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CN113196492B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

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CN113196492B
CN113196492B CN201980002714.7A CN201980002714A CN113196492B CN 113196492 B CN113196492 B CN 113196492B CN 201980002714 A CN201980002714 A CN 201980002714A CN 113196492 B CN113196492 B CN 113196492B
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吴仲远
李永谦
袁粲
袁志东
李蒙
张大成
刘烺
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BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Zhuoyin Technology Co Ltd
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BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Zhuoyin Technology Co Ltd
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Abstract

本公开实施例提供的显示面板及显示装置,包括:衬底基板;复数个像素单元,多个栅线组。至少一个像素单元包括多个子像素,至少一个子像素包括感测晶体管和驱动晶体管。各栅线组包括位于像素单元两侧的第一栅线和第二栅线;针对同一行子像素对应的第一栅线和第二栅线,感测晶体管位于子像素更靠近第二栅线的一侧,驱动晶体管位于子像素更靠近第一栅线的一侧;针对同一行中相互靠近且不位于同一像素单元中的两个子像素,两个子像素的第一连接孔和第二连接孔围成的区域至少有一条信号线具有双层走线结构,且同一信号线的双层走线结构相互电连接。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别涉及显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)等电致发光二极管具有自发光、低能耗等优点,是当今电致发光显示面板应用研究领域的热点之一,受到了广泛关注。
发明内容
本公开实施例提供的显示面板,包括:
衬底基板;
复数个像素单元,阵列排布于所述衬底基板上,且至少一个所述像素单元包括:多个子像素,至少一个所述子像素包括:感测晶体管和驱动晶体管;
多个栅线组,各所述栅线组包括位于所述像素单元两侧的第一栅线和第二栅线;
针对同一行所述子像素对应的所述第一栅线和所述第二栅线,所述感测晶体管位于所述子像素更靠近所述第二栅线的一侧,所述驱动晶体管位于所述子像素更靠近所述第一栅线的一侧;
同一所述子像素中,所述感测晶体管的第一极通过第一连接孔与驱动晶体管的第二极电连接,所述驱动晶体管的第一极通过第二连接孔与电源线电连接;
针对同一行中相互靠近且不位于同一像素单元中的两个子像素,所述两个子像素的所述第一连接孔和所述第二连接孔围成的区域至少有一条信号线具有双层走线结构,且同一所述信号线的所述双层走线结构相互电连接。
可选地,在本公开实施例中,所述子像素还包括:层叠设置的阳极、发光功能层以及阴极层;其中,同一子像素中,所述驱动晶体管的第二极与所述阳极电连接;
所述显示面板还包括:
多条辅助走线;其中,所述辅助走线位于相邻两个子像素列之间的间隙中,且所述阴极层通过第一过孔与所述辅助走线电连接;
多条检测线;其中,所述检测线位于相邻两个子像素列之间的间隙中,且所述检测线与所述辅助走线绝缘设置,所述检测线与所述感测晶体管的第二极电连接;
所述信号线包括:所述辅助走线、所述检测线以及所述电源线中的至少一条。
可选地,在本公开实施例中,所述显示面板还包括:
像素界定层,位于所述阳极所在层与所述发光功能层之间;
平坦化层,位于所述像素界定层面向所述衬底基板一侧;
第一导电层;位于所述平坦化层面向所述衬底基板一侧;
第一绝缘层,位于所述第一导电层面向所述衬底基板一侧;
第二导电层,位于所述第一绝缘层面向所述衬底基板一侧;
所述辅助走线包括:
第一辅助走线,位于所述第一导电层,且沿所述子像素的列方向延伸;
第二辅助走线,位于所述第二导电层;
所述第一辅助走线通过贯穿所述第一绝缘层的第二过孔与所述第二辅助走线电连接。
可选地,在本公开实施例中,所述第二辅助走线包括多个间隔设置的第一辅助部;其中,同一所述辅助走线中,所述第一辅助走线分别通过所述第二过孔与对应的所述第一辅助部电连接。
可选地,在本公开实施例中,同一所述辅助走线中,所述第一辅助走线在所述衬底基板的正投影与对应的所述第一辅助部在所述衬底基板的正投影具有交叠区域。
可选地,在本公开实施例中,所述第一辅助部在所述衬底基板的正投影覆盖对应的所述第二过孔在所述衬底基板的正投影。
可选地,在本公开实施例中,针对同一所述第一辅助走线电连接的多个第一辅助部,一个子像素行对应一个所述第一辅助部。
可选地,在本公开实施例中,针对同一所述第一辅助走线电连接的多个第一辅助部,间隔至少一个子像素行的子像素行对应一个所述第一辅助部。
可选地,在本公开实施例中,每个所述第一辅助部通过至少四个第二过孔与对应的第一辅助走线电连接。
可选地,在本公开实施例中,针对同一行子像素对应的所述第一辅助部和所述第一栅线和所述第二栅线,所述第一辅助部更靠近所述第二栅线。
可选地,在本公开实施例中,所述第一过孔在所述衬底基板的正投影与所述阳极在所述衬底基板的正投影不交叠。
可选地,在本公开实施例中,所述显示面板还包括:
多个第一连接部,与所述阳极同层且绝缘;
所述第一过孔包括:贯穿所述像素界定层的第一子过孔和贯穿所述平坦化层的第二子过孔;
所述阴极层通过所述第一子过孔与所述第一连接部电连接,所述第一连接部通过所述第二子过孔与所述辅助走线电连接。
可选地,在本公开实施例中,所述第一子过孔在所述衬底基板的正投影与所述第二子过孔在所述衬底基板的正投影至少部分不交叠。
可选地,在本公开实施例中,一条所述辅助走线对应多个第一过孔,一个第一过孔对应一个子像素行;
针对同一行子像素对应的所述第一过孔和所述第一栅线和所述第二栅线,所述第一子过孔在所述衬底基板的正投影与所述第二栅线在所述衬底基板的正投影具有交叠区域;且所述第二子过孔在所述衬底基板的正投影位于所述第一栅线和所述第二栅线在所述衬底基板的正投影之间。
可选地,在本公开实施例中,针对同一行子像素对应的所述第二子过孔、所述第二过孔以及所述第二栅线,所述第二子过孔在所述衬底基板的正投影位于所述第二栅线在所述衬底基板的正投影与所有所述第二过孔在所述衬底基板的正投影之间。
可选地,在本公开实施例中,与所述第一辅助部的正投影具有交叠的第一辅助走线的部分沿所述子像素行方向的宽度为第一宽度,与所述第一栅线的正投影具有交叠的第一辅助走线的部分沿所述子像素行方向的宽度为第二宽度;
所述第一宽度大于所述第二宽度。
可选地,在本公开实施例中,具有所述第二宽度的第一辅助走线的部分靠近所述第二连接孔。
可选地,在本公开实施例中,所述第一辅助走线位于相邻的两个像素单元列之间的间隙中。
可选地,在本公开实施例中,以相邻的至少两个像素单元列为一个第一列组,一个所述第一列组对应一条第一辅助走线,所述第一辅助走线位于对应的所述第一列组中相邻的两个像素单元列之间的间隙中。
可选地,在本公开实施例中,所述显示面板还包括:
第二绝缘层,位于所述第二导电层面向所述衬底基板一侧;
有源半导体层,位于所述第二绝缘层面向所述衬底基板一侧;
第三绝缘层,位于所述有源半导体层面向所述衬底基板一侧;
遮光金属层,位于所述第三绝缘层面向所述衬底基板一侧;
所述遮光金属层包括:至少一个遮光电极;其中,一个所述遮光电极位于一个所述子像素中;
同一所述子像素中,所述遮光电极在所述衬底基板的正投影至少覆盖所述驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板的正投影。
可选地,在本公开实施例中,至少一个所述子像素还包括:存储电容;其中,所述存储电容的第一极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述存储电容的第二极与所述驱动晶体管的第二极电连接;
所述存储电容的第二极还通过第三连接孔与所述遮光电极电连接。
可选地,在本公开实施例中,所述检测线包括:
第一检测走线,位于所述第一导电层,且沿所述子像素的列方向延伸;
第二检测走线,位于所述第二导电层;
所述第一检测走线通过贯穿所述第一绝缘层的第三过孔与所述第二检测走线电连接。
可选地,在本公开实施例中,所述第二检测走线包括多个间隔设置的第二辅助部;其中,同一所述检测线中,所述第一检测走线分别通过所述第三过孔与对应的所述第二辅助部电连接。
可选地,在本公开实施例中,同一所述检测线中,所述第一检测走线在所述衬底基板的正投影与对应的所述第二辅助部在所述衬底基板的正投影具有交叠区域。
可选地,在本公开实施例中,所述第二辅助部在所述衬底基板的正投影覆盖对应的所述第三过孔在所述衬底基板的正投影。
可选地,在本公开实施例中,针对同一所述第一检测走线电连接的多个第二辅助部,一个子像素行对应一个所述第二辅助部。
可选地,在本公开实施例中,针对同一所述第一检测走线电连接的多个第二辅助部,间隔至少一个子像素行的子像素行对应一个所述第二辅助部。
可选地,在本公开实施例中,一个所述第二辅助部和一个所述第一辅助部对应同一个子像素行。
可选地,在本公开实施例中,针对同一行子像素对应的所述第一辅助部和所述第二辅助部,所述第一辅助部的第二过孔与所述第二辅助部的第三过孔错位排列。
可选地,在本公开实施例中,每个所述第二辅助部通过至少三个第三过孔与对应的第一检测走线电连接。
可选地,在本公开实施例中,针对同一行子像素对应的所述第二辅助部和所述第一栅线和所述第二栅线,所述第二辅助部更靠近所述第二栅线。
可选地,在本公开实施例中,与所述第二辅助部的正投影具有交叠的第一检测走线的部分沿所述子像素行方向的宽度为第三宽度,与所述第一栅线的正投影具有交叠的第一检测走线的部分沿所述子像素行方向的宽度为第四宽度;
所述第三宽度大于所述第四宽度。
可选地,在本公开实施例中,具有所述第四宽度的第一检测走线的部分靠近所述第二连接孔。
可选地,在本公开实施例中,针对设置于同一像素单元列之间的间隙中的所述第一检测走线与所述第一辅助走线,所述第一辅助走线对应的所述第一子过孔在所述衬底基板的正投影还与所述第一检测走线在所述衬底基板的正投影具有交叠区域。
可选地,在本公开实施例中,一条所述第一检测走线与一条所述第一辅助走线均设置于同一像素单元列之间的间隙中。
可选地,在本公开实施例中,所述电源线包括:
第一电源走线,位于所述第一导电层,且沿所述子像素的列方向延伸;
第二电源走线,位于所述第二导电层;
所述第一电源走线通过贯穿所述第一绝缘层的第四过孔与所述第二电源走线电连接。
可选地,在本公开实施例中,所述第一电源走线与所述第一辅助走线之间间隔至少一列像素单元。
可选地,在本公开实施例中,所述第二电源走线包括多个间隔设置的第三辅助部;其中,同一所述电源线中,所述第一电源走线分别通过所述第四过孔与对应的所述第三辅助部电连接。
可选地,在本公开实施例中,同一所述电源线中,所述第一电源走线在所述衬底基板的正投影与对应的所述第三辅助部在所述衬底基板的正投影具有交叠区域。
可选地,在本公开实施例中,所述第三辅助部在所述衬底基板的正投影覆盖对应的所述第四过孔在所述衬底基板的正投影。
可选地,在本公开实施例中,每个所述第三辅助部通过至少四个第四过孔与对应的第一电源走线电连接。
可选地,在本公开实施例中,针对同一所述第一电源走线电连接的多个第三辅助部,一个子像素行对应一个所述第三辅助部。
可选地,在本公开实施例中,针对同一所述第一电源走线电连接的多个第三辅助部,间隔至少一个子像素行的子像素行对应一个所述第三辅助部。
可选地,在本公开实施例中,一个所述第三辅助部和一个所述第一辅助部对应同一个子像素行。
可选地,在本公开实施例中,针对同一行子像素对应的所述第三辅助部和所述第一栅线和所述第二栅线,所述第三辅助部更靠近所述第二栅线。
可选地,在本公开实施例中,与所述第三辅助部的正投影具有交叠的第一电源走线的部分沿所述子像素行方向的宽度为第五宽度,与所述第一栅线的正投影具有交叠的第一电源走线的部分沿所述子像素行方向的宽度为第六宽度;
所述第五宽度大于所述第六宽度。
可选地,在本公开实施例中,具有所述第六宽度的第一电源走线的部分靠近所述第二连接孔。
可选地,在本公开实施例中,针对同一行子像素对应的所述第一连接孔和所述第三辅助部,所述第三辅助部对应的一个第四过孔与所述第一连接孔沿子像素行方向排列于一条直线上。
本公开实施例还提供的显示装置,包括上述显示面板。
附图说明
图1为本公开实施例提供的像素驱动电路的结构示意图;
图2a为本公开实施例提供的显示面板的俯视结构示意图;
图2b为本公开实施例提供的一些显示面板的俯视结构示意图;
图3为本公开实施例提供的又一些显示面板的布局结构示意图;
图4a为图3所示的显示面板沿AA’方向的剖视结构示意图;
图4b为图3所示的显示面板沿BB’方向的剖视结构示意图;
图4c为图3所示的显示面板沿CC’方向的剖视结构示意图;
图5a为图3所示的显示面板中遮光金属层的结构示意图;
图5b为图3所示的显示面板中有源半导体层的结构示意图;
图5c为图3所示的显示面板中第二导电层的结构示意图;
图5d为图3所示的显示面板中第一导电层的结构示意图;
图6为本公开实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下,本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
需要注意的是,附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
电致发光二极管一般属于电流驱动型,需要稳定的电流来驱动其发光。并且显示面板中采用像素驱动电路来驱动电致发光二极管发光。其中,电致发光二极管包括依次层叠设置于衬底基板上的阳极、发光功能层以及阴极层。像素驱动电路与阳极电连接,以向阳极加载信号。并且,向阴极层加载低电压信号VSS,以使电致发光二极管发光。然而,在实际应用中,顶发射型的电致发光二极管的发光面在阴极层这侧,为了增加阴极的透过率,一般使阴极采用透明导电材料或把阴极做的非常薄,这就导致阴极的方块电阻比较大。这样在显示面板工作时,流过阴极的电流则会较大,阴极上的电压降(IR-Drop)就较大,从而导致显示面板不同位置处的发光亮度不均匀的问题。
本公开实施例提供的显示面板,可以包括:衬底基板;阵列排布于衬底基板上的复数个像素单元,多个栅线组。其中,至少一个像素单元包括:多个子像素,至少一个子像素包括:感测晶体管和驱动晶体管。各栅线组包括位于像素单元两侧的第一栅线和第二栅线;针对同一行子像素对应的第一栅线和第二栅线,感测晶体管位于子像素更靠近第二栅线的一侧,驱动晶体管位于子像素更靠近第一栅线的一侧;同一子像素中,感测晶体管的第一极通过第一连接孔与驱动晶体管的第二极电连接,驱动晶体管的第一极通过第二连接孔与电源线电连接;针对同一行中相互靠近且不位于同一像素单元中的两个子像素,两个子像素的第一连接孔和第二连接孔围成的区域至少有一条信号线具有双层走线结构,且同一信号线的双层走线结构相互电连接。这样通过设置相互电连接的双层走线结构,可以使设置有双层走线结构的信号线的电阻降低,从而可以降低IR Drop对显示面板的发光均一性的影响,提高显示面板的显示效果。
在具体实施时,在本公开实施例中,至少一个子像素可以包括像素驱动电路和电致发光二极管L。下面结合像素驱动电路的结构对本公开实施例提供的显示面板进行描述。
如图1所示,像素驱动电路一般包括:驱动晶体管T1、开关晶体管T2、感测晶体管T3以及存储电容Cst。其中,开关晶体管T2的栅极与第一栅线G1电连接,开关晶体管T2的第一极(例如源极)与数据线DA电连接,开关晶体管T2的第二极(例如漏极)与驱动晶体管T1的栅极电连接。驱动晶体管T1的第一极(例如源极)与电源线VDD电连接,驱动晶体管T1的第二极(例如漏极)与电致发光二极管L的阳极电连接,电致发光二极管L的阴极与低电压信号线VSS电连接。感测晶体管T3的栅极与第二栅线G2电连接,感测晶体管T3的第一极(例如源极)与驱动晶体管T1的第二极(例如漏极)电连接,感测晶体管T3的第二极(例如漏极)与检测线SL电连接。存储电容Cst的第一极与驱动晶体管T1的栅极电连接,存储电容Cst的第二极与驱动晶体管T1的第二极(例如漏极)电连接。
其中通过第一栅线G1上传输的信号控制开关晶体管T2打开,以将数据线DA上传输的数据电压写入驱动晶体管T1的栅极,控制驱动晶体管T1产生工作电流以驱动电致发光二极管L发光。以及通过第二栅线G2上传输的信号控制感测晶体管T3打开,以将驱动晶体管T1产生的工作电流输出给检测线SL,对检测线SL充电。之后,再通过检测每个检测线SL上的电压,并根据检测到的电压进行补偿计算,以得到该行各子像素对应的用于显示的数据电压。
示例性地,电源线VDD可以传输恒定的第一电压,第一电压为正电压;而低电压信号线VSS可以传输恒定的第二电压,第二电压为负电压。或者,在一些示例中,低电压信号线VSS也可以接地。
需要说明的是,在本公开实施例中,像素驱动电路除了可以为图1所示的结构之外,还可以为包括其他数量的晶体管和电容的结构,本公开实施例对此不作限定。
如图2a与图2b所示,显示面板可以包括位于显示区AA中的多个像素单元PX,例如复数个像素单元PX。至少一个像素单元PX可以包括多个子像素。例如,每个像素单元可以包括多个子像素。一般在显示领域,一个像素单元通常包括多个可分别显示单色(例如红色、绿色或蓝色)的子像素,并且,每个子像素中设置一个电致发光二极管和一个像素驱动电路,以通过控制不同颜色的子像素的发光比例以实现显示不同的颜色,因此上述子像素可以为单色子像素。
例如,如图2a与图2b所示,像素单元PX可以包括:第一颜色子像素010、第二颜色子像素020以及第三颜色子像素030。其中,第一颜色子像素被配置为发第一颜色的光,第二颜色子像素被配置为发第二颜色的光,第三颜色子像素被配置为发第三颜色的光。在一些示例中,第一颜色、第二颜色以及第三颜色可以从红色、绿色以及蓝色中进行选取。例如,第一颜色为红色、第二颜色为绿色、第三颜色为蓝色。由此,该像素单元PX为红绿蓝子像素的排列结构。当然,本公开实施例包括但不限于此,上述的第一颜色、第二颜色和第三颜色还可为其他颜色。
示例性地,第一颜色子像素、第二颜色子像素以及第三颜色子像素沿行方向F2依次排列,同一列子像素的颜色相同。当然,本公开实施例包括但不限于此。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2a与图2b所示,显示面板还包括:多条辅助走线210、多条检测线SL、多条数据线DA(DA-010、DA-020、DA-030)以及电源线VDD。其中,检测线与辅助走线绝缘设置,辅助走线210位于相邻两个子像素列之间的间隙中。检测线SL位于相邻两个子像素列之间的间隙中,且检测线与感测晶体管的第二极电连接。驱动晶体管的第一极与电源线VDD电连接。
下面以同一像素单元中的第一颜色子像素010、第二颜色子像素020以及第三颜色子像素030为例,对本公开一些实施例提供的像素驱动电路的各层进行说明。如图3至图5d所示,其中,图5a至图5d为本公开一些实施例提供的像素驱动电路的各层的示意图。下面结合图5a至图5d描述像素驱动电路在衬底基板上的位置关系。
其中,如图3至图5d所示,显示面板可以包括:位于阳极所在层500与发光功能层600之间的像素界定层330,位于像素界定层330面向衬底基板100一侧的平坦化层320,位于平坦化层面向衬底基板一侧的第一导电层200,位于第一导电层200面向衬底基板100一侧的第一绝缘层711;位于第一绝缘层711面向衬底基板100一侧的第二导电层800,位于第二导电层800面向衬底基板100一侧的第二绝缘层712,位于第二绝缘层712面向衬底基板100一侧的有源半导体层0320,位于有源半导体层0320面向衬底基板100一侧的第三绝缘层713,以及位于第三绝缘层713面向衬底基板100一侧的遮光金属层0310。
其中,图3至图5d还示出了连接到像素驱动电路的第一栅线G1、第二栅线G2、检测线SL、数据线DA-010、DA-020以及DA-030、电源线VDD,辅助走线210。其中,数据线DA-010与第一颜色子像素010中的像素驱动电路的开关晶体管T2电连接,数据线DA-020与第二颜色子像素020中的像素驱动电路的开关晶体管T2电连接,数据线DA-030与第三颜色子像素030中的像素驱动电路的开关晶体管T2电连接。
示例性地,结合图3与图5a,示出了该像素驱动电路的遮光金属层0310,位于衬底基板100上。遮光金属层0310包括:第一连接走线0311、第二连接走线0312以及遮光电极0313-010、0313-020、0313-030。其中,第一连接走线0311和第二连接走线0312沿行方向F2延伸。第一颜色子像素010包括遮光电极0313-010,第二颜色子像素020包括遮光电极0313-020,第三颜色子像素030包括遮光电极0313-030。其中,遮光电极0313-010、0313-020、0313-030在衬底基板100的正投影至少覆盖驱动晶体管的沟道区在衬底基板100的正投影。
示例性地,结合图3与图5b,示出了上述像素驱动电路的有源半导体层0320,并且,在有源半导体层0320与遮光金属层0310之间具有第三绝缘层713。有源半导体层0320可采用半导体材料图案化形成。有源半导体层0320可用于制作上述第一颜色子像素010、第二颜色子像素020以及第三颜色子像素030中的驱动晶体管T1、开关晶体管T2、感测晶体管T3的有源层,各有源层可包括源极区域、漏极区域以及源极区域和漏极区域之间的沟道区。并且,有源半导体层0320还包括导电区0323-010、0323-020、0323-030;其中,导电区0323-010形成第一颜色子像素010中存储电容Cst的第一极,导电区0323-020形成第二颜色子像素020中存储电容Cst的第一极,导电区0323-030形成第三颜色子像素030中存储电容Cst的第一极。当然,本公开实施例包括但不限于此。
进一步地,各晶体管的有源层间隔设置。示例性地,有源半导体层0320可采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料等制作。需要说明的是,上述的源极区域和漏极区域可为掺杂有n型杂质或p型杂质的区域。上述的导电区可以为有源半导体层0320进行离子掺杂后形成的具有导电性能的区域。当然,本公开实施例包括但不限于此。
示例性地,像素驱动电路还包括位于有源半导体层0320背离衬底基板100一侧的第二导电层800。在上述的有源半导体层0320与第二导电层800之间形成有第二绝缘层720,用于保护上述的有源半导体层0320。结合图3与图5c所示,示出了第二导电层800。第二导电层800设置在第二绝缘层712上,从而与有源半导体层0320绝缘。其中,第二导电层800可以包括多条第一栅线G1、多条第二栅线G2以及多个栅极部(例如栅极部G-010、G-020、G-030)。示例性地,结合图3与图5c所示,开关晶体管T2的栅极可以为第一栅线G1与有源半导体层0320交叠的部分,感测晶体管T3的栅极可为第二栅线G2与有源半导体层0320交叠的部分。其中,栅极部G-010为第一颜色子像素010中驱动晶体管T1的栅极,栅极部G-020为第二颜色子像素020中驱动晶体管T1的栅极,栅极部G-030为第三颜色子像素030中驱动晶体管T1的栅极。
进一步地,在具体实施时,在本公开实施例中,各栅线组包括第一栅线G1和第二栅线G2;其中,一行子像素对应一个栅线组,同一栅线组中的第一栅线G1和第二栅线G2位于该行像素单元两侧。例如图2b与图3所示,一行子像素对应电连接一条第一栅线G1和一条第二栅线G2。并且,第一栅线G1和第二栅线G2沿列方向F1排布,沿行方向F2延伸。例如,在列方向F1上,存储电容Cst的第一极位于第一栅线G1和第二栅线G2之间。
需要说明的是,图5c中的各虚线矩形框(未标注的)示出了第二导电层800与有源半导体层0320交叠的各个部分。
在具体实施时,在上述的第二导电层800背离衬底基板100一侧具有第一绝缘层711,用于保护上述的第二导电层800。结合图3与图5d所示,示出了该像素驱动电路的第一导电层200,第一导电层200位于第一绝缘层711背离衬底基板100一侧。其中,第一导电层200包括:多条数据线(例如:数据线DA-010、DA-020以及DA-030)、以及电容电极部Cst-010、Cst-020、Cst-030。其中,电容电极部Cst-010作为第一颜色子像素010中存储电容Cst的第二极,电容电极部Cst-020作为第二颜色子像素020中存储电容Cst的第二极,电容电极部Cst-030作为第三颜色子像素030中存储电容Cst的第二极。
示例性地,在具体实施时,在本公开实施中,可以使数据线DA-010、DA-020以及DA-030沿列方向F1延伸且沿行方向F2排列。并且,数据线DA-010、DA-020以及DA-030分别通过在行方向F2上凸出的部分与开关晶体管的源极电连接。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图3与图4a所示,像素界定层330可以包括多个发光开口区KB。并且,显示面板还可以包括:位于平坦化层320与像素界定层330之间的阳极所在层500,以及位于阳极所在层500与阴极层400之间的发光功能层600。并且阳极所在层500包括多个相互独立的阳极510;其中,一个阳极510对应一个发光开口区KB,且阳极510在衬底基板100的正投影与对应的发光开口区KB在衬底基板100的正投影具有交叠区域。示例性地,第一过孔310在衬底基板100的正投影与阳极510在衬底基板100的正投影不交叠。这样可以避免第一过孔310对阳极510的平坦性的影响。
其中,在上述的第一导电层200背离衬底基板100一侧具有平坦化层320,用于保护上述的第一导电层200以及实现平坦效果。在上述的阳极所在层500背离衬底基板100一侧具有像素界定层330,像素界定层330具有多个发光开口区KB,一个阳极510对应一个发光开口区KB,以通过发光开口区KB将对应的阳极510暴露出来。也就是说,第一导电层200位于阳极所在层500面向衬底基板100一侧。这样使得第一导电层200不会对发光透过率造成影响,从而使得第一导电层200不会受限于宽度和厚度的影响,即使阴极层400采用透明导电材料或制备的厚度极薄,也能够通过设置第一导电层200使阴极层400的电阻降低,进而降低IRDrop对显示面板的发光均一性的影响,提高显示面板的显示效果。
示例性地,在具体实施时,顶发射型的电致发光二极管中,阳极510可以为反射阳极,以将光反射出去。并且,发光功能层600通过发光开口区KB与阳极510直接接触,以及发光功能层600和阴极层400直接接触,以通过阳极510上加载的信号和阴极层400上加载的信号,驱动发光功能层600发光。当然,本公开包括但不限于此。例如,发光功能层600和阳极510之间还可以设置有空穴传输层、空穴注入层,发光功能层600和阴极层400之间还可以设置有电子传输层、电子注入层等膜层。
示例性地,在具体实施时,阴极层400一般为一整层结构,覆盖在衬底基板100上。也就是说,阳极510、发光功能层600以及阴极层400层叠设置,形成了电致发光二极管。进一步地,可以使阳极510在衬底基板100的正投影覆盖对应的发光开口区KB在衬底基板100的正投影。并且,阳极510在衬底基板100的正投影的面积大于对应的发光开口区KB在衬底基板100的正投影的面积。也就是说,可以使阳极510在衬底基板100的正投影的边缘与对应的发光开口区KB在衬底基板100的正投影的边缘具有一定距离,该距离可以根据实际应用环境来设计确定,在此不作限定。
图3为上述的遮光金属层0310、有源半导体层0320、第二导电层800以及第一导电层200的层叠位置关系的示意图。结合图3至图5d所示,数据线DA-010沿行方向F2凸出的部分通过贯穿第一绝缘层711和第二绝缘层712中的至少一个过孔(例如,过孔341-010)与有源半导体层0320中的第一颜色子像素010的开关晶体管T2的源极区域电连接。数据线DA-020沿行方向F2凸出的部分通过贯穿第一绝缘层711和第二绝缘层712中的至少一个过孔(例如,过孔341-020)与有源半导体层0320中的第二颜色子像素020的开关晶体管T2的源极区域电连接。数据线DA-030沿行方向F2凸出的部分通过贯穿第一绝缘层711和第二绝缘层712中的至少一个过孔(例如,过孔341-030)与有源半导体层0320中的第三颜色子像素030的开关晶体管T2的源极区域电连接。当然,本公开包括但不限于此。
结合图3至图5d中的部分图,每一个子像素中,感测晶体管T3的第一极通过第一连接孔0110与驱动晶体管T1的第二极电连接。具体地,例如如图3与图4b所示,有源半导体层0320中的感测晶体管T3的源极区通过贯穿第一绝缘层711和第二绝缘层712的第一连接孔0110与存储电容Cst的第一极电连接。有源半导体层0320中的驱动晶体管T1的漏极区通过贯穿第一绝缘层711和第二绝缘层712的第四连接孔0140与存储电容Cst的第一极电连接。这样可以实现感测晶体管T3的第一极与驱动晶体管T1的第二极电连接。
并且,结合图3至图5d中的部分图,每一个子像素中,驱动晶体管T1的第一极通过第二连接孔0120与电源线VDD电连接。具体地,例如如图3与图4b所示,第一导电层200还可以包括:多个第四连接部,部分子像素中分别具有一个第四连接部。例如,第二颜色子像素020中具有第四连接部T1-020,第三颜色子像素030中具有第四连接部T1-030。第四连接部T1-030的一端通过贯穿第一绝缘层711和第二绝缘层712以及第三绝缘层713的过孔917与对应的第二连接走线0312电连接,另一端通过贯穿第一绝缘层711和第二绝缘层712的第二连接孔0120与驱动晶体管的有源层的源极区电连接。第四连接部T1-020同理设置,在此不作赘述。
并且,存储电容的第二极还通过第三连接孔与遮光电极电连接。具体地,结合图3至图5d中的部分图,电容电极部Cst-030通过贯穿第一绝缘层711、第二绝缘层712以及第三绝缘层713的第三连接孔0130与遮光电极0313-030电连接,以扩大存储电容的电容值。电容电极部Cst-010和Cst-020同理,在此不作赘述。进一步地,同一子像素中,遮光电极在衬底基板100的正投影可以覆盖第一连接过孔和第二连接过孔围成的区域。
在具体实施时,如图3与图4a所示,阴极层400通过第一过孔310与辅助走线210电连接。示例性地,具有双层走线结构的信号线可以包括辅助走线210。这样通过设置辅助走线210,并将阴极层400与辅助走线210电连接,以降低阴极层的电阻。从而可以降低IR Drop对显示面板的发光均一性的影响,提高显示面板的显示效果。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2a、图3、图4a与图5d所示,辅助走线210可以包括:位于第一导电层200的第一辅助走线211,位于第二导电层800的第二辅助走线212。其中,第一辅助走线211沿子像素的列方向F1延伸,且第一辅助走线211沿子像素的行方向F2排列。当然,本公开实施例包括但不限于此。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3与图5d所示,可以使第一辅助走线211位于相邻两个子像素列之间的间隙中,且阴极层400通过第一过孔310与第一辅助走线211电连接。示例性地,一条辅助走线210位于第三颜色子像素列与第一颜色子像素列之间的间隙中。进一步地,可以使第一辅助走线211位于相邻的两个像素单元列之间的间隙中。当然,本公开实施例包括但不限于此。
可选地,在具体实施时,在本公开实施中,如图2a至图3所示,以相邻的至少两个像素单元列为一个第一列组,一个第一列组对应一条第一辅助走线211,第一辅助走线211位于对应的第一列组中相邻的两个像素单元列之间的间隙中。示例性地,以相邻的两个像素单元列为一个第一列组,例如,在F2箭头所指的方向上(即从左向右的方向上),可以使第一个像素单元列和第二个像素单元列为第一个第一列组,第三个像素单元列和第四个像素单元列为第二个第一列组。第一个第一列组对应的第一辅助走线211位于第一个像素单元列和第二个像素单元列之间的间隙中,第二个第一列组对应的第一辅助走线211位于第三个像素单元列和第四个像素单元列之间的间隙中。其余设置依此类推,在此不作赘述。
可选地,在具体实施时,在本公开实施中,也可以使每相邻两个像素单元列之间的间隙设置一条辅助走线210。例如在F2箭头所指的方向上(即从左向右的方向上),第一个像素单元列和第二个像素单元列之间的间隙中设置有一条辅助走线210,第二个像素单元列和第三个像素单元列之间的间隙中设置有一条辅助走线210,第三个像素单元列和第四个像素单元列之间的间隙中设置有一条辅助走线210。其余设置依此类推,在此不作赘述。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2a、图3与图5d所示,一条检测线SL与一条辅助走线210对应设置于同一像素单元列之间的同一间隙中。例如在F2箭头所指的方向上(即从左向右的方向上),可以使第一个像素单元列和第二个像素单元列为第一个第一列组,第三个像素单元列和第四个像素单元列为第二个第一列组。第一个第一列组对应的辅助走线210和检测线SL位于第一个像素单元列和第二个像素单元列之间的间隙中,第二个第一列组对应的辅助走线210和检测线SL位于第三个像素单元列和第四个像素单元列之间的间隙中。其余设置依此类推,在此不作赘述。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3与图4a所示,显示面板还可以包括:与阳极510同层且绝缘设置的多个第一连接部520。并且,第一过孔310可以包括:贯穿像素界定层330的第一子过孔311和贯穿平坦化层320的第二子过孔312;其中,阴极层400通过第一子过孔311与第一连接部520电连接,第一连接部520通过第二子过孔312与辅助走线210电连接,例如,第一连接部520通过第二子过孔312与第一辅助走线211电连接。由于平坦化层320为了实现较佳的平坦效果,从而使得平坦化层320相比其余绝缘层的厚度较厚,这样导致阴极层400与辅助走线210之间的膜层较厚,若是仅仅设置一个过孔,由于该过孔较深可能会导致阴极层400与辅助走线210不能真实电连接而断路的情况。因此本公开实施例通过设置第一子过孔311和第二子过孔312,可以优先将辅助走线210通过第二子过孔312与第一连接部520进行电连接,之后再将第一连接部520通过第一子过孔311与阴极层400电连接,从而可以避免仅仅设置一个过孔导致不能真实电连接而断路的情况。
在具体实施时,在本公开实施中,如图3与图4a所示,可以使第一子过孔311在衬底基板100的正投影与第二子过孔312在衬底基板100的正投影至少部分不交叠。示例性地,如图3与图4a所示,第一子过孔311在衬底基板100的正投影与第二子过孔312在衬底基板100的正投影不交叠。这样可以进一步避免由于过孔过深导致阴极层400与辅助走线210不能电连接的问题。
进一步地,为了进一步降低阴极层400的电阻,在具体实施时,在本公开实施中,如图3与图4a所示,第一绝缘层711可以具有第二过孔720,并且第一辅助走线211通过贯穿第一绝缘层711的第二过孔720与第二辅助走线212电连接。这样,通过设置相互电连接的第一辅助走线211和第二辅助走线212,并将阴极层400、第一辅助走线211和第二辅助走线212电连接,可以进一步降低阴极层400的电阻。从而可以进一步降低IR Drop对显示面板的发光均一性的影响,进一步提高显示面板的显示效果。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3、图4a以及图5c所示,第二辅助走线212包括多个间隔设置的第一辅助部810;同一辅助走线210中,第一辅助走线211通过第二过孔720与对应的第一辅助部810电连接。进一步地,同一辅助走线210中,第一辅助走线211在衬底基板100的正投影与对应的第一辅助部810在衬底基板100的正投影具有交叠区域。示例性地,同一辅助走线210中,第一辅助走线211在衬底基板100的正投影覆盖对应的第一辅助部810在衬底基板100的正投影。这样可以使第一辅助部810也设置在子像素列之间,从而可以避免第一辅助部810影响发光显示。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3、图4a以及图5c所示,第一辅助部810在衬底基板100的正投影覆盖对应的第二过孔720在衬底基板100的正投影。这样可以使第二过孔720也设置在子像素列之间,从而可以避免影响发光显示。
在具体实施时,在本公开实施中,如图3、图4a以及图5c所示,可以使一条第一辅助走线211对应多个第一辅助部810。并且,一个第一辅助部810在衬底基板100的正投影位于同一行子像素电连接的第一栅线G1和第二栅线G2在衬底基板100的正投影之间。
示例性地,如图2b所示,针对同一第一辅助走线211电连接的多个第一辅助部810,可以使一个子像素行对应一个第一辅助部810。即可以使每一行子像素分别一一对应一个第一辅助部810。例如,在沿F1的箭头方向上,可以使每行子像素电连接的第一栅线G1和第二栅线G2之间设置一个第一辅助部810。
示例性地,如图3所示,针对同一第一辅助走线211电连接的多个第一辅助部810,也可以使间隔至少一个子像素行的子像素行对应一个第一辅助部810。例如,在沿F1的箭头方向上,可以使间隔一个子像素行的子像素行对应一个第一辅助部810,即可以使奇数子像素行对应一个第一辅助部810,或可以使偶数子像素行对应一个第一辅助部810。或者,在沿F1的箭头方向上,可以使间隔十一个子像素行的子像素行对应一个第一辅助部810,即可以使第一个子像素行对应一个第一辅助部810,使第十三个子像素行对应一个第一辅助部810,使第二十五个子像素行对应一个第一辅助部810,其余依此类推,在此不作限定。当然,本公开包括但不限于此。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3、图4a以及图5c所示,第一辅助部810沿列方向F1延伸。进一步地,针对同一行子像素对应的第一辅助部810和第一栅线G1和第二栅线G2,第一辅助部810更靠近第二栅线G2。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3以及图5d所示,与第一辅助部810的正投影具有交叠的第一辅助走线211的部分沿子像素行方向的宽度为第一宽度W1,与第一栅线G1的正投影具有交叠的第一辅助走线211的部分沿子像素行方向的宽度为第二宽度W2。其中,第一宽度W1大于第二宽度W2。这样可以通过使第一辅助走线211进行避让,以使与第一辅助走线211最靠近的子像素的面积增加。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3以及图5d所示,可以使具有第二宽度W2的第一辅助走线211的部分靠近第二连接孔0120。这样可以使第一辅助走线211中靠近第二连接孔0120的部分进行避让。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3、图4a以及图5c所示,每个第一辅助部810可以通过至少四个第二过孔720与对应的第一辅助走线211电连接。具体地,可以使每个第一辅助部810通过四个、五个、六个或更多个第二过孔720与对应的第一辅助走线211电连接。这样使得每个第一辅助部810与第一辅助走线211之间可以具有多个电连接接触点,即使在任一接触点处发生破裂或断裂,通过其他接触点仍能实现第一辅助部810与第一辅助走线211之间的电连通,从而更进一步地降低了第一辅助部810与第一辅助走线211发生断开的风险。当然,本公开包括但不限于此。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4a所示,一条辅助走线210可以对应多个第一过孔310,一个第一过孔310对应一个子像素行;其中,针对同一行子像素对应的第一过孔310和第一栅线G1和第二栅线G2,第一子过孔311在衬底基板100的正投影与第二栅线G2在衬底基板100的正投影具有交叠区域;且第二子过孔312在衬底基板100的正投影位于第一栅线G1和第二栅线G2在衬底基板100的正投影之间。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、与3与图4a所示,针对同一行子像素对应的第二子过孔312、第二过孔720以及第二栅线G2,第二子过孔312在衬底基板100的正投影位于第二栅线G2在衬底基板100的正投影与所有第二过孔720在衬底基板100的正投影之间。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4a所示,可以使同一条第一辅助走线211对应的多个第二过孔720沿列方向F1排列于同一直线上。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4b所示,具有双层走线结构的信号线可以包括:检测线SL。这样通过使检测线SL设置为相互电连接的双层走线结构,可以降低检测线SL的电阻,从而可以降低IR Drop对显示面板的发光均一性的影响,提高显示面板的显示效果。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4b所示,检测线SL可以包括:位于第一导电层200的第一检测走线221,以及位于第二导电层800的第二检测走线222。其中,第一绝缘层711具有第三过孔730,第一检测走线221通过贯穿第一绝缘层711的第三过孔730与第二检测走线222电连接。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4b所示,第一检测走线221沿子像素的列方向F1延伸,且第一检测走线221沿子像素的行方向F2排列。当然,本公开实施例包括但不限于此。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4b所示,第一导电层200还可以包括:多个第二连接部(即电容电极部Cst-010、Cst-020、Cst-030),并且,平坦化层320还包括第五连接孔0150,且第五连接孔0150暴露第二连接部(即电容电极部Cst-010、Cst-020、Cst-030)的一部分;阳极510通过第五连接孔0150与第二连接部(即电容电极部Cst-010、Cst-020、Cst-030)电连接。具体地,平坦化层320具有第五连接孔0150,每个子像素对应一个第五连接孔0150。其中,第一颜色子像素010中的阳极510通过第五连接孔0150与电容电极部Cst-010电连接,第二颜色子像素020中的阳极510通过第五连接孔0150与电容电极部Cst-020电连接,第三颜色子像素030中的阳极510通过第五连接孔0150与电容电极部Cst-030电连接。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3、图4b以及图5c所示,第二检测走线222还可以包括:多个间隔设置的第二辅助部820;其中,同一检测线SL中,第一检测走线221分别通过第三过孔730与对应的第二辅助部820电连接。并且,一条第一检测走线221对应至少一个第二辅助部820,且第一检测走线221通过第三过孔730与对应的第二辅助部820电连接。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4b所示,同一检测线SL中,第一检测走线221在衬底基板100的正投影与对应的第二辅助部820在衬底基板100的正投影具有交叠区域。进一步地,同一检测线SL中,第一检测走线221在衬底基板100的正投影覆盖对应的第二辅助部820在衬底基板100的正投影。这样可以避免第二辅助部820对显示造成影响。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4b所示,第一连接部520在衬底基板100的正投影与第三过孔730在衬底基板100的正投影不交叠。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3、图4b以及图5c所示,可以使一条第一检测走线221对应多个第二辅助部820,一个第二辅助部820在衬底基板100的正投影位于同一行子像素电连接的第一栅线G1和第二栅线G2在衬底基板100的正投影之间。
示例性地,如图2b所示,针对同一第一检测走线221电连接的多个第二辅助部820,可以使一个子像素行对应一个第二辅助部820。即可以使每一行子像素分别一一对应一个第二辅助部820。例如,在沿F1的箭头方向上,可以使每行子像素电连接的第一栅线G1和第二栅线G2之间设置一个第二辅助部820。
示例性地,如图3所示,针对同一第一检测走线221电连接的多个第二辅助部820,可以使间隔至少一个子像素行的子像素行对应一个第二辅助部820。例如,在沿F1的箭头方向上,可以使间隔一个子像素行的子像素行对应一个第二辅助部820,即可以使奇数子像素行对应一个第二辅助部820,或可以使偶数子像素行对应一个第二辅助部820。或者,在沿F1的箭头方向上,可以使间隔十一个子像素行的子像素行对应一个第二辅助部820,即可以使第一个子像素行对应一个第二辅助部820,使第十三个子像素行对应一个第二辅助部820,使第二十五个子像素行对应一个第二辅助部820,其余依此类推,在此不作限定。当然,本公开包括但不限于此。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3、图4b以及图5c所示,第二辅助部820沿列方向F1延伸。进一步地,针对同一行子像素对应的第二辅助部820和第一栅线G1和第二栅线G2,第二辅助部820更靠近第二栅线G2。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3、图4b以及图5c所示,每个第二辅助部820可以通过至少三个第三过孔730与对应的第一检测走线221电连接。具体地,可以使每个第二辅助部820通过三个、四个、五个或更多第三过孔730与对应的第一检测走线221电连接。这样使得每个第二辅助部820与第一检测走线221之间具有多个电连接接触点,即使在任一接触点处发生破裂或断裂,通过其他接触点仍能实现第二辅助部820与第一检测走线221之间的连通,从而更进一步地降低了第二辅助部820与第一检测走线221发生断开的风险。当然,本公开包括但不限于此。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3、图4b以及图5c所示,第二辅助部820在衬底基板100的正投影覆盖对应的第三过孔730在衬底基板100的正投影。这样可以使第三过孔730也设置在子像素列之间,从而可以避免影响发光显示。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4b所示,一行子像素中的第三连接孔0130沿行方向F2排列于一条直线上,一行子像素中的第四连接孔0140,沿行方向F2也排列于一条直线上,针对同一行子像素对应的第四过孔720、第一栅线G1以及第二栅线G2,第三过孔730在衬底基板100的正投影位于第三连接孔0130沿行方向F1所在的直线和第四连接孔0140沿行方向F1所在的直线之间。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4b所示,可以使同一条第一检测走线221对应的多个第三过孔730沿列方向F1排列于同一直线上。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4b所示,以相邻的两个像素单元列为一个第二列组,每一个第二列组中的子像素对应电连接一条第一检测走线221。例如,在F2箭头所指的方向上(即从左向右的方向上),第一个像素单元列和第二个像素单元列为第一个第二列组,第三个像素单元列和第四个像素单元列为第二个第二列组。第一个第二列组对应的第一检测走线221位于第一个像素单元列和第二个像素单元列之间的间隙中,且第一个第二列组中的每个子像素中的感测晶体管均与对应的第一检测走线221电连接。第二个第二列组对应的第一检测走线221位于第三个像素单元列和第四个像素单元列之间的间隙中,且第二个第二列组中的每个子像素中的感测晶体管均与对应的第一检测走线221电连接。其余设置依此类推,在此不作赘述。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4b所示,每一条第一检测走线221对应电连接多条第一连接走线0311,且,针对电连接同一条第一检测走线221的第一连接走线0311,第二列组中的每一行子像素一一对应一条第一连接走线0311。并且,第二列组中每一行子像素通过对应的第一连接走线0311与第一检测走线221电连接。示例性地,第一检测走线221通过贯穿第一绝缘层711、第二绝缘层712以及第三绝缘层713的过孔911与对应的第一连接走线0311电连接。并且,第一导电层200还可以包括:多个第三连接部,每个子像素中分别具有一个第三连接部。例如,第一颜色子像素010中具有第三连接部T3-010,第二颜色子像素020中具有第三连接部T3-020,第三颜色子像素030中具有第三连接部T3-030。并且,第三连接部T3-030的一端通过贯穿第一绝缘层711和第二绝缘层712的过孔912与有源半导体层0320中作为感测晶体管的漏极区电连接,另一端贯穿第一绝缘层711、第二绝缘层712以及第三绝缘层713的过孔913与对应的第一连接走线0311电连接。第三连接部T3-010的一端通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔与有源半导体层中作为感测晶体管的漏极区电连接,另一端贯穿第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层的过孔与对应的第一连接走线电连接。第三连接部T3-020的一端通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔与有源半导体层中作为感测晶体管的漏极区电连接,另一端贯穿第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层的过孔与对应的第一连接走线电连接。需要说明的是,图4b仅是以第三连接部T3-030为例进行说明,第三连接部T3-010与第三连接部T3-020的实施方式可以依此类推,在此不作赘述。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2a至图3所示,可以使一条第一检测走线221与一条第一辅助走线211均设置于同一像素单元列之间的间隙中。这样通过是传输检测信号的第一检测走线221与传输固定电压的第一辅助走线211设置于同一间隙中,可以减低信号对第一检测走线221传输的检测信号的影响,提高第一检测走线221传输的信号的精确度。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4a所示,针对设置于同一像素单元列之间的间隙中的第一检测走线221与第一辅助走线211,第一辅助走线211对应的第一子过孔311在衬底基板100的正投影还与第一检测走线221在衬底基板100的正投影具有交叠区域。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4a所示,针对设置于同一像素单元列之间的间隙中的第一检测走线221与第一辅助走线211,第一连接部520在衬底基板100的正投影还与该第一检测走线221在衬底基板100的正投影具有交叠区域,并且,第一连接部520在衬底基板100的正投影还与该第一辅助走线211在衬底基板100的正投影具有交叠区域。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b与图3所示,可以使一个第二辅助部820和一个第一辅助部810对应同一个子像素行。这样可以简化第二辅助部820和第一辅助部810的设计方式,降低设计难度。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b与图3所示,可以使针对同一行子像素对应的第一辅助部810和第二辅助部820,第一辅助部810的第二过孔720与第二辅助部820的第三过孔730错位排列。例如,第二过孔720的几何中心对应两个第三过孔730之间的间隙处。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3以及图5d所示,与第二辅助部820的正投影具有交叠的第一检测走线221的部分沿子像素行方向F2的宽度为第三宽度W3,与第一栅线G1的正投影具有交叠的第一检测走线221的部分沿子像素行方向F2的宽度为第四宽度W4。其中,第三宽度W3大于第四宽度W4。这样可以通过使第一检测走线221进行避让,以使与第一检测走线221最靠近的子像素的面积增加。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3以及图5d所示,可以使具有第四宽度W4的第一检测走线221的部分靠近第二连接孔0120。这样可以使第一检测走线221中靠近第二连接孔0120的部分进行避让。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4c所示,具有双层走线结构的信号线可以包括:电源线VDD。这样通过使电源线VDD设置为相互电连接的双层走线结构,可以降低电源线VDD的电阻,从而可以降低IR Drop对显示面板的发光均一性的影响,提高显示面板的显示效果。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4c所示,电源线包括:位于第一导电层200的第一电源走线231,以及位于第二导电层800的第二电源走线232。其中,第一绝缘层711具有第四过孔740,第一电源走线231通过贯穿第一绝缘层711的第四过孔740与第二电源走线232电连接。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4c所示,第一电源走线231沿子像素的列方向F1延伸,且第一电源走线231沿子像素的行方向F2排列。当然,本公开实施例包括但不限于此。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4c所示,每一条第一电源走线231对应电连接多条第二连接走线0312。在F2箭头所指的方向上(即从左向右的方向上),第一个像素单元列对应电连接一条第一电源走线231,最后一个像素单元列对应电连接一条第一电源走线231,针对除第一个像素单元列和最后一个像素单元列之外的像素单元列,以相邻的两个像素单元列为一个第三列组,每一个第三列组中的子像素对应电连接一条第一电源走线231。例如,在F2箭头所指的方向上(即从左向右的方向上),第二个像素单元列和第三个像素单元列为第一个第三列组,第四个像素单元列和第五个像素单元列为第二个第三列组。第一个第三列组对应的第一电源走线231位于第二个像素单元列和第三个像素单元列之间的间隙中,且第一个第三列组中的每个子像素中的驱动晶体管均与对应的第一电源走线231电连接。第二个第三列组对应的第一电源走线231位于第四个像素单元列和第五个像素单元列之间的间隙中,且第二个第三列组中的每个子像素中的驱动晶体管均与对应的第一电源走线231电连接。其余设置依此类推,在此不作赘述。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3、图4a、图4c以及图5d所示,第一电源走线231与第一辅助走线211之间间隔至少一列像素单元。示例性地,可以使第一电源走线231与第一辅助走线211之间间隔一列像素单元。也可以使第一电源走线231与第一辅助走线211之间间隔两列、三列、四列或更多列像素单元,在此不作限定。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3以及图4c所示,每一条第一电源走线231对应电连接多条第二连接走线0312,且,针对电连接同一条第一电源走线231的第二连接走线0312,第三列组中的每一行子像素一一对应一条第二连接走线0312。并且,第三列组中每一行子像素通过对应的第二连接走线0312与第一电源走线231电连接。示例性地,第一电源走线231通过贯穿第一绝缘层711、第二绝缘层712以及第三绝缘层713的过孔916与对应的第二连接走线0312电连接。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3、图4c以及图5c所示,第二电源走线232可以包括:多个间隔设置的第三辅助部830;其中,同一电源线VDD中,第一电源走线231分别通过第四过孔740与对应的第三辅助部830电连接。并且,一条第一电源走线231对应至少一个第三辅助部830,且第一电源走线231通过第四过孔740与对应的第三辅助部830电连接。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图3与图4c所示,第一电源走线231在衬底基板100的正投影与对应的第三辅助部830在衬底基板100的正投影具有交叠区域。进一步地,第一电源走线231在衬底基板100的正投影覆盖对应的第三辅助部830在衬底基板100的正投影。这样可以避免第三辅助部830对显示造成影响。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3、图4c以及图5c所示,可以使一条第一电源走线231对应多个第三辅助部830,一个第三辅助部830在衬底基板100的正投影位于同一行子像素电连接的第一栅线G1和第二栅线G2在衬底基板100的正投影之间。
示例性地,如图2b所示,针对同一第一电源走线231电连接的多个第三辅助部830,可以使一个子像素行对应一个第三辅助部830。即可以使每一行子像素分别一一对应一个第三辅助部830。例如,在沿F1的箭头方向上,可以使每行子像素电连接的第一栅线G1和第二栅线G2之间设置一个第三辅助部830。
示例性地,如图3所示,针对同一第一电源走线231电连接的多个第三辅助部830,可以使间隔至少一个子像素行的子像素行对应一个第三辅助部830。例如,在沿F1的箭头方向上,可以使间隔一个子像素行的子像素行对应一个第三辅助部830,即可以使奇数子像素行对应一个第三辅助部830,或可以使偶数子像素行对应一个第三辅助部830。或者,在沿F1的箭头方向上,可以使间隔十一个子像素行的子像素行对应一个第三辅助部830,即可以使第一个子像素行对应一个第三辅助部830,使第十三个子像素行对应一个第三辅助部830,使第二十五个子像素行对应一个第三辅助部830,其余依此类推,在此不作限定。当然,本公开包括但不限于此。
在具体实施时,在本公开实施中,如图3、图4c以及图5c所示,第三辅助部830沿列方向F1延伸。进一步地,针对同一行子像素对应的第三辅助部830和第一栅线G1和第二栅线G2,第三辅助部830更靠近第二栅线G2。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3、图4c以及图5c所示,每个第三辅助部830可以通过至少四个第四过孔740与对应的第一电源走线231电连接。具体地,可以使每个第三辅助部830通过三个、四个、五个或更多第四过孔740与对应的第一电源走线231电连接。这样使得每个第三辅助部830与第一电源走线231之间具有多个电连接接触点,即使在任一接触点处发生破裂或断裂,通过其他接触点仍能实现第三辅助部830与第一电源走线231之间的连通,从而更进一步地降低了第三辅助部830与第一电源走线231发生断开的风险。当然,本公开包括但不限于此。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3、图4c以及图5c所示,第三辅助部830在衬底基板100的正投影覆盖对应的第四过孔740在衬底基板100的正投影。这样可以使第四过孔740也设置在子像素列之间,从而可以避免影响发光显示。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4c所示,针对同一行子像素对应的第四过孔740、第一栅线G1以及第二栅线G2,第四过孔740在衬底基板100的正投影位于第一栅线G1和第二栅线G2在衬底基板100的正投影之间。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4c所示,可以使同一条第一电源走线231对应的多个第四过孔740沿列方向F1排列于同一直线上。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3与图4c所示,可以使针对同一行子像素对应的第一连接孔0110和第三辅助部830,第三辅助部830对应的一个第四过孔740与第一连接孔0110沿子像素行方向排列于一条直线上。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b与图3所示,可以使一个第三辅助部830和一个第一辅助部810对应同一个子像素行。这样可以简化第三辅助部830和第一辅助部810的设计方式,降低设计难度。
进一步地,在本公开实施例中,如图2b与图3所示,可以使一个第三辅助部830、一个第二辅助部820以及一个第一辅助部810对应同一个子像素行。这样可以进一步简化第三辅助部830、第二辅助部820和第一辅助部810的设计方式,降低设计难度。
在具体实施时,在本公开实施例中,如图2b、图3以及图5d所示,与第三辅助部830的正投影具有交叠的第一电源走线231的部分沿子像素行方向F2的宽度为第五宽度W5,与第一栅线G1的正投影具有交叠的第一电源走线231的部分沿子像素行方向F2的宽度为第六宽度W6。其中,第五宽度W5大于第六宽度W6。这样可以通过使第一电源走线231进行避让,以使与第一电源走线231最靠近的子像素的面积增加。
在具体实施时,在本公开实施中,如图2b、图3以及图5d所示,可以使具有第六宽度W6的第一电源走线231的部分靠近第二连接孔0120。这样可以使第一电源走线231中靠近第二连接孔0120的部分进行避让。
需要说明的是,上述第一宽度、第二宽度、第三宽度、第四宽度、第五宽度以及第六宽度可以根据实际应用环境来设计确定,在此不作限定。
需要说明的是,在实际工艺中,由于工艺条件的限制或其他因素,上述各特征中的相同并不能完全相同,可能会有一些偏差,因此上述各特征之间的相同关系只要大致满足上述条件即可,均属于本公开的保护范围。例如,上述相同可以是在误差允许范围之内所允许的相同。
基于同一发明构思,本公开实施例还提供了一种显示装置,包括本公开实施例提供的上述显示面板。该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似,因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施,重复之处在此不再赘述。
在具体实施时,在本公开实施例中,显示装置可以为如图6所示的全面屏手机。
当然,在具体实施时,显示装置还可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本公开的限制。
本公开实施例提供的显示面板及显示装置,通过设置相互电连接的双层走线结构,可以使设置有双层走线结构的信号线的电阻降低,从而可以降低IR Drop对显示面板的发光均一性的影响,提高显示面板的显示效果。
显然,本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开实施例的精神和范围。这样,倘若本公开实施例的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内,则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (47)

1.一种显示面板,包括:
衬底基板;
复数个像素单元,阵列排布于所述衬底基板上,且至少一个所述像素单元包括:多个子像素,至少一个所述子像素包括:感测晶体管和驱动晶体管;
多个栅线组,各所述栅线组包括位于所述像素单元两侧的第一栅线和第二栅线;
针对同一行所述子像素对应的所述第一栅线和所述第二栅线,所述感测晶体管位于所述子像素更靠近所述第二栅线的一侧,所述驱动晶体管位于所述子像素更靠近所述第一栅线的一侧;
同一所述子像素中,所述感测晶体管的第一极通过第一连接孔与驱动晶体管的第二极电连接,所述驱动晶体管的第一极通过第二连接孔与电源线电连接;
针对同一行中相互靠近且不位于同一像素单元中的两个子像素,所述两个子像素的所述第一连接孔和所述第二连接孔围成的区域至少有一条信号线具有双层走线结构,且同一所述信号线的所述双层走线结构相互电连接;
所述子像素还包括:层叠设置的阳极、发光功能层以及阴极层;其中,同一子像素中,所述驱动晶体管的第二极与所述阳极电连接;
所述显示面板还包括:
多条辅助走线;其中,所述辅助走线位于相邻两个子像素列之间的间隙中,且所述阴极层通过第一过孔与所述辅助走线电连接;
多条检测线;其中,所述检测线位于相邻两个子像素列之间的间隙中,且所述检测线与所述辅助走线绝缘设置,所述检测线与所述感测晶体管的第二极电连接;
所述信号线包括:所述辅助走线、所述检测线以及所述电源线中的至少一条;
所述显示面板还包括:
像素界定层,位于所述阳极所在层与所述发光功能层之间;
平坦化层,位于所述像素界定层面向所述衬底基板一侧;
第一导电层;位于所述平坦化层面向所述衬底基板一侧;
第一绝缘层,位于所述第一导电层面向所述衬底基板一侧;
第二导电层,位于所述第一绝缘层面向所述衬底基板一侧;
所述辅助走线包括:
第一辅助走线,位于所述第一导电层,且沿所述子像素的列方向延伸;
第二辅助走线,位于所述第二导电层;
所述第一辅助走线通过贯穿所述第一绝缘层的第二过孔与所述第二辅助走线电连接。
2.如权利要求1所述的显示面板,其中,所述第二辅助走线包括多个间隔设置的第一辅助部;其中,同一所述辅助走线中,所述第一辅助走线分别通过所述第二过孔与对应的所述第一辅助部电连接。
3.如权利要求2所述的显示面板,其中,同一所述辅助走线中,所述第一辅助走线在所述衬底基板的正投影与对应的所述第一辅助部在所述衬底基板的正投影具有交叠区域。
4.如权利要求2所述的显示面板,其中,所述第一辅助部在所述衬底基板的正投影覆盖对应的所述第二过孔在所述衬底基板的正投影。
5.如权利要求2-4任一项所述的显示面板,其中,针对同一所述第一辅助走线电连接的多个第一辅助部,一个子像素行对应一个所述第一辅助部。
6.如权利要求2-4任一项所述的显示面板,其中,针对同一所述第一辅助走线电连接的多个第一辅助部,间隔至少一个子像素行的子像素行对应一个所述第一辅助部。
7.如权利要求2-4任一项所述的显示面板,其中,每个所述第一辅助部通过至少四个第二过孔与对应的第一辅助走线电连接。
8.如权利要求2-4任一项所述的显示面板,其中,针对同一行子像素对应的所述第一辅助部和所述第一栅线和所述第二栅线,所述第一辅助部更靠近所述第二栅线。
9.如权利要求2-4任一项所述的显示面板,其中,所述第一过孔在所述衬底基板的正投影与所述阳极在所述衬底基板的正投影不交叠。
10.如权利要求2-4任一项所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括:
多个第一连接部,与所述阳极同层且绝缘;
所述第一过孔包括:贯穿所述像素界定层的第一子过孔和贯穿所述平坦化层的第二子过孔;
所述阴极层通过所述第一子过孔与所述第一连接部电连接,所述第一连接部通过所述第二子过孔与所述辅助走线电连接。
11.如权利要求10所述的显示面板,其中,所述第一子过孔在所述衬底基板的正投影与所述第二子过孔在所述衬底基板的正投影至少部分不交叠。
12.如权利要求11所述的显示面板,其中,一条所述辅助走线对应多个第一过孔,一个第一过孔对应一个子像素行;
针对同一行子像素对应的所述第一过孔和所述第一栅线和所述第二栅线,所述第一子过孔在所述衬底基板的正投影与所述第二栅线在所述衬底基板的正投影具有交叠区域;且所述第二子过孔在所述衬底基板的正投影位于所述第一栅线和所述第二栅线在所述衬底基板的正投影之间。
13.如权利要求12所述的显示面板,其中,针对同一行子像素对应的所述第二子过孔、所述第二过孔以及所述第二栅线,所述第二子过孔在所述衬底基板的正投影位于所述第二栅线在所述衬底基板的正投影与所有所述第二过孔在所述衬底基板的正投影之间。
14.如权利要求2-4任一项所述的显示面板,其中,与所述第一辅助部的正投影具有交叠的第一辅助走线的部分沿所述子像素行方向的宽度为第一宽度,与所述第一栅线的正投影具有交叠的第一辅助走线的部分沿所述子像素行方向的宽度为第二宽度;
所述第一宽度大于所述第二宽度。
15.如权利要求14所述的显示面板,其中,具有所述第二宽度的第一辅助走线的部分靠近所述第二连接孔。
16.如权利要求1-4任一项所述的显示面板,其中,所述第一辅助走线位于相邻的两个像素单元列之间的间隙中。
17.如权利要求1-4任一项所述的显示面板,其中,以相邻的至少两个像素单元列为一个第一列组,一个所述第一列组对应一条第一辅助走线,所述第一辅助走线位于对应的所述第一列组中相邻的两个像素单元列之间的间隙中。
18.如权利要求1-4任一项所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括:
第二绝缘层,位于所述第二导电层面向所述衬底基板一侧;
有源半导体层,位于所述第二绝缘层面向所述衬底基板一侧;
第三绝缘层,位于所述有源半导体层面向所述衬底基板一侧;
遮光金属层,位于所述第三绝缘层面向所述衬底基板一侧;
所述遮光金属层包括:至少一个遮光电极;其中,一个所述遮光电极位于一个所述子像素中;
同一所述子像素中,所述遮光电极在所述衬底基板的正投影至少覆盖所述驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板的正投影。
19.如权利要求18所述的显示面板,其中,至少一个所述子像素还包括:存储电容;其中,所述存储电容的第一极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述存储电容的第二极与所述驱动晶体管的第二极电连接;
所述存储电容的第二极还通过第三连接孔与所述遮光电极电连接。
20.如权利要求1-4任一项所述的显示面板,其中,所述检测线包括:
第一检测走线,位于所述第一导电层,且沿所述子像素的列方向延伸;
第二检测走线,位于所述第二导电层;
所述第一检测走线通过贯穿所述第一绝缘层的第三过孔与所述第二检测走线电连接。
21.如权利要求20所述的显示面板,其中,所述第二检测走线包括多个间隔设置的第二辅助部;其中,同一所述检测线中,所述第一检测走线分别通过所述第三过孔与对应的所述第二辅助部电连接。
22.如权利要求21所述的显示面板,其中,同一所述检测线中,所述第一检测走线在所述衬底基板的正投影与对应的所述第二辅助部在所述衬底基板的正投影具有交叠区域。
23.如权利要求21所述的显示面板,其中,所述第二辅助部在所述衬底基板的正投影覆盖对应的所述第三过孔在所述衬底基板的正投影。
24.如权利要求21-23任一项所述的显示面板,其中,针对同一所述第一检测走线电连接的多个第二辅助部,一个子像素行对应一个所述第二辅助部。
25.如权利要求21-23任一项所述的显示面板,其中,针对同一所述第一检测走线电连接的多个第二辅助部,间隔至少一个子像素行的子像素行对应一个所述第二辅助部。
26.如权利要求21-23任一项所述的显示面板,其中,一个所述第二辅助部和一个所述第一辅助部对应同一个子像素行。
27.如权利要求26所述的显示面板,其中,针对同一行子像素对应的所述第一辅助部和所述第二辅助部,所述第一辅助部的第二过孔与所述第二辅助部的第三过孔错位排列。
28.如权利要求21-23任一项所述的显示面板,其中,每个所述第二辅助部通过至少三个第三过孔与对应的第一检测走线电连接。
29.如权利要求21-23任一项所述的显示面板,其中,针对同一行子像素对应的所述第二辅助部和所述第一栅线和所述第二栅线,所述第二辅助部更靠近所述第二栅线。
30.如权利要求21-23任一项所述的显示面板,其中,与所述第二辅助部的正投影具有交叠的第一检测走线的部分沿所述子像素行方向的宽度为第三宽度,与所述第一栅线的正投影具有交叠的第一检测走线的部分沿所述子像素行方向的宽度为第四宽度;
所述第三宽度大于所述第四宽度。
31.如权利要求30所述的显示面板,其中,具有所述第四宽度的第一检测走线的部分靠近所述第二连接孔。
32.如权利要求21-23任一项所述的显示面板,其中,针对设置于同一像素单元列之间的间隙中的所述第一检测走线与所述第一辅助走线,所述第一辅助走线对应的第一子过孔在所述衬底基板的正投影还与所述第一检测走线在所述衬底基板的正投影具有交叠区域。
33.如权利要求20所述的显示面板,其中,一条所述第一检测走线与一条所述第一辅助走线均设置于同一像素单元列之间的间隙中。
34.如权利要求1-4任一项所述的显示面板,其中,所述电源线包括:
第一电源走线,位于所述第一导电层,且沿所述子像素的列方向延伸;
第二电源走线,位于所述第二导电层;
所述第一电源走线通过贯穿所述第一绝缘层的第四过孔与所述第二电源走线电连接。
35.如权利要求34所述的显示面板,其中,所述第一电源走线与所述第一辅助走线之间间隔至少一列像素单元。
36.如权利要求35所述的显示面板,其中,所述第二电源走线包括多个间隔设置的第三辅助部;其中,同一所述电源线中,所述第一电源走线分别通过所述第四过孔与对应的所述第三辅助部电连接。
37.如权利要求36所述的显示面板,其中,同一所述电源线中,所述第一电源走线在所述衬底基板的正投影与对应的所述第三辅助部在所述衬底基板的正投影具有交叠区域。
38.如权利要求37所述的显示面板,其中,所述第三辅助部在所述衬底基板的正投影覆盖对应的所述第四过孔在所述衬底基板的正投影。
39.如权利要求38所述的显示面板,其中,每个所述第三辅助部通过至少四个第四过孔与对应的第一电源走线电连接。
40.如权利要求36所述的显示面板,其中,针对同一所述第一电源走线电连接的多个第三辅助部,一个子像素行对应一个所述第三辅助部。
41.如权利要求36所述的显示面板,其中,针对同一所述第一电源走线电连接的多个第三辅助部,间隔至少一个子像素行的子像素行对应一个所述第三辅助部。
42.如权利要求40或41所述的显示面板,其中,一个所述第三辅助部和一个所述第一辅助部对应同一个子像素行。
43.如权利要求42所述的显示面板,其中,针对同一行子像素对应的所述第三辅助部和所述第一栅线和所述第二栅线,所述第三辅助部更靠近所述第二栅线。
44.如权利要求36-41任一项所述的显示面板,其中,与所述第三辅助部的正投影具有交叠的第一电源走线的部分沿所述子像素行方向的宽度为第五宽度,与所述第一栅线的正投影具有交叠的第一电源走线的部分沿所述子像素行方向的宽度为第六宽度;
所述第五宽度大于所述第六宽度。
45.如权利要求44所述的显示面板,其中,具有所述第六宽度的第一电源走线的部分靠近所述第二连接孔。
46.如权利要求36-41任一项所述的显示面板,其中,针对同一行子像素对应的所述第一连接孔和所述第三辅助部,所述第三辅助部对应的一个第四过孔与所述第一连接孔沿子像素行方向排列于一条直线上。
47.一种显示装置,其中,包括如权利要求1-46任一项所述的显示面板。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021103003A1 (zh) * 2019-11-29 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN113707693B (zh) * 2021-08-13 2023-12-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管像素结构及其制造方法
CN118542093A (zh) * 2022-12-23 2024-08-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1498041A (zh) * 2002-09-25 2004-05-19 ������������ʽ���� 电光装置、矩阵基板以及电子设备
CN109841650A (zh) * 2017-11-29 2019-06-04 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN209434190U (zh) * 2019-05-05 2019-09-24 北京京东方技术开发有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5435260B2 (ja) 2009-04-03 2014-03-05 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
KR102268493B1 (ko) * 2013-11-26 2021-06-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법
CN103715205B (zh) 2013-12-31 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及显示装置
CN205485204U (zh) * 2016-04-15 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及液晶显示装置
CN106125408A (zh) * 2016-08-31 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置和显示装置的驱动方法
CN107871757B (zh) * 2016-09-23 2020-04-14 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置
KR102642017B1 (ko) * 2016-11-30 2024-02-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN110061014B (zh) * 2019-04-30 2021-06-08 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110190072B (zh) * 2019-06-20 2021-09-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN110488548B (zh) * 2019-09-12 2022-04-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板和车载显示装置
WO2021103003A1 (zh) * 2019-11-29 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1498041A (zh) * 2002-09-25 2004-05-19 ������������ʽ���� 电光装置、矩阵基板以及电子设备
CN109841650A (zh) * 2017-11-29 2019-06-04 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN209434190U (zh) * 2019-05-05 2019-09-24 北京京东方技术开发有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

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