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CN114078993A - 化合物半导体元件及化合物半导体装置 - Google Patents

化合物半导体元件及化合物半导体装置 Download PDF

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CN114078993A
CN114078993A CN202110954336.1A CN202110954336A CN114078993A CN 114078993 A CN114078993 A CN 114078993A CN 202110954336 A CN202110954336 A CN 202110954336A CN 114078993 A CN114078993 A CN 114078993A
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CN
China
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layer
electrode
opening
conductive type
compound semiconductor
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Application number
CN202110954336.1A
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梁皓钧
杨伟善
詹耀宁
陈怡名
李世昌
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Original Assignee
Epistar Corp
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Abstract

本发明公开一种化合物半导体元件及化合物半导体装置，其中该化合物半导体元件包括有源结构、半导体接触层、电极、绝缘层、第一开口、以及第二开口。有源结构具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及有源层位于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间。半导体接触层位于第二导电型半导体层上且具有第一开口。电极具有一上表面，且电极完全覆盖半导体接触层。绝缘层覆盖电极及有源结构且具有第二开口。第二导电型半导体层自第一开口露出。电极自第二开口露出。

Description

化合物半导体元件及化合物半导体装置
技术领域
本发明涉及一种化合物半导体元件，特别是涉及一种具有半导体接触层的化合物半导体元件。
背景技术
随着科技的发展，化合物半导体材料已可被制造成各种化合物半导体元件，并广泛应用于照明、医疗、显示、通讯、感测、电源系统等领域。举例来说，包含三族及五族元素的化合物半导体材料可应用于光电半导体元件如发光二极管(Light emitting diode，LED)。
发明内容
本发明提供一种化合物半导体元件，包括有源结构、半导体接触层、电极、绝缘层、第一开口、以及第二开口。有源结构具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及有源层位于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间。半导体接触层位于第二导电型半导体层上且具有第一开口。电极具有一上表面，且完全覆盖半导体接触层。绝缘层覆盖电极及有源结构且具有第二开口。第二导电型半导体层自第一开口露出。电极自第二开口露出，该第一开口的边界与该第二开口的边界在水平方向上相隔一距离。
本发明提供一种化合物半导体装置，包括化合物半导体元件以及焊接线。化合物半导体元件包括有源结构、半导体接触层、电极、绝缘层、第一开口、以及第二开口。有源结构具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及有源层位于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间。半导体接触层位于第二导电型半导体层上且具有一第一开口。电极具有一上表面，且电极完全覆盖半导体接触层。绝缘层覆盖电极及有源结构且具有一第二开口。焊接线接合至电极，且焊接线与电极的接合处具有一接合宽度。第二导电型半导体层自第一开口露出。电极自第二开口露出。在化合物半导体元件的一剖面观之，第二开口的宽度大于接合宽度。
附图说明
图1A为剖面示意图，显示符合本发明的化合物半导体元件的一实施例；
图1B为图1A的局部放大图；其中图1B的上方图为上视示意图，图1B的下方图为沿剖面线AA’的剖面示意图；
图2A为剖面示意图，显示符合本发明的化合物半导体元件的一实施例；
图2B为图2A的局部放大图；其中图2B的上方图为上视示意图，图2B的下方图为沿剖面线BB’的剖面示意图；
图3A及图3B为上视示意图，显示符合本发明的半导体接触层及第一电极的实施例；
图4为剖面示意图，显示符合本发明的化合物半导体装置的一实施例。
符号说明
10 化合物半导体元件
11、11’ 区域
100 基板
102 中间层
103 有源(主动)结构
103a 第一导电型半导体层
103b 有源层
103c 第二导电型半导体层
103c1 平台部
103c2 凸部
104 半导体接触层
104a 内边界
104b 外边界
104c 断开部
104s 岛状结构
105 第一电极
105s 上表面
106 第二电极
107 绝缘层
107a 内边界
107b 外边界
20 化合物半导体装置
21 载板
22 第一接合垫
23 第二接合垫
24 焊接线
241 第一凸块
242 第二凸块
243 线体
C1 第一开口
C2 第二开口
CD1、CD2、D1、D2、D3、D4、D5 宽度
L 距离
具体实施方式
请参阅图1A及图1B，其中，图1A为剖面示意图，显示符合本发明的化合物半导体元件10的一实施例；图1B为图1A的局部放大图；其中图1B的上方图为上视示意图，图1B的下方图为沿剖面线AA’的剖面示意图。化合物半导体元件10包含基底100、中间层102、有源结构103、半导体接触层104、第一电极105、绝缘层107、第二电极106、第一开口C1、以及第二开口C2。图1A的区域11包含第一电极105及半导体接触层104。基底100可为导电基板，包含导电材料如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、碳化硅(SiC)、磷化镓(GaP)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、锗(Ge)或硅(Si)等。中间层102形成于基底100及有源结构103之间，并可因应化合物半导体元件1的设计要求提供晶格成长、晶格缓冲、结构接合、电性接触、光学反射、及/或电流分散等功能，且为实现上述功能，中间层102可包含对应功能的材料及结构，此为本领域人士所熟知，不在此赘述。
有源结构103形成于中间层102上，且具有第一导电型半导体层103a、有源层103b、以及第二导电型半导体层103c依序形成于中间层102上。半导体接触层104形成于有源结构103的第二导电型半导体层103c上，覆盖一部分的第二导电型半导体层103c。自化合物半导体元件10的上视观之，如图1B的上方图所示，半导体接触层104呈一封闭的环形(loop)，例如为圆环形。第一电极105例如呈一圆形且覆盖半导体接触层104的所有上表面及所有侧壁，即第一电极完全覆盖(围绕)半导体接触层104。在此实施例，自上视观之，半导体接触层104具有一内边界(内侧壁)104a以及一外边界(外侧壁)104b，其中，内边界104a定义出第一开口C1(即内边界104a为第一开口C1的边界)。外边界104b与内边界104a可呈相同或不同的几何图形。在本实施例，如图1B所示，内边界104a与外边界104b均呈圆形，且第一开口C1也呈圆形。外边界104b所定义的几何图形可具有一宽度D1，例如为外边界104b所定义的几何图形的最大宽度。在此实施例中，宽度D1即为圆环形的半导体接触层104的外径。在此实施例中，半导体接触层104具有一宽度D4。具体来说，宽度D4为外边界104b及内边界104a之间相隔的距离。在一实施例，宽度D1例如为75至120μm。宽度D4例如为3至15μm。如图1B所示，内边界104a所定义的几何图形可具有一宽度CD1，在此实施例中，其为内边界104a所定义的几何图形的最大宽度，在此实施例中，其等于第一开口C1的宽度CD1(即圆环形的半导体接触层104的内径)。第一电极105覆盖而填充于第一开口C1且与第二导电型半导体层103c相接。即，自第一开口C1露出的第二导电型半导体层103c与第一电极105相接，也就是第二导电型半导体层103c未被半导体接触层104覆盖的部分与第一电极105相接。在一实施例，宽度CD1不小于60μm，例如为60至100μm。
如图1A及图1B所示，绝缘层107覆盖第一电极105及有源结构103。自上视观之，绝缘层107具有一内边界(内侧壁)107a以及一外边界(外侧壁)107b，其中内边界107a定义出第二开口C2(即内边界107a为第二开口C2的边界)。外边界107b与内边界107a可呈相同或不同的几何图形。在本实施例，如图1B所示，外边界107b呈矩形，内边界107a呈圆形且第二开口C2也呈圆形。内边界107a所定义的几何图形可具有一宽度CD2，在此实施例中，其为几何图形的最大宽度，且等于第一开口C2的宽度CD2。如图1B的下方图所示，绝缘层107的内边界107a在垂直方向上与半导体接触层104的内边界104a不重叠。当将内边界107a与内边界104a垂直投影于第一电极105的上表面时，两者之间相隔一距离L。即，第一开口C1的边界与第二开口C2的边界在水平方向上相隔距离L。在一实施例，距离L可在大于0μm且小于5μm的范围内，例如为1至3μm。第一电极105的一部份上表面未被绝缘层107覆盖而自第二开口C2露出。在本实施例，自化合物半导体元件10的上视观之，如图1B所示，第二开口C2的边界完全位于第一开口C1的边界内，即，宽度CD1大于宽度CD2。在一实施例，宽度CD2不小于55μm，例如为55至115μm。在上视图中，第二开口C2的面积不小于2375μm2，例如为2800至10000μm2。在一实施例中，自化合物半导体元件10的上视观之，如图1B的上方图所示，第一开口C1及第二开口C2分别具有例如圆形或矩形的几何形状，并且大致具有相同的几何中心。
如图1A及图1B的下方图所示，第一电极105形成于有源结构103及半导体接触层104上，且第一电极105具有一宽度D2大于半导体接触层104的宽度D1。自上视观之，第一电极105具有一几何形状，例如圆形或矩形，并且与第一开口C1及/或第二开口C2大致具有相同的几何中心。在一实施例，第二开口C2的宽度CD2大于等于宽度D2的80％，例如大于等于宽度D2的90％且小于宽度D2。自上视观之，绝缘层107覆盖于第一电极105上表面105s的边缘，而靠近第一电极105的几何中心的部分未被绝缘层107覆盖。在一实施例，在第一电极105的上表面105s，绝缘层107所占面积比例小于等于30％，例如20％以下。在一实施例，宽度D2不小于100μm，例如为120至150μm。在此实施例，第一电极105填充第一开口C1且包覆半导体接触层104。第一电极105的厚度不小于3μm，例如为3至10μm。在一些实施例，当第一电极105的厚度在3μm以上，化合物半导体元件10的良率可进一步获得改善。在一些实施例，当第一电极105的厚度超过10μm，制作工艺中材料成本可能过高。
第二导电型半导体层103c具有平台部103c1及凸部103c2凸出于平台部103c1。凸部103c2的宽度小于平台部103c1的宽度。第一电极105位于凸部103c2上且不位于平台部103c1的外周围上，或者凸部103c2的宽度等于第一电极的宽度D2。凸部103c2的侧壁可与第一电极105的侧壁齐平。在此实施例，绝缘层107连续覆盖在第一电极105的上表面105s及侧壁、第二导电型半导体层103c的凸部103c2的侧壁、以及有源结构103上。如图1B的下方图所示，半导体接触层104的侧壁与第一电极105的侧壁间隔一距离D3，或者，半导体接触层104与绝缘层107未直接接触，并且间隔所述的距离D3。在一实施例，距离D3例如为1μm至10μm。平台部103c1及凸部103c2的组成材料可相同或不同。在一实施例，当平台部103c1及凸部103c2的组成材料不同时，以电子显微镜如SEM观察时可看到平台部103c1及凸部103c2之间存在明显界面。
在一些实施例，第一电极105覆盖半导体接触层104的所有上表面及所有侧壁，由此可保护半导体接触层104的材料，避免于制作工艺中半导体接触层104的材料因氧化等反应导致化合物半导体元件10的光电特性不佳的情况。
在一实施例中，自化合物半导体元件10的上视观之，第一电极105的几何中心及/或半导体接触层104的几何中心大致上重叠于化合物半导体元件10的几何中心。第二电极106形成于基底100的底面上，其中，第一电极105及第二电极106用以分别电连接至外部元件或电源的二端点。在一实施例，化合物半导体元件10可为一发光二极管芯片、激光二极管芯片或光电二极管芯片。
请参阅图2A及图2B，其中，图2A为剖面示意图，显示符合本发明的化合物半导体元件10’的一实施例；图2B为图2A的局部放大图；其中图2B的上方图为上视示意图，图2B的下方图为沿剖面线BB’的剖面示意图。图2A的区域11’包含第一电极105及半导体接触层104。本实施例的化合物半导体元件10’与化合物半导体元件10的差异在于：在本实施例中，自上视观之，如图2B所示，半导体接触层104的内边界104a较第二开口C2的边界更靠近第二开口C2的几何中心，即，第一开口C1的边界完全位于绝缘层107的第二开口C2的边界内，宽度CD2大于宽度CD1，因此，可增加半导体接触层104与第二导电型半导体层103c的接触面积以进一步降低接触电阻。在一实施例，距离L小于宽度CD2的5％；宽度CD1大于宽度CD2的90％，通过此设计上的控制，可同时兼顾半导体接触层104与第二导电型半导体层103c之间维持良好的接触电阻，并可避免在水平方向上半导体接触层104的位置太靠近第二开口C2的几何中心而影响后续于封装打线接合时的良率。此外，如图2B的下方图所示，绝缘层107的内边界107a在垂直方向上与半导体接触层104重叠。本实施例中的其他各层或结构的位置、相对关系及材料组成等内容及结构变化例也已于先前实施例中进行了详尽的说明，在此不再赘述。
在一些实施例，半导体接触层104及第一电极105可具有其他的形状及结构。半导体接触层104可呈一开放的环形。例如，半导体接触层104可具有一或多个断开部104c以形成开放的环形。如图3A及图3B所示，半导体接触层104可包含彼此分离的多个岛状结构104s。各断开部104c隔开相邻的岛状结构104s。在一实施例，岛状结构104s的个数例如可在2至6的范围，例如3、4、5。第一电极105呈一圆形且可覆盖半导体接触层104的所有上表面及所有侧壁，而通过具有彼此分离的多个岛状结构104s，可增加第一电极105与半导体接触层104接触的表面积，进一步降低第一电极105与半导体接触层104之间的接触阻值。如图3B所示的实施例，半导体接触层104可呈一开放的方环形并具有多个岛状结构104s，第一电极105呈一方形且可覆盖半导体接触层104的所有上表面及所有侧壁。
请参阅图4，显示符合本发明的化合物半导体装置20的一实施例。化合物半导体装置20包括如前述的化合物半导体元件10，还包含载板21、第一接合垫22、第二接合垫23、以及焊接线24。化合物半导体元件10的详细结构已如前述，不在此赘述。焊接线24包含第一凸块241、第二凸块242、以及线体243连接至第一凸块241及第二凸块242。第一凸块241及第二凸块242沿着焊接线24的中心轴方向的截面宽度大于线体243的截面宽度。第一接合垫22位于载板21上，并通过焊接线24以电连接至第一电极105。焊接线24的第一凸块241接合至化合物半导体元件10的第一电极105，焊接线24的第二凸块242接合至载板21的第一接合垫22。第二接合垫23位于载板21上，并接合至化合物半导体元件10的第二电极106。焊接线24与第一电极105相接的接面具有一接合宽度D5，其中，化合物半导体元件10的第二开口C2的宽度CD2大于接合宽度D5。接合宽度D5可在50μm至100μm的范围内，例如约60μm、70μm、80μm或90μm。于一实施例，从上视观之，焊接线24与第一电极105上表面相接的面积例如是占第一电极105上表面的面积的90％以下。载板21例如为封装次载体(package submount)或印刷电路板(printed circuit board；PCB)。第一接合垫22及第二接合垫23分别包含单层或多层金属结构并且包含至少一材料选自于镍(Ni)、钛(Ti)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铝(Al)及铜(Cu)所组成的群组。于一实施例，焊接线24的第一凸块241、第二凸块242、以及线体243整体包含相同的金属材料，例如金、银、铝或铜。焊接线24的第一凸块241、第二凸块242、以及线体243可为一体成形。
应注意的是，虽然图4的化合物半导体装置20中是以化合物半导体元件10进行说明，然而本领域具通常知识者应理解化合物半导体元件10’也同样地适用于图4所绘示的结构。
本发明的化合物半导体元件10可避免焊接线24于接合至第一电极105时，因打线的压/应力造成半导体接触层104的破裂或剥离。具体地，焊接线24于接合制作工艺接合至第一电极105时会形成第一凸块241以增加与第一电极105的接合面积及强度，通过控制第一凸块241的接合宽度D5小于宽度CD2、或者控制宽度CD1大于宽度CD2的90％，可同时兼顾半导体接触层104与第二导电型半导体层103c之间维持良好的接触电阻，并可避免焊接线24接合至第一电极105时因半导体接触层104向内过度延伸而造成半导体接触层104的破裂，改善化合物半导体元件10的良率。
在一实施例中，基底100可为一外延基板用以通过例如有机金属化学气相沉积法(MOCVD)外延成长中间层102、有源结构103、及半导体接触层104。在一实施例，化合物半导体元件10为一发光二极管芯片，化合物半导体元件10的有源层103a所发出的光朝向绝缘层107发出，基底100可依需求选择对于有源层103a所发出的光为透明或不透明的材料。在另一实施例，基底100可为一接合基板，中间层102包含一粘结材料，例如金属或高分子材料，用以接合基底100及有源结构103，其中，有源结构103先外延成长于一外延基板，并于通过中间层102接合至基底100后移除所述的外延基板，因此，化合物半导体元件10不具有所述的外延基板。
在上述的各实施例中，第一导电型半导体层103c具有第一导电型并且第二导电型半导体层103c具有第二导电型相反于第一导电型。第一导电型例如为p型，使得第一导电型半导体层103a可提供空穴，第二导电型例如为n型，使得第二导电型半导体层103c可提供电子，并且电子及空穴于有源层103b结合以发出特定波长的光线。在另一实施例，第一导电型例如为n型，使得第一导电型半导体层103a可提供电子，第二导电型例如为p型，使得第二导电型半导体层103c可提供空穴，并且电子及空穴于有源层103b结合以发出特定波长的光线。
在上述的各实施例中，中间层102、第一导电型半导体层103a、有源层103b、第二导电型半导体层103c、半导体接触层104可包含相同系列的III-V族化合物半导体材料，例如AlInGaAs系列、AlGaInP系列或AlInGaN系列。其中，AlInGaAs系列可表示为(Alx1In(1-x1))1- x2Gax2As，AlInGaP系列可表示为(Aly1In(1-y1))1-y2Gay2P，AlInGaN系列可表示为(Alz1In(1-z1))1-z2Gaz2N，其中，0≤x1,y1,z1≤1，0≤x2,y2,z2≤1。在一实施例中，化合物半导体元件10为一发光二极管芯片，化合物半导体元件10发出的光线决定于有源层103b的材料组成，例如有源层103b的材料包含AlGaInP系列时，可发出峰值波长(peak wavelength)为700至1700nm的红外光、610nm至700nm的红光、或是峰值波长为530nm至570nm的黄光。当有源层103b的材料包含InGaN系列时，可发出峰值波长为400nm至490nm的蓝光、深蓝光，或是峰值波长为490nm至550nm的绿光。当有源层103b的材料包含AlGaN系列时，可发出峰值波长为250nm至400nm的紫外光。在一实施例，有源层103b的材料包含三元III-V族半导体材料如InxGa1-xAs，0<x<1；第一导电型半导体层103a的材料包含三元III-V族半导体材料如AlyGa1- yAs，0<y<1；第二导电型半导体层103c的材料包含三元III-V族半导体材料如AlzGa1-zAs，0<z<1。
在一实施例中，当化合物半导体元件10为一光电二极管芯片时，依据有源层103b的材料(或能隙(band gap)来决定欲被吸收的光线的波长范围。有源层103b可吸收能量大于其能隙的光。例如，有源层103b的能隙可设计介于0.72ev与1.77ev(其相对应波长为介于700nm及1700nm的红外光)、介于1.77ev与2.03ev(其相对应波长为介于610nm及700nm之间的红光)、介于2.1ev与2.175ev(其相对应波长为介于570nm及590nm之间的黄光)、介于2.137ev与2.48ev(其相对应波长为介于500nm及580nm之间的绿光)、介于2.53ev与3.1ev(其相对应波长为介于400nm及490nm之间的蓝光或深蓝光)、或是介于3.1ev与4.96ev(其相对应波长为介于250nm及400nm之间的紫外光)。具体来说，当化合物半导体元件10为一光电二极管芯片时，有源层103b可包含Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体如GaAs、InP、InGaAs、AlGaAs、AlGaInAs、GaP、InGaP、AlInP、AlGaInP、GaN、InGaN、AlGaN、AlGaInN、AlAsSb、InGaAsP、InGaAsN或AlGaAsP。
半导体接触层104的材料可不同于第二导电型半导体层103c的材料。在一些实施例中，半导体接触层104的材料包含二元III-V族半导体材料，例如为GaAs，且可与第二导电型半导体层103c具有相同的导电型态。半导体接触层104的厚度可在5nm至50nm的范围内。在一些实施例，为了避免半导体接触层104吸收有源层103b所发出的光线而影响发光效率，半导体接触层104的厚度可设定在1nm以下且/或由上视观的半导体接触层104的环状面积可设定为有源层103b面积的10％以下，例如在2％至5％的范围内。
在上述的各实施例中，第一电极105及第二电极106包含单层或多层金属结构。第一电极105及第二电极106包含至少一材料选自于镍(Ni)、钛(Ti)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铝(Al)及铜(Cu)所组成的群组。第一电极105与半导体接触层104直接接触并形成具有第一阻值R1的界面，例如为欧姆接触，且第一电极105与第二导电型半导体层103c直接接触且形成具有第二阻值R2的界面，其中，第一阻值R2大于第二阻值R1，使得电流主要经由半导体接触层104流入(或流出)第一电极105。
在上述的各实施例中，绝缘层107包含介电材料，例如氧化钽(TaOx)、氧化铝(AlOx)、二氧化硅(SiOx)、氧化钛(TiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铌(Nb2O5)或旋涂玻璃(SOG)。在一实施例，绝缘层107包含一分散式布拉格反射镜(DBR；Distributed Bragg Reflector)结构，其中，所述的DBR结构包含多个第一介电层及多个第二介电层相互交叠，且所述的第一介电层与所述的第二介电层具有不同的折射率，当化合物半导体元件10发出的光通过基底100摘出时(例如化合物半导体元件10为覆晶式芯片)，绝缘层107如DBR结构有助于将光反射朝向基底100摘出，以增加化合物半导体元件10的效率。在一实施例中，绝缘层107的上表面可具有小于0.1μm的平均粗糙度(Ra)，例如小于0.05μm，当化合物半导体元件10为一发光二极管芯片，在驱动时可发出具有140°以上的可视角度(viewing angle)的光场，而适用于广视角的应用。
具体来说，本发明内容的化合物半导体元件及化合物半导体装置可应用于照明、医疗、显示、通讯、感测、电源系统等领域的产品，例如灯具、监视器、手机、平板计算机、车用仪表板、电视、计算机、光学鼠标、穿戴装置(如手表、手环、项链等)、交通号志、户外显示器、医疗器材等。
以上所述者，仅为本发明的优选实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，举凡依本发明权利要求所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求内。

Claims (10)

1.一种化合物半导体元件，包括：
有源结构，具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于该第一导电型半导体层及该第二导电型半导体层之间的有源层；
半导体接触层，位于该第二导电型半导体层上且具有第一开口；
电极，具有上表面，完全覆盖该半导体接触层；以及
绝缘层，覆盖该电极及该有源结构且具有第二开口；
其中，该第二导电型半导体层自该第一开口露出，该电极自该第二开口露出，该第一开口的边界与该第二开口的边界在水平方向上相隔一距离。
2.如权利要求1所述的化合物半导体元件，其中，自该化合物半导体元件的上视观之，该第二开口完全位于该第一开口内。
3.如权利要求1所述的化合物半导体元件，其中，该第二导电型半导体层具有凸部，该电极位于该凸部上。
4.如权利要求3所述的化合物半导体元件，其中，该凸部的侧壁与该电极的侧壁齐平。
5.如权利要求1所述的化合物半导体元件，其中，该绝缘层覆盖于该上表面的边缘区域且覆盖不超过该上表面的面积的30％。
6.如权利要求3所述的化合物半导体元件，其中，该绝缘层连续覆盖在该电极的该上表面、该电极的侧壁、该凸部的侧壁以及该有源结构上。
7.如权利要求1所述的化合物半导体元件，其中，自该化合物半导体元件的上视观之，该半导体接触层呈环形。
8.一种化合物半导体装置，包括：
化合物半导体元件，包括：
有源结构，具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于该第一导电型半导体层及该第二导电型半导体层之间的有源层；
半导体接触层，位于该第二导电型半导体层上且具有第一开口；
电极，具有上表面且完全覆盖该半导体接触层；以及
绝缘层，覆盖该电极及该有源结构且具有第二开口；以及
焊接线，接合至该电极，且该焊接线与该电极的接合处具有接合宽度；
其中，该第二导电型半导体层自该第一开口露出，该电极自该第二开口露出，且于该化合物半导体元件的剖面观之，该第二开口的宽度大于该接合宽度。
9.如权利要求8所述的化合物半导体装置，其中，该第一开口的宽度大于第二开口的宽度的90％。
10.如权利要求8所述的化合物半导体装置，还包含载板以及位于该载板上的接合垫。
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