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CN113583273A - 一种高吸收型电磁屏蔽复合薄膜 - Google Patents

一种高吸收型电磁屏蔽复合薄膜 Download PDF

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CN113583273A CN202110970818.6A CN202110970818A CN113583273A CN 113583273 A CN113583273 A CN 113583273A CN 202110970818 A CN202110970818 A CN 202110970818A CN 113583273 A CN113583273 A CN 113583273A
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Abstract

本发明公开了一种高吸收型电磁屏蔽复合薄膜，属于电磁屏蔽领域。该复合薄膜是以多孔碳材料层和石墨烯层复合而成的双层复合薄膜，其中，多孔碳材料层可以改善阻抗匹配，减少微波在膜表面的反射，石墨烯层作为屏蔽反射层，提供了优异的电磁屏蔽性能，且两层之间形成的不对称的导电网络在薄膜内部还形成“吸收‑反射‑再吸收”的屏蔽机制，对电磁波有超高吸收效能，具有优异的电磁屏蔽性能。本发明提供的具有超高吸收效能的高效电磁屏蔽复合薄膜，在航天航空、通信电子、人体防护领域具有非常好的应用前景。

Description

一种高吸收型电磁屏蔽复合薄膜
技术领域
本发明属于电磁屏蔽领域，具体涉及一种高吸收型电磁屏蔽复合薄膜。
背景技术
电磁辐射污染已经成为21世纪生态环境最主要的物理污染之一。严重的电磁辐射干扰不仅影响正常的无线通信、危害仪器设备的安全稳定运行，直接或间接地造成严重的经济损失和人员伤亡，而且长期的强电磁辐射可能引起某些组织病变，从而严重威胁人体健康。为此，国内外学者一直致力于开发有效的电磁屏蔽材料，以减少甚至消除电磁辐射带来的不良影响。
近年来，碳基复合膜因其耐腐蚀、低厚度和高稳定性而受到密集关注。由石墨烯、碳纳米管、MXenes(二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物)制备的高导电性多层薄膜已显示出优良的屏蔽效能(SE)。然而，高导电性导致大量电磁波被反射，从而造成导致环境的二次污染。
刘伟等(石墨烯/碳纳米管/纤维素纸复合材料的制备及电磁屏蔽性能研究，化工新型材料，2020年1月，第48卷第1期)报道了一种石墨烯/碳纳米管/纤维素纸复合材料，制备方法如下：首先，将孔径为22μm，直径为125mm的纤维素纸浸渍于石墨烯分散液中，5s后取出并在80℃烘箱中干燥30min；随后将其再次浸入碳纳米管分散液中，5s后取出并置于80℃烘箱中烘干，得到的样品记为GNS/CNTs/CP-1；通过反复交替浸渍石墨烯及碳纳米管分散液，制备出一系列石墨烯/碳纳米管/纤维素纸复合材料样品。研究表明，该石墨烯/碳纳米管/纤维素纸复合材料的导电性及屏蔽性能随着浸渍次数的增加而提高，当浸渍石墨烯及碳纳米管分散液各5次后，样品的电导率可达7.63S/cm，在30MHz～1.5GHz范围内的屏蔽效能均高于22dB，最高可达32dB。但是，该石墨烯/碳纳米管/纤维素纸复合材料的电磁屏蔽效能仍然以反射损耗为主，吸收损耗很小，容易导致大量电磁波被反射，从而造成导致环境的二次污染。
因此，为了减少对环境的二次污染，开发出一种以吸收损耗为主的高效电磁屏蔽材料具有重要意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种超薄的高吸收型电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法和用途。
本发明提供了一种高吸收型电磁屏蔽复合薄膜，所述复合薄膜是由多孔碳材料与高分子基体材料制得的薄膜1和导电材料与高分子基体材料制得的薄膜2复合制成的双层复合薄膜。
进一步地，所述薄膜1中，多孔碳材料与高分子基体材料的重量比为(1～10)：1，所述薄膜2中，导电材料与高分子基体材料的质量比为(1～5)：1；
和/或，薄膜1中的高分子基体材料与薄膜2中的高分子基体材料的质量比为1：(0.5～2.0)。
进一步地，所述薄膜1中，多孔碳材料与高分子基体材料的重量比为(1～3)：1，优选为(2～3)：1，更优选为1：1；所述薄膜2中，导电材料与高分子基体材料的质量比为1：1；
和/或，薄膜1中的高分子基体材料与薄膜2中的高分子基体材料的质量比为1：1。
进一步地，所述多孔碳材料是由金属有机框架材料碳化后制得的；
和/或，所述电磁屏蔽材料为石墨烯、碳纳米管或MXenes；
和/或，所述高分子基体材料为纤维素或其衍生物。
进一步地，所述金属有机框架材料为ZIF-67，所述碳化条件为在700～900℃下热处理2～4小时；
和/或，所述石墨烯为石墨烯片；
和/或，所述纤维素为纳米纤维素，所述纤维素衍生物为羟甲基纤维素。
进一步地，所述ZIF-67是由Co(NO3)2和2-甲基咪唑反应制得的，所述碳化条件为于惰性气氛中在800℃下热处理3小时；
和/或，所述石墨烯片为石墨烯纳米片；
和/或，所述纳米纤维素是以木浆为原料利用TEMPO氧化法制得的纳米纤维素。
进一步地，所述复合薄膜的厚度为130μm以内，优选为100μm。
本发明还提供了上述高吸收型电磁屏蔽复合薄膜的制备方法，所述方法包括以下步骤：
(1)在高分子基体材料中加水分散，制成高分子基体材料悬浮液；
(2)将多孔碳材料加入高分子基体材料悬浮液中，分散，成膜，干燥，得到薄膜1；
(3)将导电材料加入高分子基体材料悬浮液中，分散，成膜，干燥，得到薄膜2；
(4)将薄膜1与薄膜2热压制成高吸收型电磁屏蔽复合薄膜。
进一步地，步骤(1)中，所述分散的方式为超声分散，高分子基体材料悬浮液中高分子基体材料的浓度为0.10wt.％～0.40wt.％，优选为0.27wt.％；
和/或，步骤(2)中，所述分散的方式为超声分散，成膜的方式为真空辅助抽滤；
和/或，步骤(3)中，所述分散的方式为超声分散，成膜的方式为真空辅助抽滤；
和/或，步骤(4)中，所述热压条件为：温度60～100℃，压力3～7MPa；优选地，所述热压条件为：温度80℃，压力5MPa。
本发明还提供了上述高吸收型电磁屏蔽复合薄膜在制备电磁屏蔽材料中的用途。
本发明中，MXenes表示二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物。
与现有技术相比，本发明取得了以下有益效果：
1、本发明的复合薄膜是以多孔碳材料层和石墨烯层复合而成的双层复合薄膜。该复合薄膜不对称的导电网络减少了电磁波在表面的反射，同时在双层复合薄膜内部形成了“吸收-反射-再吸收”的屏蔽机制。复合薄膜中的多孔碳材料C-ZIF67层改善了阻抗匹配，极大减少微波在膜表面的反射，为微波提供了更长的传输路径；石墨烯层作为屏蔽反射层，提供了优异的电磁屏蔽性能；纤维素作为基体使复合薄膜具有优异机械强度和厚度优势。
2、本发明的复合薄膜为超薄复合薄膜，厚度低至100μm以内。
3、本发明的复合薄膜具有优良的导电性和铁磁性。
4、本发明的复合薄膜电磁干扰屏蔽效能优异，并且电磁干扰屏蔽作用以吸收损耗为主，能够有效防止电磁波被反射，降低对环境的二次污染。
5、本发明的复合薄膜制备方法简单，原料易得，适合工业化生产。
综上，本发明提供的超薄的高吸收型电磁屏蔽复合薄膜在航天航空、通信电子、人体防护领域具有非常好的应用前景。
显然，根据本发明的上述内容，按照本领域的普通技术知识和惯用手段，在不脱离本发明上述基本技术思想前提下，还可以做出其它多种形式的修改、替换或变更。
以下通过实施例形式的具体实施方式，对本发明的上述内容再作进一步的详细说明。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实例。凡基于本发明上述内容所实现的技术均属于本发明的范围。
附图说明
图1为复合薄膜C-ZIF67/GNP-1的微观结构测试结果。其中，(A)CNFs悬浮液的数码照片，(B-C)CNFs的TEM图像，(D-E)复合薄膜C-ZIF67/GNP-1的上表面和下表面的数字照片，(F)弯曲状态下的复合薄膜C-ZIF67/GNP-1的数码照片，复合薄膜C-ZIF67/GNP-1横截面的N(K)、Co(L)、O(M)、C(N)的SEM图像(G，H，I)和元素映射图像(J)。
图2A为XRD测试结果，图2B为拉曼光谱测试结果。其中，C-ZIF67/GNP-1、C-ZIF67/GNP-2、C-ZIF67/GNP-3分别表示实施例1～3制得的复合薄膜，Neat GNP表示实施例1步骤3.1制得的纯GNP薄膜，NeatC-ZIF67表示实施例1步骤3.2制得的纯C-ZIF67薄膜，PDF#15-0806表示Co的XRD标准卡片。
图3为复合薄膜C-ZIF67/GNP-1的内部比表面积测试结果。
图4A为样品的电导率测试结果，图4B为样品的饱和磁化强度测试结果。其中，C-ZIF67/GNP-1、C-ZIF67/GNP-2、C-ZIF67/GNP-3分别表示实施例1～3制得的复合薄膜，GNP表示实施例1步骤3.1制得的纯GNP薄膜，Neat C-ZIF67表示实施例1步骤3.2制得的纯C-ZIF67薄膜。
图5为电磁干扰屏蔽效能测试结果，C-ZIF67/GNP-1、C-ZIF67/GNP-2、C-ZIF67/GNP-3分别表示实施例1～3制得的复合薄膜，GNP表示实施例1步骤3.1制得的纯GNP薄膜。其中，(A)各样品X波段的EMISET，(B)吸收系数，(C)反射系数，(D)各样品X波段的平均SET、SEA和SER值，(E)相应的平均A、R和T值，(F)本发明复合薄膜与以往报道的碳纤维、rGO、CNT、MXene和金属材料的整体屏蔽性能比较。
具体实施方式
本发明所用原料与设备均为已知产品，通过购买市售产品所得。
石墨烯纳米片(GNP)是通过购买市售产品所得。
实施例1：制备高吸收型电磁屏蔽复合薄膜C-ZIF67/GNP-1
1、C-ZIF67的制备：
将1.3gCo(NO3)2和2.2g2-甲基咪唑(简称Mim)分别加入10毫升无水甲醇中，完全溶解，然后充分搅拌得到均匀的溶液。离心得到沉淀，将沉淀干燥后得到ZIF-67前体。
将ZIF-67前体在管式炉中以10℃/分钟的加热速度加热到800℃，然后在800℃的超纯(99.99％)氩气的持续流动下维持3小时，得到黑色产品。黑色产品冷却到室温以备使用，命名为C-ZIF67。
2、纳米纤维素悬浮液的制备：
利用TEMPO氧化法从软木浆板中制备出纳米纤维素(CNFs)悬浮液，具体操作如下：
将切碎的软木浆板(15g)加入蒸馏水(1500mL)中搅拌24小时，然后依次加入2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧基-自由基(简称TEMPO，0.24g，1.5mmoL)和NaBr(1.5g，15mmoL)，随后加入NaClO水溶液(8wt％，150mmol)驱动氧化反应，并采用0.15MHCl和0.3MNaOH使反应体系的pH值维持在pH＝10。反应30分钟后，将反应液通过标准检验筛(孔径0.05mm)反复过滤，收集滤饼，用去离子水清洗，直到滤饼的pH值达到中性。然后，向滤饼中加入去离子水，超声处理90分钟(超声功率为750W)后，离心三次(离心速度为11000转/分钟，离心时间为25分钟)，收集上清液，得到CNFs均匀悬浮的纳米纤维素悬浮液。该纳米纤维素悬浮液中，CNFs的浓度为0.27wt.％。
3、复合薄膜C-ZIF67/GNP-1的制备：
利用真空辅助自组装技术制备复合薄膜C-ZIF67/GNP-1，具体操作如下：
(3.1)将石墨烯纳米片(GNP)分散在10mL的纳米纤维素悬浮液中，控制GNP与纳米纤维素的质量比为1：1，得到分散液；将分散液超声处理30分钟(超声功率为750W)，通过真空辅助抽滤法将分散液制成薄膜，于60℃烘箱中干燥1h后得到纯GNP薄膜。
(3.2)将C-ZIF67分散在10mL的纳米纤维素悬浮液中，控制C-ZIF67与纳米纤维素的质量比为1：1，得到分散液；将分散液超声处理30分钟(超声功率为750W)，通过真空辅助抽滤法将分散液制成薄膜，于60℃烘箱中干燥1h后得到纯C-ZIF67薄膜。
(3.3)将纯GNP薄膜和纯C-ZIF67薄膜在80℃、5MPa的压力下热压制成双层的复合薄膜C-ZIF67/GNP-1。
实施例2：制备高吸收型电磁屏蔽复合薄膜C-ZIF67/GNP-2
参照实施例1的方法制备高吸收型电磁屏蔽复合薄膜C-ZIF67/GNP-2，区别仅在于在步骤3.2制备纯C-ZIF67薄膜时，控制C-ZIF67与纳米纤维素的质量比为2：1。
实施例3：制备高吸收型电磁屏蔽复合薄膜C-ZIF67/GNP-3
参照实施例1的方法制备高吸收型电磁屏蔽复合薄膜C-ZIF67/GNP-3，区别仅在于在步骤3.2制备纯C-ZIF67薄膜时，控制C-ZIF67与纳米纤维素的质量比为3：1。
以下通过实验例证明本发明的有益效果。
实验例1：结构表征
1、实验方法
测试样品：实施例1～3制得的复合薄膜C-ZIF67/GNP-1、C-ZIF67/GNP-2、C-ZIF67/GNP-3，实施例1步骤3.1制得的纯GNP薄膜，实施例1步骤3.2制得的纯C-ZIF67薄膜。
使用透射电子显微镜(TEM，JEOLJEM-2100F，日本)和扫描电子显微镜(SEM，NovaNano450，美国)研究样品的微观结构。样品的X射线衍射(XRD)图像是用带有CuKαline的X射线衍射仪(DY-1291，飞利浦，荷兰)测试的。样品的拉曼(RAMAN)光谱数据是在激光拉曼光谱仪(RenishawinVia,UK)上测试的。
2、实验结果
微观结构测试结果如图1所示。可以看出，C-ZIF67/GNP-1薄膜分为两层，每层厚度都在50μm以内，C-ZIF67/GNP-1薄膜总厚度在100μm以内。CNFs与衍生的C-ZIF67颗粒均匀地交织形成C-ZIF67层，构造了一个三维的有序的磁性网络(图1H)。由于石墨烯片的π-π共轭和纤维素的作用力，下层的石墨烯层紧密有序地堆积在一起，形成了一个三维的导电网络(图1I)。分层结构可以在复合薄膜的横截面元素图谱中清楚地观察到。最小的N元素可能来自于二甲基咪唑的残留物，而O元素在复合薄膜中分布良好。Co元素明显分布在C-ZIF67层，C元素则集中在GNP层。磁性网络可以提供强烈的磁损耗，而导电网络可以促进电子的流动和传输。同时，层间界面将增加电磁波的反射和散射的机会。
XRD测试结果如图2A所示，可以看出，纯C-ZIF67薄膜和C-ZIF67/GNP薄膜都在44.2°、51.6°和76.0°处出现了峰，这些峰被分配到金属Co的(111)、(200)和(220)面(PDF编号15-0806)。成膜后Co特征峰的成功保留是电磁波损耗中磁损耗的关键之一。随着复合薄膜中GNP含量的相对减少，在C-ZIF67/GNP薄膜中对应于石墨碳(002)晶面26°的衍射峰逐渐减弱。
拉曼光谱测试结果如图2B所示，可以看出所有复合薄膜都有一个典型的CoO拉曼峰，位于676cm-1。此外，所有的复合薄膜都表现出典型的D和G波段，分别在1350和1583cm-1检测到。非石墨化成分C-ZIF67的增加导致复合薄膜的ID/IG值从C-ZIF67/GNP-1的0.92增加C-ZIF67/GNP-3的1.02。C-ZIF67/GNP-1复合膜具有最大的ID/IG值，表明其石墨化程度较高，具有更多的介电损耗能力。
上述实验结果表明，本发明制得了一种厚度低至100μm的双层电磁屏蔽复合薄膜。
实验例2：内部比表面积测试
1、实验方法
测试样品：实施例1制得的复合薄膜C-ZIF67/GNP-1。
样品的内部比表面积是通过Brunauer-Emmet-Teller(BET)方法(ASAP2046，中国)获得。
2、实验结果
测试结果如图3所示，可以看出，多孔的Co基MOF提高了复合薄膜的内部比表面积，内部比表面积为56.96m2g-1。复合薄膜中的多孔结构为入射电磁波提供了更多的传输通道，同时明显改善了与空气的阻抗匹配条件。
实验例3：电导率和饱和磁化强度测试
1、实验方法
测试样品：实施例1～3制得的复合薄膜C-ZIF67/GNP-1、C-ZIF67/GNP-2、C-ZIF67/GNP-3，实施例1步骤3.1制得的纯GNP薄膜，实施例1步骤3.2制得的纯C-ZIF67薄膜。
样品的电导率是通过KDB-1四点探针系统(中国广州坤德科技有限公司)测量的。样品的饱和磁化强度(Ms)是在室温下通过振动样品磁力仪(VSM，PPMS-9，美国)测试的。
2、实验结果
样品的电导率测试结果如图4A所示，可以看出，与纯C-ZIF67薄膜相比，复合薄膜C-ZIF67/GNP-1、C-ZIF67/GNP-2、C-ZIF67/GNP-3的电导率明显提高。进一步地，C-ZIF67/GNP-1的电导率为61.73S/cm，C-ZIF67/GNP-2的电导率为12.92S/cm，C-ZIF67/GNP-3的电导率为5.11S/cm，说明实施例1～3制得的复合薄膜的电导率随着C-ZIF67添加量的增加而逐渐降低。
样品的饱和磁化强度测试结果如图4B所示，可以看出，复合薄膜C-ZIF67/GNP-1、C-ZIF67/GNP-2和C-ZIF67/GNP-3显示出特征性的磁滞(M-H)环，说明高密度的Co金属纳米颗粒给复合薄膜带来了典型的铁磁行为，这将有助于提高复合薄膜的磁损耗能力和消散电磁波能力。与纯GNP薄膜相比，复合薄膜C-ZIF67/GNP-1、C-ZIF67/GNP-2、C-ZIF67/GNP-3的饱和磁化强度明显提高。进一步地，C-ZIF67/GNP-1、C-ZIF67/GNP-2和C-ZIF67/GNP-3的饱和磁化强度分别为9.10、11.15和13.12emu/g，说明实施例1～3制得的复合薄膜的饱和磁化强度随着C-ZIF67添加量的增加而逐渐增加。
上述实验结果表明，本发明制得的复合薄膜具有优良的导电性和铁磁性。
实验例4：电磁干扰屏蔽效能测试
1、实验方法
测试样品：实施例1～3制得的复合薄膜C-ZIF67/GNP-1、C-ZIF67/GNP-2、C-ZIF67/GNP-3，实施例1步骤3.1制得的纯GNP薄膜。
每个样品的电磁干扰屏蔽效能(EMI SE)是用矢量网络分析仪(Agilent N5320)在X波段频率范围(8.2-12.4GHz)进行分析。所有的样品都被切割成12毫米直径的圆片。记录散射参数(S11和S21)以计算反射系数(R)、传输系数(T)和吸收系数(A)。总的EMI SE(SET)、反射(SER)、吸收(SEA)和多重内部反射(SEMR)使用以下公式计算：
R＝|S11|2 (1)
T＝|S21|2 (2)
A＝1-R-T (3)
SET＝SEA+SER+SEMR (4)
Figure BDA0003225571660000071
SER＝-10log(1-R)＝168.2+10log(σr/fμr) (6)
2、实验结果
测试结果如图5所示。从C-ZIF67/GNP复合薄膜和纯GNP薄膜在8.2-12.4GHz的频率范围内的EMI SE曲线可以看出，C-ZIF67/GNP-1和C-ZIF67/GNP-2的SET值(图5A)分别为50.5dB和36dB，两者都高于纯GNP薄膜的SET值，表明磁性网络的引入对提高电磁屏蔽材料的SE是有效的。相反，C-ZIF67/GNP-3薄膜的SET值最低(30.7dB)，这是由于C-ZIF67的过量添加导致了导电率的突然下降，从XRD(图2A)和RAMAN(图2B)分析可以得出类似的结论。因此，磁导率与电导率的适应性是至关重要的。此外，曲线在频率范围内几乎没有波动，这表明在C-ZIF67/GNP薄膜中已经建立了一个规则和均匀的导电网络。通过S参数计算出相应的反射系数(R)、吸收系数(A)和传输系数(T)。所有复合薄膜的A值(图5B)都比纯GNP薄膜的A值大，说明磁性网络的引入促进了薄膜对电磁波的吸收。C-ZIF67/GNP-1和C-ZIF67/GNP-2薄膜的SEA和A值(图5D)都比SET和R值大得多，说明屏蔽机制是完全以吸收为主的。C-ZIF67/GNP-1薄膜的A值在50.5dB时高达87％。与已报道的碳纤维、rGO、CNT、MXene和金属材料相比，本发明复合薄膜在厚度、总屏蔽效能和吸收系数方面表现出更大的优势。
上述实验结果表明，本发明制得的复合薄膜具有优异的电磁屏蔽效能，并且该电磁屏蔽效能以电磁以吸收损耗为主。
综上，本发明提供了一种超薄的高吸收型电磁屏蔽复合薄膜。该复合薄膜的电磁干扰屏蔽效能优异，并且电磁干扰屏蔽作用以吸收损耗为主，能够有效防止电磁波被反射，降低对环境的二次污染。本发明提供的超薄的高吸收型电磁屏蔽复合薄膜在航天航空、通信电子、人体防护领域具有非常好的应用前景。

Claims (10)

1.一种高吸收型电磁屏蔽复合薄膜，其特征在于：所述复合薄膜是由多孔碳材料与高分子基体材料制得的薄膜1和导电材料与高分子基体材料制得的薄膜2复合制成的双层复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的高吸收型电磁屏蔽复合薄膜，其特征在于：所述薄膜1中，多孔碳材料与高分子基体材料的重量比为(1～10)：1，所述薄膜2中，导电材料与高分子基体材料的质量比为(1～5)：1；
和/或，薄膜1中的高分子基体材料与薄膜2中的高分子基体材料的质量比为1：(0.5～2.0)。
3.根据权利要求2所述的高吸收型电磁屏蔽复合薄膜，其特征在于：所述薄膜1中，多孔碳材料与高分子基体材料的重量比为(1～3)：1，优选为(2～3)：1，更优选为1：1；所述薄膜2中，导电材料与高分子基体材料的质量比为1：1；
和/或，薄膜1中的高分子基体材料与薄膜2中的高分子基体材料的质量比为1：1。
4.根据权利要求1～3任一项所述的高吸收型电磁屏蔽复合薄膜，其特征在于：所述多孔碳材料是由金属有机框架材料碳化后制得的；
和/或，所述电磁屏蔽材料为石墨烯、碳纳米管或MXenes；
和/或，所述高分子基体材料为纤维素或其衍生物。
5.根据权利要求4所述的高吸收型电磁屏蔽复合薄膜，其特征在于：所述金属有机框架材料为ZIF-67，所述碳化条件为在700～900℃下热处理2～4小时；
和/或，所述石墨烯为石墨烯片；
和/或，所述纤维素为纳米纤维素，所述纤维素衍生物为羟甲基纤维素。
6.根据权利要求5所述的高吸收型电磁屏蔽复合薄膜，其特征在于：所述ZIF-67是由Co(NO3)2和2-甲基咪唑反应制得的，所述碳化条件为于惰性气氛中在800℃下热处理3小时；
和/或，所述石墨烯片为石墨烯纳米片；
和/或，所述纳米纤维素是以木浆为原料利用TEMPO氧化法制得的纳米纤维素。
7.根据权利要求1所述的高吸收型电磁屏蔽复合薄膜，其特征在于：所述复合薄膜的厚度为130μm以内，优选为100μm。
8.权利要求1～7任一项所述高吸收型电磁屏蔽复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
(1)在高分子基体材料中加水分散，制成高分子基体材料悬浮液；
(2)将多孔碳材料加入高分子基体材料悬浮液中，分散，成膜，干燥，得到薄膜1；
(3)将导电材料加入高分子基体材料悬浮液中，分散，成膜，干燥，得到薄膜2；
(4)将薄膜1与薄膜2热压制成高吸收型电磁屏蔽复合薄膜。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述分散的方式为超声分散，高分子基体材料悬浮液中高分子基体材料的浓度为0.10wt.％～0.40wt.％，优选为0.27wt.％；
和/或，步骤(2)中，所述分散的方式为超声分散，成膜的方式为真空辅助抽滤；
和/或，步骤(3)中，所述分散的方式为超声分散，成膜的方式为真空辅助抽滤；
和/或，步骤(4)中，所述热压条件为：温度60～100℃，压力3～7MPa；优选地，所述热压条件为：温度80℃，压力5MPa。
10.权利要求1～7任一项所述高吸收型电磁屏蔽复合薄膜在制备电磁屏蔽材料中的用途。
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