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CN114975526A - 显示装置和用于制造显示装置的方法 - Google Patents

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CN114975526A
CN114975526A CN202210127242.1A CN202210127242A CN114975526A CN 114975526 A CN114975526 A CN 114975526A CN 202210127242 A CN202210127242 A CN 202210127242A CN 114975526 A CN114975526 A CN 114975526A
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CN
China
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layer
substrate
hole
display device
area
Prior art date
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Application number
CN202210127242.1A
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English (en)
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卢宗德
李光珉
李尚益
韩在求
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Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Publication date
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Abstract

提供了显示装置和用于制造显示装置的方法，而显示装置包括衬底和在衬底上的堆叠结构。衬底具有第一孔，并且堆叠结构具有第二孔。第二孔与第一孔部分重叠并且在平面视图中具有在第一孔外部的边缘。衬底具有暴露于第二孔的衬底暴露部分，并且在平面视图中，衬底暴露部分在朝向第二孔的边缘的方向上部分凹陷。

Description

显示装置和用于制造显示装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年2月18日提交到韩国知识产权局的第10-2021-0021701号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体地并入本文。
技术领域
本公开的实施方式的各方面涉及显示装置和用于制造显示装置的方法。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已稳步增加。响应于此，已使用各种类型的显示装置，诸如有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)和类似物。这种显示装置已被广泛应用于各种移动电子装置，例如，诸如智能电话、智能手表和平板电脑的便携式电子装置。
最近，用于实现除了图像显示以外的各种功能的部件趋向于安装在显示装置上。配备有诸如相机、红外传感器和类似物的光学元件的智能电话是这种其它部件的实例。显示装置可包括光学开口(例如，光学孔)，而光学元件通过光学开口接收光。显示装置的一些元件被物理穿孔以增加通过光学开口的透射率。
发明内容
本公开的各方面提供了在增大或最大化有效区域的大小的同时在用于显示图像的有效区域中具有开口(例如，孔)的显示装置。
本公开的各方面也提供了用于制造显示装置的方法，该方法能够通过在没有物理接触的情况下形成在用于显示图像的有效区域中的开口来减少在开口的形成期间可能对显示装置发生的损坏。
显示装置的实施方式包括具有第一孔的衬底和在衬底上的堆叠结构。堆叠结构具有第二孔，并且第二孔与第一孔部分重叠并且在平面视图中具有在第一孔外部的边缘。衬底具有暴露于第二孔的衬底暴露部分，并且在平面视图中，衬底暴露部分在朝向第二孔的边缘的方向上部分凹陷。
显示装置的另一实施方式包括衬底和在衬底上的堆叠结构。衬底具有第一孔和与第一孔相邻的衬底暴露部分，并且堆叠结构具有部分与第一孔重叠的第二孔。由衬底暴露部分的限定第一孔的侧表面与衬底暴露部分的底表面形成的第一角度大于由堆叠结构的限定第二孔的侧表面与衬底的除了衬底暴露部分以外的部分的顶表面形成的第二角度。
用于制造显示装置的方法的实施方式包括：制备包括基础衬底(例如，衬底)和在基础衬底上的堆叠结构的目标衬底；通过在扫描目标衬底的同时沿切割线将第一激光束照射到目标衬底的堆叠结构上来形成凹槽以暴露基础衬底，第一激光束是在焦点处的光束斑点的中心处具有最小能量值的圆环光束；通过沿切割线将第二激光束照射到由凹槽暴露的基础衬底上以便以斑点为基准进行分离来形成切割孔，第二激光束为贝塞尔光束；以及通过在扫描目标衬底的同时沿切割线将第三激光束照射到由凹槽暴露的基础衬底上来形成切割裂纹，第三激光束为圆环光束。
然而，本公开的方面和特征不限于本文中阐述的方面和特征。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它的方面和特征将对于本公开所属技术领域的普通技术人员变得更加显而易见。
根据实施方式的显示装置具有在显示图像的有效区域中(例如，由有效区域围绕)的孔，并且有效区域的大小可增大或最大化。
在根据实施方式的用于制造显示装置的方法中，可在没有物理接触的情况下形成用于显示图像的有效区域中(例如，由有效区域围绕)的孔，从而减少在形成孔时可能对显示装置发生的损坏。
本公开的方面和特征不限于以上提及的方面和特征，并且各种其它方面和特征包括在本说明书中。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它的方面和特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是根据实施方式的显示装置的平面视图；
图2是示出处于折叠状态的图1中所示的显示装置的透视图；
图3是图1中所示的显示装置的一个像素的剖面视图；
图4是图1的区域Q的放大视图；
图5是沿图4的线V-V'截取的剖面视图；
图6是图4的区域R的放大视图；
图7是根据实施方式的用于制造显示装置的方法的流程图；
图8是示出第一激光处理步骤的示意图；
图9是沿图8的线IX-IX'截取的剖面视图：
图10是示出第一激光束的斑点的示意图；
图11是示出图10中所示的第一激光束的斑点的能量分布的曲线图；
图12是示出当在扫描目标衬底的同时照射第一激光束时目标衬底的能量分布的曲线图；
图13是示出第一激光处理步骤之后的目标衬底的平面视图；
图14是沿图13的线XIV-XIV'截取的剖面视图；
图15是示出第二激光处理步骤的示意图；
图16是示出第二激光束经过基础衬底的过程的示意图；
图17是示出第二激光处理步骤之后的目标衬底的平面视图；
图18是沿图17的线XVIII-XVIII'截取的剖面视图；
图19是示出第三激光处理步骤的示意图；
图20是示出第三激光处理步骤之后的目标衬底的平面视图；
图21是沿图20的线XXI-XXI'截取的剖面视图；以及
图22是在根据另一实施方式的显示装置中与图4的区域R对应的放大视图。
具体实施方式
现在下文中，将参照示出了本公开的实施方式的附图，对本公开进行更加全面的描述。然而，本公开可以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达本公开的范围。
将理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或者“联接到”另一元件或层时，该元件或层可直接在另一元件或层上、直接连接到或者直接联接到另一元件或层，或者也可存在有一个或多个居间元件或层。当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，则不存在有居间元件或层。例如，当第一元件被描述为“联接”或“连接”到第二元件时，第一元件可直接联接或连接到第二元件，或者第一元件可经由一个或多个居间元件间接联接或连接到第二元件。
空间相对措辞，诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”和类似词，可在本文中为了描述的便利而使用，以描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的取向之外，空间相对措辞还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为在其它元件或者特征“下方(below)”或“下面(beneath)”的元件将随后被取向为在其它元件或特征“上方(above)”。因此，措辞“下方”能涵盖上方和下方的取向这两者。装置可以其它方式取向(例如，旋转90度或者在其它取向处)，并且本文中所使用的空间相对描述词被相应地解释。
在图中，为了示出的清楚，各种元件、层等的尺寸可被夸大。相同的附图标记指定相同的元件。如本文中所使用的，措辞“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。此外，当描述本公开的实施方式时，“可(may)”的使用涉及“本公开的一个或多个实施方式”。表述，诸如“……中的至少一个”，当在一列元件之后时，修饰整列元件，而不是修饰该列中的个别元件。如本文中所使用的，措辞“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可被考虑为分别与措辞“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。如本文中所使用的，措辞“基本上(substantially)”、“约(about)”以及类似措辞用作近似的措辞而不是程度的措辞，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。
将理解的是，尽管措辞第一、第二、第三等可在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些措辞限制。这些措辞用于将一个元件、部件、区、层或者部分与另一元件、部件、区、层或者部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区、层或者部分能被称作第二元件、部件、区、层或者部分，而不背离示例性实施方式的教导。
本文中所使用的术语是出于描述本公开的特定示例性实施方式的目的，并且不旨在限制本公开的所描述的示例性实施方式。除非上下文另有清楚指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”和“一(an)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当措辞“包括(includes)”、“包括(including)”、“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”在本说明书中使用时指明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。
在下文中，将参照附图对实施方式进行详细描述。
图1是根据实施方式的显示装置的平面视图。
参照图1，第一方向X可为在平面视图中(例如，在一平面视图中)与显示装置1的一侧平行的方向，并且可为例如显示装置1的水平方向。第二方向Y可为在平面视图中与显示装置1的该一侧接触(或从显示装置1的该一侧延伸)的另一侧平行的方向，并且可为例如显示装置1的竖直方向。第三方向Z可为显示装置1的厚度方向。然而，应理解的是，本文中提及的方向是指相对方向，并且实施方式不限于提及的方向。
根据实施方式的显示装置1在稍后描述的有效区域AAR处显示图像，并且包括有效区域AAR的各种器件可包括在其中。
例如，根据本公开的实施方式的显示装置1可应用于智能电话、移动电话、平板PC、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、电视、游戏机、手表型电子装置、头戴式显示器、个人计算机的显示屏、笔记本计算机、车辆导航系统、车辆仪表板、数码相机、摄像机、外部广告牌、电子广告牌、医疗装置、检查装置、诸如冰箱和洗衣机的各种家用电器或物联网(IoT)装置。
显示装置1在平面视图中可具有矩形形状或正方形形状。显示装置1可具有在平面视图中具有带有直角或倒圆角的拐角的矩形形状。显示装置1可具有分别布置在水平方向(例如，第一方向X)上的一侧和另一侧上的两个长边以及分别布置在竖直方向(例如，第二方向Y)上的一侧和另一侧上的两个短边。
显示装置1具有有效区域AAR和非有效区域NAR。显示装置1的有效区域AAR可包括用于显示图像的显示区域。此外，当显示装置1具有触摸功能时，作为感测触摸输入的区域的触摸区域也可包括在有效区域AAR中。
有效区域AAR的平面形状可对应于应用了有效区域AAR的显示装置1的平面形状。例如，当显示装置1在平面视图中为矩形时，有效区域AAR的平面形状也可为矩形。
在有效区域AAR中可排列有多个像素。多个像素可排列成矩阵。每个像素的形状在平面视图中可为矩形形状或正方形形状。然而，本公开不限于此。
非有效区域NAR可布置在有效区域AAR周围。非有效区域NAR可围绕有效区域AAR(例如，可绕有效区域AAR的外围延伸)。非有效区域NAR可包括不执行显示(例如，不显示图像)的非显示区域。非有效区域NAR可围绕有效区域AAR的所有边(例如，可沿有效区域AAR的所有边延伸)，但是本公开不限于此。非有效区域NAR可不布置在有效区域AAR的四个边的至少一部分附近。显示装置1的边框区域可配置为非有效区域NAR。
显示装置1可包括包含有至少一个孔(例如，开口)HLE的孔区域(例如，开口区域)HLA。本文中所使用的措辞“孔”不旨在并不应被解释为仅意味着圆形开口，并且能指示具有各种合适形状的开口。孔区域HLA使光透射到光学元件的布置成在厚度方向(例如，第三方向Z)上与孔区域HLA重叠的光接收部分。在附图中，显示装置1被示出为包括一个孔区域HLA，但是不限于此。显示装置1可包括多个孔区域HLA。
孔区域HLA可布置在有效区域AAR内。孔区域HLA可至少部分被有效区域AAR围绕(例如，有效区域AAR可至少部分绕孔区域HLA的外围延伸)。尽管在附图中有效区域AAR被示出为完全围绕孔区域HLA的外围，但是孔区域HLA的一部分可连接到布置在有效区域AAR的外围(或边缘)处的非有效区域NAR。孔区域HLA可对应于不执行显示的非有效区域NAR，尽管不限于此。
显示装置1可为可折叠显示装置。如本文中所使用的，措辞“可折叠显示装置”是指能折叠并且可具有折叠状态和展开状态这两者的显示装置1。此外，折叠通常包括以约180度的角度折叠。然而，本公开不限于此，并且其可包括折叠角度超过180度或小于180度的情况，例如，折叠角度等于或大于90度且小于180度的情况，或折叠角度等于或大于120度且小于180度的情况。此外，如果在展开状态之外执行折叠，即使没有执行完全折叠，其也可被称为折叠状态。例如，即使其以90度或更小的角度折叠，只要最大折叠角度变为90度或更大，其也可被表述为处于折叠状态以将其与展开状态区分开。
显示装置1可具有折叠区域(例如，折叠线)FDA。显示装置1可相对于折叠区域FDA折叠。折叠可为显示装置1的显示表面向内折叠的内折，以及显示装置1的显示表面向外折叠的外折。尽管在图2中显示装置1被示出为处于内折状态，但是本公开不限于此。显示装置1可以外折方式折叠。
此外，显示装置1可仅以一种方式(例如，内折方式或外折方式)折叠。替代性地，可执行内折和外折这两者。在执行内折和外折这两者的显示装置的情况下，可相对于相同的折叠区域FDA执行内折和外折。替代性地，其可包括用于执行不同类型的折叠的多个折叠区域，诸如仅用于内折的折叠区域和仅用于外折的折叠区域。
折叠区域FDA可具有平行于显示装置1的一侧的延伸方向(例如，可平行于显示装置1的一侧延伸)。例如，折叠区域FDA可在与显示装置1的水平方向(例如，第一方向X)相同的方向上延伸。当在附图中作为实例示出为具有在竖直方向(例如，第二方向Y)上的边比在水平方向(例如，第一方向X)上的边长的矩形形状的显示装置1具有在水平方向(例如，第一方向X)上延伸的折叠区域FDA时，在显示装置1折叠之后，显示装置1的长边可减少至一半或更少，而其短边可保持不变。在另一实施方式中，折叠区域FDA可在与长边的延伸方向(例如，第二方向Y)相同的方向上延伸。
折叠区域FDA也可在第二方向Y上具有一宽度(例如，预定宽度)。折叠区域FDA的在第二方向Y上的宽度可小于其在第一方向X上的宽度。
显示装置1可具有布置在折叠区域FDA周围的非折叠区域NFA。非折叠区域NFA可具有位于折叠区域FDA的在第二方向Y上的一边上的第一非折叠区域NFA1和位于折叠区域FDA的在第二方向Y上的另一边上的第二非折叠区域NFA2。第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2在第二方向Y上的宽度可彼此相等或基本上相等，但是本公开不限于此。根据折叠区域FDA的位置，第一非折叠区域NFA1的宽度和第二非折叠区域NFA2的宽度可彼此不同。
上述显示装置1的有效区域AAR/非有效区域NAR和折叠区域FDA/非折叠区域NFA可在相同位置处彼此重叠。例如，特定位置可位于有效区域AAR中，并且也位于第一非折叠区域NFA1中。另一特定位置可位于非有效区域NAR中，并且也位于第一非折叠区域NFA1。又一特定位置可位于有效区域AAR中，并且也位于包括折叠区域FDA的区中。
显示装置1的有效区域AAR可布置在第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2这两者上面(例如，可延伸通过第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2这两者)。此外，有效区域AAR甚至可位于与第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2之间的边界对应的折叠区域FDA中。例如，显示装置1的有效区域AAR可与非折叠区域NFA、折叠区域FDA和类似区域的边界无关地连续排列。然而，本公开不限于此。有效区域AAR可仅位于第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2中的一个中。有效区域AAR可布置在第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2中，并且有效区域AAR可不布置在折叠区域FDA中。
孔区域HLA可布置在第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2中的至少一个中。例如，孔区域HLA可布置在第一非折叠区域NFA1中，尽管不限于此。孔区域HLA与折叠区域FDA间隔开。
在下文中，将对上述显示装置1的剖面结构进行描述。
图3是图1中所示的显示装置的一个像素的剖面视图。
参照图3，根据实施方式的显示装置1可包括显示面板100(例如，图5中所示)和布置在显示面板100上方的偏振构件200。图3示出了显示装置1的构成布置在有效区域AAR中的一个像素的部分剖面结构。此外，尽管图3中示出了包括显示面板100和偏振构件200的显示装置1，但是本公开不限于此。在显示面板100的在第三方向Z上的另一侧表面上还可布置有其它构件(诸如缓冲构件和散热构件)，并且在显示面板100的在第三方向Z上的一个侧表面上还可布置有覆盖窗和窗保护构件。
包括在根据实施方式的显示装置1中的显示面板100可包括多个堆叠结构。
在显示面板100中可顺序地布置有基础衬底(例如，衬底)101、阻挡层111、第一导电层120、缓冲层112、半导体层130、第一绝缘层113、第二导电层140、第二绝缘层161(例如，图5中所示)、第三导电层150、第三绝缘层162(例如，图5中所示)、像素电极(例如，第一电极)171、第四绝缘层163(例如，图5中所示)、发光层172、公共电极(例如，第二电极)173和薄膜封装层180。上述层中的每个可由单层或多个层的堆叠组成。在层之间还可布置有其它层。这里，阻挡层111、第一导电层120、缓冲层112、半导体层130、第一绝缘层113、第二导电层140、第二绝缘层161(例如，图5中所示)和第三导电层150中的至少一个可包括在电路元件层中。
基础衬底101支承布置在其上的相应层。基础衬底101可包括例如超薄玻璃(UTG)或薄玻璃(或可通过包括例如超薄玻璃(UTG)或薄玻璃来形成)。超薄玻璃可被加强以在其中具有应力分布(例如，预定应力分布)。经强化的超薄玻璃可比强化之前更有效地防止或阻止由于外部冲击而引起的裂纹的生成、裂纹的扩展、断裂和类似缺陷。通过强化工艺而强化的超薄玻璃可针对每个区具有不同的应力。
当玻璃为超薄玻璃或薄玻璃时，其可具有柔性属性以使得其能弯曲、弯折、折叠或卷曲。例如，玻璃的厚度可处于约10μm至约300μm、约10μm至约100μm或约50μm的范围内。
基础衬底101的玻璃可包括碱石灰玻璃、碱铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃或锂铝硅酸盐玻璃。基础衬底101的玻璃可包括化学强化玻璃或热强化玻璃，以具有改善的强度和耐冲击性。
阻挡层111可布置在基础衬底101上。阻挡层111可防止或基本上防止杂质离子的扩散，防止或基本上防止湿气或外部空气的渗透，并且执行表面平坦化功能。阻挡层111可包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或类似物。阻挡层111可依据基础衬底101的类型、工艺条件和类似因素而被省略。
第一导电层120可布置在阻挡层111上。第一导电层120可包括阻光图案121。阻光图案121可阻止或基本上阻止外部光对稍后将描述的半导体图案(例如，包括131a、131b和131c)的沟道区131c的照射，从而防止或基本上防止光电流流过沟道区131c。
缓冲层112可布置在第一导电层120上。缓冲层112可包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。缓冲层112可依据基础衬底101的类型、工艺条件和类似因素而被省略。
半导体层130可布置在缓冲层112上。半导体层130可包括半导体图案(例如，包括131a、131b和131c)。
半导体图案(例如，包括131a、131b和131c)可包括在厚度方向上与稍后将描述的布置在其上方的栅电极141重叠的沟道区131c，以及分别向着沟道区131c的一侧和另一侧布置的第一源/漏区131a和第二源/漏区131b。第一源/漏区131a和第二源/漏区131b可包括多个载流子离子，并且与沟道区131c相比可具有高导电性和低电阻。半导体层130可包括多晶硅、单晶硅、非晶硅或类似物(或可由多晶硅、单晶硅、非晶硅或类似物制成)。
第一绝缘层113可布置在半导体层130上。第一绝缘层113是栅极绝缘层，并且可基本上布置在基础衬底101的整个表面上面。第一绝缘层113可包括硅化合物、金属氧化物或类似物。
第二导电层140可布置在第一绝缘层113上。第二导电层140是栅极导电层并且可包括栅电极141。
第二绝缘层161可布置在第二导电层140上。第二绝缘层161可包括硅化合物、金属氧化物或类似物。第二绝缘层161可包括层间绝缘图案161a。层间绝缘图案161a可将栅电极141与有效区域AAR中的稍后将描述的第一源/漏电极151和第二源/漏电极152绝缘。
第三导电层150可布置在第二绝缘层161上。第三导电层150为数据导电层，并且可包括用于施加数据信号的数据导线。第三导电层150可包括驱动晶体管的第一源/漏电极151和第二源/漏电极152。
第一源/漏电极151可通过穿透层间绝缘图案161a和第一绝缘层113的接触开口(例如，接触孔)电连接到半导体图案(例如，包括131a、131b和131c)的第一源/漏区131a。
第二源/漏电极152可通过穿透层间绝缘图案161a和第一绝缘层113的接触开口(例如，接触孔)电连接到半导体图案(例如，包括131a、131b和131c)的第二源/漏区131b。
第三绝缘层162可布置在第三导电层150上。第三绝缘层162可布置在第三导电层150上，并且可完全覆盖第二绝缘层161的顶表面。第三绝缘层162可包括布置在有效区域AAR中的通孔层162a。通孔层162a可完全覆盖层间绝缘图案161a的顶表面。第三绝缘层162可包括有机绝缘材料。在第三绝缘层162为有机层的实施方式中，尽管存在有下部(或下层)台阶，但是其顶表面可为部分平坦的。
像素电极171可布置在第三绝缘层162上。像素电极171可为阳极电极。像素电极171可布置为针对每个像素为分离的。像素电极171可通过穿透通孔层162a的接触开口(例如，接触孔)电连接到第二源/漏电极152。
第四绝缘层163可布置在像素电极171上。第四绝缘层163可包括布置在有效区域AAR中的像素限定层163a。像素限定层163a可包括部分暴露像素电极171的开口。像素限定层163a可部分覆盖像素电极171和第三绝缘层162。第四绝缘层163可由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。
发光层172可布置在由像素限定层163a暴露的像素电极171上。发光层172的至少一部分可布置在第四绝缘层163的开口中。发光层172可部分覆盖第四绝缘层163的顶表面以及第四绝缘层163的形成开口的侧表面。
发光层172可包括有机材料层。有机材料层可包括有机发光层，并且还可包括空穴注入/传输层和电子注入/传输层。
公共电极173可布置在发光层172上。公共电极173可横跨所有像素延伸。公共电极173可为阴极电极。
像素电极171、发光层172和公共电极173可构成发光元件EMD。例如，发光元件EMD可为有机发光元件。
薄膜封装层180可布置在公共电极173上方。薄膜封装层180可包括第一无机层181、布置在第一无机层181上的第一有机层182和布置在第一有机层182上的第二无机层183。第一无机层181和第二无机层183可在薄膜封装层180的端部处彼此接触，以使得第一有机层182可由第一无机层181和第二无机层183密封(或在第一无机层181与第二无机层183之间密封)。
第一无机层181和第二无机层183中的每个可包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或类似物。第一有机层182可包括有机绝缘材料。
根据实施方式的显示装置1还可包括布置在显示面板100上方的偏振构件200。偏振构件200可减少外部光的反射。偏振构件200可以偏振膜的形式被提供。偏振构件200可使通过其的光偏振。根据实施方式的显示装置1还可包括布置在显示面板100与偏振构件200之间的粘合层AL。粘合层AL可将显示面板100与偏振构件200彼此接合。
在下文中，将对根据实施方式的显示装置1中的孔区域HLA的结构进行描述。
图4是图1的区域Q的放大视图，图5是沿图4的线V-V'截取的剖面视图，并且图6是图4的区域R的放大视图。
参照图4至图6，孔区域HLA可在有效区域AAR中(例如，可被有效区域AAR围绕)。孔区域HLA可为通过在厚度方向(例如，第三方向Z)上穿透显示装置1的至少一部分而形成的区域。多个孔(例如，开口)HLE可布置在孔区域HLA中。孔HLE可提供可布置有相机、聚光透镜、光路引导透镜、红外传感器、虹膜识别传感器和照度传感器中的至少一个光学元件的空间。孔HLE可包括定位在基础衬底101上方的第一孔(例如，第一开口)HLE1和穿透基础衬底101的第二孔(例如，第二开口)HLE2。
第一孔HLE1可具有布置在中心中的第一中心点CP1。例如，第一中心点CP1可为在平面视图中的第一孔HLE1的开放区域中的中心(例如，重心)。第二孔HLE2可包括布置在中心中的第二中心点CP2。例如，第二中心点CP2可为在平面视图中的第二孔HLE2的开放区域中的中心(例如，重心)。第一孔HLE1的第一中心点CP1和第二孔HLE2的第二中心点CP2可重合，但是依据实施方式可不同。
第一孔HLE1可在平面视图中具有圆形形状。例如，第一孔HLE1的边缘可为基本上圆形。第一孔HLE1的边缘可比第二孔HLE2的边缘布置得更向外。第一孔HLE1的边缘可布置在基础衬底暴露部分(例如，衬底暴露部分)101e上。
第一孔HLE1可由堆叠结构LS围绕(例如，第一孔HLE1的边缘可由堆叠结构LS形成)。堆叠结构LS可包括布置在封装区域CPA中的第一无机层181、第二无机层183、偏振构件200和粘合层AL。堆叠结构LS还可包括阻挡层111、缓冲层112、第一绝缘层113、第二绝缘层161(例如，层间绝缘图案161a)、第三绝缘层162(例如，通孔层162a)、第四绝缘层163(例如，像素限定层163a)、像素电极171、发光层172、公共电极173、第一有机层182、第一导电层120、半导体层130、第二导电层140和第三导电层150中的至少一个。此外，堆叠结构LS还可包括布置在第二无机层183与偏振构件200之间的稍后将描述的平坦化层(例如，第二有机层)190。第一孔HLE1的内部宽度d1可限定为彼此相对的堆叠结构LS之间的距离。第一孔HLE1的内部宽度d1可从第一无机层181朝向偏振构件200增加。例如，第一孔HLE1的内部宽度d1可随着其远离基础衬底101而增加。第一孔HLE1的内部宽度d1可为在经过第一孔HLE1的开放区域中的第一孔HLE1的第一中心点CP1的平面上的长度。
堆叠结构LS的侧表面LSa可为限定第一孔HLE1的表面。堆叠结构LS的侧表面LSa可对齐。作为由堆叠结构LS的侧表面LSa形成的倾斜角的第一侧倾斜角α可限定为形成在堆叠结构LS的侧表面LSa与基础衬底101的顶表面之间的角度。第一侧倾斜角α可为锐角。
第二孔HLE2可在平面视图中具有基本上圆形形状，但是可包括部分向外凹陷的区。例如，第二孔HLE2的边缘可部分向外凹陷。
基础衬底101可包括基础衬底暴露部分101e，而基础衬底暴露部分101e布置在孔区域HLA中并且不与堆叠结构LS重叠。基础衬底暴露部分101e可布置成与第一孔HLE1相邻。基础衬底暴露部分101e的顶表面可暴露于外部。例如，基础衬底暴露部分101e的顶表面可不被其它层(或构件)覆盖。基础衬底暴露部分101e的顶表面可暴露于第一孔HLE1。例如，第一孔HLE1可布置在基础衬底暴露部分101e上。
基础衬底暴露部分101e可围绕第二孔HLE2(例如，可绕第二孔HLE2延伸或可形成第二孔HLE2)。基础衬底暴露部分101e的侧表面101ea可为限定第二孔HLE2的表面。基础衬底暴露部分101e的侧表面101ea可在第二孔HLE2的边缘方向上部分凹陷(例如，在平面视图中，基础衬底暴露部分101e的侧表面101ea可在朝向第一孔HLE1的方向上部分凹陷)。
基础衬底暴露部分101e的侧表面101ea可包括与堆叠结构LS的侧表面LSa平行的第一侧表面101ea1，以及从第一侧表面101ea1延伸并且朝向有效区域AAR和封装区域CPA凹陷的第二侧表面101ea2。第一侧表面101ea1和第二侧表面101ea2可在平面视图中具有弯曲形状。平面视图中的第一侧表面101ea1的曲率可小于平面视图中的第二侧表面101ea2的曲率。针对基础衬底暴露部分101e的侧表面101ea，第一侧表面101ea1和第二侧表面101ea2可交替地布置。
第二孔HLE2可包括由第二侧表面101ea2围绕(例如，由第二侧表面101ea2形成)的凹陷DT。凹陷DT可为在厚度方向上穿透基础衬底暴露部分101e的孔(例如，开口)。凹陷DT可由朝向有效区域AAR和封装区域CPA凹陷的基础衬底暴露部分101e形成。
基础衬底暴露部分101e可包括布置在第一侧表面101ea1与堆叠结构LS的侧表面LSa之间的第一基础衬底暴露部分101e1，以及布置在第二侧表面101ea2与堆叠结构LS的侧表面LSa之间的第二基础衬底暴露部分101e2。第二基础衬底暴露部分101e2可布置成围绕凹陷DT(例如，绕凹陷DT延伸)。第一基础衬底暴露部分101e1的宽度l1可限定为在平面视图中第一侧表面101ea1与堆叠结构LS的侧表面LSa之间的距离。第二基础衬底暴露部分101e2的宽度l2可限定为在平面视图中第二侧表面101ea2与堆叠结构LS的侧表面LSa之间的距离。
第一基础衬底暴露部分101e1的宽度l1可针对每个区域为基本上恒定的。第二基础衬底暴露部分101e2的宽度l2可从布置在第二基础衬底暴露部分101e2的一侧上的第一基础衬底暴露部分101e1朝向布置在其另一侧上的第一基础衬底暴露部分101e1增大并然后减小。例如，第二基础衬底暴露部分101e2的宽度l2可在第二基础衬底暴露部分101e2的中心部分处具有最小值。第一基础衬底暴露部分101e1的宽度l1可大于第二基础衬底暴露部分101e2的宽度l2。
第一侧表面101ea1和从第一侧表面101ea1延伸的第二侧表面101ea2可在其间形成二面角θ。在实施方式中，二面角θ可为钝角，但是不限于此。
第二孔HLE2可由基础衬底暴露部分101e围绕(例如，由基础衬底暴露部分101e形成)。第二孔HLE2的内部宽度d2可限定为彼此相对的基础衬底暴露部分101e之间的距离。此外，第二孔HLE2的内部宽度d2可为在经过第二孔HLE2的开放区域中的第二孔HLE2的第二中心点CP2的平面上的长度。第二孔HLE2的内部宽度d2可小于第一孔HLE1的内部宽度d1。
第二孔HLE2的内部宽度d2可在厚度方向上为基本上恒定的。
作为由基础衬底暴露部分101e的侧表面101ea形成的倾斜角的第二侧倾斜角β可限定为形成在基础衬底暴露部分101e的侧表面101ea与基础衬底暴露部分101e的底表面之间的角度。基础衬底暴露部分101e的底表面可为基础衬底暴露部分101e中与堆叠结构LS位于其上的表面相对的表面。第二侧倾斜角β可大于第一侧倾斜角α。例如，第二侧倾斜角β可为约90°，但是不限于此，并且可为锐角或钝角。
在堆叠结构LS中，偏振构件200的侧表面200a可为围绕第一孔HLE1(例如，绕第一孔HLE1延伸)的表面。偏振构件200的侧表面200a可为堆叠结构LS的侧表面LSa的一部分。作为由偏振构件200的侧表面200a形成的倾斜角的第三侧倾斜角γ可限定为形成在偏振构件200的侧表面200a和与粘合层AL接触的偏振构件200的底表面之间的角度。第三侧倾斜角γ可为锐角。第三侧倾斜角γ可与上述第一侧倾斜角α基本上相同，但是不限于此。
根据实施方式的显示装置1还可包括布置在孔区域HLA与有效区域AAR之间的封装区域CPA。封装区域CPA为有效区域AAR的各种绝缘层被封装的区域，并且在封装区域CPA中可布置有坝结构DS。由于坝结构DS，第一有机层182可不朝向孔区域HLA溢出。坝结构DS可包括包含在第二绝缘层161中的第一结构161b、包括在第三绝缘层162中的第二结构162b和包括在第四绝缘层163中的第三结构163b。第一结构161b可布置在与层间绝缘图案161a相同的层中，第二结构162b可布置在与通孔层162a相同的层中，并且第三结构163b可布置在与像素限定层163a相同的层中。
第一无机层181可布置在坝结构DS上，并且第一无机层181可覆盖坝结构DS。第二无机层183可进一步布置在坝结构DS上。第一无机层181和第二无机层183可在坝结构DS的至少一部分上彼此接触。例如，第一无机层181和第二无机层183可在坝结构DS的顶表面和坝结构DS的与孔区域HLA相邻的侧表面上彼此接触。第一有机层182可布置在坝结构DS的与有效区域AAR相邻的侧表面上布置的第一无机层181上。这里，第一有机层182可布置在第一无机层181与第二无机层183之间。
在根据实施方式的显示装置1中，阻挡层111、缓冲层112、层间绝缘图案161a、通孔层162a、像素限定层163a和公共电极173可从有效区域AAR延伸，并且可部分地布置在封装区域CPA中。此外，第一绝缘层113可从有效区域AAR延伸，并且可部分地布置在封装区域CPA中。
在封装区域CPA中，缓冲层112可覆盖从有效区域AAR延伸的阻挡层111的边缘，第一绝缘层113可覆盖从有效区域AAR延伸的缓冲层112的边缘，层间绝缘图案161a可覆盖从有效区域AAR延伸的第一绝缘层113的边缘，通孔层162a可覆盖从有效区域AAR延伸的层间绝缘图案161a，像素限定层163a可覆盖从有效区域AAR延伸的通孔层162a，公共电极173可覆盖从有效区域AAR延伸的像素限定层163a，并且第一无机层181可覆盖从有效区域AAR延伸的公共电极173。
根据实施方式的显示装置1还可包括在封装区域CPA中布置在第二无机层183与偏振构件200之间的平坦化层190。尽管第二无机层183的台阶部分在封装区域CPA中布置在平坦化层190下方，但是平坦化层190也可具有平坦的顶表面。平坦化层190可包括有机材料(或可由有机材料制成)。
在基础衬底暴露部分101e上可布置有多个碳化物CM。碳化物CM可通过稍后将描述的在激光照射过程中将显示面板100中的基础衬底101上的堆叠结构LS的一部分碳化来形成。例如，碳化物CM可通过将平坦化层190、粘合层AL和偏振构件200中的至少一个部分碳化来形成。因此，碳化物CM可包括平坦化层190中包括的材料、粘合层AL中包括的材料和偏振构件200中包括的材料中的至少一种被碳化的材料。
根据实施方式的显示装置1可具有由其通过多次激光处理工艺而产生的侧表面LSa具有第一侧倾斜角α的堆叠结构LS围绕(例如，由堆叠结构LS形成或限定)的第一孔HLE1，以及其侧表面101ea具有比第一侧倾斜角α大的第二侧倾斜角β的基础衬底暴露部分101e，从而减小或最小化了封装区域CPA，增大或最大化了用于显示图像的有效区域AAR的大小。稍后将对根据实施方式的用于制造显示装置1的激光处理工艺进行描述。
图7是根据实施方式的用于制造显示装置的方法的流程图。
参照图7，根据实施方式的用于制造显示装置的方法可包括多次激光处理工艺。根据实施方式的用于制造显示装置的方法可包括：制备设置有假想的切割线的目标衬底(步骤S11)；通过在扫描目标衬底的同时沿该切割线照射第一激光束来形成凹槽(步骤S21)；通过沿切割线将第二激光束照射到目标衬底以便以斑点为基准进行分离来形成切割孔(步骤S31)；以及通过在扫描目标衬底的同时沿切割线照射第三激光束来形成切割裂纹(步骤S41)。
在下文中，将参照图8至图14对通过在扫描目标衬底的同时沿切割线照射第一激光束来形成凹槽的步骤S21进行描述，将参照图15至图18对通过沿切割线将第二激光束照射到目标衬底以便以斑点为基准进行分离来形成切割孔的步骤S31进行描述，并且将参照图19至图21对通过在扫描目标衬底的同时沿切割线照射第三激光束来形成切割裂纹的步骤S41进行描述。
图8是示出第一激光处理步骤的示意图。图9是沿图8的线IX-IX'截取的剖面视图。图10是示出第一激光束的斑点的示意图。图11是示出图10中所示的第一激光束的斑点的能量分布的曲线图。图12是示出当在扫描目标衬底的同时照射第一激光束时目标衬底的能量分布的曲线图。图13是示出第一激光处理步骤之后的目标衬底的平面视图。图14是沿图13的线XIV-XIV'截取的剖面视图。
参照图8至图14，首先，在根据实施方式的用于制造显示装置的方法中，可执行制备设置有假想的切割线的目标衬底的步骤S11。在步骤S11中，目标衬底SUB可处于在以上参照图3至图6描述的显示装置1的制造工艺期间的状态。例如，目标衬底SUB可包括：处于孔HLE被形成之前的状态的显示面板100；以及布置在显示面板100上方并且处于孔HLE被形成之前的状态的偏振构件200。例如，目标衬底SUB可包括基础衬底101和布置在基础衬底101上的堆叠结构LS。
可在目标衬底SUB上形成假想的切割线CL。切割线CL是对其执行激光照射处理的假想线，并且可为由用户任意指定的线。目标衬底SUB上的切割线CL可基本上与孔区域HLA的边缘重合。目标衬底SUB的相对于切割线CL的内侧可为通过稍后的工艺部分被去除的虚拟区域DMA，并且其外侧可为剩余区域NDMA。虚拟区域DMA可通过稍后的工艺来被去除，以使得虚拟区域DMA在目标衬底SUB中所位于的位置可变为孔区域HLA的一部分。剩余区域NDMA可包括通过稍后的工艺制造的显示装置1的封装区域CPA和有效区域AAR。此外，剩余区域NDMA还可包括孔区域HLA的边缘的一部分。
基础衬底101、布置在基础衬底101上的阻挡层111、布置在阻挡层111上的缓冲层112、布置在缓冲层112上的层间绝缘图案161a、布置在层间绝缘图案161a上的通孔层162a、布置在通孔层162a上的像素限定层163a、布置在像素限定层163a上的第一无机层181、布置在第一无机层181上的第一有机层182、布置在第一有机层182上的第二无机层183、布置在第二无机层183上的粘合层AL以及布置在粘合层AL上的偏振构件200可布置在目标衬底SUB的虚拟区域DMA中。在缓冲层112与层间绝缘图案161a之间的第一绝缘层113还可布置在目标衬底SUB的虚拟区域DMA中。此外，坝结构DS可沿虚拟区域DMA的边缘布置。虚拟区域DMA中的坝结构DS可包括第二绝缘层161中包括的第一结构161b、第三绝缘层162中包括的第二结构162b和第四绝缘层163中包括的第三结构163b。虚拟区域DMA中的坝结构DS可具有与上述封装区域CPA中的坝结构DS基本上相同的结构。例如，除不包括公共电极173以外，虚拟区域DMA可具有与上述封装区域CPA相同的结构。
在制备设置有假想的切割线的目标衬底的步骤S11之后，可执行通过在扫描目标衬底的同时沿切割线照射第一激光束来形成凹槽的步骤S21。首先，将对在该步骤中使用的第一激光束LB1进行描述。
第一激光束LB1可从第一激光模块LM1发射，并且通过第一光学系统OS1照射到目标衬底SUB的切割线CL上。第一激光束LB1可配置成在与切割线CL的延伸方向垂直的方向上针对每个区向目标衬底SUB提供均匀的能量。堆叠结构LS通过第一激光束LB1而从目标衬底SUB部分被去除，并且可暴露在已去除堆叠结构LS的区中的基础衬底101。可在已部分去除堆叠结构LS的区中形成凹槽GV(例如，图13中所示)。
第一激光模块LM1可使用CO2激光器，但是不限于此。从第一激光模块LM1输出的第一激光束LB1可进入第一光学系统OS1。第一光学系统OS1可控制从第一激光模块LM1提供的第一激光束LB1的光学路径和能量分布，并且可朝向照射目标来发射第一激光束LB1。第一光学系统OS1是控制光束斑点LBS1的能量分布的光束成形器，并且可包括至少一个光学元件。例如，第一光学系统OS1可包括凸透镜、凹透镜、凸镜以及凹镜，或者由其组合形成的透镜和镜中的至少一种。例如，第一光学系统OS1可包括凸透镜和凹透镜组合在一个透镜中的复合透镜。
第一激光模块LM1可发射在中心部分中具有相对高的能量的高斯分布激光，但是该激光可改变为其中光束斑点LBS1的能量分布通过第一光学系统OS1来控制的第一激光束LB1。
已通过第一光学系统OS1的第一激光束LB1的光束斑点LBS1可如图10中所示地形成。在图10中，第一位置x1、第二位置x2、第三位置x3、第四位置x4和第五位置x5被示出在经过第一激光束LB1的光束斑点LBS1的中心的假想线上。第一位置x1和第五位置x5位于假想线的一侧和另一侧中的边缘处，并且第三位置x3位于第一激光束LB1的光束斑点LBS1的中心处，第二位置x2位于第一位置x1与第三位置x3之间，并且第四位置x4位于第三位置x3与第五位置x5之间。
参照图11，查看针对第一激光束LB1的光束斑点LBS1中的假想线上的每个位置的能量分布，第一激光束LB1的光束斑点LBS1的能量分布可具有能量从边缘朝向中心增加并然后减少的M形能量分布。这里，M形能量分布可为在光束斑点LBS1的第三位置x3处具有第二能量E2并且在第二位置x2和第四位置x4处具有比第二能量E2大的第一能量E1的能量分布。第一激光束LB1的光束斑点LBS1可在作为光束斑点LBS1的中心的第三位置x3处具有减小或最小(例如，局部最小)的能量。
然而，本公开不限于此，并且第一激光束LB1的光束斑点LBS1可具有旋涡能量分布。旋涡能量分布是指作为第三位置x3(即，光束斑点LBS1的中心)处的能量的第二能量E2为零的能量分布。
参照图12，当第一激光束LB1在扫描目标衬底SUB的同时沿目标衬底SUB的切割线CL照射时，第一激光束LB1的光束斑点LBS1可在与切割线CL重叠的同时沿切割线CL移动，以将能量提供到目标衬底SUB。当光束斑点LBS1在与切割线CL重叠的同时沿切割线CL移动时造成的累积能量分布可如图12的曲线图中所示。例如，当具有图11中所示的能量分布的光束斑点LBS1在与切割线CL重叠的同时沿切割线CL移动时，可造成如图12的曲线图中所示的累积能量分布。
图12的累积能量分布可为通过在与第一激光束LB1的移动方向垂直的方向上对切割线CL进行切割而获得的能量分布。在第一激光束LB1的累积能量分布中，能量可在与激光移动方向垂直的方向上从边缘位置朝向中心增加，并且然后具有基本上恒定的累积能量Et。
例如，能量可在第一移动竖直位置y1和第四移动竖直位置y4处为零，而第一移动竖直位置y1和第四移动竖直位置y4分别定位在与第一激光束LB1的移动方向垂直的方向上的一侧和另一侧中的边缘处。当从第一移动竖直位置y1朝向第四移动竖直位置y4移动时，能量迅速增加，以使得可在第二移动竖直位置y2处获得恒定的累积能量Et。此外，当从第四移动竖直位置y4朝向第一移动竖直位置y1移动一距离(例如，预定距离)时，能量迅速增加，以使得可在第三移动竖直位置y3处获得恒定的累积能量Et。
在执行了通过在扫描目标衬底的同时沿切割线照射第一激光束来形成凹槽的步骤S21之后的目标衬底SUB中，基础衬底101上的堆叠结构LS可部分被去除，以沿切割线CL形成凹槽GV。凹槽GV在与切割线CL的延伸方向垂直的方向上具有一宽度(例如，预定宽度)，并且可沿切割线CL的延伸方向形成。凹槽GV可暴露基础衬底101的顶表面的至少一部分。碳化物CM可布置在由凹槽GV暴露的基础衬底101上。即，碳化物CM可通过照射第一激光束LB1的工艺来形成，并且可通过将构成堆叠结构LS的材料中的至少一种碳化来形成。凹槽GV可在与切割线CL的延伸方向垂直的方向上具有第一宽度W1。第一宽度W1可在厚度方向上朝向基础衬底101减少。
图15是示出第二激光处理步骤的示意图。图16是示出第二激光束经过基础衬底的过程的示意图。图17是示出第二激光处理步骤之后的目标衬底的平面视图。图18是沿图17的线XVIII-XVIII'截取的剖面视图。
参照图15至图18，在通过在扫描目标衬底的同时沿切割线照射第一激光束来形成凹槽的步骤S21之后，可执行通过沿切割线将第二激光束照射到目标衬底以便以斑点为基准进行分离来形成切割孔的步骤S31。
在步骤S31中，第二激光束LB2可为丝状光束(Filamentation Beam)或贝塞尔光束(Bessel Beam)。此外，第二激光束LB2的波长可具有红外区中的波长带。例如，第二激光束LB2的波长可处于约0.72μm至约300μm的范围内，但是不限于此。第二激光束LB2可从第二激光模块LM2发射，并且通过第二光学系统OS2照射到目标衬底SUB的切割线CL上。第二激光束LB2可照射到由凹槽GV暴露的基础衬底101上。因此，可在用第二激光束LB2照射的区域中形成在厚度方向(例如，第三方向Z)上穿透基础衬底101的切割孔(例如，切割开口)CH1。
第二激光模块LM2可为发射在红外波长带中的激光的红外激光模块。第二光学系统OS2可包括轴棱锥透镜。通过轴棱锥透镜，经过第二光学系统OS2的第二激光束LB2可改变为丝状光束或贝塞尔光束。第二激光束LB2可被照射以便以斑点为基准进行分离。
第二激光束LB2的焦点可以具有一长度(例如，预定长度)的焦线FL的形式形成。如图16中所示，第二激光束LB2的焦线FL的长度t2可大于基础衬底101的厚度t1。第二激光束LB2的焦线FL可布置成在厚度方向上完全覆盖基础衬底101。在这种情况下，可通过第二激光束LB2在基础衬底101中形成在厚度方向上穿透基础衬底101的多个切割孔(例如，切割开口)CH1。每个切割孔CH1的平面形状可为圆形。多个切割孔CH1可形成为沿切割线CL间隔开。
每个切割孔CH1的宽度W2可在基础衬底101的厚度方向上基本上恒定，但是不限于此。每个切割孔CH1的宽度W2可为切割孔CH1的直径。
在通过使用第二激光束LB2来形成多个切割孔CH1的工艺中，细裂纹可在每个切割孔CH1周围形成。稍后将描述的第三激光束LB3可使细裂纹扩展，以形成将多个切割孔CH1彼此连接的切割裂纹CH2。
图19是示出第三激光处理步骤的示意图。图20是示出第三激光处理步骤之后的目标衬底的平面视图。图21是沿图20的线XXI-XXI'截取的剖面视图。
参照图19至图21，在通过沿切割线将第二激光束照射到目标衬底以便以斑点为基准进行分离来形成切割孔的步骤S31之后，可执行通过在扫描目标衬底的同时沿切割线照射第三激光束来形成切割裂纹的步骤S41。
在步骤S41中，第三激光束LB3可从第三激光模块LM3发射，并且在通过第三光学系统OS3之后沿切割线CL照射到目标衬底SUB上。因此，可形成将切割孔CH1彼此连接的切割裂纹CH2。
第三激光束LB3的光束斑点可具有带有与上述第一激光束LB1的光束斑点LBS1的形状基本上相同的形状的能量分布。例如，当在扫描的同时沿切割线CL照射第三激光束LB3时，第三激光束LB3可在与切割线CL的延伸方向垂直的方向上具有基本上均匀的能量分布。
第三激光模块LM3可发射CO2激光。第三激光模块LM3可与上述第一激光模块LM1基本上相同。第三光学系统OS3可控制从第三激光模块LM3提供的第三激光束LB3的光学路径和能量分布，并且可朝向照射目标来发射第三激光束LB3。第三光学系统OS3是控制光束斑点的能量分布的光束成形器，并且可包括至少一个光学元件。例如，第三光学系统OS3可包括凸透镜、凹透镜、凸镜以及凹镜，或者由其组合形成的透镜和镜中的至少一种。例如，第三光学系统OS3可包括凸透镜和凹透镜组合在一个透镜中的复合透镜。
如上述的，可将第三激光束LB3照射到目标衬底SUB上，以将多个切割孔CH1之中的相邻的切割孔CH1连接。可通过第三激光束LB3在目标衬底SUB上形成切割裂纹CH2。可由第三激光束LB3通过扩展并发展在形成切割孔CH1时生成的细裂纹来形成切割裂纹CH2。切割裂纹CH2的宽度W3可小于切割孔CH1的宽度W2。当切割裂纹CH2将多个切割孔CH1中的所有连接时，可分离并去除目标衬底SUB的虚拟区域DMA，并且可形成孔HLE。在步骤S41中，当分离并去除目标衬底SUB的虚拟区域DMA时，切割孔CH1可改变为上述凹陷DT。
孔HLE可为以上参照图4至图6描述的形成在显示装置1中的用于显示图像的有效区域AAR中(或由有效区域AAR围绕)的孔(例如，开口)。例如，可通过顺序地照射第一激光束LB1、第二激光束LB2和第三激光束LB3在没有物理接触的情况下在目标衬底SUB中形成孔HLE。
在根据实施方式的用于制造显示装置的方法中，可在没有物理接触的情况下形成由用于显示图像的有效区域AAR围绕的孔HLE，并因此，可减少或防止在形成孔HLE时可能对显示装置1发生的损坏。
在下文中，将对显示装置1的另一实施方式进行描述。在根据另一实施方式的显示装置的以下描述中，将省略根据实施方式的显示装置1的描述的冗余部分，并且将主要描述它们之间的区别。
图22是在根据另一实施方式的显示装置中的与图4的区域R对应的放大视图。
参照图22，包括在根据本实施方式的显示装置1_1中的基础衬底暴露部分101e_1的侧表面101ea_1可包括平行于堆叠结构LS的侧表面LSa的第一侧表面101ea1和从第一侧表面101ea1延伸并朝向有效区域AAR和封装区域CPA凹陷的第二侧表面101ea2_1。第二侧表面101ea2_1可在平面视图中具有弧形形状。例如，第二侧表面101ea2_1的平面形状可为圆的一部分。针对基础衬底暴露部分101e_1的侧表面101ea_1，第一侧表面101ea1和第二侧表面101ea2_1可交替地布置。
第二孔HLE2(例如，图5中所示)可包括由第二侧表面101ea2_1围绕(例如，部分围绕、或部分由第二侧表面101ea2_1形成)的凹陷DT_1。凹陷DT_1可为在厚度方向上穿透基础衬底暴露部分101e_1的孔(例如，开口)。凹陷DT_1可通过朝向有效区域AAR和封装区域CPA凹陷的基础衬底暴露部分101e_1来形成。
在根据本实施方式的显示装置1_1中，在第一侧表面101ea1与从第一侧表面101ea1延伸的第二侧表面101ea2_1之间可形成二面角θ_1。在实施方式中，二面角θ_1可为锐角。在本实施方式中，当通过照射第三激光束LB3(例如，图19中所示)使切割孔CH1(例如，图19中所示)改变为凹陷DT_1时，可通过将第三激光束LB3照射到存在的切割线CL(例如，图19中所示)内部的区域来形成二面角θ_1。例如，根据本实施方式的显示装置1_1可通过确保足够的工艺余量以便在照射第三激光束LB3时不损坏有效区域AAR和封装区域CPA来形成。
根据本实施方式的显示装置1_1可包括由其通过多次激光处理工艺而产生的侧表面LSa具有第一侧倾斜角α的堆叠结构LS围绕(例如，由堆叠结构LS形成)的第一孔HLE1，以及其侧表面101ea_1具有比第一侧倾斜角α大的第二侧倾斜角β的基础衬底暴露部分101e_1，从而减小或最小化了封装区域CPA，增大或最大化了用于显示图像的有效区域AAR的大小。
此外，根据本实施方式的显示装置1_1可在制造工艺期间充分确保第三激光束LB3的照射工艺余量，从而使分离虚拟区域DMA更容易。
在结束详细描述时，本领域技术人员将领会的是，在实质上不背离本公开的原理的情况下，能对本文中描述的实施方式进行许多变化和修改。因此，本公开的所公开的实施方式仅在一般和描述性意义上使用，而不是出于限制的目的。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
衬底，所述衬底具有第一孔；以及
堆叠结构，所述堆叠结构在所述衬底上，所述堆叠结构具有部分与所述第一孔重叠的第二孔，并且所述第二孔在平面视图中具有在所述第一孔外部的边缘，
其中，所述衬底具有暴露于所述第二孔的衬底暴露部分，并且
其中，在所述平面视图中，所述衬底暴露部分在朝向所述第二孔的所述边缘的方向上部分凹陷。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述衬底暴露部分具有第一部分和第二部分，所述第一部分在所述平面视图中具有从所述衬底暴露部分的限定所述第一孔的侧表面到所述堆叠结构的限定所述第二孔的侧表面的第一距离，所述第二部分在所述平面视图中具有从所述衬底暴露部分的所述侧表面到所述堆叠结构的所述侧表面的第二距离，并且
其中，所述第二距离小于所述第一距离。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述衬底暴露部分的所述第一部分和所述第二部分交替地排列。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一部分的所述侧表面和所述第二部分的所述侧表面在所述平面视图中具有弯曲形状，并且
其中，所述第一部分的所述侧表面的曲率小于所述第二部分的所述侧表面的曲率。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二部分的所述侧表面与所述第一部分的所述侧表面之间的二面角为钝角。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述衬底具有与所述第二孔重叠的孔区域、至少部分绕所述孔区域延伸并用于显示图像的有效区域以及在所述孔区域与所述有效区域之间的封装区域，
其中，在所述有效区域中，所述堆叠结构包括在所述衬底上的电路元件层、在所述电路元件层上并且具有接触孔的通孔层、在所述通孔层上并且通过所述接触孔连接到所述电路元件层的第一电极、在所述第一电极上并且具有开口的像素限定层、在所述开口中的发光层、在所述像素限定层和所述发光层上的第二电极、在所述第二电极上的第一无机层、在所述第一无机层上的第二无机层以及在所述第一无机层与所述第二无机层之间的第一有机层，并且
其中，在所述封装区域中，所述堆叠结构包括在所述衬底上的坝结构、在所述坝结构上的所述第一无机层、在所述第一无机层上的所述第二无机层以及在所述第二无机层上的第二有机层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述坝结构包括在所述衬底上并在与所述通孔层相同的层中的第一结构以及在所述第一结构上并在与所述像素限定层相同的层中的第二结构。
8.一种显示装置，包括：
衬底，所述衬底具有第一孔和与所述第一孔相邻的衬底暴露部分；以及
堆叠结构，所述堆叠结构在所述衬底上，所述堆叠结构具有部分与所述第一孔重叠的第二孔，
其中，由所述衬底暴露部分的限定所述第一孔的侧表面和所述衬底暴露部分的底表面形成的第一角度大于由所述堆叠结构的限定所述第二孔的侧表面和所述衬底的除了所述衬底暴露部分以外的部分的顶表面形成的第二角度。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述衬底具有与所述第二孔重叠的孔区域、至少部分绕所述孔区域延伸并用于显示图像的有效区域以及在所述孔区域与所述有效区域之间的封装区域，
其中，在所述有效区域中，所述堆叠结构包括在所述衬底上的电路元件层、在所述电路元件层上并且具有接触孔的通孔层、在所述通孔层上并且通过所述接触孔连接到所述电路元件层的第一电极、在所述第一电极上并且包括开口的像素限定层、在所述开口中的发光层、在所述像素限定层和所述发光层上的第二电极、在所述第二电极上的第一无机层、在所述第一无机层上的第二无机层以及在所述第一无机层与所述第二无机层之间的第一有机层，并且
其中，在所述封装区域中，所述堆叠结构包括在所述衬底上的坝结构、在所述坝结构上的所述第一无机层、在所述第一无机层上的所述第二无机层以及在所述第二无机层上的第二有机层。
10.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：
制备目标衬底，所述目标衬底包括衬底和在所述衬底上的堆叠结构；
通过在扫描所述目标衬底的同时沿切割线将第一激光束照射到所述目标衬底的所述堆叠结构上来形成凹槽以暴露所述衬底，所述第一激光束是在焦点处的光束斑点的中心处具有最小能量值的圆环光束；
通过沿所述切割线将第二激光束照射到由所述凹槽暴露的所述衬底上以便以斑点为基准进行分离来形成切割孔，所述第二激光束为贝塞尔光束；以及
通过在扫描所述目标衬底的同时沿所述切割线将第三激光束照射到由所述凹槽暴露的所述衬底上来形成切割裂纹，所述第三激光束为所述圆环光束。
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