CN114122121B - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置，包括显示区和非显示区。显示装置包括：基板；无机绝缘层，设置在基板的一侧，并在对应非显示区设置第一凹槽，第一凹槽的开口远离所述基板，第一凹槽中设置金属挡墙；发光层，设置在无机绝缘层远离基板的一侧；封装层，设置在发光层远离基板的一侧，并从显示区延伸至非显示区。其中，封装层在非显示区与第一凹槽重叠设置，且封装层的边缘与无机绝缘层边缘之间存在第一间隙。

Description

显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是一种显示装置。

背景技术

有机发光显示装置利用有机发光二极管的自发光实现显示，具有功耗低、响应快、视角大等优点。为了提升产品画质、降低产品功耗，低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管和金属氧化物(metal oxide)薄膜晶体管集成在同一背板上。因而低温多晶硅薄膜晶体管的高迁移率、对像素电容的充电速度快的优点以及具有金属氧化物的薄膜晶体管漏电低的优势可同时兼备。然而，薄膜晶体管的金属氧化物对氢非常敏感。当氢侵入到金属氧化物后，器件特性将会恶化，从而影响产品品质。所以在制造时需尽量降低金属氧化物上下膜层中的氢含量，避免高氢含量的膜层直接接触金属氧化物器件的沟道区。故通常在紧邻金属氧化物上下层设置为氧化硅层。但是氧化硅对大气环境中水氧的阻隔能力较差，而水氧同样会影响金属氧化物的特性。

在目前有源矩阵有机发光晶体管(active matrix organic light emittingdiode,AMOLED)背板设计中，通常采用薄膜封装(thin film encapsulation,TFE)技术。但切割无机绝缘层时，会产生裂纹并向有源区延伸导致产品不良，故一般不会将TFE层覆盖二切线(2nd Cutting Line)，而是设计将其距二切线一定距离，降低切割裂纹及延伸风险。但是这样的设计可能会使得水汽、氧气等容易入侵到金属氧化物，即水汽、氧气等沿着氧化硅制成的无机绝缘层入侵到金属氧化物，造成薄膜晶体管器件特性发生恶化，进而导致产品异常。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请利用向基板延伸的源极漏极层，以降低环境水氧对薄膜晶体管的金属氧化物器件的影响，防止环境中的水汽、氧气等向显示装置内扩散，因而提高显示装置的稳定性。

基于上述目的，本申请提供一种显示装置，包括显示区和非显示区。显示装置包括：基板；无机绝缘层，设置在基板的一侧，并在对应非显示区设置第一凹槽，第一凹槽的开口远离基板，第一凹槽中设置金属挡墙；发光层，设置在无机绝缘层远离基板的一侧；封装层，设置在发光层远离基板的一侧，并从显示区延伸至非显示区。其中，封装层在非显示区与第一凹槽重叠设置，且封装层的边缘与无机绝缘层边缘之间存在第一间隙。

在本申请的一实施例中，显示装置还包括：第一金属层，设置在无机绝缘层远离所述基板的一侧，第一金属层包括多条设置在非显示区的外围走线，第一凹槽中设置金属挡墙与至少一条外围走线电连接。

在本申请的一实施例中，第一凹槽中的金属挡墙与最远离显示区的外围走线电连接。

在本申请的一实施例中，显示装置还包括：驱动电路层，包括多个设置在无机绝缘层中的晶体管；第一金属层还包括设置在显示区中的源极漏极走线，源极漏极走线与对应的晶体管电连接。

在本申请的一实施例中，驱动电路层包括：第一半导体层；第一栅极层，设置在半导体层远离基板的一侧；第二栅极层，设置在第一栅极层远离基板的一侧；第二半导体层，设置在第二栅极层远离基板的一侧；第三栅极层，设置在第二半导体层远离基板的一侧；源极漏极层，设置在第二栅极层远离基板的一侧，且分别与第一半导体层和第二半导体层电连接。无机绝缘层包括：缓冲层，设置在基板的一侧，其中，第一半导体层设置在缓冲层远离基板的一侧；第一栅极绝缘层，设置在半导体层和第一栅极层之间；第二栅极绝缘层，设置在第一栅极层和第二栅极层之间；第三栅极绝缘层，设置在第二栅极层和第二半导体层之间；第四栅极绝缘层，设置在第二半导体层和第三栅极层之间；层间绝缘层，设置在第三栅极层和源极漏极层之间；其中，第一凹槽从层间绝缘层延伸至第二栅极绝缘层。

在本申请的一实施例中，第三栅极绝缘层更包括第一层间绝缘膜层及第二层间绝缘膜层，第一层间绝缘膜层设置在第二栅极绝缘层上，第二层间绝缘膜层设置在第一层间绝缘膜层及第四栅极绝缘层之间。

在本申请的一实施例中，显示装置还包括：平坦层，设置在第一金属层远离基板的一侧，平坦层设置在显示区并延伸至非显示区，平坦层的边缘与无机绝缘层边缘之间存在第二间隙，第二间隙大于第一间隙。

在本申请的一实施例中，显示装置还包括设置在平坦层远离基板的一侧的第二金属层，第二金属层包括设置在显示区的阳极和非显示区中的跨接线，跨接线与金属挡墙电连接。

在本申请的一实施例中，显示装置还包括阴极，设置在发光层远离所述基板的一侧，其中，阴极在非显示区与跨接线电连接。

在本申请的一实施例中，第一凹槽环绕显示区设置。

附图说明

图1为本申请的显示装置的俯视图。

图2为本申请的显示装置的第一示意图。

图3为本申请的显示装置的第二示意图。

图4为本申请的显示装置的第三示意图。

图5为本申请的显示装置的第四示意图。

图6为本申请的显示装置的第五示意图。

图7为本申请的显示装置的第六示意图。

图8为本申请的显示装置的第七示意图。

图9为本申请的显示装置的第七示意图。

图10为本申请的第一金属层的示意图。

图11为本申请的第二金属层的示意图。

图12为本申请的显示装置的电路图。

具体实施方式

为了让本申请的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本申请优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。再者，本申请所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。

在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。

如图1至图9所示，本申请提供了一种显示装置10。显示装置10有显示区AA和非显示区。显示区AA为阴极500设置的区域；非显示区包括第一走线区域VSS、第二走线区域GOA及第三走线区域VI。显示区AA为阴极500设置的区域。阴极信号由第一走线区域VSS所提供，第二走线区域GOA为驱动电路设置的区域，第三走线区域VI为复位走线设置的区域。

显示装置10包括基板、无机绝缘层、像素定义层300、发光层400以及封装层。显示装置10可为具有显示功能的手机屏幕、电脑屏幕等。图1中显示装置10的最外缘可为二次切割线。图2至图9为图1沿虚线AA’的剖视图。

进一步说明，如图2置图9所示，基板可包括第一基板层101、第一阻挡层102、第二基板层103及第二阻挡层104。第一阻挡层102设置于第一基板层101上，第二基板层103设置于第一阻挡层102上，第二阻挡层104设置于第二基板层103上。在一实施例中，第一基板层101及第二基板层103可为柔性基板。具体地，第一基板层101及第二基板层103可以聚酰亚胺制作。

无机绝缘层可设置在基板的一侧。在无机绝缘层中，对应所述非显示区设置有第一凹槽201，第一凹槽201的开口远离基板，第一凹槽201中填充有金属挡墙以阻挡水气、氧气等。

在一实施例中，第一凹槽201可环绕显示区AA设置。例如，参照图1至图2可知，第一凹槽201可设置在第二走线区域GOA中，而沿着第二走线区域GOA环绕显示区AA，因此可以阻挡水气由基板方向侵入显示装置10之中。

发光层400可设置在无机绝缘层远离基板的一侧。在一实施例中，发光层400可包括多个有机发光晶体管。

封装层可设置在发光层400远离基板的一侧，并从显示区AA延伸至非显示区。在一实施例中，本申请的显示装置10是以薄膜封装技术进行封装，而封装层包括第一封装层601及第二封装层602。另外，封装层在非显示区与第一凹槽201重叠设置，且封装层的边缘与无机绝缘层边缘之间存在第一间隙。

进一步说明，第一间隙对应二切线(2nd Cutting Line)的位置，因此在对应第一间隙的第一凹槽201设置金属挡墙可避免水汽、氧气等容易入侵到金属氧化物，即水汽、氧气等沿着氧化硅制成的无机绝缘层入侵到金属氧化物，造成薄膜晶体管器件特性发生恶化，进而导致产品异常。

在一实施例中，显示装置10的还包括第一金属层。第一金属层设置在无机绝缘层远离基板的一侧。如图2至图9所示，第一金属层包括多条设置在非显示区的外围走线，例如源漏极走线等。而第一凹槽201中的金属挡墙与至少一条外围走线电连接。

更进一步，第一凹槽201中填充的金属挡墙与最远离显示区AA的外围走线电连接。如图2至图9所示，填充在第一凹槽201的金属挡墙可与第一金属层外围走线电连接。

在一实施例中，显示装置10还包括驱动电路层。驱动电路层包括多个设置在无机绝缘层中的晶体管，晶体管可薄膜晶体管。第一金属层还包括设置在显示区中的源极漏极走线，源极漏极走线与对应的晶体管电连接。另外，源极漏极走线可以填充在第一凹槽201的金属挡墙制成。

进一步说明，驱动电路层包括第一半导体层107；第一栅极层109，设置在第一半导体层107远离基板的一侧；第二栅极层111，设置在第一栅极层109远离基板的一侧；第二半导体层114，设置在第二栅极层111远离基板的一侧；第三栅极层116，设置在第二半导体层114远离基板的一侧；源极漏极层设置在第二栅极层111远离基板的一侧，且分别与第一半导体层107和第二半导体层114电连接。

在一實施例中，第一半导体层107包括非晶硅。而在另一实施例中，多晶硅可以雷射退火(excimer laser annealing)的方式形成于第一半导体层107中，以提供对于电子及电洞具有高移动率的半导体沟道。换言之，具有第一半导体层107的薄膜晶体管可为低温多晶硅薄膜晶体管(low temperature poly-silicon thin film transistor,LTPS TFT)。

在一实施例中，第二半导体层114可包括氧化铟镓锌。换言之，具有第二半导体层114的薄膜晶体管可为铟镓锌氧薄膜晶体管(indium gallium zinc oxide thin filmtransistor,IGZO TFT)。使用IGZO TFT薄膜晶体管可降低漏电流。

进一步说明，在一实施例中，如图2至图9所示，第一金属层可包括第一源漏极层119及第二源漏极层120。第二源漏极层120设置在第一源漏极层119上，且与第一源漏极层119电连接。

在一实施例中，如图10所示，源极漏极层为具有高耐腐蚀性和高耐酸性的金属形成的多层结构。具体地，第一源漏极层119可包括第一源漏极膜层1191、第二源漏极膜层1192及第三源漏极膜层1193。其中，第一源漏极膜层1191及第三源漏极膜层1193可由钛所制成，第二源漏极膜层1192可由铝所制成，但不以此为限。第一源漏极层119亦可为单层结构，或是第一源漏极膜层1191、第二源漏极膜层1192及第三源漏极膜层1193可依据需求以其它材质制成。

在另一实施例中，如图11所示，第二源漏极层120可包括具有高耐腐蚀性和高耐酸性的金属形成的多层结构。具体地，第二源漏极层120可包括第四源漏极膜层1201、第五源漏极膜层1202及第六源漏极膜层1203。其中，第四源漏极膜层1201及第六源漏极膜层1203可由钛所制成，第五源漏极膜层1202可由铝所制成，但不以此为限。第二源漏极层120亦可为单层结构，或是第四源漏极膜层1201、第五源漏极膜层1202及第六源漏极膜层1203可依据需求以其它材质制成。

而上述的无机绝缘层包括：缓冲层，设置在基板的一侧，其中，第一半导体层107设置在缓冲层远离基板的一侧；第一栅极绝缘层108，设置在第一半导体层107和第一栅极层109之间；第二栅极绝缘层110，设置在第一栅极层109和第二栅极层111之间；第三栅极绝缘层，设置在第二栅极层111和第二半导体层114之间；第四栅极绝缘层115，设置在第二半导体层114和第三栅极层116之间；层间绝缘层121，设置在第三栅极层116和源极漏极层之间；其中，第一凹槽201从层间绝缘层121延伸至第二栅极绝缘层110。

进一步说明，缓冲层设置在基板上。在一实施例中，缓冲层包括第一缓冲膜层105及第二缓冲膜层106。第一缓冲膜层105设置于基板上，第二缓冲膜层106设置于第一缓冲膜层105上。第一缓冲膜层105包括氮化硅，第二缓冲膜层106包括氧化硅。第一半导体层107，设置于缓冲层上，填充第一凹槽201。第一栅极绝缘层108设置于缓冲层上，且覆盖第一半导体层107。第一栅极层109设置于第一栅极绝缘层108上。第二栅极绝缘层110，设置于第一栅极绝缘层108上。

除此之外，显示装置10还包括平坦层，平坦层设置在第一金属层远离基板的一侧。且在一实施例中，平坦层可包括第一平坦层117及第二平坦层118。第一平坦层117设置于层间绝缘层121上，第二平坦层118设置于第一平坦层117上。平坦层设置在显示区并延伸至非显示区，平坦层的边缘与无机绝缘层边缘之间存在第二间隙，第二间隙大于第一间隙。

进一步说明，第一金属层可设置在层间绝缘层121上，且由第一平坦层117所覆盖；第二金属层可设置在第一平坦层117上，且由第二平坦层118所覆盖；第二凹槽202可定义在的非显示区域中，且位于第一平坦层117中；而第二金属层的金属挡墙可填充第二凹槽202且与第一金属层相连接。

在一实施例中，第二金属层设置在平坦层远离基板的一侧，第二金属层包括设置在显示区AA的阳极200和非显示区中的跨接线210，跨接线210与金属挡墙电连接。阳极200设置在平坦层远离基板的一侧。在非显示区的跨接线210与金属挡墙电连接。

如图2至图9所示，显示装置10还包括像素定义层300、阴极500及彩膜层700。阴极500设置在发光层400远离基板的一侧。具体地，阴极500整面铺设在发光层400远离基板的一侧，并在非显示区与跨接线210电连接。且在一实施例中，跨接线210是阳极200同层金属制备的跨接线210。像素定义层300设置在阳极200上。发光层400设置于像素定义层300上。

另外，如图2至图9所示，阴极500设置在像素定义层300上覆盖发光层400。封装层设置在阴极500上并覆阳极200、像素定义层300、发光层400及阴极500。且在一实施例中，彩膜层700可以喷墨打印方式设置于第一封装层601及第二封装层602之间。

第三栅极绝缘层更包括第一层间绝缘膜层112及第二层间绝缘膜层113，第一层间绝缘膜层112设置在第二栅极绝缘层110上，第二层间绝缘膜层113设置在第一层间绝缘膜层112及第四栅极绝缘层115之间。

在一实施例中，如图2至图6所示，第三栅极绝缘层更包括第一层间绝缘膜层112及第二层间绝缘膜层113。第一层间绝缘膜层112设置在第二层间绝缘膜层113上。第二层间绝缘膜层113设置在第二栅极绝缘层110上。第一层间绝缘膜层112包括氧化硅。第二层间绝缘膜层113包括氮化硅。

如图2所示，在一实施例中，第一凹槽201自层间绝缘层121延伸至第二层间绝缘膜层113的上表面，以阻挡水气、氢气、氧气等从基板方向扩散至第二半导体层114。

如图3所示，在一实施例中，第一凹槽201自层间绝缘层121延伸至第二层间绝缘膜层113的上表面及下表面之间，以阻挡水气、氢气、氧气等从基板方向扩散至第二半导体层114。

如图4所示，在一实施例中，第一凹槽201自层间绝缘层121延伸至第二层间绝缘膜层113的下表面以增加阻挡水气、氢气、氧气等从基板方向扩散至第二半导体层114的效果。

如图5所示，在一实施例中，第一凹槽201自延伸至第一功能层，以具有最佳的阻挡水气、氢气、氧气等从基板方向扩散至第二半导体层114的效果。

在另一实施例中，如图6至图9所示，第三栅极绝缘层仅包括第一层间绝缘膜层112。第一层间绝缘膜层112仅包括氧化硅。由于氧化硅对于水气、氢气、氧气等的阻挡能力不如氮化硅，换言之，此种结构对于水气、氢气、氧气等的阻挡能力不如第三栅极绝缘层包括第一层间绝缘膜层112及第二层间绝缘膜层113的实施例。因此如图6至图9所示第一凹槽201至少自层间绝缘层121至第二栅极绝缘层110上。

具体地，在一实施例中，如图6所示，第一凹槽201自层间绝缘层121延伸至第二栅极绝缘层110的上表面，以阻挡水气、氢气、氧气等从基板方向扩散至第二半导体层114。

在一实施例中，如图7所示，第一凹槽201自层间绝缘层121延伸至第二栅极绝缘层110的上表面及下表面之间，以阻挡水气、氢气、氧气等从基板方向扩散至第二半导体层114。

在一实施例中，如图8所示，第一凹槽201自层间绝缘层121延伸至第二栅极绝缘层110下表面之间，以阻挡水气、氢气、氧气等从基板方向扩散至第二半导体层114。

在一实施例中，如图9所示，第一凹槽201自层间绝缘层121延伸至第一栅极绝缘层108，可较图6至图8的结构中具有更佳的阻挡水气、氢气、氧气等从基板方向扩散至第二半导体层114的功效。

除了上述的第一凹槽201及第二凹槽202外，如图2至图9所示，显示装置10还定义有第三凹槽203、第四凹槽204、第五凹槽205、第六凹槽206及第七凹槽207。

在一实施例中，多个第三凹槽203定义于第二平坦层118中，阳极200设置于平坦层上，填充第三凹槽203，且与第二金属层相连接。

在一实施例中，第四凹槽204自层间绝缘层121延伸至第二半导体层114，第一金属层填充第四凹槽204与第二半导体层114相连接。

在一实施例中，第五凹槽205自层间绝缘层121延伸至第一半导体层107，第一金属层填充第五凹槽205与第一半导体层107相连接。

在一实施例中，第六凹槽206定义于像素定义层300上。发光层400填充于第六凹槽206中，阴极500覆盖发光层400。

在一实施例中，第七凹槽207自层间绝缘层121延伸至第二基板层103，部分第一平坦层117填充于第七凹槽207，以阻挡水气、氧气等侵入显示结构100。

在一实施例中，如图12所示，本申请显示装置10包括由7个薄膜晶体管及1个电容(7thin film transistors and 1capacitor,7T1C)构成的电路。具有第二半导体层114的薄膜晶体管可为图12中的薄膜晶体管T3或是薄膜晶体管T4，具有第一半导体层107的薄膜晶体管可为图12中除薄膜晶体管T3或是薄膜晶体管T4之外的薄膜晶体管。

因此，综上所述，本申请利用向基板延伸的源漏极层，以降低环境水氧对薄膜晶体管的金属氧化物器件的影响，防止环境中的水汽、氧气等向显示装置内扩散，特别是，可防止有源层被水汽、氧气等影响，因而提高显示装置的稳定性。

尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本申请，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本申请包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。

以上仅是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本领域普通技术人员，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括显示区和非显示区，其特征在于，包括：

基板；

无机绝缘层，设置在所述基板的一侧，并在对应所述非显示区设置第一凹槽，所述第一凹槽的开口远离所述基板，所述第一凹槽中设置有金属挡墙；

发光层，设置在所述无机绝缘层远离所述基板的一侧；

封装层，设置在所述发光层远离所述基板的一侧，并从所述显示区延伸至所述非显示区，所述封装层在所述非显示区与所述第一凹槽重叠设置，且所述封装层的边缘与所述无机绝缘层边缘之间存在第一间隙，所述非显示区包括设置有低电平线的第一走线区域，所述第一凹槽位于所述第一走线区域内，所述第一凹槽内的金属挡墙和低电平线；

其中，所述显示装置还包括设置于所述无机绝缘层上且位于所述无机绝缘层边缘的堤坝，所述堤坝与所述封装层分离设置。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：

第一金属层，设置在所述无机绝缘层远离所述基板的一侧，所述第一金属层包括多条设置在所述非显示区的外围走线，所述第一凹槽中设置金属挡墙与至少一条所述外围走线电连接。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一凹槽中的金属挡墙与最远离所述显示区的所述外围走线电连接。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还包括：

驱动电路层，包括多个设置在所述无机绝缘层中的晶体管；

所述第一金属层还包括设置在所述显示区中的源极漏极走线，所述源极漏极走线与对应的晶体管电连接。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路层包括：

第一半导体层；

第一栅极层，设置在所述半导体层远离所述基板的一侧；

第二栅极层，设置在所述第一栅极层远离所述基板的一侧；

第二半导体层，设置在所述第二栅极层远离所述基板的一侧；

第三栅极层，设置在所述第二半导体层远离所述基板的一侧；

源极漏极层，设置在所述第二栅极层远离所述基板的一侧，且分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层电连接；

所述无机绝缘层包括：

缓冲层，设置在所述基板的一侧，其中，所述第一半导体层设置在所述缓冲层远离所述基板的一侧；

第一栅极绝缘层，设置在所述半导体层和所述第一栅极层之间；

第二栅极绝缘层，设置在所述第一栅极层和所述第二栅极层之间；

第三栅极绝缘层，设置在所述第二栅极层和所述第二半导体层之间；

第四栅极绝缘层，设置在所述第二半导体层和所述第三栅极层之间；

层间绝缘层，设置在所述第三栅极层和所述源极漏极层之间；

其中，所述第一凹槽从所述层间绝缘层延伸至所述第二栅极绝缘层。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第三栅极绝缘层更包括第一层间绝缘膜层及第二层间绝缘膜层，所述第一层间绝缘膜层设置在所述第二栅极绝缘层上，所述第二层间绝缘膜层设置在所述第一层间绝缘膜层及所述第四栅极绝缘层之间。

7.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还包括：

平坦层，设置在所述第一金属层远离所述基板的一侧，所述平坦层设置在所述显示区并延伸至所述非显示区。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，还包括：

设置在所述平坦层远离所述基板的一侧的第二金属层，所述第二金属层包括设置在所述显示区的阳极和所述非显示区中的跨接线，所述跨接线与所述金属挡墙电连接。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，还包括：

阴极，设置在所述发光层远离所述基板的一侧，其中，所述阴极在所述非显示区与所述跨接线电连接。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一凹槽环绕所述显示区设置。