CN115029781A - 一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法及接长装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及碳化硅单晶技术领域，特别涉及一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法及接长装置。一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法，包括：在真空环境下，控制籽晶向液体生长原料移动；监测所述籽晶是否受到来自所述生长原料的力；在监测到所述籽晶受到所述生长原料的力时，停止所述籽晶的移动，以使在所述籽晶和所述生长原料的界面生长碳化硅单晶。本发明实施例提供了一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法及接长装置，能够提供一种精确判定籽晶是否刚好与液面接触的接长方法及接长装置。
Description
技术领域
本发明涉及碳化硅单晶技术领域，特别涉及一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法及接长装置。
背景技术
碳化硅(SiC)是极其重要的第三代半导体材料之一，其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强等特性，使其成为制造高频、大功率、抗辐照及光照集成器件的理想材料，目前已广泛应用在新能源汽车、5G通讯、航空航天等众多领域。
相关技术中，液相法生长碳化硅单晶是制备碳化硅单晶的一种新型手段，需要将固体籽晶和液体生长原料接触，碳化硅单晶在固液接触界面处进行生长。液相法生长碳化硅单晶，籽晶需要在设备的控制下接触高温熔化的生长原料液面，生长原料中包括碳原子和硅原子，碳原子和硅原子在固液界面处通过籽晶的限制作用进行有序排布，最终长出碳化硅晶锭。但由于碳化硅的生长需要在一个完全密闭的设备中进行，无法精确判定籽晶是否刚好与液面接触，接长工艺的不足会严重影响晶体质量。
因此，针对以上不足，急需一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法及接长装置。
发明内容
本发明实施例提供了一种液相法生长碳化硅单晶的装置及方法，能够提供一种精确判定籽晶是否刚好与液面接触的接长方法及接长装置。
第一方面，本发明实施例提供了一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法，包括：
在真空环境下，控制籽晶向液体生长原料移动；
监测所述籽晶是否受到来自所述生长原料的力；
在监测到所述籽晶受到所述生长原料的力时，停止所述籽晶的移动，以使在所述籽晶和所述生长原料的界面生长碳化硅单晶。
在一种可能的设计中，还包括：
在监测到所述籽晶受到所述生长原料的力时，控制所述籽晶向远离所述生长原料的方向移动；
当所述籽晶移动到和所述生长原料液面之间的距离为预设距离时，停止所述籽晶的移动，以使在所述籽晶和所述生长原料的界面生长碳化硅单晶；其中，在所述籽晶和所述生长原料液面之间的距离为预设距离时，所述籽晶能够吸附所述生长原料液体形成弯液面。
在一种可能的设计中，还包括：
在监测到所述籽晶受到所述生长原料的力时，控制所述籽晶没入所述生长原料液面以下5～15mm；
控制所述籽晶向远离所述生长原料的方向移动；
当所述籽晶移动到和所述生长原料液面之间的距离为预设距离时，停止所述籽晶的移动，以使在所述籽晶和所述生长原料的界面生长碳化硅单晶；其中，在所述籽晶和所述生长原料液面之间的距离为预设距离时，所述籽晶能够吸附所述生长原料液体形成弯液面。
在一种可能的设计中，在所述控制籽晶向液体生长原料移动之前，还包括：
对生长原料进行加热处理，以使所述生长原料融化并达到碳化硅单晶的生长温度。
在一种可能的设计中，所述监测所述籽晶是否受到来自所述生长原料的力，包括：
利用重力感应装置监测所述籽晶是否受到来自所述生长原料向上的力；其中，当所述重力感应装置监测的数据开始变小时，所述籽晶受到来自所述生长原料向上的力。
在一种可能的设计中，所述监测所述籽晶是否受到来自所述生长原料的力，包括：
利用重力感应装置监测所述籽晶是否受到来自所述生长原料向上的力；其中，当所述重力感应装置监测的数据开始小于标准值时，所述籽晶受到来自所述生长原料向上的力，所述标准值为在加热所述生长原料前，所述籽晶未移动时所述重力感应装置显示的数值。
在一种可能的设计中，所述重力感应装置的测量精度不大于0.12g。
在一种可能的设计中，所述预设距离是通过如下方式确定的：
利用重力感应装置采集所述籽晶的受力；
当所述重力感应装置采集到的数据为预设数据时，所述籽晶移动到所述预设距离；其中，所述预设数据为标准值和在所述预设距离下籽晶吸附的所述生长原料的重力之和，所述标准值为在加热所述生长原料前，所述籽晶未移动时所述重力感应装置显示的数值。
在一种可能的设计中，所述预设距离为1～5mm。
第二方面，本发明实施例提供了一种液相法生长碳化硅单晶的接长装置，用于实现第一方面中任一项所述的方法，包括：
坩埚，用于装盛生长原料；
托盘，朝向所述生长原料的一侧连接籽晶；
传动杆，与所述托盘连接，所述传动杆用于控制所述托盘上升、下降和旋转；
传动机，与所述传动杆连接，所述传动机用于为传动杆提供动力；
加热炉，用于加热所述坩埚；
重力感应装置，设置在所述传动杆中，所述重力感应装置用于监测所述籽晶受到的力。
本发明与现有技术相比至少具有如下有益效果：
在本实施例中，在真空环境下，控制籽晶向液体生长原料移动，在移动的过程中监测籽晶是否受到来自生长原料的力，当监测到籽晶受到来自生长原料的力时，证明籽晶刚好与生长原料接触，此时停止移动籽晶，防止籽晶完全浸入生长原料，进而无法生长出高质量的碳化硅单晶。通过监测籽晶的受力情况能够精确的判定籽晶是否刚好和液面接触，进而能够获得更高的碳化硅晶体良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种液相法生长碳化硅单晶的方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的另一种液相法生长碳化硅单晶的方法的流程图；
图3是本发明实施例提供的一种籽晶与生长原料液面之间生成良好弯液面的示意图；
图4是籽晶浸入生长原料的示意图；
图5是本发明实施例提供的一种液相法生长碳化硅单晶的装置结构图示意图。
图中：
1-坩埚；
11-盖体；
2-托盘；
3-传动杆；
4-重力感应装置；
5-生长原料。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“第一”、“第二”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；除非另有规定或说明，术语“多个”是指两个或两个以上；术语“连接”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，或电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本说明书的描述中，需要理解的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上”或者“下”。
如图1所示，本发明实施例提供了一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法，包括：
步骤100，在真空环境下，控制籽晶向液体生长原料移动；
步骤102，监测籽晶是否受到来自生长原料的力；
步骤104，在监测到籽晶受到生长原料的力时，停止籽晶的移动，以使在籽晶和生长原料的界面生长碳化硅单晶。
在本实施例中，在真空环境下，控制籽晶向液体生长原料移动，在移动的过程中监测籽晶是否受到来自生长原料的力，当监测到籽晶受到来自生长原料的力时，证明籽晶刚好与生长原料接触，此时停止移动籽晶，防止籽晶完全浸入生长原料，进而无法生长出高质量的碳化硅单晶。通过监测籽晶的受力情况能够精确的判定籽晶是否刚好和液面接触，进而能够获得更高的碳化硅晶体良率。
在本实施例中，可以在真空环境中充填保护气体，保护气体包括氦气、氮气和氩气中的至少一种。
在本实施例中，生长原料包括碳元素和硅元素，还可以在生长原料中掺入Al、Ti、Cr、Fe、Y、Yb、Pr、La、Cu、Ce、Sn、Ge、Co中的至少一种。
可以理解的是，本实施例提供的方法也可以应用于液相法生长硅单晶。
需要说明的是，籽晶为片状，籽晶的厚度为0.3～0.7mm，为了便于监测籽晶的受力，以及为了使碳化硅单晶的生长面积达到最大，在移动籽晶时，需要将籽晶与生长原料液面平行设置。
如图3所示，在本发明的一些实施例中，还包括：
在监测到籽晶受到生长原料的力时，控制籽晶向远离生长原料的方向移动；
当籽晶移动到和生长原料液面之间的距离为预设距离时，停止籽晶的移动，以使在籽晶和生长原料的界面生长碳化硅单晶；其中，在籽晶和生长原料液面之间的距离为预设距离时，籽晶能够吸附生长原料液体形成弯液面。
在本实施例中，在籽晶与生长原料液面接触后，控制籽晶向远离生长原料的方向移动，以使籽晶吸附部分生长原料与其同时抬升，进而形成弯液面。弯液面的辐射散热使籽晶和生长原料的界面处于特殊的温场，该温场能够使碳化硅单晶从周边向中心进行，进而得到晶体良率高的碳化硅单晶。当然，不控制籽晶上升到预设距离的方案也能够得到良好的碳化硅单晶，但上述形成弯液面的方案相较于无弯液面的方案，形成弯液面的方案得到的碳化硅晶体良率更高。
需要说明的是，现有技术方案无法精确判定籽晶是否刚好接触生长原料液面，若籽晶被生长原料没过，则无法产生弯液面，也就无法取得上述弯液面产生的有益效果。
在本发明的一些实施例中，还包括：
在监测到籽晶受到生长原料的力时，控制籽晶没入生长原料液面以下5～15mm；
控制籽晶向远离生长原料的方向移动；
当籽晶移动到和生长原料液面之间的距离为预设距离时，停止籽晶的移动，以使在籽晶和生长原料的界面生长碳化硅单晶；其中，在籽晶和生长原料液面之间的距离为预设距离时，籽晶能够吸附生长原料液体形成弯液面。
在本实施例中，在监测到籽晶受到生长原料的力时，籽晶刚好与液面接触，以该位置为起点，继续向下移动籽晶5～15mm，使籽晶进入生长原料内部，内部的生长原料具有更高的温度，如此，能够去除籽晶表面形成的部分熔蚀缺陷，该溶蚀缺陷为挥发的生长原料在籽晶表面反应造成的，将部分熔蚀的籽晶没入温度更高的生长原料内部，高温的生长原料能够去除籽晶的熔蚀缺陷使籽晶表面更平整。去除熔蚀缺陷后将籽晶移动至预设距离，进行碳化硅单晶生长，平整的籽晶表面能够得到质量优异的籽晶。
在本发明的一些实施例中，在控制籽晶向液体生长原料移动之前，还包括：
对生长原料进行加热处理，以使生长原料融化并达到碳化硅单晶的生长温度。
在本实施例中，对生长原料进行加热处理，使生长原料能够充分融化，并且，使生长原料的温度升高至碳化硅单晶的生长温度，以在后续步骤中，籽晶和生长原料接触时能够快速形成碳化硅单晶。预设温度优选为1900～2100℃。
在本发明的一些实施例中，监测籽晶是否受到来自生长原料的力，包括：
利用重力感应装置监测籽晶是否受到来自生长原料向上的力；其中，当重力感应装置监测的数据开始变小时，籽晶受到来自生长原料的力。
在本实施例中，利用重力感应装置监测籽晶是否受到来自生长原料向上的力，该力包括向上的浮力；重力感应装置能够实时监测籽晶的受力，并且具有优异的灵敏度，能够精确的判定籽晶是否受到生长原料向上的力。当籽晶完全与生长原料液面接触时，即开始受到生长原料向上的力，重力感应装置监测到的数值减小，因此，当重力感应装置监测到的数值减小时，即可证明籽晶与生长原料接触，进而实现精确判定籽晶是否与生长原料接触的效果。
在本发明的一些实施例中，监测籽晶是否受到来自生长原料向上的力，包括：
利用重力感应装置监测籽晶是否受到来自生长原料向上的力；其中，当重力感应装置监测的数据开始小于标准值时，籽晶受到来自生长原料向上的力，标准值为在加热生长原料前，籽晶未移动时重力感应装置显示的数值。
在本实施例中，由于重力感应器需要设置在传动杆中，因此，重力感应器显示的数值为传动杆、托盘和籽晶的重力，数值较大，为了便于观察籽晶与液面接触的突变点，可以在重力感应器中设定标准值，进一步地，可以将标准值设定为0值(仅在系统中通过控制器将标准值的数值调为0，并不是改变籽晶的受力来调0)，如此设置，当重力感应装置监测到的数值为负值时，即可判定籽晶与生长原料液面刚好接触。设定标准值，特别是将标准值设定为0值可以更加直观的观察到籽晶与生长原料接触的瞬间。
在本发明的一些实施例中，重力感应装置的测量精度不大于0.12g。
在本实施例中，为了能精确监测到生长原料液面对籽晶施加力的瞬间，需要重力感应装置具有优异的感应测量精度，若重力感应装置的测量精度大于0.12g，则重力感应装置无法及时感应到生长原料向上的力，从而无法精确判定籽晶与生长原料接触的瞬间。在本实施例中，重力感应装置的测量精度优选为0.1g。
在本发明的一些实施例中，预设距离是通过如下方式确定的：
利用重力感应装置采集籽晶的受力；
当重力感应装置采集到的数据为预设数据时，籽晶移动到预设距离；其中，预设数据为标准值和在预设距离下籽晶吸附的生长原料的重力之和，标准值为在加热生长原料前，籽晶未移动时重力感应装置显示的数值。
在本实施例中，利用重力感应装置采集籽晶的受力，进而能够通过重力感应装置采集到的数值来确定籽晶的吸附生长原料形成的弯液面的距离。具体地，籽晶与生长原料接触后向远离生长原料的方向移动，在移动的过程中，籽晶吸附部分生长原料共同移动，形成弯液面，重力感应装置采集的数值不断增大，此时采集到的数据包括标准值和形成弯液面的部分生长原料的重力，标准值是不变的，吸附的生长原料随着籽晶的升高而增多，吸附的生长原料的重力也不断增加，因此，该籽晶移动过程中，重力感应装置的增长量即为形成弯液面生长原料的重力增长量。根据预设距离的高度、籽晶底面积和生长原料的密度，能够计算出当籽晶达到预设高度时，形成弯液面的生长原料的重力，将标准值和籽晶重力的和作为重力感应装置的预设值，当重力感应装置采集到的数据等于预设值时，即可判定籽晶达到预设距离。
需要说明的是，掺入不同元素的生长原料的碳化硅单晶最佳生长距离不同，可以根据多次试验来获得最适合碳化硅单晶生长的弯液面距离，并将该距离确定为预设距离。
在本发明的一些实施例中，预设距离为1～5mm。
在本实施例中，预设距离为1～5mm能够使碳化硅单晶生长良率高，其中，掺入Cr和Al的生长原料优选上述预设距离。
如图2所示，本发明实施例还提供了另一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法，包括：
步骤200，对生长原料进行加热处理，以使所述生长原料融化并达到碳化硅单晶的生长温度；
步骤202，在真空环境下，控制籽晶向液体生长原料移动；
步骤204，利用重力感应装置监测籽晶是否受到来自生长原料向上的力；
步骤206，在监测到籽晶受到生长原料的力时，控制籽晶没入生长原料液面以下5～15mm；
步骤208在监测到籽晶受到生长原料的力时，控制籽晶向远离生长原料的方向移动；
步骤210，当籽晶移动到和生长原料液面之间的距离为预设距离时，停止籽晶的移动，以使在籽晶和生长原料的界面生长碳化硅单晶。
第二方面，如图5所示，本发明实施例提供了一种液相法生长碳化硅单晶的接长装置，用于实现第一方面中任一项的方法，包括：
坩埚1，用于装盛生长原料5；
托盘2，朝向生长原料5的一侧连接籽晶；
传动杆3，与托盘2连接，传动杆3用于控制托盘2上升、下降和旋转；
传动机，与传动杆3连接，传动机用于为传动杆3提供动力；
加热炉，用于加热坩埚1；
重力感应装置4，设置在传动杆3中，重力感应装置4用于监测籽晶受到的力。
在本实施例中，坩埚1可以包括盖体11，盖体11中间设置有直径为50～160mm的贯穿孔，贯穿孔用于穿设传动杆3。坩埚1的壁厚10～30mm，底厚15～40mm。托盘2可以为圆环状，也可以为圆柱状，厚度为5～50mm，制备材料包括碳化硅陶瓷或石墨，托盘2与籽晶为粘接。传动杆3的轴向长度为150～700mm，径向长度为5～50mm。传动机器可以是伺服电机。
可以理解的是，本实施例提供的装置也可以应用于液相法生长硅单晶。
在本发明的一些实施例中，坩埚1的制备材料包括石墨。
在本实施例中，坩埚1的制备材料包括纯度大于99％、密度大于1.5g/cm2的石墨。选取石墨作为坩埚1的制备材料，在加热坩埚1时，坩埚1中的碳元素能够溶入坩埚1内的液体中，直至溶液中的碳饱和，如此，将坩埚1作为碳源，无需考虑添加含碳原料的问题。
为了更加清楚地说明本发明的技术方案及优点，下面通过对比几个现有技术对本方案的优点进行说明。
对比例1
经验法，具体的方法如下：
1.在坩埚中装入生长原料，盖上坩埚盖，将坩埚放入晶体生长炉中，通过传动机控制传动杆将粘有籽晶的托盘放入坩埚内；
2.晶体生长炉经过抽真空、充气等操作后，开启功率升温；
3.待温度或时间达到预设值后，通过传动机控制籽晶下降，根据大规模实验结果判断接液位置，移动到该位置后继续向下移动5-8mm；
4.，通过传动机控制籽晶上升至判断出的接液位置，之后进行晶体生长。
对比例1的方案需要通过大量实验数据进行分析判断接液位置，当生长坩埚位置细微变化，或者需要根据实验进行原料的更改时，接液位置则变得难于寻找，还需要以新情形为基础进行实验才可得到大约位置。选用经验法生长碳化硅单晶无法保证每次都在最佳接液位置进行接液，且每次的误差均不相同，因此根据接液位置寻找最佳弯液面便无法得到保证。
经实验发现，本方案寻找最佳接液位置误差在0～0.5mm之间，而对比例1的方案寻找最佳接液位置误差在0.8～7mm之间，且难以控制。经由本方案找到最佳接液位置(即预设距离)进行单晶生长，晶体良率约为90％，而对比例1寻找最佳接液位置进行单晶生长，晶体良率在35％左右。
对比例2
红外测温法，具体的方法如下：
1.在坩埚中装入生长原料，盖上坩埚盖，将坩埚放入晶体生长炉中，通过传动机控制传动杆将粘有籽晶的托盘放入坩埚内；
2.晶体生长炉经过抽真空、充气等操作后，开启功率升温；
3.待温度或时间达到预设值后，通过传动机控制籽晶下降，利用红外测温测量温度变化判定籽晶是否和生长原料接触，籽晶和生长原料接触时发生热传递，测得温度发生骤变时说明完成接液；
4.依照接液位置进行弯液面的高度锁定，之后进行晶体生长。
对比例2的方案需要通过温度骤变去反映籽晶与液面接触，此时存在较多影响因素，如：籽晶粘接时效果差，影响温度的传递，迫使反馈位置与实际位置存在偏差，导致籽晶浸入液面，无法得到弯液面；测温点选取不同，不同点温度传递速度或会存在偏差，致使反馈位置与实际位置存在偏差，导致籽晶浸入液面(图4)，无法得到弯液面；籽晶厚度，籽晶托盘形状、厚度、尺寸不同，温度传递速度存在偏差，反馈位置与实际位置存在偏差，导致籽晶浸入液面，无法得到弯液面。选用红外测温法生长碳化硅单晶无法保证每次都在最佳接液位置进行接液，根据外部影响因素的不同，每次的误差均无法保证，因此根据接液位置寻找最佳弯液面便无法得到保证。
经实验发现，本方案寻找最佳接液位置误差在0～0.5mm之间，而对比例2的方案寻找最佳接液位置误差在0.8～4mm之间，且难以控制。经由本方案找到最佳接液位置(即预设距离)进行单晶生长，晶体良率约为90％，而对比例2寻找最佳接液位置进行单晶生长，晶体良率在65％左右。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法，其特征在于，包括：
在真空环境下，控制籽晶向液体生长原料移动；
监测所述籽晶是否受到来自所述生长原料的力；
在监测到所述籽晶受到所述生长原料的力时，停止所述籽晶的移动，以使在所述籽晶和所述生长原料的界面生长碳化硅单晶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在监测到所述籽晶受到所述生长原料的力时，控制所述籽晶向远离所述生长原料的方向移动；
当所述籽晶移动到和所述生长原料液面之间的距离为预设距离时，停止所述籽晶的移动，以使在所述籽晶和所述生长原料的界面生长碳化硅单晶；其中，在所述籽晶和所述生长原料液面之间的距离为预设距离时，所述籽晶能够吸附所述生长原料液体形成弯液面。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在监测到所述籽晶受到所述生长原料的力时，控制所述籽晶没入所述生长原料液面以下5～15mm；
控制所述籽晶向远离所述生长原料的方向移动；
当所述籽晶移动到和所述生长原料液面之间的距离为预设距离时，停止所述籽晶的移动，以使在所述籽晶和所述生长原料的界面生长碳化硅单晶；其中，在所述籽晶和所述生长原料液面之间的距离为预设距离时，所述籽晶能够吸附所述生长原料液体形成弯液面。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述控制籽晶向液体生长原料移动之前，还包括：
对生长原料进行加热处理，以使所述生长原料融化并达到碳化硅单晶的生长温度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述监测所述籽晶是否受到来自所述生长原料的力，包括：
利用重力感应装置监测所述籽晶是否受到来自所述生长原料向上的力；其中，当所述重力感应装置监测的数据开始变小时，所述籽晶受到来自所述生长原料向上的力。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述监测所述籽晶是否受到来自所述生长原料的力，包括：
利用重力感应装置监测所述籽晶是否受到来自所述生长原料向上的力；其中，当所述重力感应装置监测的数据开始小于标准值时，所述籽晶受到来自所述生长原料向上的力，所述标准值为在加热所述生长原料前，所述籽晶未移动时所述重力感应装置显示的数值。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述重力感应装置的测量精度不大于0.12g。
8.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述预设距离是通过如下方式确定的：
利用重力感应装置采集所述籽晶的受力；
当所述重力感应装置采集到的数据为预设数据时，所述籽晶移动到所述预设距离；其中，所述预设数据为标准值和在所述预设距离下籽晶吸附的所述生长原料的重力之和，所述标准值为在加热所述生长原料前，所述籽晶未移动时所述重力感应装置显示的数值。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述预设距离为1～5mm。
10.一种液相法生长碳化硅单晶的接长装置，其特征在于，用于实现权利要求1-9中任一项所述的方法，包括：
坩埚，用于装盛生长原料；
托盘，朝向所述生长原料的一侧连接籽晶；
传动杆，与所述托盘连接，所述传动杆用于控制所述托盘上升、下降和旋转；
传动机，与所述传动杆连接，所述传动机用于为传动杆提供动力；
加热炉，用于加热所述坩埚；
重力感应装置，设置在所述传动杆中，所述重力感应装置用于监测所述籽晶受到的力。
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| CN202210903128.3A CN115029781A (zh) | 2022-07-29 | 2022-07-29 | 一种液相法生长碳化硅单晶的接长方法及接长装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116752237A (zh) * | 2023-06-27 | 2023-09-15 | 通威微电子有限公司 | 籽晶定位方法和晶体生长装置 |
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| US20160208409A1 (en) * | 2015-01-16 | 2016-07-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for producing sic single crystal |
| CN106048713A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-10-26 | 山东天岳晶体材料有限公司 | 一种碳化硅溶液法中实时监测并调整固液界面高度的方法 |
| CN114481318A (zh) * | 2022-02-14 | 2022-05-13 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | 一种碳化硅晶体生长的控制方法及装置 |
-
2022
- 2022-07-29 CN CN202210903128.3A patent/CN115029781A/zh active Pending
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