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CN113248750A - 一种无硅离型膜的制备方法 - Google Patents

一种无硅离型膜的制备方法 Download PDF

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CN113248750A CN202110422721.1A CN202110422721A CN113248750A CN 113248750 A CN113248750 A CN 113248750A CN 202110422721 A CN202110422721 A CN 202110422721A CN 113248750 A CN113248750 A CN 113248750A
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夏玉龙
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Huai'an Weijiayi Integrated Technology Co ltd
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Huai'an Weijiayi Integrated Technology Co ltd
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Abstract

本发明公开了一种无硅离型膜,包括膜主体,所述膜主体的表面设有离型剂,并形成无硅离型剂;所述膜主体的组成及重量份数为:共聚改性后的聚对苯二甲酸乙二醇酯100‑500份、交联剂5‑10份以及增强剂1‑2份,将各个组成材料混合搅拌,并压制成薄膜片;其技术要点为,本发明在无硅离型剂在添加催化剂,应用到该有机反应中可使整个混合反应条件温和,结合搅拌机使用时可提高反应速度,同时也不会对搅拌机的内壁造成腐蚀,整个制备流程效果较佳;在制备过程中利用阶梯式的加热方法,在一定程度上提高了无硅离型膜制备后的使用效果,可在温度降低的过程中进行电晕处理,体现了整个制备过程的灵活性,同时也可保证膜主体与无硅离型剂的粘合度。

Description

一种无硅离型膜的制备方法
技术领域
本发明属于离型膜制备技术领域,具体是一种无硅离型膜的制备方法。
背景技术
离型膜是指薄膜表面能有区分的薄膜,离型膜与特定的材料在有限的条件下接触后不具有粘性,或轻微的粘性;离型膜,又称剥离膜、隔离膜、分离膜、阻胶膜、离形膜、薄膜、塑料薄膜、掩孔膜、硅油膜、硅油纸、防粘膜、型纸、打滑膜、天那纸、离型纸;通常情况下为了增加塑料薄膜的离型力,会将塑料薄膜做等离子处理,或涂氟处理,或涂硅离型剂于薄膜材质的表层上,如PET、PE以及OPP;
然而现有在对离型膜进行制备时会出现如下技术问题:一是,整个制备过程的反应速率较低,需要进行长时间的持续搅拌,会浪费较多的电能;二是,将膜主体与无硅离型剂进行直接粘合,两者之间的粘合度有待提高。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种无硅离型膜的制备方法。
为实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种无硅离型膜,包括膜主体,所述膜主体的表面设有离型剂,并形成无硅离型剂;
所述膜主体的组成及重量份数为:共聚改性后的聚对苯二甲酸乙二醇酯100-500份、交联剂5-10份以及增强剂1-2份,将各个组成材料混合搅拌,并压制成薄膜片;
所述无硅离型剂的组成及重量份数为:聚乙烯亚胺类高分子聚合物或烷基中的任意一种20-50份、云母粉2-10份、催化剂1-2份以及抗静电试剂0.1-0.5份。
优选的,所述交联剂包含过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰、二叔丁基过氧化物以及过氧化氢二异丙苯中的任意一种。。
优选的,所述增强剂包含混合后的聚苯乙烯、聚酰亚胺以及聚丁氰。
优选的,所述催化剂可采用有机锡催化剂或聚丙烯催化剂中的任意一种。
优选的,一种无硅离型膜,具体的制备方法如下:
S1、将无硅离型剂中的聚乙烯亚胺类高分子聚合物、云母粉以及催化剂倒入到搅拌机中搅拌,处理30-50min后倒出,得到其混合物;
S2、将混合物倒入到涂布机的料槽中,使其均匀的涂设到膜主体的表面;
S3、将膜主体表面进行烘干处理,将风干时的温度持续增加,在30min后稳定温度后90°即可;
S4、对膜主体进行电晕处理;
S5、将抗静电试剂倒入到涂布机的料槽内,均匀涂设到膜主体表面,并对其继续进行烘干处理,风干温度持续升高到120°即可。
优选的,在所述步骤S1中,搅拌时搅拌杆的转速为300-400r/min,且进行搅拌处理时是将无硅离型剂中的各个组成依次倒入到搅拌机,待加入的物料混合均匀后,继续加入下一物料。
优选的,在所述步骤S4中,电晕处理时的功率为10-30kw。
与现有技术相比,本发明提供了一种无硅离型膜的制备方法,具有如下有益效果:
本发明在无硅离型剂在添加催化剂,应用到该有机反应中可使整个混合反应条件温和,结合搅拌机使用时可提高反应速度,同时也不会对搅拌机的内壁造成腐蚀,整个制备流程效果较佳;
本发明的制备过程中利用阶梯式的加热方法,在一定程度上提高了无硅离型膜制备后的使用效果,可在温度降低的过程中进行电晕处理,体现了整个制备过程的灵活性,同时也可保证膜主体与无硅离型剂的粘合度。
附图说明
图1是本发明中膜主体和无硅离型剂整体结构示意图;
图2是本发明的制备方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图1,进一步说明本发明一种无硅离型膜的制备方法的具体实施方式。本发明一种无硅离型膜的制备方法不限于以下实施例的描述。
本实施例给出一种无硅离型膜的制备方法的具体结构,如图1所示,一种无硅离型膜,包括膜主体,膜主体的表面设有离型剂,并形成无硅离型剂;
膜主体的组成及重量份数为:共聚改性后的聚对苯二甲酸乙二醇酯100-500份、交联剂5-10份以及增强剂1-2份,将各个组成材料混合搅拌,并压制成薄膜片;
无硅离型剂的组成及重量份数为:聚乙烯亚胺类高分子聚合物或烷基中的任意一种20-50份、云母粉2-10份、催化剂1-2份以及抗静电试剂0.1-0.5份。
交联剂包含过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰、二叔丁基过氧化物以及过氧化氢二异丙苯中的任意一种。
增强剂包含混合后的聚苯乙烯、聚酰亚胺以及聚丁氰。
催化剂可采用有机锡催化剂或聚丙烯催化剂中的任意一种。
具体的,参照图1可知,自上而下依次分为:无硅离型剂、电晕层以及膜主体,该膜主体可为PET膜。
本发明在无硅离型剂在添加催化剂,应用到该有机反应中可使整个混合反应条件温和,结合搅拌机使用时可提高反应速度,同时也不会对搅拌机的内壁造成腐蚀,整个制备流程效果较佳
如图2所示,一种无硅离型膜,具体的制备方法如下:
S1、将无硅离型剂中的聚乙烯亚胺类高分子聚合物、云母粉以及催化剂倒入到搅拌机中搅拌,处理30-50min后倒出,得到其混合物;
S2、将混合物倒入到涂布机的料槽中,使其均匀的涂设到膜主体的表面;
S3、将膜主体表面进行烘干处理,将风干时的温度持续增加,在30min后稳定温度后90°即可;
S4、对膜主体进行电晕处理;
S5、将抗静电试剂倒入到涂布机的料槽内,均匀涂设到膜主体表面,并对其继续进行烘干处理,风干温度持续升高到120°即可。
在步骤S1中,搅拌时搅拌杆的转速为300-400r/min,且进行搅拌处理时是将无硅离型剂中的各个组成依次倒入到搅拌机,待加入的物料混合均匀后,继续加入下一物料。
在步骤S4中,电晕处理时的功率为10-30kw。
本发明的制备过程中利用阶梯式的加热方法,在一定程度上提高了无硅离型膜制备后的使用效果,可在温度降低的过程中进行电晕处理,体现了整个制备过程的灵活性,同时也可保证膜主体与无硅离型剂的粘合度。
制备后的无硅离型膜的技术指标与传统无硅离型膜相比:
拉伸强度(纵向及横向) ≥190Mpa;传统为185Mpa;
断裂伸长率(纵向及横向) ≥95%;传统为94.8%;
收缩率 纵向0.6%,横向0.35%;
剥离力 10±2g/in;传统为:16±2g/in
浊度 ≤4.0%;传统为:5.0%
耐温性 190±57&#8451。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种无硅离型膜,包括膜主体,其特征在于,所述膜主体的表面设有离型剂,并形成无硅离型剂;
所述膜主体的组成及重量份数为:共聚改性后的聚对苯二甲酸乙二醇酯100-500份、交联剂5-10份以及增强剂1-2份,将各个组成材料混合搅拌,并压制成薄膜片;
所述无硅离型剂的组成及重量份数为:聚乙烯亚胺类高分子聚合物或烷基中的任意一种20-50份、云母粉2-10份、催化剂1-2份以及抗静电试剂0.1-0.5份。
2.如权利要求1所述的一种无硅离型膜,其特征在于:所述交联剂包含过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰、二叔丁基过氧化物以及过氧化氢二异丙苯中的任意一种。
3.如权利要求1所述的一种无硅离型膜,其特征在于:所述增强剂包含混合后的聚苯乙烯、聚酰亚胺以及聚丁氰。
4.如权利要求1所述的一种无硅离型膜,其特征在于:所述催化剂可采用有机锡催化剂或聚丙烯催化剂中的任意一种。
5.如权利要求1所述的一种无硅离型膜,其特征在于,具体的制备方法如下:
S1、将无硅离型剂中的聚乙烯亚胺类高分子聚合物、云母粉以及催化剂倒入到搅拌机中搅拌,处理30-50min后倒出,得到其混合物;
S2、将混合物倒入到涂布机的料槽中,使其均匀的涂设到膜主体的表面;
S3、将膜主体表面进行烘干处理,将风干时的温度持续增加,在30min后稳定温度后90°即可;
S4、对膜主体进行电晕处理;
S5、将抗静电试剂倒入到涂布机的料槽内,均匀涂设到膜主体表面,并对其继续进行烘干处理,风干温度持续升高到120°即可。
6.如权利要求5所述的一种无硅离型膜的制备方法,其特征在于:在所述步骤S1中,搅拌时搅拌杆的转速为300-400r/min,且进行搅拌处理时是将无硅离型剂中的各个组成依次倒入到搅拌机,待加入的物料混合均匀后,继续加入下一物料。
7.如权利要求5所述的一种无硅离型膜的制备方法,其特征在于:在所述步骤S4中,电晕处理时的功率为10-30kw。
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