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CN113497016A - 一种led显示装置及巨量转移方法 - Google Patents

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CN113497016A
CN113497016A CN202010271742.3A CN202010271742A CN113497016A CN 113497016 A CN113497016 A CN 113497016A CN 202010271742 A CN202010271742 A CN 202010271742A CN 113497016 A CN113497016 A CN 113497016A
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CN
China
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led chip
photosensitive resin
temporary substrate
resin layer
led
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Application number
CN202010271742.3A
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English (en)
Inventor
张朋月
徐瑞林
黄嘉桦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Original Assignee
Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
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Publication date
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Priority to PCT/CN2020/117395 priority patent/WO2021203633A1/zh
Priority to TW109133199A priority patent/TWI747522B/zh
Priority to US17/382,840 priority patent/US20210351231A1/en
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Abstract

本发明涉及显示器制造领域，具体涉及一种LED显示装置，其包括一显示背板，多个第一LED芯片、多个第二LED芯片及多个第三LED芯片，所述显示背板上形成有多个第一凸台及多个第二凸台，所述第一LED芯片设置于所述第一凸台上，所述第二LED芯片设置于所述第二凸台上，所述第一凸台的高度H11大于所述第二凸台的高度H22。同时，本发明还涉及一种巨量转移方法，用于微元件的转移，无需单独制作转移头，仅需要用感光树脂制作临时转移头即可完成LED芯片的转移，转移精度高、效率高。

Description

一种LED显示装置及巨量转移方法
技术领域
本发明涉及LED显示装置制造技术领域，尤其涉及一种LED显示装置及巨量LED芯片转移方法。
背景技术
微LED发展是未来显示技术的热点之一，但其技术难点多且技术复杂，特别是其关键技术--巨量转移技术。随着技术的发展，巨量转移技术发展至今已经出了不少技术分支，如静电吸附、镭射激光烧触等。
现阶段对红蓝绿(RGB)三色微LED的巨量转移过程，一般采用分次转移的方式，即一次只能转移一种颜色的微LED芯片，利用震动和风力使对应形状的微LED芯片落入装载槽。所以，对于形状相同的RGB三色微LED芯片，需要通过三次巨量转移工艺，而微LED芯片尺寸在100um以下，因此，在巨量转移的过程中，传统的制作转移头进行转移。则需要将转移头需要做得非常小与之匹配，对精度要求非常高，因而对转移设备的制造要求也会非常高。
半导体封装中，常常利用到一些具有高弹性、易加工的聚合物，这些聚合物旋涂后常温即可形成固态。通常通过制作模具后，于模具中灌注聚合物材料，固化后模具，形成转移微柱子，并利用柱子对准来抓取微元件，转移后利用机械力将微柱子压断，然而，这种方法工艺较复杂，更重要的是在使用微柱子抓取微元件时，需要精确对准，容易产生产品良率下降的情况。
发明内容
基于以上问题，本发明设计一种LED显示装置结构，能够很好的实现微LED芯片的巨量转移，其具体结构如下：
一种LED显示装置，其包括一显示背板，所述显示背板上阵列划分为多个像素区域；
每个像素区域，包括，第一LED芯片、第二LED芯片及第三LED芯片，以及设置在所述显示背板上的第一凸台和第二凸台；
所述第一LED芯片设置于所述第一凸台上，
所述第二LED芯片设置于所述第二凸台上，
所述第三LED芯片设置于所述像素区域内的显示背板上，
所述第一凸台的高度H11大于所述第二凸台的高度H22。
进一步的，所述第二LED芯片及所述第三LED芯片的高度分别为h2、h3，
所述第一凸台的高度H11、所述第二凸台的高度H22，满足以下条件：
H22≥h3、H11≥h2+h3。
本申请还包括一种巨量转移方法，包括步骤：
S10提供一第一生长基板，所述第一生长基板上有多个第一LED芯片，所述第一LED芯片的电极背离所述第一生长基板；
S11提供一第一临时基板，所述第一临时基板上设置有胶合剂，将所述第一LED芯片的电极粘附于所述第一临时基板的第一胶合剂层上，剥离所述第一生长基板；
S12在设置有所述第一LED芯片的所述第一临时基板上涂覆感光树脂，形成第一感光树脂层，所述第一感光树脂层的厚度H1大于所述第一LED芯片的高度为h1，即，H1>h1；
S13在所述感光树脂层上覆盖一第二临时基板，所述第二临时基板采用透光材料制成；
提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的所述第一LED芯片的光线，曝光待转移的第一LED芯片对应的部分所述第一感光树脂层，使其固化，通过显影液移除未曝光的所述第一感光树脂层，剩下的所述感光树脂层作为第一转移头；
S14用激光剥离的方式选择性地将待转移的第一LED芯片从所述胶合剂层剥离，使所述第一LED芯片通过所述第一转移头粘附于所述第二临时基板上；
S15移动所述第二临时基板，将所述第二临时基板上的LED芯片转移至显示背板，通过剥离液溶解所述转移头，使LED芯片与所述第二临时基板分离，完成所述LED芯片的转移。
进一步的，所述方法还包括：
提供一第二生长基板，所述第二生长基板上有多个第二LED芯片，所述第二LED芯片的电极背离所述第二生长基板；
提供一第三临时基板，所述第三临时基板上设置有胶合剂，将所述第二LED芯片的电极粘附于所述第三临时基板的第二胶合剂层上，剥离所述第二生长基板；
在设置有所述第二LED芯片的所述第三临时基板上涂覆感光树脂，形成第二感光树脂层，所述第二感光树脂层的厚度H2大于所述第二LED芯片的高度为h2，即，H2>h2，若所述第二LED芯片的高度h2与所述第一LED芯片的高度h1不相等，则预设覆盖所述第二LED芯片的第二感光树脂层的高度为H2，满足以下条件：H2-h2＞|h2-h1|；
在所述第二感光树脂层上覆盖一第四临时基板，所述第四临时基板采用透光材料制成；
提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的所述第二LED芯片的光线，曝光待转移的第二LED芯片对应的部分所述第二感光树脂层，使其固化，通过显影液移除未曝光的所述第二感光树脂层，剩下的所述第二感光树脂层作为第二转移头；
用激光剥离的方式选择性地将待转移的第二LED芯片从所述胶合剂层剥离，使所述第二LED芯片通过所述第二转移头粘附于所述第四临时基板上；
移动所述第四临时基板，将所述第四临时基板上的LED芯片转移至显示背板，通过剥离液溶解所述第二转移头，使LED芯片与所述第四临时基板分离，完成所述第二LED芯片的转移。
进一步的，所述方法还包括：
提供一第三生长基板，所述第三生长基板上有多个第三LED芯片，所述第三LED芯片的电极背离所述第三生长基板；
提供一第五临时基板，所述第五临时基板上设置有胶合剂，将所述第三LED芯片的电极粘附于所述第五临时基板的第三胶合剂层上，剥离所述第三生长基板；
在设置有所述第三LED芯片的所述第五临时基板上涂覆感光树脂，形成第三感光树脂层，所述第三感光树脂层的厚度H3大于所述第三LED芯片的高度为h3，即，H3>h3，若所述第三LED芯片的高度h3、所述第二LED芯片的高度h2与所述第一LED芯片的高度h1互不相等，则预设覆盖所述第三LED芯片的第三感光树脂层的高度为H3，满足以下条件：H3-h3＞|h3-h1|且H3-h3＞|h3-h2|；
在所述第三感光树脂层上覆盖一第六临时基板，所述第六临时基板采用透光材料制成；
提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的所述第三LED芯片的光线，曝光待转移的第三LED芯片对应的部分所述第三感光树脂层，使其固化，通过显影液移除未曝光的所述第三感光树脂层，剩下的所述第三感光树脂层作为第三转移头；
用激光剥离的方式选择性地将待转移的第三LED芯片从所述胶合剂层剥离，使所述第三LED芯片通过所述第三转移头粘附于所述第六临时基板上；
移动所述第六临时基板，将所述第六临时基板上的LED芯片转移至显示背板，通过剥离液溶解所述第三转移头，使LED芯片与所述第六临时基板分离，完成所述第三LED芯片的转移。
进一步的，步骤S14之后及步骤S15之前，还包括步骤：
S21提供一第二生长基板，所述第二生长基板上形成有多个第二LED芯片，所述第二LED芯片高度为h2；
S22提供一第三临时基板，所述第三临时基板上形成有第二胶合剂层，将所述第二LED芯片粘附于所述第三临时基板上，移除所述第二生长基板后，在设置有所述第二LED芯片的所述第三临时基板上涂覆感光树脂材料，成第二感光树脂层，厚度为H21,且满足：H21≥H1；
S23在所述第二感光树脂层上形成多个与所述第一LED芯片相对应的第一凹槽，将拾取有多个所述第一LED芯片的第二临时基板覆盖于所述第二感光树脂层上；
S24提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的所述第二LED芯片的光线，曝光待转移的第二LED芯片对应的部分所述第二感光树脂层，使其固化，通过显影液移除未曝光的所述第二感光树脂层，剩下的所述第二感光树脂层作为第二转移头；
S25用激光剥离的方式选择性地将待转移的第二LED芯片从所述胶合剂层剥离，使所述第二LED芯片通过所述第二转移头粘附于所述第二临时基板上。
进一步的，步骤S25之后及步骤S15之前，还包括步骤：
S31提供一第三生长基板，所述第三生长基板上形成有多个第三LED芯片，所述第三LED芯片高度为h3；
S32提供一第四临时基板，所述第四临时基板上形成有第三胶合剂层，将所述第三LED芯片粘附于所述第四临时基板上，移除所述第三生长基板后，在设置有所述第三LED芯片的所述第四临时基板上涂覆感光树脂材料，成第三感光树脂层，厚度为H31,且满足：H31≥H2+h3；
S33在所述第三感光树脂层上形成多个与所述第一LED芯片、第二LED芯片相对应的第二凹槽和第三凹槽，将拾取有多个所述第一LED芯片和所述第二LED芯片的第四临时基板覆盖于所述第三感光树脂层上；
S34提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的所述第三LED芯片的光线，曝光待转移的第三LED芯片对应的部分所述第三感光树脂层，使其固化，通过显影液移除未曝光的所述第三感光树脂层，剩下的所述第三感光树脂层作为第三转移头；
S35用激光剥离的方式选择性地将待转移的第三LED芯片从所述第三胶合剂层剥离，使所述第三LED芯片通过所述第三转移头粘附于所述第二临时基板上。
进一步的，
所述显示背板包括多个第一凸台和多个第二凸台，
所述第二临时基板上的第一LED芯片键合于所述第一凸台上，
所述第二临时基板上的第二LED芯片键合于所述第二凸台上。
进一步的，所述第一凸台的高度为H11，所述第二凸台的高度为H22，且满足以下条件：
H22≥h3、H11≥H22+h2，H11＝H31-H1且H22＝H31-H21。
进一步的，形成所述第一凹槽、第二凹槽的方法为曝光显影或蚀刻。
本发明的有益效果在于：
本发明所述的LED显示装置结构，三种不同LED芯片的放置高度不一样，便于“转移头”将其分次拾取，一次转移，节省工序。
本发明所述的巨量转移方法通过树脂的选择性光固化，在生长基板上直接形成对应的“转移头”，不再需要专门制造转移设备，降低了巨量转移的难度。且在需要时，可以分次拾取RGB三色LED芯片，一次性转移到显示背板上，无需三次转移，转移效率更高。
附图说明
图1为一种LED显示装置结构；
图2为实施例2的方法流程图
图3为实施例2第一LED芯片位于第一生长基板上的状态图；
图4为实施例2第一LED芯片转移至第一临时基板上的状态图；
图5为实施例2形成第一感光树脂层的状态图；
图6为实施例2曝光显影第一感光树脂层后的状态图；
图7为实施例2分离第一LED芯片与第一临时基板的示意图；
图8为实施例2第一LED芯片转移至显示背板的示意图；
图9为第二LED芯片位于第二生长基板上的示意图；
图10为第二LED芯片转移至第三临时基板上的示意图；
图11为形成第二感光树脂层示意图；
图12为形成第二转移头示意图；
图13为待转移的第三LED芯片与地四临时基板分离示意图；
图14为第二LED芯片转移至显示背板的示意图；
图15第三LED芯片位于第三生长基板上的示意图；
图16为第三LED芯片转移至第五临时基板上的示意图；
图17为在第三LED芯片性成第三感光树脂层的示意图；
图18为形成第三转移头后的示意图；
图19为待转移的第三LED芯片从第三胶合剂层分离的示意图；
图20为第三LED芯片转移至显示背板的示意图；
图21为实施例3的方法流程图；
图22为依据实施例2的方法拾取第一LED芯片后的示意图；
图23为实施例3第二LED芯片的初始状态示意图；
图24为实施例3形成第二感光树脂层示意图；
图25为第二临时基板覆盖于第二感光树脂层上的示意图；
图26为形成第二转移头的过程示意图；
图27为形成第二LED芯片与第三临时基板分离的意图；
图28为第三LED芯片位于生长基板上的示意图；
图29为第三LED芯片转移至第四临时基板上的过程示意图；
图30为第三感光树脂层上覆盖第二临时基板的结构示意图；
图31为形成第三转移头的过程示意图；
图32为拾取第一LED芯片、第二LED芯片及第三LED芯片示意图；
图33为将第一LED芯片、第二LED芯片及第三LED芯片转移至显示背板上的示意图。
图中标号说明：
第一生长基板111、第一临时基板112、感光树脂层113、第二临时基板114/211、第一转移头115、图形化掩膜版116、第一LED芯片110/210、显示背板100/200、第二LED芯片120/220、第三临时基板121、第二转移头1231/225、第三LED芯片130/230、第四临时基板124/310、第三转移头1331/323、第一凸台140/241、第二凸台150/242、第二生长基本221、第三临时基板222、第二胶合剂层2221、第二感光树脂层123/223、第一凹槽224、第二凹槽321、第三凹槽322、第三胶合剂层311、第三感光树脂层133/320、第五临时基板132、第六临时基板134。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清除、完整地描述，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。
本申请中的属于“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要或者隐含指名所指示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。
实施例1
如图1所示为本发明所述的LED显示装置结构。
一种LED显示装置结构，包括一显示背板100，显示背板100上阵列划分为多个像素区域，每个像素区域包括第一LED芯片110、第二LED芯片120及第三LED芯片130，显示背板100上形成有多个第一凸台140及多个第二凸台150，第一LED芯片110设置于第一凸台140上，第二LED芯片120设置于第二凸台150上，第一凸台140的高度H11大于第二凸台150的高度H22。
预设第二LED120芯片及所述第三LED芯片130的高度分别为h2、h3，则H22≥h3、H11≥h2+h3。
对应的在第一凸台140及第二凸台150上分别设置与第一LED芯片110及第二LED芯片120相对应的电极，与第一LED芯片110及第二LED芯片120上的电极进行键合。第三LED芯片130设置于显示背板100上，与显示背板100上对应的电极相键合，即完成第一LED芯片110、第二LED芯片120及第三LED芯片130电与显示背板100性连接。
通过设置不同高度的凸台放置LED芯片可以在拾取不同的芯片时，采用不同高度的转移头对第一LED芯片110、第二LED芯片120及第三LED芯片130进行分别拾取，同时转移至显示背板100，避免每种LED芯片进行分别转移，精简工序。
在本实施例中，第一LED芯片110为红色芯片，第二LED芯片120为绿色芯片，第三LED芯片为蓝色芯片，可以理解的是，该芯片种类可以互相替换，还可以是其他类型的芯片。
实施例2
如图2～9所示为本发明一种巨量转移方法，图2为本实施例的方法流程图，其具体方法步骤如下。
S10提供一第一生长基板111，第一生长基板111上有多个第一LED芯片110。
请参考图3，第一LED芯片110的电极背离第一生长基板111，该第一LED芯片110为红光波段的微LED芯片，也可以选用其他类型微LED，根据需求而选择。
S11提供一第一临时基板112，第一临时基板112上设置有胶合剂层1121，将第一LED芯片110的电极粘附于第一临时基板112的胶合剂层1121上，剥离第一生长基板111。
请参考图4，剥离第一生长基板111的方式为激光剥离，通过特定波长的光照射第一生长基板，使第一LED芯片110与第一生长基板111之间失去黏性，从而使第一LED芯片110转移至第一临时基板112上。
S12在设置有第一LED芯片110的第一临时基板112上涂覆感光树脂，形成第一感光树脂层113。
请参考图5，第一感光树脂层113的厚度为H1，第一LED芯片10的高度为h1，则需要满足条件：H1>h1，从而使感光树脂层完全覆盖第一LED芯片110。感光树脂层113通过感光固化树脂，即，照射特定波长的光线后固化，需要特定化学溶剂才能溶解，与溶解未固化的感光树脂所需的化学溶剂不同。
S13曝光显影感光树脂层113后，形成多个第一转移头115。
请参考图6，在感光树脂层113上覆盖一第二临时基板114，提供一图形化掩膜(图未示)，遮挡射向不需要转移的第一LED芯片110正上方的光线，曝光未遮挡光线的第一感光树脂层113，使其固化，用显影液溶解移除未曝光的第一感光树脂层113，得到多个第一转移头115，第一转移头115连接待转移的第一LED芯片110。
第二临时基板114由透光材料制得，因而可以透光光线，使曝光顺利进行，优选的透光材料为石英玻璃。
S14用激光选择性的将待转移的第一LED芯片110从第一胶合剂层1121剥离，使第一待转移LED芯110片通过第一转移头115粘附于第二临时基板114上。
请参考图7，第一临时基板为透光材料，通过一图形化掩膜版116遮挡部分光线，使光线只能到达待转移的第一LED芯片110所对应的区域，第一胶合剂层1121为光敏材料，通过激光照射后失去黏性，使第一LED芯片110顺利的与第一第一临时基板112分离。
S15移动第二临时基板114将第一LED芯片110转移至显示背板100，移除第一转移头115，使第一LED芯片110与第二临时基板114分离，完成第一LED芯片110的转移。
请参考图8，第一转移头115可以通过特定的剥离液溶解，溶解后第二临时基板114与第一LED芯片110分离，第一LED芯片110的电极与显示背板100上的电极可通过加热键合后固定于显示背板上100，完成第一LED芯片的转移。
S16提供一第二生长基板121，第二生长基板121上有多个第二LED芯片120。第二LED芯片120的电极背离所述第二生长基板，请参考图9。
S17提供一第三临时基板122，第三临时基板122上设置有第二胶合剂层1221，将第二LED芯片120的电极粘附于第三临时基板122的第二胶合剂层1221上，剥离第二生长基板121，请参考图10。本实施例中，胶合剂为光敏胶合剂，可以通过照射特定波长的光线使其失去粘性，从而便于芯片的剥离。
S18在设置有第二LED芯片120的第三临时基板122上涂覆感光树脂，形成第二感光树脂层123。第二感光树脂层123的厚度H2大于第二LED芯片120的高度为h2，即，H2>h2，若第二LED芯片120的高度h2与第一LED芯片110的高度h1不相等，则预设覆盖第二LED芯片120的第二感光树脂层123的高度为H2，满足以下条件：H2-h2＞|h2-h1|，请参考图11。
S19曝光显影第二感光树脂层123后，形成第二转移头1231。
在第二感光树脂层123上覆盖一第四临时基板124，第四临时基板124采用透光材料制成，提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的第二LED芯片120的光线，曝光待转移的第二LED芯片120对应的部分第二感光树脂层123，使其固化，通过显影液移除未曝光的第二感光树脂层123，剩下的第二感光树脂层123作为第二转移头1231。请参考图12。
S110用激光剥离的方式选择性地将待转移的第二LED芯片120从第二胶合剂层1221剥离。使第二LED芯片120通过第二转移头1231粘附于第四临时基板上124，请参考图13。
S111移动第四临时基板124，将第四临时基板124上的LED芯片转移至显示背板100，通过剥离液溶解第二转移头1231，使LED芯片与所述第四临时基板124分离，完成第二LED芯片120的转移，请参考图14。
S112提供一第三生长基板131，第三生长基板131上有多个第三LED芯片130。第三LED芯片130的电极背离第三生长基板131。请参考图15。
S113提供一第五临时基板132，第五临时基板132上设置有胶合剂，将第三LED芯片130的电极粘附于所述第五临时基板132的第三胶合剂层上1321，剥离第三生长基板131。请参考图16。本实施例中，胶合剂为光敏胶合剂，可以通过照射特定波长的光线使其失去粘性，从而便于芯片的剥离。
S114在设置有第三LED芯片130的第五临时基板132上涂覆感光树脂，形成第三感光树脂层133。
第三感光树脂层133的厚度H3大于第三LED芯片130的高度为h3，即，H3>h3，若第三LED芯片130的高度h3、第二LED芯片120的高度h2与第一LED芯片110的高度h1互不相等，则预设覆盖第三LED芯片130的第三感光树脂层133的高度为H3，满足以下条件：H3-h3＞|h3-h1|且H3-h3＞|h3-h2|，请参考图17。需要满足此高度条件，在转移第三LED芯片130至显示背板100时，才不会碰撞到已经转移的第一LED芯片110及第二LED芯片120.
S115曝光显影第三感光树脂层133后，形成第三转移头1331。
在第三感光树脂层133上覆盖一第六临时基板134，第六临时基板134采用透光材料制成；提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的第三LED芯片130的光线，曝光待转移的第三LED芯片130对应的部分所述第三感光树脂层133，使其固化，通过显影液移除未曝光的第三感光树脂层133，剩下的第三感光树脂层133作为第三转移头1331，请参考图18。
S116用激光剥离的方式选择性地将待转移的第三LED芯片130从第三胶合剂层1321剥离，使第三LED芯片130通过第三转移头1331粘附于第六临时基板134上，请参考图19。具体操作芳芳为，提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的第三LED芯片130处的光线，从而只有待转移的第三LED芯片130从第三胶合剂层1321剥离。
S117移动第六临时基板134，将第六临时基板134上的第三LED芯片130转移至显示背板100，通过剥离液溶解第三转移头1331，使第三LED芯片130与第六临时基板134分离，完成三LED芯片130的转移，请参考图20。剥离液溶解第三转移头1331时，不会产生机械应力，从而不会对芯片产生影响，也是本发明的优势之一。
当前LED芯片的类型根据其波段不同通常为3种，分别为红光波段LED芯片、绿光波段LED芯片、蓝光波段LED芯片。在本实施例中第一LED芯片110为红光波段LED芯片，第二LED芯片120为绿光波段LED芯片，第三LED芯片130为蓝光波段LED芯片。在其他实施方式中，也可以为其他不同类型的LED芯片组合，并不以此实施例为限。
实施例3
如图21～33所示，为本实施例一种巨量转移方法，其中图21为本实施例的方法流程图，具体方法步骤如下。
S20如实施例2中步骤S11-S14所述的方法，第二临时基板211上形成的多个第一转移头212拾取多个第一LED芯片210。
请参考图22，第一LED芯片210粘附于第一转移头212上，第一转移头212的位置及数量与第一LED芯片210一一对应。第一转移头212由感光树脂曝光显影后形成，其材质为固化后的感光树脂。
S21提供一第二生长基板221，第二生长基板221上形成有多个第二LED芯片220，第二LED芯片220高度为h2。
请参考图23，第二LED芯片220的电极背向第二生长基板221的一面，此状态为第二LED芯片210制作完成后的结构。
S22提供一第三临时基板222，第三临时基板222上形成有第二胶合剂层2221，将第二LED芯片220粘附于第三临时基板222上，移除第二生长基板221后在第二LED芯片220上涂覆感光树脂材料，固化后形成第二感光树脂层223。
请参考图24，移除第二生长基板221的方法为激光照射移除，通过激光照射第二生长基本221后，第二生长基本221与第二LED芯片220之间失去黏性，从而分离。在第二LED芯片220上涂覆液态感光树脂材料后，感光树脂材料流动并包覆整个第二LED芯片220，固化后形成第二感光树脂层223，厚度为H21，需要满足的高度条件为H21≥H1。
S23在第二感光树脂层223上形成多个与第一LED芯片210相对应的第一凹槽224，将拾取有多个第一LED芯片210的第二临时基板221覆盖于第二感光树脂层223上。
请参考图25，在第二感光树脂层223上形成多个与第一LED芯片210相对应的第一凹槽224，将拾取了多个第一LED芯片210的第二临时基板211覆盖于第二感光树脂层223上，第二临时基板211上连接的第一LED芯片210位置与第一凹槽224相对应。形成第一凹槽224的方法为曝光显影去除部分感光树脂材料，或者通过蚀刻去除部分感光树脂材料。
S24提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的第二LED芯片220的光线，曝光待转移的第二LED芯片220对应的部分第二感光树脂层223，使其固化，通过显影液移除未曝光的第二感光树脂层223，剩下的第二感光树脂层223作为第二转移头225。
请参考图26，第二临时基板211为透光材料，可以透过光线，通过一图形化掩膜(图未示)盖住第二临时基板211，使曝光时只有部分光线到达第二感光树脂层223，曝光后的第二感光树脂层223固化形成第二转移头225，与第二临时基板211及第二LED芯片220连接，再通过显影液溶解移除未固化的第二感光树脂层223。第二转移头225连接第二LED芯片220。
S25用激光剥离的方式选择性地将待转移的第二LED芯片220从胶合剂层剥离，使第二LED芯片220通过第二转移头225粘附于第二临时基板211上。
请参考图27，胶合剂层由光敏材料制成，照射特定波长的光后会失去粘性，因而可以使用一图形化掩膜，遮挡射向不需要移除的第二LED芯片220处的光线，使光线只会到达需要移除的第二LED芯片220处，使第二LED芯片220与第三临时基板222分离。
S31提供一第三生长基板300，第三生长基板300上形成有多个第三LED芯片230，第三LED芯片230高度为h3，请参考图28。
S32提供一第四临时基板310，第四临时基板310上形成有第三胶合剂层311，将第三LED芯片230粘附于所述第四临时基板上，移除第三生长基板310后，在设置有第三LED芯片230的第四临时基板310上涂覆感光树脂材料，形成第三感光树脂层320，厚度为H31,且满足：H31≥H2+h3，请参考图29。
S33在第三感光树脂层320上形成多个与第一LED芯片210、第二LED芯片220相对应的第二凹槽321和第三凹槽322，将拾取有多个第一LED芯片210和第二LED芯片220的第四临时基板310覆盖于第三感光树脂层320上，请参考图30。
S34提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的第三LED芯片230的光线，曝光待转移的第三LED芯片230对应的部分第三感光树脂层320，使其固化，通过显影液移除未曝光的第三感光树脂层320，剩下的第三感光树脂层320作为第三转移头323，请参考图31。
S35用激光剥离的方式选择性地将待转移的第三LED芯片230从第三胶合剂层311剥离，使第三LED芯片230通过第三转移头323粘附于第二临时基板211上。
请参考图32，第二临时基板211上形成多个第三转移头323，第三转移头323连接第三LED芯片230。
预设第三LED芯片310的高度为h3，在制作第三转移头323的过程中形成的第三感光树脂层320的厚度为H3，则H3＞H2＞H1。
S36提供一具有多个第一凸台241及第二凸台242的显示背板200，将第二临时基板211上的第一LED芯片210、第二LED芯片220及第三LED芯片230同时转移至显示背板200上。
请参考图33，第一LED芯片210的位置与第一凸台241对应，所述第二LED芯片220的位置与第二凸台242对应，随后移除第二临时基板211。第一凸台高度为H11、第二凸台高度为H22，则需同时满足高度关系H22≥h3、H11≥H22+h2，H11＝H31-H1且H22＝H31-H21，满足此高度关系，才能在转移的过程中各类型LED芯片不碰撞其他结构，从而顺利转移。
第二临时基板211为透光材料，通过激光照射即可使第一LED芯片210、第二LED芯片220及第三LED芯片230与第二临时基板211分离，将第一LED芯片210、第二LED芯片220及第三LED芯片230的电极分别于第一凸台241、第二凸台242及显示背板200上的电极加热键合，固定连接。
本发明所述的三种LED芯片根据实际应用为RGB三色LED芯片，其转移顺序不受限定，并不以此实施例为限。
本发明所述的巨量转移方法不需要制作转移头即可对LED芯片进行转移，且转移效率高、精度高。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
以上结合具体实施例描述了本公开的基本原理，但是，需要指出的是，在本公开中提及的优点、优势、效果等仅是示例而非限制，不能认为这些优点、优势、效果等是本公开的各个实施例必须具备的。另外，上述公开的具体细节仅是为了示例的作用和便于理解的作用，而非限制，上述细节并不限制本公开为必须采用上述具体的细节来实现。

Claims (10)

1.一种LED显示装置，其特征在于，包括一显示背板，所述显示背板上阵列划分为多个像素区域；
每个像素区域，包括，第一LED芯片、第二LED芯片及第三LED芯片，以及设置在所述显示背板上的第一凸台和第二凸台；
所述第一LED芯片设置于所述第一凸台上，
所述第二LED芯片设置于所述第二凸台上，
所述第三LED芯片设置于所述像素区域内的显示背板上，
所述第一凸台的高度H11大于所述第二凸台的高度H22。
2.如权利要求1所述的LED显示装置，其特征在于，所述第二LED芯片及所述第三LED芯片的高度分别为h2、h3，
所述第一凸台的高度H11、所述第二凸台的高度H22，满足以下条件：
H22≥h3、H11≥h2+h3。
3.一种巨量转移方法，其特征在于，包括步骤：
S10提供一第一生长基板，所述第一生长基板上有多个第一LED芯片，所述第一LED芯片的电极背离所述第一生长基板；
S11提供一第一临时基板，所述第一临时基板上设置有胶合剂，将所述第一LED芯片的电极粘附于所述第一临时基板的第一胶合剂层上，剥离所述第一生长基板；
S12在设置有所述第一LED芯片的所述第一临时基板上涂覆感光树脂，形成第一感光树脂层，所述第一感光树脂层的厚度H1大于所述第一LED芯片的高度为h1，即，H1>h1；
S13在所述感光树脂层上覆盖一第二临时基板，所述第二临时基板采用透光材料制成；
提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的所述第一LED芯片的光线，曝光待转移的第一LED芯片对应的部分所述第一感光树脂层，使其固化，通过显影液移除未曝光的所述第一感光树脂层，剩下的所述感光树脂层作为第一转移头；
S14用激光剥离的方式选择性地将待转移的第一LED芯片从所述胶合剂层剥离，使所述第一LED芯片通过所述第一转移头粘附于所述第二临时基板上；
S15移动所述第二临时基板，将所述第二临时基板上的LED芯片转移至显示背板，通过剥离液溶解所述转移头，使LED芯片与所述第二临时基板分离，完成所述LED芯片的转移。
4.如权利要求3所述的巨量转移方法，其特征在于，所述方法还包括：
提供一第二生长基板，所述第二生长基板上有多个第二LED芯片，所述第二LED芯片的电极背离所述第二生长基板；
提供一第三临时基板，所述第三临时基板上设置有胶合剂，将所述第二LED芯片的电极粘附于所述第三临时基板的第二胶合剂层上，剥离所述第二生长基板；
在设置有所述第二LED芯片的所述第三临时基板上涂覆感光树脂，形成第二感光树脂层，所述第二感光树脂层的厚度H2大于所述第二LED芯片的高度为h2，即，H2>h2，若所述第二LED芯片的高度h2与所述第一LED芯片的高度h1不相等，则预设覆盖所述第二LED芯片的第二感光树脂层的高度为H2，满足以下条件：H2-h2＞|h2-h1|；
在所述第二感光树脂层上覆盖一第四临时基板，所述第四临时基板采用透光材料制成；
提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的所述第二LED芯片的光线，曝光待转移的第二LED芯片对应的部分所述第二感光树脂层，使其固化，通过显影液移除未曝光的所述第二感光树脂层，剩下的所述第二感光树脂层作为第二转移头；
用激光剥离的方式选择性地将待转移的第二LED芯片从所述胶合剂层剥离，使所述第二LED芯片通过所述第二转移头粘附于所述第四临时基板上；
移动所述第四临时基板，将所述第四临时基板上的LED芯片转移至显示背板，通过剥离液溶解所述第二转移头，使LED芯片与所述第四临时基板分离，完成所述第二LED芯片的转移。
5.如权利要求4所述的巨量转移方法，其特征在于，所述方法还包括：
提供一第三生长基板，所述第三生长基板上有多个第三LED芯片，所述第三LED芯片的电极背离所述第三生长基板；
提供一第五临时基板，所述第五临时基板上设置有胶合剂，将所述第三LED芯片的电极粘附于所述第五临时基板的第三胶合剂层上，剥离所述第三生长基板；
在设置有所述第三LED芯片的所述第五临时基板上涂覆感光树脂，形成第三感光树脂层，所述第三感光树脂层的厚度H3大于所述第三LED芯片的高度为h3，即，H3>h3，若所述第三LED芯片的高度h3、所述第二LED芯片的高度h2与所述第一LED芯片的高度h1互不相等，则预设覆盖所述第三LED芯片的第三感光树脂层的高度为H3，满足以下条件：H3-h3＞|h3-h1|且H3-h3＞|h3-h2|；
在所述第三感光树脂层上覆盖一第六临时基板，所述第六临时基板采用透光材料制成；
提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的所述第三LED芯片的光线，曝光待转移的第三LED芯片对应的部分所述第三感光树脂层，使其固化，通过显影液移除未曝光的所述第三感光树脂层，剩下的所述第三感光树脂层作为第三转移头；
用激光剥离的方式选择性地将待转移的第三LED芯片从所述胶合剂层剥离，使所述第三LED芯片通过所述第三转移头粘附于所述第六临时基板上；
移动所述第六临时基板，将所述第六临时基板上的LED芯片转移至显示背板，通过剥离液溶解所述第三转移头，使LED芯片与所述第六临时基板分离，完成所述第三LED芯片的转移。
6.如权利要求3所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤S14之后及步骤S15之前，还包括步骤：
S21提供一第二生长基板，所述第二生长基板上形成有多个第二LED芯片，所述第二LED芯片高度为h2；
S22提供一第三临时基板，所述第三临时基板上形成有第二胶合剂层，将所述第二LED芯片粘附于所述第三临时基板上，移除所述第二生长基板后，在设置有所述第二LED芯片的所述第三临时基板上涂覆感光树脂材料，成第二感光树脂层，厚度为H21，且满足：H21≥H1；
S23在所述第二感光树脂层上形成多个与所述第一LED芯片相对应的第一凹槽，将拾取有多个所述第一LED芯片的第二临时基板覆盖于所述第二感光树脂层上；
S24提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的所述第二LED芯片的光线，曝光待转移的第二LED芯片对应的部分所述第二感光树脂层，使其固化，通过显影液移除未曝光的所述第二感光树脂层，剩下的所述第二感光树脂层作为第二转移头；
S25用激光剥离的方式选择性地将待转移的第二LED芯片从所述胶合剂层剥离，使所述第二LED芯片通过所述第二转移头粘附于所述第二临时基板上。
7.如权利要求6所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤S25之后及步骤S15之前，还包括步骤：
S31提供一第三生长基板，所述第三生长基板上形成有多个第三LED芯片，所述第三LED芯片高度为h3；
S32提供一第四临时基板，所述第四临时基板上形成有第三胶合剂层，将所述第三LED芯片粘附于所述第四临时基板上，移除所述第三生长基板后，在设置有所述第三LED芯片的所述第四临时基板上涂覆感光树脂材料，成第三感光树脂层，厚度为H31,且满足：H31≥H2+h3；
S33在所述第三感光树脂层上形成多个与所述第一LED芯片、第二LED芯片相对应的第二凹槽和第三凹槽，将拾取有多个所述第一LED芯片和所述第二LED芯片的第四临时基板覆盖于所述第三感光树脂层上；
S34提供一图形化掩膜，遮挡射向不需要转移的所述第三LED芯片的光线，曝光待转移的第三LED芯片对应的部分所述第三感光树脂层，使其固化，通过显影液移除未曝光的所述第三感光树脂层，剩下的所述第三感光树脂层作为第三转移头；
S35用激光剥离的方式选择性地将待转移的第三LED芯片从所述第三胶合剂层剥离，使所述第三LED芯片通过所述第三转移头粘附于所述第二临时基板上。
8.如权利要求7所述的巨量转移方法，其特征在于，
所述显示背板包括多个第一凸台和多个第二凸台，
所述第二临时基板上的第一LED芯片键合于所述第一凸台上，
所述第二临时基板上的第二LED芯片键合于所述第二凸台上。
9.如权利要求8所述的巨量转移方法，其特征在于，
所述第一凸台的高度为H11，所述第二凸台的高度为H22，且满足以下条件：
H22≥h3、H11≥H22+h2，H11＝H31-H1且H22＝H31-H21。
10.如权利要求3至9任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，形成所述第一凹槽、第二凹槽的方法为曝光显影或蚀刻。
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