CN114864637A - 一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法；其中显示面板，包括：衬底基板、像素结构层、封装层和图形化的电致变色层；像素结构层设置在衬底基板的一侧，封装层设置在像素结构层的远离衬底基板的一侧，电致变色层设置在封装层的远离像素结构层的一侧，像素结构层包括多个子像素，电致变色层在像素结构层的正投影位于多个子像素之间的间隙。本发明解决了现有技术中OLED显示面板无法在广视角和窄视角两种应用场景中进行自由切换的技术问题，并且可兼容现有显示面板的触控层制造工艺。

Description

一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法。

背景技术

随着OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)面板的技术进步和成本降低，其应用范围越来越广。目前，OLED显示面板已经逐渐从手机产品扩大应用到笔记本电脑、平板电脑以及显示器等电子产品中。OLED显示面板相比LCD(Liquid CrystalDisplay，液晶显示器)显示面板而言，具有视角广的优势，而广视角面板在带来良好的可视性的同时，也带来浏览内容容易被旁边人看到的问题。在公共场合下这种情况极不利于用户的隐私保护。目前现有的显示面板防窥技术普遍集中在防窥膜产品；防窥膜技术虽然能够实现防窥，但是当用户需要进行一些内容展示时，即需要广视角的应用场景，防窥膜无法实现广视角的切换。

因此，目前针对OLED显示面板的防窥技术缺陷在于无法在广视角和窄视角两种应用场景中进行自由切换。

发明内容

本申请实施例通过提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法，解决了现有技术中OLED显示面板无法在广视角和窄视角两种应用场景中进行自由切换的技术问题，并且可兼容现有显示面板的触控层制造工艺。

一方面，本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：

一种显示面板，包括：衬底基板、像素结构层、封装层和图形化的电致变色层；所述像素结构层设置在所述衬底基板的一侧，所述封装层设置在所述像素结构层的远离所述衬底基板的一侧，所述电致变色层设置在所述封装层的远离所述像素结构层的一侧，所述像素结构层包括多个子像素，所述电致变色层在所述像素结构层的正投影位于所述多个子像素之间的间隙。

可选的，所述电致变色层包括多个框结构，每个框结构在所述像素结构层的正投影围绕一所述子像素。

可选的，所述框结构的边框宽度为1um～5um。

可选的，所述电致变色层包括第一金属网、第二金属网和变色结构层，所述第一金属网设置在所述封装层上远离所述像素结构层的一侧，所述变色结构层设置在所述第一金属网上远离所述像素结构层的一侧，所述第二金属网设置在所述变色结构层上远离所述像素结构层的一侧。

可选的，所述电致变色层还包括第一引线和第二引线；所述第一引线与所述第一金属网连接，所述第二引线与所述第二金属网连接；所述第一引线与所述第二引线均从所述显示面板的边缘引出，所述第一引线和所述第二引线之间设置有绝缘层。

可选的，所述变色结构层包括离子存储层、离子传输层和变色材料层；所述离子存储层设置在所述第一金属网上远离所述像素结构层的一侧，所述离子传输层设置在所述离子存储层上远离所述像素结构层的一侧，所述变色材料层设置在所述离子传输层上远离所述像素结构层的一侧。

可选的，所述封装层和所述电致变色层的总厚度为5um～115um。

可选的，所述电致变色层具有开口区域，所述开口区域填充有绝缘介质。

第二方面，基于同一发明构思，本申请通过本申请的一实施例，提供如下技术方案：

一种显示装置，包括：前述第一方面中任一所述的显示面板。

第三方面，基于同一发明构思，本申请通过本申请的一实施例，提供如下技术方案：

一种显示面板的制造方法，包括：

提供衬底基板；在所述衬底基板上制造像素结构层；所述像素结构层包括多个子像素；在所述像素结构层上形成封装层；在所述封装层上形成图形化的电致变色层，并使所述电致变色层在所述像素结构层的正投影位于所述像素结构层的所述多个子像素的间隙。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

本发明实施例公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法，其中显示面板包括：衬底基板、像素结构层、封装层和图形化的电致变色层；像素结构层设置在衬底基板上，封装层设置在像素结构层上，电致变色层设置在封装层的远离像素结构层的一侧，像素结构层包括多个子像素，电致变色层在像素结构层的正投影位于多个子像素之间的间隙。当用户使用搭载该显示面板的电子设备，并且需要防窥显示时，通过对电致变色层进行控制，使电致变色层变化为深色，像素结构层光线的可视角度减小，实现防窥效果；反之，则控制电致变色层变化为浅色或透明，使得像素结构层光线的可视角度增加，实现广视角。并且该显示面板由于电致变色层制作在封装层之上，可很好的兼容OLED显示面板的触控层制作工艺，成本低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本发明实施例中一种显示面板的结构示意图；

图2示出了本发明实施例中显示面板的电致变色层在像素结构层上投影位置示意图；

图3示出了本发明实施例中显示面板的防窥原理示意图；

图4示出了本发明实施例中显示面板的电致变色层的结构示意图；

图5示出了本发明实施例中显示面板的非显示区的第一引线和第二引线的结构示意图；

图6示出了本发明实施例中一种显示面板的制造方法的流程图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。

在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。

目前现有技术中的OLED面板的防窥显示普遍采用防窥膜的方式实现防窥，显示面板上贴附防窥膜之后无法再次实现广视角的切换，并且在LCD制作电致防窥结构时可制造在背光模组上对背光模组的光线进行遮挡控制，由于OLED面板与LCD面板之间的结构不同，LCD面板的视角范围小于OLED面板，因此，LCD面板的防窥结构设计也难以应用到OLED显示面板中来实现OLED的防窥功能，并且增加了工艺复杂度，使得制造成本难以控制。针对此，本发明实施例中提供了一种显示面板，其通过在封装层上远离像素结构层的一侧设置电致变色层，并且通过对电致变色层的控制能够调整子像素的视角范围，实现防窥显示和广视角显示。并且电致变色层设置在封装层上，可保证制造该显示面板时可兼容现有的OLED触控层的制造工艺，有效控制成本。下文通过一个或多个具体的示例对本发明的技术构思进行详细阐述和说明。

请参阅图1，在本发明的一实施例中提供了一种显示面板100，包括：衬底基板11、像素结构层130、封装层14和图形化的电致变色层15。

衬底基板11，可采用目前现有的显示面板常用的衬底材料；可为玻璃基板、硅基板等；也可为柔性衬底，例如，可为聚酰亚胺(polyimide，PI)或其它具有相似特征的柔性材料。

像素结构层130，设置在所述衬底基板11的一侧。该像素结构层130包括TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)阵列层12和发光结构层13；TFT阵列层12包括阵列分布的多个薄膜晶体管，并且位于显示面板100的显示区，用于驱动有机发光结构层13。该像素结构层130包括多个子像素，每个子像素均对应有一发光单元131位于发光结构层13，以及用于驱动该发光单元131的薄膜晶体管。像素结构的具体实现可参照已有的现有技术，在本实施例中不再过多赘述。

封装层14，设置在像素结构层130的远离衬底基板11的一侧，可采用现有技术的封装方式和封装材料形成封装层14。

电致变色层15，设置在封装层14的远离像素结构层130的一侧，电致变色层15在像素结构层130的正投影17位于多个子像素之间的间隙，如图2所示。当然在一些实现方式中，由于工艺精度问题，电致变色层15在像素结构层130的正投影17也可能部分遮挡子像素，即遮挡子像素的发光单元131。当电致变色层15被控制，由透明变化为非透明状态时，由于使用的用户正视该显示面板100，就不会对使用用户的视觉感受；但是，子像素的向侧面发出的光线会被非透明状态的电致变色层15阻挡，从而实现显示面板100的小视角观看，达到防窥目的。

具体的，该图形化的电致变色包括多个框结构，每个框结构在像素结构层130的正投影17围绕一子像素。或者说，多个框结构构成的电致变色层15形成网状结构，或网格结构。框结构的中间位置为开口区域，开口区域用于在电致变色层15变为非透明状态时用于透过子像素发出的光线。通过该种的设计可在显示面板100的上方、下方、左侧以及右侧等多个不同的方向实现防窥。

进一步的，该框结构的截面边缘形状可为长方形、正方形、圆形、椭圆形以及其他不规则形状均可。截面边缘形状为封闭的形状，保证显示面板100防窥状态时，不产生侧面漏光。

请参阅图3，在一些实现方式中，框结构的边框宽度M的大小可为1um～5um；进一步的，边框宽度M可为2um～4um。基于目前的面板制造工艺，该实现方式可保证框结构的边框宽度可恰好全部位于子像素之间的间隙，避免对边框对子像素造成遮挡。同时，还能够保证在电致变色层15变为深色后能够子像素向侧面发出的光线形成较好的遮光效果，避免过窄的边框减弱防窥效果。

请参阅图4，电致变色层15的一种具体实现可如下，电致变色层15包括第一金属网151、第二金属网152和变色结构层150，第一金属网151设置在封装层14上远离像素结构层130的一侧，变色结构层150设置在第一金属网151上远离像素结构层130的一侧，第二金属网152设置在变色结构层150上远离像素结构层130的一侧。其中，第一金属网151和第二金属网152作为电致变色层15的两个导电电极，通过对第一金属网151和第二金属网152施加相应的电压差，就可调整变色结构的颜色实现电致变色，从而达到防窥目的。

具体的，第一金属网151和第二金属网152的材料可为ITO(氧化铟锡)、SnO₂等材料。电致变色层15包括离子存储层153、离子传输层154和变色材料层155；离子存储层153设置在第一金属网151上远离像素结构层130的一侧，离子传输层154设置在离子存储层153上远离像素结构层130的一侧，变色材料层155设置在离子传输层154上远离像素结构层130的一侧。离子存储层153用于存储和提供电致变色材料需要的离子，可起到电荷平衡作用。该离子存储层153可采用NiO_x、V₂O₅以及普鲁士蓝等材料实现。离子传输层154，用作为电解质，用于传输导电离子；可采用LiCoO₂、LiClO₄、LiAlF₄、LiTaO₃以及LiNbO₃等材料实现。变色材料层155，用于实现电致变色，可采用W、Mo、Nb以及Ti等材料的氧化物，例如WO₃。采用上述结构及材料实现本实施例中的电致变色层15，可兼容现有的PVD(Sputter)/电子束蒸发/CVD(化学气相沉积，Chemical Vapor Deposition)工艺，也即可有效的兼容OLED面板的触控层制造过程中的工艺，有效控制成本。电致变色层采用固体材料，其制备工艺简单且可靠性高，器件信赖性好。

请参阅图5，电致变色层15还包括第一引线181和第二引线182；第一引线181与第一金属网151连接，第二引线182与第二金属网152连接；第一引线181与第二引线182均从显示面板100的边缘引出。在一些实现方式中，第一引线181和第二引线182可从显示面板100的同一边缘的非显示区引出，从而可方便进行柔性电路板的接线。第一引线181和第二引线182之间设置有绝缘层183。该绝缘层183可为无机绝缘材料，例如为SiN_x。通过绝缘层183的隔离可避免第一引线181和第二引线182之间出现触点，在兼容触控层工艺的同时，保证第一金属网151和第二金属网152之间可被提供电压差，实现电致变色层15的控制。

进一步的，电致变色的开口区域还填充有绝缘介质16。该绝缘介质16的材料可与绝缘层183的材料相同。

在一些实现方式中，由于子像素的宽度和子像素之间的间距是一定的，可将电致变色层15做厚来实现较好的防窥效果。例如，可将封装层14和电致变色层15的总厚度控制在为5um～115um，可保证防窥的角度在45°以上。也就是说，如图3所示，用户在观看显示面板100时，视线与显示面板100的之间的夹角α大于45°时才可清楚的查阅显示面板100上的内容，观看角度在0～45°(α为45°～90°)之间时，无法观看显示面板的内容，从而在观看角度在0～45°实现防窥。另一些实现方式中，封装层14的厚度是一定的；例如，当封装层14的厚度为10um～15um，相邻子像素的中心间距为10um～20um时，可将电致变色层15的厚度控制在1um～100um，保证较好的防窥效果，并控制显示面板100的厚度。

因此，本发明实施例提供的一种显示面板100通过在封装层14上设置电致变色层15，当需要显示面板100进行广视角显示时，控制电致变色层15变化为透明状态即可；当需要显示面板100防窥显示时，可控制电致变色层15变为深色，从而遮挡大视角状态下的光线，实现防窥；因此，本发明实施例的显示面板100即可在防窥和广视角之间切换，又可兼容现有的OLED触控层制造工艺。

基于同一发明构思，在本发明的又一实施例中还提供了一种显示装置，该显示装置包括前述实施例中任一所述的显示面板100。需要说明的是，该显示装置可以是有由显示面板100组成的手机显示模组、笔记本显示屏、显示器等等，不做限制。由于该实施例中的显示装置采用了前述实施例中的显示面板100，其有益效果和具体的结构组成可参照前述实施例中的显示面板100，本实施中不再赘述。

请参阅图6，基于同一发明构思，本发明实施例中还提供了一种显示面板的制造方法，可用于制造前述实施例中的显示面板100，该制造方法的步骤如下：

步骤S10：提供衬底基板；

步骤S20：在所述衬底基板上制造像素结构层；所述像素结构层包括多个子像素；

步骤S30：在所述像素结构层上形成封装层；

步骤S40：在所述封装层上形成图形化的电致变色层，并使所述电致变色层在所述像素结构层的正投影位于所述像素结构层的所述多个子像素的间隙。

在步骤S10至步骤S30中，可采用现有OLED制造工艺进行实现。实现步骤S40时，可依次在封装层上的显示区形成第一金属网、离子存储层、离子传输层、变色材料层和第二金属网，在非显示区部分形成第一引线、绝缘层和第二引线，且第一引线与第一金属网连接，第二引线和第二金属网连接，从而完成电致变色层的制造；接着，在电致变色层的开口区域填充绝缘介质。上述制造过程可兼容现有制造触控层的PVD(Sputter)/电子束蒸发/CVD等工艺，可有效控制制造成本。

在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板、像素结构层、封装层和图形化的电致变色层；所述像素结构层设置在所述衬底基板的一侧，所述封装层设置在所述像素结构层的远离所述衬底基板的一侧，所述电致变色层设置在所述封装层的远离所述像素结构层的一侧，所述像素结构层包括多个子像素，所述电致变色层在所述像素结构层的正投影位于所述多个子像素之间的间隙。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电致变色层包括多个框结构，每个框结构在所述像素结构层的正投影围绕一所述子像素。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述框结构的边框宽度为1um～5um。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电致变色层包括第一金属网、第二金属网和变色结构层，所述第一金属网设置在所述封装层上远离所述像素结构层的一侧，所述变色结构层设置在所述第一金属网上远离所述像素结构层的一侧，所述第二金属网设置在所述变色结构层上远离所述像素结构层的一侧。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述电致变色层还包括第一引线和第二引线；所述第一引线与所述第一金属网连接，所述第二引线与所述第二金属网连接；所述第一引线与所述第二引线均从所述显示面板的边缘引出，所述第一引线和所述第二引线之间设置有绝缘层。

6.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述变色结构层包括离子存储层、离子传输层和变色材料层；所述离子存储层设置在所述第一金属网上远离所述像素结构层的一侧，所述离子传输层设置在所述离子存储层上远离所述像素结构层的一侧，所述变色材料层设置在所述离子传输层上远离所述像素结构层的一侧。

7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述封装层和所述电致变色层的总厚度为5um～115um。

8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电致变色层具有开口区域，所述开口区域填充有绝缘介质。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-8中任一所述的显示面板。

10.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上制造像素结构层；所述像素结构层包括多个子像素；

在所述像素结构层上形成封装层；

在所述封装层上形成图形化的电致变色层，并使所述电致变色层在所述像素结构层的正投影位于所述像素结构层的所述多个子像素的间隙。

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