CN114759882A - 一种双频耦合低噪声放大电路及放大器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种双频耦合低噪声放大电路及放大器，包括：输入分频电路、高频放大电路、低频放大电路、输出耦合电路；输入分频电路包括第一双工器、第一电容及第二电容，输出耦合电路包括第二双工器、第三电容及第四电容；其中，输入分频电路将接收到的射频信号分离为高频信号和低频信号后，将高频信号输入至高频放大电路进行功率放大，将低频信号输入至低频放大电路进行功率放大，并经输出耦合电路将功率放大后的高频信号和低频信号耦合后输出。本申请能够在不使用调节反馈开关的前提下实现对信号的多频处理，同时降低电路损耗。

Description

一种双频耦合低噪声放大电路及放大器

技术领域

本发明涉及无线通信技术领域，具体为一种双频耦合低噪声放大电路及放大器。

背景技术

随着第五代移动通信网络建设的持续推进，毫米波波段拥有更宽的频谱资源以及更快的传输速度等优点，会使得毫米波更多的应用在通信领域。低噪声放大器作为信号接收机的前端模块，其性能的好坏对于整个接收机的灵敏度、线性度等都会造成直接影响，并进一步影响整个通信系统的性能。如今一个无线通信设备往往要面临特定的需求或不同的通信标准，导致通信终端设备里所需要的放大器电路越来越多，传统的单频放大器电路已经难以满足需求。因此可以减少芯片面积与损耗，并能兼容在更多更复杂的工作环境的双频放大器结构将成为通信技术行业的研究热点。

如图1所示，图1为将FET调节反馈开关应用于现有的双频段放大器的原理图，通过切换FET调节反馈开关，调节输入开关匹配和输出开关匹配来实现双频放大功能，但缺点是用于调节反馈开关的电路会产生大量额外的功耗，这样会导致整个电路的噪声偏大。并且每一个调节反馈开关都需要额外的电源，这会增加电路成本与复杂度。若是不使用调节反馈开关，则会导致放大电路无法实现多频段情况下的功率放大，造成实用性下降。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本申请以便提供一种双频耦合低噪声放大电路及放大器，其能够在不使用调节反馈开关的前提下实现对信号的多频处理，同时降低电路损耗。

具体方案如下：

一种双频耦合低噪声放大电路，包括：输入分频电路、高频放大电路、低频放大电路、输出耦合电路；

所述输入分频电路包括第一双工器、第一电容及第二电容，所述第一电容并联连接于所述第一双工器的直通端口，所述第二电容并联连接于所述第一双工器的隔离端口，所述高频放大电路的输入端与所述第一双工器的耦合端口连接，所述低频放大电路的输入端与所述第一双工器的直通端口连接；

所述输出耦合电路包括第二双工器、第三电容及第四电容，所述第三电容并联连接于所述第二双工器的隔离端口，所述第四电容并联连接于所述第二双工器的直通端口，所述高频放大电路的输出端与所述第二双工器的耦合端口连接，所述低频放大电路的输出端与所述第二双工器的输入端口连接；

其中，所述输入分频电路将接收到的射频信号分离为高频信号和低频信号后，将所述高频信号输入至所述高频放大电路进行功率放大，将所述低频信号输入至所述低频放大电路进行功率放大，并经所述输出耦合电路将功率放大后的高频信号和低频信号耦合后输出。

优选地，所述高频放大电路包括第一放大子电路、第二放大子电路和第三放大子电路，所述第一放大子电路、第二放大子电路和所述第三放大子电路依次电性连接。

优选地，所述第一放大子电路包括第一场效应管、第五电容、第六电容、第一电感、第二电感和第三电感；

所述第五电容的一端与所述第一双工器的耦合端口电性连接，另一端与所述第一场效应管的栅极连接；

所述第一电感电性的一端与所述第五电容和所述第一场效应管的中间节点连接，另一端连接偏置电压；

所述第二电感的一端与所述第一场效应管的源级连接，另一端接地；

所述第三电感和所述第六电容并联后电性连接于所述第一场效应管的漏极，所述第三电感还连接工作电压。

优选地，所述第二放大子电路包括第二场效应管、第七电容、第四电感、第五电感和第六电感；

所述第四电感电性的一端与所述第二场效应管的栅极连接，另一端连接偏置电压；

所述第五电感的一端与所述第二场效应管的源极，另一端接地；

所述第六电感和所述第七电容并联后电性连接于所述第二场效应管的漏极，所述第六电感还连接工作电压。

优选地，所述第三放大子电路包括第三场效应管、第八电容、第九电容、第十电容、第七电感、第八电感、第九电感和第一电阻；

所述第七电感的一端与所述第三场效应管的栅极连接，另一端连接偏置电压；

所述第一电阻的一端与所述第八电容的一端电性连接，所述第一电阻的另一端与所述第八电感的一端连接，所述第八电感的另一端连接工作电压，所述第八电容的另一端电性连接于所述第七电感盒所述第三场效应管之间的中间节点；

所述第九电感的一端与所述第三场效应管的源极连接，另一端接地；

所述第八电感和所述第九电容并联后与所述第三场效应管的漏极连接，所述第九电容还与所述第二双工器的耦合端口电性连接，所述第十电容电性连接于所述第九电容和所述第二双工器之间的中间节点。

优选地，所述低频放大电路包括第四放大子电路和第五放大子电路，所述第四放大子电路和第五放大子电路电性连接。

优选地，所述第四放大子电路包括第四场效应管、第十一电容、第十二电容、第十电感、第十一电感、第十二电感和第十三电感；

所述第十一电容的一端与所述第一双工器的直通端口连接，另一端与所述第十一电容和所述第一双工器之间的中间节点连接，所述第十一电容还电性连接于所述第四场效应管的栅极；

所述第十电感的一端电性连接于所述第一双工器和所述第十一电容之间的中间节点，所述第十电感的另一端还接地，

所述第十一电感的一端所述第十一电容和所述第四场效应管之间的中间节点连接，另一端连接偏置电压；

所述第十二电感的一端与所述第四场效应管的源极连接，另一端接地；

所述第十二电容电性连接于所述第四场效应管的漏极；

所述第十三电感的一端电性连接于所述第十二电容和所述第四场效应管之间的中间节点，所述第十三电感的另一端还连接工作电压。

优选地，所述第五放大子电路包括第五场效应管、第十三电容、第十四电容、第十四电感、第十五电感、第十六电感和第二电阻；

所述第十四电感的一端与所述第五场效应管的栅极连接，另一端连接偏置电压；

所述第十五电感的一端与所述第五场效应管的源极连接，另一端接地；

所述第二电阻与所述第十三电容组成并联端，所述并联端的一端电性连接于所述第五场效应管的漏极，另一端与所述第十四电容串联后电性连接于所述第二双工器的输出端口；

所述第十六电感的一端电性连接于所述并联端和所述第五场效应管之间的中间节点，另一端连接工作电压。

优选地，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容、所述第四电容的一端分别接地。

一种双频耦合低噪声放大器，所述放大器包括如上所述的电路。

借由上述技术方案，本申请的一种双频耦合低噪声放大电路及放大器，包括输入分频电路、高频放大电路、低频放大电路及输出耦合电路，输入分频电路能够将接收到的射频信号分离为高频信号和低频信号后，将高频信号输入至高频放大电路进行功率放大，将低频信号输入至低频放大电路进行功率放大，并经输出耦合电路将功率放大后的高频信号和低频信号耦合后输出。相较于使用调节反馈开关而言，能够避免因频段选择开关导致的高损耗，从而能够避免产生过大的噪声，使得其在不使用调节反馈开关的前提下也能够实现对信号的多频低损低噪处理，实用性提升。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为现有技术中的一种双频放大器的原理图；

图2为本申请实施例的一种双频耦合低噪声放大电路的原理图；

图3为本申请实施例的一种双频耦合低噪声放大电路的结构示意图；

图4-图5为本申请实施例的一种双频耦合低噪声放大电路的电磁仿真结果图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

现有的双频段放大器一般采用FET调节反馈开关进行控制，通过切换FET调节反馈开关，调节输入开关匹配和输出开关匹配来实现双频放大功能，但缺点是用于调节调节反馈开关的电路会产生大量额外的功耗，这样会导致整个电路的噪声偏大。若是不使用调节反馈开关，则会导致放大电路无法实现多频段情况下的功率放大，造成实用性下降。

故为了解决上述问题，本申请提供了一种双频耦合低噪声放大电路，其能够在不使用调节反馈开关的前提下实现对信号的多频处理，同时产生较少的噪音。

接下来对本申请的一种双频耦合低噪声放大电路进行详细的介绍，请参考图2，图2为本申请实施例中提供的一种双频耦合低噪声放大电路的原理图，包括输入分频电路、高频放大电路、低频放大电路、输出耦合电路。

输入分频电路的输入端用于接收输入射频信号RFin，输出耦合电路的输出端用于输出经处理后的输出射频信号RFout。

所述输入分频电路包括第一双工器DUPLEX1、第一电容C1及第二电容C2，所述第一电容C1并联连接于所述第一双工器DUPLEX1的直通端口，所述第二电容C2并联连接于所述第一双工器DUPLEX1的隔离端口，所述高频放大电路的输入端与所述第一双工器DUPLEX1的耦合端口连接，所述低频放大电路的输入端与所述第一双工器DUPLEX1的直通端口连接。

所述输出耦合电路包括第二双工器DUPLEX2、第三电容C3及第四电容C4，所述第三电容C3并联连接于所述第二双工器DUPLEX2的隔离端口，所述第四电容C4并联连接于所述第二双工器DUPLEX2的直通端口，所述高频放大电路的输出端与所述第二双工器DUPLEX2的耦合端口连接，所述低频放大电路的输出端与所述第二双工器DUPLEX2的输入端口连接。

其中，所述输入分频电路将接收到的射频信号分离为高频信号和低频信号后，将所述高频信号输入至所述高频放大电路进行功率放大，将所述低频信号输入至所述低频放大电路进行功率放大，并经所述输出耦合电路将功率放大后的高频信号和低频信号耦合后输出。

需要说明的是，对一般的射频信号而言，低频表示30-300kHz的信号频率，高频表示3-30MHz的信号频率。但本申请实施例中“高频”与“低频”的概念仅仅用于区分不同频率的射频信号，并未具体规定对频率的划分规则。相似地，在一些其它的实施例中，也可应用于多频的射频信号放大，不仅仅局限于高频与低频两种情况。

由上述的技术方案可以得知，本申请实施例的一种双频耦合低噪声放大电路及放大器，包括输入分频电路、高频放大电路、低频放大电路及输出耦合电路，输入分频电路能够将接收到的射频信号分离为高频信号和低频信号后，将高频信号输入至高频放大电路进行功率放大，将低频信号输入至低频放大电路进行功率放大，并经输出耦合电路将功率放大后的高频信号和低频信号耦合后输出。相较于使用调节反馈开关而言，输入分频电路和输出耦合电路能够避免因频段选择开关导致的高损耗，从而能够避免产生过大的噪声，使得其在不使用调节反馈开关的前提下也能够实现对信号的多频低损低噪处理，实用性提升。同时，不使用调节反馈开关就不需要在电路中增设额外的电源，能够降低电路成本与复杂度。

具体地，上述的第一双工器DUPLEX1和第二双工器DUPLEX2分别由传输线耦合，该传输线可以是微带线。

第一电容C1和第二电容C2是第一双工器DUPLEX1的并联接地电容，用于弥补高频信号和低频信号之间的相位差，提高耦合功率。

第三电容C3和第四电容C4是第二双工器DUPLEX2的并联接地电容，用于弥补高频信号和低频信号之间的相位差，提高耦合功率。

接下来对高频放大电路作详细介绍。如图3所述，所述高频放大电路包括第一放大子电路、第二放大子电路和第三放大子电路，所述第一放大子电路、第二放大子电路和所述第三放大子电路依次电性连接。

具体地，所述第一放大子电路、第二放大子电路和所述第三放大子电路分别为高频放大电路的高频第一级放大电路、高频第二级放大电路、高频第三级放大电路。由于在射频条件下电路存在趋肤效应，与直流不同的是，在直流条件下电流在整个导体中流动，而高频条件下电流在导体表面流动。其结果是，高频的交流电阻要大于直流电阻。另外，高频电路中存在电磁辐射效应，也即随着频率的增加，当波长可与电路尺寸比拟时，电路会变为一个辐射体。这时，在电路之间、电路和外部环境之间会产生各种耦合效应，因而引出许多干扰问题，故需要进行三级放大以克服这些问题。在一些其它的实施例中，高频放大电路也可以包括高频一级放大电路或者是高频多级放大电路。

所述第一放大子电路包括第一场效应管M1、第五电容C5、第六电容C6、第一电感L1、第二电感L2和第三电感L3。

所述第五电容C5的一端与所述第一双工器DUPLEX1的耦合端口电性连接，另一端与所述第一场效应管M1的栅极连接。

所述第一电感L1电性的一端与所述第五电容C5和所述第一场效应管M1的中间节点连接，另一端连接偏置电压Vbias。

所述第二电感L2的一端与所述第一场效应管M1的源级连接，另一端接地。

具体地，所述第一放大子电路采用共源结构，所述第二电感L2为所述第一场效应管M1的源极退化电感，能够提高工作的线性度。

所述第三电感L3和所述第六电容C6并联后电性连接于所述第一场效应管M1的漏极，所述第三电感L3还连接工作电压Vdd。

所述第二放大子电路包括第二场效应管M2、第七电容C7、第四电感L4、第五电感L5和第六电感L6。

所述第四电感L4电性的一端与所述第二场效应管M2的栅极连接，另一端连接偏置电压Vbias。

所述第五电感L5的一端与所述第二场效应管M2的源极，另一端接地。

具体地，所述第二放大子电路采用共源结构，所述第五电感L5为所述第二场效应管M2的源极退化电感，能够提高工作的线性度。

所述第六电感L6和所述第七电容C7并联后电性连接于所述第二场效应管M2的漏极，所述第六电感L6还连接工作电压Vdd。

所述第三放大子电路包括第三场效应管M3、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第七电感L7、第八电感L8、第九电感L9和第一电阻R1。

所述第七电感L7的一端与所述第三场效应管M3的栅极连接，另一端连接偏置电压Vbias。

所述第一电阻R1的一端与所述第八电容C8的一端电性连接，所述第一电阻R1的另一端与所述第八电感L8的一端连接，所述第八电感L8的另一端连接工作电压Vdd，所述第八电容C8的另一端电性连接于所述第七电感L7盒所述第三场效应管M3之间的中间节点。

具体地，第一电阻R1和第八电容C8构成RC负反馈结构，通过反馈回路来实现增益的平坦化和稳定性的提高。

所述第九电感L9的一端与所述第三场效应管M3的源极连接，另一端接地。

具体地，第九电感L9为第三场效应管M3的源极退化电感，能够提高工作的线性度。

所述第八电感L8和所述第九电容C9并联后与所述第三场效应管M3的漏极连接，所述第九电容C9还与所述第二双工器DUPLEX2的耦合端口电性连接，所述第十电容C10电性连接于所述第九电容C9和所述第二双工器DUPLEX2之间的中间节点。

具体地，第一放大子电路、第二放大子电路和第三放大子电路之间的连接方式为：第六电容C6的一端与第二场效应管M2的栅极电性连接；第七电容C7的一端电性连接于第三场效应管M3的栅极。

可以理解地，对射频信号的功率放大方式有多种，相应地，高频信号放大电路的形式也可以有多种，本申请实施例仅仅是示例了能够实现技术效果的实现方式之一，在一些其它的实施例中，高频信号放大电路的形式也可以为其它的实现方式，此处不应视为对电路的具体形式的限制。

接下来对低频放大电路作详细介绍。如图3所示，所述低频放大电路包括第四放大子电路和第五放大子电路，所述第四放大子电路和第五放大子电路电性连接。

具体地，第四放大子电路和第五放大子电路分别为低频放大电路的低频第一级放大电路和低频第二级放大电路。在一些其它的实施例中，低频放大电路可以是低频一级放大电路或者低频多级放大电路。

所述第四放大子电路包括第四场效应管M4、第十一电容C11、第十二电容C12、第十电感L10、第十一电感L11、第十二电感L12和第十三电感L13。

所述第十一电容C11的一端与所述第一双工器DUPLEX1的直通端口连接，另一端与所述第十一电容C11和所述第一双工器DUPLEX1之间的中间节点连接，所述第十一电容C11还电性连接于所述第四场效应管M4的栅极。

所述第十电感L10的一端电性连接于所述第一双工器DUPLEX1和所述第十一电容C11之间的中间节点，所述第十电感L10的另一端还接地。

所述第十一电感L11的一端所述第十一电容C11和所述第四场效应管M4之间的中间节点连接，另一端连接偏置电压Vbias。

所述第十二电感L12的一端与所述第四场效应管M4的源极连接，另一端接地。

具体地，低频第一级放大电路采用共源结构，第十二电感L12为第四场效应管M4的源极退化电感，能够提高工作的线性度。

所述第十二电容C12电性连接于所述第四场效应管M4的漏极。

所述第十三电感L13的一端电性连接于所述第十二电容C12和所述第四场效应管M4之间的中间节点，所述第十三电感L13的另一端还连接工作电压Vdd。

所述第五放大子电路包括第五场效应管M5、第十三电容C13、第十四电容C14、第十四电感L14、第十五电感L15、第十六电感L16和第二电阻R2。

所述第十四电感L14的一端与所述第五场效应管M5的栅极连接，另一端连接偏置电压Vbias。

所述第十五电感L15的一端与所述第五场效应管M5的源极连接，另一端接地。

具体地，第十五电感L15为第五场效应管M5的源极退化电感，能够提高工作的线性度。

所述第二电阻R2与所述第十三电容C13组成并联端，所述并联端的一端电性连接于所述第五场效应管M5的漏极，另一端与所述第十四电容C14串联后电性连接于所述第二双工器DUPLEX2的输出端口。

具体地，第二电阻R2和第十三电容C13组成LC并联网络，能够增强电路稳定性。

所述第十六电感L16的一端电性连接于所述并联端和所述第五场效应管M5之间的中间节点，另一端连接工作电压Vdd。

具体地，第四放大子电路和第五放大子电路之间的连接关系为：第十二电容C12的一端电性连接于第五场效应管M5的栅极。

可以理解地，对射频信号的功率放大方式有多种，相应地，低频信号放大电路的形式也可以有多种，本申请实施例仅仅是示例了能够实现技术效果的实现方式之一，在一些其它的实施例中，低频信号放大电路的形式也可以为其它的实现方式，此处不应视为对电路的具体形式的限制。

图4-图5示出了本申请实施例的一种双频耦合低噪声放大电路的电磁仿真模拟结果，可以看出，如图4所示，相较单频带低噪声放大电路而言，本申请实施例的一种双频耦合低噪声放大电路从性能上能够达到与其相似的效果。如图5所示，在4.5-7GHz频段内，其噪声系数低于1.75dB；在24-30GHz频段内，其噪声系数低于2.85dB。

本申请实施例还提供一种双频耦合低噪声放大器，包括如上所述的双频耦合低噪声放大电路。

可以理解地，本申请实施例提供的一种双频耦合低噪声放大器具有如下优点：

1.本申请实施例的放大器采用传输线进行耦合的方式，能够将输入信号先分离再耦合，两个不同频段的放大电路只需要在相应单频段下做好匹配即可，且本放大器的电路架构还可通过优化耦合线匹配和改善放大器结构的方式，使其适用于其它不同的工作频段；

2.本申请实施例的放大器两个工作频带的切换不需要开关，可通过关闭未使用的单带晶体管的漏极电压，控制LNA(低噪声放大器)的双带操作，即电路可以单频工作也可以双频同时工作；

3.本申请实施例的放大器通过优化多频放大器架构，改善放大器噪声性能，使双频LNA的性能能够与对应频段下的单频LNA相比拟。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间可以根据需要进行组合，且相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种双频耦合低噪声放大电路，其特征在于，包括：输入分频电路、高频放大电路、低频放大电路、输出耦合电路；

所述输入分频电路包括第一双工器、第一电容及第二电容，所述第一电容并联连接于所述第一双工器的直通端口，所述第二电容并联连接于所述第一双工器的隔离端口，所述高频放大电路的输入端与所述第一双工器的耦合端口连接，所述低频放大电路的输入端与所述第一双工器的直通端口连接；

所述输出耦合电路包括第二双工器、第三电容及第四电容，所述第三电容并联连接于所述第二双工器的隔离端口，所述第四电容并联连接于所述第二双工器的直通端口，所述高频放大电路的输出端与所述第二双工器的耦合端口连接，所述低频放大电路的输出端与所述第二双工器的输入端口连接；

其中，所述输入分频电路将接收到的射频信号分离为高频信号和低频信号后，将所述高频信号输入至所述高频放大电路进行功率放大，将所述低频信号输入至所述低频放大电路进行功率放大，并经所述输出耦合电路将功率放大后的高频信号和低频信号耦合后输出。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述高频放大电路包括第一放大子电路、第二放大子电路和第三放大子电路，所述第一放大子电路、第二放大子电路和所述第三放大子电路依次电性连接。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一放大子电路包括第一场效应管、第五电容、第六电容、第一电感、第二电感和第三电感；

所述第五电容的一端与所述第一双工器的耦合端口电性连接，另一端与所述第一场效应管的栅极连接；

所述第一电感电性的一端与所述第五电容和所述第一场效应管的中间节点连接，另一端连接偏置电压；

所述第二电感的一端与所述第一场效应管的源级连接，另一端接地；

所述第三电感和所述第六电容并联后电性连接于所述第一场效应管的漏极，所述第三电感还连接工作电压。

4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第二放大子电路包括第二场效应管、第七电容、第四电感、第五电感和第六电感；

所述第四电感电性的一端与所述第二场效应管的栅极连接，另一端连接偏置电压；

所述第五电感的一端与所述第二场效应管的源极，另一端接地；

所述第六电感和所述第七电容并联后电性连接于所述第二场效应管的漏极，所述第六电感还连接工作电压。

5.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第三放大子电路包括第三场效应管、第八电容、第九电容、第十电容、第七电感、第八电感、第九电感和第一电阻；

所述第七电感的一端与所述第三场效应管的栅极连接，另一端连接偏置电压；

所述第一电阻的一端与所述第八电容的一端电性连接，所述第一电阻的另一端与所述第八电感的一端连接，所述第八电感的另一端连接工作电压，所述第八电容的另一端电性连接于所述第七电感盒所述第三场效应管之间的中间节点；

所述第九电感的一端与所述第三场效应管的源极连接，另一端接地；

所述第八电感和所述第九电容并联后与所述第三场效应管的漏极连接，所述第九电容还与所述第二双工器的耦合端口电性连接，所述第十电容电性连接于所述第九电容和所述第二双工器之间的中间节点。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述低频放大电路包括第四放大子电路和第五放大子电路，所述第四放大子电路和第五放大子电路电性连接。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第四放大子电路包括第四场效应管、第十一电容、第十二电容、第十电感、第十一电感、第十二电感和第十三电感；

所述第十一电容的一端与所述第一双工器的直通端口连接，另一端与所述第十一电容和所述第一双工器之间的中间节点连接，所述第十一电容还电性连接于所述第四场效应管的栅极；

所述第十电感的一端电性连接于所述第一双工器和所述第十一电容之间的中间节点，所述第十电感的另一端还接地，

所述第十一电感的一端所述第十一电容和所述第四场效应管之间的中间节点连接，另一端连接偏置电压；

所述第十二电感的一端与所述第四场效应管的源极连接，另一端接地；

所述第十二电容电性连接于所述第四场效应管的漏极；

所述第十三电感的一端电性连接于所述第十二电容和所述第四场效应管之间的中间节点，所述第十三电感的另一端还连接工作电压。

8.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第五放大子电路包括第五场效应管、第十三电容、第十四电容、第十四电感、第十五电感、第十六电感和第二电阻；

所述第十四电感的一端与所述第五场效应管的栅极连接，另一端连接偏置电压；

所述第十五电感的一端与所述第五场效应管的源极连接，另一端接地；

所述第二电阻与所述第十三电容组成并联端，所述并联端的一端电性连接于所述第五场效应管的漏极，另一端与所述第十四电容串联后电性连接于所述第二双工器的输出端口；

所述第十六电感的一端电性连接于所述并联端和所述第五场效应管之间的中间节点，另一端连接工作电压。

9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容、所述第四电容的一端分别接地。

10.一种双频耦合低噪声放大器，其特征在于，所述放大器包括如权利要求1至9任一项所述的电路。

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