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CN114512096B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置。显示装置包括具有像素电路的显示区域和用于向像素电路输出控制信号的驱动器。显示区域包括第一区域和像素电路密度低于第一区域的第二区域。驱动器包括输出缓冲器。每个输出缓冲器同时向像素电路输出控制信号。输出缓冲器包括第一输出缓冲器和第二输出缓冲器。作为第一输出缓冲器的控制信号的输出目的地的像素电路的数量大于作为第二输出缓冲器的控制信号的输出目的地的像素电路的数量。第一输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度大于第二输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
由于OLED(Organic Light-Emitting Diode)元件是自发光元件，因此不需要背光源，而且具有功耗低、视角广、对比度高的优点。因此，OLED元件在平板显示器的开发中受到期待。
OLED显示装置的显示区域可以包括具有不同像素密度的区域。例如，在诸如多个智能手机、平板电脑的移动终端中，在显示区域的下方设置用于成像的相机。为了使相机从外部接收光，将相机布置在像素密度比周围小的区域的下方。
发明内容
每个像素电路行连接到用于控制像素电路的控制线。在显示区域包括具有不同像素密度的区域的显示装置中，连接到控制线的像素电路的数量可能根据控制线的位置而不同。例如，连接到仅通过正常区域的控制线的像素电路的数量大于连接到通过像素密度小的区域的控制线的像素电路的数量。
如果连接到控制线的像素电路的数量不同，则这些控制线的负荷不同。不同的负荷可能会引起控制信号的不同的延迟，并且在显示区域中产生亮度差异。
根据本发明的一方面的显示装置包括：显示区域，所述显示区域包括多个像素电路；以及用于向多个像素电路输出控制信号的驱动器。显示区域包括第一区域以及像素电路密度低于第一区域的第二区域。驱动器包括多个输出缓冲器。多个输出缓冲器中的每一个同时向多个像素电路输出控制信号。多个输出缓冲器包括第一输出缓冲器和第二输出缓冲器。作为第一输出缓冲器的控制信号的输出目的地的像素电路的数量大于作为第二输出缓冲器的控制信号的输出目的地的像素电路的数量。第一输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度大于第二输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度。
根据本发明的一方面，可以提高包括具有不同像素密度的区域的显示装置的显示质量。
应当理解，前面的概述和以下详细描述都是示例性和说明性的，而不是对本发明的限制。
附图说明
图1示意性地示出了OLED显示装置的配置示例，
图2示出了像素电路的配置示例，
图3示出了像素电路的另一个配置示例，
图4示意性地示出了显示区域，
图5详细示出了图4中由点划线包围的区域，
图6示意性地示出了TFT基板上的控制布线的布局，
图7示出了扫描驱动器的一个输出端子的输出缓冲器的电路配置示例，
图8示出了输出缓冲器的信号的时序图，
图9示意性地示出了来自三个输出缓冲器的扫描信号随时间的变化，三个输出缓冲器具有不同数量的要控制的像素电路，
图10是示意性地示出输出缓冲器的装置结构的示例的平面图，
图11是示意性地示出包括在扫描驱动器中的A型、B型和C型输出缓冲器的平面图，
图12示出了对输出缓冲器的输出线增加的延迟调整附加电容的示例，
图13是示意性地示出了输出缓冲器和延迟调整附加电容的结构的平面图，以及
图14示意性地示出了沿图13中的切割线XIV-XIV'的剖面结构。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述本公开的实施方式。需要说明的是，上述实施方式仅为实现本发明的示例，并不用于限制本发明的技术范围。附图中共有的元件由相同的附图标记表示，附图中的一些元件在尺寸或形状上被夸大以清楚地理解描述。
在下面的描述中，像素是作为显示区域中的最小单位并且发出单色光的元件，可以称为子像素。具有不同颜色的多个像素的组，例如红色、蓝色和绿色像素构成显示一个颜色点的元件，可以称为主像素。在区分用于单色显示的元件和用于彩色显示的元件以便清楚说明的情况下，将这些元件分别称为子像素和主像素。应当注意，本说明书的特征可以应用于用于单色显示的显示装置，并且显示装置的显示区域由单色像素构成。
下面描述显示装置的配置示例。显示装置的显示区域包括像素密度相对较小的第二区域(也称为低密度或低分辨率区域)和像素密度相对较大的第一区域(也称为正常区域或正常分辨率区域)。可以布置具有比正常区域低的像素密度的多个低密度区域，并且这些低密度区域的像素密度可以不同。在下面描述的示例中，像素的发光元件是电流驱动型元件，并且例如是OLED(有机发光二极管)元件。
像素的亮度由像素电路控制。由多个像素组成的每个像素电路行连接到用于控制像素电路的控制线。控制线可以包括扫描线和发光控制线。在显示区域包括具有不同的像素密度的区域的显示装置中，连接到控制线的像素电路的数量可以根据控制线的位置而不同。例如，与仅通过正常区域的控制线连接的像素电路的数量大于与通过像素密度小的区域的控制线连接的像素电路的数量。
如果连接到控制线的像素电路的数量不同，则这些控制线的负荷不同。不同的负荷引起控制信号的不同的延迟。控制线输出的延迟可能会使像素之间产生亮度差异。特别地，扫描线的延迟时间差异可能会改变像素电路中的驱动晶体管的栅极源极电压Vgs。如上所述，由于仅通过显示区域的控制线和通过低密度区域的控制线的负荷不同，因此很容易在视觉上确认亮度差异，其结果，正常区域和低密度区域之间的边界线可以被更容易地视觉确认。
下面对用于减少延迟差异的电路装置结构进行说明，该延迟差异是由于用于驱动仅通过正常区域的控制线的输出缓冲电路和用于驱动通过低密度区域的控制线的输出缓冲电路引起的在控制线之间的负荷差异所引起的。用于减小控制信号的延迟差异的结构安装在显示区域的外部。
在本说明书的一个实施方式中，仅通过正常区域的控制线的输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度大于通过低密度区域的控制线的输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度。以这种方式，可以减小两条控制线的控制信号之间的延迟差异。
在本说明书的一个实施方式中，与仅通过正常区域的控制线相比，用于调整延迟时间的电容被附加到在显示区域外通过低密度区域的控制线。这样，可以减小两条控制线的控制信号之间的延迟差异。具有不同沟道宽度的驱动晶体管和在显示区域外的附加电容可以被安装在一个显示装置中。这样，可以更容易地减小控制线之间的控制信号延迟差异。
[显示装置的配置]
参考图1，描述根据本说明书的一个实施方式的显示装置的整体配置。需要说明的是，为了便于描述，可能会以夸大的方式描述所示物体的尺寸和形状。下面以OLED显示装置作为显示装置的例子进行说明。
图1示意性地示出了OLED显示装置10的配置示例。OLED显示装置10包括形成有OLED元件(发光元件)的TFT(薄膜晶体管)基板100以及用于密封OLED元件的密封结构200。在TFT基板100的显示区域125的外侧的阴极电极形成区域114的周围设置有控制电路。具体而言，布置有扫描驱动器131、发光驱动器132、静电放电保护电路133、驱动IC 134和解复用器136。
驱动IC 134通过FPC(柔性印刷电路)135连接到外部装置。扫描驱动器131驱动TFT基板100的扫描线。发光驱动器132通过驱动发光控制线来控制每个像素的发光。静电放电保护电路133防止TFT基板上的元件的静电放电损坏。例如，使用各向异性导电膜(ACF)安装驱动IC 134。
驱动IC 134将包括电源和时序信号的控制信号提供给扫描驱动器131和发光驱动器132。此外，驱动IC 134将电源和数据信号提供给解复用器136。解复用器136将驱动IC134的一个引脚的输出依次输出到d个(d为等于或大于2的整数)数据线。解复用器136通过在扫描时段期间切换来自驱动IC 134的数据信号的输出目的地数据线d次，对驱动IC 134的输出引脚的d倍的数据线进行驱动。
[像素电路配置]
在TFT基板100上形成有用于控制向多个子像素的每个阳极电极供应的电流的多个像素电路。图2示出了像素电路的配置示例。每个像素电路包括驱动晶体管T1、选择晶体管T2、发光晶体管T3和保持电容C0。像素电路控制OLED元件E1的发光。晶体管是TFT。
在图2的像素电路中，省略了用于补偿驱动晶体管的阈值电压的电路配置。图2的像素电路是示例并且像素电路可以具有其他的电路配置。虽然图2的像素电路采用P型TFT，但是像素电路也可以采用N沟道型TFT。
选择晶体管T2是用于选择子像素的开关。选择晶体管T2为P沟道型(P型)TFT，栅极端子连接到扫描线106，源极端子连接到数据线105。漏极端子连接到驱动晶体管T1的栅极端子。
驱动晶体管Tl是用于驱动OLED元件E1的晶体管(驱动TFT)。驱动晶体管T1为P型TFT，其栅极端子连接到选择晶体管T2的漏极端子。驱动晶体管T1的源极端子连接到用于传输阳极电源电位VDD的电源线108。漏极端子连接到发光晶体管T3的源极端子。保持电容C0形成在驱动晶体管T1的栅极端子和源极端子之间。
发光晶体管T3是用于控制向OLED元件E1供给和停止驱动电流的开关。发光晶体管T3是P型TFT，栅极端子连接到发光控制线107。发光晶体管T3的源极端子连接到驱动晶体管T1的漏极端子。发光晶体管T3的漏极端子连接到OLED元件E1。阴极电源电位VSS被提供给OLED元件E1的阴极。
接下来，描述像素电路的操作。扫描驱动器131向扫描线106输出选择脉冲以使选择晶体管T2导通。经由数据线105从驱动IC 134供应的数据电压存储在保持电容C0中。保持电容C0在一帧时段内保持存储的电压。通过保持电压，驱动晶体管T1的电导以模拟方式改变并且驱动晶体管T1向OLED元件E1供应与发光灰度相对应的正向偏置电流。
发光晶体管T3位于驱动电流的供应路径上。发光驱动器132向发光控制线107输出控制信号以控制发光晶体管T3的导通和断开。当发光晶体管T3导通时，驱动电流被供应给OLED元件E1。当发光晶体管T3断开时，停止这种供应。通过控制发光晶体管T3的导通和断开，可以控制一帧时段中的点亮时段(占空比)。
像素电路的配置不限于图2的配置示例。图3示出了像素电路的其他配置示例。除了驱动晶体管T1、选择晶体管T2和发光晶体管T3之外，像素电路还包括晶体管T4、T5和T6。晶体管T1至T6均为P型TFT。晶体管T2连接在驱动晶体管T1的源极和数据线105之间。
晶体管T4连接到驱动晶体管Tl的栅极和漏极。晶体管T5连接到驱动晶体管T1的栅极和用于提供电源电位VINIT的电源线。晶体管T6连接到驱动晶体管T1的源极和用于提供电源电位VDD的电源线108。
扫描线106N-1从扫描驱动器131的第N-1个输出端子传输扫描信号。扫描线106N从扫描驱动器131的第N个输出端子传输扫描信号。晶体管T2和T4由扫描线106N的扫描信号控制。晶体管T5由扫描线106N-1的扫描信号控制。晶体管T6由发光控制线107传输的发光控制信号控制。
在扫描线106N-1向像素电路提供低电平脉冲后，扫描线106N向像素电路提供低电平脉冲。在提供这些脉冲期间，由发光控制线107传输的发光控制信号处于高电平。当扫描线106N-1为低电平时，晶体管T5导通，其他的晶体管断开。因此，初始电位VINIT被提供给驱动晶体管T1的栅极以初始化栅极电位。
随后，在扫描线106N的电平为低的同时，晶体管T2和T4导通。其他的晶体管断开。由于晶体管T4导通，因此驱动晶体管T1处于二极管连接状态。来自数据线105的数据信号通过晶体管T2、T1和T4写入保持电容C0。此时，用驱动晶体管T1的阈值电压补偿的电压被写入保持电容C0。
此后，晶体管T2和T4断开并且发光晶体管T3和晶体管T6导通。来自驱动晶体管T1的驱动电流被提供给OLED元件E1并且OLED元件E1发光。
[像素布局]
图4示意性地示出了显示区域125。OLED显示装置10例如安装在诸如智能手机或平板终端的移动终端中。显示区域125包括具有正常像素密度的正常区域451和具有低于正常区域451的像素密度(分辨率)的像素密度(分辨率)的低密度区域453。一个或多个相机465布置在低密度区域453的下方。在图4中，作为示例，多个相机中的一个由附图标记465表示。显示区域125中的子像素或主像素可称为显示子像素或显示主像素。
低密度区域453被布置在相机465的视觉确认侧，并且相机465通过已经通过低密度区域453的光拍摄视觉确认侧的物体。低密度区域453的像素密度低于周围的正常区域451的像素密度，从而不会干扰相机465的拍摄。未图示的控制装置例如将相机465拍摄的图像的数据发送至OLED显示装置10。需要说明的是，在图4中，作为低密度区域的示例，示出了下方设置有相机的区域，但是，出于其他目的，本说明书中的特征可以应用于包括具有相对低像素密度的区域的显示装置。
低密度区域453由N列M行的主像素构成。主像素列由沿图4中的垂直方向的Y轴排列的主像素组成。主像素行由沿图4中的横向排列的X轴排列的主像素组成。
图5示出了由图4中的点划线包围的区域455的细节。图5示出了delta-nabla配置(也简称为delta配置)的像素布局。需要说明的是，本实施方式的特征可以应用于具有其他像素布局的显示装置。
区域455是正常区域451和低密度区域453之间的部分边界的附近的区域。在图5所示的示例中，低密度区域453的像素密度是正常区域451的像素密度的1/4。低密度区域453的子像素被控制为针对相同图像数据以正常区域451的子像素的亮度四倍的亮度发光。
显示区域125由在面内配置的多个红色子像素51R、多个绿色子像素51G和多个蓝色子像素51B组成。在图5中，1个红色子像素、1个绿色子像素和1个蓝色子像素作为示例以附图标记表示。在图5中，带有相同阴影的矩形(带圆角)表示相同颜色的子像素。尽管在图5中子像素具有矩形形状，但是子像素的形状是任意的，例如可以是六边形或八边形。
子像素列是由位于相同X轴位置并沿Y轴延伸的子像素组成的阵列。在子像素列中，红色子像素51R、蓝色子像素51B和绿色子像素51G循环配置。例如，子像素列中的子像素连接到同一数据线。子像素行是由位于相同Y轴位置并沿X轴延伸的子像素组成的阵列。例如，子像素行中的子像素连接到同一扫描线。
在图5的配置示例中，正常区域451包括两种类型的主像素，包括以矩阵布置的第一种主像素53A和第二种主像素53B。在图5中，作为示例，仅一个第一种主像素用附图标记53A表示。此外，作为示例，仅一个第二种主像素用附图标记53B表示。需要说明的是，在使用子像素渲染技术的情况下，来自外部的图像数据的主像素与面板上的主像素不一致。
在图5中，第一种主像素53A由具有左侧的一个顶点和右侧的两个顶点的三角形表示。此外，第二种主像素53B由具有右侧的一个顶点和左侧的两个顶点的三角形表示。
在第一种主像素53A中，红色子像素51R和蓝色子像素51B连续地配置在同一子像素列中。包括绿色子像素51G的子像素列与包括红色子像素51R和蓝色子像素51B的子像素列的左侧相邻。绿色子像素51G在Y方向上位于红色子像素51R和蓝色子像素51B之间的中央。
在第二种主像素53B中，红色子像素51R和蓝色子像素51B连续地配置在同一子像素列中。包括绿色子像素51G的子像素列与包括红色子像素51R和蓝色子像素51B的子像素列的右侧相邻。绿色子像素51G在Y方向上位于红色子像素51R和蓝色子像素541B之间的中央。
低密度区域453由与第一种主像素53A具有相同结构的主像素53C构成。图5示出了5列4行的主像素53C。主像素53C规则地配置并且主像素之间沿X轴和Y轴的距离是恒定的。此外，相邻的主像素行彼此错开半个间距。
在相邻的主像素53C之间以及低密度区域453和正常区域451之间以适合的配置方式设置有透射区域(未示出)，使得从视觉确认侧捕获光以供相机465拍摄。
低密度区域453的子像素布局具有通过从正常区域451的布局中去除一些子像素而获得的配置。低密度区域453的子像素与正常区域的子像素一起构成子像素列和子像素行。低密度区域453的每一子像素列与正常区域451的对应的子像素列一起构成一个子像素列，并连接至同一数据线。低密度区域453的每个子像素行与正常区域451的对应的子像素行一起构成一个子像素行，并连接至同一扫描线。
[布线布局]
下面描述OLED显示装置10的布线布局示例。图6示意性地示出了TFT基板100上的控制布线的布局。在图6的配置示例中，正常区域451的像素电路的布局为条纹配置。具体地，沿Y轴延伸的子像素列由相同颜色的子像素组成。沿X轴延伸的子像素行由循环配置的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素组成。低密度区域453具有通过从正常区域451的像素布局中使一些像素薄型化获得的配置。在低密度区域453中的空白区域中没有形成包括OLED元件的像素电路，而仅配置有透射区域和布线。
应该注意的是，构成与透射区域相邻的主像素53A、53C的像素电路的每个晶体管被适当地遮光(未示出)。其原因是为了防止晶体管中的光辅助效应：由于随着由相机的拍摄，外部光从视觉确认侧入射到透射区域，因此外部光经由形成TFT基板100和OLED元件的薄膜层也进入像素电路，从而导致晶体管中的光辅助效应。如果出现光辅助效应，会引起晶体管的阈值电压的偏移，因此驱动电流会发生变化。
多个扫描线106从扫描驱动器131沿X轴延伸。此外，多个发光控制线107从发光驱动器132沿X轴延伸。在图6中，作为示例，分别用附图标记106和107表示一个扫描线和一个发光控制线。
在图6所示的配置示例中，扫描线106传输正常区域451和低密度区域453的选择信号(也称为扫描信号)。另外，发光控制线107传输正常区域451和低密度区域453的发光控制信号。选择信号和发光控制信号为像素电路的控制信号。
驱动IC 134通过第一布线711向扫描驱动器131发送控制信号并且通过第二布线713向发光驱动器132发送控制信号。驱动IC 134基于来自外部的图像数据(图像信号)控制来自扫描驱动器131的扫描信号(选择脉冲)和发光驱动器132的发光控制信号的时序。
驱动IC 134通过第三布线705将正常区域451和低密度区域453的子像素的数据信号提供给解复用器136。在图6中，作为示例，一个布线由附图标记705表示。驱动IC 134从来自外部的一帧视频数据中的一个或多个子像素的(一个或多个)灰度级确定与正常区域451和低密度区域453的每个子像素相对应的每个像素电路的数据信号。
解复用器136在扫描时段内将驱动IC 134的一个输出连续地输出到N(N是等于或大于2的整数)个数据线105。在图6中，作为示例，沿Y轴延伸的多个数据线中的一个数据线用附图标记105表示。
[输出缓冲器]
下面描述用于减小来自扫描驱动器131的控制信号的延迟差异的配置。下面的描述也可以应用于发光驱动器132。如参照图4至图6所描述的，在低密度区域453中与扫描线连接的像素电路的密度小于在正常区域451中与扫描线连接的像素电路的密度。在以下的示例中，假设扫描线根据连接的像素电路的数量分为三组。
A型扫描线仅通过正常区域451，而不通过低密度区域453。与A型扫描线连接的像素电路仅由正常区域451中的像素电路组成。连接的像素电路的数量最多。
B型扫描线穿过正常区域451和低密度区域453。与B型扫描线连接的像素电路由正常区域451和低密度区域453的像素电路组成。与B型扫描线连接的像素电路的数量小于与A型扫描线连接的像素电路的数量。
C型扫描线穿过正常区域451和低密度区域453。与C型扫描线连接的像素电路仅由正常区域451中的像素电路组成。即，C型扫描线穿过低密度区域453的未形成像素电路的非发光区域。与C型扫描线连接的像素电路的数量小于与B型扫描线连接的像素电路的数量，即最小。
如图2的像素电路示例所示，扫描驱动器131的输出端子可以仅连接到一个像素电路行，或者如图3的像素电路示例所示，可以连接到不同像素电路行的不同扫描线，同时将扫描信号输出至这些扫描线。在下面描述的示例中，假设扫描驱动器131的输出端子与上述三种类型的扫描线类似地被分类。一个输出缓冲器与扫描驱动器131的一个输出端子相对应。需要注意的是，一个输出缓冲器控制的像素电路的数量不限于上述三种，根据显示装置的设计，可能是两种、四种或更多种。
图7示出了扫描驱动器131的一个输出端子的输出缓冲器650的电路配置示例。图7示出了第n个输出缓冲器。输出缓冲器650包括串联连接在用于提供高电平电位VGH的电源线751和用于提供时钟信号CLKm的时钟线752之间的两个驱动晶体管M1和M2。
在图7的配置示例中，晶体管M1和M2是P型TFT，信号N1和N2分别被提供给其栅极。输出缓冲器650从晶体管M1和M2之间的中间节点P1向扫描线106输出扫描信号(控制信号)Out_n。
电容C1连接在晶体管M1的栅极和用于提供高电平电位VGH的电源线751之间。电容C2连接在晶体管M2的栅极与晶体管M1和M2之间的中间节点P1之间。
图8示出了输出缓冲器650的信号的时序图。时钟信号CLKm以固定周期在高电平和低电平之间变化。在时间T11，信号N1由低电平变为高电平，信号N2由高电平变为低电平。时钟信号CLKm处于高电平。输出信号Out_n处于基准高电平。
在时刻T12，时钟信号CLKm从高电平变为低电平，信号N2变为更低电平。输出信号Out_n从高电平变为低电平。在时刻T13，时钟信号CLKm由低电平变为高电平，信号N1由高电平变为低电平，信号N2变为高电平。输出信号Out_n由低电平变为高电平。输出信号Out_n的选择脉冲从时刻T12到时刻T13输出。
图9示意性地示出了来自具有不同数量的要控制的像素电路的三个输出缓冲器的扫描信号随时间的变化。横轴表示时间，纵轴表示扫描信号的电位电平。扫描信号601具有最大延迟DT1。扫描信号602的延迟DT2小于扫描信号601的延迟DT1。扫描信号603的延迟DT3最小。
延迟最大的扫描信号601是A型输出缓冲器的扫描信号，该A型输出缓冲器被配置为仅驱动正常区域451中的像素电路并且具有最大数量的被驱动的像素电路。延迟第二大的扫描信号602为B型输出缓冲器的扫描信号，该B型输出缓冲器被配置为驱动正常区域451和低密度区域453中的像素电路，并且具有第二多数量的被驱动的像素电路。延迟最小的扫描信号603为C型输出缓冲器的扫描信号，该C型输出缓冲器被配置为通过正常区域451和低密度区域453的非发光区域仅驱动正常区域451中的像素电路，并且具有最少数量的被驱动的像素电路。A型输出缓冲器、B型输出缓冲器和C型输出缓冲器分别为第一输出缓冲器、第二输出缓冲器和第三输出缓冲器。
如图9所示，三种输出缓冲器的扫描信号(驱动信号)的延迟各自是不同的。通过减少这些延迟之间的差异，可以减少像素的发光亮度之间的差异。下面描述通过调整输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度来减小延迟时间差异的方法。通过优化沟道宽度，可以消除延迟时间T1、T2和T3之间的差异。
在描述不同类型的输出缓冲器之间的驱动晶体管的沟道宽度之前，描述参照图7描述的输出缓冲器的装置结构。图10是示意性地示出输出缓冲器650的装置结构的示例的平面图。如图7所示，输出缓冲器650包括晶体管M1和M2以及电容C1和C2。输出缓冲器650的缓冲器高度与像素电路行间距一致。缓冲器高度是图10中的垂直尺寸。
在图10所示的配置示例中，半导体膜655为底层，源极/漏极金属层(M2金属层)为顶层，栅极电极层(M1金属层)是它们之间的中间层。不同的层以不同的方式示出。半导体膜655用由点图案填充的实线矩形示出。源极/漏极金属层用实线表示，栅极电极层用虚线表示。
源极/漏极金属层包括在显示区域125中的晶体管的源极/漏极电极、晶体管M1和M2的源极/漏极电极、电源线751和时钟信号线752。栅极电极层包括在显示区域125中的晶体管的栅极电极、晶体管M1和M2的栅极电极651、652以及电容C1、C2的下电极。电源线751包括电容C1的上电极，时钟信号线752包括电容C2的上电极。
在图10所示的配置示例中，晶体管M1包括在平面图中与半导体膜655重叠的三个栅极电极651。在图10中，作为示例，一个栅极端子由附图标记651表示。晶体管M2包括在平面图中与半导体膜655重叠的仅一个栅极电极652。晶体管M1的沟道宽度是晶体管M2的沟道宽度的三倍，晶体管M1的驱动能力高于晶体管M2的驱动能力。如图10所示，可以通过改变半导体膜655的横向尺寸W来改变晶体管M1、M2的沟道宽度。
图11是示意性地示出在扫描驱动器131中包括的A型、B型和C型输出缓冲器的平面图。图11示出了一个A型输出缓冲器650A、一个B型输出缓冲器650B和两个C型输出缓冲器650C。
A型输出缓冲器650A、B型输出缓冲器650B和C型输出缓冲器650C分别具有沟道宽度WA、WB和WC。沟道宽度WA、WB和WC不同，沟道宽度WA最大，沟道宽度WC最小。
A型输出缓冲器650A驱动仅通过正常区域451的扫描线。A型输出缓冲器650A是用于驱动最多数量的像素电路的输出缓冲器，并且仅驱动正常区域451中的像素电路。
B型输出缓冲器650B驱动穿过正常区域451和低密度区域453的扫描线。B型输出缓冲器650B是用于驱动数量第二多的像素电路的输出缓冲器并驱动正常区域451和低密度区域453中的像素电路。
C型输出缓冲器650C驱动穿过正常区域451和低密度区域453的扫描线。C型输出缓冲器650C是用于驱动数量最少的像素电路的输出缓冲器并且仅驱动正常区域451中的像素电路。
如上所述，输出缓冲器650A、650B和650C具有与要驱动的像素电路的数量相对应的沟道宽度WA、WB和WC，由此可以减小扫描信号的延迟差异。在一个示例中，沟道宽度WA、WB和WC被确定为使得来自输出缓冲器650A、650B和650C的信号的延迟相等。
在图11所示的配置示例中，输出缓冲器650A、650B和650C包括具有不同宽度的半导体膜655A、655B和655C。半导体膜655A、655B和655C的宽度是图11中的横向尺寸。通过增加半导体膜655A、655B和655C的宽度，可以增加晶体管M1和M2的沟道宽度，而通过减小半导体膜655A、655B和655C的宽度，可以减小晶体管M1和M2的沟道宽度。
在输出缓冲器650A、650B和650C中，除了半导体膜655A、655B和655C的宽度之外，晶体管M1和M2的装置结构(层叠结构)的参数是共同的。即，在输出缓冲器650A、650B和650C的晶体管M1和M2中，仅半导体膜655A、655B和655C的宽度不同。以这种方式，除了规定沟道宽度的半导体膜的宽度之外，晶体管具有相同的配置，由此可以容易地设计包括具有不同沟道宽度的晶体管的输出缓冲器。
在图11的配置示例中，输出缓冲器650A、650B和650C包括具有不同电容值的电容C1和C2。输出缓冲器650A的电容C1的电容值大于输出缓冲器650B、650C的电容C1的电容值。输出缓冲器650C的电容C1的电容值小于输出缓冲器650A、650B的电容C1的电容值。输出缓冲器650A的电容C2的电容值大于输出缓冲器650B、650C的电容C2的电容值。输出缓冲器650C的电容C2的电容值小于输出缓冲器650A、650B的电容C2的电容值。在图11的配置示例中，通过包括在栅极电极层中的下电极的不同面积来实现电容C1、C2的不同值。
[延迟调整附加电容]
接下来，描述通过向输出缓冲器的输出增加延迟调整电容来减小输出缓冲器之间的延迟差异的方法。图12示出了附加到输出缓冲器650的输出线的延迟调整电容的示例。输出缓冲器650的电路配置如参考图7所描述的。
延迟调整附加电容Cadd设置在显示区域125与输出缓冲器650的晶体管M1和M2之间的区域中。延迟调整附加电容Cadd的一端电连接到输出缓冲器650的输出，另一端电连接到任一电源。延迟调整附加电容Cadd例如可以连接到输出缓冲器650的正电源、输出缓冲器650的负电源、显示区域125的阳极电源和显示区域125的阴极电源中的任一个。
例如，电容CaddB被增加到B型输出缓冲器650B的输出，并且电容CaddC被增加到C型输出缓冲器650C的输出。电容CaddB为第一附加电容，电容CaddC为第二附加电容。A型输出缓冲器650A不需要额外的电容。附加电容CaddC大于附加电容CaddB。通过适当地选择附加电容CaddB、CaddC，能够减小A型输出缓冲器650A、B型输出缓冲器650B和C型输出缓冲器650C之间的延迟差异的大小。
CscanA、CscanB和CscanC分别表示输出缓冲器650A、650B和650C的扫描线电容。如果满足以下等式，则可以使来自输出缓冲器650A、650B和650C的信号的延迟相等。
CscanA＝CscanB+CaddB＝CscanC+CaddC
为了仅通过附加电容极大地减小延迟差异，用于附加电容的大面积是必要的，并且可能扩大边框区域。因此，通过采用如上所述的输出缓冲器的缓冲器尺寸(沟道宽度)的调整和附加电容两者，可以减小输出缓冲器650A、650B和650C之间的信号延迟差异。
图13是示意性地示出输出缓冲器的结构和输出缓冲器的延迟调整附加电容的平面图。附加电容被进一步增加到图11所示的输出缓冲器。输出缓冲器650A、650B和650C的结构如参考图11所描述的。
附加电容CaddB连接到输出缓冲器650B的输出。此外，附加电容CaddC连接到输出缓冲器650C的输出。附加电容CaddC的电容值大于附加电容CaddB的电容值。在图13的结构例中，附加电容CaddC的面积大于附加电容CaddB的面积。其他电容参数值相等。附加电容CaddB布置在输出缓冲器650B和显示区域125之间，并且附加电容CaddC布置在输出缓冲器650C和显示区域125之间。
在图13的配置示例中，附加电容由TFT基板100上的多个导电层和绝缘体层构成。这样，可以以小面积增加附加电容的电容值。在图13的配置示例中，源极/漏极金属层、栅极电极层、VSS布线层801和布线辅助层802中的每一个都包括附加电容的电极的一部分。VSS布线层801传输OLED元件E1的阴极电位VSS。
布线辅助层802是为了提高要弯曲安装在面板周围部中的部分的布线的耐久性而设置的布线层，并且设置在源极/漏极电极布线层上方和阳极电极层的下方的位置处。通过去除弯曲部中除布线辅助层802之外的所有无机膜，可以提高柔性基板的耐久性。
下面详细描述附加电容的结构。图14示意性地示出了沿图13中的切割线XIV-XIV'的剖面结构。在以下描述中，上边和下边表示图14中的上边和下边。构成图14所示的层叠结构的层在显示区域125中也存在。OLED显示装置10从下方包括聚酰亚胺层852、氧化硅层(SiOx层)853、非晶硅层(a-Si层)854和聚酰亚胺层855。
OLED显示装置10在聚酰亚胺层855上从下方进一步包括氧化硅层856、屏蔽层857、氧化硅层858和氮化硅层(SiNx层)859。
氧化硅层853和非晶硅层854提高了两个聚酰亚胺层852和855的附着性。通过氧化硅层853和非晶硅层854可以防止上方的聚酰亚胺层855从下方的聚酰亚胺层852剥离。
屏蔽层857是用于降低来自聚酰亚胺层855或852中存在的电荷的磁场影响的导电层。屏蔽层857形成为覆盖聚酰亚胺层855的整个表面。屏蔽层857例如由诸如ITO和IZO的透明非晶氧化物形成。
氧化硅层856可以提高屏蔽层857与聚酰亚胺层855的附着性。氧化硅层858提高屏蔽层857和氮化硅层859的附着性，并作为用于OLED元件的对水分和氧气的阻挡层。氮化硅层859也用作阻挡层。
氧化硅层860和栅极绝缘层861从下方形成在氮化硅层859上。栅极绝缘层861例如由氧化硅或氮化硅或它们的叠层形成。栅极绝缘层861包括驱动器131、132和显示区域125中的晶体管的栅极绝缘膜。
在栅极电极层(M1金属层)中包括的电极862布置在栅极绝缘层861上。电极862例如可以由Mo形成。栅极电极层(M1金属层)包括在驱动器131、132和显示区域125中的晶体管的栅极绝缘膜。层间绝缘膜863形成为覆盖电极862。
在源极/漏极金属层(M2金属层)中包括的电极864A、864B形成在层间绝缘膜863上。源极-漏极金属层例如由高熔点金属或其合金形成。电极864A经由形成在层间绝缘膜863中的接触孔连接到电极862。源极/漏极金属层(M2金属层)包括在驱动器131、132以及显示区域125内的晶体管的源极/漏极电极。
层间绝缘膜865形成为覆盖源极/漏极金属层的电极864A、864B。在层间绝缘膜865上形成在布线辅助层(M3金属层)中包括的电极866A、866B。布线辅助层例如由Al形成。电极866A经由形成在层间绝缘膜865中的接触孔连接到电极864A。电极866B经由形成在层间绝缘膜865中的接触孔连接到电极864B。
有机平坦化膜867形成为覆盖电极866A、866B。在OLED元件E1的一层阳极电极中包括的电极868形成在平坦化膜867上。电极868具有与阳极电极相同的层叠结构，并且例如由中央的反射金属层和夹着反射金属层的透明导电层构成。电极868例如具有ITO/Ag/ITO结构或IZO/Ag/IZO结构。
在该示例中，电极868被包括在用于传输阴极电源电位VSS的VSS布线层801(见图13)中。电极868经由平坦化膜867的接触孔连接到电极866B。
从电极862到电极868的层叠结构构成附加电容Cadd。连接的电极862、864A和866A构成附加电容Cadd的一个电容电极。该电容电极由三个导电层的电极组成。电极862连接到输出缓冲器的输出(扫描线)。连接的电极864B和866B和868构成附加电容Cadd的另一个电容电极。该电容电极由三个导电层的电极组成。
这些电极中的绝缘体部分构成附加电容Cadd的绝缘体部分。通过由包括彼此连接的多个导电层的电极的电容电极和在导电层之间的绝缘体层构成附加电容Cadd，能够以小的面积实现大的电容值。需要说明的是，电容电极可以由三层或更多层的电极构成。每个电容电极可以由一个导电层的电极组成。分别构成两个电容电极的电极的层数可以不同，其中一个电容电极可以由多个导电层的电极构成，另一个电容电极可以由一个导电层的电极构成。
在用于分隔OLED元件的绝缘像素限定层(PDL)中包括的绝缘体层869形成为覆盖电极868。绝缘体层869例如由有机材料形成。
密封结构200(见图1)形成在绝缘体层869上。密封结构200从下部包括无机绝缘体层870、有机平坦化膜871和无机绝缘体(例如SiNx、AlOx)层872。无机绝缘体层870和872中的每一个都是用于提高可靠性的钝化层。
触摸屏膜873、λ/4板874、偏光板875和树脂盖透镜876从下方层叠在密封结构200上。λ/4板874和偏光板875抑制从外部入射的光的反射。需要说明的是，参照图14所述的OLED显示装置的层叠结构是一个例子，可以省略图14所示的层的一部分，或者可以追加图14中未示出的层。
如上所述，已经描述了本发明的实施方式；然而，本发明不限于前述实施方式。本领域技术人员可以在本发明的范围内容易地修改、添加或转换上述实施方式中的各个元件。一个实施方式的配置的一部分可以替换为另一实施方式的配置，或者一个实施方式的配置可以并入到另一实施方式的配置中。

Claims (6)

1.一种显示装置，包括：
显示区域，所述显示区域包括多个像素电路；以及
驱动器，所述驱动器用于向所述多个像素电路输出控制信号，
其中，
所述显示区域包括第一区域以及像素电路密度低于所述第一区域的第二区域，
所述驱动器包括多个输出缓冲器，
所述多个输出缓冲器中的每一个输出缓冲器同时向所述多个像素电路输出所述控制信号，
所述多个输出缓冲器包括第一输出缓冲器和第二输出缓冲器，
作为所述第一输出缓冲器的控制信号的输出目的地的像素电路的数量大于作为所述第二输出缓冲器的控制信号的输出目的地的像素电路的数量，
所述第一输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度大于所述第二输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度，
所述多个输出缓冲器还包括第三输出缓冲器，
作为所述第三输出缓冲器的控制信号的输出目的地的像素电路的数量小于作为所述第二输出缓冲器的控制信号的输出目的地的像素电路的数量，并且
所述第三输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度小于所述第二输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度，
所述第一输出缓冲器控制与穿过所述第一区域而不穿过所述第二区域的控制线连接的所述第一区域中的像素电路，
所述第二输出缓冲器控制与穿过所述第一区域和所述第二区域的控制线连接的所述第一区域中的像素电路以及所述第二区域中的像素电路，
所述第三输出缓冲器控制与穿过所述第一区域和所述第二区域的控制线连接的所述第一区域中的像素电路，
所述显示装置还包括：
第一附加电容，所述第一附加电容连接到所述第二输出缓冲器的输出，所述第一附加电容减小所述第一输出缓冲器的控制信号的延迟和所述第二输出缓冲器的控制信号的延迟之间的差异；以及
第二附加电容，所述第二附加电容具有比连接到所述第二输出缓冲器的输出的所述第一附加电容更大的电容值，所述第二附加电容连接到所述第三输出缓冲器的输出，
所述第一附加电容被布置在所述第二输出缓冲器和所述显示区域之间的区域中，并且
所述第二附加电容被布置在所述第三输出缓冲器和所述显示区域之间的区域中。
2.一种显示装置，包括：
显示区域，所述显示区域包括多个像素电路；以及
驱动器，所述驱动器用于向所述多个像素电路输出控制信号，
其中，
所述显示区域包括第一区域以及像素电路密度低于所述第一区域的第二区域，
所述驱动器包括多个输出缓冲器，
所述多个输出缓冲器中的每一个输出缓冲器同时向所述多个像素电路输出所述控制信号，
所述多个输出缓冲器包括第一输出缓冲器和第二输出缓冲器，
作为所述第一输出缓冲器的控制信号的输出目的地的像素电路的数量大于作为所述第二输出缓冲器的控制信号的输出目的地的像素电路的数量，
所述第一输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度大于所述第二输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度，
所述多个输出缓冲器还包括第三输出缓冲器，
作为所述第三输出缓冲器的控制信号的输出目的地的像素电路的数量小于作为所述第二输出缓冲器的控制信号的输出目的地的像素电路的数量，并且
所述第三输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度小于所述第二输出缓冲器的驱动晶体管的沟道宽度，
所述第一输出缓冲器控制与穿过所述第一区域而不穿过所述第二区域的控制线连接的所述第一区域中的像素电路，
所述第二输出缓冲器控制与穿过所述第一区域和所述第二区域的控制线连接的所述第一区域中的像素电路以及所述第二区域中的像素电路，
所述第三输出缓冲器控制与穿过所述第一区域和所述第二区域的控制线连接的所述第一区域中的像素电路，
所述显示装置还包括：
第一附加电容，所述第一附加电容连接到所述第二输出缓冲器的输出，所述第一附加电容减小所述第一输出缓冲器的控制信号的延迟和所述第二输出缓冲器的控制信号的延迟之间的差异；以及
第二附加电容，所述第二附加电容具有比连接到所述第二输出缓冲器的输出的所述第一附加电容更大的电容值，所述第二附加电容连接到所述第三输出缓冲器的输出，
所述第一附加电容与所述第二附加电容配置于所述显示区域的外侧，
所述第一附加电容和所述第二附加电容中的每一个包括：两个电容电极，每个所述电容电极包括连接的多个导电层的电极；以及在所述多个导电层之间的绝缘体，以及
具有包括在所述两个电容电极中的所述电极的所述导电层包括在所述显示区域内的栅极电极、源极/漏极电极以及另一导电层。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中：
所述多个输出缓冲器输出用于控制在所述像素电路中将数据信号写入保持电容中的晶体管的控制信号。
4.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中：
来自所述第一输出缓冲器的控制信号的延迟、来自所述第二输出缓冲器的控制信号的延迟以及来自所述第三输出缓冲器的控制信号的延迟相等。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一输出缓冲器的所述驱动晶体管、所述第二输出缓冲器的所述驱动晶体管和所述第三输出缓冲器的所述驱动晶体管除了指定其沟道宽度的半导体膜的宽度以外具有相同的结构。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一附加电容和所述第二附加电容中的每一个包括：两个电容电极，每个所述电容电极包括连接的多个导电层的电极；以及在所述多个导电层之间的绝缘体。
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