CN112967961A - 一种转移方法及设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种转移方法及设备，包括：在第一暂态基板上涂覆阻光的第一粘附胶；在生长基底上涂覆第一负性光刻胶；以第一暂态基板作为掩膜板，对第一负性光刻胶进行曝光和显影；固化曝光后的第一负性光刻胶；将第一暂态基板贴合于生长基底上；将微型发光二极管转移至发光背板上。通过第一暂态基板上具有阻光性的第一粘附胶，曝光和显影第一负性光刻胶，利用不同厚度的第一粘附胶具有不同透光率的特性，在第一负性光刻胶上形成凹凸不平的表面，使得第一负性光刻胶和第一粘附胶厚度互补，以此控制光刻胶的厚度，从而使得在进行巨量转移的过程中，多个微型发光二极管之间能够保持高度一致，进而有效避免转移失败。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域，涉及一种转移方法及设备，同时，还涉及一种转移设备。
背景技术
微型发光二极管即(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)，具有比一般LED更理想的光电效率、亮度和对比度以及更功耗。为了实现显示功能，需要将多个微型发光二极管装载入发光背板上，形成微型发光二极管阵列，微型发光二极管的单个芯片尺度较小，其制备难度极大，因此，巨量转移技术是形成微型发光二极管阵列的关键所在。
目前巨量转移技术主要包括静电转移、流体组装和范德华力转印等技术。其中，范德华力转印技术是指通过暂态基板来实现微型发光二极管巨量转移的技术，一般会通过可解的粘附胶对微型发光二极管进行粘附，转移至第一暂态基板，再通过类似的方法将微型发光二极管从第一暂态基板转移到第二暂态基板，最后再从第二暂态基板转移绑定到发光背板。
在利用范德华力转印进行巨量转移的过程中，由于暂态基板上涂覆的粘附胶在固化前为流动态，固化后厚度往往处处存在差异，使得再与另一暂态基板进行压力贴合时，由于粘附胶的高度差异，导致有些微型发光二极管正常压力粘附，有些微型发光二极管因为高度不足粘附不完全，另一些微型发光二极管高度过高陷入另一暂态基板的粘附胶中，造成转移失败。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种转移方法及设备，能够使得第一粘附胶和第一负性光刻胶厚度互补，从而使得在进行巨量转移的过程中，多个微型发光二极管之间能够保持高度一致，进而有效避免转移失败。
本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：
第一方面，本申请提供一种转移方法，包括：
在第一暂态基板上涂覆第一粘附胶，所述第一粘附胶具有阻光性；
在生长基底上涂覆第一负性光刻胶，所述第一负性光刻胶覆盖于微型发光二极管上；
将所述第一暂态基板平行设置于所述生长基底的上方，以所述第一暂态基板作为掩膜板，对所述第一负性光刻胶进行曝光和显影；
固化曝光后的所述第一负性光刻胶；
将所述第一暂态基板通过所述第一粘附胶和固化后的所述第一负性光刻胶的粘合而贴合于所述生长基底上；
将微型发光二极管从所述生长基底转移至发光背板上。
与现有技术相比，本技术方案的有益效果是：通过第一暂态基板上具有阻光性的第一粘附胶，对生长基底上的第一负性光刻胶进行曝光和显影，利用不同厚度的第一粘附胶具有不同透光率的特性，在第一负性光刻胶上形成凹凸不平的表面，使得第一负性光刻胶和第一粘附胶厚度互补，以此控制光刻胶的厚度，从而使得在进行巨量转移的过程中，多个微型发光二极管之间能够保持高度一致，进而有效避免转移失败。
进一步地，在对所述第一负性光刻胶进行曝光和显影后，还包括：
去除相邻两个微型发光二极管之间的第一负性光刻胶。
采用上述方案的有益效果是：及时清除多余的第一负性光刻胶，避免影响将微型发光二极管从生长基底上剥离。
进一步地，所述将微型发光二极管从所述第一暂态基板转移至发光背板上，包括：
对所述第一暂态基板上的所述微型发光二极管镀电极；
将镀电极后的所述微型发光二极管从所述第一暂态基板上剥离，并转移至发光背板上。
采用上述方案的有益效果是：在微型发光二极管上镀上电极，以实现微型发光二极管的电连接功能。
进一步地，通过LLO工艺将微型发光二极管和所述生长基底分解，从而将微型发光二极管从所述生长基底上剥离。
采用上述方案的有益效果是：通过LLO工艺，将高能量激光聚焦于微型发光二极管和生长基底之间，分解微型发光二极管和生长基底之间的结构，从而将微型发光二极管从生长基底上剥离。
进一步地，所述将微型发光二极管从所述生长基底上剥离，并转移至所述第一暂态基板上的过程还包括：
将从所述生长基底上剥离的微型发光二极管进行扩晶，并将扩晶后的微型发光二极管转移至所述第一暂态基板上。
采用上述方案的有益效果是：适应不同规格的显示背板，控制两个微型发光二极管之间的间距，以形成不同的分辨率。
进一步地，将微型发光二极管从所述第一暂态基板上剥离，并转移至第二暂态基板上包括：
在第二暂态基板上涂覆第二粘附胶，所述第二粘附胶具有阻光性；
在所述第一暂态基板上涂覆第二负性光刻胶，所述第二负性光刻胶覆盖于所述第一暂态基板上，且所述第二负性光刻胶蔓延至所述第一负性光刻胶和微型发光二极管的周边；
将所述第二暂态基板平行设置于所述第一暂态基板的上方，以所述第二暂态基板作为掩膜板，对所述第二负性光刻胶进行曝光和显影；
固化曝光后的所述第二负性光刻胶，将所述第二暂态基板通过所述第二粘附胶和固化后的所述第二负性光刻胶的粘合而贴合于所述第一暂态基板上；
将所述微型发光二极管从所述第一暂态基板上剥离；
去除所述微型发光二极管上的所述第一负性光刻胶和/或第二负性光刻胶，暴露所述微型发光二极管的电极。
采用上述方案的有益效果是：通过第二暂态基板上具有阻光性的第二粘附胶，对第一暂态基板上的第二负性光刻胶进行曝光和显影，利用不同厚度的第二粘附胶具有不同透光率的特性，在第二负性光刻胶上形成凹凸不平的表面，使得第二负性光刻胶和第一负性光刻胶厚度互补，以此控制光刻胶的厚度，从而使得在进行巨量转移的过程中，多个微型发光二极管之间能够保持高度一致，进而有效避免转移失败。
进一步地，对所述第一负性光刻胶进行曝光，包括：通过UV光垂直照射于所述第一暂态基板上，并透过所述第一粘附胶而对所述第一负性光刻胶进行曝光；
对所述第二负性光刻胶进行曝光，包括：通过UV光垂直照射于所述第二暂态基板上，并透过所述第二粘附胶而对所述第二负性光刻胶进行曝光；
对所述第一负性光刻胶和所述第二负性光刻胶进行显影，包括：利用显影液对曝光后的所述第一负性光刻胶和所述第二负性光刻胶进行显影操作。
采用上述方案的有益效果是：通过UV光对第一负性光刻胶和第二负性光刻胶进行曝光，能够有效促进第一负性光刻胶和第二负性光刻胶发生交联反应，再进行显影操作，则可得到特定形状的第一负性光刻胶和第二负性光刻胶。
进一步地，所述第一暂态基板和所述第二暂态基板为透明基板。
采用上述方案的有益效果是：使得第一暂态基板和第二暂态基板的透光效率更高，进而提高第一负性光刻胶和第二负性光刻胶的曝光效果。
进一步地，所述第一粘附胶和所述第二粘附胶内均匀设置有碳粉。
采用上述方案的有益效果是：通过在第一粘附胶和第二粘附胶内均匀设置有碳粉，使得第一粘附胶和第二粘附胶具有阻光性，无需设置其他阻光层，能够简化结构，使得转移流程更加科学合理。
进一步地，所述第一粘附胶和所述第二粘附胶具有热溶解性或者光溶解性。
采用上述方案的有益效果是：使得第一粘附胶和第二粘附胶更加容易被去除。
第二方面，本申请提供一种转移设备，包括：
生长基底，所述生长基底上生长有微型发光二极管，所述微型发光二极管侧涂覆设置有第一负性光刻胶；
第一暂态基板，所述第一暂态基板上涂覆设置有第一粘附胶，所述第一粘附胶具有阻光性；所述第一暂态基板，用于平行设置于所述生长基底的上方，以作为掩膜板，以便于对所述第一负性光刻胶进行曝光和显影；所述第一暂态基板，还用于通过所述第一粘附胶和所述第一负性光刻胶的粘合而贴合于所述第一暂态基板上，并将所述微型发光二极管从所述生长基底上剥离转移出来；
第二暂态基板，所述第二暂态基板上涂覆设置有第二粘附胶，所述第二粘附胶具有阻光性；所述第二暂态基板，用于将所述第一暂态基板上的微型发光二极管转移至发光背板。
与现有技术相比，本技术方案的有益效果是：通过第一暂态基板上具有阻光性的第一粘附胶，对生长基底上的第一负性光刻胶进行曝光和显影，利用不同厚度的第一粘附胶具有不同透光率的特性，在第一负性光刻胶上形成凹凸不平的表面，使得第一负性光刻胶和第一粘附胶厚度互补，以此控制光刻胶的厚度，从而使得在进行巨量转移的过程中，多个微型发光二极管之间能够保持高度一致，进而有效避免转移失败。
附图说明
图1是本发明一种转移方法的流程图。
图2是现有技术中粘附胶与微型发光二极管之间的示意图。
图3是本发明一种转移方法中在第一暂态基板上涂覆第一粘附胶的示意图。
图4是本发明一种转移方法中在生长基底上涂覆第一负性光刻胶的示意图。
图5是本发明一种转移方法中第一负性光刻胶进行曝光的示意图。
图6是本发明一种转移方法中曝光显影后的第一负性光刻胶的示意图。
图7是本发明一种转移方法中第一暂态基板贴合在生长基底上的示意图。
图8是本发明一种转移方法中将微型发光二极管转移至第一暂态基板上的示意图。
图9是本发明一种转移方法中在剥离第一暂态基板的示意图。
图10是本发明一种转移方法中暴露微型发光二极管的电极的示意图。
图中，各标号所代表的部件列表如下：
第一暂态基板1、第一粘附胶2、生长基底3、第一负性光刻胶4、第二暂态基板5、第二粘附胶6、第二负性光刻胶7、微型发光二极管8。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语中“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”、“相连”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通。当组件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明的具体含义。
微型发光二极管因其突出的性能而广受业界关注和市场欢迎，但由于微型发光二极管的单个芯片尺度较小，制备难度极大，若按照普通LED的贴片方式来生产，就会极大限制其生产效率，因此，巨量转移技术是形成微型发光二极管阵列的关键所在。
巨量转移，即将大量微小尺寸的微型发光二极管转移到基板上，形成微型发光二极管阵列，进而构成LED显示面板的过程，主要包括静电转移、流体组装和范德华力转印等技术，本发明技术方案主要是针对以范德华力转印进行巨量转移的技术方案。
现有技术中，在利用范德华力转印进行巨量转移的过程中，由于暂态基板上涂覆的粘附胶在固化前为流动态，固化后厚度往往处处存在差异，使得再与另一暂态基板进行压力贴合时，由于粘附胶的高度差异，而造成转移失败。
如图2所示，图2中的生长基底3上设置有两个微型发光二极管8，由于粘附胶在固化前为流动态，若其固化后未能够保持平整，就会在粘附胶和微型发光二极管8之间产生间隙，如左边的微型发光二极管8，就与粘附胶存在较大间隙，而右边微型发光二极管8则与粘附胶接触良好；另外，还有可能存在某处的微型发光二极管8完全陷入粘附胶的情况。总之，现有技术在利用范德华力转印进行巨量转移时，会出现有些微型发光二极管8正常压力粘附，有些微型发光二极管8因为高度不足粘附不完全，而有些微型发光二极管8高度过高陷入另一暂态基板的粘附胶中的情况，极大限制了发光组件的生产效率和产品良率。
针对这一问题，本发明提供了一种转移方法和一种转移设备，能够控制粘附胶的厚度，从而使得多个微型发光二极管之间能够保持高度一致，进而有效避免转移失败。下面结合图1-图10对本发明中的技术方案进行详细叙述。
如图1所示，本申请提供一种转移方法，该方法包括以下步骤：
S1.在第一暂态基板上涂覆第一粘附胶，所述第一粘附胶具有阻光性；
S2.在生长基底上涂覆第一负性光刻胶，所述第一负性光刻胶覆盖于微型发光二极管上；
S3.将所述第一暂态基板平行设置于所述生长基底的上方，以所述第一暂态基板作为掩膜板，对所述第一负性光刻胶进行曝光和显影；
S4.固化曝光后的所述第一负性光刻胶；
S5.将所述第一暂态基板通过所述第一粘附胶和固化后的所述第一负性光刻胶的粘合而贴合于所述生长基底上；
S6.将微型发光二极管从所述生长基底转移至所述第一暂态基板上；
S7.将微型发光二极管从所述第一暂态基板转移至发光背板上。
在步骤S1中，通过第一暂态基板上具有阻光性的第一粘附胶，在步骤S2中，将第一负性光刻胶涂覆在生长基底上，在步骤S3中，对生长基底上的第一负性光刻胶进行曝光和显影，利用不同厚度的第一粘附胶具有不同透光率的特性，在第一负性光刻胶上形成凹凸不平的表面，使得第一负性光刻胶和第一粘附胶厚度互补，以此控制光刻胶的厚度，在步骤S4中，固化曝光显影后的第一负性光刻胶，在步骤S5中，将所述第一暂态基板贴合于所述生长基底上，在步骤S6和S7中，将微型发光二极管通过所述第一暂态基板转移至发光背板上。以上技术方案，使得在进行巨量转移的过程中，多个微型发光二极管之间能够保持高度一致，进而有效避免转移失败。
在将微型发光二极管8从生长基底3上邦定至发光背板上前，需要进行两次转移，第一次是将微型发光二极管8从生长基底3上转移至第一暂态基板1上，第二次是将微型发光二极管8从第二暂态基板5上转移至第二暂态基板5上。上述技术方案能够保证在多个微型发光二极管在第一次转移时保持水平，从一定程度上提高了转移的良率，但未能贯穿整个转移过程的始终。
优选地，针对上述问题，本发明还提供了一种转移方法，具体包括以下步骤：
在第一暂态基板1上涂覆第一粘附胶2，所述第一粘附胶2具有阻光性；
在生长基底3上涂覆第一负性光刻胶4，所述第一负性光刻胶4覆盖于微型发光二极管8上；
将所述第一暂态基板1平行设置于所述生长基底3的上方，以所述第一暂态基板1作为掩膜板，对所述第一负性光刻胶4进行曝光和显影；
固化曝光后的所述第一负性光刻胶4；
将所述第一暂态基板1通过所述第一粘附胶2和固化后的所述第一负性光刻胶4的粘合而贴合于所述生长基底3上；
将微型发光二极管8从所述生长基底3上剥离，并转移至所述第一暂态基板1上；
对所述第一暂态基板1上的所述微型发光二极管8镀电极；
将镀电极后的所述微型发光二极管8从所述第一暂态基板1上剥离，并转移至发光背板上；
在第二暂态基板5上涂覆第二粘附胶6，所述第二粘附胶6具有阻光性；
在所述第一暂态基板1上涂覆第二负性光刻胶7，所述第二负性光刻胶7覆盖于所述第一暂态基板1上，且所述第二负性光刻胶7蔓延至所述第一负性光刻胶4和微型发光二极管8的周边；
将所述第二暂态基板5平行设置于所述第一暂态基板1的上方，以所述第二暂态基板5作为掩膜板，对所述第二负性光刻胶7进行曝光和显影；
固化曝光后的所述第二负性光刻胶7，将所述第二暂态基板5通过所述第二粘附胶6和固化后的所述第二负性光刻胶7的粘合而贴合于所述第一暂态基板1上；
将所述微型发光二极管8从所述第一暂态基板1上剥离；
去除所述微型发光二极管8上的所述第一负性光刻胶4和/或第二负性光刻胶7，暴露所述微型发光二极管8的电极；
将所述微型发光二极管8邦定于发光背板上。
通过第二暂态基板5上具有阻光性的第二粘附胶6，对第一暂态基板1上的第二负性光刻胶7进行曝光和显影，利用不同厚度的第二粘附胶6具有不同透光率的特性，在第二负性光刻胶7上形成凹凸不平的表面，使得第二负性光刻胶7和第一负性光刻胶4厚度互补，以此控制光刻胶的厚度，从而使得在进行巨量转移的过程中，多个微型发光二极管之间能够保持高度一致，进而有效避免转移失败。
优选地，对所述第一负性光刻胶4进行曝光，包括：通过UV光垂直照射于所述第一暂态基板1上，并透过所述第一粘附胶2而对所述第一负性光刻胶4进行曝光；对所述第二负性光刻胶6进行曝光，包括：通过UV光垂直照射于所述第二暂态基板5上，并透过所述第二粘附胶6而对所述第二负性光刻胶7进行曝光。UV光即紫外光。通过UV光对第一负性光刻胶4和第二负性光刻胶7进行曝光，能够有效促进第一负性光刻胶4和第二负性光刻胶7发生交联反应，提高固化效果。进一步，对所述第一负性光刻胶和所述第二负性光刻胶进行显影，包括：利用显影液对曝光后的所述第一负性光刻胶和所述第二负性光刻胶进行显影操作。在第一次转移微型发光二极管8的过程中，如图3所示，在第一暂态基板1上涂覆第一粘附胶2，如图4所示，生长基底3上涂覆有第一负性光刻胶4；如图5所示，进一步地，以第一暂态基板1为掩膜板，对生长基底3上的第一负性光刻胶4进行曝光。由于第一暂态基板1上的第一粘附胶2的厚度处处有差异，不同厚度的第一粘附胶2对应不同的光线透过率，第一粘附胶2越厚，光线透过率越低；第一粘附胶2越薄，光线透过率越高。因此，如图6所示，用此方式曝光、显影和固烤后，在第一负性光刻胶4上，曝光越强显影留下的残膜越厚，曝光越弱显影留下的残膜越薄。如图7所示，由此得到的第一负性光刻胶4，其表面将与第一暂态基板1上的第一粘附胶2厚度互补，使得贴合后的第一暂态基板1和生长基底3之间保持相互平行状态，从而在第一次转移微型发光二极管8的过程中，多个微型发光二极管8之间都能保持高度一致，避免贴合转移时发生无法贴附或者过分贴附的问题。
优选地，所述第一暂态基板1和所述第二暂态基板5为透明基板。采用透明材质制成第一暂态基板1和第二暂态基板5，使得第一暂态基板1和第二暂态基板5的透光效率更高，进而提高第一负性光刻胶4和第二负性光刻胶7的曝光效果。同时，可分别在第一暂态基板1上的涂覆第一粘附胶2和第二暂态基板5上的涂覆第二粘附胶6内均匀设置有碳粉，通过加入一定量的碳粉等阻光物质混合均匀，使原本透明的第一负性光刻胶4和第二负性光刻胶7具有一定的阻光性，无需设置其他阻光层，能够简化结构，使得转移流程更加科学合理。当然，在实施本技术方案的过程中，也可采用其他物质作为阻光材料，只要降低光线透过效率即可。进一步优选地，所述第一粘附胶2和所述第二粘附胶6具有热溶解性或者光溶解性，使得在完成转移过程中的粘接功能后，能够通过方便的形式去除第一粘附胶2和第二粘附胶6，从而提高巨量转移的效率。
优选地，在对所述第一负性光刻胶4进行曝光和显影后，还包括以下步骤：去除相邻两个微型发光二极管8之间的第一负性光刻胶4。如图6、图7和图8所示，通过曝光和显影后，将相邻两个微型发光二极管8之间的光刻胶去除，保留微型发光二极管8上的光刻胶，从而将每个微型发光二极管8分隔开来。一方面便于对微型发光二极管8进行选择性转移，另一方面，还可以对及时清除多余的第一负性光刻胶4，避免影响将微型发光二极管8从生长基底3上剥离。另外，通过LLO工艺将微型发光二极管8和所述生长基底3分解，从而将微型发光二极管8从所述生长基底3上剥离，将高能量激光聚焦于微型发光二极管8和生长基底3之间，分解微型发光二极管8和生长基底3之间的结构，从而将微型发光二极管8从生长基底3上剥离。
如图8所示，优选地，在将微型发光二极管8从所述生长基底3上剥离，并转移至所述第一暂态基板1上的过程中，还包括以下步骤：将从所述生长基底3上剥离的微型发光二极管8进行扩晶，并将扩晶后的微型发光二极管8转移至所述第一暂态基板1上。适应不同规格的显示背板，控制两个微型发光二极管8之间的间距，以形成不同的分辨率。
同样的道理，在第二次转移微型发光二极管8的过程中，如图9所示，先在第一暂态基板1上涂覆有第二负性光刻胶7，并以第二暂态基板5为掩膜板，对第一暂态基板1上的第二负性光刻胶7进行曝光。与第一粘附胶2一样，第二粘附胶6也是流体，因此，第二暂态基板5上的第二粘附胶6的厚度处处有差异，不同厚度的第二粘附胶6对应不同的光线透过率，第二粘附胶6越厚，光线透过率越低；第二粘附胶6越薄，光线透过率越高。因此，用此方式曝光、显影和固烤后，在第二负性光刻胶7上，曝光越强显影留下的残膜越厚，曝光越弱显影留下的残膜越薄。由此得到的第二负性光刻胶7，其表面将与暂态基板上的第二粘附胶6厚度互补，使得贴合后的第二暂态基板5和第一暂态基板1之间保持相互平行状态，从而在第二次转移微型发光二极管8的过程中，多个微型发光二极管8之间都能保持高度一致，避免贴合转移时发生无法贴附或者过分贴附的问题。
第二次转移微型发光二极管8完成后，通过光刻胶剥离液剥离微型发光二极管8上电极侧的第二负性光刻胶7和/或第二负性光刻胶7；完成此步骤后，如图10所示，微型发光二极管8上的电极将漏出，同时，各个微型发光二极管8会处在同一水平面上。
通过上述方法进行巨量转移，在各个步骤中，不同的微型发光二极管8之间拥有良好的平整度，各个微型发光二极管8之间的电极都在同一水平面。发光背板往往平整度较好，因此，当各个微型发光二极管8之间的电极都在同一水平面时，邦定的过程中可以避免由于暂态基板上微型发光二极管8之间的电极不在同一水平而导致的邦定失败。邦定完成后，再通过光刻胶剥离液除去多余的光刻胶，即可完成转移。
对应地，本发明还提供了一种转移设备，包括生长基底3、第一暂态基板1和第二暂态基板5；所述生长基底3上生长有微型发光二极管8，所述微型发光二极管8侧涂覆设置有第一负性光刻胶4，所述第一负性光刻胶4覆盖于微型发光二极管8上；所述第一暂态基板1上涂覆设置有第一粘附胶2，所述第一粘附胶2具有阻光性；所述第一暂态基板1用于平行设置于所述生长基底3的上方作为掩膜板，以对所述第一负性光刻胶4进行曝光和显影；所述第一暂态基板1用于通过所述第一粘附胶2和所述第一负性光刻胶4的粘合而贴合于所述第一暂态基板1上，并将微型发光二极管8从所述生长基底3上剥离转移出来；所述第二暂态基板5上涂覆设置有第二粘附胶6，所述第二粘附胶6具有阻光性；所述第二暂态基板5用于将所述第一暂态基板1上的微型发光二极管转移至发光背板。
综上所述，本发明提供了一种转移方法及一种转移设备，具体包括：在第一暂态基板1上涂覆第一粘附胶2，所述第一粘附胶2具有阻光性；在生长基底3上涂覆第一负性光刻胶4，所述第一负性光刻胶4覆盖于微型发光二极管8上；将所述第一暂态基板1平行设置于所述生长基底3的上方，以所述第一暂态基板1作为掩膜板，对所述第一负性光刻胶4进行曝光和显影；固化曝光后的所述第一负性光刻胶4；将所述第一暂态基板1通过所述第一粘附胶2和所述第一负性光刻胶4的粘合而贴合于所述生长基底3上；将微型发光二极管8从所述生长基底3上剥离，并转移至所述第一暂态基板1上；将微型发光二极管8从所述第一暂态基板1上剥离，并转移至第二暂态基板5上，暴露所述微型发光二极管8的电极；将所述微型发光二极管8邦定于发光背板上。通过第一暂态基板1上具有阻光性的第一粘附胶2，对生长基底3上的第一负性光刻胶4进行曝光和显影，利用不同厚度的第一粘附胶2具有不同透光率的特性，在第一负性光刻胶4上形成凹凸不平的表面，使得第一负性光刻胶4和第一粘附胶2厚度互补，以此控制光刻胶的厚度，从而使得在进行巨量转移的过程中，多个微型发光二极管之间能够保持高度一致，进而有效避免转移失败。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种转移方法，其特征在于，包括：
在第一暂态基板上涂覆第一粘附胶，所述第一粘附胶具有阻光性；
在生长基底上涂覆第一负性光刻胶，所述第一负性光刻胶覆盖于微型发光二极管上；
将所述第一暂态基板平行设置于所述生长基底的上方，以所述第一暂态基板作为掩膜板，对所述第一负性光刻胶进行曝光和显影；
固化曝光后的所述第一负性光刻胶；
将所述第一暂态基板通过所述第一粘附胶和固化后的所述第一负性光刻胶的粘合而贴合于所述生长基底上；
将微型发光二极管从所述生长基底上剥离，并转移至所述第一暂态基板上；
将微型发光二极管从所述第一暂态基板转移至发光背板上。
2.根据权利要求1所述的一种转移方法，其特征在于，在对所述第一负性光刻胶进行曝光和显影后，还包括：
去除相邻两个微型发光二极管之间的第一负性光刻胶。
3.根据权利要求1所述的一种转移方法，其特征在于：
所述将微型发光二极管从所述第一暂态基板转移至发光背板上，包括：
对所述第一暂态基板上的所述微型发光二极管镀电极；
将镀电极后的所述微型发光二极管从所述第一暂态基板上剥离，并转移至发光背板上。
4.根据权利要求1所述的一种转移方法，其特征在于，所述将微型发光二极管从所述生长基底上剥离，并转移至所述第一暂态基板上的过程还包括：
将从所述生长基底上剥离的微型发光二极管进行扩晶，并将扩晶后的微型发光二极管转移至所述第一暂态基板上。
5.根据权利要求4所述的一种转移方法，其特征在于，将微型发光二极管从所述第一暂态基板上剥离，并转移至第二暂态基板上包括：
在第二暂态基板上涂覆第二粘附胶，所述第二粘附胶具有阻光性；
在所述第一暂态基板上涂覆第二负性光刻胶，所述第二负性光刻胶覆盖于所述第一暂态基板上，且所述第二负性光刻胶蔓延至所述第一负性光刻胶和微型发光二极管的周边；
将所述第二暂态基板平行设置于所述第一暂态基板的上方，以所述第二暂态基板作为掩膜板，对所述第二负性光刻胶进行曝光和显影；
固化曝光后的所述第二负性光刻胶，将所述第二暂态基板通过所述第二粘附胶和固化后的所述第二负性光刻胶的粘合而贴合于所述第一暂态基板上；
将所述微型发光二极管从所述第一暂态基板上剥离；
去除所述微型发光二极管上的所述第一负性光刻胶和/或第二负性光刻胶，暴露所述微型发光二极管的电极。
6.根据权利要求5所述的一种转移方法，其特征在于：所述对所述第二负性光刻胶进行曝光和显影，包括：
通过紫外光垂直照射于所述第二暂态基板上，并透过所述第二粘附胶而对所述第二负性光刻胶进行曝光；
利用显影液对曝光后的所述第二负性光刻胶进行显影操作，以使所述第二负性光刻胶被图案化后的形状与所述第二粘附胶的形状匹配。
7.根据权利要求1所述的一种转移方法，其特征在于：所述对所述第一负性光刻胶进行曝光和显影，包括：
通过紫外光垂直照射于所述第一暂态基板上，并透过所述第一粘附胶而对所述第一负性光刻胶进行曝光；
利用显影液对曝光后的所述第一负性光刻胶进行显影操作，以使所述第一负性光刻胶被图案化后的形状与所述第一粘附胶的形状匹配。
8.根据权利要求5所述的一种转移方法，其特征在于：所述第一暂态基板和所述第二暂态基板为透明基板。
9.根据权利要求5所述的一种转移方法，其特征在于：所述第一粘附胶和所述第二粘附胶内均匀设置有碳粉。
10.一种转移设备，其特征在于，包括：
生长基底，所述生长基底上生长有微型发光二极管，所述微型发光二极管侧涂覆设置有第一负性光刻胶；
第一暂态基板，所述第一暂态基板上涂覆设置有第一粘附胶，所述第一粘附胶具有阻光性；所述第一暂态基板，用于平行设置于所述生长基底的上方，以作为掩膜板，以便于对所述第一负性光刻胶进行曝光和显影；所述第一暂态基板，还用于通过所述第一粘附胶和所述第一负性光刻胶的粘合而贴合于所述第一暂态基板上，并将所述微型发光二极管从所述生长基底上剥离转移出来；
第二暂态基板，所述第二暂态基板上涂覆设置有第二粘附胶，所述第二粘附胶具有阻光性；所述第二暂态基板，用于将所述第一暂态基板上的微型发光二极管转移至发光背板。
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