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CN113632050B - 阵列基板和显示面板 - Google Patents

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CN113632050B
CN113632050B CN202080000048.6A CN202080000048A CN113632050B CN 113632050 B CN113632050 B CN 113632050B CN 202080000048 A CN202080000048 A CN 202080000048A CN 113632050 B CN113632050 B CN 113632050B
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CN
China
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pixel
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electrode
array substrate
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臧鹏程
徐元杰
石博
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BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

一种阵列基板(1)，包括：第一衬底基板(11)、多条栅线(12)、多个公共电极(13)和多个像素电极(14)。其中，多条栅线(12)设置于第一衬底基板(11)上且沿第一方向(X)延伸。多个公共电极(13)设置于多条栅线(12)远离第一衬底基板(11)的一侧。多个像素电极(14)设置于多条栅线(12)远离第一衬底基板(11)的一侧且呈阵列式排布；多个像素电极(14)排列形成沿第一方向(X)延伸的多行像素电极(14)。每行像素电极(14)中的至少一个像素电极(14)包括沿第二方向(Y)排布的两个像素子电极(141)，两个像素子电极(141)之间设置有至少一条栅线(12)，且两个像素子电极(141)与至少一条栅线(12)中的一条栅线(12)耦接。多个公共电极(13)和多个像素电极(14)中，至少更远离第一衬底基板(11)的一者中的每个电极具有多条狭缝(S)；第一方向(X)与第二方向(Y)相交叉。

Description

阵列基板和显示面板
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
液晶显示面板因具有低辐射，厚度薄等特点，而被广泛应用于手机、电视、笔记本电脑等电子显示设备中。
发明内容
一方面，提供一种阵列基板。所述阵列基板包括：第一衬底基板、多条栅线、多个公共电极和多个像素电极。其中，所述多条栅线设置于所述第一衬底基板上且沿第一方向延伸。所述多个公共电极设置于所述多条栅线远离所述第一衬底基板的一侧。所述多个像素电极设置于所述多条栅线远离所述第一衬底基板的一侧，且呈阵列式排布。所述多个像素电极排列形成沿所述第一方向延伸的多行像素电极，每行像素电极中的至少一个像素电极包括沿第二方向排布的两个像素子电极，所述两个像素子电极之间设置有至少一条栅线，且所述两个像素子电极与所述至少一条栅线中的一条栅线耦接。所述多个公共电极和所述多个像素电极中，至少更远离所述第一衬底基板的一者中的每个电极具有多条狭缝；所述第一方向与所述第二方向相交叉。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：多个连接电极；所述多个连接电极沿所述第一方向排布。每行像素电极中的至少一个像素电极的两个像素子电极之间，通过所述多个连接电极中的至少一个连接电极相互电连接，该连接电极与位于所述两个像素子电极之间的一条栅线耦接。
在一些实施例中，所述多个连接电极中的至少一个连接电极包括：第一连接部和分别与所述第一连接部的两端耦接的两个第二连接部。所述第一连接部由该连接电极电连接的两个像素子电极中的一者延伸至另一者。所述两个第二连接部分别与该连接电极电连接的两个像素子电极耦接。
在一些实施例中，所述第一连接部沿或者大致沿所述第二方向延伸；所述两个第二连接部中的至少一个第二连接部沿或者大致沿所述第一方向延伸。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：设置于所述多个像素电极靠近所述第一衬底基板一侧的源漏电极层；所述源漏电极层包括多个薄膜晶体管的源极和漏极，每个所述像素电极与所述多个漏极中的一个漏极耦接；所述多个连接电极位于所述源漏电极层中，且与所述源极和所述漏极的材料相同。每个所述像素电极通过所述多个连接电极中的一个连接电极，与所述多个薄膜晶体管中的一个薄膜晶体管的漏极耦接。
在一些实施例中，所述多个连接电极与所述多个像素电极位于同一层中，且材料相同。
在一些实施例中，所述阵列基板具有多个亚像素区域，所述多个公共电极和所述多个像素电极均分别设置于所述多个亚像素区域内。所述多个亚像素区域中的每个亚像素区域包括两个分区，每个所述像素电极的两个像素子电极分别设置于一个所述亚像素区域的两个分区内。每个所述公共电极包括两个公共子电极，所述两个公共子电极分别设置于一个所述亚像素区域的两个分区内；位于同一分区内的像素子电极和公共子电极中，至少更远离所述第一衬底基板的一者具有多条狭缝，且该多条狭缝的方向一致。
在一些实施例中，在每个分区内，像素子电极的远离其所耦接的栅线的边缘的延伸方向，与位于该分区的具有多条狭缝的像素子电极的狭缝方向一致。
在一些实施例中，同一个亚像素区域内，位于两个分区内的具有多条狭缝的子电极的狭缝方向不同。
在一些实施例中，同一个亚像素区域内，位于两个分区内的具有多条狭缝的子电极的狭缝方向分别为第三方向和第四方向；所述第三方向与所述第一方向之间的夹角，及所述第四方向与所述第一方向之间的夹角均大于或等于0°且小于90°；所述第三方向和所述第四方向关于所述第一方向对称或大致对称。
在一些实施例中，沿所述第二方向，在相邻的分别属于相邻的两个亚像素区域的两个分区内，具有多条狭缝的像素子电极的狭缝方向相同。
在一些实施例中，每行像素电极中的每个像素电极的两个像素子电极之间设置有一条栅线。
在一些实施例中，每行像素电极中的每个像素电极的两个像素子电极之间设置有两条栅线，该两条栅线分别为第一栅线和第二栅线。每行像素电极包括交替排布的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极所包括的两个像素子电极与所述第一栅线耦接，所述第二像素电极所包括的两个像素子电极与所述第二栅线耦接。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：沿所述第二方向延伸的多条数据线和沿所述第二方向延伸的至少一条公共电极线。其中，每列像素电极中的各像素电极与所一条数据线耦接。所述至少一条公共电极线与所述多个公共电极中的至少一个公共电极耦接；在所述多条数据线中的一部分数据线中，相邻两条数据线之间设置有所述至少一条公共电极线中的一条公共电极线。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：滤色层，所述滤色层包括呈阵列式排布的多个滤色部；沿所述第二方向，每列滤色部的所允许透过的光的颜色相同；所述多个滤色部中的每个滤色部在所述第一衬底基板上的正投影与沿列方向相邻且属于不同像素电极的两个像素子电极在所述第一衬底基板上的正投影重叠或大致重叠。
在一些实施例中，阵列基板还包括黑矩阵，所述黑矩阵包括沿第一方向延伸的第一黑矩阵条和沿第二方向延伸的第二黑矩阵条，所述第一黑矩阵条和所述第二黑矩阵条设置于所述多个滤色部之间的间隙。在所述阵列基板包括多个连接电极，每个连接电极包括第一连接部和两个第二连接部，且所述多个连接电极的材料为遮光材料的情况下，所述第一黑矩阵条的宽度小于沿列方向相邻且属于同一像素电极的两个像素子电极之间的间隙的宽度，且大于或等于沿列方向相邻两个第二连接部之间的间隙的宽度。
在一些实施例中，处于同一列的、相邻的且属于不同像素电极的两个像素子电极之间的间隙的宽度范围为2.5μm～3.5μm。
另一方面，提供一种显示面板。所述显示面板包括：如上述实施例中任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板相对设置的对向基板和设置于所述阵列基板与所述对向基板之间的液晶层。
在一些实施例中，在所述阵列基板不包括滤色层的情况下，所述对向基板包括第二衬底基板及设置在所述第二衬底基板靠近所述阵列基板一侧的滤色层。所述滤色层包括呈阵列式排布的多个滤色部；沿第二方向，每列滤色部的颜色相同；所述多个滤色部中的每个所述滤色部在所述阵列基板的第一衬底基板上的正投影与沿列方向相邻且属于不同像素电极的两个像素子电极在所述第一衬底基板上的正投影重叠或大致重叠。
在一些实施例中，在所述阵列基板包括黑矩阵，所述黑矩阵包括沿第一方向延伸的第一黑矩阵条和沿第二方向延伸的第二黑矩阵条，所述第一黑矩阵条和所述第二黑矩阵条设置于所述多个滤色部之间的间隙。在所述阵列基板包括多个连接电极，每个连接电极包括第一连接部和两个第二连接部，且所述多个连接电极的材料为遮光材料的情况下，所述第一黑矩阵条的宽度小于沿列方向相邻且属于同一像素电极的两个像素子电极之间的间隙的宽度，且大于或等于沿列方向相邻两个第二连接部之间的间隙的宽度。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为相关技术中的一种液晶显示面板的局部结构的剖视图；
图2A为相关技术中的一种液晶显示面板的局部结构的俯视图；
图2B为相关技术中的另一种液晶显示面板的局部结构的俯视图；
图3A为根据本公开一些实施例的一种像素架构的局部结构的俯视图；
图3B为图3A沿AA'方向的局部结构的剖视图；
图3C为图3A沿BB'方向的局部结构的剖视图；
图4A为根据本公开一些实施例的另一种像素架构的局部结构的俯视图；
图4B为图4A沿CC'方向的局部结构的剖视图；
图4C为图4A沿DD'方向的局部结构的剖视图；
图4D为图4A沿EE'方向的局部结构的剖视图；
图4E为图4A沿FF'方向的局部结构的剖视图；
图5A为根据本公开一些实施例的又一种像素架构的局部结构的俯视图；
图5B为根据本公开一些实施例的又一种像素架构的局部结构的俯视图；
图6A为根据本公开一些实施例的又一种像素架构的局部结构的俯视图；
图6B为图6A沿GG'方向的局部结构的剖视图；
图6C为图6A沿HH'方向的局部结构的剖视图；
图7A为根据本公开一些实施例的又一种像素架构的局部结构的俯视图；
图7B为图7A沿MM'方向的局部结构的剖视图；
图7C为图7A沿NN'方向的局部结构的剖视图；
图7D为图7A中一个像素电极所对应的区域的俯视图；
图8为根据本公开一些实施例的一种公共电极的局部结构的俯视图；
图9A为根据本公开一些实施例的一种连接电极的结构的俯视图；
图9B为根据本公开一些实施例的一种连接电极的结构的另一种俯视图；
图10A为根据本公开一些实施例的采用不同像素电极结构的两种液晶显示面板的透过率的一种曲线图对比图；
图10B为根据本公开一些实施例的采用不同像素电极结构的两种液晶显示面板的透过率的另一种曲线图对比图；
图11A为根据本公开一些实施例的一种显示面板的局部结构的剖视图；
图11B为根据本公开一些实施例的另一种显示面板的局部结构的剖视图；
图12为图11B所示出的显示面板的俯视图；
图13为根据本公开一些实施例的一种显示装置的局部结构的剖视图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而，术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
对于液晶显示面板而言，液晶显示面板的透过率越高，则出光效率越高，能耗也就相对比较低。而液晶显示面板的透过率一般与亚像素的开口率、彩膜基板中滤色层的透过率、液晶层的光效及偏光片的透过率相关。
亚像素的开口率指，每个亚像素中能够透过光线的区域的面积和该像素整个区域的面积的比例。亚像素的开口率越高，则光线通过亚像素的透过率越高。
液晶层的光效是指液晶层的出光效率，液晶层的出光效率与液晶层的相对出光面积和液晶层中液晶分子所在电场的强度大小有关；其中，液晶层的相对出光面积是指液晶层的可透过光线的区域的面积，液晶层的相对出光面积越大，液晶层的出光效率越高；并且，液晶层中液晶分子所在电场的场强越强，液晶层的出光效率也越高。
滤色层和偏光片所采用的材质一般比较固定，这就使得滤色层的透过率和偏光片透过率也相对比较固定。因此，对液晶显示面板的透过率影响较大的通常为液晶层的出光效率。
在液晶显示面板中，比如采用ADS(Advanced Super Dimension Switch，高级超维场转换)设计的液晶显示面板，主要利用像素电极和公共电极之间形成的水平电场驱动液晶分子发生偏转。
示例性地，图1示出了一种常白模式的ADS型的液晶显示面板的结构，沿垂直于显示面板的显示面的方向。该ADS型的液晶显示面板包括：第一偏振片011、第一衬底基板021、公共电极层03、第一绝缘层04、像素电极层05、第二绝缘层06、第一取向层071、液晶层09、第二取向层072、彩膜层08、第二衬底基板022及第二偏振片012。其中，像素电极层05包括多个像素电极051；彩膜层08包括多个彩色滤光部081；该液晶显示面板还包括黑矩阵013，用于防止相邻彩色滤光部081之间发生串色；第一取向层071与第二取向层072的取向方向相互垂直或者大致相互垂直；第一偏振片011与第二偏振片012的偏振方向相互垂直或者大致相互垂直。
基于液晶显示面板的上述结构，在不对液晶层09施加电场(例如不对像素电极05和公共电极层03施加电压)的情况下，由于第一取向层071与第二取向层072的取向方向相互垂直或者大致相互垂直，因此液晶层09中的液晶分子中，靠近第一取向层071的液晶分子的取向与靠近第二取向层072的液晶分子的取向之间的偏转角度差值大致为90度。
这样，由设置于液晶显示面板一侧(例如第一偏振片011远离第一衬底基板021的一侧)的背光模组提供的光线，从第一偏振片011入射，经第一偏振片011的光线在经过液晶层09后偏振方向改变大致为90度。由于第一偏振片011与第二偏振片012的偏振方向相互垂直或者大致相互垂直，因此这些光线能够全部或几乎全部从第二偏振片012射出，使得该液晶显示面板显示具有最大亮度的画面，即显示白色画面。
在对液晶层09施加电场的情况下，也即对像素电极051施加像素电压，并对公共电极层03施加公共电压时，在像素电极051和公共电极层03之间会形成电场，该电场的电场线由各像素电极051指向公共电极层03。例如，电场中的部分电场线的指向如图1中箭头A所示，至少部分电场线在其曲率较大处的指向是沿该处的切线方向的，如图1中箭头B所示。这就使得像素电极051和公共电极层03在液晶层09中能形成如图1中箭头B所示的横向电场，液晶层09中的液晶分子在横向电场的驱动下发生横向偏转。
这样一来，就使得穿过第一偏振片011的光线在经过液晶层09后，至少部分光线的偏振方向不会发生90度的改变，从而使至少部分经第一偏振片011的光线无法透过第二偏振片012，以使得液晶显示面板能够显示具有一定灰阶的画面。通过改变施加在像素电极051上的像素电压的大小，可以实现不同灰阶(即不同亮度)的画面的显示。
上述液晶显示面板中，随着像素的PPI(Pixels Per Inch，像素密度，即每英寸所拥有的像素数量)增加，彩膜层08中与像素电极051相对应的彩色滤光部081的数量也会增加，这使得液晶显示面板中被配置为分隔相邻两个彩色滤光部081的黑矩阵013的行数和列数增多，从而导致黑矩阵081的面积增大。而由于黑矩阵013会阻挡经由液晶层09射出的光线，这将使得液晶层09的相对出光面积减小，使液晶层09的出光效率明显降低。而如果通过增大施加在像素电极上的像素电压，增强液晶层09中液晶分子所在电场的强度的方式，来增强液晶层09的出光效率，将会导致液晶显示面板的功耗过大。
参见图3A～图3C、图4A～图4E，本公开一些实施例提供了一种阵列基板1。该阵列基板1可应用于诸如ADS、FFS(Fringe Field Switching，边缘电场开关)等类型的液晶显示面板。该阵列基板1包括：第一衬底基板11、多条栅线12(Gate)、多个公共电极13和多个像素电极14。
此处，在一些实施例中，多个公共电极13可以相互连通在一起，形成具有整层结构的面状电极，即公共电极层；在另外一些实施例中，多个公共电极13也可以是相互独立设置的多个电极，该多个公共电极13被配置为传输相同的电信号，例如公共电压信号。
在上述阵列基板1中，多条栅线12设置于第一衬底基板11上，而且多条栅线12沿第一方向X延伸。多个公共电极13设置于所述多条栅线12的远离第一衬底基板11的一侧。多个像素电极14设置于所述多条栅线12的远离第一衬底基板11的一侧，且呈阵列式排布(如图3A和图4A所示)。例如，可以是多个像素电极14设置于多个公共电极13的靠近第一衬底基板11的一侧。或者，也可以是多个像素电极14设置于多个公共电极13的远离第一衬底基板11的一侧。
参见图3A和图4A，上述多个像素电极14呈阵列式排布，上述第一方向X为所述多个像素电极14呈阵列式排布的行方向，而下文将提及的第二方向Y则为所述多个像素电极14呈阵列式排布的列方向。第一方向X和第二方向Y相交叉，例如二者可以相互垂直。
所述多个像素电极14排列形成沿第一方向X延伸的多行像素电极14，如图3A和图4A所示，每行像素电极14中的至少一个像素电极14包括沿第二方向Y排布的两个像素子电极141，每行像素电极14中的至少一个像素电极14的两个像素子电极141之间设置有至少一条栅线12，且两个像素子电极141与所述至少一条栅线12中的一条栅线12耦接。其中，此处所述的两个像素子电极141与所述至少一条栅线12中的一条栅线12耦接指的是，两个像素子电极141通过该两个像素子电极141所对应的薄膜晶体管TFT与所述至少一条栅线12中的一条栅线12耦接。
在一些实施例中，每行像素电极14中的每个像素电极14包括沿第二方向Y排布的两个像素子电极141。在此情况下，每行像素电极14对应至少一条栅线12，每行像素电极14所对应的至少一条栅线12位于该行像素电极14中的每个像素电极14的两个像素子电极141之间。即，每行像素电极14所对应的至少一条栅线12在第一衬底基板11上的正投影，位于该行像素电极14包括的两行像素子电极141在第一衬底基板11上的两个正投影之间。
多个公共电极13和多个像素电极14中，至少更远离第一衬底基板11的一者中的每个电极具有多条狭缝，可以至少包括如下三种情况：
第一种情况，如图3B、图3C、图4B和图4E所示，多个公共电极13设置于多个像素电极14远离第一衬底基板11的一侧，多个公共电极13中的每个公共电极13具有多条狭缝S。
第二种情况，多个像素电极14设置于多个公共电极13远离第一衬底基板11的一侧，多个像素电极14中的每个像素电极14所包括的两个像素子电极141中的每个像素子电极141具有多条狭缝S。
第三种情况，每个公共电极13具有多条狭缝S，每个像素电极14的两个像素子电极141中的每个像素子电极141也具有多条狭缝S，而且每个像素电极14的两个像素子电极141中的每个像素子电极141上的多条狭缝S在第一衬底基板11上的正投影，与多个公共电极13中的其中一个公共电极13的多条狭缝在第一衬底基板11上的正投影相交错。
这样，无论在以上哪种情况下，每个像素子电极141均能够通过自身的狭缝或公共电极13的狭缝S，与公共电极13之间形成横向电场，以通过横向电场驱动该电场所在区域中的液晶分子发生偏转。
基于此，在上述阵列基板1应用于驱动方式为行反转或点反转的液晶显示面板的情况下，施加在对应不同行像素电极14且相邻的两行栅线12之间、且处于同一列的两个像素子电极141上的像素电压的极性相反。这样一来，由于施加在该相邻的两行栅线12之间、且处于同一列的两个像素子电极141上的像素电压的极性相反，这就使得除该相邻两个像素子电极141分别与公共电极13之间会形成横向电场外，该相邻两个像素子电极141之间也会形成一个横向的叠加电场，增强了在该相邻两个像素子电极141相邻的位置处电场的强度，从而有利于驱动该区域的液晶分子发生偏转，以增强液晶层在该区域的出光效率，进而提高液晶显示面板的透过率。
并且，由于上述阵列基板1能够使得液晶显示面板的透过率得到提高，因此该液晶显示面板在和上述相关技术中的液晶显示面板显示画面的亮度相同的情况下，该液晶显示面板的像素电极14上所施加的像素电压可以更小，从而降低了液晶显示面板的功耗。
其中，行反转是指，在一帧画面的驱动周期中，向任意相邻两行像素电极14提供的像素电压的极性相反，每相邻两帧画面的驱动周期中向同一行像素电极14提供的像素电压的极性相反。
点反转是指，在同一帧画面的驱动周期中，向任意相邻两个(包括沿行方向相邻的两个，和沿列方向相邻的两个)像素电极14提供的像素电压的极性相反，每相邻两帧画面的驱动周期中向同一个像素电极14提供的像素电压的极性相反。
在本公开的一些实施例中，每行像素电极14中的每个像素电极14的两个像素子电极141之间设置有至少一条栅线12至少包括：每行像素电极14中的每个像素电极14的两个像素子电极141之间设置有一条栅线12，和每行像素电极14中的每个像素电极14的两个像素子电极141之间设置有两条栅线12两种情况。也即，每行像素电极14对应一条栅线12，或者，每行像素电极14对应两条栅线12。
示例性地，如图3A～图3C所示，每行像素电极14中的每个像素电极14的两个像素子电极141之间设置有一条栅线12，即采用该结构阵列基板1的液晶显示面板为单栅结构。
例如，图2A示出了一种相关技术中单栅结构的像素电极051的排布结构。图3A示出了本公开一些实施例中的单栅结构的像素电极14的排布结构。在这两种单栅结构的像素电极排布结构应用于液晶显示面板的情况下，在像素电极上施加不同电压时，采用不同像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率的曲线图如图10A所示。其中，单栅结构方案一代表采用相关技术中的像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率的曲线；单栅结构方案二代表采用本公开一些实施例中的像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率的曲线。
在像素电极上施加5V电压的情况下，采用相关技术中的像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率为12.14％，采本公开一些实施例中的像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率为12.23％，也即液晶显示面板的透过率提高了0.77％。
在像素电极上施加的电压为像素电极的饱和电压的情况下，采用相关技术中的像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率为13.68％，采本公开一些实施例中像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率为13.90％，也即液晶显示面板的透过率提高了1.58％。因此，采用公开一些实施例中像素电极排布结构的液晶显示面板能够提高透过率。
示例性地，如图4A～图4E所示，每行像素电极14中的每个像素电极14的两个像素子电极141之间设置有两条栅线12，也就是说，每行像素电极14对应两条栅线12。该两条栅线12分别为第一栅线121和第二栅线122。每行像素电极14包括交替排布的第一像素电极142和第二像素电极143，第一像素电极142所包括的两个像素子电极141与第一栅线121耦接，第二像素电极143所包括的两个像素子电极141与第二栅线122耦接。
当然，也可以是第一像素电极142所包括的两个像素子电极141与第二栅线122耦接，第二像素电极143所包括的两个像素子电极141与第一栅线121耦接，对此本公开不做限定。
例如，图2B示出了一种相关技术中的双栅结构的像素电极051的排布结构。图4A示出了本公开一些实施例中的双栅结构的像素电极14的排布结构。在这两种双栅结构的像素电极排布结构应用于液晶显示面板的情况下，在像素电极上施加不同电压时，采用不同像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率的曲线图如图10B所示。其中，双栅结构方案一代表采用相关技术中的像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率的曲线；双栅结构方案二代表采用本公开一些实施例中像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率的曲线。
在像素电极上施加5V电压的情况下，采用相关技术中的像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率为11.18％，采本公开一些实施例中像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率为12.21％，也即液晶显示面板的透过率提高了9.21％。
在像素电极上施加的电压为像素电极的饱和电压的情况下，采用相关技术中的像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率为12.29％，采本公开一些实施例中像素电极排布结构的液晶显示面板的透过率为13.05％，也即液晶显示面板的透过率提高了6.13％。因此，采用公开一些实施例中像素电极排布结构的液晶显示面板能够有效提高透过率。
在一些实施例中，如图3B和图4B所示，多个公共电极13与多个像素电极14之间设置有绝缘层15，以防止多个公共电极13和多个像素电极14之间发生短路。其中，绝缘层15可以为一层绝缘膜层，也可以由多层绝缘膜层叠加形成，本公开对此不做限定。
需要说明的是，上述像素电极14所包括的两个像素子电极141是属于同一像素电极14的，也就是说在一帧画面的驱动周期中，该两个像素子电极141的像素电压的极性和大小相同，每相邻两帧画面的驱动周期中向该两个像素子电极141提供的像素电压的极性和大小也相同。
在一些实施例中，如图3A～图3C、图4A～图4E、图5A～图5B、图6A～图6C、图7A～图7C所示，上述阵列基板1还包括：多个连接电极17；所述多个连接电极17沿第一方向X排布。
每行像素电极14中的至少一个像素电极14的两个像素子电极141之间，通过多个连接电极17中的一个连接电极17相互电连接，该连接电极17与位于该两个像素子电极141之间的一条栅线12耦接，此处所述的该连接电极17与位于该两个像素子电极141之间的一条栅线12耦接是指，该连接电极17通过该两个像素子电极141所对应的薄膜晶体管TFT，与位于该两个像素子电极141之间的一条栅线12耦接，以实现使该两个像素子电极141与一条栅线12耦接。
这就使得，在一帧画面的驱动周期中，或者在每相邻两帧画面的驱动周期中，向该两个像素子电极141上施加的像素电压的大小相同，向该两个像素子电极141提供的像素电压的极性也相同。
在一些实施例中，对于图3A～图3C所示出的单栅结构的像素电极14的排布结构，多个连接电极17的形状均相同，例如均为图9A所示出的形状，连接电极17呈现“工”字形。对于图4A～图4E所示出的双栅结构的像素电极14的排布结构，多个连接电极17的形状包括两种，每行像素电极14包括交替排布的第一像素电极142和第二像素电极143，其中第一像素电极142对应的连接电极17的形状均相同，例如均为图9B所示出的形状，呈现“工”字形；第二像素电极143对应的连接电极的形状均相同，例如均为图9A所示出的形状，呈现逆时针旋转90°的“U”形。
示例性地，如图9A和图9B所示，所述多个连接电极17中的至少一个连接电极17包括：第一连接部171和两个第二连接部172，两个第二连接部172分别与第一连接部171的两端耦接。第一连接部171由该连接电极17电连接的两个像素子电极141中的一者延伸至另一者。两个第二连接部172分别与该连接电极17电连接的两个像素子电极141耦接。
由于，同一像素电极14中一个像素子电极141指向另一像素子电极141的方向与该像素电极14对应的栅线12的延伸方向相交叉，且第一连接部171由连接电极17电连接的两个像素子电极141中的一者延伸至另一者，这使得第一连接部171在第一衬底基板11上正投影与其对应的栅线12在第一衬底11上的正投影具有较小的交叠面积。其中，第一连接部171对应的栅线12，也即为该第一连接部171所在连接电极17连接的两个像素子电极141之间的栅线12。这样，就减小了第一连接部171和其对应栅线12之间形成的耦和电容，也即，减小了第一连接部172对应的像素电极14和其对应栅线12之间的耦和电容，降低了第一连接部171对应的像素电极14和其对应栅线12之间发生串扰的概率。
示例性地，如图9A和图9B所示，第一连接部171沿或者大致沿第二方向Y延伸；这使得第一连接部171在第一衬底基板11上正投影与其对应的栅线12在第一衬底基板11上的正投影具有交叠面积尽可能小。这样，进一步减小了第一连接部171和其对应栅线12之间形成的耦和电容，也即，进一步减小了第一连接部171对应的像素电极14和其对应栅线12之间的耦和电容，从而进一步降低了第一连接部171对应的像素电极14和其对应栅线12之间发生串扰的概率。
在一些示例中，连接电极17可以是一个整体的结构，即沿或者大致沿第二方向Y延伸的第一连接部171和两个沿或者大致沿第一方向X延伸第一连接部172为一体结构。这种情况下，有利于简化连接电极的制备工艺。
此处，连接电极17的材料可以包括透明导电材料，例如，ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)等等；也可以包括非透明导电材料，例如铜或银。对于连接电极的材料不做限定，只要能够导电即可。
在一些实施例中，上述阵列基板1还包括：设置于所述多个像素电极14靠近第一衬底基板11的源漏电极层；源漏电极层包括多个薄膜晶体管TFT的源极和漏极，像素电极14与所述多个薄膜晶体管中的一个薄膜晶体管的漏极耦接。基于此，在连接电极17的材料为非透明导电材料的情况下，所述多个连接电极17可设置于源漏电极层中，且与所述源极和漏极的材料相同，源漏电极层的材料采用非透明导电材料，例如金属。此外，源漏电极层除包括多个薄膜晶体管的源极和漏极外，还可包括多条数据线，即所述多个连接电极17与多个源极和多条数据线的材料也相同。
这样，第二连接部172的材料和所述漏极的材料相同，这使得第二连接部172的本身也能够起到遮光的作用，从而使得显示面板中沿第一方向X设置的黑矩阵条的宽度得以减小，从而避免了宽度很大的黑矩阵条对像素开口率的影响，提高了像素的开口率，提高了液晶显示面板的光线透过率。
不仅如此，由于所述多个连接电极17位于源漏电极层中，且与源漏电极层中的源极、漏极和数据线的材料相同，这使得所述多个连接电极17可以和源漏电极层中的源极、漏极和数据线通过一次构图工艺形成，从而简化了生产工艺。其中，一次构图工艺是指，采用同一成膜工艺形成用于形成特定图案(例如，源漏极和连接电极的图案)的膜层，然后利用同一掩膜板通过曝光、显影或刻蚀一次形成特定图案。
在另一些实施例中，在连接电极17的材料为透明导电材料的情况下，所述多个连接电极17可以与所述多个像素电极14位于同一层中，且材料相同，多个像素电极14的材料采用透明导电材料，例如ITO。这样，使得所述多个连接电极17可以和像素电极14通过一次构图工艺形成，从而简化了生产工艺。
在一些实施例中，如图5A～图5B所示，上述阵列基板1具有多个亚像素区域Q，多个公共电极13和多个像素电极14均分别设置于多个亚像素区域内Q。也即，一个公共电极13和一个像素电极14对应一个亚像素区域Q。此处，在多个公共电极13为整层时，处于一个亚像素区域Q内的公共电极的部分为一个公共电极13。
多个亚像素区域Q中的每个亚像素区域Q包括两个分区，例如，第一分区Q1和第二分区Q2，每个像素电极14的两个像素子电极141分别设置于第一分区Q1和第二分区Q2内；每个公共电极13包括两个公共子电极131，两个公共子电极131分别设置于第一分区Q1和第二分区Q2内。
在一些实施例中，如图3A、图4A、图5A和图5B所示，位于同一分区内的像素子电极141和公共子电极131中，至少更远离第一衬底基板11的一者具有多条狭缝S，且该多条狭缝S的方向一致。例如，位于第一分区Q1内的像素子电极141和公共子电极131中，至少更远离第一衬底基板11的一者具有多条狭缝S，且该多条狭缝S的方向一致。
同一亚像素区域Q中，位于不同分区内的像素子电极141或公共子电极131具有的多条狭缝S的方向可以相同(如图5A和5B所示)，也可以不相同(如图3A和4A所示)。
此处，关于像素子电极141和公共子电极131中哪一者具有狭缝S的设计，可参见上述关于多个公共电极13和多个像素电极14具有狭缝的实施例的描述，这里不再赘述。
示例性的，如图3A和图4A，同一个亚像素区域Q内，位于两个分区内的具有多条狭缝S的子电极的狭缝方向不同。这样，在显示面板中，像素电极14能够通过两个方向的狭缝S与公共电极13之间形成电场，这使得由像素电极14通过一个方向的狭缝与公共电极13形成电场时所产生的串色得到中和，从而可以有效解决显示面板出现串色的问题。
示例性地，如图8所示，在同一个亚像素区域Q内，位于两个分区内的具有多条狭缝的子电极的狭缝方向分别为第三方向Z和第四方向W。第三方向Z与第一方向X之间的夹角α为锐角，即夹角α大于或等于0°且小于90°；第四方向W与第一方向X之间的夹角β为锐角，即夹角β大于或等于0°且小于90°。第三方向Z和第四方向W关于第一方向X对称或大致对称。
例如，第三方向Z与第一方向X之间的夹角α的范围为7°～15°，第三方向Z与第一方向X之间的夹角α为11°；第四方向W与第一方向X之间的夹角β的范围为7°～15°，第四方向W与第一方向X之间的夹角β为11°。
这样，在显示面板中，像素电极14能够通过两个对称或大致对称的方向的狭缝和公共电极13之间形成电场，这使得由像素电极14通过一个方向的狭缝与公共电极13形成电场时所产生的串色得到更大程度地中和，从而可以更有效地解决显示面板出现串色的问题。
在一些实施例中，如图5A和图5B所示，在每个分区内，像素子电极141的远离其所耦接的栅线12的边缘F的延伸方向，与位于该分区的具有多条狭缝S的子电极的狭缝方向一致。这里，具有狭缝S的子电极可以是像素子电极141，也可以是公共子电极131，或者是对像素子电极141和公共子电极131的统称。
这样，由于像素子电极141的远离其所耦接的栅线12的边缘F的延伸方向与狭缝S方向保持一致，这有利于使像素子电极141透过狭缝与公共子电极131之间形成较强的电场，从而有利于驱动该电场所在区域的液晶分子发生偏转，以增强液晶层在该区域的出光效率，进而提高液晶显示面板的透过率。
在一些实施例中，如图5A和图5B所示，沿第二方向Y，分别属于相邻的两个亚像素区域Q且相邻的两个分区内，具有多条狭缝的子电极的狭缝方向相同。例如，沿第二方向Y，一个亚像素区域Q的第一分区Q1内具有狭缝的子电极的狭缝方向和其相邻亚像素区域Q的第二分区Q2内具有狭缝的子电极的狭缝方向相同。示例性地，狭缝方向均为第四方向W。
在一些实施例中，如图6A～图6C所示，上述阵列基板1还包括：滤色层16，该滤色层16包括呈阵列式排布的多个滤色部161；沿第二方向Y，每列滤色部所允许透过的光的颜色相同；所述多个滤色部161中的每个滤色部161在第一衬底基板11上的正投影与沿列方向(即第二方向Y)相邻且属于不同像素电极14的两个像素子电极141在第一衬底基板11上的正投影重叠或大致重叠。
此处，滤色层16可设置于多个像素电极14和多个公共电极13中更靠近第一衬底基板11的一者与第一衬底基板11之间，这样可以避免滤色层16对多个像素电极14和多个公共电极13之间所形成的电场产生影响。例如，如图6B所示，在多个像素电极14相对于多个公共电极13更靠近第一衬底基板11的情况下，滤色层16可设置于多个像素电极14与第一衬底基板11之间。
需要说明的是，在阵列基板1还包括滤色层16，且滤色层16可设置于多个像素电极14和多个公共电极13中更靠近第一衬底基板11的一者与第一衬底基板11之间的情况下，如图6B和6C所示，在薄膜晶体管TFT的源极和漏极(源漏电极层)和滤色层16之间设置有一层绝缘层，及在滤色层16和多个像素电极14之间设置有一层绝缘层，也就是说，图6B和6C所示的阵列基板1中，多个连接电极17通过过孔与薄膜晶体管TFT的漏极耦接，实现将像素电极14与薄膜晶体管TFT的漏极相耦接。
基于此，沿第二方向Y，相邻两个像素电极14所对应的滤色部161的颜色相同，这样，沿第二方向Y，便无需在相邻两个像素电极14所对应的滤色部之间设置将两个滤色部161隔开的黑矩阵条，从而提高了液晶显示面板的透过率。
在一些实施例中，如图7A～图7C所示，阵列基板还包括黑矩阵19，黑矩阵19包括沿第一方向X延伸的第一黑矩阵条191和沿第二方向Y延伸的第二黑矩阵条192，第一黑矩阵条191和第二黑矩阵条192设置于所述多个滤色部161之间的间隙。沿第一方向X延伸的第一黑矩阵条191用于防止漏光，在第二方向Y延伸的第二黑矩阵条192用于防止在第二方向Y上相邻的滤色部之间发生串色。
如图7D所示，在阵列基板1包括多个连接电极17，每个连接电极17包括第一连接部171和两个第二连接部172，且多个连接电极17的材料为遮光材料的情况下，例如多个连接电极17的材料与漏极的材料相同，为金属材料，第一黑矩阵条191的宽度d2小于沿列方向(例如第二方向Y)相邻且属于同一像素电极14的两个像素子电极141之间的间隙的宽度d1，且大于或等于沿列方向(例如第二方向Y)相邻两个第二连接部172之间的间隙的宽度d3。其中，第一黑矩阵条191的宽度d2指的是第一黑矩阵条191在列方向(例如第二方向Y)上的尺寸。
由于多个连接电极17的材料为遮光材料，因此多个连接电极17也能起到遮光的作用，这就使得在沿列方向(例如第二方向Y)相邻且属于同一像素电极14的两个像素子电极141之间的间隙处，多个连接电极17和第一黑矩阵条191共同进行遮光，从而第一黑矩阵条191的宽度可以适当地减小，从而在保证不漏光的前提下，避免了宽度较大的黑矩阵条对像素开口率的影响，提高了像素的开口率，提高了液晶显示面板的光线透过率。
作为一种可能的实现方式，每个第一黑矩阵条191在第一方向X上宽窄不一。示例性地，以某一条第一黑矩阵条191为例，对于该第一黑矩阵条191中对应连接电极17的位置，在多个连接电极17的材料为遮光材料的情况下，第一黑矩阵条191在该位置处的宽度较小，例如该宽度可以小于沿列方向(例如第二方向Y)相邻且属于同一像素电极14的两个像素子电极141之间的间隙的宽度d1，且大于或等于沿列方向(例如第二方向Y)相邻两个第二连接部172之间的间隙的宽度d3，以提高了像素的开口率。对于该第一黑矩阵条191中对应连接电极17的位置，第一黑矩阵条191在该位置处的宽度较小，例如该宽度可以小于沿列方向(例如第二方向Y)相邻且属于同一像素电极14的两个像素子电极141之间的间隙的宽度d1，以保证起到遮光作用。
在另一些示例中，第一黑矩阵条191的宽度大于沿第二方向Y相邻且属于同一像素电极14的两个像素子电极141之间的间隙的宽度，且第一黑矩阵条191的宽度在第一方向X上处处相等，这样能够保证第一黑矩阵条191充分发挥遮光作用，避免了由于漏光导致的显示不良现象。
在本公开一些实施例中，如图3A～图3C，图4A～图4E，由于处于同一列的、相邻的且属于不同像素电极14的两个像素子电极141之间没有设置栅线，因此，该两个像素子电极141之间的间隙可以设置地较小。这样能够使处于同一列的、相邻且属于不同像素电极14的两个像素子电极141之间形成有效的叠加电场，从而有利于驱动该叠加电场所在区域的液晶分子发生偏转，以增强液晶层在该区域的出光效率，进而提高液晶显示面板的透过率。示例性地，处于同一列的、相邻的且属于不同像素电极14的两个像素子电极141之间的间隙的宽度范围为2.5μm～3.5μm；例如2.5μm、3μm、3.5μm。
如图11A和图11B所示，本公开的一些实施例提供了一种显示面板10。该显示面板10包括：如上述任一项实施例所述的阵列基板1、与该阵列基板1相对设置的对向基板3和设置于阵列基板1与对向基板3之间的液晶层2。
基于此，在上述阵列基板1应用于驱动方式为行反转或点反转的液晶显示面板的情况下，施加在对应不同行像素电极14且相邻的两行栅线12之间、且处于同一列的两个像素子电极141上的像素电压的极性相反。这样一来，由于施加在该相邻的两行栅线12之间、且处于同一列的两个像素子电极141上的像素电压的极性相反，这就使得除该相邻两个像素子电极141分别与公共电极13之间会形成横向电场外，该相邻两个像素子电极141之间也会形成一个横向的叠加电场，增强了在该相邻两个像素子电极141相邻的位置处电场的强度，从而有利于驱动该区域的液晶分子发生偏转，以增强液晶层在该区域的出光效率，进而提高液晶显示面板的透过率。
并且，由于上述显示面板10的透过率得到了提高，因此该显示面板10在和上述相关技术中的液晶显示面板显示画面的亮度相同的情况下，该显示面板10的像素电极14上所施加的像素电压可以更小，从而降低了显示面板10的功耗。
在一些实施例中，如图11A所示，上述显示面板10中的阵列基板1包括滤色层16，该滤色层16包括呈阵列式排布的多个滤色部161，相邻两个滤色部161之间设置有黑矩阵条162。即该阵列基板1采用了COA(Color Film On Array，彩膜层在阵列基板)技术。该阵列基板1的结构可参见上面对图6A～6C所示出的阵列基板1的结构的相关描述，此处不再重复描述。
在另一些实施例中，参见图11B，上述显示面板10中的阵列基板1不包括滤色层，对向基板3包括第二衬底基板31及设置在第二衬底基板31靠近阵列基板1一侧的滤色层32。滤色层32包括呈阵列式排布的多个滤色部321；沿第二方向Y，每列滤色部321的颜色相同；所述多个滤色部321中的每个滤色部321在阵列基板1上的正投影与沿列方向相邻且属于不同像素电极14的两个像素子电极141在第一衬底基板11上的正投影重叠或大致重叠。
这样，沿第二方向Y，相邻两个像素电极14所对应的滤色部321的颜色相同，从而，沿第二方向Y，便无需在相邻两个像素电极14所对应的滤色部321之间设置将两个滤色部321隔开的黑矩阵条，从而保证了液晶显示面板的透过率。
继续参见图11B，基于上述显示面板10，对向基板3还包括黑矩阵33。如图12所示，黑矩阵33包括沿第一方向X延伸的第一黑矩阵条331和沿第二方向Y延伸的第二黑矩阵条332；第一黑矩阵条331和第二黑矩阵条332设置于多个滤色部321之间的间隙。
在一些示例中，在阵列基板1包括多个连接电极17，且每个连接电极17包括第一连接部171和两个第二连接部172，且所述多个连接电极17的材料为遮光材料的情况下的情况下，第一黑矩阵条331的宽度小于沿列方向相邻且属于同一像素电极的两个像素子电极之间的间隙的宽度，且大于或等于沿列方向相邻两个第二连接部172之间的间隙的宽度，这样可以对相邻两个第二连接部172之间的间隙进行有效遮挡，避免相邻两个第二连接部172之间的间隙发生漏光。并且由于多个连接电极17也能起到遮光作用，使得第一黑矩阵条191的宽度得以减小，从而在保证不漏光的前提下，避免了宽度较大的黑矩阵条对像素开口率的影响，提高了像素的开口率，提高了液晶显示面板的光线透过率。
在另一些示例中，第一黑矩阵条191的宽度大于沿第二方向Y相邻且属于同一像素电极14的两个像素子电极141之间的间隙的宽度，且第一黑矩阵条191的宽度在第一方向X上处处相等，这样能够保证第一黑矩阵条191充分发挥遮光作用，避免了由于漏光导致的显示不良现象。
请再次参见图11A和图11B，在一些实施例中，上述显示面板10还包括：设置于阵列基板1靠近液晶层2的一侧的第一取向层20，设置于对向基板3靠近液晶层2的一侧的第二取向层21，设置于阵列基板1远离液晶层2的一侧的第一偏振片22，及设置于对向基板3远离液晶层2的依次的第二偏振片23。
其中，示例性地，第一取向层20和第二取向层21的配向方向相互垂直或大致相互垂直。第一偏振片22和第二偏振片23的偏振方向相互垂直或大致相互垂直。
如图13所示，本公开的一些实施例提供了一种显示装置100。该显示100包括如上述任一项实施例所述的显示面板10。
上述显示装置100的有益效果与显示面板的有益效果相同，在此不做赘述。
如图13所示，上述显示装置100还包括设置显示面板10一侧的(例如阵列基板1侧)背光模组20(图中以直下式背光模组为例)，该背光模组20包括背板201、光源202、扩散板203和框架204，背光模组20被配置为向显示面板10提供显示图像所需要的光线。
本公开实施例提供的显示装置100可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是图画的图像的任何装置。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种显示装置中或与多种显示装置关联，所述多种显示装置包括但不限于移动电话、无线装置、个人数据助理(Portable Android Device，缩写为PAD)、手持式或便携式计算机、GPS(Global Positioning System，全球定位系统)接收器/导航器、相机、MP4(全称为MPEG-4Part 14)视频播放器、摄像机、游戏控制台、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，汽车的行车记录仪或倒车影像等)等。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种阵列基板，包括：
第一衬底基板；
设置于所述第一衬底基板上的沿第一方向延伸的多条栅线；
设置于所述多条栅线远离所述第一衬底基板一侧的多个公共电极；和，
设置于所述多条栅线远离所述第一衬底基板一侧的、呈阵列式排布的多个像素电极；所述多个像素电极排列形成沿所述第一方向延伸的多行像素电极，每行像素电极中的至少一个像素电极包括沿第二方向排布的两个像素子电极，所述两个像素子电极之间设置有至少一条栅线，且所述两个像素子电极与所述至少一条栅线中的一条栅线耦接；
其中，所述多个公共电极和所述多个像素电极中，至少更远离所述第一衬底基板的一者中的每个电极具有多条狭缝；所述第一方向与所述第二方向相交叉；
所述阵列基板还包括：多个连接电极，所述多个连接电极沿所述第一方向排布；
每行像素电极中的至少一个像素电极的两个像素子电极之间，通过所述多个连接电极中的一个连接电极相互电连接；该连接电极与位于所述两个像素子电极之间的一条栅线耦接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述多个连接电极中的至少一个连接电极包括：
第一连接部，所述第一连接部由该连接电极电连接的两个像素子电极中的一者延伸至另一者；
分别与所述第一连接部的两端耦接的两个第二连接部，所述两个第二连接部分别与该连接电极电连接的两个像素子电极耦接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一连接部沿或者大致沿所述第二方向延伸；
所述两个第二连接部中的至少一个第二连接部沿或者大致沿所述第一方向延伸。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的阵列基板，还包括：设置于所述多个像素电极靠近所述第一衬底基板一侧的源漏电极层，所述源漏电极层包括多个薄膜晶体管的源极和漏极；
所述多个连接电极位于所述源漏电极层中，且与所述源极和所述漏极的材料相同；
每个所述像素电极通过所述多个连接电极中的一个连接电极，与所述多个薄膜晶体管中的一个薄膜晶体管的漏极耦接。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的阵列基板，其中，所述多个连接电极与所述多个像素电极位于同一层中，且材料相同。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的阵列基板，其中，所述阵列基板具有多个亚像素区域，所述多个公共电极和所述多个像素电极均分别设置于所述多个亚像素区域内；
所述多个亚像素区域中的每个亚像素区域包括两个分区，每个所述像素电极的两个像素子电极分别设置于一个所述亚像素区域的两个分区内；
每个所述公共电极包括两个公共子电极，所述两个公共子电极分别设置于一个所述亚像素区域的两个分区内；
位于同一分区内的像素子电极和公共子电极中，至少更远离所述第一衬底基板的一者具有多条狭缝，且该多条狭缝的方向一致。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，在每个分区内，像素子电极的远离其所耦接的栅线的边缘的延伸方向，与位于该分区的具有多条狭缝的子电极的狭缝方向一致。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，同一个亚像素区域内，位于两个分区内的具有多条狭缝的子电极的狭缝方向不同。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，同一个亚像素区域内，位于两个分区内的具有多条狭缝的子电极的狭缝方向分别为第三方向和第四方向；
所述第三方向与所述第一方向之间的夹角，及所述第四方向与所述第一方向之间的夹角均大于或等于0°且小于90°；
所述第三方向和所述第四方向关于所述第一方向对称或大致对称。
10.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，沿所述第二方向，在相邻的且分别属于相邻的两个亚像素区域的两个分区内，具有多条狭缝的子电极的狭缝方向相同。
11.根据权利要求1～3中任一项所述的阵列基板，其中，每行像素电极中的每个像素电极的两个像素子电极之间设置有一条栅线。
12.根据权利要求1～3中任一项所述的阵列基板，其中，每行像素电极中的每个像素电极的两个像素子电极之间设置有两条栅线，该两条栅线分别为第一栅线和第二栅线；
每行像素电极包括交替排布的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极所包括的两个像素子电极与所述第一栅线耦接，所述第二像素电极所包括的两个像素子电极与所述第二栅线耦接。
13.根据权利要求1～3中任一项所述的阵列基板，还包括：滤色层，所述滤色层包括呈阵列式排布的多个滤色部；
沿所述第二方向，每列滤色部的所允许透过的光的颜色相同；
所述多个滤色部中的每个滤色部在所述第一衬底基板上的正投影与沿列方向相邻且属于不同像素电极的两个像素子电极在所述第一衬底基板上的正投影重叠或大致重叠。
14.根据权利要求13所述的阵列基板，还包括：黑矩阵，所述黑矩阵包括沿第一方向延伸的第一黑矩阵条和沿第二方向延伸的第二黑矩阵条，所述第一黑矩阵条和所述第二黑矩阵条设置于所述多个滤色部之间的间隙；
在所述阵列基板包括多个连接电极，每个连接电极包括第一连接部和两个第二连接部，且所述多个连接电极的材料为遮光材料的情况下，所述第一黑矩阵条的宽度小于沿列方向相邻且属于同一像素电极的两个像素子电极之间的间隙的宽度，且大于或等于沿列方向相邻两个第二连接部之间的间隙的宽度。
15.根据权利要求1～3中任一项所述的阵列基板，其中，处于同一列的、相邻的且属于不同像素电极的两个像素子电极之间的间隙的宽度范围为2.5μm～3.5μm。
16.一种显示面板，包括：
如权利要求1～15中任一项所述的阵列基板；
与所述阵列基板相对设置的对向基板；和，
设置于所述阵列基板与所述对向基板之间的液晶层。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中，在所述阵列基板不包括滤色层的情况下，所述对向基板包括：第二衬底基板，及设置在所述第二衬底基板靠近所述阵列基板一侧的滤色层；
所述滤色层包括呈阵列式排布的多个滤色部；沿第二方向，每列滤色部的颜色相同；
所述多个滤色部中的每个滤色部在所述阵列基板的第一衬底基板上的正投影与沿列方向相邻且属于不同像素电极的两个像素子电极在所述第一衬底基板上的正投影重叠或大致重叠。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述对向基板还包括：黑矩阵，所述黑矩阵包括沿第一方向延伸的第一黑矩阵条和沿第二方向延伸的第二黑矩阵条，所述第一黑矩阵条和所述第二黑矩阵条设置于所述多个滤色部之间的间隙；
在所述阵列基板包括多个连接电极，每个连接电极包括第一连接部和两个第二连接部，且所述多个连接电极的材料为遮光材料的情况下，所述第一黑矩阵条的宽度小于沿列方向相邻且属于同一像素电极的两个像素子电极之间的间隙的宽度，且大于或等于沿列方向相邻两个第二连接部之间的间隙的宽度。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114823736A (zh) * 2022-05-12 2022-07-29 武汉华星光电技术有限公司 电子装置
CN114924437B (zh) * 2022-05-20 2024-01-12 北京京东方技术开发有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
WO2025043499A1 (zh) * 2023-08-29 2025-03-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102662286A (zh) * 2012-05-11 2012-09-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶面板以及显示装置
CN103412675A (zh) * 2013-07-26 2013-11-27 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100413668B1 (ko) * 2001-03-29 2003-12-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
JP2008242374A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及び電子機器
CN101398587B (zh) * 2007-09-29 2011-02-16 北京京东方光电科技有限公司 水平电场型液晶显示装置的像素结构
KR20090038685A (ko) * 2007-10-16 2009-04-21 삼성전자주식회사 액정표시장치
JP5075718B2 (ja) * 2008-04-08 2012-11-21 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
JP5103494B2 (ja) * 2010-03-05 2012-12-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
JP5612399B2 (ja) * 2010-08-31 2014-10-22 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN102629055B (zh) 2011-10-24 2015-06-03 北京京东方光电科技有限公司 显示器件的阵列基板、彩膜基板及其制备方法
US9557620B2 (en) * 2011-11-15 2017-01-31 Boe Technology Group Co., Ltd. TFT array substrate and display device with tilt angle between strip-like pixel electrodes and direction of initial alignment of liquid crystals
CN202339463U (zh) * 2011-11-29 2012-07-18 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管液晶显示器像素结构及液晶显示器
KR101906182B1 (ko) * 2011-12-08 2018-10-11 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP6002478B2 (ja) * 2012-07-04 2016-10-05 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN102830549A (zh) * 2012-09-14 2012-12-19 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示面板及其制作方法、显示装置
CN202886793U (zh) * 2012-11-19 2013-04-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置
CN104122713B (zh) * 2013-05-09 2017-08-29 深超光电（深圳）有限公司 一种液晶显示器阵列基板的制造方法
CN103676387B (zh) * 2013-12-30 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
KR102221551B1 (ko) * 2014-11-27 2021-03-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN105159001B (zh) * 2015-10-20 2018-06-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板以及显示装置
TWI551921B (zh) * 2015-12-17 2016-10-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
CN105511177A (zh) * 2016-02-02 2016-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板和液晶显示装置
CN106249490A (zh) * 2016-09-09 2016-12-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN106371256A (zh) * 2016-11-30 2017-02-01 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示面板及显示装置
CN209373316U (zh) * 2019-03-15 2019-09-10 北京京东方显示技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102662286A (zh) * 2012-05-11 2012-09-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶面板以及显示装置
CN103412675A (zh) * 2013-07-26 2013-11-27 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置

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