CN114287055A - 晶片缓冲器 - Google Patents

Abstract

用于在晶片载体中使用的晶片缓冲器包含弹性梁，所述弹性梁包含：第一臂，其沿第一方向从所述晶片缓冲器的框架延伸；及第二臂，其沿第二方向从所述第一臂延伸；及晶片接触件，其位于所述第二臂的与所述第二臂结合到所述第一臂之处相对的端处。在正常条件期间，所述晶片缓冲器可仅在所述晶片接触件处接触所述晶片载体内的衬底。所述衬底也可在冲击事件发生时，接触所述第二臂上的次级接触点。所述晶片接触件可为v形沟槽式晶片接触件。所述晶片接触件可包含具有凸面的接触表面，所述接触表面经配置以在所述凸面处接触所述衬底。

Description

晶片缓冲器

相关申请案的交叉引用

本申请案主张2019年7月19日申请的第62/876,234号美国临时申请案的优先权及权利，所述申请案的全部内容出于所有目的以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及晶片载体，举例来说，在用于半导体处理的晶片载体，例如前开式晶片传送盒(“FOUP”)中使用的晶片缓冲器。

背景技术

晶片载体可手动或自动处置或运输。此运输及处置可对所述载体造成物理冲击。举例来说，此类冲击事件包含所述载体的举例来说归因于坠落、误操作、运输车辆的制动，及所述晶片载体的其它此移动的突然加速或减速，或大于大约2m/s²的另一加速或减速。晶片缓冲器在晶片载体中用于限制所述载体内的晶片(例如半导体衬底)的移动，举例来说，以防止晶片在物理冲击发生时，撞击所述载体的一侧。

晶片缓冲器通常包含臂，所述臂从框架延伸到门的中心线且在所述晶片接触所述晶片缓冲器的接触点处终止。这些接触点处的接触防止所述晶片击中其它晶片或晶片载体内部的零件，从而减小当晶片载体经历冲击事件时的损害机率。

所述晶片缓冲器必须提供致力到晶片载体内所含的晶片，以提供保持并将保持力维持在预定范围内，以防止可不利地影响半导体处理及制造的对所述晶片的损害或粒子的产生。

发明内容

本公开涉及晶片载体，举例来说，在用于半导体处理的晶片载体(例如FOUP)中使用的晶片缓冲器。

通过使用v形弹簧，减小与晶片的接触与所述晶片缓冲器的框架之间的力矩臂。缩短此力矩臂可减小所述晶片缓冲器上的扭力，减小偏转的不均匀性且减小所述晶片缓冲器的保持力的不平衡。

在实施例中，一种晶片缓冲器包含框架及多个弹性梁。所述多个弹性梁中的每一者包含：第一臂，其结合到所述框架且沿第一方向延伸到第一臂端；第二臂，其在所述第一臂端处结合到所述第一臂且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸到第二臂端；及晶片接触件，其在所述第二臂端处结合到所述第二臂。

在实施例中，所述多个弹性梁经配置使得当晶片通过所述多个弹性梁的两者支撑时，所述晶片仅在所述多个弹性梁的所述两者的所述第二臂的所述端处接触所述晶片接触件。

在实施例中，所述晶片接触件是V形沟槽晶片接触件。在实施例中，所述晶片接触件是桨形晶片接触件。

在实施例中，经配置以接触晶片的所述晶片接触件的表面具有凸面。

在实施例中，所述第一臂在所述框架的周边处结合到所述框架，且所述第一方向朝向所述框架的中心线。

在实施例中，所述弹性梁中的每一者包含所述第二臂上的次级接触点，所述次级接触点定位在所述第二臂结合到所述第一臂之处，且其中次级晶片接触件经配置以仅在冲击事件发生时接触晶片。

在实施例中，一种晶片载体包含晶片缓冲器，且所述晶片缓冲器包含框架及多个弹性梁。所述多个弹性梁中的每一者包含：第一臂，其结合到所述框架且沿第一方向延伸到第一臂端；第二臂，其在所述第一臂端处结合到所述第一臂且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸到第二臂端；及晶片接触件，其在所述第二臂端处结合到所述第二臂。

在实施例中，所述晶片缓冲器安装在所述晶片载体的门上。

在实施例中，所述晶片载体是前开式晶片传送盒。

在实施例中，一种支撑衬底的方法包含：在两个晶片接触件处接触所述衬底，其中所述两个晶片接触件中的每一者结合到单独弹性梁，所述弹性梁每一者包含沿第一方向延伸的第一臂及结合到所述第一臂且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二臂，且所述晶片接触件位于所述第二臂的与所述第二臂结合到所述第一臂之处相对的端处。

在实施例中，所述方法进一步包含当冲击事件发生时，在所述晶片接触件定位在其上的v形弹簧的第二臂上的两个次级接触点处接触所述衬底。

在实施例中，所述衬底仅在所述两个晶片接触件处与所述弹性梁接触。

在实施例中，所述晶片接触件具有凸面，所述晶片接触件经配置以在所述凸面处接触所述衬底。

附图说明

结合附图考虑各种阐释性实施例的以下描述可更完整地了解本公开。

图1展示根据实施例的晶片缓冲器的透视图。

图2展示根据实施例的晶片缓冲器的截面图。

图3展示当衬底与根据实施例的晶片缓冲器接触时，所述晶片缓冲器的一部分的截面图。

图4A展示根据实施例的晶片接触件的透视图。

图4B展示沿线4A-4A取得的图4A的晶片接触件的截面图。

图5展示根据实施例的晶片接触件的平面图。

图6展示根据实施例的FOUP。

虽然本公开可具有各种修改及替代形式，但其详情已通过实例在图中展示并将详细描述。然而，应了解，不旨在将本公开的方面限制于所描述的特定阐释性实施例。相反，旨在涵盖落在本公开的精神及范围内的所有修改、等效物及替代物。

具体实施方式

除非内容另有明确规定，否则如在本说明书及所附权利要求书中所使用，单数形式“一及所述”包含复数指代物。除非内容另有明确规定，否则如在本说明书及所附权利要求书中所使用，术语“或”通常以其包含“及/或”的意义采用。

术语“约”通常是指被认为等同于所述值的数字范围(例如，具有相同功能或结果)。在许多情况下，术语“约”可包含舍入到最接近的有效数字的数字。

使用端点表达的数值范围包含所述范围内所含的所有数字(例如，1到5包含1、1.5、2、2.75、3、3.80、4及5)。

应参考图式阅读以下详细描述，其中不同图式中的相似元件被相同地编号。详细描述及不一定按比例的图描绘阐释性实施例且不希望限制本发明的范围。所描绘的阐释性实施例仅旨在作为示范性。除非明确相反陈述，否则任何阐释性实施例的选定特征可被并入到额外实施例中。

图1展示根据实施例的晶片缓冲器100的透视图。晶片缓冲器100是可被并入到晶片载体(未展示)中的组件，举例来说，结合到所述晶片载体的面向所述晶片载体的内部空间的一部分，例如，举例来说，所述晶片载体的门的内侧。晶片缓冲器100可包含允许结合到晶片载体的特征(未展示)，例如举非限制性实例，一或多个机械接合特征，例如卡扣、凸缘、突片或槽、粘合接合或用以将所述晶片缓冲器100结合到晶片载体或晶片载体的一部分(例如所述晶片载体的门)的其它此特征。晶片缓冲器100可通过举例来说，在晶片接触件110处接触所述衬底而将衬底机械地保持在所述晶片载体内。晶片缓冲器100可使用弹簧力以限制衬底的移动，使得防止所述衬底的显著位移或所述衬底与所述晶片载体的内部空间的壁的接触。

晶片缓冲器100包含框架102。若干弹性梁104结合到所述框架102。弹性梁104中的每一者包含：第一臂106，其结合到框架102且沿第一方向延伸；及第二臂108，其在第一臂106的与第一臂106结合到框架102之处相对的端处结合到所述第一臂106。第二臂108从其结合到第一臂106之处沿与第一臂106从框架102延伸的第一方向不同的第二方向延伸。弹性梁104中的每一者包含位于所述第二臂108的与第二臂108结合到第一臂106之处相对的端处的晶片接触件110。

框架102为弹性梁104提供支撑及定位，所述弹性梁104包含晶片接触点110。在实施例中，框架102是矩形形状，其中中心线112沿所述框架102的主要方向延伸。在实施例中，框架102包含形成矩形的周边的外部部分及沿着所述中心线112从框架102的一端延伸到另一端的肋部。在实施例中，框架102经配置以装配在晶片载体(未展示)的门上的凹槽内。在实施例中，经配置以将晶片缓冲器100结合到晶片载体或其部分的所述晶片缓冲器100的特征可定位在框架102上。框架102可有其它形状，使得晶片载体100可容纳在晶片载体的内部空间内，且使得弹性梁104可结合到其，使得所述弹性梁104提供晶片接触件110，使得所述晶片接触件110可接合晶片载体内的衬底。

弹性梁104中的每一者结合到框架102。弹性梁104中的每一者包含晶片接触件110。作为非限制性实例，弹性梁104可为弹簧板、悬臂式线性弯曲弹簧或v形弹簧。弹性梁104可成对布置，其中每一对经配置以当一个衬底放置在所述晶片载体内部时，经由成对的弹性梁104的晶片接触件110接触所述衬底。弹性梁104可皆经布置而使得当晶片缓冲器100安装到晶片载体中时，所述弹性梁104在框架102的相对于晶片载体的内部空间的相同侧上呈现所述晶片接触件110，举例来说，延伸到晶片载体的外部空间中。相对于框架102，弹性梁104可相对框架102的中心线112彼此对准，使得当一个衬底放置在晶片缓冲器100安装到的晶片载体内时，所述弹性梁104一起提供经定位以接触所述衬底的两个晶片接触件110。

第一臂106在第一端处结合到框架102，且在与所述第一端相对的第二端处结合到第二臂108。在实施例中，第一臂106相对于框架102从所述框架102的周边朝向所述框架102的中心线112向内延伸。在实施例中，第一臂106在其从框架102延伸到框架102的中心线112时渐缩。

第二臂108结合到第一臂106。第二臂108可在第一臂106的与第一臂106结合到框架102之处相对的端处结合到所述第一臂106。第二臂108可沿与第一臂106延伸的第一方向不同的第二方向延伸。第二臂108可沿与第一臂106相对于框架102的周边及框架102的中心线112延伸的方向相反的方向延伸。举例来说，在其中第一臂106从框架102的周边朝向中心线112向内延伸的实施例中，第二臂108可沿远离中心线112的相反方向延伸。

第二臂108可结合到第一臂106，使得在第一臂106与第二臂108之间形成角度。在实施例中，第一臂106与框架102之间的角度在从0°到40°的范围内。在实施例中，第一臂106与第二臂108之间的角度在从5°到40°的范围内。在实施例中，第二臂108的长度与第一臂106的长度之比可在从2:1到1:3的范围内。在实施例中，第二臂108可具有第一臂106的长度的至少一半的长度。在其中晶片缓冲器100经配置以用于300mm FOUP的实施例中，所述第一臂106可具有在从15mm到45mm的范围中的长度。在其中晶片缓冲器100定位在晶片载体内的凹槽中的实施例中，第一臂106及第二臂108的长度及角度可使得晶片接触件110定位在所述晶片载体中的所述凹槽内。

晶片接触件110定位在第二臂108的与第二臂108结合到第一臂106之处相对的端处。晶片接触件110是经配置以当衬底在晶片容器内时接合所述衬底的特征。晶片接触件110可包含经配置以接触所述衬底的边缘的表面。在实施例中，经配置以接触所述衬底的所述边缘的所述表面可为弯曲的，具有凸形。所述凸形可在晶片接触件110与衬底之间提供滚动界面，且可通过所述衬底与沿所述表面的边缘或点之间的接触限制粒子的产生。在实施例中，晶片接触件110是v形沟槽晶片接触件，其包含远离彼此延伸的耳部，其中表面经配置以在由所述耳部在其远离彼此延伸时形成的V形的顶点处或附近接触所述衬底的所述边缘。此晶片接触件在图4A中展示并在下文描述。在实施例中，晶片接触件110是桨式晶片接触件，其具有加宽部分及从所述加宽部分延伸的彼此平行的两个耳部。当所述晶片接触件110是桨式晶片接触件时，所述表面经配置以接触定位在所述耳部之间的衬底。此晶片接触件在图5中展示并在下文描述。在实施例中，晶片接触件110是经配置以接触包含在晶片缓冲器100中的衬底的唯一特征。在实施例中，除定位在第二臂108的与第二臂108结合到第一臂106之处相对的端处的晶片接触件110外，未提供其它晶片接触件。

在实施例中，框架102、弹性梁104及晶片接触件110中的每一者可每一者由一或多个聚合物(例如可射出成型聚合物)制成。在实施例中，所述一或多个聚合物包含一或多个聚烯烃。在实施例中，所述一或多个聚合物包含聚碳酸酯。在实施例中，碳填充物被包含在所述一或多个聚合物中。在实施例中，所述一或多个聚合物是热塑性聚合物。在实施例中，基于所述晶片缓冲器100与所述晶片载体之间的界面或所述晶片缓冲器100与所述衬底之间的界面中的一或多者处卸除的材料而选择所述一或多个聚合物。在实施例中，晶片缓冲器100形成为单件，举例来说，通过例如作为非限制性实例的射出成型的方法。在实施例中，整个晶片缓冲器100由相同材料或材料组合形成。

图2展示根据实施例的晶片缓冲器200的截面图。框架202包含用以接收来自晶片载体的突部的沟槽204。弹性梁206包含沿第一方向从框架202延伸到其中第一臂208结合到第二臂210的端的第一臂208。第二臂210沿第二方向从其结合到晶片接触件212之处延伸。

框架202包含界定框架202的周边的外部部分214。垂直突部216可被包含在框架202内，举例来说，以增加框架202的刚性，协助框架202在晶片载体内的对准，与晶片载体的特征介接，或在所述晶片载体内执行其它功能。

沟槽204可接收晶片缓冲器200经安装到其中的晶片载体(未展示)的一或多个保持特征以对准所述晶片载体内的框架。在非限制性实施例中，所述晶片载体的保持特征可包含凸缘(未展示)，所述凸缘可卡扣到沿沟槽204穿过框架202的开口(未展示)中以在框架202与晶片载体之间提供卡扣配合。

在图2中展示的实施例中，弹性梁206定位在框架202的每一侧，结合到外部部分214。第一臂208从框架202的外部部分214朝向框架202的中心线向内延伸。

第二臂210在第一臂208的与其结合到框架202之处相对的端处结合到所述第一臂208。第二臂210沿与第一臂208延伸的方向不同的第二方向从其结合到第一臂208之处延伸。相对于框架202的周边及中心线，所述第二方向可与所述第一方向相反。在实施例中，第二臂210可结合到第一臂208，使得在第一臂208与第二臂210之间形成角度。第二臂210可结合到第一臂208，使得在第一臂208与第二臂210之间形成角度。在实施例中，第一臂208与框架202之间的角度在从0°到40°的范围内。在实施例中，第一臂208与第二臂210之间的角度在从5°到40°的范围内。在实施例中，第二臂210的长度与第一臂208的长度之比可在从2:1到1:3的范围内。在实施例中，第二臂210可具有第一臂208的长度的至少一半的长度。在其中所述晶片缓冲器200经配置以用于300mm FOUP中的实施例中，所述第一臂208可具有在从25mm到45mm的范围中的长度。在晶片缓冲器200定位在晶片载体内的凹槽中的实施例中，第一臂208及第二臂210的长度及角度可使得晶片接触件220定位在所述晶片载体中的所述凹槽内。

如图2中所展示，第二臂210在其从第一臂208延伸到晶片接触件212时可为弯曲的。第二臂210沿向上方向远离第一臂208弯曲到晶片接触件212。第二臂210的弯曲可使得当衬底与晶片接触件212接触时，在晶片接触件212外部与衬底最接近的部分是次级接触点218，所述次级接触点218定位在第二臂210结合到第一臂208之处或附近。次级接触点218可在例如冲击事件的特定条件下接触所述晶片。作为非限制性实例，此类冲击事件可包含所述载体的举例来说归因于坠落、误操作、运输车辆的制动，及所述晶片载体的其它此移动的突然加速或减速以补充保持力。在实施例中，当所述晶片对于所述晶片载体来说尺寸过大时，举例来说，当301mm或更大晶片被放置在300mm FOUP中时，所述次级接触点218也可接触所述晶片。

晶片接触件212在第二臂210的与第二臂210结合到第一臂208之处相对的端处结合到第二臂210。晶片接触件212是经配置以当衬底在晶片容器内时接合所述衬底的特征。晶片接触件212可包含经配置以接触所述衬底的边缘的表面。在实施例中，经配置以接触所述衬底的所述边缘的所述表面可为弯曲的，具有凸形。所述凸形可在晶片接触件212与所述衬底之间提供滚动界面。所述滚动界面可通过所述衬底与沿所述表面的边缘或点之间的接触减小粒子的产生。在实施例中，晶片接触件212是v形沟槽晶片接触件，其包含远离彼此延伸的耳部，其中表面经配置以在由所述耳部在其远离彼此延伸时形成的V形的顶点处或附近接触所述衬底的所述边缘。此晶片接触件在图4A中展示并在下文描述。在实施例中，晶片接触件212是桨式晶片接触件，其具有加宽部分及从所述加宽部分延伸的彼此平行的两个耳部。当所述晶片接触件212是桨式晶片接触件时，所述表面经配置以接触位于所述耳部之间的衬底。此晶片接触件在图5中展示并在下文描述。

图3展示当衬底302与包含根据实施例的弹性梁300的晶片缓冲器接触时的所述弹性梁300的截面图。弹性梁300包含第一臂304、第二臂306，及晶片接触件308。

作为非限制性实例，衬底302是用于半导体制造中的衬底。衬底302可放置在包含晶片缓冲器的晶片载体中用于例如在使用所述衬底制造半导体期间运输或处理。

第一臂304结合到例如框架102或框架202的框架，或与例如FOUP的晶片载体集成地形成或直接结合到所述晶片载体的一部分。第一臂304沿第一方向从其结合到所述晶片载体的框架或表面之处延伸到其结合到第二臂306的第一臂端304。

第二臂306从第一臂304延伸到晶片接触件308。如图3中可见，第二臂306在其从其结合到第一臂304的端延伸到包含晶片接触件308的端时弯曲。此弯曲可导致次级接触点310位于第二臂306结合到第一臂304之处或附近，即第二臂306上最接近衬底302的点。次级接触点310可在例如冲击事件的特定条件下接触晶片。作为非限制性实例，此类冲击事件可包含所述载体的例如归因于坠落、误操作、运输车辆的制动及所述晶片载体的其它此移动的突然加速或减速。当次级接触点310以及晶片接触件308接触衬底302时，弹性梁300将额外保持力提供到所述衬底302。

晶片接触件308是弹性梁300接触所述衬底302之处。举例来说，如图3中所展示，晶片接触件308可包含v形沟槽晶片接触件，其中所述衬底302固持在形成V形的两个耳部之间。在图3的截面图中，耳部中的一者(耳部312)是可见的，被与耳部312接触的衬底302部分遮挡。所述晶片接触件308的接触衬底302的表面可具有凸面，所述凸面朝向衬底302向外弯曲且弯折。所述凸面可允许与所述衬底302的接触为滚动型接触，且减少增加由衬底302与晶片接触件308之间的接触造成的应力或粒子产生的点。

如图3中所展示，衬底302在正常条件中仅接触弹性梁的晶片接触件308。举例来说，在冲击事件期间，当所述衬底相对于所述晶片载体的加速超过阈值时，在冲击事件期间衬底302的位移及弹性梁的第二臂的偏转可允许所述衬底302接触弹性梁300的次级接触点310。冲击事件可根据晶片载体的特定应用及处置过程来界定。在非限制性实施例中，冲击事件可通过所述晶片载体的大于大约2m/s²的加速或减速界定。在一些实施例中，弹性梁300可经配置使得在所有条件下(包含冲击事件以及晶片载体的正常处置)仅晶片接触件308与衬底302接触。在实施例中，举例来说，当所述衬底302相对于所述晶片载体尺寸过大时，举例来说，当衬底302是301mm或更大晶片且包含弹性梁300的所述晶片载体是300mmFOUP时，也可接触次级接触点310。

图4A是根据实施例的晶片接触件400的透视图。图4B是图4A中展示的所述晶片接触件400的横截面视图。在图4A及4B中展示的实施例中，所述晶片接触件400是V形沟槽晶片接触件。晶片接触件400可定位在弹性梁的臂的端处，例如上文描述及图1中所展示的弹性梁104的第二臂108，或上文描述及图2中所展示的弹簧梁206的第二臂210。晶片接触件400是V形沟槽晶片接触件，其包含第一耳部402A，及第二耳部402B。接触表面404定位在所述第一耳部402A结合到所述第二耳部402B之处。如图4A中可见，所述接触表面404可具有凸形。第二耳部可为第一耳部402的镜像。第一耳部402A及第二耳部402B在其远离接触表面404延伸时发散，从而与接触表面404形成V形作为顶点。当晶片接触件正接触衬底时，所述衬底可接触接触表面及第一耳部402A及第二耳部402B的部分。特定接触点可随通过晶片接触件400接触的晶片的特定几何形状而变化。

图5展示根据实施例的晶片接触件450的平面图。在图5中所展示的实施例中，所述晶片接触件450是桨形晶片接触件。晶片接触件450可定位在弹性梁的臂的端处，例如上文描述及图1中所展示的弹性梁104的第二臂108，或上文描述及图2中所展示的弹簧梁206的第二臂210。晶片接触件450可包含加宽部分452，所述加宽部分452具有大于晶片接触件450所附接到的弹性梁的臂的宽度的宽度。两个耳部454可从所述加宽部分452延伸。在实施例中，两个耳部454彼此平行延伸且垂直于接触表面456延伸。所述接触表面456可位于晶片接触件450的所述加宽部分452上的耳部454之间。所述接触表面456可为凸形的，且包含沿耳部454延伸的方向向外凸起的弯曲。特定接触点可随通过晶片接触件400接触的晶片的特定几何形状而变化。

图6展示根据实施例的FOUP 500。FOUP 500包含多个弹性梁502，所述多个弹性梁502从门504延伸。弹性梁502中的每一者包含第一臂506及第二臂508，其中晶片接触件510在第二臂508的端处。

在实施例中，所述多个弹性梁502与所述FOUP 500的门504集成。

在实施例中，所述多个弹性梁502附接到框架，例如上文描述及图1中所展示的框架102，所述框架与FOUP 500的门504分开。所述框架可通过举例来说一或多个结合方法结合到门504，其中非限制性实例包含粘合剂、卡扣式特征、凸缘及突片。

弹性梁502中的每一者包含晶片接触件510。弹性梁502可为v形弹簧。弹性梁502可成对布置，其中每一对经配置以当衬底被放置在晶片载体内部时，经由成对的弹性梁502的晶片接触件510接触一个衬底。弹性梁502可经对准，使得所述弹性梁502一起提供经定位以当一个衬底被放置在FOUP 500内时，接触所述衬底的两个晶片接触件510。

弹性梁502各自包含第一臂506及第二臂508。第二臂508结合到第一臂506。第一臂506可沿第一方向延伸。第二臂508可沿与所述第一臂506延伸的所述第一方向不同的第二方向延伸。在实施例中，第二臂508可沿与第一臂506延伸的方向相反的方向延伸。第二臂508可结合到第一臂506，使得在第一臂506与第二臂508之间形成角度。第二臂508可结合到第一臂506，使得在第一臂506与第二臂508之间形成角度。在实施例中，第一臂506与框架502之间的角度在从0°到40°的范围内。在实施例中，第一臂506与第二臂508之间的角度在从5°到40°的范围内。在实施例中，第二臂508的长度与第一臂506的长度之比可在2:1到1:3的范围内。在实施例中，第二臂508可具有第一臂506的长度的至少一半的长度。在其中FOUP500是300mm FOUP的实施例中，所述第一臂506可具有在从55mm到45mm的范围中的长度。

晶片接触件510定位在第二臂508的与第二臂508结合到第一臂506之处相对的端处。晶片接触件510是经配置以当衬底在所述晶片容器内时接合所述衬底的特征。晶片接触件510可包含经配置以接触所述衬底的边缘的表面。在实施例中，经配置以接触所述衬底的所述边缘的所述表面可为弯曲的，具有凸形。所述凸形可在晶片接触件510与衬底之间提供滚动界面，且可通过所述衬底与沿所述表面的边缘或点之间的接触而限制粒子的产生。在实施例中，晶片接触件510是v形沟槽晶片接触件，其包含远离彼此延伸的耳部，其中表面经配置以在由所述耳部在其远离彼此延伸时形成的V形的顶点处或附近接触所述衬底的所述边缘。此晶片接触件在图4A中展示并在上文描述。在实施例中，晶片接触件510是桨式晶片接触件，其具有加宽部分及从所述加宽部分延伸的彼此平行的两个耳部。当所述晶片接触件510是桨式晶片接触件时，所述表面经配置以接触定位在所述耳部之间的衬底。此晶片接触件在图5中展示并在上文描述。在实施例中，除定位在所述第二臂508的与第二臂508结合到第一臂506之处相对的端处的晶片接触件510外，未在弹性梁502上提供其它晶片接触件。

多个弹性梁502经定位，使得其在FOUP的内部空间512中提供晶片接触件510。在实施例中，所述弹性梁502从所述FOUP的门突出到所述FOUP的所述内部空间512中。所述FOUP可进一步包含沿所述FOUP的侧壁514的晶片支撑件516，所述晶片支撑件516在衬底518处于FOUP中时支撑所述衬底518。

方面：

应了解，方面1到7中任一方面可与方面8到16或方面17到20中任一方面组合。应了解，方面8到16中任一方面可与方面17到20中任一方面组合。

方面1.一种晶片缓冲器，其包括：框架；及多个弹性梁，其中所述多个弹性梁中的每一者包含：第一臂，其结合到所述框架且沿第一方向延伸到第一臂端；第二臂，其在所述第一臂端处结合到所述第一臂且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸到第二臂端；及晶片接触件，其在所述第二臂端处结合到所述第二臂。

方面2.根据方面1所述的晶片缓冲器，其中所述多个弹性梁经配置使得当晶片通过所述多个弹性梁的两者支撑时，所述晶片仅在所述多个弹性梁的所述两者的所述第二臂的所述端处接触所述晶片接触件。

方面3.根据方面1到2中任一方面所述的晶片缓冲器，其中所述晶片接触件是V形沟槽晶片接触件或桨形晶片接触件。

方面4.根据方面1到3中任一方面所述的晶片缓冲器，其中经配置以接触晶片的所述晶片接触件的表面具有凸面。

方面5.根据方面1到4中任一方面所述的晶片缓冲器，其中所述第一臂在所述框架的周边处结合到所述框架，且所述第一方向朝向所述框架的中心线。

方面6.根据方面1到5中任一方面所述的晶片缓冲器，其中所述弹性梁中的每一者包含所述第二臂上的次级接触点，所述次级接触点定位在所述第二臂结合到所述第一臂之处，且其中所述次级晶片接触件经配置以仅在冲击事件发生时接触晶片。

方面7.一种晶片载体，其包括晶片缓冲器，其中所述晶片缓冲器包含：框架；及多个弹性梁，其中所述弹性梁中的每一者包含：第一臂，其结合到所述框架且沿第一延伸到第一臂端；第二臂，其在所述第一臂端处结合到所述第一臂且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸到第二臂端；及晶片接触件，其在所述第二臂端处结合到所述第二臂。

方面8.根据方面7所述的晶片缓冲器，其中所述晶片缓冲器安装在所述晶片载体的门上。

方面9.根据方面7到8中任一方面所述的晶片缓冲器，其中所述晶片载体是前开式晶片传送盒。

方面10.根据方面7到9中任一方面所述的晶片缓冲器，其中所述多个弹性梁经配置使得当晶片通过所述多个弹性梁的两者支撑时，所述晶片仅在所述晶片载体静止时，在所述多个弹性梁的所述两者的所述第二臂的所述端处接触所述晶片接触件。

方面11.根据方面7到10中任一方面所述的晶片缓冲器，其中所述晶片接触件中的每一者是V形沟槽晶片接触件或桨形晶片接触件。

方面12.根据方面7到11中任一方面所述的晶片缓冲器，其中经配置以接触晶片的所述晶片接触件的表面具有凸面。

方面13.根据方面7到12中任一方面所述的晶片缓冲器，其中所述第一臂在所述框架的周边处结合到所述框架，且所述第一方向朝向所述框架的中心线。

方面14.根据方面7到13中任一方面所述的晶片缓冲器，其中所述弹性梁中的每一者包含所述第二臂上的次级接触点，所述次级接触点定位在所述第二臂结合到所述第一臂之处，且其中所述次级晶片接触件经配置以仅在冲击事件发生时接触晶片。

方面15.一种支撑晶片的方法，其包括：在两个晶片接触件处接触所述衬底，其中所述两个晶片接触件中的每一者结合到单独弹性梁，所述弹性梁每一者包含沿第一方向延伸的第一臂，及结合到所述第一臂且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二臂，且所述晶片接触件位于所述第二臂的与所述第二臂结合到所述第一臂之处相对的端处。

方面16.根据方面15所述的方法，其进一步包括当冲击事件发生时，在所述晶片接触件定位在其上的v形弹簧的第二臂上的两个次级接触点处接触所述衬底。

方面17.根据方面15所述的方法，其中所述衬底仅在所述两个晶片接触件处与所述弹性梁接触。

方面18.根据方面15到17中任一方面所述的方法，其中所述晶片接触件具有凸面，所述晶片接触件经配置以在所述凸面处接触所述衬底。

因此，在已描述本公开的几个阐释性实施例的情况下，所属领域的技术人员将易于了解，在本公开的所附权利要求书的范围内，可制造及使用又其它实施例。全文描述中已阐述本文件所覆盖的本公开的许多优点。然而，应了解，本公开在许多方面仅为阐释性的。在不超出本公开的范围的情况下，可对细节尤其是在零件的形状、尺寸及布置的事项上进行更改。当然，本公开的范围用表达所附权利要求书的语言界定。

Claims (18)

1.一种晶片缓冲器，其包括：

框架；及

多个弹性梁，其中所述多个弹性梁中的每一者包含：

第一臂，其结合到所述框架且沿第一方向延伸到第一臂端；

第二臂，其在所述第一臂端处结合到所述第一臂，且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸到第二臂端；及

晶片接触件，其在所述第二臂端处结合到所述第二臂。

2.根据权利要求1所述的晶片缓冲器，其中所述多个弹性梁经配置使得当晶片通过所述多个弹性梁中的两者支撑时，所述晶片仅在所述多个弹性梁中的所述两者的所述第二臂的所述端处接触所述晶片接触件。

3.根据权利要求1所述的晶片缓冲器，其中所述晶片接触件是V形沟槽晶片接触件或桨形晶片接触件。

4.根据权利要求1所述的晶片缓冲器，其中经配置以接触晶片的所述晶片接触件的表面具有凸面。

5.根据权利要求1所述的晶片缓冲器，其中所述第一臂在所述框架的周边处结合到所述框架，且所述第一方向朝向所述框架的中心线。

6.根据权利要求1所述的晶片缓冲器，其中所述弹性梁中的每一者包含所述第二臂上的次级接触点，所述次级接触点位于所述第二臂结合到所述第一臂之处，且其中所述次级晶片接触件经配置以仅在冲击事件发生时才接触晶片。

7.一种晶片载体，其包括晶片缓冲器，其中所述晶片缓冲器包含：

框架；及

多个弹性梁，其中所述弹性梁中的每一者包含：

第一臂，其结合到所述框架且沿第一延伸到第一臂端；

第二臂，其在所述第一臂端处结合到所述第一臂，且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸到第二臂端；及

晶片接触件，其在所述第二臂端处结合到所述第二臂。

8.根据权利要求7所述的晶片载体，其中所述晶片缓冲器安装在所述晶片载体的门上。

9.根据权利要求7所述的晶片载体，其中所述晶片载体是前开式晶片传送盒。

10.根据权利要求7所述的晶片载体，其中所述多个弹性梁经配置使得当晶片通过所述多个弹性梁中的两者支撑时，在所述晶片载体静止时，所述晶片仅在所述多个弹性梁中的所述两者的所述第二臂的所述端处接触所述晶片接触件。

11.根据权利要求7所述的晶片载体，其中所述晶片接触件中的每一者是V形沟槽晶片接触件或桨形晶片接触件。

12.根据权利要求7所述的晶片载体，其中经配置以接触晶片的所述晶片接触件的表面具有凸面。

13.根据权利要求7所述的晶片载体，其中所述第一臂在所述框架的周边处结合到所述框架，且所述第一方向朝向所述框架的中心线。

14.根据权利要求7所述的晶片载体，其中所述弹性梁中的每一者包含所述第二臂上的次级接触点，所述次级接触点位于所述第二臂结合到所述第一臂之处，且其中所述次级晶片接触件经配置以仅在冲击事件发生时才接触晶片。

15.一种支撑晶片的方法，其包括：

在两个晶片接触件处接触所述晶片，

其中所述两个晶片接触件中的每一者结合到单独弹性梁，

所述弹性梁各自包含沿第一方向延伸的第一臂，及结合到所述第一臂且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二臂，且

所述晶片接触件位于所述第二臂的与所述第二臂结合到所述第一臂之处相对的端处。

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括当冲击事件发生时，在所述晶片接触件定位在其上的v形弹簧的第二臂上的两个次级接触点处接触所述晶片。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述晶片仅在所述两个晶片接触件处与所述弹性梁接触。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述晶片接触件具有凸面，所述晶片接触件经配置以在所述凸面处接触所述晶片。

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