CN111819614B

CN111819614B - 显示装置

Info

Publication number: CN111819614B
Application number: CN201880091027.2A
Authority: CN
Inventors: 齐藤贵翁; 金子诚二; 神崎庸辅; 三轮昌彦; 山中雅贵; 孙屹
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2018-03-09
Filing date: 2018-03-09
Publication date: 2022-03-04
Anticipated expiration: 2038-03-09
Also published as: US11659746B2; WO2019171581A1; US20210005702A1; CN111819614A

Abstract

第一配线(18h)和第二配线(18i)延伸设置到从狭缝(S)露出的树脂基板的上表面，第一平坦化膜(8)在狭缝的内部，以在第一配线(18h)和第二配线(18i)延伸设置的部分之间使树脂基板的上表面露出的方式设置，第一配线(18h)和第二配线(18i)经由设置在第一平坦化膜(8)的端面和树脂基板的上表面之间的第三配线(18j)电连接。

Description

显示装置

技术领域

本发明关于一种显示装置。

背景技术

近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机 EL(electroluminescence，电致发光)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。在该有机EL显示装置中，提出了在具有可挠性的树脂基板上形成有机EL元件等的柔性的有机EL显示装置。此处，在有机EL显示装置中，设置有进行图像显示的矩形状的显示区域和在该显示区域周围的边框区域，并期望减小边框区域。然后，在柔性的有机EL显示装置中，如果通过弯折边框区域来减小边框区域，则配置在该边框区域中的配线可能会中断。

例如，专利文献1公开了一种柔性显示装置，其中，通过形成弯折孔以去除与弯折区域对应的缓冲膜、栅极绝缘膜和层间绝缘膜中的每一个的一部分来防止配线的断裂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2014-232300号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

但是，在柔性的有机EL显示装置中，由于在树脂基板上设置底涂膜、栅极绝缘膜以及层间绝缘膜等无机绝缘膜，因此，为了抑制配置在边框区域的配线的断线，可以去除边框区域的弯折部中的无机绝缘膜，以抑制弯折部处的无机绝缘膜的破裂。此处，例如，在具有矩形状的显示区域、且沿着显示区域的相邻的两边的边框区域分别设置有第一弯折部和第二弯折部的有机EL显示装置中，可以去除第一弯折部和第二弯折部的无机绝缘膜，并抑制第一弯折部和第二弯折部中的无机绝缘膜的破断。但是，在这种构成的有机EL显示装置中，可以抑制分别设置在第一弯折部和第二弯折部的第一配线和第二配线的断线，但是，例如，没有考虑第一配线和第二配线的电连接，因此，存在改善的余地。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，使设置在第一弯折部的第一配线和设置在第二弯折部的第二配线容易电连接。

用于解决技术问题的技术方案

为了达成上述目的，本发明的显示装置包括：树脂基板； TFT层，其设置在所述树脂基板上；发光元件，其设置在所述TFT 层上，并构成显示区域；至少三边的边框区域，其设置在所述显示区域的周围；端子部，其设置在所述至少三边的边框区域的一边的端部；第一弯折部，其以在第一方向上延伸的方式设置在所述显示区域和端子部之间；第二弯折部，其以在第二方向上延伸的方式设置在与具有所述第一弯折部的边框区域的一边相邻的边框区域的另一边上；至少一层无机绝缘膜，其设置在所述至少三边的边框区域，且构成层叠在所述树脂基板上的所述TFT层；第一平坦化膜，其设置在所述至少一层无机绝缘膜上；第一配线，其设置在所述边框区域的一边的所述第一平坦化膜上；第二配线，其设置在所述边框区域的另一边的所述第一平坦化膜上；以及第二平坦化膜，其以覆盖所述第一配线和第二配线的方式设置，在所述第一弯折部和第二弯折部中，在所述至少一层无机绝缘膜上形成有狭缝，所述狭缝贯通所述无机绝缘膜并使所述树脂基板的上表面露出，所述第一配线和第二配线延伸设置到从所述狭缝露出的所述树脂基板的上表面，在所述狭缝的内部设置有所述第一平坦化膜，所述第一平坦化膜在所述狭缝的内部，以在所述第一配线和第二配线延伸设置的部分之间使所述树脂基板的上表面露出的方式设置，所述第一配线和第二配线经由第三配线电连接，所述第三配线设置在所述第一平坦化膜的端面和所述树脂基板的上表面之间，且由与所述第一配线和第二配线相同材料形成在同一层。

有益效果

根据本发明，由于第一配线及第二配线经由第三配线电连接，该第三配线设置在第一平坦化膜的端面与树脂基板的上表面之间，并由与第一配线及第二配线相同材料形成在同一层，因此，设置在第一弯折部的第一配线和设置在第二弯折部的第二配线容易电连接。

附图说明

图1是表示本发明第一实施方式的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。

图2是本发明第一实施方式的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。

图3是沿着图1中的III-III线的有机EL显示装置的显示区域的剖视图。

图4是表示构成本发明第一实施方式的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。

图5是示出构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL层的剖视图。

图6是将图1中的区域Y放大后的有机EL显示装置的俯视图。

图7是将图1中的区域Y放大后基板切断前的有机EL显示装置的俯视图。

图8是沿着图6中的VIII-VIII线的有机EL显示装置的剖视图。

图9是沿着图6中的IX-IX线的有机EL显示装置的剖视图。

图10是沿着图6中的X-X线的有机EL显示装置的剖视图。

图11是沿着图6中的XI-XI线的有机EL显示装置的剖视图。

具体实施方式

以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。另外，本发明并不限定于下面的各实施方式。

《第一实施方式》

图1～图11表示本发明的显示装置的第一实施方式。另外，作为包括发光元件的显示装置，在以下各实施方式中，示例了包括有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是表示本实施方式的有机EL显示装置50的概略构成的俯视图。此外，图2是有机EL显示装置50的显示区域D的俯视图。此外，图3是沿着图1中的III-III线的有机EL显示装置50的显示区域D的剖视图。此外，图4是表示构成有机EL显示装置50的TFT层20的等效电路图。此外，图5是表示构成有机EL显示装置50的有机EL层23的剖视图。此外，图6 是将图1中的区域Y放大后有机EL显示装置50的俯视图。此外，图7是将图1中的区域Y放大后的基板切割前的有机EL显示装置 50的俯视图。此外，图8、图9、图10及图11是沿着图6中的VIII- VIII线、IX-IX线、X-X线以及XI-XI线的有机EL显示装置50的剖视图。

如图1所示，有机EL显示装置50包括例如设置为矩形状的进行图像显示的显示区域D和设置在显示区域D周围的边框区域 F。另外，在本实施方式中，例示了在矩形状的显示区域D的周围设置有四边的边框区域F的构成的有机EL显示装置50，但本发明可以应用于在多角形状的显示区域的周围设置至少三边的边框区域F的有机EL显示装置。

如图2所示，在显示区域D中，多个子像素P呈矩阵状排列。此外，如图2所示，在显示区域D中设置为具有用于进行红色的显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色的显示的绿色发光区域Lg的子像素P以及具有用于进行蓝色的显示的蓝色发光区域Lb的子像素P彼此相邻。此外，在显示区域D中，由具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg及蓝色发光区域Lb的相邻的三个子像素P构成一个像素。

如图1所示，边框区域F的图1中的右边设置有端子部T。此外，在边框区域F中，将以夹着端子部T的方式配置的图1中的右边的上角部和下角部在俯视时被切成L字状。此外，在边框区域 F的图1中的右边，在显示区域D和端子部T之间以在图1中的纵向上延伸的方式设置有弯折部B(第一弯折部Ba，参照图6)，该弯折部B以图1中的纵向作为弯折的轴并弯折成180°(呈U字状)。此外，在边框区域F的图1中的上边及下边，分别以在图1中的横向上延伸的方式分别设置有弯折部B(第二弯折部Bb，参照图6)，该弯折部B以图1中的横向作为弯折的轴并弯折成180°(呈U字状)。

如图3所示，有机EL显示装置50在显示区域D中包括：树脂基板层10，其作为树脂基板设置；TFT(thin film transistor)层20，其设置在树脂基板层10上；以及有机EL元件30，其作为构成显示区域D的发光元件设置在TFT层上。

树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。

如图3所示，TFT层20包括：设置在树脂基板层10上的底涂膜11；设置在底涂膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b和多个电容器9c；以及设置在各第一TFT9a、各第二TFT9b和各电容器 9c上的第二平坦化膜19。另外，边框区域F设置有后述的第一平坦化膜8。在此，如图2以及图4所示，在TFT层20中，以在附图中的横向上彼此平行地延伸的方式设置有多条栅极线14。此外，如图2以及图4所示，在TFT层20中，以在附图中的纵向上彼此平行地延伸的方式设置有多条源极线18f。此外，如图2以及图4所示，在TFT层20中，与各源极线18f相邻地设置有多条电源线18g，且多条电源线18g以在附图中的纵向上彼此平行地延伸的方式设置。此外，如图4所示，在TFT层20中，在每个子像素P中分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b和电容器9c。

底涂膜11例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。

如图4所示，在每个子像素P中，第一TFT9a与对应的栅极线14及源极线18f连接。如图3所示，第一TFT 9a包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源极18a和漏极18b。在此，如图3所示，半导体层12a以岛状设置在底涂膜11上，并具有沟道区域、源极区域和漏极区域。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。此外，如图3所示，栅极14a以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极 14a的方式依次设置。此外，如图3所示，源极18a和漏极18b以彼此分离的方式设置在第二层间绝缘膜17上。此外，如图3所示，源极18a和漏极18b经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15 和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别连接到半导体层12a的源极区域和漏极区域。此外，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17，例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。

如图4所示，在每个子像素P中，第二TFT9b与对应的第一 TFT9a及电源线18g连接。如图3所示，第二TFT 9b包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源极18c和漏极18d。在此，如图3所示，半导体层12b以岛状设置在底涂膜11上，并具有沟道区域、源极区域和漏极区域。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。此外，如图3所示，栅极14b以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极14b的方式依次设置。此外，如图3所示，源极18c和漏极18d以彼此分离的方式设置在第二层间绝缘膜17上。此外，如图3所示，源极18c和漏极18d经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别连接到半导体层12b的源极区域以及漏极区域。

此外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT9a及第二 TFT9b，但第一TFT9a及第二TFT9b也可以为底栅型的TFT。

如图4所示，在每个子像素P中，电容器9c与对应的第一 TFT9a及电源线18g连接。在此，如图3所示，电容器9c包括由与栅极14a、14b相同的材料形成在同一层的下部导电层14c、以覆盖下部导电层14c的方式设置的第一层间绝缘膜15、以及以与下部导电层14c重叠的方式设置在第一层间绝缘膜15上的上部导电层 16。

第二平坦化膜19例如由聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。

如图3所示，有机EL元件30包括依次设置在第二平坦化膜19上的多个第一电极21、边缘罩22、多个有机EL层23、第二电极 24以及密封膜28。

如图3所示，多个第一电极21以与多个子像素P对应的方式作为像素电极呈矩阵状地设置在第二平坦化膜19上。此外，如图 3所示，第一电极21经由形成正在第二平坦化膜19的接触孔与第二TFT9b的漏极18d连接。此外，第一电极21具有向有机EL层23 注入空穴的功能。此外，为了提高对有机EL层23的空穴注入效率，第一电极21更优选由功函数大的材料形成。在此，作为形成第一电极21的材料可以例举例如，银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴 (Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。此外，构成第一电极21的材料也可以是例如砹(At)/氧化砹(AtO2)等的合金。进一步地，构成第一电极21的材料例如也可以为氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。另外，第一电极21例如也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。另外，作为功函数大的复合材料可以例举例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。

如图3所示，边缘罩22以覆盖各第一电极21的周缘部的方式设置成格子状。在此，作为构成边缘罩22的材料，例如可举出聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等有机膜。

如图3所示，多个有机EL层23配置在各第一电极21上，并且以与多个子像素对应的方式设置成矩阵状。在此，如图5所示，各有机EL层23包括依次设置在第一电极21上的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4及电子注入层5。

空穴注入层1也称为阳极缓冲层，具有使第一电极21与有机EL层23之间的能级接近，并改善从第一电极21向有机EL层23注入空穴的效率的功能。此处，构成空穴注入层1的材料例如可列举三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物等。

空穴输送层2具有提高从第一电极21向有机EL层23输送空穴的效率的功能。此处，构成空穴输送层2的材料例如可列举卟啉衍生物、芳香族三级胺化合物、苯乙烯胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对苯撑乙烯、聚硅烷、三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查尔酮衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。

发光层3是如下区域，该区域在利用第一电极21及第二电极 24施加电压时，被分别从第一电极21及第二电极24注入空穴及电子，并且供空穴及电子再耦合。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，构成发光层3的材料例如可列举金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。

电子输送层4具有使电子高效地移动至发光层3为止的功能。此处，构成电子输送层4的材料例如可列举作为有机化合物的恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。

电子注入层5具有使第二电极24与有机EL层23之间的能级接近，并提高从第二电极24向有机EL层23注入电子的效率的功能，能够利用该功能来降低有机EL元件30的驱动电压。再者，电子注入层5也称为阴极缓冲层。此处，构成电子注入层5的材料例如可列举氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF₂)、氟化钙(CaF₂)、氟化锶(SrF₂)、氟化钡(BaF₂)之类的无机碱化合物、氧化铝(Al₂O₃)、氧化锶(SrO)等。

如图1以及图3所示，第二电极24作为共用电极并以覆盖各有机EL层23和边缘罩22的方式设置。另外，第二电极24具有向有机EL层23注入电子的功能。另外，为了提高对有机EL层23的电子注入效率，第二电极24更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极24的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF) 等。另外，第二电极24例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银 (Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO₂)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/ 钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。另外，第二电极24例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物 (ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。此外，第二电极 24也可以是层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/ 铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙 (Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。

如图3所示，密封膜28包括：以覆盖第二电极24的方式设置的第一无机膜25；设置在第一无机膜25上的有机膜26；以及以覆盖有机膜26的方式设置的第二无机膜27，且该密封膜29具有保护有机EL层23免受水分、氧等影响的功能。此处，第一无机膜25及第二无机膜27例如由氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、四氮化三硅(Si₃N₄)之类的氮化硅(SiNx(x为正数))、碳氮化硅(SiCN) 等无机材料构成。另外，有机膜26例如，由丙烯酸酯、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺等有机材料构成。

此外，如图6、图8至图11所示，有机EL显示装置50在边框区域F中具备树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的无机绝缘层叠膜L、第一平坦化膜8、第二平坦化膜19、第一配线18h、第二配线18i、第三配线18j、第四配线21a以及第五配线18k。

无机绝缘层叠膜L是构成TFT层20的至少一层无机绝缘膜，如图 8~ 图 10 所示，该无机绝缘层叠膜L包括依次层叠在树脂基板层10上的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17。此处，如图6、图8、图9和图11所示，在弯折部B(第一弯折部Ba和第二弯折部Bb)中，在无机绝缘层叠膜L上形成贯通无机绝缘层叠膜L并使树脂基板层10的上面露出的狭缝S。另外，狭缝S以沿着第一弯折部Ba和第二弯折部Bb的延伸方向贯通的槽状的方式设置。

如图8和图10所示，第一配线18h在框架区域F的一边(图1 中的右边)，设置于第一平坦化膜8上。此外，如图6和图10所示，第一配线18h具有延伸设置到树脂基板层10的上表面的延设部E，该树脂基板层10的上表面从无机绝缘层叠膜L的狭缝S露出并从后述的第一平坦化膜8的开口部A露出。在此，第一配线18h和第二配线18i由与源极18a、18c相同的材料形成在同一层。

如图10所示，第二配线18i设置在边框区域F的一边(图1中的上边和下边)的第一平坦化膜8上。此外，如图6和图10所示，第二配线18i具有延伸设置到树脂基板层10的上表面的延设部E，该树脂基板层10的上表面从无机绝缘层叠膜L的狭缝S露出并从后述的第一平坦化膜8的开口部A露出。

如图6和图11所示，第一平坦化膜8设置在形成于无机绝缘层叠膜L的狭缝S的内部以及狭缝S的边缘部上。在此，第一平坦化膜8在无机绝缘层叠膜L的狭缝S的内部，以在第一配线18h和第二配线18i所延伸设置的各延设部E之间使树脂基板层10的上表面露出的方式设置。就是说，如图7所示，第一平坦化膜8在基板被分割前的状态下设置有开口部A，该开口部A在第一配线18h的延设部E与第二配线18i的延设部E之间使树脂基板层10的上表面露出。另外，图7中的点划线C是基板的切割线。另外，如图6和图9所示，第一平坦化膜8以在第一弯折部Ba和第二弯折部Bb的与显示区域D相反的一侧，露出无机绝缘层叠膜L形成有狭缝S的端部的上表面的方式设置。

如图6和图9所示，第三配线18j设置在第一平坦膜8的端面与树脂基板层10的上表面之间，并且由与第一配线18h和第二配线18i相同的材料形成在同一层。另外，如图6和图10所示，第一配线18h和第二配线18i通过第三配线18j彼此电连接。此处，由于第一平坦化膜8(例如，厚度为2μm左右)的开口部A的周端面相对于树脂基板层10的上表面以比较大的角度(例如，50°左右) 倾斜，因此，以覆盖第一平坦化膜8的方式形成成为源极18a、18c 的导电膜，且涂布在该导电膜上的抗蚀剂涂布膜在第一平坦化膜 8的开口部A的周端部变厚。结果，通过曝光和显影上述抗蚀剂涂布膜获得的抗蚀剂图案残留在第一平坦化膜8的开口部A的周端部，因此，通过该残留的抗蚀剂图案下的导电膜形成第三配线18j。进一步地，由于第一平坦化膜8的开口部A的周端面也以相对于树脂基板层10上的无机绝缘层叠膜L的上表面同样比较大的角度倾斜，因此，如图6和图9所示，在第一平坦化膜8的端面与无机绝缘层叠膜L的上表面之间形成导电膜18m。

如图6和图8所示，第四配线21a的一边的端部经由形成在第二平坦化膜19上的接触孔Ha电连接到第一配线18h。此外，如图 6所示，第四配线21a的另一边的端部经由形成在第二平坦化膜19 上的接触孔Hb电连接到第二配线18i。此处，第四配线21a由与第一电极21相同材料形成在同一层。另外，第一配线18h和第二配线18i也通过第四配线21a彼此电连接。此外，第一配线18h、第二配线18i、第三配线18j和第四配线21a电连接到高电平电源线18g (ELDVV)。

如图6所示，在边框区域F的一边(图1中的右边)，在第一平坦化膜8和从第一平坦化膜8露出的无机绝缘层叠膜L上以在与第一弯折部Ba的延伸方向交叉的方向上彼此平行地延伸的方式设置有多条第五配线18k。此外，如图11所示，第五配线18k的两端部经由形成在第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别电连接到第一栅极导电层14c(下部导电层) 和第二栅极导电层14d。此处，第五配线18k由与源极18a、18c相同材料形成在同一层。此外，如图11所示，第一栅极导电层14c设置在栅极绝缘膜13与第一层间绝缘膜15之间，且电连接到显示区域D的TFT层20的信号配线(栅极线14、源极线18f、电源线18g等)。此外，如图6所示，第二栅极导电层14d设置在栅极绝缘膜13与第一层间绝缘膜15之间，并且延伸到端子部T。另外，第一栅导电层14c和第二栅导电层14d由与栅极14a、14b相同材料形成在同一层。

如图8至图11所示，第二平坦化膜19以覆盖第一配线18h、第二配线18i、第三配线18j以及各第五配线18k的方式设置。

上述有机EL显示装置50是以如下方式构成，即，在各子像素P中，将栅极信号经由栅极线14输入至第一TFT 9a，由此，将第一TFT 9a设为接通状态，并将对应于源极信号的规定的电压经由源极线18f写入至第二TFT 9b的栅极14b及电容器9c，来自基于第二TFT 9b的栅极电压界规定的电源线18g的电流被供给至有机 EL层23，由此，有机EL层23的发光层3发光，从而进行图像显示。另外，在有机EL显示装置50中，即使第一TFT 9a成为截止状态，由于第二TFT 9b的栅极电压通过电容器9c被保持，因此，发光层 3的发光也被维持，直到输入下一帧的栅极信号。

本实施方式的有机EL显示装置50可以通过例如使用已知的方法在形成于玻璃基板上的树脂基板层10上形成TFT层20和有机EL元件30之后，通过激光的照射使玻璃基板剥离，并切掉树脂基板层10的两个角部来制造。

如以上说明那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50，经由设置在第一平坦化膜8的开口部A的周端面和树脂基板层10 的上表面之间的第三配线18j，第一配线18h和第二配线18i彼此电连接。此处，第三配线18j由与第一配线18h和第二配线18i相同材料形成在同一层，但由于利用第一平坦化膜8的开口部A的周端面的倾斜的形状来自动形成，因此，不需要将第三配线18j的平面形状反映到形成第一配线18h和第二配线18i时使用的光掩模上。由此，由于容易形成第三配线18j，因此，设置在第一弯折部Ba的第一配线18h和设置在第二弯折部Bb中的第二配线18i能够容易地电连接。

此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50，由于第一配线18h和第二配线18i经由设置在第二平坦化膜19上的第四配线 21a电连接，假设，即使第三配线18j断线，也可以通过第四配线 21a确保第一配线18h和第二配线18i之间的电连接。

《其他实施方式》

另外，在上述实施方式中，例示了在边框区域的三边具有能够弯折的弯折部的有机EL显示装置，但是，本发明也适用于边框区域相邻的两边或三边具有能够弯折的弯折部的有机EL显示装置。

在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层的五层层叠构造的有机EL层，但有机EL层例如也可以为空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层的三层层叠构造。

另外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极设为阳极，将第二电极设为阴极的有机EL显示装置，但本发明还能够应用于使有机EL层的层叠构造反转，且将第一电极设为阴极，将第二电极设为阳极的有机EL显示装置。

另外，在上述各实施方式中，例示了具有将与第一电极连接的TFT的电极设为漏极电极的有机EL显示装置，但本发明还能够应用于将具有与第一电极连接的TFT的电极设为源极电极的有机EL显示装置。

另外，在上述各实施方式中，作为显示装置以有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明可以适用于包括多个由电流驱动的发光元件的显示装置。例如，可以适用于包括使用了含量子点层的发光元件的QLED(Quantum-dot light emitting diode，量子点发光二极管)的显示装置。

工业上的实用性

如以上说明，本发明可用于柔性的有机EL显示装置。

附图标记说明

B：弯折部

Ba：第一弯折部

Bb：第二弯折部

C：切割线

D：显示区域

F：边框区域

Ha、Hb：接触孔

L：无机绝缘层叠膜(至少一层无机绝缘膜)

S：狭缝

T：端子部

8：边框平坦化膜(第一平坦化膜)

10：树脂基板层

18a、18c：源极

18g：电源线

18h：第一配线

18i：第二配线

18j：第三配线

18k：第五配线

18m：导电膜

19：第二平坦化膜

20：TFT层

21：第一电极(像素电极)

21a：第四配线

30：有机EL元件(发光元件)

50：有机EL显示装置

Claims

1.一种显示装置，其特征在于，其包括：

树脂基板；

TFT层，其设置在所述树脂基板上；

发光元件，其设置在所述TFT层上，并构成显示区域；

至少三边的边框区域，其设置在所述显示区域的周围；

端子部，其设置在所述至少三边的边框区域的一边的端部；

第一弯折部，其以在第一方向上延伸的方式设置在所述显示区域和所述端子部之间；

第二弯折部，其以在第二方向上延伸的方式设置在与具有所述第一弯折部的边框区域的一边相邻的边框区域的另一边上；

至少一层无机绝缘膜，其设置在所述至少三边的边框区域，且构成层叠在所述树脂基板上的所述TFT层；

第一平坦化膜，其设置在所述至少一层无机绝缘膜上；

第一配线，其设置在所述边框区域的一边的所述第一平坦化膜上；

第二配线，其设置在所述边框区域的另一边的所述第一平坦化膜上；以及

第二平坦化膜，其以覆盖所述第一配线和所述第二配线的方式设置，所述显示装置的特征在于，

在所述第一弯折部和所述第二弯折部中，在所述至少一层无机绝缘膜上形成有狭缝，所述狭缝贯通所述无机绝缘膜并使所述树脂基板的上表面露出，

所述第一配线和所述第二配线延伸设置到从所述狭缝露出的所述树脂基板的上表面，在所述狭缝的内部设置有所述第一平坦化膜，所述第一平坦化膜在所述狭缝的内部，以在所述第一配线和所述第二配线延伸设置的部分之间使所述树脂基板的上表面露出的方式设置，

所述第一配线和所述第二配线经由第三配线电连接，所述第三配线设置在所述第一平坦化膜的端面和所述树脂基板的上表面之间，且由与所述第一配线和所述第二配线相同材料形成在同一层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第一配线及所述第二配线经由设置在所述第二平坦化膜上的第四配线电连接。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述发光元件具有像素电极，所述第四配线由与所述像素电极相同材料形成在同一层。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述TFT层具有源极，所述第一配线、所述第二配线以及所述第三配线由与所述源极相同材料形成在同一层。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第一平坦化膜与所述第二平坦化膜为有机绝缘膜。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述第一配线和所述第二配线经由形成在所述第二平坦化膜上的接触孔电连接到所述第四配线。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第一平坦化膜在所述第一弯折部和所述第二弯折部的与所述显示区域相反的一侧，以所述至少一层无机绝缘膜的端部的上表面露出的方式设置，

在所述第一平坦化膜的端面及所述至少一层无机绝缘膜的上表面之间残留有导电膜，所述导电膜由与所述第一配线和所述第二配线相同材料形成在同一层。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第三配线以不与所述至少一层无机绝缘膜重叠的方式配置。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

在所述边框区域的一边中，在所述第一平坦化膜以及从所述第一平坦化膜露出的所述至少一层无机绝缘膜上以在与所述第一弯折部的延伸方向交叉的方向上彼此平行地延伸的方式设置有多条第五配线，

各所述第五配线由与所述第一配线和所述第二配线相同的材料形成在同一层。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述狭缝设置为沿着所述第一弯折部和所述第二弯折部的延伸方向贯通的槽状。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

在所述边框区域的一边和所述边框区域的另一边交叉的部分，所述树脂基板的一部分被切掉。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第一配线、所述第二配线以及所述第三配线电连接到高电平电源。

13.根据权利要求1～12中任意一项所述的显示装置，其特征在于，

所述发光元件为有机EL元件。