骤中，还包括以下步骤：

根据所述待检测晶圆的表面缺陷获取对应的所述第一组合光批次初检测组合方式和所述第二组合光批次初检测组合方式。

在本实施例中，根据待测晶圆的表面缺陷，获取对应的第一组合光批次初检测组合方式和第二组合光批次初检测组合方式，进而能够在该批次待检测晶圆接下来的检测过程中，借鉴此批次待检测晶圆在初检测时的检测结果，对接下来同批次的待检测晶圆进行针对性的检测，可以缩短检测时间，提高检测效率。

进一步地，当待检测晶圆为非批次初检测时，在所述正面检测步骤中，控制所述第一光源组320、所述第二光源组420分别选择性发光生成所述第一组合光批次初检测组合方式；

在所述背面检测步骤中，控制所述第二光源组420、所述第一光源组320分别选择性发光生成第二组合光的批次初检测组合方式。待检测晶圆一般是按批次进行生产和检验的，本申请通过研究发现，同一批次的晶圆的表面缺陷比较类似，因此本申请创造性地提出针对同一批次的待检测晶圆采用关联的检测方法，当同一批次的待检测晶圆为初始检测时，控制第一光源组320和第二光源组420选择性发光生成的第一组合光包括所有不同光源的组合情况，因此能够更为全面地对待检测晶圆进行表面缺陷检测。在接下来对同批次的待检测晶圆进行检测时，可以根据同批次的待检测晶圆的初始检测结果，选择检出的表面缺陷对应的第一组合光的光源组合情况进行检测，而无需采用所有不同光源组合的方式进行检测，既可以充分地检出待检测晶圆的表面缺陷，又可以缩短检测时间，提高检测效率。

在本实施例中，待检测晶圆为批次初始检测时，并非仅指同一批次中第一个进行检测的待检测晶圆，还可以是同一批次中若干个首先进行检测的待检测晶圆。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

需要说明的是，本申请实施例中所有方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

另外，在本申请中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。

另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。

尽管已经示出和描述了本申请的实施方式，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本申请的原理和宗旨的情况下可以对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，本申请的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种晶圆检测方法，其特征在于，所述晶圆检测方法采用晶圆检测装置对待检测晶圆进行检测，所述晶圆检测装置包括：

检测机架；

晶圆载台，设置在所述检测机架上，所述晶圆载台为透明结构；

第一检测模块，包括第一镜头组和第一光源组，设置在所述检测机架上且位于所述晶圆载台的上方；

第二检测模块，包括第二镜头组和第二光源组，设置在所述检测机架上且位于所述晶圆载台的上方；

所述晶圆检测方法包括以下步骤：

正面检测步骤，控制所述第一光源组、所述第二光源组分别选择性发光生成第一组合光，控制所述第一镜头组获取在第一组合光照射下的待检测晶圆的正面检测图像；

背面检测步骤，控制所述第二光源组、所述第二光源组分别选择性发光生成第二组合光，控制所述第二镜头组获取在第二组合光照射下的所述待检测晶圆的背面检测图像；

表面缺陷获取步骤，根据所述正面检测图像和所述背面检测图像获取所述待检测晶圆的表面缺陷；

其中，在所述正面检测步骤中，所述第二光源组为背光源；在所述背面检测步骤中，所述第一光源组为背光源。

2.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，当所述待检测晶圆为批次初始检测时，在所述正面检测步骤中，控制所述第一光源组、所述第二光源组分别选择性发光生成的第一组合光包括所有不同光源的组合情况；

在所述背面检测步骤中，控制所述第二光源组、所述第一光源组分别选择性发光生成的第二组合光包括所有不同光源的组合情况。

3.如权利要求2所述的晶圆检测方法，其特征在于，当所述待检测晶圆为批次初检测时，在所述表面缺陷获取步骤中，还包括以下步骤：

根据所述待检测晶圆的表面缺陷获取对应的所述第一组合光批次初检测组合方式和所述第二组合光的批次初检测组合方式。

4.如权利要求3所述的晶圆检测方法，其特征在于，当所述待检测晶圆为非批次初检测时，

在所述正面检测步骤中，控制所述第一光源组、所述第二光源组分别选择性发光生成所述第一组合光批次初检测组合方式；

在所述背面检测步骤中，控制所述第二光源组、所述第一光源组分别选择性发光生成所述第二组合光批次初检测组合方式。

5.如权利要求1至4任意一项所述的晶圆检测方法采用的晶圆检测装置，其特征在于，所述晶圆检测装置包括：

检测机架；

晶圆载台，设置在所述检测机架上，所述晶圆载台为透明结构；

第一检测模块，包括第一镜头组和第一光源组，设置在所述检测机架上且位于所述晶圆载台的上方；

第二检测模块，包括第二镜头组和第二光源组，设置在所述检测机架上且位于所述晶圆载台的上方；

所述第一光源组包括第一明场光源和第一暗场光源，所述第一明场光源生成的第一明场光与所述第一镜头组同轴，所述第一暗场光源生成的第一暗场光倾斜射向所述晶圆载台；

所述第二光源组包括第二明场光源和第二暗场光源，所述第二明场光源生成的第二明场光与所述第二镜头组同轴，所述第二暗场光源生成的第二暗场光倾斜射向所述晶圆载台；

所述第一暗场光源生成的第一暗场光呈环形、矩形、多边形中的任意一种；所述第二暗场光源生成的第二暗场光呈环形、矩形、多边形中的任意一种。

6.如权利要求5所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述第一暗场光源生成的第一暗场光呈同心环状；所述第二暗场光源生成的第二暗场光呈同心环状。

7.如权利要求6所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述第一暗场光源生成的第一暗场光包括第一暗场高环光、第一暗场中环光以及第一暗场低环光；

所述第二暗场光源生成的第二暗场光包括第二暗场高环光、第二暗场中环光、第二暗场低环光。

8.如权利要求5至7任意一项所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述第一明场光源包括第一明场红光源、第一明场蓝光源以及第一明场绿光源；所述第一暗场光源包括第一暗场红光源、第一暗场蓝光源以及第一暗场绿光源；

所述第二明场光源包括第二明场红光源、第二明场蓝光源以及第二明场绿光源；所述第二暗场光源包括第二暗场红光源、第二暗场蓝光源以及第二暗场绿光源。