CN113471187A - 发光二极管显示面板及发光二极管显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种发光二极管显示面板及发光二极管显示装置。发光二极管显示面板包括：基板；以及发光二极管芯片，其设置在所述基板上；其中，所述发光二极管芯片包括：反射腔体，其包括反射部；以及光源，其设置在所述反射腔体内，所述反射部围绕所述光源的周缘形成开口结构。本申请提供的发光二极管显示面板及发光二极管显示装置，通过反射腔体对光源发出的部分光线进行反射，从而改善发光二极管芯片发光的光学直线度，减少侧面照光带来的串色问题，进而解决发光二极管显示面板的串色问题，保证发光二极管显示面板显示的图像的色度。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光二极管显示面板及发光二极管显示装置。
背景技术
现有技术中，发光二极管显示面板发光通常都是以发光二极管(Light-EmittingDiode，简称LED)芯片结合量子点层来实现。现有的发光二极管显示面板包括基板以及设置在基板上的发光二极管芯片阵列，发光二极管芯片阵列包括多个阵列排布的发光二极管芯片，由于发光二极管芯片之间的间距越来越小，现有的发光二极管显示面板发光容易出现串色的问题。
发明内容
本申请提供一种发光二极管显示面板及发光二极管显示装置，能解决发光二极管显示面板的串色问题，保证发光二极管显示面板显示的图像的色度。
第一方面，本申请提供一种发光二极管显示面板，其包括：
基板；以及
发光二极管芯片，其设置在所述基板上；
其中，所述发光二极管芯片包括：
反射腔体，其包括反射部；以及
光源，其设置在所述反射腔体内，所述反射部围绕所述光源的周缘形成开口结构。
在本申请提供的发光二极管显示面板中，所述反射腔体还包括一支撑部，所述反射部围绕所述支撑部的周缘，且所述支撑部与所述开口结构相对设置。
在本申请提供的发光二极管显示面板中，所述反射部朝向所述光源一侧的表面为内凹面。
在本申请提供的发光二极管显示面板中，所述反射部朝向所述光源一侧的表面还设置有用于增强反射效果的光学反射膜。
在本申请提供的发光二极管显示面板中，所述光学反射膜的材料包括氮氧化硅和二氧化硅。
在本申请提供的发光二极管显示面板中，所述内凹面为弧形面，且所述光源与所述弧形面的圆心对应设置。
在本申请提供的发光二极管显示面板中，所述反射部朝向所述光源一侧的表面为反射平面。
在本申请提供的发光二极管显示面板中，所述反射平面的材料为白油。
在本申请提供的发光二极管显示面板中，所述光源为蓝色发光光源。
第二方面，本申请还提供一种发光二极管显示装置，其包括以上所述的发光二极管显示面板以及与所述发光二极管显示面板连接的控制板，所述控制板用于驱动所述发光二极管显示面板。
本申请提供的发光二极管显示面板及发光二极管显示装置，通过反射腔体对光源发出的部分光线进行反射，从而改善发光二极管芯片发光的光学直线度，减少侧面照光带来的串色问题，进而解决发光二极管显示面板的串色问题，保证发光二极管显示面板显示的图像的色度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的发光二极管显示面板的结构示意图；
图2为图1所示的发光二极管显示面板中一发光二极管芯片的第一种结构示意图；
图3为图2所示的发光二极管芯片中反射部的结构示意图；
图4为图1所示的发光二极管显示面板中一发光二极管芯片的第二种结构示意图；
图5为图4所示的发光二极管芯片中反射部与光学反射膜的结构示意图；
图6为图1所示的发光二极管显示面板中一发光二极管芯片的第三种结构示意图；
图7为图6所示的发光二极管中反射部的结构示意图；
图8为本申请实施例提供的发光二极管显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。本申请的权利要求书以及说明书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
本申请实施例提供一种发光二极管显示面板及发光二极管显示装置，下文进行详细说明。本申请实施例提供的发光二极管显示面板是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的发光二极管芯片阵列作为显示像素来实现图像显示的显示面板，其中，发光二极管阵列包括多个阵列排布的发光二极管。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的发光二极管显示面板的结构示意图。本申请实施例提供的发光二极管显示面板100包括基板101以及多个发光二极管芯片102。多个发光二极管芯片102设置在基板101上，且多个发光二极管芯片102阵列排布设置。
需要说明的是，在本申请实施例提供的发光二极管显示面板100中，发光二极管芯片102发出的光线不会照射到相邻发光二极管芯片102上。在现有技术中的发光二极管显示面板中，由于发光二极管芯片的出光角度较大，且相邻发光二极管芯片之间的间距较小，使得发光二极管芯片发出的光线可以照射到相邻发光二极管芯片上，从而出现串色问题。
本申请实施例中的发光二极管显示面板100与现有技术中的发光二极管显示面板的区别在于：本申请实施例提供的发光二极管显示面板100中的发光二极管芯片102与现有技术提供的发光二极管显示面板中的发光二极管芯片是不同的，即，本申请实施例提供的发光二极管显示面板100中的发光二极管芯片102设置有抑制光线照射到相邻发光二极管芯片102的结构，从而使得发光二极管芯片102发出的光线不会照射到相邻发光二极管芯片102上。
此外，现有的发光二极管显示面板为了解决串色问题，在相邻发光二极管芯片之间设置一道黑色挡墙，阻止发光二极管芯片发出的光线透过，进而使得发光二极管芯片发出的光线不会照射到相邻发光二极管芯片上。然而，黑色挡墙增加之后，挤压了发光二极管芯片巨量转移的制程边缘，发光二极管芯片的SMT工艺精度要求更高，良率降低，不利于量产导入。
具体的，请参阅图2，图2为图1所示的发光二极管显示面板中一发光二极管芯片的第一种结构示意图。结合图1、图2所示，发光二极管芯片102包括反射腔体10以及光源20。反射腔体10包括反射部11。反射部11围绕光源20的周缘形成开口结构12。
需要说明的是，本申请实施例提供的发光二极管显示面板100通过反射腔体10中的反射部11对光源20发出的部分光线进行反射，从而改善发光二极管芯片102发光的光学直线度，减少侧面照光带来的串色问题，进而解决发光二极管显示面板100的串色问题，保证发光二极管显示面板100显示的图像的色度。
比如，当一个发光二极管芯片102发光时，其发出的光线包括侧面光线。在现有技术的发光二极管显示面板中，各个发光二极管芯片的侧面光线会与相邻发光二极管芯片造成串色问题。而在本申请实施例提供的发光二极管显示面板中100，各个发光二极管芯片102中均设置有反射部11，可以对光源20发出的侧面光线进行反射，从而解决发光二极管显示面板100的串色问题。
其中，反射腔体10还包括一支撑部13。反射部11围绕支撑部13的周缘，且支撑部13与开口结构12相对设置。可以理解的，支撑部13用于支撑反射部11，使得反射部11可以围绕光源20的周缘设置。反射部11朝向光源20一侧的表面A为内凹面。也即，本申请实施例通过将反射部11朝向光源20一侧的表面A设置成内凹面，形成的内凹面可以作为反射表面将光源20发出的部分光线进行反射。
进一步的，发光二极管显示面板100还包括量子点层103。其中，量子点层103的设置方式多种多样，比如，量子点层103可以设置在发光二极管芯片102内。再比如，量子点层103可以设置在发光二极管芯片102表面。
在本申请实施例中，量子点层103对应设置在开口结构12上。也即，本申请实施例是在光源20上方设置量子点层103。光源20发出的光线还包括正面光线，其中，正面光为与量子点层103垂直的光线。光源20发出的正面光线通过开口结构12射入量子点层103，而光源20发出的侧面光线经反射部11反射，在不射入相邻发光二极管芯片102的同时，还能使得部分侧面光线经反射通过开口结构12射入量子点层103，从而可以提高光线利用率。
请参阅图3，图3为图2所示的发光二极管芯片中反射部的结构示意图。结合图1、图2、图3所示，反射部11包括玻璃基底111以及设置在玻璃基底111上的膜层112。膜层112的材料为银。其中，玻璃基底111上与设置膜层112一侧的表面相对的另一面朝向光源20。在一种实施方式中，玻璃基底111的厚度可以为0.1毫米。膜层112的厚度可以为2微米。
进一步的，内凹面为弧形面，且光源20与弧形面的圆心对应设置。也即，本申请实施例通过将光源20设置在弧形面的圆心所处的位置处，从而可以进一步的提高光线反射效果，避免光线散射，提高光线利用率。在实际生产过程中，光源20距离反射部11入射位置就是弧形面的半径。可以根据半径选择对应的圆形砂轮打磨形成弧形面。
请参阅图4，图4为图1所示的发光二极管显示面板中一发光二极管芯片的第二种结构示意图。其中，图4所示的发光二极管芯片102与图2所示的发光二极管芯片102的区别在于：图4所示的发光二极管芯片102还包括用于增强反射效果的光学反射膜14。
具体的，请参阅图5，图5为图4所示的发光二极管芯片中反射部与光学反射膜的结构示意图。结合图1、图4、图5所示，反射部11包括玻璃基底111、设置在玻璃基底111一侧上的膜层112以及设置在玻璃基底111另一侧上的光学反射膜14。膜层112的材料为银。光学反射膜14的材料包括氮氧化硅和二氧化硅。
其中，玻璃基底111上设置光学反射膜14一侧的表面朝向光源20。在一种实施方式中，玻璃基底111的厚度可以为0.1毫米。膜层112的厚度可以为2微米。光学反射膜14的厚度可以为0.5微米。
请参阅图6，图6为图1所示的发光二极管显示面板中一发光二极管芯片的第三种结构示意图。其中，图6所示的发光二极管芯片102与图2所示的发光二极管芯片102的区别在于：图6所示的发光二极管芯片102中反射部11朝向光源一侧的表面B为反射平面。
具体的，请参阅图7，图7为图6所示的发光二极管中反射部的结构示意图。结合图1、图6、图7所示，反射部11包括玻璃基底111、设置在玻璃基底111一侧上的膜层112以及设置在玻璃基底111另一侧上的白油15。膜层112的材料为银。
其中，玻璃基底111上设置白油15一侧的表面朝向光源20。在一种实施方式中，玻璃基底111的厚度可以为0.1毫米。膜层112的厚度可以为2微米。白油15的厚度可以为25微米。
本申请提供的发光二极管显示面板，通过反射腔体对光源发出的部分光线进行反射，从而改善发光二极管芯片发光的光学直线度，减少侧面照光带来的串色问题，进而解决发光二极管显示面板的串色问题，保证发光二极管显示面板显示的图像的色度。
请参阅图8，图8为本申请实施例提供的发光二极管显示装置的结构示意图。本申请实施例提供的发光二极管显示装置1000包括发光二极管显示面板100以及与发光二极管显示面板100连接的控制板200。控制板200用于驱动发光二极管显示面板100。其中，发光二极管显示面板100的具体结构可参照以上所示的发光二极管显示面板100，在此不做赘述。
本申请提供的发光二极管显示装置，通过反射腔体对光源发出的部分光线进行反射，从而改善发光二极管芯片发光的光学直线度，减少侧面照光带来的串色问题，进而解决发光二极管显示面板的串色问题，保证发光二极管显示面板显示的图像的色度。
以上对本申请实施例所提供的驱动电路及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
基板；以及
发光二极管芯片，其设置在所述基板上；
其中，所述发光二极管芯片包括：
反射腔体，其包括反射部；以及
光源，其设置在所述反射腔体内，所述反射部围绕所述光源的周缘形成开口结构。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述反射腔体还包括一支撑部，所述反射部围绕所述支撑部的周缘，且所述支撑部与所述开口结构相对设置。
3.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述反射部朝向所述光源一侧的表面为内凹面。
4.根据权利要求3所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述反射部朝向所述光源一侧的表面还设置有用于增强反射效果的光学反射膜。
5.根据权利4所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述光学反射膜的材料包括氮氧化硅和二氧化硅。
6.根据权利要求3所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述内凹面为弧形面，且所述光源与所述弧形面的圆心对应设置。
7.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述反射部朝向所述光源一侧的表面为反射平面。
8.根据权利要求7所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述反射平面的材料为白油。
9.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述光源为蓝色发光光源。
10.一种发光二极管显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的发光二极管显示面板以及与所述发光二极管显示面板连接的控制板，所述控制板用于驱动所述发光二极管显示面板。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211001 |