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CN113299553A - 一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法 - Google Patents

一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，在衬底上依次生长缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层采用两步法生长，第一步采用至少一种III族源流量渐变工艺生长第一层AlGaN势垒层，第二步采用III族源流量恒定工艺生长第二层AlGaN势垒层，第一层AlGaN势垒层的厚度为0～4nm。本发明采用这种两步生长法，克服了Ga原子扩散带来的AlGaN势垒层靠近异质结界面处Al组分降低问题，改善了Al组分沿生长方向的一致性，实现了陡峭的AlGaN/GaN异质结界面，从而提高了沟道二维电子气迁移率。

Description

一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法
技术领域
本发明属于半导体材料技术领域，特别涉及了氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法。
背景技术
氮化镓（GaN）基高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）是一种基于氮化物异质结构的新型电子器件，采用铝镓氮（AlGaN）作势垒形成的AlGaN/GaN HEMT材料是当前较为常用的材料体系，得益于AlGaN/GaN异质结较强的极化特性和带隙差，异质结量子阱中的二维电子气（2DEG）面密度达1012量级，通过肖特基栅压控制沟道电子实现工作。器件具有高频、大功率的优异特性，广泛应用于无线通信基站、电力电子器件等信息收发、能量转换等领域，符合当前节能环保、绿色低碳的发展理念。
AlGaN/GaN异质结二维电子气迁移率是影响HEMT器件功率特性的关键因素之一，较高的载流子迁移率有利于提高器件的工作电流。AlGaN/GaN异质结中二维电子气迁移率受多种散射机制的制约，主要包括：晶格散射、界面散射以及合金无序散射等。室温下，AlGaN/GaN异质结2DEG迁移率一般在1400-1600 cm2/Vs。
研究表明， AlGaN/GaN HEMT材料2DEG迁移率与异质结界面组分陡峭程度密切相关，异质结界面AlGaN一侧Al组分越高，形成的势阱越深，2DEG限域性越强，透过势垒进入AlGaN层的几率就越小，从而降低合金无序散射，提高2DEG迁移率。然而，在生长AlGaN势垒层的初期，由于生长表面温度较高，达到1000度以上，GaN缓冲层分解的Ga原子可能会扩散至异质结界面附近AlGaN势垒层中，降低Al组分。随着AlGaN厚度的增加，Ga扩散减少，Al组分逐渐升高至设计值并稳定。由于Ga原子的扩散，使得AlGaN势垒层靠近沟道处的Al组分低于设计值，异质结势阱深度降低，造成沟道电子溢出程度增加，合金散射增大，2DEG迁移率下降。
通过在AlGaN/GaN异质结之间插入一层1-2nm的AlN，2DEG迁移率可提高至2000cm2/Vs以上。然而，AlN插入层的引入，显著抬高了AlGaN/GaN异质结表面的势垒高度，增加了HEMT器件制作过程中姆接触工艺的难度。欧姆接触电阻是HEMT器件最主要的寄生电阻，是影响器件频率特性的关键因素之一。
因此，对于GaN高频功率器件用HEMT材料，如何有效提高沟道二维电子气迁移率，同时不影响AlGaN/GaN异质结表面的势垒高度是材料设计和外延工艺的一个重要课题。
发明内容
为了解决上述背景技术提到的技术问题，即AlGaN/GaN HEMT外延材料异质结界面Al组分低于设计值，越接近界面偏差越大的问题，本发明提出了一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，克服AlGaN/GaN异质结界面Al组分降低的问题，显著改善AlGaN势垒层Al组分沿生长方向的一致性。
为了实现上述技术目的，本发明的技术方案为：
一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，在衬底上依次生长缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层采用两步法生长，第一步采用至少一种III族源流量渐变工艺生长第一层AlGaN势垒层，第二步采用III族源流量恒定工艺生长第二层AlGaN势垒层，所述第一层AlGaN势垒层的厚度为0～4nm。
基于上述技术方案的优选方案，所述第二步采用的III族源流量恒定工艺的流量与所述第一步采用的至少一种III族源流量渐变工艺的流量终了值相等。
基于上述技术方案的优选方案，所述第一步采用的至少一种III族源流量渐变工艺包括三种组合方式：第一种为铝源流量渐变，镓源流量恒定；第二种为铝源流量恒定，镓源流量渐变；第三种为铝源和镓源流量同时渐变。
基于上述技术方案的优选方案，所述第一步采用的至少一种III族源流量渐变工艺，对于铝源，采用流量渐变减小的工艺，初始值是终了值的1-5倍；对于镓源，采用流量渐变增大的工艺，初始值是终了值的0.2-1倍。
基于上述技术方案的优选方案，所述第一步采用的至少一种III族源流量渐变工艺，渐变方式包括线性变化和非线性变化。
基于上述技术方案的优选方案，所述衬底的材质为蓝宝石、Si或SiC。
基于上述技术方案的优选方案，所述缓冲层的材质为AlN、GaN或AlGaN。
采用上述技术方案带来的有益效果：
本发明采用这种两步法生长AlGaN势垒，能最大程度克服Ga原子扩散带来的AlGaN/GaN异质结Al组分降低问题，提高异质结界面组分陡峭度，降低2DEG合金无序散射，从而提高2DEG迁移率。通过优化第一层AlGaN势垒工艺，包括III族源渐变方式、初始值，以及第一层AlGaN厚度等参数，改善势垒层Al组分沿生长方向的一致性，沟道二维电子气迁移率提高至1800-2000cm2/Vs。
附图说明
图1是本发明中氮化物高电子迁移率晶体管外延材料结构示意图；
图1中的标号说明：1、衬底层；2、缓冲层；3、沟道层；4、第一层AlGaN势垒层；5、第二层AlGaN势垒层；
图2-图4是本发明中AlGaN势垒层生长中镓源、铝源流量变化曲线图。
具体实施方式
以下将结合附图，对本发明的技术方案进行详细说明。
本发明设计了一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，如图1所示，在衬底层1上通过MBE或MOCVD技术依次生长缓冲层2、GaN沟道层3、第一层AlGaN势垒层4和第二层AlGaN势垒层5。
所述AlGaN势垒层采用两步法生长，第一步采用至少一种III族源流量渐变工艺生长第一层AlGaN势垒层，第二步采用III族源流量恒定工艺生长第二层AlGaN势垒层，所述第一层AlGaN势垒层的厚度为0～4nm。
优选地，所述第二步采用的III族源流量恒定工艺的流量与所述第一步采用的至少一种III族源流量渐变工艺的流量终了值相等。所述第一步采用的至少一种III族源流量渐变工艺包括三种组合方式：第一种为铝源流量渐变，镓源流量恒定；第二种为铝源流量恒定，镓源流量渐变；第三种为铝源和镓源流量同时渐变。所述第一步采用的至少一种III族源流量渐变工艺，对于铝源，采用流量渐变减小的工艺，初始值是终了值的1-5倍；对于镓源，采用流量渐变增大的工艺，初始值是终了值的0.2-1倍。所述第一步采用的至少一种III族源流量渐变工艺，渐变方式包括线性变化和非线性变化。
优选地，所述衬底的材质为蓝宝石、Si或SiC。所述缓冲层的材质为AlN、GaN或AlGaN。
实施例1
1）选择SiC衬底，利用MOCVD技术生长；
2）1100℃和100Torr，氢气气氛烘烤10分钟；
3）1100℃，通入氨气和铝源，在衬底表面生长100nm厚AlN成核层；
4）降温至1000℃，关闭铝源，通入镓源，生长1.5um厚GaN缓冲层；
5）升温至1050℃，生长0.5um厚GaN沟道层；
6）打开铝源，生长第一层AlGaN势垒层，厚度为2nm，铝源流量从150ml/min指数渐变至50ml/min，镓源流量为10 ml/min恒定；
7）保持铝源流量50ml/min、镓源流量10 ml/min不变，生长第二层AlGaN势垒层，厚度为18nm；
8）关闭铝源、镓源，降至室温。
实施例2
1）选择蓝宝石衬底，利用MOCVD技术生长；
2）1050℃和100Torr，氢气气氛烘烤5分钟；
3）1050℃和100Torr，通入氨气氮化10分钟；
4）降温至550℃，通入氨气和镓源，在衬底表面生长20nm厚GaN成核层；
5）升温至1000℃，生长1.5um厚GaN缓冲层；
6）升温至1050℃，生长0.5um厚GaN沟道层；
7）打开铝源，生长第一层AlGaN势垒层，厚度为2nm，铝源流量为50ml/min恒定，镓源流量从5 ml/min线性渐变至10ml/min；
8）保持铝源流量50ml/min、镓源流量10 ml/min不变，生长第二层AlGaN势垒层，厚度为18nm；
9）关闭铝源、镓源，降至室温。
实施例3
1）选择Si衬底，利用MOCVD技术生长；
2）1100℃和100Torr，氢气气氛烘烤10分钟；
3）1100℃，通入铝源，在衬底表面预淀积铝10秒钟；
4）1100℃，通入氨气，在衬底表面生长300nm厚AlN成核层；
5）通入镓源，生长1.2um厚AlGaN缓冲层；
6）关闭铝源，生长0.5um厚GaN沟道层；
7）打开铝源，生长第一层AlGaN势垒层，厚度为2nm，铝源流量从150ml/min指数渐变至50ml/min，镓源流量为10 ml/min恒定；
8）保持铝源流量50ml/min、镓源流量10 ml/min不变，生长第二层AlGaN势垒层，厚度为18nm；
9）关闭铝源、镓源，降至室温。
在工艺控制上，通过设定铝源及镓源流量的初始值、终了值、渐变模式三个参数，实现III族源流量的渐变，如图2-图4所示。图2中的（a）为保持镓源流量不变，铝源流量线性渐变；图2中的（b）为保持镓源流量不变，铝源流量非线性渐变；图3中的（a）为保持铝源流量不变，镓源流量线性渐变；图3中的（b）为保持铝源流量不变，镓源流量非线性渐变；图4中的（a）-（d）为铝源流量、镓源流量同时渐变。
本发明采用两步法生长AlGaN势垒层，目的是改善势垒层Al组分沿生长方向的一致性。第一层AlGaN的渐变方式和初始值需要根据不同类型的外延设备、生长工艺来优化制定，以AlGaN势垒层Al组分沿生长方向的一致性作为评价标准。
实施例仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明保护范围之内。

Claims (7)

1.一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，在衬底上依次生长缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，其特在于于：所述AlGaN势垒层采用两步法生长，第一步采用至少一种III族源流量渐变工艺生长第一层AlGaN势垒层，第二步采用III族源流量恒定工艺生长第二层AlGaN势垒层，所述第一层AlGaN势垒层的厚度为0～4nm。
2.根据权利要求1所述氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，其特征在于：所述第二步采用的III族源流量恒定工艺的流量与所述第一步采用的至少一种III族源流量渐变工艺的流量终了值相等。
3.根据权利要求1所述氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，其特征在于：所述第一步采用的至少一种III族源流量渐变工艺包括三种组合方式：第一种为铝源流量渐变，镓源流量恒定；第二种为铝源流量恒定，镓源流量渐变；第三种为铝源和镓源流量同时渐变。
4.根据权利要求1-3中任一项所述氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，其特征在于：所述第一步采用的至少一种III族源流量渐变工艺，对于铝源，采用流量渐变减小的工艺，初始值是终了值的1-5倍；对于镓源，采用流量渐变增大的工艺，初始值是终了值的0.2-1倍。
5.根据权利要求1-3中任意一项所述氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，其特征在于：所述第一步采用的至少一种III族源流量渐变工艺，渐变方式包括线性变化和非线性变化。
6.根据权利要求1所述氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，其特征在于：所述衬底的材质为蓝宝石、Si或SiC。
7.根据权利要求1所述氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，其特征在于：所述缓冲层的材质为AlN、GaN或AlGaN。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113502460A (zh) * 2021-09-09 2021-10-15 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种半导体结构的制备方法、半导体生长设备
WO2023184199A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020167023A1 (en) * 2001-05-11 2002-11-14 Cree Lighting Company And Regents Of The University Of California Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer
CN102365745A (zh) * 2009-04-08 2012-02-29 宜普电源转换公司 反向扩散抑制结构
CN105789296A (zh) * 2015-12-29 2016-07-20 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管
CN212542443U (zh) * 2020-07-13 2021-02-12 厦门市三安集成电路有限公司 一种氮化镓晶体管结构及氮化镓基外延结构

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020167023A1 (en) * 2001-05-11 2002-11-14 Cree Lighting Company And Regents Of The University Of California Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer
CN102365745A (zh) * 2009-04-08 2012-02-29 宜普电源转换公司 反向扩散抑制结构
CN105789296A (zh) * 2015-12-29 2016-07-20 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管
CN212542443U (zh) * 2020-07-13 2021-02-12 厦门市三安集成电路有限公司 一种氮化镓晶体管结构及氮化镓基外延结构

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113502460A (zh) * 2021-09-09 2021-10-15 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种半导体结构的制备方法、半导体生长设备
CN113502460B (zh) * 2021-09-09 2021-12-03 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种半导体结构的制备方法、半导体生长设备
WO2023184199A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

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