CN113594027A - 一种腐蚀4h-碳化硅表面的方法 - Google Patents
一种腐蚀4h-碳化硅表面的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113594027A CN113594027A CN202110846927.7A CN202110846927A CN113594027A CN 113594027 A CN113594027 A CN 113594027A CN 202110846927 A CN202110846927 A CN 202110846927A CN 113594027 A CN113594027 A CN 113594027A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sample
- wafer
- etching
- corrosion
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 11
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/0475—Changing the shape of the semiconductor body, e.g. forming recesses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明涉及一种腐蚀4H‑碳化硅表面的方法，并对腐蚀后的4H‑SiC表面的缺陷进行检测。本发明通过摩尔质量比为18‑22的KOH和K2CO3做腐蚀剂，将4H‑SiC样品在540‑560℃的温度下腐蚀15‑25min，能够得到边界清晰，缺陷形貌及分布均清晰可见的良好的腐蚀效果。为准确统计腐蚀后样品中TSD的六角形蚀坑缺陷提供可能，更是便于对缺陷的区分、观察和计数，得到更精确的缺陷密度。从而为判断最终半导体器件的可靠性提供良好依据。
Description
技术领域
本发明属于半导体领域，具体涉及一种腐蚀4H-碳化硅(SiC)表面从而得到其真实缺陷密度的方法。
背景技术
碳化硅具有禁带宽度大、击穿电场高、热导性好、抗辐照能力强、耐化学腐蚀等优异的物理、化学特性，因此被广泛应用于高频、大功率器件以及空间辐照环境中。而n型4H-SiC晶圆则是制备碳化硅器件中最常用到的。表征n型4H-SiC单晶生长的一个重要参数是其缺陷密度，通过在合适条件下湿法腐蚀4H-SiC单晶衬底，得出最真实的缺陷密度，并由缺陷表征半导体功率器件的可靠性。但现有技术并不能得到足以清楚表征缺陷的腐蚀效果。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提出一种腐蚀4H-碳化硅(SiC)表面的方法。
本发明的一种腐蚀4H-SiC表面的方法，包括如下步骤：
1)准备待腐蚀的晶圆；
2)将步骤1)中所述晶圆切成1cm×1cm大小的样品；
3)将切好的样品清洗干净；
所述清洗流程具体为：去离子水超声清洗25-30min；无水乙醇超声25-30min；去离子水超声25-30min；丙酮超声25-30min；去离子水超声25-30min；
4)将清洗后的样品用氮气枪吹干后放入镍坩埚I中，将腐蚀剂放入镍坩埚II中，将镍坩埚I和镍坩埚II同时放如入炉中升温，当温度升至540-560℃，将样品放入装有腐蚀剂的镍坩埚II中腐蚀15-25min，腐蚀结束后放入稀盐酸中冷却；所述腐蚀剂为纯度>90％的KOH和纯度>99％的K2CO3，KOH和K2CO3的摩尔质量比为18-22；
5)完成冷却的样品再次清洗后，置于金相显微镜和扫描电子显微镜下观测，得出真实的缺陷分布。
由金相图和扫描电镜图可知，通过上述腐蚀过程得到的缺陷边界清晰，缺陷形貌及分布均清晰可见，腐蚀效果好。该六角形的缺陷由贯穿型螺位错(TSD)导致。而TSD位于SiC{0001}表面能够进行升华生长法的螺旋生长中心，其螺旋台阶高度通常为4个Si-C原子层。TSD通常沿<0001>晶向传播，但其在特定条件下也会转向基矢面传播。TSD都是从籽晶中复制而来的，其蚀坑呈现六角形形状，即一个锥顶为蚀坑底、且偏向<11-20>方向的不对称倒六面锥体。
在实际的生产应用中，TSD的存在会降低半导体功率器件的可靠性，对于BJT、晶闸管、IGBT等器件来说，TSD会引发局部载流子寿命降低，从而对器件的正反向特性产生极大的影响。
通过对腐蚀后样品中的缺陷进行计数，可知，当TSD的六角形蚀坑密度的范围为1×103-1×104时，采用该晶圆制备的器件可靠性良好，制成的器件不会有明显的少子寿命减少的情况。进一步，当TSD的六角形蚀坑密度的范围小于3×103时，采用该晶圆制备的器件最可靠。
进一步，所述晶圆为升华再结晶法制备的n型4H-SiC单晶锭所切取；所述晶圆尺寸为2英寸及其以上尺寸。
进一步，用335nm的紫外激光切片机将晶圆切成1cm×1cm大小的样品。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明采用纯度>90％的KOH和纯度>99％的K2CO3做腐蚀剂，且所述KOH和K2CO3的摩尔质量比为18-22，将4H-SiC样品在540-560℃的温度下腐蚀15-25min，能够得到边界清晰，缺陷形貌及分布均清晰可见的良好的腐蚀效果。为准确统计腐蚀后样品中TSD的六角形蚀坑缺陷提供可能，更是便于对缺陷的区分、观察和计数，得到更精确的缺陷密度。从而为判断最终半导体器件的可靠性提供良好依据。
附图说明
图1是本发明实施例2-5中腐蚀后样品的金相图；其中a)为实施例3中腐蚀后样品的金相图；b)为实施例2中腐蚀后样品的金相图；c)为实施例4中腐蚀后样品的金相图；d)为实施例5中腐蚀后样品的金相图。
图2是本发明实施例2、实施例6-7中腐蚀后样品的金相图；其中a)为实施例6中腐蚀后样品的金相图；b)为实施例7中腐蚀后样品的金相图；c)、d)均为实施例2中腐蚀后样品的金相图。
图3是本发明实施例2、实施例8-9中腐蚀后样品的扫描电镜图；其中a)为实施例8中腐蚀后样品的扫描电镜图；b)为实施例9中腐蚀后样品的扫描电镜图；c)、d)均为实施例2中腐蚀后样品的扫描电镜图。
图4是本发明实施例1中所述的取样模型；
图5是本发明对比例1中腐蚀后样品的金相图；
图6是当采用本发明所述腐蚀剂时，本发明所述的腐蚀温度和腐蚀时间与腐蚀效果的对应关系图。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明。
实施例1：
一种腐蚀4H-SiC表面的方法，包括如下步骤：
1)准备待腐蚀的晶圆；所述晶圆为升华再结晶法制备的n型4H-SiC单晶锭所切取；所述晶圆尺寸为2英寸及其以上尺寸；
2)将步骤1)中所述晶圆用335nm的紫外激光切片机切成1cm×1cm大小的样品；
3)将切好的样品清洗干净；
所述清洗流程具体为：去离子水超声清洗25-30min；无水乙醇超声25-30min；去离子水超声25-30min；丙酮超声25-30min；去离子水超声25-30min；
4)将清洗后的样品用氮气枪吹干后放入镍坩埚I中，将腐蚀剂放入镍坩埚II中，将镍坩埚I和镍坩埚II同时放如入炉中升温，当温度升至540-560℃，将样品放入装有腐蚀剂的镍坩埚II中腐蚀15-25min，腐蚀结束后放入稀盐酸中冷却；所述腐蚀剂为纯度>90％的KOH和纯度>99％的K2CO3，KOH和K2CO3的摩尔质量比为100：5，为腐蚀剂1#；
5)完成冷却的样品再次清洗后，置于金相显微镜和扫描电子显微镜下观测，得出真实的缺陷分布。
对完成腐蚀的样品进行金相和扫描电镜分析，如图1所示，可知通过上述腐蚀过程能够得到的缺陷边界清晰的六角形缺陷，缺陷形貌及分布均清晰可见，腐蚀效果好。该六角形的缺陷由贯穿型螺位错(TSD)导致。
如图4所示，通过对腐蚀后样品中的缺陷进行计数，并对不同缺陷密度的样品进行等径五点采样法，可知，当TSD的六角形蚀坑密度小于3×103cm2时，采用该晶圆制备的器件可靠性良好。
实施例2：
本实施例与实施例1的不同之处仅在于：所述腐蚀剂中KOH(纯度>90％)和K2CO3(纯度>99％)的摩尔质量比为100:5，腐蚀温度为550℃，腐蚀20min。
实施例3：本实施例与实施例2的不同之处仅在于，所述腐蚀温度为500℃。
实施例4：本实施例与实施例2的不同之处仅在于，所述腐蚀温度为600℃。
实施例5：本实施例与实施例2的不同之处仅在于，所述腐蚀温度为700℃。
对比例1：本对比例与实施例2的不同之处仅在于，所述腐蚀温度为200℃。得到如图5所示的腐蚀结果。
实施例6：本实施例与实施例2的不同之处仅在于，所述腐蚀时间为10min。
实施例7：本实施例与实施例2的不同之处仅在于，所述腐蚀时间为30min。
实施例8：本实施例与实施例2的不同之处仅在于，所述腐蚀剂为纯度>90％的KOH和纯度>99％的K2CO3，KOH和K2CO3的摩尔质量比为100：25，为腐蚀剂2#。
实施例9：本实施例与实施例2的不同之处仅在于，所述腐蚀剂为纯度>90％的KOH和纯度>99％的K2CO3，KOH和K2CO3的摩尔质量比为100：50，为腐蚀剂3#。
根据贯穿型螺位错的形貌的大小，将缺陷的半径作为区分贯穿型螺位错腐蚀程度的标志，本发明不同腐蚀效果对比情况如下表所示：
备注：本表中的腐蚀坑数量为1cm×1cm大小样品上的数量，且腐蚀坑有大有小，规定腐蚀坑直径0-5um为小腐蚀坑，腐蚀坑直径>50um为大腐蚀坑，小腐蚀坑和大腐蚀坑分别为欠腐蚀和过腐蚀状态。只有腐蚀坑直径为5-30um时，即中腐蚀坑时，腐蚀状态适宜，本表中的结果描述以中腐蚀坑的描述为主。
由上表和图6可知，本发明所属的腐蚀方法对样品的腐蚀效果良好，而低于300℃的湿法腐蚀对4H-SiC表面的TSD缺陷是无法进行表征的。
Claims (4)
1.本发明的一种腐蚀4H-碳化硅表面的方法，包括如下步骤：
1)准备待腐蚀的晶圆；
2)将步骤1)中所述晶圆切成1cm×1cm大小的样品；
3)将切好的样品清洗干净；
所述清洗流程具体为：去离子水超声清洗25-30min；无水乙醇超声25-30min；去离子水超声25-30min；丙酮超声25-30min；去离子水超声25-30min；
4)将清洗后的样品用氮气枪吹干后放入镍坩埚I中，将腐蚀剂放入镍坩埚II中，将镍坩埚I和镍坩埚II同时放如入炉中升温，当温度升至540-560℃，将样品放入装有腐蚀剂的镍坩埚II中腐蚀15-25min，腐蚀结束后放入稀盐酸中冷却；所述腐蚀剂为纯度>90％的KOH和纯度>99％的K2CO3，KOH和K2CO3的摩尔质量比为18-22；
5)完成冷却的样品再次清洗后，置于金相显微镜和扫描电子显微镜下观测，得出真实的缺陷分布。
2.根据权利要求1所述的腐蚀4H-碳化硅表面的方法，其特征在于：所述腐蚀后样品中的缺陷为TSD形成的六角形蚀坑，缺陷密度为1×103-1×104时，采用该晶圆制备的器件可靠性良好。
3.根据权利要求2所述的腐蚀4H-碳化硅表面的方法，其特征在于：所述晶圆为升华再结晶法制备的n型4H-SiC单晶锭所切取；所述晶圆尺寸为2英寸及其以上尺寸。
4.根据权利要求3所述的腐蚀4H-碳化硅表面的方法，其特征在于：用335nm的紫外激光切片机将晶圆切成1cm×1cm大小的样品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110846927.7A CN113594027A (zh) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 一种腐蚀4h-碳化硅表面的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110846927.7A CN113594027A (zh) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 一种腐蚀4h-碳化硅表面的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113594027A true CN113594027A (zh) | 2021-11-02 |
Family
ID=78250247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110846927.7A Pending CN113594027A (zh) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 一种腐蚀4h-碳化硅表面的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113594027A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114965468A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-08-30 | 兰州大学 | 一种区分4h-碳化硅表面的方法 |
| CN116577340A (zh) * | 2023-05-28 | 2023-08-11 | 兰州大学 | 一种区分碳化硅中贯穿螺型位错和贯穿刃型位错的方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008290888A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 炭化ケイ素の表面処理方法 |
| US20100176403A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-07-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide substrate, epitaxial wafer and manufacturing method of silicon carbide substrate |
| CN102569055A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-11 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司 | 一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀 |
| US20120280254A1 (en) * | 2009-12-14 | 2012-11-08 | Showa Denko K.K. | Sic epitaxial wafer and method for manufacturing same |
| JP2013022215A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Japan Atomic Energy Agency | 生体活性炭化ケイ素ナノチューブ及びその作製方法 |
| CN103088426A (zh) * | 2013-01-23 | 2013-05-08 | 保定科瑞晶体有限公司 | 一种减少碳化硅晶体籽晶生长面缺陷的方法 |
| CN108169228A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-06-15 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法 |
| CN109518277A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-03-26 | 中国科学院半导体研究所 | 采用熔融碱液对碳化硅表面进行区域腐蚀的方法 |
| CN111238910A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-06-05 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种碳化硅晶体的位错识别方法 |
| CN113122929A (zh) * | 2020-06-05 | 2021-07-16 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 一种新型半导体单晶片位错密度检测腐蚀工装及方法 |
-
2021
- 2021-07-27 CN CN202110846927.7A patent/CN113594027A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008290888A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 炭化ケイ素の表面処理方法 |
| US20100176403A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-07-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide substrate, epitaxial wafer and manufacturing method of silicon carbide substrate |
| US20120280254A1 (en) * | 2009-12-14 | 2012-11-08 | Showa Denko K.K. | Sic epitaxial wafer and method for manufacturing same |
| CN102569055A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-11 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司 | 一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀 |
| JP2013022215A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Japan Atomic Energy Agency | 生体活性炭化ケイ素ナノチューブ及びその作製方法 |
| CN103088426A (zh) * | 2013-01-23 | 2013-05-08 | 保定科瑞晶体有限公司 | 一种减少碳化硅晶体籽晶生长面缺陷的方法 |
| CN108169228A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-06-15 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法 |
| CN109518277A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-03-26 | 中国科学院半导体研究所 | 采用熔融碱液对碳化硅表面进行区域腐蚀的方法 |
| CN111238910A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-06-05 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种碳化硅晶体的位错识别方法 |
| CN113122929A (zh) * | 2020-06-05 | 2021-07-16 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 一种新型半导体单晶片位错密度检测腐蚀工装及方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| 杨莺;陈治明;: "湿法腐蚀工艺研究碳化硅晶体缺陷表面形貌", 人工晶体学报 * |
| 盖庆丰: "4H-SiC外延材料缺陷的检测与分析", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 (信息科技辑)》 * |
| 钮应喜;芦伟立;王方方;王嘉铭;杨霏;李佳;冯志红;王永维;: "熔融KOH腐蚀4H-SiC外延层的研究", 智能电网 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114965468A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-08-30 | 兰州大学 | 一种区分4h-碳化硅表面的方法 |
| CN116577340A (zh) * | 2023-05-28 | 2023-08-11 | 兰州大学 | 一种区分碳化硅中贯穿螺型位错和贯穿刃型位错的方法 |
| CN116577340B (zh) * | 2023-05-28 | 2024-01-05 | 兰州大学 | 一种区分碳化硅中贯穿螺型位错和贯穿刃型位错的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2613498B2 (ja) | Ｓｉ単結晶ウエーハの熱処理方法 | |
| CN113594027A (zh) | 一种腐蚀4h-碳化硅表面的方法 | |
| JP5434111B2 (ja) | 自立基板の製造方法 | |
| CN114318551B (zh) | 一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置 | |
| CN104157744B (zh) | 一种基于外延层转移实现金刚石基GaN的方法 | |
| CN103487453A (zh) | 异质外延生长的氮化镓位错密度测定方法 | |
| CN101092748A (zh) | 制备大体积碲锌镉单晶的方法 | |
| CN103489760B (zh) | SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜的方法 | |
| CN113097330B (zh) | 一种单晶金刚石紫外探测器及其制备方法 | |
| CN102286777B (zh) | 氢化物气相外延生长GaN单晶用的H3PO4腐蚀籽晶及其制备方法 | |
| JP2004503086A (ja) | 削剥領域を備えたシリコンウエハの製造方法及び製造装置 | |
| Li et al. | Research progress in the postprocessing and application of GaN crystal | |
| JP2014189436A (ja) | 炭化珪素エピタキシャルウエハ、同ウエハの製造方法、及び同ウエハの製造装置、並びに炭化珪素半導体素子 | |
| CN102768946A (zh) | 一种碳化硅器件背面欧姆接触的快速退火方法 | |
| CN103489759B (zh) | SiC衬底同质网状生长Web Growth外延方法 | |
| CN104060323A (zh) | 通过制备N面锥形结构衬底获得自支撑GaN单晶的方法 | |
| JPH1143397A (ja) | シリコン単結晶およびその製造方法 | |
| CN103474332A (zh) | 提升网状生长Web Growth的刻蚀方法 | |
| Huang et al. | Comparative Analysis of Defect Characteristics in Silicon Carbide Wafers of Different Grades. | |
| CN104505338B (zh) | 一种碳化硅晶片外延前预清洗方法 | |
| JP6299827B2 (ja) | 半導体基板 | |
| JP6008030B2 (ja) | 半導体基板 | |
| JP5810893B2 (ja) | 半導体基板 | |
| CN111908433B (zh) | 一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法 | |
| CN118169162A (zh) | 采用镍缀饰法表征单晶硅位错环与间隙硅原子团簇的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211102 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |