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CN113615319B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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CN113615319B
CN113615319B CN201980094717.8A CN201980094717A CN113615319B CN 113615319 B CN113615319 B CN 113615319B CN 201980094717 A CN201980094717 A CN 201980094717A CN 113615319 B CN113615319 B CN 113615319B
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孙屹
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Abstract

设于树脂基板层(15)上的TFT层(17)具有第一无机绝缘膜(24)、设于第一无机绝缘膜上的第二无机绝缘膜(36)以及设于第二无机绝缘膜上的引出布线(7)，在边框区域(F)的折弯部(B)中，设于TFT层中的狭缝(81)由形成于第一无机绝缘膜第一狭缝(83)和第二狭缝(85)构成，在第二狭缝的内侧沿第一狭缝的宽度方向的两侧设置的段部(91)设有岛状的凸部(93)，引出布线覆盖凸部的周端面，并且具有使凸部的上表面露出的开口(97)。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本公开涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机电致发光(ElectroLuminescence，以下，称为“EL”)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。在该有机EL显示装置中，提出了在具有可挠性的树脂基板上设有薄膜晶体管(以下称为“TFT”)或有机EL元件等的柔性的有机EL显示装置。
在有机EL显示装置中设有进行图像显示的显示区域和位于显示区域的周围的边框区域。而且，在有机EL显示装置中，期望缩小边框区域。在柔性的有机EL显示装置中，为了减小俯视下的边框区域的占有面积，将端子部侧的边框区域折弯。
在这样的有机EL显示装置中，为了缓和在边框区域的折弯部产生的折弯应力，有时去除该折弯部中的无机绝缘层。例如，在专利文献1所公开的有机EL显示装置中，在折弯部去除无机绝缘层而形成的狭缝内，使折弯部的厚度经由多个台阶而阶段性地减少，从而不易产生布线的断线。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2018-78057号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在专利文献1所公开的有机EL显示装置中，引出布线从显示区域侧在折弯部经由多个台阶引出至端子部。因此，引出布线在位于相邻的台阶之间的段部，由于形成于一方的高低差与另一方的高低差的布线部分所产生的应力而向两侧拉伸，由此有可能因应力集中在引出布线的特定部位而产生断线或剥离。
本公开的技术是鉴于这点而完成的，其目的在于抑制在显示装置的折弯部中引出布线产生断线和剥离。
解决问题的方案
本公开的技术以具备有具有可挠性的树脂基板和设于树脂基板上的TFT层的显示装置为对象。
TFT层包含多个TFT。TFT层具有：第一无机绝缘膜，其包含无机绝缘层；第二无机绝缘膜，其包含设于第一无机绝缘膜上的无机绝缘层；以及引出布线，其设于第二无机绝缘膜上。
显示装置中设有显示区域和边框区域，显示区域根据TFT的动作进行图像显示，边框区域位于显示区域的周围。边框区域具有折弯部，折弯部绕着沿第一方向延伸的折弯轴折弯。在折弯部中，TFT层中设有沿第一方向延伸的狭缝。
狭缝由第一狭缝和第二狭缝构成，第一狭缝形成于第一无机绝缘膜，第二狭缝以大于第一狭缝的宽度形成于第二无机绝缘膜。第一无机绝缘膜中沿第一狭缝的宽度方向的两侧的部分构成段部，段部在第二狭缝的内侧从第二无机绝缘膜露出。在狭缝内的段部中设有岛状的凸部。
引出布线与TFT电连接。该引出布线在与第一方向相交的第二方向上从狭缝的一侧到另一侧经由段部延伸，该第一方向为折弯轴所延伸的方向。并且，该引出布线覆盖在狭缝内的段部所设置的凸部的周端面，并且具有使该凸部的上表面露出的开口。
发明效果
根据上述显示装置，在设于折弯部的狭缝内的段部设置凸部，将横穿狭缝的引出布线以覆盖凸部的周端面且具有使凸部的上表面露出的开口的方式设置，因此能够提高段部中的引出布线的紧贴性，并且即使引出布线由于形成于一方的台阶和另一方的台阶的该布线部分所产生的应力而向两侧拉伸，也能够缓和应力集中于引出布线的特定部位。由此，在显示装置的折弯部，能够抑制引出布线发生断线以及剥离。
附图说明
图1是示出第一实施方式的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是示出第一实施方式的有机EL显示装置的显示区域的构成的俯视图。
图3是沿着图2中的III-III线的有机EL显示装置的剖视图。
图4是示出构成第一实施方式的有机EL显示装置的TFT层的一部分的等效电路图。
图5是示出构成第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL层的层叠结构的剖视图。
图6是示出第一实施方式的有机EL显示装置的折弯部及其周边的构成的俯视图。
图7是沿着图6中的VII-VII线的有机EL显示装置的折弯部及其周边的剖视图。
图8是沿着图6中的VIII-VIII线的有机EL显示装置的折弯部及其周边的剖视图。
图9是沿着图6中的IX-IX线的有机EL显示装置的折弯部的主要部分的剖视图。
图10是第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的概略性流程图。
图11是示出在第一实施方式的有机EL显示装置的制造中形成有栅极导电层的状态的与图8对应的部位的剖视图。
图12是示出在第一实施方式的有机EL显示装置的制造中形成有第二层间绝缘层的状态的与图8对应的部位的剖视图。
图13是示出在第一实施方式的有机EL显示装置的制造中形成凹槽部时的状态的与图8对应的部位的剖视图。
图14是示出在第一实施方式的有机EL显示装置的制造中形成有凹槽部的状态的与图8对应的部位的剖视图。
图15是示出在第一实施方式的有机EL显示装置的制造中形成狭缝时的状态的与图8对应的部位的剖视图。
图16是示出在第一实施方式的有机EL显示装置的制造中形成有狭缝的状态的与图8对应的部位的剖视图。
图17是示出在第一实施方式的有机EL显示装置的制造中形成有源极导电层的状态的与图8对应的部位的剖视图。
图18是示出第二实施方式的有机EL显示装置的折弯部及其周边的构成的俯视图。
图19是沿着图18中的XIX-XIX线的有机EL显示装置的折弯部及其周边的剖视图。
图20是第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法的概略性流程图。
图21是第一变形例的有机EL显示装置的与图9对应的部位的剖视图。
图22是第二变形例的有机EL显示装置的与图9对应的部位的剖视图。
图23是第三变形例的有机EL显示装置的与图9对应的部位的剖视图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明例示的实施方式。
此外，在以下的实施方式中，在某个膜、层、元件等构成要素之上设置或形成有其他膜、层、元件等构成要素的记载，不仅意味着在某个构成要素的正上方存在其他构成要素的情况，也包括在这两个构成要素之间存在除此之外的膜、层、元件等构成要素的情况。
另外，在以下的实施方式中，假设某个膜、层、元件等构成要素与其他膜、层、元件等构成要素连接，只要没有特别说明，则意味着电连接，在不脱离本公开的技术的主旨的范围内，不仅意味着直接连接的情况，还包含意味着经由除此以外的膜、层、元件等构成要素的间接连接的情况，也可以包含其他构成要素与某一构成要素一体化、即所存在的构成要素的一部分构成其他构成要素的情况。
另外，以下的实施方式中，“同层”的记载意味着由与比较对象的膜、层相同的工艺而形成，“下层”的记载意味着由比较对象的膜、层、元件之前的工艺而形成，“上层”的记载意味着由比较对象的膜、层之后的工艺而形成。
《第一实施方式》
〈有机EL显示装置的构成〉
图1是示出该第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的概略构成的俯视图。图2是示出该第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的显示区域D的构成的俯视图。图3是沿着图2中的III-III线的有机EL显示装置1的剖视图。图4是示出构成该第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的TFT层17的一部分的等效电路图。
－有机EL显示装置的概略构成－
如图1所示，有机EL显示装置1包括进行图像显示的显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。
显示区域D是构成画面的矩形状的区域，且如图2所示由多个像素3构成。这些多个像素3被排列为例如矩阵状。每个像素3构成为例如包括三色的子像素5，三色的子像素5由进行红色的发光的子像素5r，进行绿色的发光的子像素5g和进行蓝色的发光的子像素5b组成。这三种颜色的子像素5r、5g、5b例如被排列成条纹状。
在此，在该第一实施方式中，例示了矩形状的显示区域D，但此处提及的“矩形状”也包括例如矩形的边为圆弧状的形状、矩形的角部为圆弧状的形状、矩形的边的一部分有切口的形状等大致矩形。
边框区域F是构成画面以外的非显示部分的矩形框状的区域。在构成边框区域F的一边的部分设置有用于与外部电路连接的端子部T。边框区域F在显示区域D与端子部T之间具有折弯部B，该折弯部B绕着沿图1中作为横向的第一方向X延伸的折弯轴A折弯。
端子部T通过将边框区域F在折弯部B折弯为例如180°(U字形)从而配置在有机EL显示装置1的背面侧。端子部T与FPC(Flexible Printed Circuit)等的布线基板连接。在边框区域F中设置有从显示区域D引出至端子部T的多条引出布线7。
在边框区域F中，在构成与设置有端子部T的边相邻的边(图1中左右的各边)的部分，虽未图示，但单片地设置有包含栅极驱动器、发光驱动器等的驱动电路。从该驱动电路也向端子部T引出引出布线7。另外，在边框区域F中以包围显示区域D的方式设置有未图示的低电平电源布线。低电平电源布线也朝向端子部T而被引出，从而构成引出布线7。
在端子部T中以规定的图案设置有多个布线端子13，该多个布线端子13用于与设置在边框区域F中的引出布线7进行导通。有机EL显示装置1通过这些多个布线端子13经由布线基板与高电平电压电源(ELVDD)、低电平电压电源(ELVSS)、显示控制电路连接。
有机EL显示装置1采用利用TFT69来控制各个子像素5的发光，并根据TFT69的动作进行图像显示的有源矩阵驱动方式。如图3所示，该有机EL显示装置1包括树脂基板层15、设置在树脂基板层15上的TFT层17、设置在TFT层17上的发光元件层19以及设置在发光元件层19上的密封膜21。
－树脂基板层的构成－
树脂基板层15例如是厚度为10μm～20μm左右的树脂基板，且具有可挠性。该树脂基板层15例如由聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂等有机材料形成。该树脂基板层15也可以由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy)、氮氧化硅(SiOxNy)(x、y为正数，以下相同)等无机材料构成的无机绝缘层与上述树脂层的层叠膜形成。
－TFT层的构成－
TFT层17具备在树脂基板层15上依次设置的底涂层23、半导体层25、栅极绝缘层27、栅极导电层29、第一层间绝缘层31、中间导电层33、第二层间绝缘层35、源极导电层37和平坦化层39。底涂层23构成第一无机绝缘膜24。栅极绝缘层27、第一层间绝缘层31以及第二层间绝缘层35构成第二无机绝缘膜36。
底涂层23通过由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy)、氮氧化硅(SiOxNy)等形成的无机绝缘层的单层膜或层叠膜构成。底涂层23的厚度例如为1μm左右。
半导体层25设置为岛状。半导体层25例如由低温多晶硅(LTPS：Low TemperaturePolycrystalline Silicon)、In-Ga-Zn-O系等的氧化物半导体等形成。半导体层25的厚度例如为40nm左右。
栅极绝缘层27以覆盖半导体层25的方式设置。栅极绝缘层27例如通过由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy)、氮氧化硅(SiOxNy)等形成的无机绝缘层的单层膜或层叠膜构成。
栅极导电层29包括多条栅极布线43、多条栅极电极45、多条发光控制布线47、多个第一电容电极49以及多条第一引出布线7a。即，这些栅极布线43、栅极电极45、发光控制布线47、第一电容电极49、第一引出布线7a由同一材料形成于同一层。栅极布线43、栅极电极45、发光控制布线47、第一电容电极49以及第一引出布线7a的厚度例如为200nm～300nm左右。
栅极布线43、栅极电极45、发光控制布线47、第一电容电极49以及第一引出布线7a例如通过由铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等形成的金属层的单层膜或层叠膜构成。栅极布线43、发光控制布线47以及第一引出布线7a是第一布线的一个例子。
第一层间绝缘层31被设置为覆盖栅极布线43、栅极电极45、发光控制布线47以及第一电容电极49。第一层间绝缘膜31例如通过由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy)、氮氧化硅(SiOxNy)等形成的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。第一层间绝缘层31的厚度例如为100nm左右。
中间导电层33包括多条初始化电源布线53以及多个第二电容电极55。这些初始化电源布线53以及第二电容电极55由同一材料形成在同一层。初始化电源布线53以及第二电容电极55例如通过由铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等构成的金属层的单层膜或者层叠膜构成。初始化电源布线53是第二布线的一个例子。
第二层间绝缘层35设置为在第一层间绝缘层31上覆盖初始化电源布线53和第二电容电极55。第二层间绝缘层35例如通过由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy)、氮氧化硅(SiOxNy)等形成的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。第二层间绝缘层35的厚度例如为500nm左右。
源极导电层37包括多条源极布线59、多个源极电极61、多个漏极电极63、多条高电平电源布线65、低电平电源布线、多条第二引出布线7b。这些源极布线59、源极电极61、漏极电极63、高电平电源布线65、低电平电源布线以及第二引出布线7b由同一材料形成于同一层。源极布线59、源极电极61、漏极电极63、高电平电源布线65、低电平电源布线以及第二引出布线7b的厚度例如为600nm～700nm左右。
源极布线59、源极电极61、漏极电极63、高电平电源布线65、低电平电源布线以及第二引出布线7b例如通过由铝(A1)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等形成的金属层的单层膜或层叠膜构成。源极布线59、高电平电源布线65、低电平电源布线以及第二引出布线7b是第三布线的一个例子。
－显示用布线的构成－
多条栅极布线43设置在显示区域D，在第一方向X上相互平行地延伸。栅极布线43是用于传递栅极信号的布线，并按子像素5的每行设置。各栅极布线43连接于驱动电路所包含的栅极驱动器，并按规定的定时序依次被选择而成为激活状态。
多条发光控制布线47设置在显示区域D，在第一方向X上相互平行地延伸。发光控制布线47是用于传递发光控制信号的布线，并按子像素5的每行设置。各发光控制布线47连接于驱动电路所包含的发光驱动器，并按规定的定时序依次被选择而成为非激活状态。
多条初始化电源布线53设置在显示区域D，在第一方向X上相互平行地延伸。初始化电源布线53是用于施加初始化电位的布线，并按子像素5的每行设置。各初始化电源布线53作为引出布线7从显示区域D被引出至端子部T，且在端子部T经由布线基板与初始化电压电源连接。
多个源极布线59设置于显示区域D，在与第一方向X正交的图1中的纵向即第二方向Y上相互平行地延伸。源极布线59是用于传递源极信号的布线，并按子像素5的每列设置。各源极布线59作为引出布线7从显示区域D被引出至端子部T，且在端子部T经由布线基板与显示控制电路连接。
多条高电平电源布线65设置于显示区域D，在第二方向Y上相互平行地延伸。高电平电源布线65是用于施加规定的高电平电位的布线，并按子像素5的每列设置。各高电平电源布线65作为引出布线7从显示区域D被引出至端子部T，且在端子部T经由布线基板与高电平电压电源(ELDVV)连接。在高电平电源布线65中，通过端子部T从高电平电压电源(ELDVV)被供给作为第一电源电压的高电平电源电压。
各高电平电源布线65也可以组合沿第一方向X延伸的第一高电平电源布线以及沿第二方向延伸的第二高电平电源布线而构成。在这种情况下，第一高电平电源布线被包含在中间导电层33中，并构成第二布线。另外，第二高电平电源布线包含在源极导电层37中，并构成第三布线。这些第一高电平电源布线和第二高电平电源布线经由形成于第二层间绝缘层35的接触孔连接。
低电平电源布线以包围除了端子部T侧的一边以外的显示区域D的方式沿着边框区域F延伸。低电平电源布线是用于施加规定的低电平电位的布线，并共通地设置在多个子像素5中。低电平电源布线被引出至端子部T，且在端子部T经由布线基板与低电平电压电源(ELVSS)连接。在低电平电源布线中，通过端子部T被供给与高电平电源电压不同的低电平电源电压。
第一引出布线7a和第二引出布线7b相互连接，并构成引出布线7(参照图6和图8)。引出布线7构成初始化电源布线53、源极布线59、高电平电源布线65、低电平电源布线、驱动电路的布线的从边框区域F引出至端子部T的布线部分。
－子像素的元件及电路－
由半导体层25、栅极绝缘层27、栅极电极45、第一层间绝缘层31、第二层间绝缘层35、源极电极61以及漏极电极63构成了TFT69。
栅极电极45设置成隔着栅极绝缘层27与半导体层25的一部分(沟道区域)重叠。源极电极61和漏极电极63相互分离。这些源极电极61和漏极电极63经由接触孔71在夹着半导体层25中的与栅极电极45重叠的区域的位置分别与不同的部分(源极区域、漏极区域)连接，该接触孔71形成于栅极绝缘层27、第一层间绝缘层31和第二层间绝缘层35中。
TFT69在每个子像素5中设置有多个。即，TFT层17包括多个TFT69。
每个子像素5中设置的多个TFT69包括第一TFT69a、第二TFT69b、第三TFT69c、第四TFT69d、第五TFT69e、第六TFT69f以及第七TFT69g。这些第一～第七TFT69a、69b、69c、69d、69e、69f、69g都采用了上述的顶栅构造，例如是P沟道型的TFT。
第一电容电极49、第一层间绝缘层31以及第二电容电极55构成电容器73。在每个子像素5中至少设置有一个电容器73。
第一电容电极49与设置于子像素5的第一TFT69a、第二TFT69b和第四TFT69d连接。第二电容电极55设置为隔着第一层间绝缘层31与第一电容电极49对置。第二电容电极55经由形成于第二层间绝缘层35的接触孔75与高电平电源布线65连接。
第一TFT69a、第二TFT69b、第三TFT69c、第四TFT69d、第五TFT69e、第六TFT69f和第七TFT69g和电容器73构成图4所示的像素电路77。在第一～第7TFT69a、69b、69c、69d、69e、69f、69g中，栅极电极45相当于控制端子，源极电极61及漏极电极63中的一个电极相当于第一导通端子Na，另一个电极相当于第二导通端子Nb。
此外，图4所示的像素电路77是第m行第n列(m，n为正的整数)像素电路77。在图4中，在对附图标记附加了(m)的源极布线59和高电平电源布线65是与第m行的子像素5对应的源极布线59和高电平电源布线65。另外，在附图标记上附加了(n)的栅极布线43、发光控制布线47以及初始化电源布线53分别是与第n列的子像素5对应的栅极布线43、发光控制布线47以及初始化电源布线53，在附图标记上附加了(n-1)的栅极布线43是与第n列的子像素5对应的栅极布线的前一个被扫描的栅极布线43。
第一TFT69a是设置在栅极布线43、初始化电源布线53和电容器73之间的第一初始化用TFT。在第一TFT69a中，控制端子连接于栅极布线43，第一导通端子Na连接于初始化电源布线53，第二导通端子Nb连接于电容器73的第一电容电极49。连接第一TFT69a的控制端子的栅极布线43是在对应的子像素5的栅极布线43的前一个所扫描的栅极布线43。第一TFT69a根据栅极布线43的选择，将初始化电源布线53的电压施加到电容器73，由此将施加于第四TFT69d的控制端子的电压初始化。
第二TFT69b是设置于栅极布线43与第四TFT69d之间的阈值补偿用TFT。在第二TFT69b中，控制端子与栅极布线43连接，第一导通端子Na与第四TFT69d的第二导通端子Nb连接，第二导通端子Nb与第四TFT69d的控制端子连接。该第二TFT69b构成为根据栅极布线43的选择，使第四TFT69d成为二极管连接状态，以补偿第四TFT69d的阈值电压。
第三TFT69c是设置在栅极布线43、源极布线59、第四TFT69d之间的写入用TFT。在第三TFT69c中，控制端子与栅极布线43连接，第一导通端子Na与源极布线59连接，第二导通端子Nb与第四TFT69d的第一导通端子Na连接。在此，该第三TFT69c构成为根据栅极布线43的选择将源极布线59的电压施加于第四TFT69d的第一导通端子Na。
第四TFT69d是设置在第一TFT69a、第二TFT69b、电容器73、第三TFT69c、第五TFT69e、第六TFT69f之间的驱动用TFT。第四TFT69d的控制端子与第二TFT69b的第二导通端子Nb连接，同时与电容器73的第一电容电极49连接。第四TFT69d的第一导通端子Na与第三TFT69c的第二导通端子Nb连接，并且与第五TFT69e的第二导通端子Nb连接。第四TFT69d的第二导通端子Nb与第二TFT69b的第一导通端子Na连接，同时与第六TFT69f的第一导通端子Na连接。第四TFT69d构成为将与施加在控制端子与第一导通端子Na之间的电压对应的驱动电流施加于第六TFT69f的第一导通端子Na。
第五TFT69e是设置在发光控制布线47、高电平电源布线65、第四TFT69d之间的电源供给用TFT。在第五TFT69e中，控制端子与发光控制布线47连接，第一导通端子Na与高电平电源布线65连接，第二导通端子Nb与第四TFT69d的第一导通端子Na连接。第五TFT69e根据发光控制布线47的选择，将高电平电源布线65的电压(高电平电源电压)施加于第四TFT69d的第一导通端子Na。
第六TFT69f是设置在发光控制布线47、第二TFT69b、第四TFT69d、有机EL元件105之间的发光控制用TFT。在第六TFT69f中，控制端子与发光控制布线47连接，第一导通端子Na与第四TFT69d的第二导通端子Nb连接，第二导通端子Nb与有机EL元件105的第一电极101连接。第六TFT69f构成为根据发光控制布线47的选择将驱动电流施加于有机EL元件105。
第七TFT69g是设置在栅极布线43、初始化电源布线53、有机EL元件105之间的第二初始化用TFT。在第七TFT69g中，控制端子与栅极布线43连接，第一导通端子Na与初始化电源布线53连接，第二导通端子Nb与有机EL元件105的第一电极101连接。第七TFT69g构成为根据栅极布线43的选择将蓄积在有机EL元件105的第一电极101上的电荷复位。
电容器73是设置于高电平电源布线65、第一TFT69a、第四TFT69d之间的数据保存用元件。电容器73的第一电容电极49与第四TFT69d的控制端子连接，并且与第一TFT69a的第二导通端子Nb和第二TFT69b的第二导通端子Nb连接。电容器73的第二电容电极55与高电平电源布线65连接。电容器73在栅极布线43处于选择状态时，以源极布线59的电压进行蓄电，并保持通过该蓄电而写入的电压，由此在栅极布线43处于非选择状态时，维持施加给第四TFT69d的控制端子的电压。
在显示区域D中，平坦化层39通过覆盖第六TFT69f的漏极电极63的一部分以外(源极布线59、源极电极61、其他漏极电极63、高电平电源布线65等)，使TFT层17的表面平坦化，以减少由第一TFT69a、第二TFT69b、第三TFT69c、第四TFT69d、第五TFT69e、第六TFT69f以及第七TFT69g的表面形状导致的台阶。平坦化层39例如由聚酰亚胺树脂等有机材料形成。
－发光元件层的构成－
如图3所示，发光元件层19设置在平坦化层39上。发光元件层19包括依次设置在平坦化层39上的第一电极101、边缘罩102、有机EL层103和第二电极104。
由第一电极101、有机EL层103和第二电极104构成了有机EL元件105。有机EL元件105设置在每个子像素5中。即，发光元件层19包含了多个有机EL元件105。有机EL元件105是发光元件的一个例子。有机EL元件105例如采用顶部发射型的结构。
第一电极101设置在每个子像素5中。第一电极101经由形成在平坦化层39中的接触孔107与对应的子像素5中的第六TFT69f的漏极63连接。这些第一电极101作为向有机EL层103注入空穴(hole)的阳极发挥作用，并具有光反射性。
作为第一电极101的材料，例如，例举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等的金属材料。
另外，第一电极101的材料也可以是例如砹(At)/氧化砹(AtO2)等的合金。进一步地，第一电极101的材料例如也可以为氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)之类的导电性氧化物等。
为了提高对有机EL层103的空穴注入效率，第一电极101更优选由功函数大的材料形成。另外，第一电极101例如也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。
边缘罩102划分相邻的子像素5的第一电极101。边缘罩102作为整体形成为格子状并且覆盖各第一电极101的外周端部。作为边缘罩102的材料，例如可举出聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等的有机材料。边缘罩102的表面的一部分向上方突出从而构成感光间隔物。
有机EL层103设置在各个第一电极101上。有机EL层103是发光功能层的一个例子。如图5所示，有机EL层103包括依次设置在第一电极101上的空穴注入层1、空穴传输层111、发光层113、电子传输层115及电子注入层117。
空穴注入层109也称为阳极缓冲层，其使第一电极101与有机EL层103之间的能级接近，且具有改善空穴从第一电极101注入到有机EL层103的效率的功能。作为空穴注入层109的材料，例如可例举三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物等。
空穴传输层111具有使空穴高效地传输至发光层113的功能。作为空穴传输层111的材料，例如可举出卟啉衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚-p-苯乙炔、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、胺取代的查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
当通过第一电极101和第二电极104施加电压时，发光层113具有使从第一电极101注入的空穴和从第二电极104注入的电子复合来发光的功能。发光层113根据各个子像素5的有机EL元件105的发光颜色(例如，红色、绿色或蓝色)由不同的材料形成。
作为发光层113的材料，例如可列举金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。
电子传输层115具有使电子高效地传输至发光层113的功能。作为电子传输层115的材料，例如可例举噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、二苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等有机化合物。
电子注入层117也称为阴极缓冲层，其使第二电极104与有机EL层103之间的能级接近，且具有改善电子从第二电极104注入到有机EL层103的效率的功能。作为电子注入层117的材料，例如可举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)那样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
第二电极104共通地设置在多个子像素5中。第二电极104覆盖有机EL层103及边缘罩102，并隔着有机EL层103与第一电极101重叠。第二电极104作为向有机EL层103注入电子的阴极发挥作用，并具有光透射性。
作为第二电极104的材料，例如可例举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。
另外，第二电极104例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。
另外，第二电极104例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。为了提高对有机EL层103的电子注入效率，第二电极104更优选由功函数小的材料形成。另外，第二电极104例如也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。
－密封膜的构成－
密封膜29以覆盖各有机EL元件105的方式设置，并具有保护各有机EL元件105的有机EL层103免受水分、氧等影响的功能。密封膜21包括以覆盖第二电极104的方式设置的第一无机层125、设置在第一无机层125上的有机层127和设置在机层127的第二无机层129。
第一无机层125以及第二无机层129由例如氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、如四氮化三硅(Si3N4)之类的氮化硅(SiNx)、碳氮化硅(SiCN)等的无机材料构成。另外，有机层127例如由丙烯酸树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机材料形成。
－折弯部的构成－
图6是示出该第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的折弯部B及其周边的构成的俯视图。图7是沿着图6中的VII-VII线的有机EL显示装置1的折弯部B及其周边的剖视图。图8是沿着图6中的VIII-VIII线的有机EL显示装置1的折弯部B及其周边的剖视图。图9是沿着图6中的IX-IX线的有机EL显示装置1的折弯部B的主要部分的剖视图。
如图6至图8所示，在折弯部B中，TFT层17中设有沿第一方向X延伸的狭缝81。该狭缝81由第一狭缝83和第二狭缝85构成，第一狭缝83形成于底涂层23(第一无机绝缘膜24)，第二狭缝85以大于第一狭缝83的宽度形成于栅极绝缘层27、第一层间绝缘层31和第二层间绝缘层35(第二无机绝缘膜36)。第一狭缝83形成于第二狭缝85的宽度方向上的中部，并使树脂基板层15的表面从底涂层23露出。
在折弯部B中，狭缝81在底涂层23的表面与树脂基板层15的表面之间形成第一台阶87，在第二层间绝缘层35的表面与底涂层23的表面之间形成第二台阶89。并且，底涂层23中沿第一狭缝83的宽度方向的两侧的部分构成段部91，该段部91在第二狭缝85的内侧从栅极绝缘层27、第一层间绝缘层31及第二层间绝缘层35露出。段部91在狭缝81内位于第一台阶87与第二台阶89之间。
折弯部B及其周边的树脂基板层15上的层叠结构的厚度在狭缝81的外侧、狭缝81内的段部91、两个段部91之间的树脂基板层15露出的部分处呈三阶段地变化，从狭缝81的宽度方向的外侧朝向内侧阶段性地减小。这样，第二层间绝缘层35的表面与树脂基板层15的表面之间的高低差被分为两个台阶87、89，通过使各台阶87、89变小，在由狭缝81的形成而产生台阶处变得难以产生引出布线7(第一引出布线7a)的断线。
如图8和图9所示，在狭缝81内的段部91中设有矩形岛状的凸部93。凸部93在狭缝81内的段部91中的引出布线7所延伸的部位设有多个(在图示的例子中各有三个)，并在第二方向Y上排列。多个凸部93在狭缝81内的段部91相互隔开间隔且整体配置为矩阵状。
该凸部93由设置在底涂层23的表面的凸状的基部94、设置在基部94上的绝缘层95、以及设置在绝缘层95上的导电层96构成。绝缘层95由与栅极绝缘层27相同的材料形成在同一层。导电层96由与栅极布线43及发光控制布线47相同的材料形成在同一层。该导电层96包含于栅极导电层29。
引出布线7构成为包括设于栅极绝缘层27上的第一引出布线7a、以及设于第二层间绝缘层35上的第二引出布线7b。
第一引出布线7a分别设置在狭缝81的宽度方向上的显示区域D侧和端子部T侧这两侧。该第一引出布线7a被第一层间绝缘层31和第二层间绝缘层35覆盖。即，第一引出布线7a设置于栅极绝缘层27与第一层间绝缘层31之间。
第二引出布线7b从第二方向Y上的狭缝81的一侧到另一侧经由第一台阶87、段部91以及第二台阶89延伸，并横穿狭缝81。该第二引出布线7b被平坦化层39覆盖。该第二引出布线7b在狭缝81的宽度方向上的两侧经由形成于第一层间绝缘层31及第二层间绝缘层35的接触孔72分别连接于第一引出布线7a。
而且，该第二引出布线7b在狭缝81内的段部91分别覆盖在第二方向Y上排列的多个凸部93的周端面，并且具有开口97，该开口97使这些各凸部93的上表面露出。该第二引出布线7b与构成凸部93的导电层96接触。另外，第二引出布线7b在第一狭缝83的内侧沿着树脂基板层15的表面延伸，并与树脂基板层15接触。该第二引出布线7b具有多个使树脂基板层15露出的开口98(图示的例子中为5个)。这样，第二引出布线7b形成为将多个环状物连成串珠那样的链状。
＜有机EL显示装置的制造方法＞
以下，参照图10至图17说明制造上述构成的有机EL显示装置1的方法。
图10是第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的制造方法的概略性流程图。图11是示出在第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的制造中形成有栅极导电层29的状态的与图8对应的部位的剖视图。图12是示出在第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的制造中形成有第二层间绝缘层35的状态的与图8对应的部位的剖视图。图13是示出在第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的制造中形成凹槽部99时的状态的与图8对应的部位的剖视图。
图14是示出在该第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的制造中形成有凹槽部99的状态的与图8对应的部位的剖视图。图15是示出在第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的制造中形成狭缝81时的状态的与图8对应的部位的剖视图。图16是示出在该第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的制造中形成有狭缝81的状态的与图8对应的部位的剖视图。图17是示出在该第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的制造中形成有源极导电层37的状态的与图8对应的部位的剖视图。
如图10所示，有机EL显示装置1的制造方法包括TFT层形成工序S001、发光元件层形成工序S002、密封膜形成工序S003、柔性化工序S004、安装工序S005。
－TFT层形成工序－
TFT层形成工序的S001包含底涂层形成工序S101、半导体层形成工序S102、栅极绝缘层形成工序S103、栅极导电层形成工序S104、第一层间绝缘层形成工序S105、中间导电层形成工序S106、第二层间绝缘层形成工序S107、凹槽部形成工序S108、狭缝形成工序S109、源极导电层形成工序S111以及平坦化层形成工序S112。
在该TFT层形成工序S001中，底涂层形成工序S101、栅极绝缘层形成工序S103、第一层间绝缘层形成工序S105以及第二层间绝缘层形成工序S107相当于无机绝缘膜形成工序。栅极导电层形成工序S104相当于第一布线形成工序。中间导电层形成工序S106相当于第二布线形成工序。源极导电层形成工序S111相当于第三布线形成工序以及引出布线形成工序。
在TFT层形成工序S001中，首先，准备在玻璃基板201上形成有树脂基板层15的基板。在底涂层形成工序S101中，在准备好的基板的树脂基板层15上，利用例如CVD(Chemicalvapor Deposition：化学气相沉积)法，将无机绝缘膜以单层或层叠的方式进行成膜，从而形成底涂层23。
在接下来进行的半导体层形成工序S102中，在形成有底涂层23的基板上，利用例如CVD法形成半导体膜，并对该半导体膜根据需要实施结晶化处理、低电阻化处理，之后，利用光刻对该半导体膜进行图案化，从而形成半导体层25。
在接下来进行的栅极绝缘层形成工序S103中，在形成有半导体层25的基板上，利用例如CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法，将无机绝缘膜以单层或层叠的方式进行成膜，从而形成栅极绝缘层27。
在接下来进行的栅极导电层形成工序S104中，在形成有栅极绝缘层27的基板上，利用例如溅射法，将金属膜以单层或者层叠的方式进行成膜，从而形成导电膜。接着，利用光刻对该导电膜进行图案化，如图11所示那样，形成栅极导电层29(栅极布线43、栅极电极45、发光控制布线47、第一电容电极49、第一引出布线7a以及导电层96)。
在接下来进行的第一层间绝缘层形成工序S105中，在形成有栅极导电层29的基板上，利用例如CVD法，将无机绝缘膜以单层或层叠的方式进行成膜，从而形成第一层间绝缘层31。
在接下来进行的中间导电层形成工序S106中，在形成有第一层间绝缘层31的基板上，利用例如溅射法，将金属膜以单层或者层叠的方式进行成膜，从而形成导电膜。接着，利用光刻对该导电膜进行图案化，从而形成中间导电层33(初始化电源布线53和第二电容电极55)。
在接下来进行的第二层间绝缘层形成工序S107中，在形成有中间导电层33的基板上，利用例如CVD法，将无机绝缘膜以单层或者层叠的方式进行成膜，从而如图12所示那样，形成第二层间绝缘层35。
在接下来进行的凹槽部形成工序S108中，在形成有第二层间绝缘层35的基板上，通过例如旋涂法等公知的涂布法涂布感光性树脂材料。接着，对该感光性树脂材料的涂布膜进行预烘烤、曝光、显影以及后烘烤，通过对该涂布膜进行图案化，从而如图13所示，形成第一抗蚀剂层205，该第一抗蚀剂层205在预定形成第一狭缝83的部位具有开口203。
然后，以第一抗蚀层205为掩模，对底涂层23、栅极绝缘层27、第一层间绝缘层31以及第二层间绝缘层35进行蚀刻，从而如图14所示，形成凹槽部99，该凹槽部99贯穿栅极绝缘层27、第一层间绝缘层31以及第二层间绝缘层35并在底涂层23中形成凹部。然后，通过将第一抗蚀剂层205从第二层间绝缘层35上灰化来去除。
在接下来进行的狭缝形成工序S109中，在去除了第一抗蚀剂层205的基板上，通过例如旋涂法等公知的涂布法涂布感光性树脂材料。接着，对该感光性树脂材料的涂布膜进行预烘烤、曝光、显影以及后烘烤，通过对该涂布膜进行图案化，从而如图15所示，形成第二抗蚀剂层209，该第二抗蚀剂层209在预定形成接触孔71、72和第二狭缝85的部位具有开口207。
然后，以第二抗蚀层209为掩模，对底涂层23、栅极绝缘层27、第一层间绝缘层31以及第二层间绝缘层35进行蚀刻，从而如图16所示，形成第二狭缝85，并且，去除底涂层23中的成为凹槽部99的底部的部分来形成第一狭缝83。由此，构成狭缝81，该狭缝81在折弯部B中沿第一方向X延伸，并且具有在第二狭缝85的内侧且在第一狭缝83的两侧的段部91。此时，在狭缝81内的段部91，将导电层96作为掩模，对栅极绝缘层27和底涂层23的一部分进行蚀刻，由此形成绝缘层95以及基部94，并形成岛状的凸部93。然后，通过将第二抗蚀剂层209从第二层间绝缘层35上灰化来去除。
在接下来进行的源极导电层形成工序S111中，在形成有狭缝81的基板上，利用例如溅射法，将金属膜以单层或者层叠的方式进行成膜，从而形成导电膜。接着，利用光刻对该导电膜进行图案化，如图17所示那样，形成源极导电层37(源极布线59、源极电极61、漏极电极63、高电平电源布线65、低电平电源布线以及第二引出布线7b)。此时，使第二引出布线7b以从第二方向Y上的狭缝81的一侧到另一侧经由段部91延伸的方式覆盖凸部93的周端面，并且形成为链状，该链状为具有使凸部93的上表面露出的多个开口97和在第一狭缝83内使树脂基板层15的表面露出的多个开口98的链状。
在接下来进行的平坦化层形成工序S112中，在形成有源极导电层37的基板上，通过例如旋涂法等公知的涂布法涂布感光性树脂材料。接着，对该感光性树脂材料的涂布膜进行预烘烤、曝光、显影以及后烘烤，通过对该涂布膜进行图案化，从而形成平坦化层39。
这样，在TFT层形成工序S001中，在树脂基板16上形成TFT层17。
－发光元件层形成工序－
发光元件层形成工序S002包含第一电极形成工序S201、边缘罩形成工序S202、有机EL层形成工序S203以及第二电极形成工序S204。
在第一电极形成工序S201中，在形成有TFT层17的基板上，例如通过溅射法形成导电氧化物膜、金属膜，从而形成导电膜。接着，利用光刻对该导电膜进行图案化，从而形成第一电极101。
在接下来进行的边缘罩形成工序S202中，在形成有第一电极101的基板上，通过例如旋涂法等公知的涂布法涂布感光性树脂材料。接着，对该感光性树脂材料的涂布膜进行预烘烤、曝光、显影以及后烘烤，通过对该涂布膜进行图案化，从而形成边缘罩102。
在接下来进行的有机EL层形成工序S203中，在形成有边缘罩102的基板上，使用被称为FMM(Fine Metal Mask：精细金属掩模版)的成膜用掩膜70，通过例如真空蒸镀法，依次成膜空穴注入层109、空穴传输层111、发光层113、电子传输层115及电子注入层117，从而在各个第一电极101上形成有机EL层103，该FMM以能够以子像素为单位进行图案化。
此外，在有机EL层形成工序S203中，空穴注入层109、空穴传输层111、发光层113、电子传输层115和电子注入层117中的一些层也可以使用被称为CMM(Common Metal Mask：普通金属掩膜)的成膜用掩模进行成膜，该CMM能够以显示面板为单位进行图案化。
在接下来进行的第二电极形成工序S204中，在形成有有机EL层103的基板上，使用CMM的成膜用掩膜，通过例如真空蒸镀法，将金属膜以单层或层叠的方式进行成膜，从而形成第二电极104。
这样，在发光元件层形成工序S002中，在TFT层17上形成包含多个有机EL元件层105的发光元件层19。
－密封膜形成工序－
在密封膜形成工序S003中，在形成有有机EL层19的基板上，使用CMM的成膜用掩膜，利用例如CVD法，将无机绝缘膜以单层或层叠的方式进行成膜，从而形成第一无机层125。
接着，在形成有第一无机层125的基板上，例如通过喷墨法涂布有机材料，从而形成有机层127。
然后，在形成有有机层127的基板上，使用CMM的成膜用掩膜，利用例如CVD法，将无机绝缘层以单层或层叠的方式进行成膜，从而形成第二无机层129。
这样，在密封膜形成工序S003中，形成层叠有第一无机层125、有机层127以及第二无机层129的密封膜21。
－柔性化工序－
在柔性化工序S004中，首先，在形成有密封膜21的基板的表面粘贴表面保护膜。接着，通过从玻璃基板201侧向树脂基板层15的下表面照射激光，从树脂基板层15的下表面剥离玻璃基板201。然后，在剥离了玻璃基板201的树脂基板层15的下表面粘贴背面保护膜。
－安装工序－
在安装工序S005中，使用ACF(Anisotropic Conductive Film：各向异性导电膜)、ACP(Anisotropic Conductive Paste：各向异性导电膏)等导电材料来连接已将玻璃基板201从树脂基板层15剥离的基板的端子部T与布线基板，由此取得布线基板与布线基板7之间的导通，并与该布线基板一同安装显示控制电路等。
通过如上方式，能够制造该第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1。
根据该第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1，在设于折弯部B的狭缝81内的段部91设置凸部93，将横穿狭缝81的引出布线7以覆盖凸部93的周端面且具有使凸部93的上表面露出的开口97的方式设置，因此能够提高段部91中的引出布线7的紧贴性，并且即使引出布线7由于形成于第一台阶87和第二台阶89的该布线部分所产生的应力而向两侧拉伸，也能够缓和应力集中于引出布线7的特定部位。由此，在有机EL显示装置1的折弯部B，能够抑制引出布线7发生断线以及剥离。
《第二实施方式》
该第二实施方式所涉及的有机EL显示装置1与上述第一实施方式的不同之处在于折弯部B的构成。此外，在该第二实施方式中，除了折弯部B的构成与上述第一实施方式不同以外的构成，与上述第一实施方式相同地构成有机EL显示装置1，因此仅对构成不同的折弯部B进行说明，并将同一构成部位转由基于图1至图17的上述第一实施方式的说明，并省略其详细的说明。
图18是示出该第二实施方式所涉及的有机EL显示装置1的折弯部B及其周边的构成的俯视图。图19是沿着图18中的XIX-XIX线的有机EL显示装置1的折弯部B及其周边的剖视图。在该第二实施方式所涉及的有机EL显示装置1中，如图18以及图19所示，在折弯部B的狭缝81中设置有填埋第一狭缝83的填埋层131(图18中标注了斜线的部分)。该填埋层131由感光性聚酰亚胺树脂等的有机材料形成。
并且，构成引出布线7的第二引出布线7b在狭缝81内，从第二方向Y上的第一狭缝83的一侧到另一侧沿着填埋层131的表面延伸。该第二引出布线7b具有多个(图示的例子中为5个)开口133，该多个开口133在与第一狭缝83对应的部位、即在沿着填埋层131的表面延伸的部分，使填埋层131露出，并且与上述第一实施方式相同，形成为将多个环状物连成串珠那样的链状。
图20是第二实施方式所涉及的有机EL显示装置1的制造方法的概略性流程图。如图20所示，上述构成的有机EL显示装置1的制造方法包括TFT层形成工序S001、发光元件层形成工序S002、密封膜形成工序S003、柔性化工序S004、安装工序S005。发光元件层形成工序S002、密封膜形成工序S003、柔性化工序S004及安装工序S005与上述第一实施方式相同。
TFT层形成工序的S001包含底涂层形成工序S101、半导体层形成工序S102、栅极绝缘层形成工序S103、栅极导电层形成工序S104、第一层间绝缘层形成工序S105、中间导电层形成工序S106、第二层间绝缘层形成工序S107、凹槽部形成工序S108、狭缝形成工序S109、填埋层形成工序S110、源极导电层形成工序S111以及平坦化层形成工序S112。
在TFT层形成工序S001中，除了填埋层形成步骤S110以外的工序(包含底涂层形成工序S101、半导体层形成工序S102、栅极绝缘层形成工序S103、栅极导电层形成工序S104、第一层间绝缘层形成工序S105、中间导电层形成工序S106、第二层间绝缘层形成工序S107、凹槽部形成工序S108、狭缝形成工序S109、源极导电层形成工序S111以及平坦化层形成工序S112)，与上述第一实施方式相同。
在狭缝形成工序S109之后进行的填埋层形成工序S110中，在TFT层17中形成有狭缝81的基板上，通过例如旋涂法等公知的涂布法涂布感光性树脂材料。接着，对该感光性树脂材料的涂布膜进行预烘烤、曝光、显影以及后烘烤，通过对该涂布膜进行图案化，从而形成填埋层131。然后，依次进行源极导电层形成工序S111及平坦化层形成工序S112。
通过如上方式，能够制造该第二实施方式所涉及的有机EL显示装置1。
《第一变形例》
图21是该第一变形例所涉及的有机EL显示装置1的与图9对应的部位的剖视图。在第一变形例所涉及的有机EL显示装置1中，在折弯部B中的狭缝81内的段部91中设置的凸部93的构成与上述第一实施方式以及上述第二实施方式所涉及的有机EL显示装置1不同。
在该第一变形例所涉及的有机EL显示装置1中，如图21所示，该凸部93由设置在底涂层23的表面的凸状的基部94和设置在基部94上的导电层135构成。导电层135由与半导体层25相同的材料形成在同一层，且是由半导体层被导体化而成的层。构成引出布线7的第二引出布线7b覆盖构成这样的凸部93的导电层135的周端面，并与导电层135接触。
在制造该第一变形例所涉及的有机EL显示装置1时，采用与上述第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的制造方法相同的方法，替代在栅极导电层形成工序S104中形成成为凸部93的导电层96，在半导体层形成工序S102中，在形成凸部93的预定部位形成半导体层，通过公知的处理使该半导体层导体化。例如，在半导体层由氧化物半导体构成的情况下，通过对该半导体层照射紫外线或者用还原性气体实施等离子体处理，能够使半导体层导体化。由此，形成导电层135。
并且，只要在狭缝形成工序S109中，在底涂层23中形成第一狭缝83，并且在栅极绝缘层27、第一层间绝缘层31以及第二层间绝缘层35中形成第二狭缝85时，将导电层135作为掩模，通过对底涂层23的一部分进行蚀刻，从而形成基部94，并形成岛状的凸部93即可。
《第二变形例》
图22是该第二变形例所涉及的有机EL显示装置1的与图9对应的部位的剖视图。在第二变形例所涉及的有机EL显示装置1中，在折弯部B中的狭缝81内的段部91中设置的凸部93的构成与上述第一实施方式以及上述第二实施方式所涉及的有机EL显示装置1不同。
在该第二变形例所涉及的有机EL显示装置1中，如图22所示，该凸部93由设置在底涂层23的表面的凸状的基部94、设置在基部94上的第一绝缘层137、设置在第一绝缘层137上的第二绝缘层139、以及设置在第二绝缘层139上的导电层141构成。
第一绝缘层137由与栅极绝缘层27相同的材料形成在同一层。第二绝缘层139由与第一层间绝缘层31相同的材料形成在同一层。导电层141由与初始化电源布线53和第二电容电极55相同的材料形成在同一层。该导电层141包含于中间导电层33。构成引出布线7的第二引出布线7b覆盖构成这样的凸部93的导电层141的周端面，并与导电层141接触。
在制造该第二变形例所涉及的有机EL显示装置1时，采用与上述第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的制造方法相同的方法，代替在栅极导电层形成工序S104中形成成为凸部93的导电层96，在中间导电层形成工序S106中，在形成凸部93的预定部位形成导电层141。
而且，只要在狭缝形成工序S109中，在底涂层23中形成第一狭缝83，并且在栅极绝缘层27、第一层间绝缘层31以及第二层间绝缘层35中形成第二狭缝85时，将导电层141作为掩模，通过对第一层间绝缘层31、栅极绝缘层27以及底涂层23的一部分进行蚀刻，从而形成第二绝缘层139、第一绝缘层137以及基部94，并形成岛状的凸部93即可。
《第三变形例》
图23是该第三变形例所涉及的有机EL显示装置1的与图9对应的部位的剖视图。在第三变形例所涉及的有机EL显示装置1中，在折弯部B中的狭缝81内的段部91中设置的凸部93的构成与上述第一实施方式以及上述第二实施方式所涉及的有机EL显示装置1不同。
在该第三变形例所涉及的有机EL显示装置1中，如图23所示，该凸部93由设置在底涂层23的表面的凸状的基部94、设置在基部94上的第一导电层143、设置在第一导电层143上的第一绝缘层145、设置在第一绝缘层145上的第二导电层147、设置在第二导电层147上的第二绝缘层149、设置在第二绝缘层149上的第三导电层151构成。
第一导电层143由与半导体层25相同的材料形成在同一层，且是由半导体层被导体化而成的层。第一绝缘层145由与栅极绝缘层27相同的材料形成在同一层。第二导电层147由与栅极布线43及栅极电极45相同的材料形成在同一层。该第一导电层143包含于栅极导电层29。
第二绝缘层149由与第一层间绝缘层31相同的材料形成在同一层。第三导电层151由与初始化电源布线53和第二电容电极55相同的材料形成在同一层。该第二导电层147包含于中间导电层33。构成引出布线7的第二引出布线7b覆盖构成这样的凸部93的第一导电层143、第二导电层147和第三导电层151的周端面，并与第一导电层143、第二导电层147和第三导电层151的周端面接触。
在制造该第三变形例所涉及的有机EL显示装置1时，采用与上述第一实施方式所涉及的有机EL显示装置1的制造方法相同的方法，在半导体层形成工序S102中，在形成凸部93的预定部位形成半导体层，通过公知的处理将该半导体层导体化，从而形成第一导电层143。并且，在栅极导电层形成工序S104中，以隔着栅极绝缘层27与第一导电层143重叠的方式形成第二导电层147，在中间导电层形成工序S106中，以隔着第一层间绝缘层31与第二导电层147重叠的方式形成第三导电层151。
而且，只要在狭缝形成工序S109中，在底涂层23中形成第一狭缝83，并且在栅极绝缘层27、第一层间绝缘层31以及第二层间绝缘层35中形成第二狭缝85时，将第三导电层151作为掩模，通过对第一层间绝缘层31、栅极绝缘层27以及底涂层23的一部分进行蚀刻，从而形成第二绝缘层149、第一绝缘层145以及基部94，并形成岛状的凸部93即可。
在该第三变形例中，凸部93包括第一导电层143、第二导电层147以及第三导电层151，凸部93也可以是包括这些第一至第三导电层143、147、151之中的两个导电层的结构。在这种情况下，构成引出布线7的第二引出布线7b也可以覆盖构成该凸部93的两个导电层的周端面，并与这两个导电层电连接。
如上所述，作为本公开的技术的示例，对优选的实施方式进行了说明。但是，本公开的技术不限于此，也可以适用于适当地进行了变更、置换、附加、省略等的实施方式。另外，也可以将上述实施方式中说明的各构成要素组合为新的实施方式。另外，在附图和详细描述中记载的构成要素中，可以包括解决问题所不必要的构成要素。因此，根据附加附图、详细的说明中记载了这些不需要的构成要素，不应该立刻认定这些不需要的构成要素是必需的。
例如，关于上述实施方式，也可以是设为如下那样构成。
在上述第一实施方式以及上述第二实施方式中，第一无机绝缘膜24由底涂层23构成，第二无机绝缘膜36由栅极绝缘层27、第一层间绝缘层31以及第二层间绝缘层35构成，但本公开的技术不限于此。第一无机绝缘膜24和第二无机绝缘膜36均至少包括1个无机绝缘层即可。
在上述第一实施方式及上述第二实施方式中，为了制造有机EL显示装置1，在底涂层23、栅极绝缘层27、第一层间绝缘层31及第二层间绝缘层35中形成有凹槽部99后，形成第一狭缝83及第二狭缝85，但本公开的技术不限于此。在制造有机EL显示装置1时，可以不在TFT层17中形成凹槽部99而在形成有第一狭缝83之后形成第二狭缝85，也可以在形成有第二狭缝85之后形成第一狭缝83。
在上述第一变形例中，例示了包括凸部93将半导体层导体化而成的导电层135的构成，但是本公开的技术不限于此。凸部93也可以构成为包含代替导电层135而未被导电化的半导体层。
关于有机EL显示装置，虽然以将第一电极101作为阳极并且将第二电极104作为阴极的情况为例进行了说明，但是本公开的技术不限于此。本公开的技术也能够适用于例如使有机EL层103的层叠结构反转，将第一电极101作为阴极、将第二电极104作为阳极的有机EL显示装置1。
尽管有机EL层103分别设置在各子像素5中，但本公开的技术的应用范围不限于此。有机EL层103也可以共同地设置在多个子像素5中。在这种情况下，有机EL显示装置1也可以具备彩色滤光片等来进行各子像素5的色调显示。
构成各像素3的3色的子像素5例示了以条纹排列设置的方式，但是本公开的技术不限于此。构成各像素3的子像素5不限于3种颜色，也可以是4种颜色以上。另外，构成各像素3的多个子像素5的排列也可以是Pentile排列等其他排列。
第1～第7的TFT69a、69b、69c、69d、69e、69f、69g采用了顶栅结构，但本公开的技术不限于此。第1～第7的TFT69a、69b、69c、69d、69e、69f、69g也可以采用底栅结构。另外，设置于每个子像素5的TFT69可以是8个以上，也可以是6个以下。
作为有机EL层103，例示了由空穴注入层109、空穴传输层111、发光层113、电子传输层115以及电子注入层117构成的五层层叠结构的有机EL层103，但是本公开的技术不限于此。有机EL层103也可以采用例如空穴注入层兼空穴传输层、发光层以及电子传输层兼电子注入层的三层层叠结构，能够采用任意结构。
作为显示装置，尽管例示了有机EL显示装置1，但是本公开的技术不限于此。本公开的技术可适用于具有多个由电流驱动的发光元件的显示装置，例如，具有QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode，量子点发光二极管)的显示装置，该QLED是使用了量子点含有层的发光元件。
附图标记说明
A 折弯轴
B 折弯部
D 显示区域
F 边框区域
T 端子部
X 第一方向
Y 第二方向
1 有机EL显示装置
3 像素
5 子像素
5b 子像素
5g 子像素
5r 子像素
7 引出布线
13 布线端子
15 树脂基板层(底板)
17 TFT层
19 发光元件层
21 密封膜
23 底涂层
24 第一无机绝缘膜
25 半导体层
27 栅极绝缘层
29 栅极导电层
31 第一层间绝缘层
33 中间导电层
35 第二层间绝缘层
36 第二无机绝缘膜
37 源极导电层
39 平坦化层
43 栅极布线(第一布线)
45 栅极电极
47 发光控制布线(第一布线)
49 第一电容电极
53 初期化电源布线(第二布线)
55 第二电容电极
59 源极布线(第三布线)
61 源极电极
63 漏极电极
65 高电平电源布线(第三布线)
69 TFT
69a 第一TFT
69b 第二TFT
69c 第三TFT
69d 第四TFT
69e 第五TFT
69f 第六TFT
69g 第七TFT
71 接触孔
72 接触孔
73 电容器
75 接触孔
77 像素电路
81 狭缝
83 第一狭缝
85 第二狭缝
87 第一台阶
89 第二台阶
91 段部
93 凸部
94 基部
95 绝缘层
96 导电层
97 开口
98 开口
99 凹槽部
101 第一电极
102 边缘罩
103 有机EL层(发光功能层)
104 第二电极
105 有机EL元件(发光元件)
107 接触孔
109 空穴注入层
111 空穴传输层
113 发光层
115 电子传输层
117 电子注入层
125 第一无机层
127 有机层
129 第二无机层
131 填埋层
133 开口
135 导电层(半导体层)
137 第一绝缘层
139 第二绝缘层
141 导电层
143 第一导电层
145 第一绝缘层
147 第二导电层
149 第二绝缘层
151 第三导电层
201 玻璃基板
203 开口
205 第一抗蚀剂层
207 开口
209 第二抗蚀剂层

Claims (18)

1.一种显示装置，包括：
树脂基板，其具有可挠性；以及
薄膜晶体管层，其包含设于所述树脂基板上的多个薄膜晶体管，
所述薄膜晶体管层具有：第一无机绝缘膜，其包含无机绝缘层；第二无机绝缘膜，其包含设于所述第一无机绝缘膜上的无机绝缘层；以及引出布线，其设于所述第二无机绝缘膜上，
所述显示装置中设有显示区域和边框区域，所述显示区域根据所述薄膜晶体管的动作进行图像显示，所述边框区域位于所述显示区域的周围，
所述边框区域具有折弯部，所述折弯部绕着沿第一方向延伸的折弯轴折弯，
在所述折弯部中，所述薄膜晶体管层中设有沿所述第一方向延伸的狭缝，
所述狭缝由第一狭缝和第二狭缝构成，所述第一狭缝形成于所述第一无机绝缘膜，所述第二狭缝以大于所述第一狭缝的宽度形成于所述第二无机绝缘膜，
所述第一无机绝缘膜中沿所述第一狭缝的宽度方向的两侧的部分构成段部，所述段部在所述第二狭缝的内侧从所述第二无机绝缘膜露出，
所述引出布线与所述薄膜晶体管电连接，并且在与所述第一方向相交的第二方向上从所述狭缝的一侧到另一侧经由所述段部延伸，
所述显示装置的特征在于，
所述段部中设有岛状的凸部，
所述引出布线覆盖所述凸部的周端面，并且具有使所述凸部的上表面露出的开口。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述引出布线在所述第一狭缝的内侧与所述树脂基板接触。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述引出布线在所述第一狭缝的内侧具有使所述树脂基板露出的开口。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述狭缝中设有填埋层，所述填埋层填埋所述第一狭缝，
所述引出布线与所述填埋层接触。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述引出布线在与所述第一狭缝对应的部位具有使所述填埋层露出的开口。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述凸部分别在每个所述引出布线中设有多个，并且沿所述第二方向排列，
所述引出布线具有分别覆盖对应的多个所述凸部的周端面且使在对应的每个所述凸部中使所述凸部的上表面露出的开口。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述树脂基板上依次设有底涂层、半导体层、栅极绝缘层、第一布线、第一层间绝缘层、第二布线、第二层间绝缘层以及第三布线，
所述第一无机绝缘膜包含所述底涂层作为所述无机绝缘层，
所述第二无机绝缘膜包含所述栅极绝缘层、第一层间绝缘层以及第二层间绝缘层作为所述无机绝缘层，
所述引出布线包含在所述第三布线中。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述凸部包含导电层，所述导电层由与所述第一布线相同的材料形成于同一层。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述凸部包含导电层，所述导电层由与所述第二布线相同的材料形成于同一层。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述凸部包含导电层，所述导电层由与所述半导体层相同的材料形成于同一层，
所述导电层是由半导体层被导体化而成的层。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述凸部包含以下的导电层中的至少两个导电层：由与所述半导体层相同的材料形成于同一层的导电层、由与所述第一布线相同的材料形成于同一层的导电层、由与所述第二布线相同的材料形成于同一层的导电层。
12.根据权利要求8至11中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述引出布线与所述导电层接触。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的显示装置，其特征在于，还包括：
发光元件层，其设于所述薄膜晶体管层上，且包含多个发光元件。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件为有机电致发光元件。
15.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括：
树脂基板，其具有可挠性；以及
薄膜晶体管层，其具有设于所述树脂基板上的多个薄膜晶体管，
所述显示装置中设有显示区域和边框区域，所述显示区域根据所述薄膜晶体管的动作进行图像显示，所述边框区域位于所述显示区域的周围，所述边框区域具有折弯部，所述折弯部绕着沿第一方向延伸的折弯轴折弯，
所述制造方法的特征在于，包含：
薄膜晶体管层形成工序，在该工序中，在所述树脂基板上形成所述薄膜晶体管层，
所述薄膜晶体管层形成工序包含：
无机绝缘膜形成工序，在该工序中，在所述树脂基板上形成包含无机绝缘层的第一无机绝缘膜，并在所述第一无机绝缘膜上形成包含无机绝缘层的第二无机绝缘膜；以及
引出布线形成工序，在该工序中，在所述第二无机绝缘膜上形成与所述薄膜晶体管电连接的引出布线，
在所述无机绝缘膜形成工序中，在所述第一无机绝缘膜中形成第一狭缝，在所述第二无机绝缘膜中形成宽度比所述第一狭缝宽的第二狭缝，并由所述第一狭缝以及所述第二狭缝构成在所述折弯部中沿所述第一方向延伸的狭缝，并且，所述第一无机绝缘膜中沿所述第一狭缝的宽度方向的两侧的部分构成段部，同时，在所述段部中形成岛状的凸部，所述段部在所述第二狭缝的内侧从所述第二无机绝缘膜露出，
在所述引出布线形成工序中，使所述引出布线以在与所述第一方向相交的第二方向上从所述狭缝的一侧到另一侧经由所述段部延伸的方式，形成为覆盖所述凸部的周端面并且具有开口的形状，所述开口使所述凸部的上表面露出。
16.根据权利要求15所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
所述无机绝缘膜形成工序包括：
底涂层形成工序，在该工序中，在所述树脂基板上形成所述第一无机绝缘膜的所述无机绝缘层即底涂层；
半导体层形成工序，在该工序中，在所述底涂层上形成半导体层；
栅极绝缘层形成工序，在该工序中，以覆盖所述半导体层的方式形成所述第二无机绝缘膜的所述无机绝缘层即栅极绝缘层；
第一布线形成工序，在该工序中，在所述栅极绝缘层上形成第一布线；
第一层间绝缘层形成工序，在该工序中，以覆盖所述第一布线的方式形成所述第二无机绝缘膜的所述无机绝缘层即第一层间绝缘层；
第二布线形成工序，在该工序中，在所述第一层间绝缘层上形成第二布线；以及
第二层间绝缘层形成工序，在该工序中，以覆盖所述第二布线的方式形成所述第二无机绝缘膜的所述无机绝缘层即第二层间绝缘层，
在作为所述引出布线形成工序的第三布线形成工序中，在所述第二层间绝缘层上形成包含所述引出布线的第三布线，
在所述第二层间绝缘层形成工序之后且在所述第三布线形成工序之前，形成所述第一狭缝、所述第二狭缝以及所述凸部。
17.根据权利要求16所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：
凹槽部形成工序，在该工序中，
在所述第二层间绝缘层上形成第一抗蚀剂层，所述第一抗蚀剂层在预定形成所述第一狭缝的部位具有开口，并以所述第一抗蚀剂层为掩膜，对所述底涂层、所述栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层以及所述第二层间绝缘层进行蚀刻，从而形成凹槽部，所述凹槽部贯穿所述栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层以及所述第二层间绝缘层并在所述底涂层形成凹部，
在去除所述第一抗蚀剂层之后，在所述第二层间绝缘层上形成第二抗蚀剂层，所述第二抗蚀剂层在预定形成所述第二狭缝的部位具有开口，并以所述第二抗蚀剂层为掩膜，对所述底涂层、所述栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层以及所述第二层间绝缘层进行蚀刻，从而形成所述第二狭缝，同时，去除所述底涂层中成为所述凹槽部的底部的部分以形成所述第一狭缝。
18.根据权利要求16或17所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述第一狭缝、所述第二狭缝以及所述凸部之后且在所述第三布线形成工序之前还包含填埋层形成工序，在该工序中，形成填埋所述第一狭缝的填埋层，
在所述第三布线形成工序中，使所述引出布线以与所述填埋层接触的方式形成。
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